JP3187982B2 - 磁気浮上装置 - Google Patents
磁気浮上装置Info
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- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F16—ENGINEERING ELEMENTS AND UNITS; GENERAL MEASURES FOR PRODUCING AND MAINTAINING EFFECTIVE FUNCTIONING OF MACHINES OR INSTALLATIONS; THERMAL INSULATION IN GENERAL
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- F16C32/00—Bearings not otherwise provided for
- F16C32/04—Bearings not otherwise provided for using magnetic or electric supporting means
- F16C32/0406—Magnetic bearings
- F16C32/044—Active magnetic bearings
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- Mechanical Engineering (AREA)
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- Connection Of Motors, Electrical Generators, Mechanical Devices, And The Like (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は磁気浮上装置に係り、特
に非接触で磁性体継鉄の固定された支持対象物を浮上支
持する、磁気軸受装置、磁気浮上式搬送装置、磁気浮上
による免振装置等の制御用電磁石の制御に関する。
に非接触で磁性体継鉄の固定された支持対象物を浮上支
持する、磁気軸受装置、磁気浮上式搬送装置、磁気浮上
による免振装置等の制御用電磁石の制御に関する。
【０００２】
【従来の技術】非接触で磁性体継鉄の固定された支持対
象物を浮上支持する制御用電磁石を用いた磁気浮上装置
の一例として、磁気軸受の例を図５に示す。
象物を浮上支持する制御用電磁石を用いた磁気浮上装置
の一例として、磁気軸受の例を図５に示す。
【０００３】磁性体継鉄２が固定された支持対象物であ
る回転軸１は、対向する一対の制御用電磁石３の磁気吸
引力により浮上支持される。制御用電磁石３と、支持対
象物である回転軸１に固定された磁性体継鉄２との空隙
は、変位センサ９が回転軸１の表面との変位を測定する
ことにより相対的に検出される。変位センサ９の出力
は、補償回路６、電力増幅器７等を含むコントローラに
入力され、制御用電磁石３のコイル５に励磁電流を供給
することにより、磁気吸引力が制御され、回転軸１は目
標位置に浮上支持される。
る回転軸１は、対向する一対の制御用電磁石３の磁気吸
引力により浮上支持される。制御用電磁石３と、支持対
象物である回転軸１に固定された磁性体継鉄２との空隙
は、変位センサ９が回転軸１の表面との変位を測定する
ことにより相対的に検出される。変位センサ９の出力
は、補償回路６、電力増幅器７等を含むコントローラに
入力され、制御用電磁石３のコイル５に励磁電流を供給
することにより、磁気吸引力が制御され、回転軸１は目
標位置に浮上支持される。
【０００４】このような磁気浮上装置の制御用電磁石３
は、その対向する磁性体継鉄２に及ぼす磁気吸引力がコ
イル５に流れる励磁電流の２乗に比例する。そして、一
定の目標位置に支持対象物を浮上支持するような場合に
は、ベースとなるバイアス電流Ｉ0 に、変化分を補償す
