JP2008505046A - 結晶シリコンインゴットの製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
本出願は、2004年6月30日に米国特許商標庁に出願した米国特許出願第10/883644号に基づく優先権を主張するものである。
本発明は、方向性凝固法を用いる、結晶シリコンインゴット、結晶シリコンウエハ及び太陽電池の改良された製造方法に関するものであり、特には、方向性凝固法に用いる型の準備及び装入方法であって、多結晶シリコン含有物の充填密度及び熱伝導度を増大させると共に、製造サイクルにおける汚染を減らし製造サイクルに用いられる資源量を低減させる方法に関するものである。
一般に太陽電池パネルと称される光から電気を発生させる製品又は部材は、主として結晶形態のシリコンを含む1つ以上の太陽電池を必要とする。一般的に、太陽電池は結晶シリコンウエハから製造される。シリコンウエハは、結晶シリコンインゴットと称されるより大きなシリコンブリックからスライスされ又は製造されるものである。このような太陽電池(及びその親結晶であるシリコンウエハ及び結晶シリコンインゴットも同様)は、単結晶構造又は多結晶構造のものとすることができ 、これらは光起電業界において太陽電池、結晶シリコンウエハ及び結晶シリコンインゴットに関する2つの異なるグループを構成している。
一例において、本発明は、方向性凝固法に用いる型を準備する方法を提供する。この方法は、方向性凝固法による多結晶シリコンの溶融及び冷却に適した型を得る工程と、この型に少なくとも1つのロッド多結晶シリコン断片を装入する工程とを有する。この方法は更に、チャンク多結晶シリコン、チップ多結晶シリコン及び粒状多結晶シリコンからなる群から選択した少なくとも1つの多結晶シリコンを型に装入する工程と、この型を、方向性凝固法による多結晶シリコンの溶融及び冷却に適した炉に配置する工程とを有する。
添付の図面と関連させて以下の説明を参照することにより、本発明の理解をより完全なものとすることができる。
具体例を説明する前に、本発明の原理と、本発明の好適例、方向性凝固法及び多結晶シリコンの他の観点とを詳細に説明する。
まず、方向性凝固法に利用する多結晶シリコンは、代表的にはジーメンス法を使用して精製し相当程度に純粋なものとしておく。この方法は当業者にとって周知のものである。ジーメンス法の多結晶シリコン製造処理中に維持された特定の流れ及び温度プロフィルにより、ジーメンス反応器から得られるロッド多結晶シリコン11(図1〜19)の直径及び性状は著しく変動する場合がある。多結晶シリコンの業界では、一般に、ロッド多結晶シリコン11は反応器から取出した直後により小さい遊離した多結晶シリコン片(チャンク多結晶シリコン12又はチップ多結晶シリコン13)に切断又は分解される。
前述したように、1バッチの多結晶インゴットを形成する1製造サイクルにかかる費用は、型に入れられた多結晶シリコンの実際の重量と殆ど関係しない。従って、所定の型10により多くの多結晶シリコンを入れて、所定の電力、時間及び労働量で処理することができれば、キログラムあたりの結晶シリコンインゴットの費用が低減する。
ロッド多結晶シリコン11が方向性凝固処理を行う送り先に到着したら、そのロッド多結晶シリコンの梱包(梱包した場合)を取り外して、型10に装入する必要がある。型10の特定の幾何学形状は重要ではないが、その正確な寸法と、型及び炉壁間の間隔により、型にどのように装入すれば最適な結果が得られるかが決まってくる。
型10にロッド多結晶シリコン11及び遊離多結晶シリコンを装入し、この型を炉に配置すると、ロッド多結晶シリコン及び遊離多結晶シリコンが溶融し、この際、溶融したシリコンから結晶シリコンインゴットを形成することができる。
結晶シリコンインゴットを成型し適切に結晶化したら、これをより小さい断片にスライス(又は鋸で切断)する。このスライス処理により、より小さい結晶シリコンインゴットを得てこれらをその後結晶シリコンウエハにスライスすることもできるし(内周切断機を用いるのが一般的である)又は、結晶シリコンインゴットを、結晶シリコンウエハに直接スライスすることもできる(ワイヤ鋸を使用するのが一般的である)。
上述の詳細な説明を前提として、本発明の種々の実施例を説明し本発明の実施の最良の形態を開示する。
Claims (56)
- 改良された方向性凝固法であって、
方向性凝固法を用いた多結晶シリコンの溶融及び冷却に適した型を準備する工程と、
この型に少なくとも2つの多結晶シリコンの断片を装入し、この型の中で少なくとも2つのロッド多結晶シリコンの断片が互いに接触するようにする工程と、
この型に、チャンク多結晶シリコン、チップ多結晶シリコン又は粒状ポリシリコンのうちの少なくとも1つを装入する工程と、
この型を方向性凝固法を用いた多結晶シリコンの溶融及び冷却に適した炉に配置する工程と
を有する方向性凝固法。 - 請求項1に記載の方向性凝固法であって更に、
