JP4998100B2 - パワーモジュール用基板及びパワーモジュール - Google Patents
パワーモジュール用基板及びパワーモジュール Download PDFInfo
- Publication number
- JP4998100B2 JP4998100B2 JP2007153948A JP2007153948A JP4998100B2 JP 4998100 B2 JP4998100 B2 JP 4998100B2 JP 2007153948 A JP2007153948 A JP 2007153948A JP 2007153948 A JP2007153948 A JP 2007153948A JP 4998100 B2 JP4998100 B2 JP 4998100B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- circuit layer
- power module
- layer
- less
- module substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Landscapes
- Manufacturing Of Printed Circuit Boards (AREA)
- Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
Description
[実施例1]
まず、AlNからなるセラミックス基板1を用意し、この表面に純度99.99%のアルミニウムからなるアルミニウム層2を配置し、Al−10.5%Siの厚み20μmのろう材箔3を間に介在させて接合した。このろう付けは、これらセラミックス基板1、ろう材箔3、アルミニウム層2からなる積層体を積層方向に加圧した状態で、560℃にて90分加熱した後、645℃にて45分間加熱して行った。そしてろう付け後の回路層2aの厚み寸法tが600μmであるパワーモジュール用基板10を得た。
ろう材箔3を、Al−7.5%Siの厚み26μmとした以外は、実施例1と同様にして評価を行った。
[比較例]
従来例として、ろう材箔を、Al−7.5%Siの厚み17μmとした以外は、実施例1と同様にして評価を行った。
2 アルミニウム層
2a 回路層
3 ろう材箔
5a,5b 壁面
6 接合界面
10 パワーモジュール用基板
A 接合界面近傍の回路層側の層
t 回路層の厚み寸法
W1,W2 各回路同士の間隙に形成される壁面の接合界面方向の幅寸法
Claims (3)
- セラミックス基板の表面に、その上に接合したアルミニウム層のエッチングにより回路層を形成してなるパワーモジュール用基板であって、
前記アルミニウム層は、純度99.99%以上のアルミニウムからなる平板状とされており、
前記回路層は、その前記セラミックス基板との接合界面から200μm以内のSiの含有量が0.7wt%以上1.2wt%以下とされていることを特徴とするパワーモジュール用基板。 - 請求項1記載のパワーモジュール用基板であって、
前記回路層の回路間の壁面の傾斜は、前記接合界面方向の幅寸法が54μm以下、または、前記回路層の厚み寸法に対する前記幅寸法の比が0.09以下とされていることを特徴とするパワーモジュール用基板。 - 請求項1または請求項2記載のパワーモジュール用基板の前記回路層の表面に電子部品が搭載されていることを特徴とするパワーモジュール。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007153948A JP4998100B2 (ja) | 2007-06-11 | 2007-06-11 | パワーモジュール用基板及びパワーモジュール |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007153948A JP4998100B2 (ja) | 2007-06-11 | 2007-06-11 | パワーモジュール用基板及びパワーモジュール |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008306106A JP2008306106A (ja) | 2008-12-18 |
JP4998100B2 true JP4998100B2 (ja) | 2012-08-15 |
Family
ID=40234523
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007153948A Active JP4998100B2 (ja) | 2007-06-11 | 2007-06-11 | パワーモジュール用基板及びパワーモジュール |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4998100B2 (ja) |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3152344B2 (ja) * | 1996-08-22 | 2001-04-03 | 三菱マテリアル株式会社 | セラミック回路基板 |
JP3180677B2 (ja) * | 1996-08-22 | 2001-06-25 | 三菱マテリアル株式会社 | ヒートシンク付セラミック回路基板 |
JP2000269615A (ja) * | 1999-03-17 | 2000-09-29 | Denki Kagaku Kogyo Kk | 回路基板 |
JP2001203299A (ja) * | 2000-01-21 | 2001-07-27 | Denki Kagaku Kogyo Kk | アルミニウム板とそれを用いたセラミックス回路基板 |
JP4168114B2 (ja) * | 2001-09-28 | 2008-10-22 | Dowaホールディングス株式会社 | 金属−セラミックス接合体 |
CN100364078C (zh) * | 2002-04-19 | 2008-01-23 | 三菱麻铁里亚尔株式会社 | 电路基板及其制造方法、以及功率模块 |
-
2007
- 2007-06-11 JP JP2007153948A patent/JP4998100B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2008306106A (ja) | 2008-12-18 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR102097177B1 (ko) | 파워 모듈용 기판, 히트싱크가 부착된 파워 모듈용 기판 및 파워 모듈 | |
JP2008010520A (ja) | パワーモジュール用基板及びその製造方法 | |
JP6146242B2 (ja) | パワーモジュール用基板の製造方法 | |
JP5884291B2 (ja) | ヒートシンク付パワーモジュール用基板ユニット | |
JP2008277654A (ja) | ヒートシンク付パワーモジュール用基板及びパワーモジュール | |
JP2008251671A (ja) | 放熱基板およびその製造方法および電子部品モジュール | |
JP2009044065A (ja) | 基板配線用導電性組成物、回路基板及び電子デバイス | |
JP2006303392A (ja) | プリント配線板と電子回路基板及びその製造方法 | |
JP6278516B2 (ja) | パワーモジュール用基板 | |
JP6904094B2 (ja) | 絶縁回路基板の製造方法 | |
JP6183166B2 (ja) | ヒートシンク付パワーモジュール用基板及びその製造方法 | |
JP4998100B2 (ja) | パワーモジュール用基板及びパワーモジュール | |
US20050253258A1 (en) | Solder flow stops for semiconductor die substrates | |
JP6182903B2 (ja) | セラミック回路基板の製造方法 | |
JP2007329160A (ja) | パワー素子搭載用ユニットおよびパワー素子搭載用ユニットの製造方法並びにパワーモジュール | |
JP6124521B2 (ja) | パワーモジュール用基板の製造方法 | |
JP2004307307A (ja) | セラミックス回路基板とその製造方法 | |
JPS61168951A (ja) | 半導体集積回路チツプの実装構造 | |
JP2003197665A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
TWM611216U (zh) | 電子線路總成 | |
KR102039791B1 (ko) | 반도체칩 실장방법 및 반도체칩 패키지 | |
JP6264129B2 (ja) | パワーモジュール用基板及びその製造方法 | |
JP4721929B2 (ja) | 多層回路基板および電子部品モジュール | |
JP6127852B2 (ja) | ヒートシンク付パワーモジュール用基板及びその製造方法 | |
JP2014154571A (ja) | パワーモジュール用基板 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20100330 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20110927 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20111004 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20111128 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120417 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120430 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4998100 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150525 Year of fee payment: 3 |