JP3168642B2 - 被膜除去方法およびその装置 - Google Patents

被膜除去方法およびその装置

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  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は基板の表面に形成され
た不要な被膜を除去する被膜除去方法およびその装置に
関する。
【0002】
【従来の技術】ガラスまたは半導体ウエハなどの基板の
表面にフォトレジスト膜などの被膜を形成する方法とし
て、一般に、回転塗布方法が知られている。この回転塗
布方法は、ターンテーブルに基板を真空吸着などで固定
し、この基板の回転中心に被膜液をノズルで所定量滴下
するとともに、モータなどの駆動手段でターンテーブル
を回転させて基板を回転させることにより、その遠心力
で被膜液を基板の表面に流動させて塗布している。
【0003】このような回転塗布方法では、基板の回転
による遠心力で被膜液が基板の表面全体に塗布されるた
め、基板の端部に設けられたアライメントマーク(位置
合わせマーク)や外部接続電極などのような被膜を必要
としない部分にも被膜が施されてしまうとともに、被膜
液の表面張力により基板の縁部に被膜液溜りが盛り上が
って形成されてしまう。このため、従来では、被膜を溶
解する溶解液を拭き取り部材に染み込まさせて、人手に
より不要な被膜および被膜液溜りを拭き取っている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、溶解液
を染み込ました拭き取り部材を用いて、人手によって不
要な被膜および被膜液溜りを拭き取る被膜除去方法で
は、その作業が非能率的で、生産性が悪く、しかも確実
かつ良好に被膜を除去することが困難であるという問題
がある。この発明は上記事情に鑑みてなされたもので、
その目的とするところは、被膜の除去作業が能率的にで
き、生産性が良く、かつ確実に被膜を除去することので
きる被膜除去方法およびその装置を提供することであ
る。
【0005】
【課題を解決するための手段】この発明の被膜除去方法
は、表面に被膜が形成された基板を低速回転させなが
ら、被膜の所定箇所に溶解液を基板の外側に向けて斜め
に吹き付け、この溶解液で被膜の所定箇所を溶解し
後、前記基板を前記低速回転より高速度で回転させるこ
とにより、この溶解した被膜を基板の高速回転による遠
心力で飛散させることを特徴とする。また、この発明の
被膜除去装置は、表面に被膜が形成された基板を固定し
て回転するターンテーブルと、先端部が基板の外側に向
いて傾斜して配置され、かつ被膜の所定箇所に溶解液を
斜めに吹き付ける溶解液供給ノズルとを備え、上記ター
ンテーブルは、上記基板に上記溶解液供給ノズルから溶
解液を吹き付けるときは所定の低速度で回転し、上記溶
解液の吹き付けにより溶解された被膜を飛散させるとき
は上記低速度回転より高速度で回転することを特徴とす
る。
【0006】
【作用】この発明によれば、ターンテーブルに基板を固
定し、ターンテーブルと共に基板を回転させながら、表
面の被膜の所定個所に基板の外側に向けて傾いた溶解液
供給ノズルにより溶解液を斜めに吹き付け、この溶解液
で被膜の所定個所を溶解し、この溶解した被膜を基板の
回転による遠心力で飛散させることにより、不要な部分
の被膜を除去することができる。
【0007】
【実施例】以下、図1〜図3を参照して、この発明の第
1実施例を説明する。図1はこの発明の被膜除去方法に
適した被膜除去装置の概略構成図を示している。この図
において、1はターンテーブルである。このターンテー
ブル1は、下面中央が図示しないモータなどの駆動源に
よって回転する回転軸2の上端に水平に取り付けられて
おり、外周部および底部がカップ状のカバー部材3によ
り囲われている。ターンテーブル1の上面には、基板4
が真空吸着により固定されるようになっている。基板4
はガラスや半導体ウエハなどであり、その上面全体には
被膜5が設けられている。ターンテーブル1の端部側に
おける上方には、基板4の端部付近の被膜5に溶解液容
器6内の溶解液7を吹き付ける溶解液供給ノズル8がそ
の先端部を基板4の外側に向けて40°〜50°程度の
角度傾いて配置されている。溶解液7は、被膜5を溶解
する有機溶剤であり、溶解液容器6内に収容されてお
り、溶解液容器6内にチューブ9から空気、窒素、ヘリ
ウムなどの加圧ガスが送り込まれて加圧されると、チュ
ーブ10を介して溶解液供給ノズル8に送り出されるよ
うになっている。
【0008】つぎに、このような被膜除去装置を用いた
被膜除去方法について説明する。まず、ターンテーブル
1の上面に基板4を配置して真空吸着により固定する。