少なくとも2つのロッド多結晶シリコンの断片と、チャンク多結晶シリコン、チップ多結晶シリコン又は粒状ポリシリコンのうちの少なくとも1つとが溶融し所望の状態の溶融シリコン体となるまで前記型を加熱する工程と、
この型を冷却することにより溶融シリコン体を結晶化し結晶シリコンインゴットを形成する工程と
を有する方向性凝固法。 - 請求項2に記載の方向性凝固法であって、
前記結晶シリコンインゴットが多結晶構造である方向性凝固法。 - 請求項3に記載の方向性凝固法であって更に、
前記結晶シリコンインゴットから結晶シリコンウエハをスライスする工程を有する方向性凝固法。 - 請求項4に記載の方法であって更に、
前記結晶シリコンウエハから光電池を製造する工程を有する方向性凝固法。 - 改良された方向性凝固法であって、
方向性凝固法を用いた多結晶シリコンの溶融及び冷却に適した複数の型を準備する工程と、
それぞれの型に少なくとも2つのロッド多結晶シリコンの断片を装入し、これら各々の型の中で少なくとも2つのロッド多結晶シリコンの断片が互いに接触するようにする工程と、
各々の型に、チャンク多結晶シリコン、チップ多結晶シリコン又は粒状ポリシリコンのうちの少なくとも1つを装入する工程と、
方向性凝固法を用いた多結晶シリコンの溶融及び冷却に適した炉にこれら型を配置する工程と、
少なくとも2つのロッド多結晶シリコンの断片と、チャンク多結晶シリコン、チップ多結晶シリコン又は粒状ポリシリコンのうちの少なくとも1つとが溶融して所望の状態の溶融シリコン体になるまでこれら複数の型を加熱する工程と、
これら複数の型を冷却することにより前記溶融シリコン体を結晶化させ複数の結晶シリコンインゴットを形成する工程と
を有する方向性凝固法。 - 請求項6に記載の方向性凝固法であって、
各結晶シリコンインゴットが多結晶構造である方向性凝固法。 - 請求項7に記載の方向性凝固法であって更に、
前記複数の結晶シリコンインゴットから複数の結晶シリコンウエハをスライスする工程を有する方向性凝固法。 - 請求項8に記載の方向性凝固法であって更に、
前記複数の結晶シリコンウエハから複数の光電池を製造する工程を有する方向性凝固法。 - 改良された方向性凝固法であって、
方向性凝固法による多結晶シリコンの溶融及び冷却に適した型を準備する工程であって、この型は、方形であり且つ平坦な底部を有し、10cm〜70cmの長さと、10cm〜50cmの幅と、10cm〜43cmの高さとにより規定されるものとする当該工程と、
少なくとも1つのロッド多結晶シリコンの断片を前記型に装入する工程であって、この少なくとも1つのロッド多結晶シリコンの断片が80mm〜140mmの直径と、8cm〜68cmの長さとにより規定されるものとする当該工程と、
チャンク多結晶シリコン、チップ多結晶シリコン又は粒状多結晶シリコンのうちの少なくとも1つを前記型へ装入する工程と、
少なくとも1つのロッド多結晶シリコンの断片と、チャンク多結晶シリコン、チップ多結晶シリコン又は粒状ポリシリコンのうちの少なくとも1つとを方向性凝固法を用いて溶融及び冷却させるのに適した炉に前記型を配置する工程と
を有する方向性凝固法。 - 請求項10に記載の方向性凝固法であって更に、
少なくとも1つのロッド多結晶シリコンの断片と、チャンク多結晶シリコン、チップ多結晶シリコン又は粒状ポリシリコンのうちの少なくとも1つとが溶融して所望の状態の溶融シリコン体になるまで前記型を過熱する工程であって、この型が頂部及び底部により規定されており、前記炉がこの型の頂部及び底部を加熱するようにする当該工程と、
この型を冷却することにより前記溶融シリコン体を結晶化し結晶シリコンインゴットを形成する工程と
を有する方向性凝固法。 - 請求項11に記載の方向性凝固法であって、
前記結晶シリコンインゴットが多結晶構造である方向性凝固法。 - 請求項12に記載の方向性凝固法であって更に、
前記結晶シリコンインゴットから結晶シリコンウエハをスライスする工程を有する方向性凝固法。 - 請求項13に記載の方向性凝固法であって更に、
前記結晶シリコンウエハから光電池を製造する工程を有する方向性凝固法。 - 改良された方向性凝固法であって、
方向性凝固法を用いた多結晶シリコンの溶融及び冷却に適した複数の型を準備する工程であって、
各々の型は、方形であり且つ平坦な底部を有し、10cm〜70cmの長さと、10cm〜50cmの幅と、10cm〜43cmの高さとにより規定されるものとする当該工程と、
少なくとも1つのロッド多結晶シリコンの断片を前記各型に装入する工程であって、この少なくとも1つのロッド多結晶シリコンの断片が80mm〜140mmの直径と8cm〜68cmの長さとにより規定されるものとする当該工程と、
チャンク多結晶シリコン、チップ多結晶シリコン又は粒状多結晶シリコンのうちの少なくとも1つを前記各型へ装入する工程と、
