JP3187573U - 無電解めっき用シリコンウェハ - Google Patents
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Abstract
【課題】シリコンウェハに無電解めっきを施したときに当該シリコンウェハの端部でめっき皮膜が形成されることを防止することができる無電解めっき用シリコンウェハを提供する。
【解決手段】無電解めっきに用いられるシリコンウェハ1であって、シリコンウェハ1のデバイス面1aの外周面に当該シリコンウェハ1の端部から突出して鍔部2aを形成するデバイス面用樹脂フィルム2が設けられ、シリコンウェハ1の底面に当該底面全体を覆うとともに当該シリコンウェハ1の端部から突出して鍔部3aを形成する底面用樹脂フィルム3が設けられ、デバイス面用樹脂フィルム2の鍔部2aと底面用樹脂フィルム3の鍔部3aとが一体化されていることを特徴とする。
【選択図】図1
【解決手段】無電解めっきに用いられるシリコンウェハ1であって、シリコンウェハ1のデバイス面1aの外周面に当該シリコンウェハ1の端部から突出して鍔部2aを形成するデバイス面用樹脂フィルム2が設けられ、シリコンウェハ1の底面に当該底面全体を覆うとともに当該シリコンウェハ1の端部から突出して鍔部3aを形成する底面用樹脂フィルム3が設けられ、デバイス面用樹脂フィルム2の鍔部2aと底面用樹脂フィルム3の鍔部3aとが一体化されていることを特徴とする。
【選択図】図1
Description
本考案は、無電解めっき用シリコンウェハに関する。さらに詳しくは、本考案は、例えば、半導体チップなどを搭載するために用いられる配線用基板などに好適に使用することができる無電解めっき用シリコンウェハに関する。
一般に、配線用基板に用いられるシリコンウェハは、当該シリコンウェハ上に感光性レジストなどの液レジストを塗布し、形成されたレジスト膜上に所定形状を有するマスクを介して露光し、ドライエッチングによって露光されていないレジストを除去した後、無電解めっきによってその表面上にめっき皮膜が形成されている(例えば、特許文献1の請求項1および段落[0037]参照)。
しかし、シリコンウェハに液レジストを塗布したとき、シリコンウェハの端部に液レジストが均一に付着しないことがある。特に、近時のシリコンフェハの薄肉化のもとでは、シリコンウェハの端部がナイフエッジ状になるため、液レジストが当該ナイフエッジ状の端部に付着し難い。このように液レジストがシリコンウェハの端部に均一に付着せずにシリコンウェハが露出しているとき、当該シリコンウェハに無電解めっきを施した際に、露出しているシリコンウェハにめっき皮膜が形成され、当該めっき皮膜が容易に剥離して脱離することから、例えば、ダイシングなどの後工程でめっき皮膜が剥離し、デバイス面に付着することによって当該デバイス面を汚染することがある。
本考案は、前記従来技術に鑑みてなされたものであり、シリコンウェハに無電解めっきを施したときに当該シリコンウェハの端部でめっき皮膜が形成されることを防止することができる無電解めっき用シリコンウェハを提供することを課題とする。
本考案は、無電解めっきに用いられるシリコンウェハであって、前記シリコンウェハのデバイス面の外周面に当該シリコンウェハの端部から突出して鍔部を形成するデバイス面用樹脂フィルムが設けられ、前記シリコンウェハの底面に当該底面全体を覆うとともに当該シリコンウェハの端部から突出して鍔部を形成する底面用樹脂フィルムが設けられ、デバイス面用樹脂フィルムの鍔部と底面用樹脂フィルムの鍔部とが一体化されていることを特徴とする無電解めっき用シリコンウェハに関する。
本考案の無電解めっき用シリコンウェハによれば、シリコンウェハに無電解めっきを施したときに当該シリコンウェハの端部でめっき皮膜が形成されることを防止することができるという優れた効果が奏される。
