JP3180677B2 - ヒートシンク付セラミック回路基板 - Google Patents
ヒートシンク付セラミック回路基板Info
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、パワーモジュール
用基板等の半導体装置のセラミック回路基板に関する。
更に詳しくは半導体チップ等の発熱体から発生する熱を
放散させるヒートシンクを有するセラミック回路基板に
関するものである。
用基板等の半導体装置のセラミック回路基板に関する。
更に詳しくは半導体チップ等の発熱体から発生する熱を
放散させるヒートシンクを有するセラミック回路基板に
関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種のセラミック回路基板とし
て、図５に示すように、セラミック基板３がＡｌＮによ
り形成され、このセラミック基板３の両面に第１及び第
２銅板１，２が積層接着され、ＡｌＳｉＣ複合材料によ
り形成されたヒートシンク８の上面にＮｉめっきが形成
され、更にヒートシンク８が第１銅板１にはんだ６を介
して積層接着されたものが知られている。この回路基板
９では、第１及び第２銅板１，２のセラミック基板３へ
の積層接着は第１銅板１の上にセラミック基板３及び第
２銅板２を重ねた状態で、これらに荷重０．５〜２ｋｇ
ｆ／ｃｍ2を加え、Ｎ2雰囲気中で１０６５〜１０７５℃
に加熱するＤＢＣ（Direct Bond Copper）法により行わ
れ、第２銅板２はエッチンクにより所定のパターンの回
路となる。この後にヒートシンク８が第１銅板１にはん
だ６を介して積層接着され、第２銅板２上に半導体チッ
プ等（図示せず）が搭載される。このように構成された
セラミック回路基板では、半導体チップ等が発した熱は
第２銅板２、セラミック基板３、第１銅板１及びはんだ
６を介してヒートシンク８の表面から放散されるように
なっている。
て、図５に示すように、セラミック基板３がＡｌＮによ
り形成され、このセラミック基板３の両面に第１及び第
２銅板１，２が積層接着され、ＡｌＳｉＣ複合材料によ
り形成されたヒートシンク８の上面にＮｉめっきが形成
され、更にヒートシンク８が第１銅板１にはんだ６を介
して積層接着されたものが知られている。この回路基板
９では、第１及び第２銅板１，２のセラミック基板３へ
の積層接着は第１銅板１の上にセラミック基板３及び第
２銅板２を重ねた状態で、これらに荷重０．５〜２ｋｇ
ｆ／ｃｍ2を加え、Ｎ2雰囲気中で１０６５〜１０７５℃
に加熱するＤＢＣ（Direct Bond Copper）法により行わ
れ、第２銅板２はエッチンクにより所定のパターンの回
路となる。この後にヒートシンク８が第１銅板１にはん
だ６を介して積層接着され、第２銅板２上に半導体チッ
プ等（図示せず）が搭載される。このように構成された
セラミック回路基板では、半導体チップ等が発した熱は
第２銅板２、セラミック基板３、第１銅板１及びはんだ
６を介してヒートシンク８の表面から放散されるように
なっている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記従来のセ
ラミック回路基板は、半導体チップ等の発熱及び非発熱
により基板温度が高温と低温との間で繰返し変化する
と、セラミック基板と第１及び第２銅板との熱膨張係数
が異なり、かつ第１及び第２銅板の変形抵抗が比較的大
きいため、セラミック基板にクラックが生じる恐れがあ
った。本発明の目的は、熱サイクル寿命が長いヒートシ
ンク付セラミック回路基板を提供することにある。
ラミック回路基板は、半導体チップ等の発熱及び非発熱
により基板温度が高温と低温との間で繰返し変化する
と、セラミック基板と第１及び第２銅板との熱膨張係数
が異なり、かつ第１及び第２銅板の変形抵抗が比較的大
きいため、セラミック基板にクラックが生じる恐れがあ
った。本発明の目的は、熱サイクル寿命が長いヒートシ
ンク付セラミック回路基板を提供することにある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】 請求項１に係る発明は、
図１に示すように、セラミック基板１３と、セラミック
基板１３の両面にＡｌ−Ｓｉ系ろう材を介してそれぞれ
積層接着された第１及び第２アルミニウム板１１，１２
と、ＡｌＳｉＣ系複合材料により形成され第１アルミニ
ウム板１１又は第２アルミニウム板１２の表面に積層接
着されたヒートシンク１４とを備えたヒートシンク付セ
ラミック回路基板の改良である。その特徴ある構成は、
セラミック基板１３がＡｌＮ，Ｓｉ 3 Ｎ 4 又はＡｌ 2 Ｏ 3 に
より形成され、ヒートシンク１４中のＡｌ合金のＡｌ純
度が８０〜９５重量％でありかつヒートシンク１４が積
層接着される第１アルミニウム板１１又は第２アルミニ
ウム板１２のＡｌ純度が９９．９８重量％以上であっ
て、ヒートシンク１４が第１アルミニウム板１１又は第
２アルミニウム板１２にヒートシンク１４中のＡｌ合金
を介して積層接着されたところにある。この請求項１に
係る回路基板では、第１及び第２アルミニウム板１１，
１２が従来の銅板と比べて変形抵抗が小さいので、回路
基板１０に熱サイクルを付加し てもセラミック基板１３
にクラックが発生することがない。またヒートシンク１
４として熱伝導率の高いＡｌＳｉＣ系複合材料を用いた
ので、放熱特性が向上する。またセラミック基板１３と
してＡｌＮを用いると熱伝導率及び耐熱性が向上し、Ｓ
ｉ 3 Ｎ 4 を用いると強度及び耐熱性が向上し、Ａｌ 2 Ｏ 3 を
用いると耐熱性が向上する。更にろう材やはんだを用い
ずにヒートシンク１４を第１アルミニウム板１１又は第
２アルミニウム板１２に積層接着できるので、製造工数
を削減できる。
図１に示すように、セラミック基板１３と、セラミック
基板１３の両面にＡｌ−Ｓｉ系ろう材を介してそれぞれ
