JP3175581B2

JP3175581B2 - 弾性表面波装置

Info

Publication number: JP3175581B2
Application number: JP05803696A
Authority: JP
Inventors: 克弘筏; 英治家木
Original assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date: 1996-03-14
Filing date: 1996-03-14
Publication date: 2001-06-11
Anticipated expiration: 2016-03-14
Also published as: JPH09252232A

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、複数のＳＡＷフィ
ルタを組み合わせてなる弾性表面波装置に関し、例え
ば、２以上の周波数帯域を有する移動体通信機等に用い
られる弾性表面波装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、移動体通信機の高機能化が進んで
おり、例えば、２つ以上の通信システムを持つマルチバ
ンド対応の携帯電話が検討されている。このような携帯
電話を実現するには、２つ以上の帯域をカバーし得る広
帯域のバンドパスフィルタが必要となる。しかしなが
ら、２つ以上の帯域をカバーし得る、低損失かつ広帯域
のフィルタを単一の素子で実現することは困難であっ
た。

【０００３】そこで、複数のバンドパスフィルタを組み
合わせて１つの部品とすることにより広帯域のバンドパ
スフィルタを構成することが試みられている。例えば、
特開平４−１６０１４号公報には、上記のように複数の
バンドパスフィルタを組み合わせてなる広帯域の弾性表
面波装置が開示されている。この先行技術に開示されて
いる弾性表面波装置の構成を図１を参照して説明する。

【０００４】図１に示す弾性表面波装置１は、複数のＳ
ＡＷフィルタ２，３を出力側で並列接続した構成を有す
る。すなわち、入力端ＩＮ₁及びＩＮ₂にそれぞれＳＡ
Ｗフィルタ２，３が接続されており、ＳＡＷフィルタ
２，３の出力は接続点４において並列接続されている。
ＳＡＷフィルタ２の通過帯域は、ＳＡＷフィルタ３のそ
れに比べて高くされている。

【０００５】また、ＳＡＷフィルタ２と接続点４との間
には、リアクタンス素子としてコンデンサ５が接続され
ている。また、接続点４とアース電位との間に第２のリ
アクタンス素子としてインダクタンス素子６が接続され
ている。

【０００６】携帯電話では、送信と受信とが異なる周波
数で行われている。弾性表面波装置１では、上記携帯電
話における送信側バンドパスフィルタ及び受信側バンド
パスフィルタを、ＳＡＷフィルタ２，３を組み合わせる
ことにより単一の部品で構成することが可能とされてい
る。

【０００７】なお、弾性表面波装置１では、一方のＳＡ
Ｗフィルタ２と接続点４との間にコンデンサ５のような
リアクタンス素子を挿入することにより挿入損失の低減
が図られている。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】弾性表面波装置１にお
いては、上記のように異なる通過帯域周波数特性を有す
るＳＡＷフィルタ２，３が用いられているが、この場
合、ＳＡＷフィルタ２，３として、必ずしも最適なイン
ピーダンス特性を有するものを用意することができない
ことがある。

【０００９】他方、リアクタンス素子としてのコンデン
サ５を接続した側のＳＡＷフィルタ２のＳＡＷフィルタ
３の通過帯域におけるインピーダンスが低い場合には、
上記挿入損失の低減を図るには、コンデンサ５のインピ
ーダンスを高める必要があった。ところが、リアクタン
ス素子のインピーダンスを高めた場合には、リアクタン
ス素子を挿入した側のＳＡＷフィルタ２の通過帯域のイ
ンピーダンスも高くなり、その結果、通過帯域内におけ
るＶＳＷＲの劣化に伴い、ＳＡＷフィルタ２側における
挿入損失が劣化するという問題があった。

【００１０】そこで、上記先行技術においては、通過帯
域内のＶＳＷＲの劣化を補うために、第２のリアクタン
ス素子として、インダクタンス素子６が接続点４とアー
ス電位との間に接続されている。しかしながら、この場
合には、逆に、インダクタンス素子６の影響により、Ｓ
ＡＷフィルタ３の通過帯域内ＶＳＷＲが劣化することに
なる。そのため、インダクタンス素子６を接続した構成
においては、ＳＡＷフィルタ３においても、ＳＡＷフィ
ルタ２側と同様に、インピーダンス整合用リアクタンス
素子をさらに接続する必要がある。その結果、インピー
ダンス整合用素子数が増大し、回路構成が複雑になると
いう欠点があった。

【００１１】本発明は、上述した先行技術の欠点に鑑み
成されたものであり、使用するＳＡＷフィルタのインピ
ーダンス特性の制約が少なく、比較的少ない部品点数及
び比較的簡単な回路構成で実現することができ、挿入損
失の劣化を抑制することができ、かつ通過帯域内ＶＳＷ
Ｒの低減を図り得る、複数の通過帯域特性を有する弾性
表面波装置を提供することを目的とする。

【００１２】

【課題を解決するための手段】本発明の広い局面によれ
ば、複数のＳＡＷフィルタを接続してなる弾性表面波装
置であって、上記課題を達成するものとして、通過帯域
が相対的に高い周波数領域にある第１のＳＡＷフィルタ
と、通過帯域が相対的に低い周波数領域にあり、かつ上
記第１のＳＡＷフィルタに入力端または出力端側の接続
点において並列接続されている第２のＳＡＷフィルタ
と、第１のＳＡＷフィルタと上記接続点との間に接続さ
れており、かつ弾性表面波装置の終端インピーダンスの
１／４以上のインピーダンスを有するコンデンサ素子
と、前記コンデンサ素子と第１のＳＡＷフィルタとの間
に接続されており、かつその***振周波数が第１のＳＡ
Ｗフィルタの通過帯域よりも高周波数側となるように構
成されている一端子対ＳＡＷ共振子とを備える弾性表面
波装置が提供される。

【００１３】また、本発明の特定的な局面によれば、上
記第１のＳＡＷフィルタは、圧電基板と、圧電基板上に
形成された奇数個のインターデジタルトランスデューサ
（以下、ＩＤＴと略す。）と、前記奇数個のＩＤＴが形
成されている領域の両側に形成された一対の反射器とを
有する多電極型縦結合ＳＡＷ共振子フィルタで構成され
ており、かつ上記一対の反射器に隣接している一対のＩ
ＤＴを含む複数のＩＤＴに上記一端子対ＳＡＷ共振子が
直列接続されている弾性表面波装置が提供される。

【００１４】また、本発明のさらに別の特定的な局面に
よれば、上記第１，第２のＳＡＷフィルタは、それぞ
れ、圧電基板を用いて構成されており、上記コンデンサ
素子が第１及び第２のＳＡＷフィルタの圧電基板のうち
一方の圧電基板上に構成される。

【００１５】なお、本発明において、圧電基板として
は、圧電単結晶、圧電セラミックスあるいは絶縁性もし
くは圧電性基板上に圧電薄膜を形成したもの等が適宜用
いられる。

