JP3166185B2 - Infrared thickness gauge - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【０００１】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、赤外線光源から放射さ
れる赤外線を用い、この赤外線を例えば測定フィルムや
測定シ―ト等の被測定体（以下「フィルム」という）に
照射し、フィルムの厚さに応じて変化するフィルム透過
光量を検出することでフィルムの厚さをオンラインで測
定する赤外線厚さ計に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention uses an infrared ray emitted from an infrared light source, and irradiates the infrared ray onto an object to be measured (hereinafter referred to as a "film") such as a measuring film or a measuring sheet. The present invention relates to an infrared thickness gauge that measures the thickness of a film online by detecting the amount of light transmitted through the film that changes according to the thickness.

【０００２】[0002]

【従来の技術】以下従来の技術を図面を用いて説明す
る。 図９は赤外線厚さ計の概要を説明する図である。 図１０は従来の技術の説明に供する図である。2. Description of the Related Art A conventional technique will be described below with reference to the drawings. FIG. 9 is a diagram for explaining the outline of the infrared thickness gauge. FIG. 10 is a diagram provided for explanation of a conventional technique.

【０００３】図９において、赤外線厚さ計は、フィルム
Ｆに赤外線発生手段Ｎを用いて赤外線光を照射（入射光
λα）して透過（一部反射・散乱光λθとなる）さ
せ、フィルムＦの厚さ（Ｔ）［μｍ］に応じて吸収
（μ）される光（透過光λβ）の減衰量を検出器Ｍで
検出してその時の厚さを換算する装置である。この時、
赤外線発生手段Ｎと検出器Ｍは、夫々センサ部としてフ
ィルムＦの上，下の面をスキャニングするセンサ部1 ，
2 内に設けられて、通常図示しないフレ―ム構造物に組
付けられている。尚、赤外線発生手段Ｎと検出器Ｍは基
本的に上，下いずれのセンサ部内に組込まれて構成され
てもよいが、ここでは図示するように赤外線発生手段Ｎ
が下側センサ部1 に組込まれ、検出器Ｍが上側センサ部
2 に組込まれた場合で以下、説明する。In FIG. 9, an infrared thickness meter irradiates an infrared ray (incident light λα) onto a film F by using an infrared ray generating means N to transmit (partially reflects / scatters light λθ) the film F. The detector M detects the amount of attenuation of light (transmitted light λβ) absorbed (μ) according to the thickness (T) [μm], and converts the thickness at that time. At this time,
The infrared ray generating means N and the detector M are sensor sections 1 and 2 for scanning the upper and lower surfaces of the film F as sensor sections, respectively.
2 and is usually attached to a frame structure (not shown). Incidentally, the infrared ray generating means N and the detector M may basically be incorporated in any of the upper and lower sensor sections, but here, as shown in the figure, the infrared ray generating means N
Is incorporated in the lower sensor unit 1 and the detector M is connected to the upper sensor unit.
This is described below in the case where it is incorporated in 2.

【０００４】この様な構成において、一般に、フィルム
Ｆの組成分に吸収されて減衰する光の量は、厚さＴの指
数関数で一義的に決まり、指数関数の係数から求めたフ
ィルム検量線（以下「検量線」という）で厚さの測定演
算が行なわれることとなる。In such a configuration, generally, the amount of light absorbed and attenuated by the composition of the film F is uniquely determined by an exponential function of the thickness T, and a film calibration curve (FIG. The thickness measurement calculation will be performed using a “calibration curve”.

【０００５】ここで、検量線の指数関数（厚さ出力）
は、 Ｉ＝Ｉ₀ （１−ρ）ｅｘｐ（−ｂＴ） …（１） で表わすことができる。但し、Ｉ₀ をフィルムが無い時
の厚さ出力（空気層の出力）、ρをフィルムの表面反射
損失分（反射損失係数）、（−ｂ）をフィルムの厚さＴ
から一義的に求まる指数係数（定数，フィルム特有の吸
収係数）とする。Here, the exponential function of the calibration curve (thickness output)
Can be expressed as I = I ₀ (1−ρ) exp (−bT) (1) Where I ₀ is the thickness output when no film is present (air layer output), ρ is the surface reflection loss (reflection loss coefficient) of the film, and (−b) is the film thickness T
The exponential coefficient (constant, absorption coefficient peculiar to the film) uniquely obtained from

【０００６】図１０において、横軸（Ｘ軸）にフィルム
の厚さＴを取り（例えば一目あたりの厚み“BWDIV ”を
設定する）、縦軸に厚さ出力電圧（Ｙ信号）Ｉをとった
時の、（１）式に基づく特性を検量線という。この検量
線は指数関数特性を示す。図１０においては、例えばフ
ィルムが存在しない時の厚さ出力（空気層の厚さ出力と
なる）（Ｉ）の電圧値を３．８（Ｖ）、光を遮断した時
の電圧値を０（Ｖ）になるようにして、各厚さのフィル
ムＦに付いて赤外線を透過し、その時得られた出力電圧
値から検量線の指数関数を作成している。尚、図１０に
おいてＢ部分は（１）式にのっとった純粋の指数関数カ
―ブとなっており、フィルム本来の検量線の特性を示し
ている。In FIG. 10, the horizontal axis (X-axis) is the thickness T of the film (for example, the thickness per eye is set as “BWDIV”), and the vertical axis is the thickness output voltage (Y signal) I. The characteristic based on the equation (1) at this time is called a calibration curve. This calibration curve shows an exponential function characteristic. In FIG. 10, for example, the voltage value of the thickness output when the film does not exist (the thickness output of the air layer) (I) is 3.8 (V), and the voltage value when the light is blocked is 0 ( V), infrared light is transmitted through the film F of each thickness, and an exponential function of a calibration curve is created from the output voltage values obtained at that time. In FIG. 10, the portion B is a pure exponential function curve according to the equation (1), and shows the characteristics of the original calibration curve of the film.

