JP3189764B2 - シリコン単結晶原料の溶解方法 - Google Patents
シリコン単結晶原料の溶解方法Info
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- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
- C30B15/02—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method adding crystallising materials or reactants forming it in situ to the melt
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- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
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- Organic Chemistry (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＣＺ法によりシリ
コン単結晶を製造する際に、その製造原料である多結晶
シリコンをルツボ内で溶解して、シリコン融液を生成す
るシリコン単結晶原料の溶解方法に関する。
コン単結晶を製造する際に、その製造原料である多結晶
シリコンをルツボ内で溶解して、シリコン融液を生成す
るシリコン単結晶原料の溶解方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＣＺ法によりシリコン単結晶を製造する
場合、その単結晶の引き上げに先立ってルツボ内に多結
晶シリコンを装填し、これを溶解して所定量のシリコン
融液を得た後、その融液から単結晶の引き上げが開始さ
れる。
場合、その単結晶の引き上げに先立ってルツボ内に多結
晶シリコンを装填し、これを溶解して所定量のシリコン
融液を得た後、その融液から単結晶の引き上げが開始さ
れる。
【０００３】ここで、シリコン単結晶の製造原料として
使用される多結晶シリコンは、通常、製造効率に優れる
とされるシーメンス法によって製造された多結晶シリコ
ンロッドを素材としている。そして、この棒状の多結晶
シリコンを熱衝撃、機械的衝撃などによって破砕し、エ
ッチング洗浄などの工程を経た後、サイズ分けしたもの
がシリコン単結晶の製造原料として使用されている。
使用される多結晶シリコンは、通常、製造効率に優れる
とされるシーメンス法によって製造された多結晶シリコ
ンロッドを素材としている。そして、この棒状の多結晶
シリコンを熱衝撃、機械的衝撃などによって破砕し、エ
ッチング洗浄などの工程を経た後、サイズ分けしたもの
がシリコン単結晶の製造原料として使用されている。
【０００４】より具体的には、Ｌサイズと呼ばれる４５
〜８５ｍｍの多結晶シリコン塊と、Ｓサイズと呼ばれる
５〜４５ｍｍの多結晶シリコン塊が主に使用されるが、
これらのシリコン塊を得る際に生じるチップと呼ばれる
多結晶シリコンの小片や、流動造粒法によって製造され
た顆粒状の多結晶シリコンなども、シリコン単結晶の製
造原料として使用されている。
〜８５ｍｍの多結晶シリコン塊と、Ｓサイズと呼ばれる
５〜４５ｍｍの多結晶シリコン塊が主に使用されるが、
これらのシリコン塊を得る際に生じるチップと呼ばれる
多結晶シリコンの小片や、流動造粒法によって製造され
た顆粒状の多結晶シリコンなども、シリコン単結晶の製
造原料として使用されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところで、このような
シリコン単結晶原料の溶解では、大重量の単結晶を製造
するために、ルツボへの原料装填量をできるだけ多くす
ることが求められる。
シリコン単結晶原料の溶解では、大重量の単結晶を製造
するために、ルツボへの原料装填量をできるだけ多くす
ることが求められる。
【０００６】この要求に応えるために、ルツボのサイズ