少なくとも1つのロッド多結晶シリコンの断片と、チャンク多結晶シリコン、チップ多結晶シリコン又は粒状ポリシリコンのうちの少なくとも1つとを方向性凝固法を用いて溶融及び冷却させるのに適した炉に前記型を配置する工程と
を有する方向性凝固法。 - 請求項15に記載の方向性凝固法であって更に、
少なくとも1つのロッド多結晶シリコンの断片と、チャンク多結晶シリコン、チップ多結晶シリコン又は粒状ポリシリコンのうちの少なくとも1つとを各型内で溶融させて所望の状態の溶融シリコン体となるまで前記複数の型を過熱する工程であって、これら複数の型は頂部及び底部によりそれぞれ規定されており、前記炉が前記各々の型の頂部及び底部を加熱するようにする当該工程と、
これら複数の型を冷却することにより各型内の溶融シリコン体を結晶化させ、多結晶構造を特徴とする複数の結晶シリコンインゴットを形成する工程と
を有する方向性凝固法。 - 請求項16に記載の方向性凝固法であって更に、
前記複数の結晶シリコンインゴットから複数の結晶シリコンウエハをスライスする工程を有する方向性凝固法。 - 請求項17に記載の方向性凝固法であって更に、
前記複数の結晶シリコンウエハから複数の光電池を製造する工程を有する方向性凝固法。 - 改良された方向性凝固法であって、
方向性凝固法を用いた多結晶シリコンの溶融及び冷却に適した、平坦な底部を有する方形の型を準備する工程と、
この型に、複数のロッド多結晶シリコンの断片をずらして層状にした構成又は交差して層状にした構成で装入する工程と、
この型に、チャンク多結晶シリコン、チップ多結晶シリコン又は粒状ポリシリコンの少なくとも1つを装入する工程と、
方向性凝固法を用いた多結晶シリコン内容物の溶融及び冷却に適した炉にこの型を配置する工程と
を有する方向性凝固法。 - 請求項19に記載の方向性凝固法であって、
第1の複数のロッド多結晶シリコンの断片が、この第1の複数のロッド多結晶シリコンの断片の下にある第2の複数のロッド多結晶シリコンの断片と接触している方向性凝固法。 - 請求項19に記載の方向性凝固法であって、
前記複数のロッド多結晶シリコンの断片を長手方向において垂直な配置となるよう装入する方向性凝固法。 - 請求項19に記載の方向性凝固法であって、
前記型が長さ及び幅によって規定されており、この型の長さ及び幅がほぼ等しいものである方向性凝固法。 - 請求項19に記載の方向性凝固法であって、
前記型が長さ及び幅によって規定されており、この型の長さが58cm〜70cmで且つ幅が58cm〜70cmとなるようにする方向性凝固法。 - 請求項19に記載の方向性凝固法であって、
前記型が高さよって規定されており、この型の高さが38cm〜43cmとなるようにする方向性凝固法。 - 請求項19に記載の方向性凝固法であって、
前記各ロッド多結晶シリコンの断片が長さによって規定されており、これらロッド多結晶シリコンの断片の長さが8cm〜68cmとなるようにする方向性凝固法。 - 請求項19に記載の方向性凝固法であって、
前記各ロッド多結晶シリコンの断片が直径によって規定されており、これらロッド多結晶シリコンの断片の直径が80mm〜140mmとなるようにする方向性凝固法。 - 請求項19に記載の方向性凝固法であって、
前記各ロッド多結晶シリコンの断片が重量によって規定されており、各ロッド多結晶の断片の重さが4キログラム〜15キログラムとなるようにする方向性凝固法。 - 請求項19に記載の方向性凝固法であって、
前記ロッド多結晶シリコンの断片をまずジーメンス法により準備する方向性凝固法。 - 請求項19に記載の方向性凝固法であって、
前記チャンク多結晶シリコンをまずジーメンス法により準備する方向性凝固法。 - 請求項19に記載の方向性凝固法であって、
前記チップ多結晶シリコンをまずジーメンス法により準備する方向性凝固法。 - 請求項19に記載の方向性凝固法であって、
前記粒状ポリシリコンをまずジーメンス法により準備する方向性凝固法。 - 請求項19に記載の方向性凝固法であって更に、
前記複数のロッド多結晶シリコンの断片と、チャンク多結晶シリコン、チップ多結晶シリコン又は粒状ポリシリコンのうちの少なくとも1つとが溶融して所望の状態の溶融シリコン体になるまで前記型を加熱する工程と、
この型を冷却することにより前記溶融シリコン体を結晶化させ結晶シリコンインゴットを形成する工程と
を有する方向性凝固法。 - 請求項32に記載の方向性凝固法であって、
前記結晶シリコンインゴットが多結晶構造である方向性凝固法。 - 請求項32に記載の方向性凝固法であって、
前記所望の状態を、溶融シリコン体の予め選択された温度範囲によって決定する方向性凝固法。 - 請求項32に記載の方向性凝固法であって更に、
前記結晶シリコンインゴットから結晶シリコンウエハをスライスする工程を有する方向性凝固法。 - 請求項35に記載の方向性凝固法であって更に、
前記結晶シリコンウエハから光電池を製造する工程を有する方向性凝固法。 - 改良された方向性凝固法であって、
