JP3166787B2 - チタン酸バリウム系半導体磁器組成物 - Google Patents
チタン酸バリウム系半導体磁器組成物Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、半導体磁器組成物に
関し、詳しくは、正の抵抗温度特性を有するチタン酸バ
リウム（ＢａＴｉＯ３）系半導体磁器組成物に関する。
関し、詳しくは、正の抵抗温度特性を有するチタン酸バ
リウム（ＢａＴｉＯ３）系半導体磁器組成物に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、大きな正の抵抗温度特性を有する
チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３）系半導体磁器組成物
が開発されている。このチタン酸バリウム系半導体磁器
組成物は、キュリー温度を越えると抵抗値が急激に増大
して、通過する電流量を減少させることから、回路の過
電流保護用や、テレビ受像機のブラウン管枠の消磁用な
ど種々の用途に広く用いられている。
チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３）系半導体磁器組成物
が開発されている。このチタン酸バリウム系半導体磁器
組成物は、キュリー温度を越えると抵抗値が急激に増大
して、通過する電流量を減少させることから、回路の過
電流保護用や、テレビ受像機のブラウン管枠の消磁用な
ど種々の用途に広く用いられている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来のチタン
酸バリウム系半導体磁器組成物は、結晶構造が立方晶系
である温度範囲においては正の抵抗温度特性を有してい
るが、それより低温側の、結晶構造が正方晶系である温
度範囲においては負の抵抗温度特性を有している。した
がって、正方晶系の温度範囲から立方晶系の温度範囲に
かけての全温度範囲にわたって抵抗温度特性を数式化す
ることが極めて困難であり、例えば、チタン酸バリウム
系半導体磁器組成物からなる正特性サーミスタを用いた
回路の設計を理論的に正確かつ効率よく行うことができ
ず、その用途が制約されるという問題点がある。
酸バリウム系半導体磁器組成物は、結晶構造が立方晶系
である温度範囲においては正の抵抗温度特性を有してい
るが、それより低温側の、結晶構造が正方晶系である温
度範囲においては負の抵抗温度特性を有している。した
がって、正方晶系の温度範囲から立方晶系の温度範囲に
かけての全温度範囲にわたって抵抗温度特性を数式化す
ることが極めて困難であり、例えば、チタン酸バリウム
系半導体磁器組成物からなる正特性サーミスタを用いた
回路の設計を理論的に正確かつ効率よく行うことができ
ず、その用途が制約されるという問題点がある。
【０００４】この発明は、上記問題点を解決するもので
あり、結晶構造が正方晶系の温度範囲においても正の抵
抗温度特性を有するチタン酸バリウム系半導体磁器組成
物を提供することを目的とする。
あり、結晶構造が正方晶系の温度範囲においても正の抵
抗温度特性を有するチタン酸バリウム系半導体磁器組成
物を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、この発明のチタン酸バリウム系半導体磁器組成物
は、結晶構造が正方晶系である温度範囲と、結晶構造が
立方晶系である温度範囲の、両方の温度範囲において、
正の抵抗温度特性を有し、一般式： （Ｂａ 1-v-w Ｓｒ v Ｍｅ w ）ＴｉＯ 3 ＋ｙＭｎ＋ｚＳｉＯ 2 （但し、ＭｅはＹ，Ｌａ，Ｃｅなどの希土類元素、Ｎ
ｂ、Ｂｉ、Ｓｂ、Ｗ、Ｔｈ及びＴａからなる群から選ば
れる少なくとも１種）で表され、 ｖ，ｗ，ｚがそれぞれ、 ０．０１ ≦ｖ≦０．４ ０．０００３≦ｗ≦０．００２９ ０．００１ ≦ｚ≦０．０４ の範囲にあり、かつ、ｗに対するｙの比が ０．６ ≦ ｙ／ｗ ≦ ４ の範囲にある ことを特徴とする。
に、この発明のチタン酸バリウム系半導体磁器組成物
は、結晶構造が正方晶系である温度範囲と、結晶構造が
立方晶系である温度範囲の、両方の温度範囲において、
正の抵抗温度特性を有し、一般式： （Ｂａ 1-v-w Ｓｒ v Ｍｅ w ）ＴｉＯ 3 ＋ｙＭｎ＋ｚＳｉＯ 2 （但し、ＭｅはＹ，Ｌａ，Ｃｅなどの希土類元素、Ｎ
ｂ、Ｂｉ、Ｓｂ、Ｗ、Ｔｈ及びＴａからなる群から選ば
れる少なくとも１種）で表され、 ｖ，ｗ，ｚがそれぞれ、 ０．０１ ≦ｖ≦０．４ ０．０００３≦ｗ≦０．００２９ ０．００１ ≦ｚ≦０．０４ の範囲にあり、かつ、ｗに対するｙの比が ０．６ ≦ ｙ／ｗ ≦ ４ の範囲にある ことを特徴とする。
【０００６】
【０００７】
【実施例】以下に、この発明の実施例を比較例とともに
示して発明の特徴をさらに詳細に説明する。
示して発明の特徴をさらに詳細に説明する。
【０００８】（実施例１） 一般式： （Ｂａ０．８８−ＷＳｒ０．１２Ｍｅｗ）ＴｉＯ３＋0.