【００１６】また、本発明のより限定的な局面によれ
ば、上記第１，第２のＳＡＷフィルタは同一の圧電基板
を用いて構成される。さらに、本発明の別の特定的な局
面によれば、上記圧電基板としては、３６°Ｙ−ＸＬ
ｉＴａＯ₃基板が用いられ、上記第１のＳＡＷフィルタ
の通過帯域の中心周波数をｆ₀₁、第２のＳＡＷフィルタ
の中心周波数をｆ₀₂とした場合に、

【００１７】

【数２】

【００１８】の関係を満たすように構成されている弾性
表面波装置が提供される。

【００１９】

【発明の実施の形態】本発明の弾性表面波装置の構造を
説明するに先立ち、本願出願人が先に出願しており、か
つ本発明に関連するが未だ公知ではない弾性表面波装置
を図２を参照して説明する。

【００２０】図２に示す弾性表面波装置１１は、通過帯
域周波数が相対的に高い第１のバンドパスフィルタ１２
と、通過帯域周波数が相対的に低い第２のバンドパスフ
ィルタ１３とを出力側で並列接続した構成を有する。す
なわち、入力端ＩＮ₁及びＩＮ₂に、それぞれ、第１，
第２のバンドパスフィルタ１２，１３が接続されてお
り、バンドパスフィルタ１２，１３の出力が接続点１４
において並列接続されている。

【００２１】さらに、通過帯域周波数が相対的に低い第
２のバンドパスフィルタ１３の出力端と接続点１４との
間に、***振周波数が第１のバンドパスフィルタ１２の
通過帯域内に、または第１，第２のバンドパスフィルタ
１２，１３の通過帯域間に位置している少なくとも１個
の一端子対ＳＡＷ共振子１５が直列に接続されている。
また、第１のバンドパスフィルタ１２と接続点１４との
間には、伝送線路１６からなるインピーダンス整合用素
子が接続されている。

【００２２】なお、第１，第２のバンドパスフィルタ１
２，１３は、少なくとも第２のバンドパスフィルタ１３
がＳＡＷフィルタにより構成されている。弾性表面波装
置１１では、通過帯域周波数が相対的に低い上記第２の
バンドパスフィルタ１３に一端子対ＳＡＷ共振子１５を
接続することにより、バンドパスフィルタ１３の高周波
数域における減衰量の拡大と共に、該バンドパスフィル
タ１３側におけるインピーダンス整合用外部回路の簡略
化が果たされる。

【００２３】しかしながら、相対的に通過帯域周波数が
高い第１のバンドパスフィルタ１２に伝送線路１６を接
続しているため、所望の線路長の伝送線路を形成する
と、バンドパスフィルタ１２、ひいては弾性表面波装置
１１の全体の寸法が大きくなってしまうという問題があ
った。

【００２４】また、小型化及び高機能化を図るために、
弾性表面波装置１１を弾性表面波装置用パッケージに内
蔵する場合には、所望の特性インピーダンスを得るため
には伝送線路１６の幅を極端に細くする必要がある。そ
の結果、伝送線路１６の抵抗損により、挿入損失が劣化
するおそれがある。さらに、上記のようにパッケージに
内蔵した場合には、パッケージの面積や高さが大きくな
り、加えてコストの上昇をもたらすおそれもあった。

【００２５】また、バンドパスフィルタ１２，１３の通
過帯域周波数の差が比較的小さい場合には、相対的に周
波数の高い第１のバンドパスフィルタ１２における相手
側すなわち第２のバンドパスフィルタ１３の通過帯域内
におけるインピーダンスが低くなり、伝送線路１６の代
わりに一端子対ＳＡＷ共振子を用いたとしても該インピ
ーダンスは十分に高くならず、相手側すなわちＳＡＷフ
ィルタ１３の挿入損失の劣化を抑制することができない
という問題もあった。

【００２６】すなわち、本願発明者らは、一端子対ＳＡ
Ｗ共振子１５を用いた弾性表面波装置１１において、上
述のような問題があることに鑑み、さらに検討した結
果、上述した本発明に係る弾性表面波装置を創案するに
至った。

【００２７】次に、本発明の弾性表面波装置の構成を図
面を参照しつつ説明する。図３は、本発明の弾性表面波
装置の一実施形態を説明するための回路図である。

【００２８】弾性表面波装置２１は、通過帯域が異なる
第１のＳＡＷフィルタ２２と第２のＳＡＷフィルタ２３
とを出力側で並列接続した構成を有する。すなわち、入
力端ＩＮ₁に相対的に通過帯域が高周波数領域にある第
１のＳＡＷフィルタ２２が接続されており、入力端ＩＮ
₂に相対的に通過帯域が低周波数領域にある第２のＳＡ
Ｗフィルタ２３が接続されている。

【００２９】第１のＳＡＷフィルタ２２の通過帯域は、
８６０〜８８５ＭＨｚ、第２のＳＡＷフィルタ２３の通
過帯域は８１０〜８２６ＭＨｚである。第１，第２のＳ
ＡＷフィルタ２２，２３の出力は、接続点２４において
接続されている。

【００３０】さらに、第１のＳＡＷフィルタ２２と接続
点２４との間には、コンデンサ２５と、一端子対ＳＡＷ
共振子２６とが接続されている。コンデンサ２５は、弾
性表面波装置２１の終端インピーダンスの１／４以上の
インピーダンスを有するように構成されている。また、
上記一端子対ＳＡＷ共振子２６は、コンデンサ２５と第
１のＳＡＷフィルタ２２との間に接続されており、かつ
その***振周波数が第１のＳＡＷフィルタ２２の通過帯
域よりも高周波数側となるように構成されている。

【００３１】なお、本実施形態では、リアクタンス素子
としてインダクタンス素子２７が、接続点２４とアース
電位との間に接続されている。このインダクタンス素子
はパッケージ外で接続されている。すなわち、参照番号
２８で示す破線で囲まれた部分が１つのパッケージに内
蔵されている。

【００３２】弾性表面波フィルタ装置２１では、上記の
ように構成されているため、第１のＳＡＷフィルタ２２
側において、第２のＳＡＷフィルタ２３の通過帯域にお
けるインピーダンスを高める必要がある場合、コンデン
サ２５だけでなく該コンデンサ２５と第１のＳＡＷフィ
ルタ２２との間に上記一端子対ＳＡＷ共振子２６が接続
されているため、第１のＳＡＷフィルタ２２側の挿入損
失の増大及び通過帯域内におけるＶＳＷＲの劣化を抑制
することができる。しかも、第２のＳＡＷフィルタ２３
の挿入損失の劣化を抑制することもできる。

【００３３】加えて、第１のＳＡＷフィルタ２２の挿入
損失の増大を抑制し、該第１のＳＡＷフィルタ２２の通
過帯域よりも高周波数側における減衰量を大きくするこ
とができる。

【００３４】弾性表面波フィルタ装置２１の作用効果
を、具体的な実験例に基づき説明する。第１，第２のＳ
ＡＷフィルタ２２，２３として、図４〜図７に示す特性
のものを用いた。