る制御電流ＩC を重畳して励磁電流としてコイル５に流
し、磁気吸引力の制御を行っている。
は、その対向する磁性体継鉄２に及ぼす磁気吸引力がコ
イル５に流れる励磁電流の２乗に比例する。そして、一
定の目標位置に支持対象物を浮上支持するような場合に
は、ベースとなるバイアス電流Ｉ0 に、変化分を補償す
る制御電流ＩC を重畳して励磁電流としてコイル５に流
し、磁気吸引力の制御を行っている。
【０００５】即ち、直線検波回路８の入力段で、バイア
ス信号ＶB と、変位センサ９からの信号を補償回路６に
よって位相、ゲインが調整された、変化分を補償する制
御信号とが加算される。この重畳された信号は、直線検
波回路８で検波され、低周波成分が電力増幅器７で増幅
され、励磁電流が制御用電磁石３のコイル５に印加され
る。従って、励磁電流はバイアス信号ＶB に対応するベ
ースとなるバイアス電流ＩO と、変位センサ９からの変
化分を補償する制御信号に対応する制御電流ＩC とが重
畳されたものとなっている。
ス信号ＶB と、変位センサ９からの信号を補償回路６に
よって位相、ゲインが調整された、変化分を補償する制
御信号とが加算される。この重畳された信号は、直線検
波回路８で検波され、低周波成分が電力増幅器７で増幅
され、励磁電流が制御用電磁石３のコイル５に印加され
る。従って、励磁電流はバイアス信号ＶB に対応するベ
ースとなるバイアス電流ＩO と、変位センサ９からの変
化分を補償する制御信号に対応する制御電流ＩC とが重
畳されたものとなっている。
【０００６】また、上記の例は一対の電磁石３により回
転軸１を挟み込むように線形制御しているが、このよう
な対向した一対の電磁石で吸引するのではなく、例えば
上側電磁石のみで支持対象物を磁気吸引力により浮上支
持する場合にも、バイアス電流ＩO に制御電流をＩC 重
畳して励磁電流の制御が行われる。このような場合に
は、支持対象物の重力を支えるための定常電流がバイア
ス電流ＩO として流れ、そこに変化分を補償する制御電
流ＩC を重畳することにより目標位置に浮上支持する制
御を行うことができる。
転軸１を挟み込むように線形制御しているが、このよう
な対向した一対の電磁石で吸引するのではなく、例えば
上側電磁石のみで支持対象物を磁気吸引力により浮上支
持する場合にも、バイアス電流ＩO に制御電流をＩC 重
畳して励磁電流の制御が行われる。このような場合に
は、支持対象物の重力を支えるための定常電流がバイア
ス電流ＩO として流れ、そこに変化分を補償する制御電
流ＩC を重畳することにより目標位置に浮上支持する制
御を行うことができる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うなバイアス電流ＩO に制御電流ＩC を重畳して制御用
電磁石の磁気吸引力を制御する場合においては、制御電
流ＩC の大きさがバイアス電流ＩO の大きさ以下では入
力信号どおりに励磁電流が流れ、問題は生じない。しか
しながら、制御電流ＩC の大きさがバイアス電流ＩO 以
上になる場合には、一方向電流、片電圧の１象限作動の
パワーアンプでは、正確な制御電流を流すことができ
ず、磁気浮上装置が正常に動作しなくなるという問題が
生じる。
うなバイアス電流ＩO に制御電流ＩC を重畳して制御用
電磁石の磁気吸引力を制御する場合においては、制御電
流ＩC の大きさがバイアス電流ＩO の大きさ以下では入
力信号どおりに励磁電流が流れ、問題は生じない。しか
しながら、制御電流ＩC の大きさがバイアス電流ＩO 以
上になる場合には、一方向電流、片電圧の１象限作動の
パワーアンプでは、正確な制御電流を流すことができ
ず、磁気浮上装置が正常に動作しなくなるという問題が
生じる。
【０００８】即ち、コイル５のインピーダンスをＺとす
るとコイルの両端の電圧Ｅは、 Ｅ＝Ｚ（Ｉ0 ±ＩC ） （１） 式（１）は、Ｉ0 は直流分のみなので、 Ｅ＝ＲＩ0 ±ＺＩC （２） したがって、バイアス電圧ＩO に対応するバイアス電圧