本考案の無電解めっき用シリコンウェハは、前記したように、無電解めっきに用いられるシリコンウェハであり、前記シリコンウェハのデバイス面の外周面に当該シリコンウェハの端部から突出して鍔部を形成するデバイス面用樹脂フィルムが設けられ、前記シリコンウェハの底面に当該底面全体を覆うとともに当該シリコンウェハの端部から突出して鍔部を形成する底面用樹脂フィルムが設けられ、デバイス面用樹脂フィルムの鍔部と底面用樹脂フィルムの鍔部とが一体化されていることを特徴とする。本考案の無電解めっき用シリコンウェハは、前記構成を有するので、シリコンウェハの端部でめっき皮膜が形成されることを防止することができるという優れた効果を奏する。
以下に、本考案の無電解めっき用シリコンウェハを図面に基づいて説明する。図1は、本考案の一実施態様を示す無電解めっき用シリコンウェハの面方向の中央部における概略縦断面図である。
図1において、シリコンウェハ1のデバイス面1aの外周面にシリコンウェハ1の端部から突出して鍔部2aを形成するデバイス面用樹脂フィルム2が設けられている。シリコンウェハ1の底面1bに当該底面1b全体を覆うとともにシリコンウェハ1の端部から突出して鍔部3aを形成する底面用樹脂フィルム3が設けられている。図1に示されるように、デバイス面用樹脂フィルム2の鍔部2aと底面用樹脂フィルム3の鍔部3aとは、一体化されている。
シリコンウェハ1の大きさは、配線用基板の用途などによって異なるので一概には決定することができないことから、当該配線用基板の用途などに応じて適宜決定することが好ましい。また、シリコンウェハ1の形状は、特に限定されないが、通常、円形ないし楕円形である。
シリコンウェハ1の厚さは、配線用基板の用途などによって異なるので一概には決定することができないことから、当該配線用基板の用途などに応じて適宜決定することが好ましいが、通常、30〜800μm程度である。
デバイス面用樹脂フィルム2および底面用樹脂フィルム3としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレートなどのポリエステル;ポリエチレン、ポリプロピレンなどのポリオレフィン;ナイロン1、ナイロン12、ナイロン6、ナイロン66などのポリアミド;ポリメチルメタクリレートなどのアクリル樹脂;塩化ビニル樹脂、塩化ビニリデン樹脂などの樹脂からなる樹脂フィルム、ポリウレタンエラストマーなどのエラストマーからなるフィルム、天然ゴム、スチレン−ブタジエンゴムなどの合成ゴムなどからなるゴムシートなどが挙げられるが、本考案は、かかる例示のみに限定されるものではない。デバイス面用樹脂フィルム2および底面用樹脂フィルム3として、紫外線硬化性樹脂フィルム、熱硬化性樹脂フィルムなどの硬化性樹脂フィルムを用いた場合、デバイス面用樹脂フィルム2の鍔部2aと底面用樹脂フィルム3の鍔部3aとを重ね合わせた後、デバイス面用樹脂フィルム2と底面用樹脂フィルム3とを硬化させることにより、デバイス面用樹脂フィルム2の鍔部2aと底面用樹脂フィルム3の鍔部3aとを一体化させることができる。
デバイス面用樹脂フィルム2および底面用樹脂フィルム3の厚さは、特に限定されないが、通常、10〜200μm程度であることが好ましい。
デバイス面用樹脂フィルム2は、シリコンウェハ1のデバイス面1aを完全には被覆しないが、シリコンウェハ1の外周面を覆うことができるようにするために、例えば、シリコンウェハ1の平面形状が円形である場合には、いわゆるリング状の樹脂フィルムであることが好ましい。デバイス面用樹脂フィルム2の直径は、鍔部2aを形成するために、シリコンウェハ1の直径よりも大きくなるように設定される。図1に示される鍔部2aの長さ(シリコンウェハ1の端部から樹脂フィルム2aの端部までの長さ)Xは、鍔部2aと鍔部3aとを十分に一体化させるとともに、シリコンウェハ1の変形を防止し、取り扱い性を向上させる観点から、1〜20mm程度であることが好ましい。