【００３５】図４は、通過帯域の中心周波数が８７２．
５ＭＨｚである第１のＳＡＷフィルタ２２の減衰量周波
数特性を示す図である。図４においてＢで示す特性は、
縦軸の減衰量を縦軸の右側に示した拡大スケールに従っ
て実線Ａで示した特性を拡大したものである。

【００３６】また、図５（ａ）及び（ｂ）は、それぞ
れ、第１のＳＡＷフィルタ２２の入力端子及び出力端子
のインピーダンススミスチャートを示す。また、図６
は、通過帯域の中心周波数が８１８ＭＨｚである第２の
ＳＡＷフィルタ２３の減衰量周波数特性を示し、実線Ｄ
で示す特性は、縦軸の減衰量を縦軸の右側に示した拡大
スケールに従って実線Ｃで示す特性を拡大したものであ
る。また、図７（ａ）及び（ｃ）は、第２のＳＡＷフィ
ルタ２３の入力側及び出力側端子のインピーダンススミ
スチャートを示す図である。

【００３７】図８（ａ）は、３．５ｐＦのコンデンサ２
５を第１のＳＡＷフィルタ２２に直列接続した場合の出
力側からみたインピーダンススミスチャートである。図
５（ｂ）と、図８（ａ）とを比較すれば明らかなよう
に、図８（ａ）においては、コンデンサが接続されたこ
とにより、８１８ＭＨｚにおけるインピーダンスが高め
られている。同時に、通過帯域付近におけるインピーダ
ンスが５０Ω純抵抗から容量性へと大きくずれている。

【００３８】図９は、第１のＳＡＷフィルタ２２の出力
側に上記一端子対ＳＡＷ共振子２６を直列接続した場合
の通過帯域内外の減衰量周波数特性を示し、図１０
（ａ），（ｂ）は、その場合の入力側及び出力側のイン
ピーダンススミスチャートである。なお、図９におい
て、実線Ｆで示す曲線は、実線Ｅで示す特性を、縦軸の
右側に示す拡大スケールに従って拡大したものである。
この場合、一端子対ＳＡＷ共振子としては、電極指の対
数＝１３０対、電極指交差幅＝６０μｍ及び電極指間ピ
ッチ＝２．２μｍのＩＤＴを３６°Ｙ−ＸＬｉＴａＯ
₃からなる圧電基板上に形成したものを用いた。

【００３９】図５（ｂ）と、図１０（ｂ）とを比較する
と、図１０（ｂ）では、一端子対ＳＡＷ共振子２６によ
り、８１８ＭＨｚにおけるインピーダンスが高められて
いることがわかる。また、図１０（ａ）を図５（ａ）と
比較すると、図１０（ａ）では、第１のＳＡＷフィルタ
２２の通過帯域における挿入損失の劣化が抑制されてお
り、通過帯域よりも高周波数側における減衰量が高めら
れていることがわかる。

【００４０】図８（ｂ）は、本実施形態の弾性表面波装
置２１の並列接続端子側、すなわち接続点２４から第
１，第２のＳＡＷフィルタ２２，２３をみた場合のイン
ピーダンススミスチャートを示す。図８（ｂ）を、図８
（ａ）と比較すると、図８（ｂ）に示す特性では、８１
８ＭＨｚにおいて８ｐＦの容量をもつコンデンサで同等
のインピーダンスが得られていることがわかる。この場
合、通過帯域付近においては、５０Ω純抵抗から容量性
へのインピーダンスのずれは小さく抑えられている。

【００４１】比較のために、図１に示した弾性表面波装
置１を、上記と同様の第１，第２のＳＡＷフィルタを用
いて構成した。すなわち、弾性表面波装置１において、
ＳＡＷフィルタ２，３として、上記第１，第２のＳＡＷ
フィルタ２２，２３と同等のものを用い、コンデンサ５
として、８１８ＭＨｚにおけるインピーダンスが３．５
ｐＦであるコンデンサを用い、インピーダンス整合用イ
ンダクタンス素子６として７．５ｎＨのものを用いた。
上記のようにして構成した弾性表面波装置１の第１のＳ
ＡＷフィルタ２側の減衰量周波数特性を図１１に示す。
なお、図１１において、実線Ｈは、実線Ｇで示した特性
を、減衰量を縦軸の右側に示したスケールに拡大して示
した特性である。また、破線Ｉは、ＶＳＷＲ−周波数特
性を示す。

【００４２】また、上記弾性表面波装置１における第１
のＳＡＷフィルタ２の入力側及び出力側のインピーダン
ススミスチャートを図１２（ａ）及び（ｂ）に示す。ま
た、第２のＳＡＷフィルタ３の入力側は５０Ωで終端さ
れている。

【００４３】これに対して、図１３は、図３に示したよ
うに、本実施形態に係る弾性表面波フィルタ装置２１を
構成した場合の第１のＳＡＷフィルタ２２側における減
衰量周波数特性を示す図である。図１３において、実線
Ｋは、実線Ｊで示した特性を縦軸の右側に示すスケール
で拡大して示した特性であり、破線ＬはＶＳＷＲ−周波
数特性を示す図である。また、図１４（ａ）及び（ｂ）
は、第１のＳＡＷフィルタ２２側における入力側及び並
列接続点２４側のインピーダンススミスチャートを示す
図である。

【００４４】本実施形態では、並列接続点２４とアース
点との間に、７．５ｎＨのインピーダンス整合用インダ
クタンス素子２７を挿入した。また、第２のＳＡＷフィ
ルタ２３の入力側は５０Ωで終端されている。

【００４５】図１１を図１３と比較すれば、図１３で
は、コンデンサの挿入による損失の増大が抑制されてい
ることがわかる。例えば、減衰量が３．１ｄＢの通過帯
域幅、いわゆる３．１ｄＢ帯域幅は、図１１では３２．
５ＭＨｚであったのに対し、図１３では３３．３ＭＨｚ
と拡げられていた。また、同時に、ＶＳＲＷについて
も、図１１では８６０〜８８５ＭＨｚでの最大値が１．
７５であったのに対し、図１３では１．３と小さくなっ
ていることがわかる。さらに、通過帯域よりも高周波数
側の周波数領域における減衰量が大きくなっていること
もわかる。

【００４６】図１５は、上記実施形態における第２のＳ
ＡＷフィルタ２３における減衰量周波数特性を示す図で
ある。図１５において、実線Ｎは、実線Ｍで示す特性を
縦軸の減衰量を縦軸の右側で示すスケールで拡大したも
のであり、破線ＯはＶＳＷＲ−周波数特性を示す。ま
た、図１６（ａ）及び（ｂ）は、第２のＳＡＷフィルタ
２３の入力側及び並列接続点２４側のインピーダンスス
ミスチャートを示す図である。また、並列接続点２４と
アース電位との間には７．５ｎＨのインピーダンス整合
用インダクタンス素子２７が用いられている。また、第
１のＳＡＷフィルタ２２の入力側は５０Ωで終端されて
いる。図１５を、図６と比較すれば明らかなように、第
２のＳＡＷフィルタ２３側における挿入損失の劣化を抑
制し得ることがわかる。