次いで、ターンテーブル1を停止させた状態または低速
回転(例えば、200〜500rpm)の状態にして、
溶解液容器6内にチューブ9から加圧ガスを送り込んで
溶解液容器6内を加圧する。すると、溶解液容器6内の
溶解液7がチューブ10を介して溶解液供給ノズル8に
送られ、この溶解液供給ノズル8から溶解液7が基板4
の外側に向けて斜めに基板4の周辺部の被膜5に吹き付
けられ、この溶解液7により基板4の縁部に設けられた
被膜5が溶解される。この状態で、ターンテーブル1を
高速回転(例えば、1500〜2500rpm)させる
と、溶解された被膜5が基板4の高速回転による遠心力
により飛散して除去されることになる。なお、このとき
には、基板4からの飛散材がカップ状のカバー部材3に
より受け止めるられるので、その周辺部における装置が
汚れることはない。このような被膜除去方法では、例え
ば、基板4が図2に示すように円形状に形成されている
場合には、その周辺部に設けられた被膜5が円形状に除
去されることになり、また基板4が図3に示すように四
角形状に形成されている場合には、その周辺部に設けら
れた被膜5のうち、4隅に設けられた被膜5のみが除去
されることになる。なお、溶解液供給ノズル8の先端部
の位置および溶解液供給ノズル8の傾きを調節すること
により、基板4の周辺部の被膜5の除去範囲を適宜変え
ることがができる。
【0009】このように、この第1実施例では、被膜5
が基板4の上面全体に設けられていることにより、例え
ば基板4の端部に設けられたアライメントマークや外部
接続電極などのような被膜を必要としない部分に被膜5
が形成されていたり、あるいは基板4の端部に被膜液溜
りが盛り上がって形成されていたりしても、不要な部分
の被膜5および被膜液溜りに溶解液7を溶解液供給ノズ
ル13により吹き付けて溶解し、この溶解した被膜5を
基板4の高速回転による遠心力で飛散させることによ
り、不要な被膜5を除去することができる。このため、
従来のように溶解液7を染み込ました拭き取り部材を用
いて、人手により不要な部分の被膜5および被膜液溜り
を拭き取る必要がないため、被膜5の除去作業が能率的
にでき、生産性が良く、しかも確実かつ良好に被膜5を
除去することができる。
【0010】つぎに、図4を参照して、この発明の第2
実施例を説明する。図4は上述した被膜除去装置と回転
塗布装置とを組み合わせた装置の概略構成図を示してい
る。なお、ここでは、図1と同一部分には同一符号を付
し、その説明を適宜省略する。回転軸2の上端に水平に
取り付けられたターンテーブル1の上面には、基板4が
真空吸着により固定されるようになっている。ターンテ
ーブル1の回転中心と対応する上方には、被膜液容器2
0内の被膜液21を基板4の回転中心上に滴下する被膜
液供給ノズル22が配置されている。被膜液21は、ポ
リイミド、酸化シリコンなどの絶縁材またはフォトレジ
ストなどであり、被膜液容器20内に収容されており、
被膜液容器20内にチューブ23から空気、窒素、ヘリ
ウムなどの加圧ガスが送り込まれて加圧されると、チュ
ーブ24を介して被膜液供給ノズル22に送り出され
る。また、このターンテーブル1の端部側における上方
には、第1実施例と同様に、溶解液容器6内の溶解液7
を基板4の端部付近に設けられた被膜5に吹き付ける溶
解液供給ノズル8がその先端部を基板4の外側に向けて
40°〜50°程度の角度傾いて配置されている。この
場合の溶解液7は、被膜5を溶解するアルコール類やア
セトンなどの有機溶剤である。
【0011】つぎに、上述した装置を用いて、基板4に
被膜5を形成し、不要な部分の被膜5を除去する方法に
ついて説明する。まず、ターンテーブル1の上面に基板
4を配置して真空吸着により固定し、このターンテーブ
ル1を停止させた状態または低速回転(例えば、200
〜500rpm)の状態にして、被膜液容器20内にチ
ューブ23から加圧ガスを送り込んで被膜液容器20内
を加圧する。すると、被膜液容器20内の被膜液21が
チューブ24を介して被膜液供給ノズル22から基板4
の回転中心上に滴下される。このようにして、被膜液2
1が所定量滴下した後は、ターンテーブル1を高速回転
(例えば、1500〜2500rpm)の状態にする。
すると、基板4上に滴下した被膜液21は基板4の回転
に伴う遠心力により基板4の上面を流動して基板4の上
面全体に塗布されることになる。この後、ターンテーブ
ル1を低速回転に落して、第1実施例と同様に、溶解液
容器6内にチューブ9から加圧ガスを送り込んで溶解液
容器11内を加圧し、溶解液容器6内の溶解液7をチュ
ーブ10を介して溶解液供給ノズル22から基板4の縁
部に吹き付けるとともに、ターンテーブル1を高速回転
させる。すると、溶解液供給ノズル22から噴射された