を大きくすることが考えられる。しかし、ルツボのサイ
ズを大きくすると、その分、溶解に要する電力費が嵩
み、しかも、融液温度の管理が困難となるため、ルツボ
のサイズを大きくすることは好ましい対策とは言えな
い。
を大きくすることが考えられる。しかし、ルツボのサイ
ズを大きくすると、その分、溶解に要する電力費が嵩
み、しかも、融液温度の管理が困難となるため、ルツボ
のサイズを大きくすることは好ましい対策とは言えな
い。
【０００７】別の対策として、ルツボ内における原料の
装填レベルを高くすることが考えられる。即ち、装填量
を増加させるためには、図３（ａ）に示すように、ルツ
ボ１の上端近くまで原料２を山積みするのが有効であ
る。しかし、この状態で原料２を溶解すると、図３
（ｂ）に示すように、ヒータ４の上方に突出するルツボ
１の上端部は他の部分に比べて放熱量が多く温度が低い
ために、ルツボ１の上端部付近に位置する原料２は、完
全に溶解せずにルツボ１の内壁面に固着した状態とな
る。その結果、図３（ｃ）に示すように、固着した原料
２の荷重がルツボ壁に加わり、ルツボ１の上端部が内側
に変形することにより、ルツボ１の寿命低下やルツボ１
の変形に伴う単結晶の有転移化を招く。従って、ルツボ
内の原料装填レベルを高くする対策も好ましいものとは
言えない。
装填レベルを高くすることが考えられる。即ち、装填量
を増加させるためには、図３（ａ）に示すように、ルツ
ボ１の上端近くまで原料２を山積みするのが有効であ
る。しかし、この状態で原料２を溶解すると、図３
（ｂ）に示すように、ヒータ４の上方に突出するルツボ
１の上端部は他の部分に比べて放熱量が多く温度が低い
ために、ルツボ１の上端部付近に位置する原料２は、完
全に溶解せずにルツボ１の内壁面に固着した状態とな
る。その結果、図３（ｃ）に示すように、固着した原料
２の荷重がルツボ壁に加わり、ルツボ１の上端部が内側
に変形することにより、ルツボ１の寿命低下やルツボ１
の変形に伴う単結晶の有転移化を招く。従って、ルツボ
内の原料装填レベルを高くする対策も好ましいものとは
言えない。
【０００８】このような事情のため、ルツボへの原料装
填量を多くするためには、ルツボ内の原料装填率（装填
密度）を高めざるを得ず、この観点から、実操業ではＬ
サイズ及びＳサイズの塊状原料を装填した後に、原料間
に生じる空隙を埋めるように、チップや顆粒原料を装填
する場合が多い。この装填方法は、チップも有効に使え
るため、原料費の低減の点からも有利である。
填量を多くするためには、ルツボ内の原料装填率（装填
密度）を高めざるを得ず、この観点から、実操業ではＬ
サイズ及びＳサイズの塊状原料を装填した後に、原料間
に生じる空隙を埋めるように、チップや顆粒原料を装填
する場合が多い。この装填方法は、チップも有効に使え
るため、原料費の低減の点からも有利である。
【０００９】しかしながら、このような装填方法によっ
てもルツボ内の原料装填率は十分に上がらない。なぜな
ら、個々の原料がもつ表面積が大きいために、その原料
間に多くの空隙が残るからである。このため、ルツボ内
に装填する多結晶シリコン量は依然として制限され、大
重量の単結晶を製造することは困難である。
てもルツボ内の原料装填率は十分に上がらない。なぜな
ら、個々の原料がもつ表面積が大きいために、その原料
間に多くの空隙が残るからである。このため、ルツボ内
に装填する多結晶シリコン量は依然として制限され、大
重量の単結晶を製造することは困難である。
【００１０】本発明の目的は、ルツボのサイズ及びルツ
ボ内の原料装填レベルを増大させることなく、ルツボ内
の原料装填量を現状以上に高め、更には溶解に要する電
力費を低減させることができるシリコン単結晶原料の溶
解方法を提供することにある。
ボ内の原料装填レベルを増大させることなく、ルツボ内
の原料装填量を現状以上に高め、更には溶解に要する電
力費を低減させることができるシリコン単結晶原料の溶
解方法を提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明に係るシリコン単結晶原料の溶解方法では、
ＣＺ法によりシリコン単結晶を製造する際の製造原料で