【００４７】なお、図１７は、本発明とは異なり、上記
第１のＳＡＷフィルタ２２と第２のＳＡＷフィルタ２３
とを直接に並列接続した構成の第２のＳＡＷフィルタ２
３の減衰量周波数特性を示す。図１７において、実線Ｑ
は実線Ｐで示した特性を縦軸の減衰量を縦軸の右側に示
すスケールで拡大して示したものであり、破線ＲはＶＳ
ＷＲ−周波数特性を示す。また、図１８（ａ）及び
（ｂ）は、この場合の入力側及び出力側のインピーダン
ススミスチャートを示す図である。図１７から明らかな
ように、この場合、挿入損失が増大していることがわか
る。

【００４８】図１９は、本発明の第２の実施形態に係る
弾性表面波フィルタ装置の模式的平面図である。図１９
において、３６°Ｙ−ＸＬｉＴａＯ₃からなる圧電基
板３１上に、第１のＳＡＷフィルタとして多電極型縦結
合ＳＡＷ共振子フィルタ３２が構成されている。すなわ
ち、ＳＡＷ共振子フィルタ３２は、３個のＩＤＴ３３〜
３５を有する。ＩＤＴ３３〜３５は、表面波伝搬方向に
沿って交互に入力側ＩＤＴまたは出力側ＩＤＴとされて
いる。各ＩＤＴ３３，３４，３５は互いに間挿し合う電
極指を有する一対のくし歯電極により構成されている。
ＩＤＴ３３〜３５が設けられている領域の表面波伝搬方
向外側には、反射器３６，３７が配置されている。

【００４９】ＩＤＴ３３〜３５のうち、外側のＩＤＴ３
３，３５の一方のくし歯電極が接地されており、他方の
くし歯電極が出力側端子とされている。また、中央のＩ
ＤＴ３４の一方のくし歯電極が接地されており、他方の
くし歯電極が入力端ＩＮ₁に接続されている。

【００５０】上記ＳＡＷ共振子フィルタ３２の減衰量周
波数特性の一例を図２０に示す。図２０において、実線
Ｔは、実線Ｓで示した特性の要部を縦軸の減衰量を縦軸
の右側に示したスケールで拡大して示した特性である。
また、このＳＡＷ共振子フィルタ３２のインピーダンス
スミスチャートを図２１（ａ）及び（ｂ）に示す。図２
１（ａ）は中央のＩＤＴ３４の入力端ＩＮ₁に接続され
る端子における特性を、図２１（ｂ）は外側のＩＤＴ３
３，３５の出力側端子における特性である。

【００５１】ＳＡＷ共振子フィルタ３２の出力側には、
一端子対ＳＡＷ共振子３８が設けられている。一端子対
ＳＡＷ共振子３８は、その***振周波数が、ＳＡＷ共振
子フィルタ３２の通過帯域よりも高周波数側となるよう
にＩＤＴ３３，３５の出力端子を構成しているくし歯電
極に直列に接続されている。

【００５２】上記一端子対ＳＡＷ共振子３８をＳＡＷ共
振子フィルタ３２に直列接続してなる構成の減衰量周波
数特性は、図９に示した特性と一致するように構成され
ており、かつインピーダンススミスチャートは、図１０
（ａ）及び（ｂ）に示した特性と一致するように構成さ
れている。

【００５３】上記一端子対ＳＡＷ共振子３８と接続点３
９との間にコンデンサ４０が直列に挿入されている。Ｓ
ＡＷフィルタ３２に一端子対ＳＡＷ共振子３８及びコン
デンサ４０を直列接続した構成の総合のインピーダンス
スミスチャートは、図８（ｂ）に示した特性と一致する
ように構成されている。ここでは、コンデンサ４０の静
電容量は８ｐＦとした。従って、図８（ｂ）から明らか
なように、図５（ｂ）の場合に比べて、８１８ＭＨｚに
おけるインピーダンスが高められている。

【００５４】本実施形態においても、接続点３９とアー
ス電位との間にインダクタンス素子４１が接続されてい
る。このインダクタンス４１は、第１の実施形態の場合
のインダクタンス２７と同様に構成されている。また、
第２のＳＡＷフィルタ４２が、入力端ＩＮ₂に接続され
ており、該第２のＳＡＷフィルタ４２は出力側において
ＳＡＷフィルタ３２と並列接続されている。すなわち、
ＳＡＷフィルタ４２の出力側は上記接続点３９に接続さ
れている。

【００５５】ＳＡＷフィルタ４２は、３個のＩＤＴ４３
〜４５を有し、ＩＤＴ４３〜４５が設けられている領域
の外側に反射器４６，４７が配置されている。本実施形
態の弾性表面波フィルタ装置３１は、上記のように構成
されているため、第１の実施形態に係る弾性表面波フィ
ルタ装置と同様の作用効果を発揮する。加えて、ＳＡＷ
フィルタ３２が多電極型縦結合ＳＡＷ共振子フィルタで
構成さており、かつ一端子対ＳＡＷ共振子３８に直列に
接続されている。この構成による効果を、以下において
説明する。

【００５６】図２０は、上記構成とは逆に、一端子対Ｓ
ＡＷ共振子３８を中央のＩＤＴ３４の一方のくし歯電極
に直列接続し、しかる後１５ｐＦの容量のコンデンサを
接続した場合のＳＡＷフィルタ３２側の減衰量周波数特
性である。図２１（ａ）及び（ｂ）は、この場合の入力
側及び出力側のインピーダンススミスチャートである。
図２１（ｂ）から明らかなように、８１８ＭＨｚにおけ
るインピーダンスは、図８（ｂ）に示した８１８ＭＨｚ
におけるインピーダンスとほぼ一致している。

【００５７】さらに、図２０に示した特性を得た構成に
第２のＳＡＷフィルタ４２を並列接続した場合のＳＡＷ
フィルタ３２側の減衰量周波数特性を図２２に示す。図
２２において、実線Ｖは実線Ｕで示す特性を減衰量を縦
軸の右側に示すスケールで拡大して示した特性であり、
破線Ｗは通過帯域内ＶＳＷＲを示す。

【００５８】また、この場合のインピーダンススミスチ
ャートは、図２３（ａ），（ｂ）に示す通りとなる。こ
こでは、並列接続点とアース電位との間に７．５ｎＨの
インピーダンス整合用インダクタンス素子４１が用いら
れている。また、第２のＳＡＷフィルタ４２の入力側は
５０Ωで終端されている。

【００５９】図２２と、図１３とを比較すれば、図１３
では挿入損失の増大が抑制されており、例えば、３．１
ｄＢ帯域幅は図２２では３０．５ＭＨｚであったのに対
し、図１３では３３．３ＭＨｚと拡げられる。同様に、
ＶＳＷＲの劣化も極力抑制されることがわかる。