ＶO、制御電圧ＩC に対応する制御電圧ＶCは、 Ｖ0 ＝ＲＩ0 ， ＶC ＝ＺＩC ， Ｅ＝Ｖ0 ±ＶC となる。このような場合には、図６に示すようにＶ0 ≧
ＶC1である場合はよいが、Ｖ0＜ＶC2のようにＶC がＶ0
よりも大きくなると、電圧Ｅがマイナスとなってしま
い、実際には制御電流を流すことができなくなり、制御
を安定に行うことができなくなる。
るとコイルの両端の電圧Ｅは、 Ｅ＝Ｚ（Ｉ0 ±ＩC ） （１） 式（１）は、Ｉ0 は直流分のみなので、 Ｅ＝ＲＩ0 ±ＺＩC （２） したがって、バイアス電圧ＩO に対応するバイアス電圧
ＶO、制御電圧ＩC に対応する制御電圧ＶCは、 Ｖ0 ＝ＲＩ0 ， ＶC ＝ＺＩC ， Ｅ＝Ｖ0 ±ＶC となる。このような場合には、図６に示すようにＶ0 ≧
ＶC1である場合はよいが、Ｖ0＜ＶC2のようにＶC がＶ0
よりも大きくなると、電圧Ｅがマイナスとなってしま
い、実際には制御電流を流すことができなくなり、制御
を安定に行うことができなくなる。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明の磁気浮上装置
は、非接触で磁性体継鉄の固定された支持対象物を浮上
支持する制御用電磁石と、該制御用電磁石と該支持対象
物に固定された磁性体継鉄との空隙を検出する変位セン
サと、補償回路と一方向電流、片電圧の１象限作動のパ
ワーアンプからなるコントローラを備え、前記制御用電
磁石のコイルにバイアス電流Ｉ0 に制御電流Ｉc を重畳
して流すことにより浮上支持制御を行う磁気浮上装置に
おいて、前記制御用電磁石のコイルには直列に補償抵抗
Ｒ′を備え、制御周波数範囲内において、前記電磁石コ
イルの抵抗分Ｒと補償抵抗Ｒ′の和にバイアス電流Ｉ0
を乗じたものの絶対値は、前記電磁石コイルのインピー
ダンスＺに制御電流Ｉcを乗じたものの絶対値よりも等
しいか大きいことを特徴とする。
は、非接触で磁性体継鉄の固定された支持対象物を浮上
支持する制御用電磁石と、該制御用電磁石と該支持対象
物に固定された磁性体継鉄との空隙を検出する変位セン
サと、補償回路と一方向電流、片電圧の１象限作動のパ
ワーアンプからなるコントローラを備え、前記制御用電
磁石のコイルにバイアス電流Ｉ0 に制御電流Ｉc を重畳
して流すことにより浮上支持制御を行う磁気浮上装置に
おいて、前記制御用電磁石のコイルには直列に補償抵抗
Ｒ′を備え、制御周波数範囲内において、前記電磁石コ
イルの抵抗分Ｒと補償抵抗Ｒ′の和にバイアス電流Ｉ0
を乗じたものの絶対値は、前記電磁石コイルのインピー
ダンスＺに制御電流Ｉcを乗じたものの絶対値よりも等
しいか大きいことを特徴とする。
【００１０】
【作用】前記制御用電磁石のコイルには直列に補償抵抗
Ｒ′を備え、制御周波数範囲内において、前記電磁石コ
イルの抵抗分Ｒと補償抵抗Ｒ′の和にバイアス電流Ｉ0
を乗じたものの絶対値は、前記電磁石コイルのインピー
ダンスＺに制御電流ＩCを乗じたものの絶対値よりも等
しいか大きくするので、補償抵抗Ｒ’にバイアス電流Ｉ
O を乗じた積に相当する分だけ、直流的なバイアス電圧
ＶO'が大きくなる。
Ｒ′を備え、制御周波数範囲内において、前記電磁石コ
イルの抵抗分Ｒと補償抵抗Ｒ′の和にバイアス電流Ｉ0
を乗じたものの絶対値は、前記電磁石コイルのインピー
ダンスＺに制御電流ＩCを乗じたものの絶対値よりも等
しいか大きくするので、補償抵抗Ｒ’にバイアス電流Ｉ
O を乗じた積に相当する分だけ、直流的なバイアス電圧
ＶO'が大きくなる。
【００１１】即ち、前記電磁石コイルＺの抵抗分Ｒと補
償抵抗Ｒ′の和にバイアス電流Ｉ0を乗じたものは直流
的なバイアス電圧Ｖ0'に相当する。そして電磁石コイル
のインピーダンスＺに制御電流ＩC を乗じたものの絶対
値は、制御電圧Ｖc に相当する。従って、コイル５のイ
ンピーダンスＺに制御電流ＩC を乗じた制御電圧を、そ
の分大きくとることができる。それ故、大振幅の動作が
制御可能となり、又コイル５のインピーダンスＺ（Ｒ＋