ある多結晶シリコンをルツボ内で溶解するにあたり、ル
ツボ内に棒状の多結晶シリコンを、横に寝かせた横置き
形式の俵積み状態に組み合わせて装填し、その多結晶シ
リコンを溶解する。
に、本発明に係るシリコン単結晶原料の溶解方法では、
ＣＺ法によりシリコン単結晶を製造する際の製造原料で
ある多結晶シリコンをルツボ内で溶解するにあたり、ル
ツボ内に棒状の多結晶シリコンを、横に寝かせた横置き
形式の俵積み状態に組み合わせて装填し、その多結晶シ
リコンを溶解する。
【００１２】棒状の多結晶シリコンは、同一体積で比較
した場合、塊粒状の多結晶シリコンの集合体より、重量
が重たい。このため、棒状の多結晶シリコンを使用する
ことにより、ルツボ内の原料装填率（装填密度）が上が
る。しかも、下記の理由により、溶解に要する時間さえ
も短くなる。
した場合、塊粒状の多結晶シリコンの集合体より、重量
が重たい。このため、棒状の多結晶シリコンを使用する
ことにより、ルツボ内の原料装填率（装填密度）が上が
る。しかも、下記の理由により、溶解に要する時間さえ
も短くなる。
【００１３】塊粒原料のみをルツボ内に装填して溶解し
た場合は、原料間に空隙が多く存在するので、熱伝導性
が悪く、溶解に要する時間は意外に長い。これに対し、
棒状原料をそのまま装填して溶解した場合は、空隙のな
い単一体からなる棒状原料の方が本質的に熱伝導性が良
く、加えて多結晶シリコンはある温度に達すると非常に
熱伝導度の高い物質に変化する性質があるので、熱容量
自体は増加するものの、全体としては溶解に要する時間
が短縮される。
た場合は、原料間に空隙が多く存在するので、熱伝導性
が悪く、溶解に要する時間は意外に長い。これに対し、
棒状原料をそのまま装填して溶解した場合は、空隙のな
い単一体からなる棒状原料の方が本質的に熱伝導性が良
く、加えて多結晶シリコンはある温度に達すると非常に
熱伝導度の高い物質に変化する性質があるので、熱容量
自体は増加するものの、全体としては溶解に要する時間
が短縮される。
【００１４】従来、棒状の多結晶シリコンをそのままシ
リコン単結晶の原料として使用することが行われていな
かったのは、棒状原料の熱容量が大きいために、その溶
解に要する時間も長くなると単純に考えられていためと
推定される。
リコン単結晶の原料として使用することが行われていな
かったのは、棒状原料の熱容量が大きいために、その溶
解に要する時間も長くなると単純に考えられていためと
推定される。
【００１５】そして本発明に係るシリコン単結晶原料の
溶解方法では、ルツボ内に複数本の棒状の多結晶シリコ
ンを俵積み状に組み合わせて装填することにより、更な
るルツボ内の原料装填率の向上及び溶解に要する時間の
短縮が図られる。また、ルツボ内に装填する棒状の多結
晶シリコンの周囲に塊状及び／又は粒状の多結晶シリコ
ンを装填することにより、更なるルツボ内の原料装填率
の向上及び溶解に要する時間の短縮が図られる。なお、
本明細書で塊粒とは、塊状及び／又は粒状を意味する。
溶解方法では、ルツボ内に複数本の棒状の多結晶シリコ
ンを俵積み状に組み合わせて装填することにより、更な
るルツボ内の原料装填率の向上及び溶解に要する時間の
短縮が図られる。また、ルツボ内に装填する棒状の多結
晶シリコンの周囲に塊状及び／又は粒状の多結晶シリコ
ンを装填することにより、更なるルツボ内の原料装填率
の向上及び溶解に要する時間の短縮が図られる。なお、
本明細書で塊粒とは、塊状及び／又は粒状を意味する。
【００１６】ルツボ内に複数本の棒状の多結晶シリコン
を俵積み状に組み合わせて装填する場合、俵積みの形態
としてはルツボの底面上に複数本の多結晶シリコンを横
に寝かせて水平方向及び垂直方向に並べる横置き形式
と、ルツボの底面上に複数本の多結晶シリコンを垂直に
立てて水平方向に並べる縦置き形式とがあるが、本発明
に係るシリコン単結晶原料の溶解方法では、前者の横置
き形式が採用される。前者の横置き形式の場合、ルツボ
の底面外周部はＲ形状をしているので、その底面上に比
較的短い多結晶シリコンを並べ、その上に比較的長い多
結晶シリコンを積み重ねるのが、原料装填率を高める上