【００６０】これは、一端子対ＳＡＷ共振子３８の８６
０〜８８０ＭＨｚにおけるインピーダンスと、第１のＳ
ＡＷフィルタ３２の外側のＩＤＴの出力側端子の８６０
ＭＨｚ〜８８５ＭＨｚのインピーダンスとの合成によ
り、ＶＳＷＲが低減されるためである。

【００６１】なお、本実施形態では、３６°Ｙ−ＸＬ
ｉＴａＯ₃からなるものを用いていたが、これに限定さ
れる必要はなく、ＬｉＮｂＯ₃などの他の圧電単結晶ま
たはチタン酸ジルコン酸鉛系圧電セラミックスのような
圧電セラミックス、あるいは絶縁性基板や圧電性基板上
に圧電薄膜を形成してなる適宜の圧電基板を用いること
ができる。

【００６２】次に、本発明の弾性表面波装置の具体的な
構造の他の例を説明する。図２４は、本発明の弾性表面
波装置の具体的な構造の一例を説明するための略図的平
面図であり、第１のＳＡＷフィルタ、一端子対ＳＡＷ共
振子及びコンデンサが同一基板上に構成されている例を
示す。

【００６３】１枚の圧電基板５２上に多電極型ＳＡＷ共
振子フィルタ５３が第１のＳＡＷフィルタとして構成さ
れている。すなわち、ＳＡＷ共振子フィルタ５３では、
３個のＩＤＴ５４〜５６が表面波伝搬方向に沿って形成
されている。ＩＤＴ５４〜５６は、交互に入力側ＩＤＴ
または出力側ＩＤＴとされている。外側のＩＤＴ５４，
５６の一方のくし歯電極が接地されており、他方のくし
歯電極が接続点５７により共通接続されている。また、
ＩＤＴ５５の一方のくし歯電極が接地されており、他方
のくし歯電極が入力用引き出し電極５８に電気的に接続
されている。

【００６４】図２４において、５９ａ，５９ｂ，５９ｃ
は、それぞれ、接地電位に接続するための引き出し電極
である。ＩＤＴ５４〜５６が設けられている領域の表面
波伝搬方向両側には、反射器６０，６１が設けられてい
る。また、接続点５７には、一端子対ＳＡＷ共振子６２
が接続されている。また、一端子対ＳＡＷ共振子６２
に、コンデンサ６３が接続されている。

【００６５】コンデンサ６３は、図２４では一対のくし
歯電極により構成されている。コンデンサ６３の他方の
くし歯電極は、接続電極６４に接続されている。この接
続電極６４は、本発明における第１のＳＡＷフィルタと
第２のＳＡＷフィルタとの接続点を構成する。すなわ
ち、第２のＳＡＷフィルタについては、図２４では図示
されていないが、上記接続電極６４に第２のＳＡＷフィ
ルタの出力側が接続される。図２４では、コンデンサ６
３は、第１のＳＡＷフィルタとしてのＳＡＷ共振子フィ
ルタ５３と同一基板上に形成されていたが、コンデンサ
６３は第２のＳＡＷフィルタを構成するための圧電基板
上に構成されていてもよい。

【００６６】図２５は、図２４に示した圧電基板５２を
組み込んでなる弾性表面波装置を説明するための断面図
である。図２５では、パッケージ内に本発明の弾性表面
波装置が内蔵される。

【００６７】すなわち、弾性表面波装置７１では、上方
に開口を有するパッケージ本体７２の上方開口が封止材
７３で封止されている。パッケージ本体７２は、アルミ
ナなどの絶縁性セラミックスあるいは合成樹脂等の適宜
の材料により構成することができる。図２５では、パッ
ケージ本体７２は、ベースプレート７２ａ上に、開口を
有する枠状のパッケージ材７２ｂ，７２ｃを積層し、か
つ貼り合わせた構造を有する。パッケージ本体７２の開
口内において、ベースプレート７２ａ上に、第１のＳＡ
Ｗフィルタと一端子対ＳＡＷ共振子とコンデンサとを同
一面上に備えた圧電基板５２と、第２のＳＡＷフィルタ
が構成されている圧電基板７５とが接着剤等により固定
されている。

【００６８】上記圧電基板５２，７５上のＳＡＷフィル
タの電極端子は、金属からなるワイヤー７６，７７など
により引き出され、パッケージ本体７２に形成されてい
る引き出し電極に電気的に接続されている。また、封止
材７３は、セラミックスや金属などにより構成すること
ができる。この場合、封止材７３の下面に、圧電基板５
２，７５上に構成されたＳＡＷフィルタが引き出される
引き出し電極を適宜形成してもよい。

【００６９】図２５に示すように、パッケージ本体７２
と封止材７３とからなるパッケージ内に、本発明の弾性
表面波装置を内蔵することができ、従って単一の部品と
して前述した作用効果を発揮し得る複数の通過帯域を有
するバンドパスフィルタを構成することができる。

【００７０】図２４に示した弾性表面波素子５１では、
コンデンサ６３が圧電基板５２の表面に形成されている
ため、コンデンサ６３の容量値の変更を容易に行うこと
ができる。すなわち、くし歯電極の電極指の数や交差幅
を変更することにより、静電容量を容易に変更すること
ができる。従って、図２５に示したように、コンデンサ
が表面に形成されている圧電基板５２をパッケージ内に
挿入する構造に適用した場合、コンデンサの容量値の変
更に伴ってパッケージの寸法を変更する必要がない。す
なわち、パッケージの共通化を図り得るため、パッケー
ジコストの低減を図ることができる。

【００７１】加えて、従来、２つの通過帯域を有する第
１，第２のＳＡＷフィルタを１つの弾性表面波装置とし
てパッケージ化した場合、２つのＳＡＷフィルタの入出
力電極の全て、すなわち４つの電極をパッケージ内に形
成する必要があった。これに対して、図２４に示したコ
ンデンサ６３を第１のＳＡＷフィルタと同一の圧電基板
５２上に形成した場合には、一方のＳＡＷフィルタ側に
おいて出力電極の数を３個とすることができ、従ってパ
ッケージの更なる小型化を図り得る。あるいは、逆に、
接地用の電極を増加させることができるため、アースを
強化することにより、ＳＡＷフィルタの直達波による減
衰量の劣化を抑制することができる。

【００７２】図２６は、図２４に示した弾性表面波素子
５１を発展させて、第２のＳＡＷフィルタについても同
一の圧電基板上に構成した例を示す略図的平面図であ
る。図２６において、図２４に示した弾性表面波素子５
１と同一の部分については、同一の参照番号を付する。

【００７３】図２６を参照して、圧電基板８０上におい
て、接続電極６４に、第２のＳＡＷフィルタ８１が接続
されている。第２のＳＡＷフィルタ８１は、圧電基板８
０上に、すなわち第１のＳＡＷフィルタとしてのＳＡＷ
共振子フィルタ５３と同一基板上に形成されている。