積層接着された第１及び第２アルミニウム板１１，１２
と、ＡｌＳｉＣ系複合材料により形成され第１アルミニ
ウム板１１又は第２アルミニウム板１２の表面に積層接
着されたヒートシンク１４とを備えたヒートシンク付セ
ラミック回路基板の改良である。その特徴ある構成は、
セラミック基板１３がＡｌＮ，Ｓｉ 3 Ｎ 4 又はＡｌ 2 Ｏ 3 に
より形成され、ヒートシンク１４中のＡｌ合金のＡｌ純
度が８０〜９５重量％でありかつヒートシンク１４が積
層接着される第１アルミニウム板１１又は第２アルミニ
ウム板１２のＡｌ純度が９９．９８重量％以上であっ
て、ヒートシンク１４が第１アルミニウム板１１又は第
２アルミニウム板１２にヒートシンク１４中のＡｌ合金
を介して積層接着されたところにある。この請求項１に
係る回路基板では、第１及び第２アルミニウム板１１，
１２が従来の銅板と比べて変形抵抗が小さいので、回路
基板１０に熱サイクルを付加し てもセラミック基板１３
にクラックが発生することがない。またヒートシンク１
４として熱伝導率の高いＡｌＳｉＣ系複合材料を用いた
ので、放熱特性が向上する。またセラミック基板１３と
してＡｌＮを用いると熱伝導率及び耐熱性が向上し、Ｓ
ｉ 3 Ｎ 4 を用いると強度及び耐熱性が向上し、Ａｌ 2 Ｏ 3 を
用いると耐熱性が向上する。更にろう材やはんだを用い
ずにヒートシンク１４を第１アルミニウム板１１又は第
２アルミニウム板１２に積層接着できるので、製造工数
を削減できる。
【０００５】請求項２に係る発明は、図２に示すよう
に、セラミック基板１３と、セラミック基板１３の両面
にＡｌ−Ｓｉ系ろう材を介してそれぞれ積層接着された
第１及び第２アルミニウム板３１，３２と、ＡｌＳｉＣ
系複合材料により形成され第１アルミニウム板３１又は
第２アルミニウム板３２の表面に積層接着されたヒート
シンク１４とを備えたヒートシンク付セラミック回路基
板の改良である。その特徴ある構成は、セラミック基板
１３がＡｌＮ，Ｓｉ 3 Ｎ 4 又はＡｌ 2 Ｏ 3 により形成され、
ヒートシンク１４中のＡｌ合金のＡｌ純度が８０〜９５
重量％でありかつヒートシンク１４が積層接着される第
１アルミニウム板３１又は第２アルミニウム板３２のＡ
ｌ純度が９９．９８重量％以上であって、ヒートシンク
１４が第１アルミニウム板３１又は第２アルミニウム板
３２にヒートシンク１４及び第１アルミニウム板３１又
は第２アルミニウム板３２より融点が低いＡｌ−Ｓｉ系
ろう材を介して積層接着されたところにある。この請求
項２に係る回路基板では、ヒートシンク１４中のＡｌ合
金のＡｌ純度が比較的低くても、ヒートシンク１４を第
１アルミニウム板３１又は第２アルミニウム板３２に比
較的容易に積層接着できる。またヒートシンク１４中の
Ａｌ合金のＡｌ純度が比較的低いため、ヒートシンク１
４の変形抵抗がＡｌ純度の高い場合と比較して大きくな
るが、銅板と比較するとまだ変形抵抗が小さいので、こ
の回路基板３０に熱サイクルを付加してもセラミック基
板１３にクラックが発生することは殆どない。更にセラ
ミック基板１３をＳｉ 3 Ｎ 4 により形成したので、回路基
板の強度及び耐熱性を向上できる。
に、セラミック基板１３と、セラミック基板１３の両面
にＡｌ−Ｓｉ系ろう材を介してそれぞれ積層接着された
第１及び第２アルミニウム板３１，３２と、ＡｌＳｉＣ
系複合材料により形成され第１アルミニウム板３１又は
第２アルミニウム板３２の表面に積層接着されたヒート
シンク１４とを備えたヒートシンク付セラミック回路基
板の改良である。その特徴ある構成は、セラミック基板
１３がＡｌＮ，Ｓｉ 3 Ｎ 4 又はＡｌ 2 Ｏ 3 により形成され、
ヒートシンク１４中のＡｌ合金のＡｌ純度が８０〜９５
重量％でありかつヒートシンク１４が積層接着される第
１アルミニウム板３１又は第２アルミニウム板３２のＡ
ｌ純度が９９．９８重量％以上であって、ヒートシンク
１４が第１アルミニウム板３１又は第２アルミニウム板
３２にヒートシンク１４及び第１アルミニウム板３１又
は第２アルミニウム板３２より融点が低いＡｌ−Ｓｉ系
ろう材を介して積層接着されたところにある。この請求
項２に係る回路基板では、ヒートシンク１４中のＡｌ合
金のＡｌ純度が比較的低くても、ヒートシンク１４を第
１アルミニウム板３１又は第２アルミニウム板３２に比
較的容易に積層接着できる。またヒートシンク１４中の
Ａｌ合金のＡｌ純度が比較的低いため、ヒートシンク１
４の変形抵抗がＡｌ純度の高い場合と比較して大きくな
るが、銅板と比較するとまだ変形抵抗が小さいので、こ
の回路基板３０に熱サイクルを付加してもセラミック基
板１３にクラックが発生することは殆どない。更にセラ
ミック基板１３をＳｉ 3 Ｎ 4 により形成したので、回路基
板の強度及び耐熱性を向上できる。
【０００６】請求項３に係る発明は、図３に示すよう
に、セラミック基板１３と、セラミック基板１３の両面
にＡｌ−Ｓｉ系ろう材を介してそれぞれ積層接着された
第１及び第２アルミニウム板５１，５２と、ＡｌＳｉＣ
系複合材料により形成され第１アルミニウム板５１又は
第２アルミニウム板５２の表面に積層接着されたヒート
シンク１４とを備えたヒートシンク付セラミック回路基
板の改良である。その特徴ある構成は、セラミック基板
１３がＳｉ 3 Ｎ 4 により形成され、ヒートシンク１４が積
層接着される第１アルミニウム板５１又は第２アルミニ
ウム板５２のＡｌ純度が９９．９８重量％以上であっ
て、ヒートシンク１４が第１アルミニウム板５１又は第
２アルミニウム板５２にはんだ５６を介して積層接着さ
れたところにある。この請求項３に係る回路基板では、
ヒートシンク１４を第１アルミニウム板５１又は第２ア
ルミニウム板５２に比較的低温で容易に積層接着でき
る。またセラミック基板１３をＳｉ 3 Ｎ 4 により形成した
ので、回路基板の強度及び耐熱性を向上できる。