で好ましい。
を俵積み状に組み合わせて装填する場合、俵積みの形態
としてはルツボの底面上に複数本の多結晶シリコンを横
に寝かせて水平方向及び垂直方向に並べる横置き形式
と、ルツボの底面上に複数本の多結晶シリコンを垂直に
立てて水平方向に並べる縦置き形式とがあるが、本発明
に係るシリコン単結晶原料の溶解方法では、前者の横置
き形式が採用される。前者の横置き形式の場合、ルツボ
の底面外周部はＲ形状をしているので、その底面上に比
較的短い多結晶シリコンを並べ、その上に比較的長い多
結晶シリコンを積み重ねるのが、原料装填率を高める上
で好ましい。
【００１７】
【発明の実施の形態】以下に本発明の実施形態を図面に
基づいて説明する。
基づいて説明する。
【００１８】図１は本発明の実施形態を示す。本実施形
態では、まず、ルツボ１の底面上に塊粒状の多結晶シリ
コン２（以下、塊粒原料２という）を敷きつめる。ルツ
ボ１の底面外周部はＲ形状になっている。
態では、まず、ルツボ１の底面上に塊粒状の多結晶シリ
コン２（以下、塊粒原料２という）を敷きつめる。ルツ
ボ１の底面外周部はＲ形状になっている。
【００１９】塊粒原料２の敷きつめが終わると、その上
にシーメンス法による多結晶シリコン棒から切り出した
３本の棒状の多結晶シリコン３ａ（以下、棒状原料３ａ
という）を横に寝かせて水平方向に並べる。このとき、
棒状原料３ａを塊粒原料２にできるだけ埋め込むように
する。
にシーメンス法による多結晶シリコン棒から切り出した
３本の棒状の多結晶シリコン３ａ（以下、棒状原料３ａ
という）を横に寝かせて水平方向に並べる。このとき、
棒状原料３ａを塊粒原料２にできるだけ埋め込むように
する。
【００２０】棒状原料３ａを並べ終わると、次にその棒
状原料３ａがほぼ埋まるように、塊粒原料２を再度装填
する。そして、その上にシーメンス法による多結晶シリ
コン棒から切り出した２本の棒状の多結晶シリコン３ｂ
（以下、棒状原料３ｂという）を俵積み状に重ねた後、
その上に所定レベルまで塊粒原料２を装填する。
状原料３ａがほぼ埋まるように、塊粒原料２を再度装填
する。そして、その上にシーメンス法による多結晶シリ
コン棒から切り出した２本の棒状の多結晶シリコン３ｂ
（以下、棒状原料３ｂという）を俵積み状に重ねた後、
その上に所定レベルまで塊粒原料２を装填する。
【００２１】ここで、下段の棒状原料３ａは短尺、上段
の棒状原料３ｂは長尺とされている。これにより、棒状
原料３ａ，３ｂは、ルツボ１の周面と干渉することな
く、ルツボ１内に効率よく装填される。即ち、長尺の棒
状原料３ｂしか使用しな場合は、２段積みができず、短
尺の棒状原料３ａしか使用しない場合は、２段積みは可
能なものの、上段原料の両端に大きなスペースが残る。
の棒状原料３ｂは長尺とされている。これにより、棒状
原料３ａ，３ｂは、ルツボ１の周面と干渉することな
く、ルツボ１内に効率よく装填される。即ち、長尺の棒
状原料３ｂしか使用しな場合は、２段積みができず、短
尺の棒状原料３ａしか使用しない場合は、２段積みは可
能なものの、上段原料の両端に大きなスペースが残る。
【００２２】ルツボ１内への原料装填が終わると、ルツ
ボの周囲に配置されたヒータに通電を行って、ルツボ１
内の原料を溶解する。
ボの周囲に配置されたヒータに通電を行って、ルツボ１
内の原料を溶解する。
【００２３】本実施形態では、棒状原料３ａ，３ｂの使
用本数を５本としているが、これに限定されないことは
いうまでもない。
用本数を５本としているが、これに限定されないことは
いうまでもない。
【００２４】図２は比較のための実施形態を示す。本実
施形態では、まず、ルツボ１の底面上に塊粒原料２のな
かでも特に細かいＳＳチップと呼ばれるものを、上面が
平らになるように敷きつめる。次に、その上に、６本の
棒状原料３を垂直に立て、水平方向に俵積み状に組み合
わせて並べる。そして、塊粒原料２を隙間に詰め、所定
レベルまで装填する。
施形態では、まず、ルツボ１の底面上に塊粒原料２のな
かでも特に細かいＳＳチップと呼ばれるものを、上面が
平らになるように敷きつめる。次に、その上に、６本の