【００７４】第２のＳＡＷフィルタ８１は、３個のＩＤ
Ｔ８２〜８４を有する。ＩＤＴ８２〜８４の設けられて
いる領域の表面波伝搬方向両側には、反射器８５，８６
が形成されている。第２のＳＡＷフィルタ８１の中央の
ＩＤＴ８３の一方のくし歯電極が上述した接続電極６４
に接続されており、他方のくし歯電極が接地用引き出し
電極８７ａに接続されている。また、外側のＩＤＴ８
２，８４の一方のくし歯電極は、入力用引き出し電極８
７ｂに接続されており、他方のくし歯電極は接地用引き
出し電極８７ｃ，８７ｄに接続されている。

【００７５】図２６に示した例では、圧電基板８０上
に、第１，第２のＳＡＷフィルタ、コンデンサ及び一端
子対ＳＡＷ共振子の全てが構成されている。従って、図
２７に断面図で示すように、パッケージ本体７２内に弾
性表面波装置を容易に組み込むことができ、従ってパッ
ケージ化に際しての作業効率を高め得る。

【００７６】また、２個のＳＡＷフィルタを１つの圧電
基板８０上に構成したため、ＳＡＷフィルタの通過帯域
の間隔をほぼ一定に保つことが容易となり、２個のＳＡ
Ｗフィルタを独立して製造した場合に比べて、特性のば
らつきの低減を図り得る。すなわち、互いの周波数差が
小さくなった場合には、相対的に周波数の高い側の第１
のＳＡＷフィルタにおいて、第２のＳＡＷフィルタの通
過帯域におけるインピーダンスが低くなり、第２のＳＡ
Ｗフィルタ側における挿入損失が増大することがある
が、互いの周波数間隔を一定にすることが容易であれ
ば、このような挿入損失の劣化を抑制することができ
る。

【００７７】また、図２６に示した弾性表面波装置で
は、好ましくは、第１のＳＡＷフィルタとしての多電極
型ＳＡＷ共振子フィルタ６１の通過帯域の中心周波数ｆ
₀₁と、第２のＳＡＷフィルタ６２の中心周波数ｆ₀₂と
は、下記の式（１）

【００７８】

【数３】

【００７９】を満たすように構成される。これを、具体
的な実験例に基づき説明する。図２８は、９００ＭＨｚ
帯における３電極型の縦結合型ＳＡＷ共振子フィルタに
おけるＡｌよりなる電極の膜厚ｈと、電極の波長λの比
ｈ／λに対する振幅特性の比帯域幅についての実験結果
を示す。図２８から、電極の膜厚ｈを厚くすると、共振
子フィルタの反射器のストップバンド幅が拡がり、比帯
域幅を拡げ得ることがわかる。

【００８０】圧電基板として３６°Ｙ−ＸＬｉＴａＯ
₃を用いた場合、縦結合型ＳＡＷ共振子フィルタでは、
携帯電話用として実用上十分な比帯域幅３．３％を得る
には、上記電極膜厚比ｈ／λは、

【００８１】

【数４】

【００８２】を満たす必要がある。他方、電極膜厚比ｈ
／λを大きくすると、通過帯域が低周波数側や高周波数
側の阻止域に重なることになり、これらの領域における
減衰量の不足が問題となる。従って、比帯域幅が６．９
％以上に拡大することは望ましくなく、電極膜厚比ｈ／
λは、

【００８３】

【数５】

【００８４】を満たすことが望ましい。

【００８５】ところで、本発明の弾性表面波装置におい
て、２個のＳＡＷフィルタを同一の圧電基板上に形成す
るには、電極膜厚を同じとすることが作業性の点からは
望ましい。しかしながら、第１のＳＡＷフィルタと第２
のＳＡＷフィルタとは通過帯域が異なるため、その表面
波の波長もやはり異なる。従って、同じ電極膜厚の場合
には、各フィルタの電極膜厚比ｈ／λは異なることにな
る。

【００８６】第１のＳＡＷフィルタの中心周波数を
ｆ₀₁、波長λ₁、第２のフィルタの中心周波数をｆ₀₂、
波長λ₂をした場合、λ₂＞λ₁の関係がある。すなわ
ち、λ₂は、ｈ／０．０６のときに最も大きく、λ
₁は、ｈ／０．１０の場合に最も小さくなる。このとき
２つのフィルタの周波数比が最も大きくなり、その波長
の比λ₁／λ₂＝３／５となる。

【００８７】同一圧電基板上において、波長λと周波数
の逆数１／ｆとは比例関係にある。従って、第１のフィ
ルタと第２のＳＡＷフィルタの中心周波数との間には、

【００８８】

【数６】

【００８９】の関係があればよいこととなる。他方、２
個のＳＡＷフィルタの通過帯域の周波数差が広くなるほ
ど、第１のＳＡＷフィルタの第２のＳＡＷフィルタの通
過帯域におけるインピーダンスが高くなる。このインピ
ーダンスは、ＳＡＷフィルタの静電容量や配線の浮遊イ
ンダクタンスあるいは浮遊抵抗で定まる。

【００９０】図２９に、３電極型ＳＡＷ共振子フィルタ
の外側のＩＤＴ側におけるインピーダンススミスチャー
トを示す。図２９から、中心周波数の２／３よりも小さ
くなる周波数におけるインピーダンスは、インピーダン
ススミスチャート上の第４象現に存在する。

【００９１】相手側すなわち第２のＳＡＷフィルタの通
過帯域におけるインピーダンスが第４象現にあれば、本
発明において直列接続される一端子対ＳＡＷ共振子を用
いる方法を採用せずに、低インピーダンスのコンデンサ
のみで帯域内の挿入損失の劣化を極力抑制しつつインピ
ーダンスを高めることができる。すなわち、第１のＳＡ
Ｗフィルタの通過帯域の中心周波数ｆ₀₁と、第２のＳＡ
Ｗフィルタの中心周波数ｆ₀₂とが、

【００９２】

【数７】

【００９３】である範囲においては、本発明の構造を適
用することが望ましいことがわかる。よって、第１のＳ
ＡＷフィルタの通過帯域の中心周波数ｆ₀₁と、第２のＳ
ＡＷフィルタの中心周波数ｆ₀₂とが、上記式（１）を満
たす場合には、第１のＳＡＷフィルタの第２のＳＡＷフ
ィルタの通過帯域におけるインピーダンスが特に低くな
るが、本発明では、このような場合であっても、一端子
対ＳＡＷ共振子を直列接続することにより、第１のＳＡ
Ｗフィルタの挿入損失及びＶＳＷＲの劣化を極力抑制す
ることができ、かつ第２のＳＡＷフィルタ側の挿入損失
の劣化も抑制することができる。