【０００７】[0007]

【発明が解決しようとする課題】従来の技術にあって
は、以下のような問題点があった。 （イ）：測定時、入射光λαはフィルム透過前にある
割合でその光量がフィルム表面において反射・散乱光λ
θとして損失する関係上、厚さが無限に薄くなった場
合（仮想ゼロ点）にあって、透過吸収で失われる光量が
ゼロ近くでも、表面の反射で損失する光量のために、空
気層の厚さ出力近傍の値が得られない。The prior art has the following problems. (A): At the time of measurement, the incident light λα has a certain amount of light reflected / scattered on the film surface at a certain ratio before transmission through the film.
Due to the loss as θ, when the thickness is infinitely thin (virtual zero point), even if the amount of light lost due to transmission and absorption is close to zero, the amount of light lost due to surface reflection causes A value near the thickness output cannot be obtained.

【０００８】 （ロ）：厚さが薄い領域（厚さゼロ近傍領域）となる
と、厚さ出力Ｉを空気層の出力Ｉ₀ となるよう強制的に
（１）式について演算している。即ち、反射損失係数ρ
を考慮にいれていないために“Ｉ₀ ＝３．８［Ｖ］”を
通る指数関数の近似カ―ブで検量線を演算するので、厚
さが薄い測定領域（空気層領域）では、図１０Ａ部分で
示すように、検量線が歪んでしまう。このために、フレ
―ム補正（ヘッド走行特性を全幅スキャンで調べてプロ
セッサに格納し、厚さ測定の際にフレ―ム走行特性を補
正して正確なプロフィ―ルパタ―ンを表示させる動作を
いう）が精度良くできない。(B): The thickness output I is forcibly calculated by the equation (1) so that when the thickness becomes a thin region (a region near zero thickness), the thickness output I becomes the output I _{0 of the} air layer. That is, the return loss coefficient ρ
Since the calibration curve is calculated using an approximate curve of an exponential function that passes through "I ₀ = 3.8 [V]" since the consideration is not taken into account, in the measurement area (air layer area) where the thickness is thin, As shown by the portion 10A, the calibration curve is distorted. For this purpose, frame correction (the operation of checking the head running characteristics by full-width scan and storing it in the processor, and correcting the frame running characteristics during thickness measurement to display an accurate profile pattern) Can not be done with high accuracy.

【０００９】（ハ）：（ロ）から、仮に、空気層領域で
センサ部をスキャニングしても測定指示値はゼロを指示
せず、フレ―ム特有のプロフィ―ルパタ―ンが発生し
（機械的ガタツキやフレ―ムの歪み等で走行特性がでて
しまう）、走行特性を改善するために前記フレ―ム補正
を行っても、赤外線光がフィルムを透過する際にフィル
ム表面で反射して失われる光の減衰量を考慮にいれてい
ないことにより、厚さの薄い領域で歪んだ検量線が作成
されていることから、この薄い領域の検量線を利用した
フレ―ム補正やオ―トキャル（AUT CAL:オ―トキャリブ
レ―ション“自動補正”の略称）で正しい演算ができな
い。(C): From (b), even if the sensor section is scanned in the air space area, the measurement instruction value does not indicate zero, and a frame-specific profile pattern is generated. The running characteristics may appear due to mechanical backlash or distortion of the frame, etc.), and even if the frame correction is performed to improve the running characteristics, the infrared light is reflected on the film surface when transmitting through the film. Because the amount of attenuation of the lost light is not taken into account, a distorted calibration curve is created in the thin area, so that frame correction and auto-calibration using the thin area calibration curve are performed. (AUT CAL: Abbreviation of auto calibration "automatic correction"), correct calculation cannot be performed.

【００１０】本発明は、従来の技術の有するこのような
問題点に鑑みてなされたものであり、その目的とすると
ころは、測定精度や信頼性を向上させた赤外線厚さ計を
提供するものである。即ち、本発明の目的とするところ
は、検量線を改善し、正しいフレ―ム補正量を演算し
て、スキャニング時のプロフィ―ルをよくして測定精度
を向上させた赤外線厚さ計を提供するものである。さら
には、走行特性による測定誤差の改善、即ち走行補正を
施した赤外線厚さ計を提供するものである。又、本発明
の目的とするところは、赤外線発生手段として黒体放射
を利用した黒体炉を用いて波長領域を拡大することで、
測定精度や信頼性を向上させた赤外線厚さ計を提供する
ものである。さらに又、本発明の目的とするところは、
赤外線発生手段として面発光する黒体放射を利用した黒
体炉構造として均一で且つ安定した光束を作り、この種
のセンサの必要とする特有の走行特性及びパスライン特
性の改善を図り、もって測定精度や信頼性を向上させた
赤外線厚さ計を提供するものである。The present invention has been made in view of the above-mentioned problems of the prior art, and an object of the present invention is to provide an infrared thickness gauge with improved measurement accuracy and reliability. It is. That is, an object of the present invention is to provide an infrared thickness gage in which a calibration curve is improved, a correct frame correction amount is calculated, a profile at the time of scanning is improved, and measurement accuracy is improved. Is what you do. Another object of the present invention is to provide an infrared thickness gage in which measurement errors due to running characteristics are improved, that is, running correction is performed. Further, the object of the present invention is to expand the wavelength range by using a black body furnace using black body radiation as infrared ray generating means,
An object of the present invention is to provide an infrared thickness gauge with improved measurement accuracy and reliability. Furthermore, the object of the present invention is to
A uniform and stable luminous flux is created as a black-body furnace structure using surface-emitting black-body radiation as an infrared ray generating means to improve the unique running characteristics and pass line characteristics required by this type of sensor, and measurement is performed. It is intended to provide an infrared thickness gauge with improved accuracy and reliability.