方向性凝固法による多結晶シリコンの溶融及び冷却に適した、平坦な底部を有する方形の型を複数準備する工程と、
複数のロッド多結晶シリコンの断片をずらして層状にした構成又は交差して層状にした構成で各型に装入する工程と、
チャンク多結晶シリコン、チップ多結晶シリコン又は粒状ポリシリコンのうちの少なくとも1つを前記各々の型に装入する工程と、
複数のロッド多結晶シリコンの断片と、チャンク多結晶シリコン、チップ多結晶シリコン又は粒状ポリシリコンとを、方向性凝固法を用いて溶融及び冷却させるのに適した炉に前記複数の型を配置する工程と
を有する方向性凝固法。 - 請求項37に記載の方向性凝固法であって更に、
複数のロッド多結晶シリコンの断片と、チャンク多結晶シリコン、チップ多結晶シリコン又は粒状ポリシリコンのうちの少なくとも1つとが溶融して所望の状態の溶融シリコン体になるまで前記型を加熱する工程と、
これら複数の型を冷却することにより前記溶融シリコン体を結晶化させ複数の結晶シリコンインゴットを形成する工程であって、これら複数の結晶シリコンインゴットが多結晶構造を特徴とするものである当該工程と
を有する方向性凝固法。 - 請求項38に記載の方向性凝固法であって更に、
前記複数の結晶シリコンインゴットから複数の結晶シリコンウエハをスライスする工程を有する方向性凝固法。 - 請求項39に記載の方向性凝固法であって更に、
前記複数の結晶シリコンウエハから複数の光電池を製造する工程を有する方向性凝固法。 - 改良された方向性凝固法であって、
方向性凝固法を用いた多結晶シリコンの溶融及び冷却に適した型を準備する工程であって、この型は、方形であり且つ平坦な底部を有し、10cm〜70cmの長さと、10cm〜50cmの幅と、10cm〜43cmの高さとにより規定されるものである当該工程と、
複数のロッド多結晶シリコン断片をずらして層状にした構成又は交差して層状にした構成で前記型に装入する工程であって、これら複数のロッド多結晶シリコンの断片はジーメンス法により準備されたものであり、これら複数のロッド多結晶シリコンの断片は80mm〜140mmの直径により規定されており、少なくとも1つのロッド多結晶シリコンの断片は8cm〜68cmの長さにより規定されている当該工程と、
前記型に、チャンク多結晶シリコン、チップ多結晶シリコン又は粒状ポリシリコンのうちの少なくとも1つを装入する工程と、
複数のロッド多結晶シリコンの断片と、チャンク多結晶シリコン、チップ多結晶シリコン又は粒状ポリシリコンのうちの少なくとも1つとを方向性凝固法を用いて溶融及び冷却させるのに適した炉に前記型を配置する工程と
を有する方向性凝固法。 - 請求項41に記載の方向性凝固法であって更に、
複数のロッド多結晶シリコンの断片と、チャンク多結晶シリコン、チップ多結晶シリコン又は粒状ポリシリコンのうちの少なくとも1つとが溶融して所望の状態の溶融シリコン体になるまで前記型を加熱する工程であって、前記型は頂部及び底部により規定されており、前記炉はこの型の頂部及び底部を加熱する当該工程と、
この型を冷却することにより前記溶融シリコン体を結晶化させ多結晶構造を特徴とする結晶シリコンインゴットを形成する工程と
を有する方向性凝固法。 - 請求項42に記載の方向性凝固法であって更に、
前記結晶シリコンインゴットから結晶シリコンウエハをスライスする工程を有する方向性凝固法。 - 請求項43に記載の方向性凝固法であって更に、
前記結晶シリコンウエハから光電池を製造する工程を有する方向性凝固法。 - 改良された方向性凝固法であって、
方向性凝固法を用いた多結晶シリコンの溶融及び冷却に適した複数の型を準備する工程であって、これら型の各々は、方形であり且つ平坦な底部を有し、10cm〜70cmの長さと、10cm〜50cmの幅と、10cm〜43cmの高さとにより規定されるようにする当該工程と、
複数のロッド多結晶シリコンの断片をずらして層状にした構成又は交差して層状にした構成で各型に装入する工程であって、前記複数のロッド多結晶シリコンの断片はジーメンス法により準備されたものであり、前記複数のロッド多結晶シリコンの断片は、80mm〜140mmの直径と、8cm〜68cmの長さとにより規定されるようにする当該工程と、
前記各型に、チャンク多結晶シリコン、チップ多結晶シリコン又は粒状ポリシリコンのうちの少なくとも1つを装入する工程と、
複数のロッド多結晶シリコンの断片と、チャンク多結晶シリコン、チップ多結晶シリコン又は粒状ポリシリコンとを方向性凝固法を用いて溶融及び冷却させるのに適した炉に前記複数の型を配置する工程と
を有する方向性凝固法。 - 請求項45に記載の方向性凝固法であって更に、
複数のロッド多結晶シリコンの断片と、チャンク多結晶シリコン、チップ多結晶シリコン又は粒状ポリシリコンのうちの少なくとも1つとが溶融して所望の状態の溶融シリコン体になるまで前記複数の型を加熱する工程であって、これら型の各々は頂部及び底部により規定されており、前記炉はこの型の頂部及び底部を加熱する当該工程と、