【００９４】

【発明の効果】請求項１に記載の発明によれば、通過帯
域の異なる第１，第２のＳＡＷフィルタの並列接続の接
続点と、第１のＳＡＷフィルタとの間に上記一端子対Ｓ
ＡＷ共振子及びコンデンサが直列に挿入されているた
め、第１のＳＡＷフィルタ側における挿入損失及びＶＳ
ＷＲの劣化を効果的に抑制することができ、かつ相手側
となる第２のＳＡＷフィルタ側における挿入損失の劣化
も抑制することができる。さらに、第１のＳＡＷフィル
タの挿入損失の劣化を抑制しつつ、通過帯域よりも高周
波数側の周波数領域における減衰量を大きくすることが
できる。従って、携帯電話等のマルチバンドに対応した
弾性表面波装置を提供することが可能となる。

【００９５】また、請求項２に記載のように、第１のＳ
ＡＷフィルタを、多電極型縦結合ＳＡＷ共振子フィルタ
により構成し、該ＳＡＷ共振子フィルタの一対の反射器
に隣接している一対のＩＤＴを含む側の複数のＩＤＴに
一端子対ＳＡＷ共振子を接続した構成によれば、請求項
１に記載の発明の効果に加えて、ＳＡＷ共振子フィルタ
のＶＳＷＲの低減を図ることができ、従って一端子対Ｓ
ＡＷ共振子を接続したことによる挿入損失の劣化を抑制
することができる。

【００９６】また、請求項３に記載のように、第１，第
２のＳＡＷフィルタが、それぞれ、圧電基板を用いて構
成されており、コンデンサ素子が第１及び第２のＳＡＷ
フィルタの圧電基板のうちの一方の圧電基板上に構成さ
れている場合には、請求項１または２に記載の発明の効
果に加えて、コンデンサ素子の容量値の変更を容易に行
い得るため、基板にコンデンサを内蔵した場合に比べ
て、容量値の変更を容易にかつ安価に行うことができ
る。さらに、弾性表面波装置をパッケージ化する場合に
は、上記コンデンサ素子が圧電基板上に形成されている
ため、容量値を変更した場合であってもパッケージの変
更を行わないでよい場合が多いため、パッケージの共通
化を果たすことができ、ひいては弾性表面波装置をパッ
ケージ化した構造のコストの低減を図り得る。

【００９７】加えて、従来、通過帯域の異なる２個のＳ
ＡＷフィルタを用いた弾性表面波装置では、ＳＡＷフィ
ルタの入出力電極の全て、すなわち４つの電極をパッケ
ージ材に形成しておく必要があったのに対し、上記のよ
うにコンデンサ素子をＳＡＷフィルタと同一の圧電基板
上に構成することにより、パッケージ材に形成すべき電
極の数を３つとすることができ、それによってパッケー
ジの小型化をより一層進めることができる。あるいは、
逆に接地用の電極を増加させることにより、アースを強
化して、ＳＡＷフィルタの直達波による減衰量の劣化を
抑制することもできる。

【００９８】さらに、請求項４に記載の発明では、上記
第１，第２のＳＡＷフィルタが同一圧電基板を用いて構
成されるため、請求項１〜３に記載の発明の効果に加え
て、弾性表面波装置の組み立て作業を容易に行うことが
でき、かつ２個のＳＡＷフィルタの通過帯域の差をほぼ
一定に保つことが容易となるため、２個のＳＡＷフィル
タを独立に製造した場合に比べて、特性のばらつきによ
る影響を低減することができる。

【００９９】請求項５に記載の発明では、第１，第２の
ＳＡＷフィルタの中心周波数が、上述した式（１）を満
たすように構成されているため、例えば携帯電話用帯域
フィルタとして用いた場合、実用上十分な比帯域幅を得
ることができるとともに、通過帯域の低周波数側や高周
波数側に存在する阻止域における減衰量を十分に確保す
ることが可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】通過帯域の異なる２個のＳＡＷフィルタを並列
接続してなる従来の弾性表面波装置の一例を示す回路
図。

【図２】通過帯域の異なる２個のＳＡＷフィルタを並列
接続してなる未だ公知ではない先行技術に記載の弾性表
面波装置の回路図。

【図３】本発明の弾性表面波装置の一例を説明するため
の回路図。

【図４】図３に示した弾性表面波装置における第１のＳ
ＡＷフィルタの減衰量周波数特性を示す図。

【図５】（ａ）及び（ｂ）は、それぞれ、図３に示した
弾性表面波装置における第１のＳＡＷフィルタの２個の
外側ＩＤＴを含む側の端子及び中央のＩＤＴ側の端子の
インピーダンススミスチャートを示す図。

【図６】図３に示した弾性表面波装置中の第１のＳＡＷ
フィルタの減衰量周波数特性を示す図。

【図７】（ａ）及び（ｂ）は、図３に示した弾性表面波
装置中の第２のＳＡＷフィルタにおける、それぞれ、２
個の外側ＩＤＴを含む側の端子及び中央のＩＤＴの端子
のインピーダンススミスチャートを示す図。

【図８】（ａ）は、図３に示した弾性表面波装置中の第
１のＳＡＷフィルタの出力側端子に３．５ｐＦのコンデ
ンサ素子を直列接続した場合のインピーダンススミスチ
ャートを示し、（ｂ）は、図３に示した弾性表面波装置
中の第１のＳＡＷフィルタの出力側端子に、一端子対Ｓ
ＡＷ共振子を接続し、さらに８ｐＦのコンデンサ素子を
直列接続した場合のインピーダンススミスチャートを示
す図。

【図９】図３に示した弾性表面波装置の第１のＳＡＷフ
ィルタの出力側端子に一端子対ＳＡＷ共振子を直列接続
した場合の減衰量周波数特性を示す図。

【図１０】（ａ）及び（ｂ）は、図３に示した弾性表面
波装置中の第１のＳＡＷフィルタの出力側端子に一端子
対ＳＡＷ共振子を直列接続した場合のインピーダンスス
ミスチャートを示す図であり、（ａ）は中央のＩＤＴ側
の端子のインピーダンススミスチャートを、（ｂ）は外
側のＩＤＴ側の端子のインピーダンススミスチャートを
示す。

【図１１】図１に示した従来の弾性表面波装置の第１の
ＳＡＷフィルタ側の減衰量周波数特性を示す図。

【図１２】（ａ）及び（ｂ）は、それぞれ、図１の弾性
表面波装置の第１のＳＡＷフィルタの中央のＩＤＴ側の
端子及び外側のＩＤＴ側の端子におけるインピーダンス
スミスチャートを示す図。

【図１３】図２に示した弾性表面波装置の第１のＳＡＷ
フィルタ側の減衰量周波数特性及びＶＳＷＲ−周波数特
性を示す図。

【図１４】（ａ）及び（ｂ）は、それぞれ、図２に示し
た弾性表面波装置の中央のＩＤＴ側の端子及び外側のＩ
ＤＴ側の端子におけるインピーダンススミスチャートを
示す図。