ｊωＬ）は主としてインダクタンスであるので、制御周
波数領域を拡大することができ、磁気浮上装置を安定
に、より広い周波数帯域で制御することが可能となる。
償抵抗Ｒ′の和にバイアス電流Ｉ0を乗じたものは直流
的なバイアス電圧Ｖ0'に相当する。そして電磁石コイル
のインピーダンスＺに制御電流ＩC を乗じたものの絶対
値は、制御電圧Ｖc に相当する。従って、コイル５のイ
ンピーダンスＺに制御電流ＩC を乗じた制御電圧を、そ
の分大きくとることができる。それ故、大振幅の動作が
制御可能となり、又コイル５のインピーダンスＺ（Ｒ＋
ｊωＬ）は主としてインダクタンスであるので、制御周
波数領域を拡大することができ、磁気浮上装置を安定
に、より広い周波数帯域で制御することが可能となる。
【００１２】
【実施例】図１は、本発明の一実施例の磁気浮上装置の
説明図である。本実施例においては、制御用電磁石３の
コイル５に直列に補償抵抗Ｒ′が備えられている。その
他の構成要素は図５に示すものと同一であり、同一の符
号を付してその説明を省略する。
説明図である。本実施例においては、制御用電磁石３の
コイル５に直列に補償抵抗Ｒ′が備えられている。その
他の構成要素は図５に示すものと同一であり、同一の符
号を付してその説明を省略する。
【００１３】そして、制御周波数範囲内において、前記
電磁石コイルの抵抗分Ｒと補償抵抗Ｒ′の和にバイアス
電流Ｉ0 を乗じたものの絶対値は、前記電磁石コイルの
インピーダンスＺに制御電流Ｉc を乗じたものの絶対値
よりも等しいか大きく構成されている。即ち、 ｜（Ｒ＋Ｒ’）ＩO ｜≧｜ＺＩC ｜ の条件を満たしている。
電磁石コイルの抵抗分Ｒと補償抵抗Ｒ′の和にバイアス
電流Ｉ0 を乗じたものの絶対値は、前記電磁石コイルの
インピーダンスＺに制御電流Ｉc を乗じたものの絶対値
よりも等しいか大きく構成されている。即ち、 ｜（Ｒ＋Ｒ’）ＩO ｜≧｜ＺＩC ｜ の条件を満たしている。
【００１４】前述の発明が解決しようとする課題の問題
点を改善するためには、補償抵抗Ｒ’を設け、常にバイ
アス電圧ＶO は制御電圧ＶC よりも大きくなるようにす
ればよい。即ち、 ｜Ｖ0｜≧｜ＶC｜ となるようにする。
点を改善するためには、補償抵抗Ｒ’を設け、常にバイ
アス電圧ＶO は制御電圧ＶC よりも大きくなるようにす
ればよい。即ち、 ｜Ｖ0｜≧｜ＶC｜ となるようにする。
【００１５】補償抵抗Ｒ′を設けることにより前述の式
（２）は、 Ｅ＝ＲＩ0 ±ＺＩC ＋Ｒ′Ｉ0 （３） となる。これを変形すると、 Ｅ＝（Ｒ＋Ｒ′）Ｉ0 ±ＺＩC （４） となる。ここで、 ＶO ＝（Ｒ＋Ｒ′）Ｉ0 ＶC ＝ＺＩC であるので、｜Ｖ0｜≧｜ＶC｜とするには、 ｜（Ｒ＋Ｒ′）Ｉ0｜≧｜ＺＩC｜ （５） となる。
（２）は、 Ｅ＝ＲＩ0 ±ＺＩC ＋Ｒ′Ｉ0 （３） となる。これを変形すると、 Ｅ＝（Ｒ＋Ｒ′）Ｉ0 ±ＺＩC （４） となる。ここで、 ＶO ＝（Ｒ＋Ｒ′）Ｉ0 ＶC ＝ＺＩC であるので、｜Ｖ0｜≧｜ＶC｜とするには、 ｜（Ｒ＋Ｒ′）Ｉ0｜≧｜ＺＩC｜ （５） となる。
【００１６】以上のように、電磁石コイルの抵抗分Ｒと
補償抵抗Ｒ′の和にバイアス電流Ｉ0 を乗じたものの絶
対値が、電磁石コイルのインピーダンスＺに制御電流Ｉ
C を乗じたものの絶対値よりもイコールまたは大きい場
合には、一方向電流、片電圧の１象限作動の電力増幅器
の出力電圧がマイナスとなるという問題が避けられ、最
大制御周波数の範囲内で電磁石のコイルに制御電流を安
定に供給することができる。
補償抵抗Ｒ′の和にバイアス電流Ｉ0 を乗じたものの絶
対値が、電磁石コイルのインピーダンスＺに制御電流Ｉ
C を乗じたものの絶対値よりもイコールまたは大きい場
合には、一方向電流、片電圧の１象限作動の電力増幅器
の出力電圧がマイナスとなるという問題が避けられ、最
大制御周波数の範囲内で電磁石のコイルに制御電流を安
定に供給することができる。
【００１７】図２，３，４は、係る構成における制御用