これら複数の型を冷却することにより前記溶融シリコン体を結晶化させ多結晶構造を特徴とする結晶シリコンインゴットを形成する工程と
を有する方向性凝固法。 - 請求項46に記載の方向性凝固法であって更に、
前記結晶シリコンインゴットから結晶シリコンウエハをスライスする工程を有する方向性凝固方法。 - 請求項47に記載の方向性凝固法であって更に、
前記複数の結晶シリコンウエハから複数の光電池を製造する工程を有する方向性凝固法。 - 請求項2に記載の方向性凝固法により製造した結晶シリコンインゴットの新規な製品。
- 請求項6に記載の方向性凝固法により製造した結晶シリコンインゴットの新規な製品。
- 請求項11に記載の方向性凝固法により製造した結晶シリコンインゴットの新規な製品。
- 請求項16に記載の方向性凝固法により製造した結晶シリコンインゴットの新規な製品。
- 請求項32に記載の方向性凝固法により製造した結晶シリコンインゴットの新規な製品。
- 請求項38に記載の方向性凝固法により製造した結晶シリコンインゴットの新規な製品。
- 請求項42に記載の方向性凝固法により製造した結晶シリコンインゴットの新規な製品。
- 請求項46に記載の方向性凝固法により製造した結晶シリコンインゴットの新規な製品。
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014514238A (ja) * | 2011-04-14 | 2014-06-19 | アールイーシー シリコン インコーポレイテッド | 多結晶シリコンシステム |
Families Citing this family (31)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102006017622B4 (de) * | 2006-04-12 | 2008-03-27 | Schott Ag | Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von multikristallinem Silizium |
US20100024882A1 (en) * | 2006-09-22 | 2010-02-04 | Eric Robert | Process for the Production of Si by Reduction of SiHCl3 with Liquid Zn |
JP2008156166A (ja) * | 2006-12-25 | 2008-07-10 | Sumco Solar Corp | シリコンインゴットの鋳造方法および切断方法 |
US20080257254A1 (en) * | 2007-04-17 | 2008-10-23 | Dieter Linke | Large grain, multi-crystalline semiconductor ingot formation method and system |
JP5309539B2 (ja) * | 2007-07-12 | 2013-10-09 | 住友化学株式会社 | 精製シリコンの製造方法 |
JP5125973B2 (ja) * | 2007-10-17 | 2013-01-23 | 住友化学株式会社 | 精製シリコンの製造方法 |
US20090191336A1 (en) * | 2008-01-30 | 2009-07-30 | Mohan Chandra | Method and apparatus for simpified startup of chemical vapor deposition of polysilicon |
TW200949027A (en) * | 2008-03-19 | 2009-12-01 | Gt Solar Inc | System and method for arranging heating element in crystal growth apparatus |
US20090280050A1 (en) * | 2008-04-25 | 2009-11-12 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and Methods for Casting Multi-Crystalline Silicon Ingots |
US20100047148A1 (en) * | 2008-05-23 | 2010-02-25 | Rec Silicon, Inc. | Skull reactor |
US20090289390A1 (en) * | 2008-05-23 | 2009-11-26 | Rec Silicon, Inc. | Direct silicon or reactive metal casting |