【００１１】[0011]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明は、請求項１においては、フレームに組付けら
れ、被測定体の上，下面をスキャニングする上部センサ
部及び下部センサ部を有し、一方のセンサ部に組込まれ
た赤外線発生手段から前記被測定体に向かって照射され
た赤外線が被測定体の厚さに応じて吸収された透過光の
減衰量を他方のセンサ部に組込まれた検出器で検出する
ことにより前記被測定体の厚さを測定する赤外線厚さ計
であって、前記被測定体が無い時の出力をＩ。、前記被
測定体の表面反射損失分をρ、前記被測定体の厚さ
（Ｔ）から一義的に求まる指数係数を（−ｂ）としたと
き、前記被測定体の厚さに応じて指数的に滅衰する被測
定体の厚さ出力（Ｉ）の関係を、最小２乗法“Ｉ₁＝Ｉ₀
（ｌ−ρ）ｅｘｐ（−ｂＴ）”で求めたフィルム検量線
から前記被測定体の厚さ測定演算をし、当該式の被測定
体の表面反射損失分ρをゼロとして空気層における走行
特性の信号変化分を厚さ指示値に変換してフレーム補正
値とするフレーム補正検量線“Ｉ₂＝Ｉ₀ｅｘｐ（−ｂ
Ｔ）”で前記被測定体の厚さゼロ近傍のフレーム補正演
算をするようにしたことを特徴とする。請求項２におい
ては、フレームに組付けられ、被測定体の上，下面をス
キャニングする上部センサ部及び下部センサ部を有し、
一方のセンサ部から前記被測定体に向かって照射された
赤外線が前記被測定体の厚さに応じて吸収された透過光
の減衰量を他方のセンサ部に組込まれた検出器で検出す
ることにより前記被測定体の厚さを測定する赤外線厚さ
計であって、前記一方のセンサ部は一方が開口した断熱
材からなる容器と、この容器に収納された発熱体と、こ
の発熱体から放射される赤外線を平行光束とする為に前
記発熱体から所定の距離を保って配置されたレンズと、
このレンズから出射する赤外線を光軸を中心とする所定
の径にする為の絞りからなることを特徴とする。To achieve the above object, according to the present invention, an upper sensor unit and a lower sensor unit which are mounted on a frame and scan the upper and lower surfaces of an object to be measured are provided. The infrared ray emitted from the infrared ray generating means incorporated in one sensor unit toward the object to be measured is transmitted to the other sensor unit by attenuating the amount of transmitted light absorbed according to the thickness of the object to be measured. An infrared thickness gage for measuring the thickness of the object by detecting it with a built-in detector, wherein the output when there is no object is I. Where ρ is the surface reflection loss of the object to be measured and (−b) is an index coefficient uniquely obtained from the thickness (T) of the object to be measured, the index is determined according to the thickness of the object to be measured. The relationship between the thickness output (I) of the object to be measured, which gradually declines, is expressed by the least squares method “I ₁ = I ₀
(1−ρ) exp (−bT) ”, a thickness measurement calculation of the object to be measured is performed from the film calibration curve, and the running characteristic in the air layer is defined by setting the surface reflection loss ρ of the object to be measured to zero in the above equation. Is converted into a thickness indication value to obtain a frame correction value by a frame correction calibration curve “I ₂ = I ₀ exp (−b
T) ", a frame correction calculation is performed near the thickness of the measured object near zero. According to the second aspect, the upper and lower surfaces of the measured object are scanned by being assembled to a frame. It has an upper sensor part and a lower sensor part,
Detected by a detector in which one of the sensor unit or al the infrared irradiated toward the object to be measured is incorporated attenuation of absorbed transmitted light according to the thickness of the object to be measured to the other sensor unit An infrared thickness gage for measuring the thickness of the object to be measured, wherein the one of the sensor units is an adiabatic opening one of which is open.
The container made of material, the heating element contained in this container,
Before the infrared rays emitted from the heating element of the
A lens arranged at a predetermined distance from the heating element,
Infrared light emitted from this lens is centered on the optical axis.
It is characterized in that it comprises a stop for making the diameter .

【００１２】[0012]

【作用】赤外光がフィルムの表面反射で減衰することを
踏まえて、実際、測定に使用する領域と、フレ―ム補正
用の２つの領域で検量線を作成する。空気層でフレ―ム
補正をするとＴ＝０［μｍ］近傍の歪んだ検量線を使っ
てフレ―ムの走行特性を演算してしまうので、正確なプ
ロフィ―ルパタ―ンが得られなくなる。そこで、測定用
の検量線とは別にフレ―ム補正用の検量線が必要とな
る。フレ―ム補正補償タイプの検量線が従来の検量線と
違うところは、厚さの測定演算用には各フィルムの厚さ
と出力電圧から求めた指数関数を検量線に使用し、フレ
―ム補正用には指数関数から求めた検量線を使用する。Based on the fact that the infrared light is attenuated by the surface reflection of the film, a calibration curve is actually created in two regions for measurement and two regions for frame correction. When the frame correction is performed in the air layer, the running characteristics of the frame are calculated using a distorted calibration curve near T = 0 [μm], so that an accurate profile pattern cannot be obtained. Therefore, a calibration curve for frame correction is required separately from the calibration curve for measurement. The difference between the calibration curve of the frame correction compensation type and the conventional calibration curve is that the exponential function obtained from the thickness and output voltage of each film is used in the calibration curve for the thickness measurement calculation. Use the calibration curve obtained from the exponential function.

【００１３】具体的には、フィルムの表面反射があるた
めに、厚さＴが０［μｍ］における検量線では、Ｉ＝Ｉ
₀ とならず（前記数値でいえばＩ₀ ＝３．８［Ｖ］のポ
イントを通らず）、フレ―ム補正用の検量線が作成でき
ないところから、フレ―ム補正ができないこととなるの
で、フレ―ム補正用に別の検量線を設定するために、フ
ィルムの厚さに応じて指数的に減衰するフィルム厚さ信
号出力の関係を、最小２乗法で求めて、空気層における
走行特性の信号変化分を厚さ指示値に変換してフレ―ム
補正値とする。ここで、検量線はフィルムの厚さを演算
する部分と、厚さ０［μｍ］近傍のフレ―ム補正のみを
する検量線部の２本の検量線を持たせる。Specifically, because of the surface reflection of the film, the calibration curve at a thickness T of 0 [μm] shows that I = I
_Since it does not become ₀ (it does not pass through the point of I ₀ = 3.8 [V] in the above numerical value), since the calibration curve for frame correction cannot be created, the frame correction cannot be performed. In order to set another calibration curve for frame correction, the relationship of the film thickness signal output that attenuates exponentially according to the film thickness is obtained by the least squares method, and the running characteristics in the air layer Is converted into a thickness indication value and used as a frame correction value. Here, the calibration curve has two calibration curves, one for calculating the thickness of the film and the other for the frame correction near the thickness of 0 [μm] for performing only the frame correction.