に、セラミック基板１３と、セラミック基板１３の両面
にＡｌ−Ｓｉ系ろう材を介してそれぞれ積層接着された
第１及び第２アルミニウム板５１，５２と、ＡｌＳｉＣ
系複合材料により形成され第１アルミニウム板５１又は
第２アルミニウム板５２の表面に積層接着されたヒート
シンク１４とを備えたヒートシンク付セラミック回路基
板の改良である。その特徴ある構成は、セラミック基板
１３がＳｉ 3 Ｎ 4 により形成され、ヒートシンク１４が積
層接着される第１アルミニウム板５１又は第２アルミニ
ウム板５２のＡｌ純度が９９．９８重量％以上であっ
て、ヒートシンク１４が第１アルミニウム板５１又は第
２アルミニウム板５２にはんだ５６を介して積層接着さ
れたところにある。この請求項３に係る回路基板では、
ヒートシンク１４を第１アルミニウム板５１又は第２ア
ルミニウム板５２に比較的低温で容易に積層接着でき
る。またセラミック基板１３をＳｉ 3 Ｎ 4 により形成した
ので、回路基板の強度及び耐熱性を向上できる。
【０００７】
【発明の実施の形態】次に本発明の第１の実施の形態を
図面に基づいて詳しく説明する。 (a) 第１及び第２アルミニウム板のセラミック基板への
積層接着第１及び第２アルミニウム板はＡｌ純度が９
９．９８重量％以上の高純度のＡｌ合金により形成さ
れ、セラミック基板はＡｌＮ，Ｓｉ3Ｎ4又はＡｌ2Ｏ3に
より形成される。図１に示すように、セラミック基板１
３の両面に第１及び第２アルミニウム板１１，１２を積
層接着するには、第１アルミニウム板１１の上にＡｌ−
Ｓｉ系ろう材（図示せず）、セラミック基板１３、Ａｌ
−Ｓｉ系ろう材（図示せず）及び第２アルミニウム板１
２を重ねた状態で、これらに荷重０．５〜５ｋｇｆ／ｃ
ｍ2を加え、真空中で６００〜６３０℃に加熱すること
により行われる。積層接着後、第２アルミニウム板１２
はエッチング法により所定のパターンの回路となる。Ａ
ｌ−Ｓｉ系ろう材は９０〜９５重量％のＡｌと５〜１０
重量％のＳｉとの合金である。
図面に基づいて詳しく説明する。 (a) 第１及び第２アルミニウム板のセラミック基板への
積層接着第１及び第２アルミニウム板はＡｌ純度が９
９．９８重量％以上の高純度のＡｌ合金により形成さ
れ、セラミック基板はＡｌＮ，Ｓｉ3Ｎ4又はＡｌ2Ｏ3に
より形成される。図１に示すように、セラミック基板１
３の両面に第１及び第２アルミニウム板１１，１２を積
層接着するには、第１アルミニウム板１１の上にＡｌ−
Ｓｉ系ろう材（図示せず）、セラミック基板１３、Ａｌ
−Ｓｉ系ろう材（図示せず）及び第２アルミニウム板１
２を重ねた状態で、これらに荷重０．５〜５ｋｇｆ／ｃ
ｍ2を加え、真空中で６００〜６３０℃に加熱すること
により行われる。積層接着後、第２アルミニウム板１２
はエッチング法により所定のパターンの回路となる。Ａ
ｌ−Ｓｉ系ろう材は９０〜９５重量％のＡｌと５〜１０
重量％のＳｉとの合金である。
【０００８】(b) ヒートシンクヒートシンク１４はＳｉ
Ｃの焼成前の粉体を加圧した状態で、この粉体間の隙間
にＡｌ合金を流込むことにより形成される。このＡｌ合
金のＡｌ純度は８０〜９５重量％と第１及び第２アルミ
ニウム板１１，１２のＡｌ純度より低く、残りは２０〜
５重量％のＳｉ及び０〜５重量％のＭｇ又はＣｕを含
む。またヒートシンク１４中のＡｌ合金の溶解温度範囲
は５６０〜６００℃である。なお、ヒートシンク中のＡ
ｌ合金の組成例としては、Ａｌ−２０重量％Ｓｉ−４重
量％Ｍｇ，Ａｌ−７重量％Ｓｉ，Ａｌ−４重量％Ｃｕ，
Ａｌ−１２重量％Ｓｉ等がある。
Ｃの焼成前の粉体を加圧した状態で、この粉体間の隙間
にＡｌ合金を流込むことにより形成される。このＡｌ合
金のＡｌ純度は８０〜９５重量％と第１及び第２アルミ
ニウム板１１，１２のＡｌ純度より低く、残りは２０〜
５重量％のＳｉ及び０〜５重量％のＭｇ又はＣｕを含
む。またヒートシンク１４中のＡｌ合金の溶解温度範囲
は５６０〜６００℃である。なお、ヒートシンク中のＡ
ｌ合金の組成例としては、Ａｌ−２０重量％Ｓｉ−４重
量％Ｍｇ，Ａｌ−７重量％Ｓｉ，Ａｌ−４重量％Ｃｕ，
Ａｌ−１２重量％Ｓｉ等がある。
【０００９】(c) ヒートシンクの第１アルミニウム板へ
の積層接着ヒートシンク１４の上に第１アルミニウム板
１１を下側にしたセラミック板１３とを重ね、これらに
荷重０．５〜５ｋｇｆ／ｃｍ2を加え、真空中で５７０
〜６１０℃に加熱することにより、ヒートシンク１４中
のＡｌ合金が溶融してヒートシンク１４が第１アルミニ
ウム板１１に積層接着される。なお、第１アルミニウム
板をエッチング法により所定のパターンの回路とし、第
２アルミニウム板にヒートシンクを積層接着してもよ
い。
の積層接着ヒートシンク１４の上に第１アルミニウム板
１１を下側にしたセラミック板１３とを重ね、これらに
荷重０．５〜５ｋｇｆ／ｃｍ2を加え、真空中で５７０
〜６１０℃に加熱することにより、ヒートシンク１４中
のＡｌ合金が溶融してヒートシンク１４が第１アルミニ
ウム板１１に積層接着される。なお、第１アルミニウム
板をエッチング法により所定のパターンの回路とし、第
２アルミニウム板にヒートシンクを積層接着してもよ
い。
【００１０】図２は本発明の第２の実施の形態を示す。
図２において図１と同一符号は同一部品を示す。この実
施の形態では、ヒートシンク１４中のＡｌ合金のＡｌ純
度が８０〜９５重量％であり、かつこのヒートシンク１
４が積層接着される第１アルミニウム板３１のＡｌ純度
が９９．９８重量％以上であって、ヒートシンク１４が
第１アルミニウム板３１にヒートシンク１４及び第１ア
ルミニウム板３１より融点が低いＡｌ−Ｓｉ系ろう材
（図示せず）を介して積層接着される。また第２アルミ
ニウム板３２は第１アルミニウム板３１と同一材料によ
り形成され、第１及び第２アルミニウム板３１，３２の
セラミック基板１３への積層接着は上記Ａｌ−Ｓｉ系ろ