JP2012514575A (ja) * | 2009-01-07 | 2012-06-28 | レック シリコン インコーポレイテッド | 移動する細分割固体材料の層上での溶融材料の固化 |
US8168123B2 (en) * | 2009-02-26 | 2012-05-01 | Siliken Chemicals, S.L. | Fluidized bed reactor for production of high purity silicon |
TWI454309B (zh) * | 2009-04-20 | 2014-10-01 | Jiangsu Zhongneng Polysilicon Technology Dev Co Ltd | 用於將反應排出氣體冷卻之方法及系統 |
CA2759446A1 (en) | 2009-04-20 | 2010-10-28 | Ae Polysilicon Corporation | A reactor with silicide-coated metal surfaces |
WO2010126639A1 (en) * | 2009-04-29 | 2010-11-04 | Calisolar, Inc. | Process control for umg-si material purification |
US8547121B2 (en) * | 2009-04-29 | 2013-10-01 | Silicor Materials Inc. | Quality control process for UMG-SI feedstock |
DE102010018287A1 (de) * | 2010-04-26 | 2011-10-27 | Crusible Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zum Beladen eines Schmelztiegels mit Silizium |
DE102010029741B4 (de) * | 2010-06-07 | 2013-02-28 | Solarworld Innovations Gmbh | Verfahren zum Herstellen von Silizium-Wafern, Silizium Wafer und Verwendung eines Silizium-Wafer als Silizium-Solarzelle |
JP5777336B2 (ja) * | 2010-12-28 | 2015-09-09 | ジルトロニック アクチエンゲゼルシャフトSiltronic AG | 多結晶シリコン原料のリチャージ方法 |
CN102021650B (zh) * | 2010-12-31 | 2012-06-06 | 常州天合光能有限公司 | 一种大型多晶锭的生产方法 |
US9352389B2 (en) * | 2011-09-16 | 2016-05-31 | Silicor Materials, Inc. | Directional solidification system and method |
CN102296354B (zh) * | 2011-09-19 | 2013-12-11 | 江西旭阳雷迪高科技股份有限公司 | 一种硅料的铸锭方法 |
GB2494893A (en) * | 2011-09-21 | 2013-03-27 | Rec Wafer Pte Ltd | Loading silicon in a crucible |
DE102012200994A1 (de) * | 2012-01-24 | 2013-07-25 | Wacker Chemie Ag | Verfahren zur Bestimmung einer Oberflächen-Verunreinigung von polykristallinem Silicium |
US8875728B2 (en) | 2012-07-12 | 2014-11-04 | Siliken Chemicals, S.L. | Cooled gas distribution plate, thermal bridge breaking system, and related methods |
WO2014037965A1 (en) * | 2012-09-05 | 2014-03-13 | MEMC ELECTRONIC METERIALS S.p.A. | Method of loading a charge of polysilicon into a crucible |
TWI643983B (zh) | 2013-03-14 | 2018-12-11 | 美商希利柯爾材料股份有限公司 | 定向凝固系統及方法 |