【００１４】即ち、（１）式の検量線に加えて（下記す
る第１図においては（１）式をＩ₁ として表わす）、
（１）式の反射率をρ＝０とした指数関数をフレ―ム補
正検量線として、 Ｉ₂ ＝Ｉ₀ ｅｘｐ（―ｂＴ） …（２Ａ） つまり、 Ｉ₂ ＝３．８ｅｘｐ（―ｂＴ） …（２Ｂ） として新たに求めて（故にＴ＝０［μｍ］の時Ｉ−３．
８［Ｖ］となる）、２本の検量線を持たせ、これ等によ
り実際にフレ―ム補正を行う。That is, in addition to the calibration curve of the equation (1) (in the following FIG. 1, the equation (1) is represented as I ₁ ),
An exponential function in which the reflectance in equation (1) is set to ρ = 0 is used as a frame correction calibration curve. I ₂ = I ₀ exp (−bT) (2A) That is, I ₂ = 3.8 exp (−bT) (2B) (when T = 0 [μm], I-3.
8 [V]). Two calibration curves are provided, and frame correction is actually performed by using these.

【００１５】ここで、フレ―ムの走行特性による厚さ出
力の変動分（ΔＩ：ドリフト）を厚さの変動分（ΔＴ）
で微分すると、（１）式は、 ΔＩ／ΔＴ＝−ｂＩ₀ （１−ρ）・ｅｘｐ（−ｂ・Ｔ）＝−ｂ・Ｉ …（３） となり、 ΔＴ＝−（１／ｂ）・（ΔＩ／Ｉ） …（４） （“ΔＩ／Ｉ”は厚さ出力あたりの厚さ指示信号誤差と
なる）から、厚さ変動分ΔＴは一定となる（尚、（２）
式を微分しても同様の結果が得られる）。Here, the thickness output variation (ΔI: drift) due to the running characteristics of the frame is calculated as the thickness variation (ΔT).
Equation (1) gives: ΔI / ΔT = −bI ₀ (1−ρ) · exp (−b · T) = − b · I (3), and ΔT = − (1 / b) · (ΔI / I) (4) (“ΔI / I” is a thickness indication signal error per thickness output), so that the thickness variation ΔT is constant ((2)
Similar results are obtained by differentiating the equation).

【００１６】ここで、（２）式において、Ｉ₀ ＝３．８
［Ｖ］，Ｔ＝０［μｍ］の時、Ｉ₂ ＝３．８［Ｖ］とな
るから、定数ｂ₂ にフィルムの吸収係数と等しい値を用
いれば、ΔＩ／Ｉは厚さ０［μｍ］近傍を含む測定範囲
全域で等しくなり、正しいフレ―ム補正を行う事ができ
る。このようにして、２本の独立した検量線で互いにフ
ィルム厚さ，フレ―ム補正値を演算するため、夫々精度
のよい演算が行える。Here, in the equation (2), I ₀ = 3.8
When [V] and T = 0 [μm], I ₂ = 3.8 [V]. If a value equal to the absorption coefficient of the film is used for the constant b ₂ , ΔI / I becomes 0 [μm] ] It becomes equal in the entire measurement range including the vicinity, and correct frame correction can be performed. In this manner, since the film thickness and the frame correction value are calculated from each other by using two independent calibration curves, accurate calculations can be performed respectively.

【００１７】[0017]

【実施例】実施例について図面を参照して説明する。
尚、以下の図面において、図９乃至図１０と重複する部
分は同一番号を付してその説明は省略する。図１は本発
明の実施例の説明に供する図である。図２は図１に用い
られる本発明の具体的一実施例のブロック系統図であ
る。An embodiment will be described with reference to the drawings.
In the following drawings, the same parts as those in FIGS. 9 and 10 are denoted by the same reference numerals, and description thereof will be omitted. FIG. 1 is a diagram for explaining an embodiment of the present invention. FIG. 2 is a block diagram of a specific embodiment of the present invention used in FIG.

【００１８】図１乃至図２において、3 は検量線作成を
行う例えばパソコン等から成る演算手段3 である。この
演算手段3 にあっては、サンプルフィルムの実際の厚さ
とその時の上のセンサ部2 からの検出信号出力とから、 （イ）．フィルムの吸収係数ｂを求める。 （ロ）．フィルムの厚さ演算はこの吸収係数に基づいて
求まる検量線で行う。 （ハ）．フレ―ム補正用の検量線は、フィルム厚さ０μ
ｍ近傍の検量線を『Ｉ＝Ｉ₀ 』のポイントを通るようシ
フトさせて作成する。In FIG. 1 and FIG. 2, reference numeral 3 denotes an arithmetic means 3 for preparing a calibration curve, for example, a personal computer or the like. The calculation means 3 calculates the actual thickness of the sample film and the detection signal output from the sensor unit 2 at that time. Determine the absorption coefficient b of the film. (B). The film thickness is calculated using a calibration curve obtained based on the absorption coefficient. (C). The calibration curve for frame correction is 0μ
The calibration curve near m is created by shifting the calibration curve so as to pass through the point of “I = I ₀ ”.

【００１９】この演算手段3 で作成された検量線は、ウ
ェ―ブゲ―ジ（WEB GAGE）システムのプロセッサ4 に定
数として例えばＩ／Ｏ41を介してキ―イン入力される。
プロセッサには、演算式等が格納されたＲＯＭ42，キ―
イン入力等を格納したり読出可能に格納されるＲＡＭ4
3，夫々に格納されるデ―タに基づく所望の演算処理を
行うＣＰＵ44等が具備されており、このことから、プロ
セッサ4 でフィルム厚さの測定・演算が施される。この
ときの演算においてフレ―ム補正としては、空気層で
上，下センサ部1 ，2 をスキャニングして、フレ―ム各
ポイントの電気的変動量を厚さの変化分として変換し
て、厚さの補正量とする。測定されたフィルムの厚さ指
示やプロフィ―ル等についてのＣＰＵ44での測定演算結
果は、Ｉ／Ｏ41から例えば表示部5 に出力されて所望の
指示・表示がなされる。The calibration curve created by the calculating means 3 is inputted as a constant to the processor 4 of the WEB GAGE system as a constant via the I / O 41, for example.
The processor has a ROM 42 in which arithmetic expressions and the like are stored, and a key.
RAM 4 for storing input data etc.
3, a CPU 44 for performing desired arithmetic processing based on the data stored in each of them is provided, so that the processor 4 measures and calculates the film thickness. In the calculation at this time, as the frame correction, the upper and lower sensor sections 1 and 2 are scanned in the air layer, and the electric fluctuation amount at each point of the frame is converted as a change in the thickness, and the thickness is changed. Is the amount of correction. Measurement results of the measured film thickness instruction, profile, and the like in the CPU 44 are output from the I / O 41 to, for example, the display unit 5 to perform desired instructions and displays.