シリコンウェハ1のデバイス面1aにデバイス面用樹脂フィルム2を設ける方法としては、例えば、デバイス面用樹脂フィルム2として熱可塑性樹脂からなるデバイス面用樹脂フィルム2を用い、当該デバイス面用樹脂フィルム2をシリコンウェハ1のデバイス面1aに載置し、加熱、加圧または真空引きすることによってデバイス面用樹脂フィルム2をシリコンウェハ1のデバイス面1aに接着させる方法、デバイス面用樹脂フィルム2として粘着層を有するデバイス面用樹脂フィルム2を用い、当該デバイス面用樹脂フィルム2の粘着層が設けられている面とシリコンウェハ1のデバイス面1aとを重ね合わせることにより、デバイス面用樹脂フィルム2をシリコンウェハ1のデバイス面1aに接着させる方法などが挙げられるが、本考案は、かかる例示のみに限定されるものではない。
底面用樹脂フィルム3は、シリコンウェハ1の底面1b全体を覆うとともにシリコンウェハ1の端部から突出して鍔部3aを形成することができるようにするために、例えば、シリコンウェハ1の平面形状が円形である場合には、円形の樹脂フィルムであることが好ましい。底面用樹脂フィルム3の直径は、鍔部3aを形成するために、シリコンウェハ1の直径よりも大きくなるように設定される。鍔部3aの長さは、鍔部2aと鍔部3aとを十分に一体化させるとともに、シリコンウェハ1の変形を防止し、取り扱い性を向上させる観点から、鍔部2aの長さXと同様に、1〜20mm程度であることが好ましく、鍔部2aの長さXと同一であることがより好ましい。
シリコンウェハ1の底面1bに底面用樹脂フィルム3を設ける方法としては、例えば、底面用樹脂フィルム3として熱可塑性樹脂からなる樹脂フィルムを用い、底面用樹脂フィルム3をシリコンウェハ1の底面1bに載置し、加熱、加圧または真空引きすることによって底面用樹脂フィルム3をシリコンウェハ1の底面1bに接着させる方法、底面用樹脂フィルム3として粘着層を有する底面用樹脂フィルム3を用い、底面用樹脂フィルム3の粘着層が設けられている面とシリコンウェハ1の底面1bとを重ね合わせることにより、底面用樹脂フィルム3をシリコンウェハ1の底面1bに接着させる方法などが挙げられるが、本考案は、かかる例示のみに限定されるものではない。
デバイス面用樹脂フィルム2の鍔部2aと底面用樹脂フィルム3の鍔部3aとを一体化させる方法としては、例えば、デバイス面用樹脂フィルム2および底面用樹脂フィルム3として熱可塑性樹脂からなる樹脂フィルムを用い、デバイス面用樹脂フィルム2および底面用樹脂フィルム3をシリコンウェハ1に載置し、デバイス面用樹脂フィルム2の鍔部2aと底面用樹脂フィルム3の鍔部3aとを重ね合せた後、加熱、加圧または真空引きすることによってデバイス面用樹脂フィルム2の鍔部2aと底面用樹脂フィルム3の鍔部3aとを一体化させる方法、デバイス面用樹脂フィルム2および底面用樹脂フィルム3として、粘着層を有するデバイス面用樹脂フィルム2および粘着層を有する底面用樹脂フィルム3を用い、デバイス面用樹脂フィルム2の粘着層および底面用樹脂フィルム3の粘着層がそれぞれシリコンウェハ1のデバイス面1aおよび底面1bと接するように、デバイス面用樹脂フィルム2および底面用樹脂フィルム3をそれぞれシリコンウェハ1のデバイス面1aおよび底面1bに載置し、デバイス面用樹脂フィルム2の鍔部2aの粘着層と底面用樹脂フィルム3の鍔部3aの粘着層とを重ね合せることによってデバイス面用樹脂フィルム2の鍔部2aと底面用樹脂フィルム3の鍔部3aとを一体化させる方法などが挙げられるが、本考案は、かかる例示のみに限定されるものではない。
なお、図1に示される実施態様では、デバイス面用樹脂フィルム2の鍔部2aと底面用樹脂フィルム3の鍔部3aとは、シリコンウェハ1の厚さ方向の中心部分で一体化されているが、本発明は、当該実施態様のみによって限定されるのではなく、シリコンウェハ1の厚さ方向のいずれの位置にデバイス面用樹脂フィルム2の鍔部2aおよび底面用樹脂フィルム3の鍔部3aが存在していてもよい。したがって、例えば、平板状の底面用樹脂フィルム3とシリコンウェハ1の底面1bとが接するように平板状の底面用樹脂フィルム3の上にシリコンウェハ1が載置され、シリコンウェハ1のデバイス面1aとデバイス面用樹脂フィルム2とが接し、シリコンウェハ1の上にデバイス面用樹脂フィルム2がシリコンウェハ1の外周面を覆うように載置され、デバイス面用樹脂フィルム2の鍔部2aと底面用樹脂フィルム3の鍔部3aとが一体化されていてもよく、あるいはシリコンウェハ1のデバイス面1aに平板状のデバイス面用樹脂フィルム2がシリコンウェハ1の外周面を覆うように載置され、シリコンウェハ1の底面1bに底面用樹脂フィルム3がシリコンウェハ1の底面1bを覆うように載置され、デバイス面用樹脂フィルム2の鍔部2aと底面用樹脂フィルム3の鍔部3aとが一体化されていてもよい。