う材により行われる。ヒートシンク１４中のＡｌ合金は
８０〜９５重量％のＡｌと２０〜５重量％のＳｉを含
み、このＡｌ合金の溶解温度範囲は５６０〜６００℃で
ある。また第１及び第２アルミニウム板３１，３２は９
９．９８重量％以上のＡｌを含み、融点は６６０℃であ
る。更にＡｌ−Ｓｉ系ろう材は８７〜８４重量％のＡｌ
と１１〜１３．５重量％のＳｉを含み、このろう材の溶
解温度範囲は５３０〜５７０℃である。
図２において図１と同一符号は同一部品を示す。この実
施の形態では、ヒートシンク１４中のＡｌ合金のＡｌ純
度が８０〜９５重量％であり、かつこのヒートシンク１
４が積層接着される第１アルミニウム板３１のＡｌ純度
が９９．９８重量％以上であって、ヒートシンク１４が
第１アルミニウム板３１にヒートシンク１４及び第１ア
ルミニウム板３１より融点が低いＡｌ−Ｓｉ系ろう材
（図示せず）を介して積層接着される。また第２アルミ
ニウム板３２は第１アルミニウム板３１と同一材料によ
り形成され、第１及び第２アルミニウム板３１，３２の
セラミック基板１３への積層接着は上記Ａｌ−Ｓｉ系ろ
う材により行われる。ヒートシンク１４中のＡｌ合金は
８０〜９５重量％のＡｌと２０〜５重量％のＳｉを含
み、このＡｌ合金の溶解温度範囲は５６０〜６００℃で
ある。また第１及び第２アルミニウム板３１，３２は９
９．９８重量％以上のＡｌを含み、融点は６６０℃であ
る。更にＡｌ−Ｓｉ系ろう材は８７〜８４重量％のＡｌ
と１１〜１３．５重量％のＳｉを含み、このろう材の溶
解温度範囲は５３０〜５７０℃である。
【００１１】この回路基板３０を製造するには、先ずヒ
ートシンク１４の上にＡｌ−Ｓｉ系ろう材、第１アルミ
ニウム板３１、Ａｌ−Ｓｉ系ろう材、セラミック基板１
３、Ａｌ−Ｓｉ系ろう材及び第２アルミニウム板３２を
重ねる。次にこれらに荷重０．５〜５ｋｇｆ／ｃｍ2を
加え、真空中で５５０〜５７０℃に加熱する。これによ
りＡｌ−Ｓｉろう材が溶融してヒートシンク１４が第１
アルミニウム板３１に積層接着される。更に第２アルミ
ニウム板３２はエッチング法により所定のパターンの回
路となる。なお、ヒートシンクの上にＡｌ−Ｓｉ系ろう
材、第２アルミニウム板を重ねてもよく、この場合に
は、第１アルミニウム板がエッチング法により所定のパ
ターンの回路となる。
ートシンク１４の上にＡｌ−Ｓｉ系ろう材、第１アルミ
ニウム板３１、Ａｌ−Ｓｉ系ろう材、セラミック基板１
３、Ａｌ−Ｓｉ系ろう材及び第２アルミニウム板３２を
重ねる。次にこれらに荷重０．５〜５ｋｇｆ／ｃｍ2を
加え、真空中で５５０〜５７０℃に加熱する。これによ
りＡｌ−Ｓｉろう材が溶融してヒートシンク１４が第１
アルミニウム板３１に積層接着される。更に第２アルミ
ニウム板３２はエッチング法により所定のパターンの回
路となる。なお、ヒートシンクの上にＡｌ−Ｓｉ系ろう
材、第２アルミニウム板を重ねてもよく、この場合に
は、第１アルミニウム板がエッチング法により所定のパ
ターンの回路となる。
【００１２】図３は本発明の第３の実施の形態を示す。
図３において図１と同一符号は同一部品を示す。この実
施の形態では、ヒートシンク１４が第１アルミニウム板
５１にはんだ５６を介して積層接着される。この場合、
ヒートシンク１４中のＡｌ合金のＡｌ純度は特に限定さ
れないが、第１及び第２アルミニウム板５１，５２のＡ
ｌ純度は９９．９８重量％以上である。またはんだ５６
は５〜６０重量％のＰｂと９５〜４０重量％のＳｎとの
合金である。セラミック基板１３の両面に第１及び第２
アルミニウム板５１，５２を積層接着するには、先ず第
１アルミニウム板５１の上にＡｌ−Ｓｉ系ろう材（図示
せず）、セラミック基板１３、Ａｌ−Ｓｉ系ろう材（図
示せず）及び第２アルミニウム板５２を重ねた状態で、
これらに荷重０．５〜５ｋｇｆ／ｃｍ2を加え、真空中
で６００〜６３０℃に加熱することにより行われる。積
層接着後、第２アルミニウム板５２はエッチング法によ
り所定のパターンの回路となる。
図３において図１と同一符号は同一部品を示す。この実
施の形態では、ヒートシンク１４が第１アルミニウム板
５１にはんだ５６を介して積層接着される。この場合、
ヒートシンク１４中のＡｌ合金のＡｌ純度は特に限定さ
れないが、第１及び第２アルミニウム板５１，５２のＡ
ｌ純度は９９．９８重量％以上である。またはんだ５６
は５〜６０重量％のＰｂと９５〜４０重量％のＳｎとの
合金である。セラミック基板１３の両面に第１及び第２
アルミニウム板５１，５２を積層接着するには、先ず第
１アルミニウム板５１の上にＡｌ−Ｓｉ系ろう材（図示
せず）、セラミック基板１３、Ａｌ−Ｓｉ系ろう材（図
示せず）及び第２アルミニウム板５２を重ねた状態で、
これらに荷重０．５〜５ｋｇｆ／ｃｍ2を加え、真空中
で６００〜６３０℃に加熱することにより行われる。積
層接着後、第２アルミニウム板５２はエッチング法によ
り所定のパターンの回路となる。
【００１３】次に第１アルミニウム板５１及びヒートシ
ンク１４の接着面にそれぞれＮｉめっきを施す。更にヒ
ートシンク１４の上にはんだ５６と第１アルミニウム板
５１を下側にしたセラミック基板１３とを重ねた状態
で、Ｎ2ガス及びＨ2ガスの混合ガス雰囲気中で２２０〜
３５０℃に加熱することにより、ヒートシンク１４が第
１アルミニウム板５１に積層接着される。なお、第１ア
ルミニウム板をエッチング法により所定のパターンの回
路とし、ヒートシンクの上にはんだ箔を介して第１アル
ミニウム板を重ねてもよい。
ンク１４の接着面にそれぞれＮｉめっきを施す。更にヒ
ートシンク１４の上にはんだ５６と第１アルミニウム板
５１を下側にしたセラミック基板１３とを重ねた状態
で、Ｎ2ガス及びＨ2ガスの混合ガス雰囲気中で２２０〜
３５０℃に加熱することにより、ヒートシンク１４が第
１アルミニウム板５１に積層接着される。なお、第１ア
ルミニウム板をエッチング法により所定のパターンの回