棒状原料３を垂直に立て、水平方向に俵積み状に組み合
わせて並べる。そして、塊粒原料２を隙間に詰め、所定
レベルまで装填する。
【００２５】ルツボ１の底面上にＳＳチップを敷きつめ
るのは、その上に立てる棒状原料３の倒れを防止するた
めである。
るのは、その上に立てる棒状原料３の倒れを防止するた
めである。
【００２６】ルツボ１内への原料装填が終わると、ルツ
ボの周囲に配置されたヒータに通電を行って、ルツボ１
内の原料を溶解する。
ボの周囲に配置されたヒータに通電を行って、ルツボ１
内の原料を溶解する。
【００２７】本実施形態では、棒状原料３の使用本数を
６本としているが、これに限定されないことはいうまで
もない。
６本としているが、これに限定されないことはいうまで
もない。
【００２８】
【実施例】次に、本発明の実施例を示し、比較例と対比
することにより、本発明の効果を明らかにする。
することにより、本発明の効果を明らかにする。
【００２９】２２インチ径の石英ルツボを使用して多結
晶シリコンの溶解を行う際に、多結晶シリコンとして塊
粒原料のみを使用し、且つルツボの変形（図３）を無視
して可能な限り原料を装填した。塊粒原料のサイズ比を
種々調整したが、装填重量は約１００ｋｇが限界であっ
た。また、溶解に要する時間はヒータ電力を１００ｋＷ
とした場合で１０時間以上であった。
晶シリコンの溶解を行う際に、多結晶シリコンとして塊
粒原料のみを使用し、且つルツボの変形（図３）を無視
して可能な限り原料を装填した。塊粒原料のサイズ比を
種々調整したが、装填重量は約１００ｋｇが限界であっ
た。また、溶解に要する時間はヒータ電力を１００ｋＷ
とした場合で１０時間以上であった。
【００３０】ルツボの変形（図３）が生じないレベルに
多結晶シリコンを装填する場合は、装填重量は約８０ｋ
ｇに減少した。また、溶解に要する時間は、同一ヒータ
電力で約９時間であった。なお、ヒータ電力を上げると
溶解に要する時間は短縮されるが、ルツボのダメージ
（ルツボ溶損量の増大、ルツボの軟化変形等）が大きく
なるので、溶解に要する時間を短縮する手段としてヒー
タ電力の増大は採用できない。
多結晶シリコンを装填する場合は、装填重量は約８０ｋ
ｇに減少した。また、溶解に要する時間は、同一ヒータ
電力で約９時間であった。なお、ヒータ電力を上げると
溶解に要する時間は短縮されるが、ルツボのダメージ
（ルツボ溶損量の増大、ルツボの軟化変形等）が大きく
なるので、溶解に要する時間を短縮する手段としてヒー
タ電力の増大は採用できない。
【００３１】これらに対し、図１に示す本発明の実施形
態に従って５本の棒状原料３ａ，３ｂを併用した場合
は、ルツボの変形（図３）が生じないレベルに装填を行
ったにもかかわらず、１２０ｋｇの原料装填が可能にな
り、しかも、溶解に要する時間は同一ヒータ電力で約８
時間に短縮された。
態に従って５本の棒状原料３ａ，３ｂを併用した場合
は、ルツボの変形（図３）が生じないレベルに装填を行
ったにもかかわらず、１２０ｋｇの原料装填が可能にな
り、しかも、溶解に要する時間は同一ヒータ電力で約８
時間に短縮された。
【００３２】図２に示す比較のための実施形態に従って
６本の棒状原料３を併用した場合も、原料装填重量は１
２０ｋｇになったが、溶解に要する時間は約９時間にな
った。
６本の棒状原料３を併用した場合も、原料装填重量は１
２０ｋｇになったが、溶解に要する時間は約９時間にな
った。
【００３３】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
に係るシリコン単結晶原料の溶解方法は、ルツボ内への
原料装填において棒状の多結晶シリコンを、特に横に寝
かせた横置き形式の俵積み状態で使用することにより、
ルツボ内の原料装填率を高めるので、ルツボのサイズ及
びルツボ内の原料装填レベルを増大させることなく、ル
ツボ内の原料装填量を現状以上に高めることができ、こ
れにより大重量のシリコン単結晶の製造を可能にする。
しかも、ルツボ内の原料装填量を増大させるにもかかわ
らず、溶解に要する電力費を低減させることができ、こ
の点からもシリコン単結晶の製造コスト低減を図ること