以上説明したように、本考案の無電解めっき用シリコンウェハ1は、シリコンウェハ1のデバイス面1aの外周面に当該シリコンウェハ1の端部から突出して鍔部2aを形成するデバイス面用樹脂フィルム2が設けられ、シリコンウェハ1の底面1bに当該底面1b全体を覆うとともに当該シリコンウェハ1の端部から突出して鍔部3aを形成する底面用樹脂フィルム3が設けられ、デバイス面用樹脂フィルム2の鍔部2aと底面用樹脂フィルム3の鍔部3aとが一体化されているので、無電解めっきを施したときにシリコンウェハ1の端部でめっき皮膜が形成されることを効果的に防止することができる。
また、本考案の無電解めっき用シリコンウェハ1は、その周囲にデバイス面用樹脂フィルム2の鍔部2aおよび底面用樹脂フィルム3の鍔部3aが形成されているので、当該シリコンウェハ1の変形、損傷などを防止することができる。さらに、無電解めっき用シリコンウェハのデバイス面用樹脂フィルム2の鍔部2aおよび底面用樹脂フィルム3の鍔部3aは、無電解めっきをシリコンウェハに施す際に用いられるめっき槽内のキャリアに固定する際の支持体として有効利用することができる。
したがって、本考案の無電解めっき用シリコンウェハは、例えば、半導体チップなどを搭載するために用いられる配線用基板などを工業的に製造する際に好適に使用することができる。
1 シリコンウェハ
1a シリコンウェハのデバイス面
1b シリコンウェハの底面
2 デバイス面用樹脂フィルム
2a デバイス面用樹脂フィルムの鍔部
3 底面用樹脂フィルム
3a 底面用樹脂フィルムの鍔部
1a シリコンウェハのデバイス面
1b シリコンウェハの底面
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Claims (1)
- 無電解めっきに用いられるシリコンウェハであって、前記シリコンウェハのデバイス面の外周面に当該シリコンウェハの端部から突出して鍔部を形成するデバイス面用樹脂フィルムが設けられ、前記シリコンウェハの底面に当該底面全体を覆うとともに当該シリコンウェハの端部から突出して鍔部を形成する底面用樹脂フィルムが設けられ、デバイス面用樹脂フィルムの鍔部と底面用樹脂フィルムの鍔部とが一体化されていることを特徴とする無電解めっき用シリコンウェハ。
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JP2013005465U JP3187573U (ja) | 2013-09-22 | 2013-09-22 | 無電解めっき用シリコンウェハ |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2015162634A (ja) * | 2014-02-28 | 2015-09-07 | 株式会社タカトリ | ウエハへの保護テープの貼付装置およびウエハの製造方法 |
US11456201B2 (en) | 2020-09-23 | 2022-09-27 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor substrate and method of manufacturing semiconductor device |
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- 2013-09-22 JP JP2013005465U patent/JP3187573U/ja not_active Expired - Lifetime
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