電磁石３のコイル５に直列に接続された補償抵抗Ｒ′の
動作を説明するものである。
電磁石３のコイル５に直列に接続された補償抵抗Ｒ′の
動作を説明するものである。
【００１８】図２はコイルＺと補償抵抗Ｒ’に係る電圧
分担を説明するものである。電力増幅器７よりバイアス
電流Ｉ0 に制御電流ＩC が重畳した励磁電流Ｉ0 ±ＩC
がコイル５と直列に接続された補償抵抗Ｒ’に印加され
る。そして、式（３）に示すように、補償抵抗Ｒ′の両
端のバイアス電圧ＶO'として生じる電圧分担はＲ′Ｉ0
となる。そして、コイルのインピーダンスＺの電圧分担
はＲＩ0 ±ＺＩC となる。そしてこれらの和が両端の電
圧Ｅとなる。
分担を説明するものである。電力増幅器７よりバイアス
電流Ｉ0 に制御電流ＩC が重畳した励磁電流Ｉ0 ±ＩC
がコイル５と直列に接続された補償抵抗Ｒ’に印加され
る。そして、式（３）に示すように、補償抵抗Ｒ′の両
端のバイアス電圧ＶO'として生じる電圧分担はＲ′Ｉ0
となる。そして、コイルのインピーダンスＺの電圧分担
はＲＩ0 ±ＺＩC となる。そしてこれらの和が両端の電
圧Ｅとなる。
【００１９】図３は、補償抵抗Ｒ’によってバイアス電
圧がＶO からＶO'に上昇したことを示している、即ち、 ＶO'＝（Ｒ＋Ｒ′）Ｉ であり、補償抵抗Ｒ’による電圧上昇分Ｒ'ＩOだけバイ
アス電圧ＶO'が上昇する。これによって、図６に示す従
来制御不能であった、大きな制御電圧ＶC2を図示するよ
うに制御可能にすることができる。
圧がＶO からＶO'に上昇したことを示している、即ち、 ＶO'＝（Ｒ＋Ｒ′）Ｉ であり、補償抵抗Ｒ’による電圧上昇分Ｒ'ＩOだけバイ
アス電圧ＶO'が上昇する。これによって、図６に示す従
来制御不能であった、大きな制御電圧ＶC2を図示するよ
うに制御可能にすることができる。
【００２０】図４は、制御用電磁石のコイル５及び補償
抵抗Ｒ’に流れる制御電圧ＶC2に対応する励磁電流Ｉを
示すものであり、励磁電流Ｉは図示するようにマイナス
となることがなく、従来の技術で不可能であった制御電
圧ＶC2に対応する制御信号に従った励磁電流を供給でき
る。
抵抗Ｒ’に流れる制御電圧ＶC2に対応する励磁電流Ｉを
示すものであり、励磁電流Ｉは図示するようにマイナス
となることがなく、従来の技術で不可能であった制御電
圧ＶC2に対応する制御信号に従った励磁電流を供給でき
る。
【００２１】
【発明の効果】以上に説明したように、本発明は制御用
電磁石のコイルに直列に補償抵抗を備え、補償抵抗によ
って生じる電圧によってバイアス電圧を上昇するように
したものである。したがって、係る条件を満たせば電力
増幅器は、常にプラスの範囲内で励磁電流を制御信号に
従って供給することができる。それゆえ大振幅の動作、
或いは高周波の動作において、制御用電磁石の安定な制
御が可能となり、特に電磁石の制御領域の周波数範囲の
拡大に顕著な効果を生じるものである。
電磁石のコイルに直列に補償抵抗を備え、補償抵抗によ
って生じる電圧によってバイアス電圧を上昇するように
したものである。したがって、係る条件を満たせば電力
増幅器は、常にプラスの範囲内で励磁電流を制御信号に
従って供給することができる。それゆえ大振幅の動作、
或いは高周波の動作において、制御用電磁石の安定な制
御が可能となり、特に電磁石の制御領域の周波数範囲の
拡大に顕著な効果を生じるものである。
【図１】本発明の一実施例の磁気浮上装置の説明図。
【図２】制御用電磁石のコイルＺと補償抵抗Ｒ′に係る
電圧分担の説明図。
電圧分担の説明図。
【図３】電力増幅器の出力電圧の説明図。
【図４】電力増幅器の出力電流の説明図。
【図５】従来の磁気浮上装置の説明図。
【図６】従来の電力増幅器の出力電圧の説明図。
１ 回転軸 ２ 磁性体継鉄 ３ 電磁石 ５ コイル ６ 補償回路 ７ 電力増幅器 ８ 直線検波回路 ９ 変位センサ Ｒ コイルの抵抗分 Ｒ’ 補償抵抗 Ｚ コイルのインピーダンス