ができる。
に係るシリコン単結晶原料の溶解方法は、ルツボ内への
原料装填において棒状の多結晶シリコンを、特に横に寝
かせた横置き形式の俵積み状態で使用することにより、
ルツボ内の原料装填率を高めるので、ルツボのサイズ及
びルツボ内の原料装填レベルを増大させることなく、ル
ツボ内の原料装填量を現状以上に高めることができ、こ
れにより大重量のシリコン単結晶の製造を可能にする。
しかも、ルツボ内の原料装填量を増大させるにもかかわ
らず、溶解に要する電力費を低減させることができ、こ
の点からもシリコン単結晶の製造コスト低減を図ること
ができる。
【図１】本発明の実施形態を示す模式図であり、（ａ）
は平面図、（ｂ）は正面図、（ｃ）は側面図である。
は平面図、（ｂ）は正面図、（ｃ）は側面図である。
【図２】比較用のための実施形態を示す模式図であり、
（ａ）は平面図、（ｂ）は正面図である。
（ａ）は平面図、（ｂ）は正面図である。
【図３】過剰装填を行った場合の問題点を説明するため
の模式図である。
の模式図である。
１ ルツボ ２ 塊粒原料 ３ 棒状原料 ３ａ 短尺の棒状原料 ３ｂ 長尺の棒状原料 ４ ヒータ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) C30B 1/00 - 35/00
Claims (3)
- 【請求項１】 ＣＺ法によりシリコン単結晶を製造する
際の製造原料である多結晶シリコンをルツボ内で溶解す
るにあたり、ルツボ内に棒状の多結晶シリコンを、横に
寝かせた横置き形式の俵積み状態に組み合わせて装填
し、その多結晶シリコンを溶解することを特徴とするシ
リコン単結晶原料の溶解方法。 - 【請求項２】 前記ルツボの底面上に比較的短い多結晶
シリコンを並べ、その上に比較的長い多結晶シリコンを
積み重ねることを特徴とする請求項１に記載のシリコン
単結晶原料の溶解方法。 - 【請求項３】 前記ルツボ内に装填する棒状の多結晶シ
リコンの周囲に塊状及び／又は粒状の多結晶シリコンを
装填することを特徴とする請求項１又は２に記載のシリ
コン単結晶原料の溶解方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28271897A JP3189764B2 (ja) | 1997-09-29 | 1997-09-29 | シリコン単結晶原料の溶解方法 |
| US09/162,133 US6110272A (en) | 1997-09-29 | 1998-09-29 | Method for producing silicon single crystal |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28271897A JP3189764B2 (ja) | 1997-09-29 | 1997-09-29 | シリコン単結晶原料の溶解方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11100298A JPH11100298A (ja) | 1999-04-13 |
| JP3189764B2 true JP3189764B2 (ja) | 2001-07-16 |
Family
ID=17656147
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28271897A Expired - Fee Related JP3189764B2 (ja) | 1997-09-29 | 1997-09-29 | シリコン単結晶原料の溶解方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6110272A (ja) |
| JP (1) | JP3189764B2 (ja) |
Families Citing this family (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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