001Ｍｎ＋0.02ＳｉＯ２で表されるチタン酸バリウム系
半導体磁器組成物を製造し、その抵抗温度特性を調べ
た。
001Ｍｎ＋0.02ＳｉＯ２で表されるチタン酸バリウム系
半導体磁器組成物を製造し、その抵抗温度特性を調べ
た。
【０００９】ここで、ＭｅはＬａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、
Ｓｍ、Ｃｄ、Ｈｏ、Ｄｙ、Ｙ、Ｅｒの少なくとも１種で
ある。
Ｓｍ、Ｃｄ、Ｈｏ、Ｄｙ、Ｙ、Ｅｒの少なくとも１種で
ある。
【００１０】上記のチタン酸バリウム系半導体磁器組成
物を製造するにあたっては、まず、原料のＢａＣＯ３、
ＳｒＣＯ３、Ｌａ２Ｏ３、Ｃｅ２Ｏ３、Ｐｒ２Ｏ３、Ｎ
ｄ２Ｏ３、Ｓｍ２Ｏ３、Ｃｄ２Ｏ３、ＨｏＯ、Ｄｙ２Ｏ
３、Ｙ２Ｏ３、Ｅｒ２Ｏ３、ＴｉＯ２、ＭｎＣＯ３、Ｓ
ｉＯ２を、表１の組成になるように所定の割合で配合す
る。
物を製造するにあたっては、まず、原料のＢａＣＯ３、
ＳｒＣＯ３、Ｌａ２Ｏ３、Ｃｅ２Ｏ３、Ｐｒ２Ｏ３、Ｎ
ｄ２Ｏ３、Ｓｍ２Ｏ３、Ｃｄ２Ｏ３、ＨｏＯ、Ｄｙ２Ｏ
３、Ｙ２Ｏ３、Ｅｒ２Ｏ３、ＴｉＯ２、ＭｎＣＯ３、Ｓ
ｉＯ２を、表１の組成になるように所定の割合で配合す
る。
【００１１】次いで、この配合原料をポットミルで５時
間湿式混合し、脱水、乾燥した後１１５０℃で２時間仮
焼する。それから、得られた仮焼原料を粉砕し、バイン
ダである酢酸ビニルと混合し、造粒後、乾式プレスで長
辺１２mm、短辺７mm、厚さ４mmの角板に成型して試料を
作成した。そして、この試料を空気雰囲気中において１
３００〜１３７０℃の温度条件下に焼成して半導体磁器
（チタン酸バリウム系半導体磁器）を得た。
間湿式混合し、脱水、乾燥した後１１５０℃で２時間仮
焼する。それから、得られた仮焼原料を粉砕し、バイン
ダである酢酸ビニルと混合し、造粒後、乾式プレスで長
辺１２mm、短辺７mm、厚さ４mmの角板に成型して試料を
作成した。そして、この試料を空気雰囲気中において１
３００〜１３７０℃の温度条件下に焼成して半導体磁器
（チタン酸バリウム系半導体磁器）を得た。
【００１２】それから、得られた半導体磁器の両面にＩ
ｎ−Ｇａ合金を塗布して電極を形成し、常温における比
抵抗（ρ）、抵抗温度係数を測定した。その結果を表１
に示す。
ｎ−Ｇａ合金を塗布して電極を形成し、常温における比
抵抗（ρ）、抵抗温度係数を測定した。その結果を表１
に示す。
【００１３】
【表１】
【００１４】なお、表１の抵抗温度係数は、以下に説明
する方法により求めた。
する方法により求めた。
【００１５】図１は、この発明の実施例にかかるチタン
酸バリウム系半導体磁器（組成物）の抵抗温度特性の一
例を示す線図である。このような特性を有するチタン酸
バリウム系半導体磁器において、図１のａ領域（結晶構
造が正方晶系の温度範囲）の抵抗温度係数をＡ（％／
℃）、ｂ領域（結晶構造が立方晶系の温度範囲）の抵抗
温度係数をＢ（％／℃）とし、このＡ，Ｂを、次の式 Ａ，Ｂ＝｛（2.303ラlogＲ２／Ｒ１）／（Ｔ２−
Ｔ１）｝×100 （％／℃） （但し、Ｔ１＜Ｔ２） Ｔ１：ａ領域内の任意の温度 Ｔ２：ｂ領域内の任意の温度 Ｒ１：Ｔ１における抵抗値 Ｒ２：Ｔ２における抵抗値 により求めた。
酸バリウム系半導体磁器（組成物）の抵抗温度特性の一
例を示す線図である。このような特性を有するチタン酸
バリウム系半導体磁器において、図１のａ領域（結晶構
造が正方晶系の温度範囲）の抵抗温度係数をＡ（％／
℃）、ｂ領域（結晶構造が立方晶系の温度範囲）の抵抗
温度係数をＢ（％／℃）とし、このＡ，Ｂを、次の式 Ａ，Ｂ＝｛（2.303ラlogＲ２／Ｒ１）／（Ｔ２−