路とし、ヒートシンクの上にはんだ箔を介して第１アル
ミニウム板を重ねてもよい。
【００１４】
【実施例】次に本発明の実施例を比較例とともに詳しく
説明する。 ＜実施例１＞ 図１に示すように、縦、横及び厚さがそれぞれ６０ｍ
ｍ、４０ｍｍ及び０．６３５ｍｍのＡｌＮにより形成さ
れたセラミック基板１３と、縦、横及び厚さがそれぞれ
６０ｍｍ、４０ｍｍ及び０．４ｍｍのＡｌ合金により形
成された第１及び第２アルミニウム板１１，１２と、
縦、横及び厚さがそれぞれ８０ｍｍ、６０ｍｍ及び２．
０ｍｍのＡｌＳｉＣ系複合材料により形成されたヒート
シンク１４と、縦、横及び厚さがそれぞれ６０ｍｍ、４
０ｍｍ及び０．０３ｍｍのＡｌ−Ｓｉ系ろう材（図示せ
ず）とを用意した。第１及び第２アルミニウム板１１，
１２のＡｌ純度はともに９９．９９重量％であり、ヒー
トシンク１４中のＡｌ合金は８８重量％Ａｌ−１２重量
％Ｓｉ合金であり、Ａｌ−Ｓｉ系ろう材はＡｌ−７．５
重量％Ｓｉ合金であった。またヒートシンク１４中のＡ
ｌ合金の溶解温度範囲は５６０〜６００℃であった。
説明する。 ＜実施例１＞ 図１に示すように、縦、横及び厚さがそれぞれ６０ｍ
ｍ、４０ｍｍ及び０．６３５ｍｍのＡｌＮにより形成さ
れたセラミック基板１３と、縦、横及び厚さがそれぞれ
６０ｍｍ、４０ｍｍ及び０．４ｍｍのＡｌ合金により形
成された第１及び第２アルミニウム板１１，１２と、
縦、横及び厚さがそれぞれ８０ｍｍ、６０ｍｍ及び２．
０ｍｍのＡｌＳｉＣ系複合材料により形成されたヒート
シンク１４と、縦、横及び厚さがそれぞれ６０ｍｍ、４
０ｍｍ及び０．０３ｍｍのＡｌ−Ｓｉ系ろう材（図示せ
ず）とを用意した。第１及び第２アルミニウム板１１，
１２のＡｌ純度はともに９９．９９重量％であり、ヒー
トシンク１４中のＡｌ合金は８８重量％Ａｌ−１２重量
％Ｓｉ合金であり、Ａｌ−Ｓｉ系ろう材はＡｌ−７．５
重量％Ｓｉ合金であった。またヒートシンク１４中のＡ
ｌ合金の溶解温度範囲は５６０〜６００℃であった。
【００１５】先ず第１アルミニウム板１１の上にＡｌ−
Ｓｉ系ろう材、セラミック基板１３、Ａｌ−Ｓｉ系ろう
材及び第２アルミニウム板１２を重ねた状態で、これら
に荷重２ｋｇｆ／ｃｍ2を加え、真空中で６３０℃に加
熱することにより、セラミック基板１３の両面に第１及
び第２アルミニウム板１１，１２を積層接着した。積層
接着後、第２アルミニウム板１２をエッチング法により
所定のパターンの回路とした。次にヒートシンク１４の
上に第１アルミニウム板１１を下側にしたセラミック板
１３とを重ね、これらに荷重２ｋｇｆ／ｃｍ2を加え、
真空中で５８０℃に加熱してヒートシンク１４を第１ア
ルミニウム板１１に積層接着し、ヒートシンク付セラミ
ック回路基板１０を得た。
Ｓｉ系ろう材、セラミック基板１３、Ａｌ−Ｓｉ系ろう
材及び第２アルミニウム板１２を重ねた状態で、これら
に荷重２ｋｇｆ／ｃｍ2を加え、真空中で６３０℃に加
熱することにより、セラミック基板１３の両面に第１及
び第２アルミニウム板１１，１２を積層接着した。積層
接着後、第２アルミニウム板１２をエッチング法により
所定のパターンの回路とした。次にヒートシンク１４の
上に第１アルミニウム板１１を下側にしたセラミック板
１３とを重ね、これらに荷重２ｋｇｆ／ｃｍ2を加え、
真空中で５８０℃に加熱してヒートシンク１４を第１ア
ルミニウム板１１に積層接着し、ヒートシンク付セラミ
ック回路基板１０を得た。
【００１６】＜比較例１＞ 図４に示すように、実施例１のセラミック基板と同形同
大にかつ同一材料により形成されたセラミック基板３
と、実施例１の第１及び第２アルミニウム板と同形同大
の第１及び第２銅板１，２と、実施例１のヒートシンク
と同形同大にかつＣｕにより形成されたヒートシンク４
と、縦、横及び厚さがそれぞれ５０ｍｍ、３０ｍｍ及び
０．１ｍｍのはんだ６とを用意した。先ず第１銅板１の
上にセラミック基板３及び第２銅板２を重ねた状態で、
これらに荷重０．５ｋｇｆ／ｃｍ2を加え、Ｎ2雰囲気中
で１０６３℃に加熱するＤＢＣ法により、第１及び第２
銅板１，２をセラミック基板３に積層接着した。第２銅
板２をエッチンクにより所定のパターンの回路とした。
次にヒートシンク４の上にはんだ６と第１銅板１を下側
にしたセラミック基板３とを重ねた状態で、Ｎ2ガス及
びＨ2ガスの混合ガス雰囲気中で２５０℃に加熱してヒ
ートシンク４を第１銅板１に積層接着し、このヒートシ
ンク付セラミック回路基板５を比較例１とした。
大にかつ同一材料により形成されたセラミック基板３
と、実施例１の第１及び第２アルミニウム板と同形同大
の第１及び第２銅板１，２と、実施例１のヒートシンク
と同形同大にかつＣｕにより形成されたヒートシンク４
と、縦、横及び厚さがそれぞれ５０ｍｍ、３０ｍｍ及び
０．１ｍｍのはんだ６とを用意した。先ず第１銅板１の
上にセラミック基板３及び第２銅板２を重ねた状態で、
これらに荷重０．５ｋｇｆ／ｃｍ2を加え、Ｎ2雰囲気中
で１０６３℃に加熱するＤＢＣ法により、第１及び第２
銅板１，２をセラミック基板３に積層接着した。第２銅
板２をエッチンクにより所定のパターンの回路とした。
次にヒートシンク４の上にはんだ６と第１銅板１を下側
にしたセラミック基板３とを重ねた状態で、Ｎ2ガス及
びＨ2ガスの混合ガス雰囲気中で２５０℃に加熱してヒ
ートシンク４を第１銅板１に積層接着し、このヒートシ
ンク付セラミック回路基板５を比較例１とした。
【００１７】＜比較例２＞ 図５に示すように、ヒートシンク８をＡｌＳｉＣ系複合
材料により形成し、ヒートシンク７をはんだ６を介して
第１銅板１に積層接着する前にヒートシンク８の接着面
にＮｉめっきを施したことを除いて、比較例１と同様に
構成し、このヒートシンク付セラミック回路基板９を比
較例２とした。
材料により形成し、ヒートシンク７をはんだ６を介して
第１銅板１に積層接着する前にヒートシンク８の接着面