【００２０】ここで、プロセッサ4 へ６４個の折点及び
Ｘ軸一目あたりの厚みを設定すると仮定すると、演算さ
れた時の得られる第１図の検量線の特性は、６４折れ線
として表現される（Ｘ軸は最大測定値を６０等分した厚
みの倍数となる）。つまり、６４折れ線１ポイント当た
りの厚さBWDIV(Ｔ−Division）は、 BWDIV ＝最大測定値／６０ …（５） となる。Here, assuming that 64 break points and a thickness per X-axis are set in the processor 4, the characteristics of the calibration curve in FIG. 1 obtained at the time of calculation are expressed as 64 broken lines. (The X axis is a multiple of the thickness obtained by dividing the maximum measured value by 60). That is, the thickness BWDIV (T-Division) per one point of the 64 polygonal line is as follows: BWDIV = maximum measured value / 60 (5).

【００２１】今、フレ―ム補正用の検量線は、Ｔ＝０の
時Ｙ軸を 16000に正規化させた信号（検量線格納デ―
タ）とすると、厚さ出力Ｉ₂ は、 Ｉ₂ ＝１６０００・ｅｘｐ（−ｂ・Ｔ） …（６） となるから、第１図に示すように、この折れ線は、Ｏ
［μｍ］を中心にマイナス側に３個（検量線格納用番地
数），プラス側に３個（同上）のフレ―ム補正時の空気
測定を行った場合の特性（フレ―ム補正用検量線）が得
られる。又フィルムの厚さ測定に用いる検量線は
（１），（２Ｂ）及び（６）式から、 Ｉ₁ ＝１６０００・｛Ｉ₀ （１−ρ）／３．８｝・ｅｘｐ（−ｂ・Ｔ）…（７） となる。そして、この様な計算で求めたデ―タがＲＡＭ
43に格納されて、以後に測定時において、上センサ部2
からの入力デ―タに基づき、ＣＰＵ44での厚さ測定演算
に際して使用される。Now, the calibration curve for frame correction is a signal obtained by normalizing the Y axis to 16000 when T = 0 (the calibration curve storage data).
In this case, the thickness output I ₂ is given by I ₂ = 16000 · exp (−b · T) (6). Therefore, as shown in FIG.
Characteristics when air measurement during frame correction is performed on the minus side (number of calibration curve storage addresses) and on the plus side (same as above) with three [μm] as the center. Line) is obtained. The calibration curve used for measuring the thickness of the film is obtained from the equations (1), (2B) and (6) as follows: I ₁ = 16000 · {I ₀ (1-ρ) /3.8} · exp (−b · T ) (7) And the data obtained by such calculation is RAM
43, and the upper sensor 2
It is used in the thickness measurement calculation in the CPU 44 based on the input data from.

【００２２】ここで赤外線発生手段Ｎについてみる。図
３乃至図６は赤外線発生手段の説明に供する図である。Here, the infrared ray generating means N will be described. 3 to 6 are views for explaining the infrared ray generating means.

【００２３】図３乃至図４において、赤外線厚さ計とし
ては、赤外線の３つの波長を用いてフィルムの厚さを測
定することが理想である。つまり、フィルムの吸収帯波
長Ｍ光（測定光）と、このＭ光を挟んで吸収の少ない波
長帯（リファレンス光，参照光）Ｒ1 ，Ｒ2 を用い、Ｍ
光についてＲ1 ，Ｒ2 で補償演算するようにしてフィル
ムの厚さを測定することである。In FIGS. 3 and 4, it is ideal for the infrared thickness gauge to measure the thickness of the film using three wavelengths of infrared light. That is, M light (measurement light) having an absorption band wavelength of the film and wavelength bands (reference light and reference light) R1 and R2 having a small absorption with the M light interposed therebetween are used.
The thickness of the film is measured by compensating the light with R1 and R2.

【００２４】ところで、現実的には赤外光源としては、
電球管等のような例えばハロゲンランプ等の石英ガラス
等に代表される容器（ガラス管）6aで覆われた光源6 を
用いている。この赤外線を発光する電球において、タン
グステンやニクロム線等の発熱体（フィラメント）6bか
らは１０μｍ以上の長波長の赤外線光が放射されるが、
前記ガラス管6aに封入されているためにハロゲンランプ
の波長範囲として４μｍ以上の赤外光が安定しないこと
となり（実際には４μｍ以上の波長が当該ガラス管を透
過できないと考えてよい）、４μｍ程度、言替えれば４
μｍ以上の長い波長は測定光に用いることができないこ
ととなる。Incidentally, actually, as an infrared light source,
A light source 6 covered by a container (glass tube) 6a represented by a quartz glass or the like such as a halogen lamp, such as a light bulb tube or the like, is used. In a bulb that emits infrared light, a heating element (filament) 6b such as tungsten or nichrome wire emits infrared light having a long wavelength of 10 μm or more,
Since the lamp is sealed in the glass tube 6a, infrared light having a wavelength of 4 μm or more is not stable as a wavelength range of the halogen lamp (it may be considered that a wavelength of 4 μm or more cannot pass through the glass tube). Degree, in other words 4
A wavelength longer than μm cannot be used for measurement light.