CA2929688C (en) * | 2013-11-14 | 2023-06-13 | Ultragenyx Pharmaceutical Inc. | Solid compositions of triglycerides and uses thereof |
WO2017040420A1 (en) * | 2015-08-28 | 2017-03-09 | C.B. Fleet Company, Incorporated | Hemorrhoid preparation and sheets |
CN106933119B (zh) * | 2015-12-30 | 2021-05-11 | 巴彦淖尔聚光硅业有限公司 | 多晶硅还原炉调功柜控制*** |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05254817A (ja) * | 1992-03-12 | 1993-10-05 | Kawasaki Steel Corp | 多結晶シリコン鋳塊の製造方法 |
JPH11100298A (ja) * | 1997-09-29 | 1999-04-13 | Sumitomo Sitix Corp | シリコン単結晶原料の溶解方法 |
JP2001520168A (ja) * | 1997-10-16 | 2001-10-30 | エムイーエムシー・エレクトロニック・マテリアルズ・インコーポレイテッド | ポリシリコン装填物からシリコンメルトを製造する方法 |
JP2002193610A (ja) * | 2000-12-26 | 2002-07-10 | Mitsubishi Materials Corp | 結晶シリコン製造装置 |
JP2003104711A (ja) * | 2001-09-28 | 2003-04-09 | Mitsubishi Materials Polycrystalline Silicon Corp | ルツボ型多結晶シリコン |
JP2003112996A (ja) * | 2001-09-28 | 2003-04-18 | Mitsubishi Materials Polycrystalline Silicon Corp | 衝撃緩和型多結晶シリコン |
JP2004149342A (ja) * | 2002-10-29 | 2004-05-27 | Kyocera Corp | シリコンの鋳造方法 |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4249988A (en) | 1978-03-15 | 1981-02-10 | Western Electric Company, Inc. | Growing crystals from a melt by controlling additions of material thereto |
US5116456A (en) * | 1988-04-18 | 1992-05-26 | Solon Technologies, Inc. | Apparatus and method for growth of large single crystals in plate/slab form |
JPH05139886A (ja) | 1991-11-21 | 1993-06-08 | Toshiba Corp | 砒素化合物単結晶の製造方法 |
US5810934A (en) | 1995-06-07 | 1998-09-22 | Advanced Silicon Materials, Inc. | Silicon deposition reactor apparatus |
US5588993A (en) | 1995-07-25 | 1996-12-31 | Memc Electronic Materials, Inc. | Method for preparing molten silicon melt from polycrystalline silicon charge |
US5814148A (en) * | 1996-02-01 | 1998-09-29 | Memc Electronic Materials, Inc. | Method for preparing molten silicon melt from polycrystalline silicon charge |
JP3892496B2 (ja) | 1996-04-22 | 2007-03-14 | Sumco Techxiv株式会社 | 半導体単結晶製造方法 |
KR100263220B1 (ko) | 1996-10-14 | 2000-09-01 | 에모토 간지 | 다결정실리콘의 제조방법과 장치 및 태양전지용실리콘기판의 제조방법 |
US6039801A (en) | 1998-10-07 | 2000-03-21 | Memc Electronic Materials, Inc. | Continuous oxidation process for crystal pulling apparatus |