にＮｉめっきを施したことを除いて、比較例１と同様に
構成し、このヒートシンク付セラミック回路基板９を比
較例２とした。
【００１８】＜比較試験及び評価＞ 実施例１、比較例１及び比較例２の回路基板の反り、熱
抵抗及びセラミックスクラックをそれぞれ測定した。 反りの測定 実施例１、比較例１及び比較例２のヒートシンクの下面
の反りを３次元測定器でそれぞれ測定した。このときの
測定長さは５０ｍｍであった。 熱抵抗の測定 実施例１の第２アルミニウム板の上面と、比較例１及び
比較例２の銅板の上面とに、２０ｍｍ×１５ｍｍの発熱
体をシリコーングリースにてそれぞれ接着し、ヒートシ
ンクの下面に放熱器を取付けた。先ずこの状態で発熱体
を３０Ｗで発熱して発熱体と周囲空気との間にて熱抵抗
（温度サイクル直前の熱抵抗）を測定した。次に上記実
施例１、比較例１及び比較例２の回路基板に冷熱衝撃試
験器にて−５５℃〜室温〜１５０℃を１サイクルとして
１０００サイクルの温度サイクルを付加した。更に温度
サイクルを１０００回付加した後に発熱体を３０Ｗで発
熱したときの発熱体と周囲空気との間にて熱抵抗（温度
サイクル１０００回後の熱抵抗）を測定した。
抵抗及びセラミックスクラックをそれぞれ測定した。 反りの測定 実施例１、比較例１及び比較例２のヒートシンクの下面
の反りを３次元測定器でそれぞれ測定した。このときの
測定長さは５０ｍｍであった。 熱抵抗の測定 実施例１の第２アルミニウム板の上面と、比較例１及び
比較例２の銅板の上面とに、２０ｍｍ×１５ｍｍの発熱
体をシリコーングリースにてそれぞれ接着し、ヒートシ
ンクの下面に放熱器を取付けた。先ずこの状態で発熱体
を３０Ｗで発熱して発熱体と周囲空気との間にて熱抵抗
（温度サイクル直前の熱抵抗）を測定した。次に上記実
施例１、比較例１及び比較例２の回路基板に冷熱衝撃試
験器にて−５５℃〜室温〜１５０℃を１サイクルとして
１０００サイクルの温度サイクルを付加した。更に温度
サイクルを１０００回付加した後に発熱体を３０Ｗで発
熱したときの発熱体と周囲空気との間にて熱抵抗（温度
サイクル１０００回後の熱抵抗）を測定した。
【００１９】セラミックスクラックの測定 先ず温度サイクル１０００回後の熱抵抗を測定した実施
例１のセラミック基板上の第１及び第２アルミニウム板
と、比較例１及び比較例２のセラミック基板上の第１及
び第２銅板とをそれぞれエッチンクで除去した。次に実
施例１のセラミック基板のうち除去されたアルミニウム
板全周長さに対するセラミック基板にクラックが生じて
いる部分の長さの割合と、比較例１及び比較例２の除去
された銅板全周長さに対するセラミック基板にクラック
が生じている部分の長さの割合とをそれぞれ測定した。
上記〜の結果を表１に示す。
例１のセラミック基板上の第１及び第２アルミニウム板
と、比較例１及び比較例２のセラミック基板上の第１及
び第２銅板とをそれぞれエッチンクで除去した。次に実
施例１のセラミック基板のうち除去されたアルミニウム
板全周長さに対するセラミック基板にクラックが生じて
いる部分の長さの割合と、比較例１及び比較例２の除去
された銅板全周長さに対するセラミック基板にクラック
が生じている部分の長さの割合とをそれぞれ測定した。
上記〜の結果を表１に示す。
【００２０】
【表１】
【００２１】表１から明らかなように、実施例１及び比
較例２ではヒートシンクの反りが３０μｍと同一であっ
たのに対し、比較例１ではヒートシンクの反りが実施例
１及び比較例２の１．５倍と大きくなっていた。また実
施例１では温度サイクル直前の熱抵抗に対して温度サイ
クル１０００回後の熱抵抗が変化しなかったのに対し、
比較例１では温度サイクル１０００回後の熱抵抗が約７
８％増大し、比較例２では温度サイクル１０００回後の
熱抵抗が約７．７％増大した。更に実施例１ではセラミ
ックスクラックが温度サイクル１０００回後であっても
全く生じなかったのに対し、比較例１及び２ではセラミ
ックスクラックが温度サイクル１０００回後ともに１０
０％となった。即ち比較例１及び比較例２では、セラミ
ック基板のうち除去された銅板全周にわたってクラック
が生じた。
較例２ではヒートシンクの反りが３０μｍと同一であっ
たのに対し、比較例１ではヒートシンクの反りが実施例
１及び比較例２の１．５倍と大きくなっていた。また実
施例１では温度サイクル直前の熱抵抗に対して温度サイ
クル１０００回後の熱抵抗が変化しなかったのに対し、
比較例１では温度サイクル１０００回後の熱抵抗が約７
８％増大し、比較例２では温度サイクル１０００回後の
熱抵抗が約７．７％増大した。更に実施例１ではセラミ
ックスクラックが温度サイクル１０００回後であっても
全く生じなかったのに対し、比較例１及び２ではセラミ
ックスクラックが温度サイクル１０００回後ともに１０
０％となった。即ち比較例１及び比較例２では、セラミ
ック基板のうち除去された銅板全周にわたってクラック
が生じた。
【００２２】
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、セ
ラミック基板の両面にＡｌ−Ｓｉ系ろう材を介して第１
及び第２アルミニウム板をそれぞれ積層接着し、ＡｌＳ
ｉＣ系複合材料により形成されたヒートシンクを第１又
は第２アルミニウム板の表面に積層接着したので、この
回路基板に熱サイクルを付加しても、従来の銅板と比べ
て変形抵抗の小さい第１及び第２アルミニウム板がセラ
ミック基板及びアルミニウム板の熱膨張係数の差による
歪みを弾性変形して吸収する。この結果、セラミック基
板にクラックが発生することはない。またヒートシンク
として熱伝導率の高いＡｌＳｉＣ系複合材料を用いたの
で、放熱特性が向上する。またセラミック基板をＡｌ
Ｎ，Ｓｉ3Ｎ4又はＡｌ2Ｏ3により形成すれば、熱伝導率
及び耐熱性、強度及び耐熱性、又は耐熱性がそれぞれ向
上する。またヒートシンク中のＡｌ合金のＡｌ純度が８