【図１５】図２に示した従来の弾性表面波装置の第２の
ＳＡＷフィルタ側の減衰量周波数特性及びＶＳＷＲ−周
波数特性を示す図。

【図１６】（ａ）及び（ｂ）は、それぞれ、図２に示し
た弾性表面波装置の第２のＳＡＷフィルタにおける外側
のＩＤＴを含む側の端子及び中央のＩＤＴ側の端子のイ
ンピーダンススミスチャートを示す図。

【図１７】第１，第２のＳＡＷフィルタを単に並列に接
続した場合の第２のＳＡＷフィルタの減衰量周波数特性
及びＶＳＷＲ−周波数特性を示す図。

【図１８】（ａ），（ｂ）は、それぞれ、第１，第２の
ＳＡＷフィルタを単に並列接続した場合の外側のＩＤＴ
を含む側の端子及び中央のＩＤＴ側端子におけるインピ
ーダンススミスチャートを示す図。

【図１９】本発明の弾性表面波装置の具体的な電極接続
状態の一例を説明するための略図的平面図。

【図２０】一端子対ＳＡＷ共振子をＳＡＷ共振子フィル
タの中央のＩＤＴの一方の電極に直列接続し、１５ｐＦ
のコンデンサ素子をさらに接続した場合の減衰量周波数
特性を示す図。

【図２１】（ａ）及び（ｂ）は、それぞれ、図２０に示
した特性を得た構成のＳＡＷ共振子フィルタの外側ＩＤ
Ｔを含む側の端子及び中央のＩＤＴを含む側の端子のイ
ンピーダンススミスチャートを示す図。

【図２２】一端子対ＳＡＷ共振子をＳＡＷ共振子フィル
タの中央のＩＤＴの一方の電極に直列接続し、１５ｐＦ
のコンデンサ素子をさらに接続し、加えて第２のＳＡＷ
フィルタを第１のＳＡＷフィルタに並列接続した場合の
第１のＳＡＷフィルタの減衰量周波数特性及びＶＳＷＲ
−周波数特性を示す図。

【図２３】（ａ）及び（ｂ）は、それぞれ、図２２に示
した特性を得た場合の構成において、第１のＳＡＷフィ
ルタの外側のＩＤＴを含む側の端子及び中央のＩＤＴを
含む側の端子のインピーダンススミスチャートを示す
図。

【図２４】本発明の弾性表面波装置の電極接続構造の他
の例を示す略図的平面図であり、圧電基板上に第１のＳ
ＡＷフィルタ、一端子対ＳＡＷ共振子及びコンデンサ素
子が接続されている状態を示す図。

【図２５】図２４に示した圧電基板を用いて構成された
本発明の弾性表面波装置の一例を説明するための断面
図。

【図２６】同一圧電基板上に第１，第２のＳＡＷフィル
タを構成してなる本発明の弾性表面波装置の他の構造例
を説明するための略図的平面図。

【図２７】図２６に示した弾性表面波装置をパッケージ
化してなる構造の断面図。

【図２８】９００ＭＨｚ帯における３電極型縦結合ＳＡ
Ｗ共振子フィルタにおける、Ａｌ電極の膜厚ｈと電極の
波長λの比ｈ／λに対する振幅特性の比帯域幅を示す
図。

【図２９】図２８に示した結果を得た場合の３電極型Ｓ
ＡＷ共振子フィルタの外側のＩＤＴ端子のインピーダン
ススミスチャートを示す図。

【符号の説明】

２１…弾性表面波装置２２…第１のＳＡＷフィルタ２３…第２のＳＡＷフィルタ２４…並列接続点２５…コンデンサ素子２６…一端子対ＳＡＷ共振子２７…インダクタンス素子３１…弾性表面波装置３２…第１のＳＡＷフィルタ３３〜３５…ＩＤＴ３６，３７…反射器３８…一端子対ＳＡＷ共振子３９…並列接続点４０…コンデンサ素子４２…インダクタンス素子４２…第２のＳＡＷフィルタ４３〜４５…ＩＤＴ４６，４７…反射器５１…弾性表面波素子５２…圧電基板５３…３電極型ＳＡＷ共振子フィルタ（第１のＳＡＷフ
ィルタ）５４〜５６…ＩＤＴ５９ａ〜５９ｃ…接地電極５８…入力引き出し電極６０，６１…反射器６２…一端子対ＳＡＷ共振子６３…コンデンサ６４…接続電極（並列接続点）７１…弾性表面波装置７５…第１のＳＡＷフィルタが形成された圧電基板８１…第２のＳＡＷフィルタ８２〜８４…ＩＤＴ８５，８６…反射器

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) H03H 9/72 H03H 9/145 H03H 9/25

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】複数のＳＡＷフィルタを接続してなる弾
性表面波装置であって、通過帯域が相対的に高い周波数領域にある第１のＳＡＷ
フィルタと、通過帯域が相対的に低い周波数領域にあり、かつ前記第
１のＳＡＷフィルタに入力端または出力端側の接続点に
おいて並列接続されている第２のＳＡＷフィルタと、前記第１のＳＡＷフィルタと、前記接続点との間に接続
されており、かつ前記弾性表面波装置の終端インピーダ
ンスの１／４以上のインピーダンスを有するコンデンサ
素子と、前記コンデンサ素子と、第１のＳＡＷフィルタとの間に
接続されており、かつ***振周波数が第１のＳＡＷフィ
ルタの通過帯域よりも高周波数側となるように構成され
ている一端子対ＳＡＷ共振子とを備える、弾性表面波装
置。
【請求項２】前記第１のＳＡＷフィルタが、圧電基板
と、圧電基板上に形成された奇数個のインターデジタル
トランスデューサと、前記奇数個のインターデジタルト
ランスデューサが形成されている領域の両側に形成され
た一対の反射器とを有する多電極型縦結合ＳＡＷ共振子
フィルタであり、かつ前記一対の反射器に隣接している
一対のインターデジタルトランスデューサを含む複数の
インターデジタルトランスデューサに前記一端子対ＳＡ
Ｗ共振子が直列接続されている、請求項１に記載の弾性
表面波装置。
【請求項３】前記第１，第２のＳＡＷフィルタが、そ
れぞれ、圧電基板を用いて構成されており、前記コンデ
ンサ素子が第１及び第２のＳＡＷフィルタの圧電基板の
うち一方の圧電基板上に構成されている、請求項１また
は２に記載の弾性表面波装置。
【請求項４】前記第１，第２のＳＡＷフィルタが、同
一の圧電基板を用いて構成されている、請求項１〜３の
何れかに記載の弾性表面波装置。
【請求項５】前記圧電基板が、３６°Ｙ−ＸＬｉＴ
ａＯ₃基板であり、かつ前記第１のＳＡＷフィルタの通
過帯域の中心周波数をｆ₀₁、第２のＳＡＷフィルタの中
心周波数をｆ₀₂とすると、【数１】の関係を満たすように構成されている、請求項４に記載
の弾性表面波装置。