溶解液21により、基板4の縁部の被膜液21が溶解さ
れて、基板4の高速回転による遠心力により飛散して除
去されることになる。
【0012】このように、この第2実施例では、被膜除
去装置と回転塗布装置とを組み合わせたので、被膜液供
給ノズル22により被膜液21を基板4上に滴下して基
板4を高速回転させることにより、基板4の上面全体に
被膜液21を塗布することができるとともに、基板4の
上面全体に塗布された被膜液21のうち、例えば基板4
の端部に設けられたアライメントマークや外部接続電極
などのような被膜を必要としない部分に塗布された被膜
液21、および基板4の端部に盛り上がって形成された
被膜液溜りなどを溶解液供給ノズル8から噴射された溶
解液7で溶解して除去することができる。特に、基板4
に被膜液21を塗布した後、基板4を移動させることな
く、ターンテーブル1上に固定したままの状態で、基板
4に塗布された不要な部分の被膜液21を連続して除去
することができるので、被膜の形成作業および除去作業
を極めて能率的に行うことができる。
【0013】
【発明の効果】以上説明したように、この発明によれ
ば、ターンテーブルに基板を固定し、ターンテーブルと
共に基板を低速回転させながら、表面の被膜の所定箇所
に基板の外側に向けて傾いた溶解液供給ノズルにより溶
解液を斜めに吹き付け、この溶解液で被膜の所定箇所を
溶解した後、上記基板を上記低速回転より高速度で回転
させることにより、この溶解した被膜を基板の高速回転
による遠心力で飛散させ、不要な部分の被膜を除去する
ようにしたので、従来のように溶解液を染み込ました拭
き取り部材を用いて、人手により不要な部分の被膜およ
び被膜液溜りを拭き取る必要がないため、被膜の除去作
業が能率的にでき、生産性が良く、かつ確実に被膜を除
去することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の被膜除去方法に適した第1実施例の
概略構成図。
【図2】円形状の基板の周辺部の被膜を除去した状態を
示す平面図。
【図3】四角形状の基板の縁部の被膜を除去した状態を
示す平面図。
【図4】この発明の被膜除去装置と回転塗布装置とを組
み合わせた第2実施例の概略構成図。
【符号の説明】
1 ターンテーブル 4 基板 5 被膜 7 溶解液 8 溶解液供給ノズル 21 被膜液
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭63−296341(JP,A) 特開 平1−289250(JP,A) 特開 平2−272454(JP,A) 特開 平4−96319(JP,A) 特開 平4−130716(JP,A) 特開 平5−13322(JP,A) 特開 平6−124887(JP,A) 特開 平5−96224(JP,A) 実開 平4−202227(JP,U) 実開 平4−111729(JP,U) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H01L 21/027

Claims (2)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】表面に被膜が形成された基板を低速回転さ
    せながら、前記被膜の所定箇所に溶解液を前記基板の外
    側に向けて斜めに吹き付け、この溶解液で前記被膜の所
    定箇所を溶解した後、前記基板を前記低速回転より高速
    度で回転させることにより、この溶解した被膜を前記基
    板の高速回転による遠心力で飛散させることを特徴とす
    る被膜除去方法。
  2. 【請求項2】表面に被膜が形成された基板を固定して回
    転するターンテーブルと、 先端部が前記基板の外側に向いて傾斜して配置され、か
    つ前記被膜の所定箇所に溶解液を斜めに吹き付ける溶解
    液供給ノズルと、を備え 前記ターンテーブルは、前記基板に前記溶解液供給ノズ
    ルから溶解液を吹き付けるときは所定の低速度で回転
    し、前記溶解液の吹き付けにより溶解された被膜を飛散
    させるときは前記低速度回転より高速度で回転する こと
    を特徴とする被膜除去装置。
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DE19854743A1 (de) * 1998-11-27 2000-06-08 Sez Semiconduct Equip Zubehoer Vorrichtung zum Naßätzen einer Kante einer Halbleiterscheibe
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