０〜９５重量％でありかつ第１又は第２アルミニウム板
のＡｌ純度が９９．９８重量％以上であって、ヒートシ
ンクを第１又は第２アルミニウム板にヒートシンク中の
Ａｌ合金を介して積層接着すれば、ろう材やはんだを用
いずにヒートシンクを第１又は第２アルミニウム板に積
層接着できるので、製造工数を削減できる。
ラミック基板の両面にＡｌ−Ｓｉ系ろう材を介して第１
及び第２アルミニウム板をそれぞれ積層接着し、ＡｌＳ
ｉＣ系複合材料により形成されたヒートシンクを第１又
は第２アルミニウム板の表面に積層接着したので、この
回路基板に熱サイクルを付加しても、従来の銅板と比べ
て変形抵抗の小さい第１及び第２アルミニウム板がセラ
ミック基板及びアルミニウム板の熱膨張係数の差による
歪みを弾性変形して吸収する。この結果、セラミック基
板にクラックが発生することはない。またヒートシンク
として熱伝導率の高いＡｌＳｉＣ系複合材料を用いたの
で、放熱特性が向上する。またセラミック基板をＡｌ
Ｎ，Ｓｉ3Ｎ4又はＡｌ2Ｏ3により形成すれば、熱伝導率
及び耐熱性、強度及び耐熱性、又は耐熱性がそれぞれ向
上する。またヒートシンク中のＡｌ合金のＡｌ純度が８
０〜９５重量％でありかつ第１又は第２アルミニウム板
のＡｌ純度が９９．９８重量％以上であって、ヒートシ
ンクを第１又は第２アルミニウム板にヒートシンク中の
Ａｌ合金を介して積層接着すれば、ろう材やはんだを用
いずにヒートシンクを第１又は第２アルミニウム板に積
層接着できるので、製造工数を削減できる。
【００２３】またセラミック基板をＡｌＮ，Ｓｉ 3 Ｎ 4 又
はＡｌ 2 Ｏ 3 により形成し、ヒートシンク中のＡｌ合金の
Ａｌ純度が８０〜９５重量％でありかつ第１又は第２ア
ルミニウム板のＡｌ純度が９９．９８重量％以上であっ
て、ヒートシンクを第１又は第２アルミニウム板にヒー
トシンク及び第１又は第２アルミニウム板より融点が低
いＡｌ−Ｓｉ系ろう材を介して積層接着すれば、ヒート
シンク中のＡｌ合金のＡｌ純度が比較的低くても、ヒー
トシンクを第１又は第２アルミニウム板に比較的容易に
積層接着できる。またヒートシンク中のＡｌ合金のＡｌ
純度が比較的低いため、ヒートシンクの変形抵抗がＡｌ
純度の高い場合と比較して大きくなるが、従来の銅板と
比較するとまだ変形抵抗が小さいので、この回路基板に
熱サイクルをかけてもセラミック基板にクラックが発生
することは殆どない。また第１及び第２アルミニウム板
のセラミック基板への積層接着と、ヒートシンクの第１
又は第２アルミニウム板への積層接着を同時に行うこと
ができ、製造工数を低減できるとともに、回路基板の強
度及び耐熱性を向上できる。更にセラミック基板をＳｉ
3 Ｎ 4 により形成し、第１又は第２アルミニウム板のＡｌ
純度が９９．９８重量％以上であって、ヒートシンクを
第１又は第２アルミニウム板にはんだを介して積層接着
すれば、ヒートシンクを第１又は第２アルミニウム板に
比較的低温で容易に積層接着できるとともに、回路基板
の強度及び耐熱性を向上できる。
はＡｌ 2 Ｏ 3 により形成し、ヒートシンク中のＡｌ合金の
Ａｌ純度が８０〜９５重量％でありかつ第１又は第２ア
ルミニウム板のＡｌ純度が９９．９８重量％以上であっ
て、ヒートシンクを第１又は第２アルミニウム板にヒー
トシンク及び第１又は第２アルミニウム板より融点が低
いＡｌ−Ｓｉ系ろう材を介して積層接着すれば、ヒート
シンク中のＡｌ合金のＡｌ純度が比較的低くても、ヒー
トシンクを第１又は第２アルミニウム板に比較的容易に
積層接着できる。またヒートシンク中のＡｌ合金のＡｌ
純度が比較的低いため、ヒートシンクの変形抵抗がＡｌ
純度の高い場合と比較して大きくなるが、従来の銅板と
比較するとまだ変形抵抗が小さいので、この回路基板に
熱サイクルをかけてもセラミック基板にクラックが発生
することは殆どない。また第１及び第２アルミニウム板
のセラミック基板への積層接着と、ヒートシンクの第１
又は第２アルミニウム板への積層接着を同時に行うこと
ができ、製造工数を低減できるとともに、回路基板の強
度及び耐熱性を向上できる。更にセラミック基板をＳｉ
3 Ｎ 4 により形成し、第１又は第２アルミニウム板のＡｌ
純度が９９．９８重量％以上であって、ヒートシンクを
第１又は第２アルミニウム板にはんだを介して積層接着
すれば、ヒートシンクを第１又は第２アルミニウム板に
比較的低温で容易に積層接着できるとともに、回路基板
の強度及び耐熱性を向上できる。
【図１】本発明の第１実施形態及び実施例１のヒートシ
ンク付セラミック回路基板の断面図。
ンク付セラミック回路基板の断面図。
【図２】本発明の第２の実施形態を示す図１に対応する
断面図。
断面図。
【図３】本発明の第３の実施形態を示す図１に対応する
断面図。
断面図。
【図４】比較例１のヒートシンク付セラミック回路基板
を示す図１に対応する断面図。
を示す図１に対応する断面図。
【図５】従来例及び比較例２のヒートシンク付セラミッ
ク回路基板を示す図１に対応する断面図。
ク回路基板を示す図１に対応する断面図。
１０，３０，５０ ヒートシンク付セラミック回路基板 １１，３１，５１ 第１アルミニウム板 １２，３２，５２ 第２アルミニウム板 １３ セラミック基板 １４ ヒートシンク ５６ はんだ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 初鹿 昌文 埼玉県大宮市北袋町１丁目297番地 三 菱マテリアル株式会社総合研究所内 (56)参考文献 特開 平３−125463（ＪＰ，Ａ) 特開 平８−83867（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−163764（ＪＰ，Ａ) 特開 昭64−12559（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−329845（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 23/36 - 23/373 H05K 1/02 H05K 7/20