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 丸井 英史 神奈川県藤沢市本藤沢４丁目２番１号 株式会社 荏原総合研究所内 (72)発明者 中口 郁雄 神奈川県藤沢市本藤沢４丁目２番１号 株式会社 荏原総合研究所内 (56)参考文献 実開 平１−146014（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H02K 7/09 F16C 32/04
Claims (1)
- 【請求項１】 非接触で磁性体継鉄の固定された支持対
象物を浮上支持する制御用電磁石と、該制御用電磁石と
該支持対象物に固定された磁性体継鉄との空隙を検出す
る変位センサと、補償回路と一方向電流、片電圧の１象
限作動のパワーアンプからなるコントローラを備え、前
記制御用電磁石のコイルにバイアス電流Ｉ0 に制御電流
Ｉc を重畳して流すことにより浮上支持制御を行う磁気
浮上装置において、 前記制御用電磁石のコイルには直列に補償抵抗Ｒ′を備
え、制御周波数範囲内において、前記電磁石コイルの抵
抗分Ｒと補償抵抗Ｒ′の和にバイアス電流Ｉ0を乗じた
ものの絶対値は、前記電磁石コイルのインピーダンスＺ
に制御電流Ｉcを乗じたものの絶対値よりも等しいか大
きいことを特徴とする磁気浮上装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29640492A JP3187982B2 (ja) | 1992-10-08 | 1992-10-08 | 磁気浮上装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29640492A JP3187982B2 (ja) | 1992-10-08 | 1992-10-08 | 磁気浮上装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06121486A JPH06121486A (ja) | 1994-04-28 |
| JP3187982B2 true JP3187982B2 (ja) | 2001-07-16 |
Family
ID=17833112
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29640492A Expired - Fee Related JP3187982B2 (ja) | 1992-10-08 | 1992-10-08 | 磁気浮上装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3187982B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5859113A (en) | 1997-07-17 | 1999-01-12 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Pigment dispersions containing hydroxylated AB-block polymer dispersant |
| KR101158812B1 (ko) * | 2010-03-02 | 2012-06-26 | 주식회사 디엔엠 테크놀로지 | 변위 센서 및 이를 이용한 자기 베어링 시스템 |
| CN116255395B (zh) * | 2022-12-30 | 2024-01-05 | 淮阴工学院 | 一种恒流源励磁六极主动电磁轴承及设计方法 |
-
1992
- 1992-10-08 JP JP29640492A patent/JP3187982B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06121486A (ja) | 1994-04-28 |
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