US6284040B1 (en) * | 1999-01-13 | 2001-09-04 | Memc Electronic Materials, Inc. | Process of stacking and melting polycrystalline silicon for high quality single crystal production |
JP2002170780A (ja) | 2000-12-01 | 2002-06-14 | Sharp Corp | ルツボおよびそれを使用した多結晶シリコンの成長方法 |
US6875269B2 (en) | 2001-11-13 | 2005-04-05 | Advanced Silicon Materials Llc | System for increasing charge size for single crystal silicon production |
US20030101924A1 (en) | 2001-11-15 | 2003-06-05 | Memc Electronic Materials, Inc. | Intermittent feeding technique for increasing the melting rate of polycrystalline silicon |
US6605149B2 (en) | 2002-01-11 | 2003-08-12 | Hemlock Semiconductor Corporation | Method of stacking polycrystalline silicon in process for single crystal production |
-
2004
- 2004-06-30 US US10/883,644 patent/US7141114B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2005
- 2005-06-30 WO PCT/US2005/023629 patent/WO2006005018A2/en active Application Filing
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2007
- 2007-01-23 NO NO20070415A patent/NO20070415L/no not_active Application Discontinuation
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05254817A (ja) * | 1992-03-12 | 1993-10-05 | Kawasaki Steel Corp | 多結晶シリコン鋳塊の製造方法 |
JPH11100298A (ja) * | 1997-09-29 | 1999-04-13 | Sumitomo Sitix Corp | シリコン単結晶原料の溶解方法 |
JP2001520168A (ja) * | 1997-10-16 | 2001-10-30 | エムイーエムシー・エレクトロニック・マテリアルズ・インコーポレイテッド | ポリシリコン装填物からシリコンメルトを製造する方法 |
JP2002193610A (ja) * | 2000-12-26 | 2002-07-10 | Mitsubishi Materials Corp | 結晶シリコン製造装置 |
JP2003104711A (ja) * | 2001-09-28 | 2003-04-09 | Mitsubishi Materials Polycrystalline Silicon Corp | ルツボ型多結晶シリコン |
JP2003112996A (ja) * | 2001-09-28 | 2003-04-18 | Mitsubishi Materials Polycrystalline Silicon Corp | 衝撃緩和型多結晶シリコン |
JP2004149342A (ja) * | 2002-10-29 | 2004-05-27 | Kyocera Corp | シリコンの鋳造方法 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014514238A (ja) * | 2011-04-14 | 2014-06-19 | アールイーシー シリコン インコーポレイテッド | 多結晶シリコンシステム |
TWI586854B (zh) * | 2011-04-14 | 2017-06-11 | 陝西有色天宏瑞科矽材料有限責任公司 | 多晶矽系統 |
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