Claims (3)
- 【請求項１】 セラミック基板(13)と、 前記セラミック基板(13)の両面にＡｌ−Ｓｉ系ろう材を
介してそれぞれ積層接着された第１及び第２アルミニウ
ム板(11,12)と、 ＡｌＳｉＣ系複合材料により形成され前記第１又は第２
アルミニウム板(11,12)の表面に積層接着されたヒート
シンク(14)と を備えたヒートシンク付セラミック回路基
板において、 前記セラミック基板(13)がＡｌＮ，Ｓｉ 3 Ｎ 4 又はＡｌ 2
Ｏ 3 により形成され、 前記 ヒートシンク(14)中のＡｌ合金のＡｌ純度が８０〜
９５重量％でありかつ前記ヒートシンク(14)が積層接着
される第１又は第２アルミニウム板(11,12)のＡｌ純度
が９９．９８重量％以上であって、 前記ヒートシンク(14)が前記第１又は第２アルミニウム
板(11,12)に前記ヒートシンク(14)中のＡｌ合金を介し
て積層接着されたことを特徴とするヒートシンク付セラ
ミック回路基板。 - 【請求項２】 セラミック基板(13)と、 前記セラミック基板(13)の両面にＡｌ−Ｓｉ系ろう材を
介してそれぞれ積層接着された第１及び第２アルミニウ
ム板(31,32)と、 ＡｌＳｉＣ系複合材料により形成され前記第１又は第２
アルミニウム板(31,32)の表面に積層接着されたヒート
シンク(14)と を備えたヒートシンク付セラミック回路基
板において、 前記セラミック基板(13)がＡｌＮ，Ｓｉ 3 Ｎ 4 又はＡｌ 2
Ｏ 3 により形成され、 前記 ヒートシンク(14)中のＡｌ合金のＡｌ純度が８０〜
９５重量％でありかつ前記ヒートシンク(14)が積層接着
される第１又は第２アルミニウム板(31,32)のＡｌ純度
が９９．９８重量％以上であって、 前記ヒートシンク(14)が前記第１又は第２アルミニウム
板(31,32)に前記ヒートシンク(14)及び前記第１又は第
２アルミニウム板(31,32)より融点が低いＡｌ−Ｓｉ系
ろう材を介して積層接着されたことを特徴とするヒート
シンク付セラミック回路基板。 - 【請求項３】 セラミック基板(13)と、 前記セラミック基板(13)の両面にＡｌ−Ｓｉ系ろう材を
介してそれぞれ積層接着された第１及び第２アルミニウ
ム板(51,52)と、 ＡｌＳｉＣ系複合材料により形成され前記第１又は第２
アルミニウム板(51,52)の表面に積層接着されたヒート
シンク(14)と を備えたヒートシンク付セラミック回路基
板において、 前記セラミック基板(13)がＳｉ 3 Ｎ 4 により形成され、 前記 ヒートシンク(14)が積層接着される第１又は第２ア
ルミニウム板(51,52)のＡｌ純度が９９．９８重量％以
上であって、 前記ヒートシンク(14)が前記第１又は第２アルミニウム
板(51,52)にはんだ(56)を介して積層接着されたことを
特徴とするヒートシンク付セラミック回路基板。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22147796A JP3180677B2 (ja) | 1996-08-22 | 1996-08-22 | ヒートシンク付セラミック回路基板 |
| US08/916,258 US6033787A (en) | 1996-08-22 | 1997-08-22 | Ceramic circuit board with heat sink |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22147796A JP3180677B2 (ja) | 1996-08-22 | 1996-08-22 | ヒートシンク付セラミック回路基板 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1065075A JPH1065075A (ja) | 1998-03-06 |
| JP3180677B2 true JP3180677B2 (ja) | 2001-06-25 |
Family
ID=16767332
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22147796A Expired - Lifetime JP3180677B2 (ja) | 1996-08-22 | 1996-08-22 | ヒートシンク付セラミック回路基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3180677B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP3252781A4 (en) * | 2015-01-28 | 2018-10-24 | Mitsubishi Materials Corporation | Resistor device and method for producing resistor device |
Families Citing this family (24)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3468358B2 (ja) | 1998-11-12 | 2003-11-17 | 電気化学工業株式会社 | 炭化珪素質複合体及びその製造方法とそれを用いた放熱部品 |
| JP4487881B2 (ja) * | 1999-03-24 | 2010-06-23 | 三菱マテリアル株式会社 | パワーモジュール用基板の製造方法 |
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