Ｔ１）｝×100 （％／℃） （但し、Ｔ１＜Ｔ２） Ｔ１：ａ領域内の任意の温度 Ｔ２：ｂ領域内の任意の温度 Ｒ１：Ｔ１における抵抗値 Ｒ２：Ｔ２における抵抗値 により求めた。
【００１６】ここで、Ａ，Ｂの値が、 Ａ，Ｂ＞０のとき、抵抗温度特性が正特性 Ａ，Ｂ＝０のとき、抵抗温度特性がフラットな特性 Ａ，Ｂ＜０のとき、抵抗温度特性が負特性 であることを示す。
【００１７】なお、表１において、試料番号に＊を付し
たものは、請求項２に記載の組成範囲外の比較例であ
り、その他は請求項２の記載の組成範囲内の実施例であ
る。
たものは、請求項２に記載の組成範囲外の比較例であ
り、その他は請求項２の記載の組成範囲内の実施例であ
る。
【００１８】表１に示すように、この発明の実施例にか
かるチタン酸バリウム系半導体磁器では、Ｍｅの全種類
についてＡ＞０となっており、結晶構造が正方晶系の温
度範囲において、正の抵抗温度特性を有するチタン酸バ
リウム系半導体磁器が得られていることがわかる。ま
た、請求項２において、Ｍｅの添加量ｗの範囲をｗ＜
０．００２９に限定したのは、試料番号５，１１のよう
に、添加量ｗが０．００２９の場合、正方晶系の温度範
囲において、その抵抗温度特性がフラットになるＭｅが
あるからである。
かるチタン酸バリウム系半導体磁器では、Ｍｅの全種類
についてＡ＞０となっており、結晶構造が正方晶系の温
度範囲において、正の抵抗温度特性を有するチタン酸バ
リウム系半導体磁器が得られていることがわかる。ま
た、請求項２において、Ｍｅの添加量ｗの範囲をｗ＜
０．００２９に限定したのは、試料番号５，１１のよう
に、添加量ｗが０．００２９の場合、正方晶系の温度範
囲において、その抵抗温度特性がフラットになるＭｅが
あるからである。
【００１９】（実施例２） 一般式： （Ｂａ０．８８−ｗＳｒ０．１２Ｍｅｗ）ＴｉＯ３＋ｙ
Ｍｎ＋0.02ＳｉＯ２ で表されるチタン酸バリウム系半導体磁器組成物を、上
記実施例１の場合と同様の条件で製造し、ＭｅとＭｎの
含有比率などの影響を調べた。
Ｍｎ＋0.02ＳｉＯ２ で表されるチタン酸バリウム系半導体磁器組成物を、上
記実施例１の場合と同様の条件で製造し、ＭｅとＭｎの
含有比率などの影響を調べた。
【００２０】表２に、この実施例の半導体磁器について
調べたＭｅ、Ｍｎの含有比率、常温における比抵抗
（ρ）、抵抗温度係数の関係を示す。
調べたＭｅ、Ｍｎの含有比率、常温における比抵抗
（ρ）、抵抗温度係数の関係を示す。
【００２１】
【表２】
【００２２】なお、表２において、試料番号に＊を付し
たものは、この発明の範囲外の組成の比較例であり、そ
の他はこの発明の範囲内の組成の実施例である。表２に
示すように、この発明の範囲外の比較例では、Ａ≦０、
もしくは試料番号１３のようにＡ＞０であってもＡが０
付近になっており、抵抗温度特性がほぼフラットまたは
負特性であるのに対して、この発明の実施例にかかるチ
タン酸バリウム系半導体磁器においては、表２に示すよ
うなＭｅとＭｎの含有比率においてＡ＞０となってお
り、結晶構造が正方晶系の温度範囲において正の抵抗温
度特性を有していることがわかる。
たものは、この発明の範囲外の組成の比較例であり、そ
の他はこの発明の範囲内の組成の実施例である。表２に
示すように、この発明の範囲外の比較例では、Ａ≦０、
もしくは試料番号１３のようにＡ＞０であってもＡが０
付近になっており、抵抗温度特性がほぼフラットまたは
負特性であるのに対して、この発明の実施例にかかるチ
タン酸バリウム系半導体磁器においては、表２に示すよ
うなＭｅとＭｎの含有比率においてＡ＞０となってお
り、結晶構造が正方晶系の温度範囲において正の抵抗温
度特性を有していることがわかる。