【００２５】一方、フィルムの代表的な例としてポリプ
ロピレン（Ｐ．Ｐ）の吸収体をとれば、３．３〜３．５
μｍであり、これについて前記Ｍ光，Ｒ1 ，Ｒ2 の内長
波長側Ｒ2 光を５μｍ以上で用いることはできない。つ
まり、ハロゲンランプ使用においてはやむなくＭ光とＲ
1 光の２波長による補正演算した値を用いざるを得な
い。On the other hand, if a polypropylene (PP) absorber is taken as a typical example of the film, it is 3.3 to 3.5.
.mu.m, and it is impossible to use the M light, R2 light of R1 and R2, which is longer than 5 .mu.m. In other words, when using a halogen lamp, M light and R
1 It is inevitable to use the value calculated by correction with two wavelengths of light.

【００２６】さらにまた、前記ガラス管6aにフィラメン
ト6bが封入されているために、光の発光源としては、フ
ィラメント6bから発生する直接光（１次発光）λα₁
とこのフィラメントによって熱せられたガラス管6aから
の別の光（２次発光）λα ₂ とが発生するような関係
が形成され、結果的に、あたかも２つの光源があるよう
に見えるため、走行特性に悪影響が生ずる。Further, a filament is added to the glass tube 6a.
Since the light source 6b is sealed,
Direct light (primary emission) λα generated from the filament 6b₁
And from the glass tube 6a heated by this filament
Another light (secondary emission) λα _TwoRelationship that causes
Is formed, as a result, as if there were two light sources
, The running characteristics are adversely affected.

【００２７】さらに、赤外線発生手段については、図５
のように、光源6 は装置全体の中から見れば点発光源で
あり、この点発光源からの光λαをフィルムＦに照射
するには一般には光学系（レンズ）7 を用いて平行光を
得た上で行なうことも必要とされることがある。このよ
うな場合において、平行光を得るためにはレンズｆ値位
置に当該光源6 を置く必要があったり一方損失光λα
₀ もあり、光源のパワ―を効率よく得られない点や発光
***置で光量等が変化する等の問題点も存在する。勿
論、ハロゲンランプ等発光源にあってはフィラメントが
劣化物であるために短寿命である点も見逃せない。Further, regarding the infrared ray generating means, FIG.
The light source 6 is a point light source when viewed from the whole apparatus. In order to irradiate the film F with the light λα from the point light source, parallel light is generally generated by using an optical system (lens) 7. It may also be necessary to do it once obtained. In such a case, in order to obtain parallel light, it is necessary to place the light source 6 at the position of the lens f-value, or the loss light λα
₀ There is also a source of power - also a problem such that the amount of light or the like is changed by efficiently obtained without dots or light emitting member position exists. Of course, in the case of a light emitting source such as a halogen lamp, the fact that the filament is a deteriorated material and has a short life cannot be overlooked.

【００２８】このようなことから、本発明においては、
赤外線発生手段について以下のように構成したことに特
徴を有するものである。 （イ）Ｍ光，Ｒ1 ／Ｒ2 光を１つの赤外線光源で得るた
めに黒体放射を利用した黒体炉を用いる。つまり、図６
に示すように、ハロゲン波長範囲よりその赤外線波長使
用範囲が広い長波長帯域（例えばフッ化カルシウムＣａ
Ｆ2 を窓材として使用した場合は１０μｍ迄の波長を得
ることができる）赤外線光をＭ光，Ｒ1 ／Ｒ2 光として
使用し、Ｍ光についてＲ1 ／Ｒ2 光を用いることで演算
補正できるようにする。 （ロ）黒体炉を用いた上で、さらに、発光面積を広く
し、損失光を少なくし、光量を効率的に使用し、光源が
あたかも点光源から発光されたように使用し、黒体炉を
使用することによる放射光が時間的，空間的に均一で安
定していることでセンサの目的であるフィルムの厚さ測
定に関し、走行特性等に左右されずに安定した高信頼性
の実現を図る。From the above, in the present invention,
The infrared generating means is characterized in that it is configured as follows. (A) In order to obtain M light and R1 / R2 light with one infrared light source, a blackbody furnace utilizing blackbody radiation is used. That is, FIG.
As shown in the figure, a long wavelength band whose infrared wavelength use range is wider than the halogen wavelength range (for example, calcium fluoride Ca
When F2 is used as a window material, a wavelength of up to 10 μm can be obtained.) Infrared light is used as M light, R1 / R2 light, and calculation correction can be made by using R1 / R2 light for M light. . (B) After using a black body furnace, further increase the light emitting area, reduce the loss light, use the light amount efficiently, use the light source as if it were emitted from a point light source, Realization of stable and high reliability regardless of running characteristics etc. for film thickness measurement, which is the purpose of the sensor, because the radiation emitted by the furnace is uniform and stable in time and space. Plan.

【００２９】図７及び図８は本発明の赤外線厚さ計の他
の具体的一実施例を示す図である。FIGS. 7 and 8 show another specific embodiment of the infrared thickness gauge of the present invention.

【００３０】図７において、10は黒体炉60及び各種のフ
ィルタfeが装着されたフィルタホイルfhが配置される下
センサ部である。9は検出器Ｍからの検出信号を増幅器8
を介して入力し同時にフィルタホイルfhからの回転同
期信号diを入力して同期検波して各波長の光量に応じた
電気信号に変換してＭ光信号Ｍi ，Ｒ1 光信号Ｒ1i，Ｒ
2 光信号Ｒ2iをプロセッサ40のＩ／Ｏ41ａに出力する同
期検波回路である。In FIG. 7, reference numeral 10 denotes a lower sensor section in which a filter body fh on which a black body furnace 60 and various filters fe are mounted is arranged. Reference numeral 9 designates a detection signal from the detector M as an amplifier 8.
, And at the same time, the rotation synchronizing signal di from the filter wheel fh is input and synchronously detected and converted into an electric signal corresponding to the light quantity of each wavelength, and the M optical signal Mi, R1 optical signal R1i, R
2 A synchronous detection circuit that outputs the optical signal R2i to the I / O 41a of the processor 40.