【００２３】また、Ｓｒ、ＳｉＯ２の含有量に関して
は、本願発明の範囲内で適宜含有率を調節することによ
り、抵抗温度特性をある程度制御することが可能であ
る。なお、図２は、Ｓｒの含有比率を変化させキュリー
点をシフトさせた２種類のチタン酸バリウム系半導体磁
器の抵抗温度特性を示しており、いずれも、結晶構造が
正方晶系の温度範囲で正の抵抗温度特性を有しているこ
とがわかる。
は、本願発明の範囲内で適宜含有率を調節することによ
り、抵抗温度特性をある程度制御することが可能であ
る。なお、図２は、Ｓｒの含有比率を変化させキュリー
点をシフトさせた２種類のチタン酸バリウム系半導体磁
器の抵抗温度特性を示しており、いずれも、結晶構造が
正方晶系の温度範囲で正の抵抗温度特性を有しているこ
とがわかる。
【００２４】
【発明の効果】上述のように、この発明のチタン酸バリ
ウム系半導体磁器組成物は、結晶構造が正方晶系である
温度範囲において正の抵抗温度特性を持たせるととも
に、結晶構造が立方晶系である温度範囲においても正の
抵抗温度特性を持たせるようにしているので、正方晶系
の温度範囲から立方晶系の温度範囲にかけての全温度範
囲にわたって抵抗温度特性を容易かつ正確に数式化する
ことが可能になり、正特性サーミスタなどを用いた回路
の設計を理論的に、正確かつ効率よく行うことができ
る。
ウム系半導体磁器組成物は、結晶構造が正方晶系である
温度範囲において正の抵抗温度特性を持たせるととも
に、結晶構造が立方晶系である温度範囲においても正の
抵抗温度特性を持たせるようにしているので、正方晶系
の温度範囲から立方晶系の温度範囲にかけての全温度範
囲にわたって抵抗温度特性を容易かつ正確に数式化する
ことが可能になり、正特性サーミスタなどを用いた回路
の設計を理論的に、正確かつ効率よく行うことができ
る。
【００２５】また、一般式： （Ｂａ１−Ｖ−ＷＳｒＶＭｅW）ＴｉＯ３ ＋ｙＭｎ＋ｚ
ＳｉＯ２ で表されるような組成になるように各成分を配合するこ
とにより、結晶構造が正方晶系である温度範囲において
も正の抵抗温度特性を有するチタン酸バリウム系半導体
磁器組成物を確実に得ることができる。
ＳｉＯ２ で表されるような組成になるように各成分を配合するこ
とにより、結晶構造が正方晶系である温度範囲において
も正の抵抗温度特性を有するチタン酸バリウム系半導体
磁器組成物を確実に得ることができる。
【図１】この発明の実施例のチタン酸バリウム系半導体
磁器組成物の抵抗温度特性を示す線図である。
磁器組成物の抵抗温度特性を示す線図である。
【図２】この発明の他の実施例のチタン酸バリウム系半
導体磁器組成物の抵抗温度特性を示す線図である。
導体磁器組成物の抵抗温度特性を示す線図である。
ａ 結晶構造が正方晶系の温度範囲 ｂ 結晶構造が立方晶系の温度範囲
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭51−38091（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−329601（ＪＰ，Ａ)
Claims (1)
- 【請求項１】 結晶構造が正方晶系である温度範囲と、
結晶構造が立方晶系である温度範囲の、両方の温度範囲
において、正の抵抗温度特性を有し、 一般式： （Ｂａ 1-v-w Ｓｒ v Ｍｅ w ）ＴｉＯ 3 ＋ｙＭｎ＋ｚＳｉＯ 2 （但し、ＭｅはＹ，Ｌａ，Ｃｅなどの希土類元素、Ｎ
ｂ、Ｂｉ、Ｓｂ、Ｗ、Ｔｈ及びＴａからなる群から選ば
れる少なくとも１種）で表され、 ｖ，ｗ，ｚがそれぞれ、 ０．０１ ≦ｖ≦０．４ ０．０００３≦ｗ≦０．００２９ ０．００１ ≦ｚ≦０．０４ の範囲にあり、かつ、ｗに対するｙの比が ０．６ ≦ ｙ／ｗ ≦ ４ の範囲にある ことを特徴とするチタン酸バリウム系半導