【００３１】このような構成において、その動作は以下
のようになる。物体を熱すると表面から赤外線が放射さ
れる。このときに放射される赤外線量は物体の温度に依
存する。このことを黒体炉に当はめてみると、黒体炉の
温度を制御することにより、黒体炉からの赤外線量を制
御することができるそこで図７においては、プロセッサ
40からこの制御が成される場合を図示するが、勿論別に
黒体炉温度制御回路を設置してこれにより制御されるよ
うに構成してもよいことはいうまでもない。In such a configuration, the operation is as follows. Heating an object emits infrared radiation from the surface. The amount of infrared radiation emitted at this time depends on the temperature of the object. Applying this to a black-body furnace, the amount of infrared rays from the black-body furnace can be controlled by controlling the temperature of the black-body furnace.
The case where this control is performed from 40 is illustrated, but it goes without saying that a blackbody furnace temperature control circuit may be separately installed and controlled by this.

【００３２】黒体炉60から放射された赤外線光はフィル
タfhによってＭ光とＲ1 光とＲ2 光の各成分に分割され
てフィルムＦに照射される。フィルムＦを透過した透過
光は各成分毎に検出器Ｍで検出される。検出された赤外
線光量は増幅器8 で増幅されて同期検波回路9 に導かれ
る。同期検波回路9 において、検出された赤外線光量
は、フィルタホイルfeの回転同期信号diで同期検波さ
れ、各波長の光量に応じた波長成分の電気信号Ｍi ，Ｒ
1i，Ｒ2iに変換され、プロセッサ40に出力される。プロ
セッサ40においては、 Ｍi ／（αＲ1i＋βＲ2i) …（８） によりフィルムの厚さが演算される（但し、α及びβは
任意係数）。この演算された値は表示部5 で表示される
こととなる。The infrared light radiated from the black body furnace 60 is divided into M light, R1 light and R2 light components by the filter fh, and is irradiated on the film F. The transmitted light transmitted through the film F is detected by the detector M for each component. The detected infrared light quantity is amplified by the amplifier 8 and guided to the synchronous detection circuit 9. In the synchronous detection circuit 9, the detected infrared light quantity is synchronously detected by the rotation synchronizing signal di of the filter wheel fe, and the electric signals Mi and R of wavelength components corresponding to the light quantity of each wavelength.
1i and R2i and output to the processor 40. In the processor 40, the thickness of the film is calculated by the following expression: Mi / (αR1i + βR2i) (8, where α and β are arbitrary coefficients). The calculated value is displayed on the display unit 5.

【００３３】このようなＭ光をＲ1 光／Ｒ2 光で補正演
算を行うことで、以下のようなメリットが簡単に得られ
る。 （あ）検出器の温度によるドリフトを補正する。 （い）光源の電源電圧変動によるドリフトを補正でき
る。 （う）検出器と光源の光軸のズレ（検出ヘッドと光源ヘ
ッドは２つの独立した駆動系に搭載されフィルムを上下
に挟んだ形で厚さを測定する構成であるため、どうして
も機構的なズレが発生する）による光量の変化を補正す
る。 （え）フィルムの傾きによる表面反射の損失を補正でき
る。 （お）フィルムに含まれる色素，異物，ヘイズ（濁り）
等、光量の減衰を引起こすものの影響を補正する。 （か）光源以外から検出器に入射する外乱光の影響を補
正できる。 （き）電気回路の温度特性によるドリフトや熱による機
械的歪みの影響を補正できる。The following advantages can be easily obtained by performing such a correction operation on the M light with the R1 light / R2 light. (A) Correct drift due to detector temperature. (I) Drift due to power supply voltage fluctuation of the light source can be corrected. (C) Misalignment of the optical axis between the detector and the light source (Since the detection head and the light source head are mounted on two independent drive systems and the thickness is measured with the film sandwiched vertically, the mechanical A change in the amount of light due to the occurrence of a displacement is corrected. (E) Loss of surface reflection due to film tilt can be corrected. (O) Dye, foreign matter, haze (turbidity) contained in film
And so on, which compensates for the effects of those that cause attenuation of the light amount. (Ii) The influence of disturbance light entering the detector from a source other than the light source can be corrected. (G) The drift due to the temperature characteristics of the electric circuit and the influence of mechanical distortion due to heat can be corrected.

【００３４】図８において、600 は黒体温度を安定に保
つため光学系と発光面とを密閉した構造の黒体炉構造で
ある。より具体的には、黒体炉構造600 は、黒体温度
（発光表面温度）を一定に保ち安定した発光スペクトル
を得るために、光軸以外の光路を断熱材で遮蔽して外部
から密閉した構造とし、光軸上に発光面60ａを平面とな
るように設置した上で、当該発光面60ａからの放射エネ
ルギ―を有効に使用するために、発光面60ａと比較的短
距離に光径の大きい焦点（f1）のコンデンサレンズ70を
配置する。60ｃは黒体炉端面60ｂとコンデンサレンズ70
の焦点f1とを結ぶ直線上で、コンデンサレンズ70の主点
εと結ばれる高さｈ／２の光束位置に設けられる可変構
造又は固定構造の絞りである。このことにより、光径ｈ
の平行光束を比較的容易に得ることができる。In FIG. 8, reference numeral 600 denotes a black body furnace structure having a structure in which an optical system and a light emitting surface are hermetically closed in order to stably maintain a black body temperature. More specifically, in order to obtain a stable emission spectrum while maintaining a constant black body temperature (emission surface temperature), the black body furnace structure 600 is sealed from the outside by shielding the optical paths other than the optical axis with a heat insulating material. After the light emitting surface 60a is installed on the optical axis so as to be flat, the radiant energy from the light emitting surface 60a is effectively used. A condenser lens 70 having a large focus (f1) is arranged. 60c is a black body furnace end face 60b and a condenser lens 70
Is a stop having a variable structure or a fixed structure provided at a light flux position having a height h / 2 which is connected to the principal point ε of the condenser lens 70 on a straight line connecting the focal point f1. As a result, the light diameter h
Can be obtained relatively easily.

【００３５】これにより、フィルムＦの位置が上下セン
サ間（δ）内で任意の位置を取っても照射面積は変動し
ないから、安定した測定値が得られる。又、黒体炉構造
600 は面光源となるために、表面温度にムラがないため
に各小要素面からの発光スペクトルに差がない。故に、
検出器位置が変動しても安定した測定ができる。Thus, even if the position of the film F is set at an arbitrary position between the upper and lower sensors (δ), the irradiation area does not change, so that a stable measurement value can be obtained. Also, black body furnace structure
Since 600 is a surface light source, there is no difference in the emission spectrum from each small element surface because there is no unevenness in the surface temperature. Therefore,
Stable measurement can be performed even if the position of the detector changes.