体磁器組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03161192A JP3166787B2 (ja) | 1992-01-21 | 1992-01-21 | チタン酸バリウム系半導体磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03161192A JP3166787B2 (ja) | 1992-01-21 | 1992-01-21 | チタン酸バリウム系半導体磁器組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05198405A JPH05198405A (ja) | 1993-08-06 |
| JP3166787B2 true JP3166787B2 (ja) | 2001-05-14 |
Family
ID=12336004
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP03161192A Expired - Fee Related JP3166787B2 (ja) | 1992-01-21 | 1992-01-21 | チタン酸バリウム系半導体磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3166787B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013053291A (ja) * | 2011-08-08 | 2013-03-21 | Nitto Denko Corp | 粘着テープ又はシート |
| KR101862810B1 (ko) * | 2011-03-31 | 2018-05-30 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 방수 시트 및 방수 시공 방법 |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4888264B2 (ja) * | 2006-07-28 | 2012-02-29 | Ｔｄｋ株式会社 | 積層型サーミスタ及びその製造方法 |
| JP5222781B2 (ja) * | 2009-04-28 | 2013-06-26 | ニチコン株式会社 | 正特性サーミスタ磁器組成物 |
-
1992
- 1992-01-21 JP JP03161192A patent/JP3166787B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101862810B1 (ko) * | 2011-03-31 | 2018-05-30 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 방수 시트 및 방수 시공 방법 |
| JP2013053291A (ja) * | 2011-08-08 | 2013-03-21 | Nitto Denko Corp | 粘着テープ又はシート |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05198405A (ja) | 1993-08-06 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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