【００３６】尚、図８のような黒体炉構造において、比
較的容易に平行光が得られることから、赤外線厚さ計と
してφ２〜φ１０ｍｍ前後の照射面積を任意設定したい
場合であっても、光束計φｈをφ１０以上にしておけば
絞り径を変えることで任意の光束系を得ることができ
る。又、図８の黒体炉構造は図７のような用い方もでき
ることはいうまでもない、。この場合には、極端なこと
をいえば絞りをフイルタホイルに装着されるフィルタで
（フィルタ径を絞り径と一致させる）兼用するようにし
てもよい。或は又、図２において、赤外線発生手段とし
て黒体炉を単に用いる構造とすることもできることはい
うまでもない。In the blackbody furnace structure as shown in FIG. 8, since parallel light can be obtained relatively easily, even when it is desired to arbitrarily set an irradiation area of about φ2 to φ10 mm as an infrared thickness gauge, If the light flux meter φh is set to φ10 or more, an arbitrary light flux system can be obtained by changing the aperture diameter. Needless to say, the blackbody furnace structure shown in FIG. 8 can be used as shown in FIG. In this case, in an extreme case, the diaphragm may be shared by a filter mounted on the filter foil (the filter diameter is made equal to the diaphragm diameter). Alternatively, in FIG. 2, it is needless to say that a black body furnace may be simply used as the infrared ray generating means.

【００３７】[0037]

【発明の効果】本発明は、以上説明したように構成され
ているので、次に記載するような効果を奏する。 ：検量線が指数関数なのでフィルム厚さの測定精度が
向上する。 ：スキャニングした時の走行特性の補正量が適切にな
り、プロフィ―ルの測定精度が向上する。 ：黒体炉を用いることによりハロゲンランプ等では測
定できない長波長領域における赤外線光を使用すること
ができることとなり、フィルム厚さ測定を行う際の代表
的な吸収帯（３．２〜３．６μｍ）よりも長波長側を使
用することができる他に、多波長の組合せで多層フィル
ム等についての各成分の厚さ測定をも測定実現可能とな
る。 ：黒体炉の温度を変えることで所定のピ―ク波長及び
エネルギ―の増減をも簡単に得ることが可能となる。 ：黒体炉はハロゲンランプ等のフィラメントのように
劣化物を使用しておらず、装置として長寿命が期待でき
る。 ：安定したムラのない光源が使用できることにより、
時空的にも空間的にも均一（安定）した光束を得ること
ができ、フィルム上をセンサが移動してその厚さを測定
するような構造の装置が持つ特有の走行特性を従来値よ
りも約１０倍向上することができた。 ：図８の黒体炉構造によれば、比較的容易に平行光が
得られ、照射面積を任意設定したい場合であっても任意
の光束系を簡単に得ることができる。Since the present invention is configured as described above, it has the following effects. : Since the calibration curve is an exponential function, the measurement accuracy of the film thickness is improved. : The correction amount of the running characteristics at the time of scanning becomes appropriate, and the measurement accuracy of the profile is improved. : By using a black body furnace, infrared light in a long wavelength region that cannot be measured by a halogen lamp or the like can be used, and a typical absorption band (3.2 to 3.6 μm) when measuring the film thickness. In addition to being able to use the longer wavelength side, it is also possible to measure the thickness of each component of a multilayer film or the like by combining multiple wavelengths. : By changing the temperature of the blackbody furnace, it is possible to easily obtain the predetermined peak wavelength and energy increase / decrease. : The black body furnace does not use a deteriorated material such as a filament of a halogen lamp or the like, and a long life can be expected as an apparatus. : By using a stable light source without unevenness,
Uniform (stable) luminous flux can be obtained both spatio-temporally and spatially. It was able to improve about 10 times. : According to the black body furnace structure of FIG. 8, parallel light can be obtained relatively easily, and even if it is desired to arbitrarily set an irradiation area, an arbitrary luminous flux system can be easily obtained.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図１】本発明の実施例の説明に供する図である。FIG. 1 is a diagram for explaining an embodiment of the present invention.

【図２】図１に用いられる本発明の具体的一実施例のブ
ロック系統図である。FIG. 2 is a block diagram of a specific embodiment of the present invention used in FIG.

【図３】赤外線発生手段の説明に供する図である。FIG. 3 is a diagram provided for explanation of infrared ray generating means.

【図４】赤外線発生手段の説明に供する図である。FIG. 4 is a diagram provided for explanation of infrared ray generating means.

【図５】赤外線発生手段の説明に供する図である。FIG. 5 is a diagram provided for explanation of infrared ray generating means.

【図６】赤外線発生手段の説明に供する図である。FIG. 6 is a diagram provided for explanation of infrared ray generating means.

【図７】本発明の赤外線厚さ計の他の具体的一実施例を
示す図である。FIG. 7 is a diagram showing another specific embodiment of the infrared thickness gauge according to the present invention.

【図８】本発明の赤外線厚さ計の他の具体的一実施例を
示す図である。FIG. 8 is a diagram showing another specific embodiment of the infrared thickness gauge according to the present invention.

【図９】赤外線厚さ計の概要を説明する図である。FIG. 9 is a diagram illustrating an outline of an infrared thickness gauge.

【図１０】従来の技術の説明に供する図である。FIG. 10 is a diagram provided for explanation of a conventional technique.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

Ｆ 測定フィルム（フィルム） Ｎ 赤外線発生手段 Ｍ 検出器 1 10 下センサ部 2 上センサ部 4 40 プロセッサ 5 表示部 60 黒体炉 9 同期検波回路 F Measurement film (film) N Infrared ray generating means M Detector 1 10 Lower sensor 2 Upper sensor 4 40 Processor 5 Display 60 Black body furnace 9 Synchronous detection circuit

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平３−21804（ＪＰ，Ａ) 実開 昭61−163915（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) G01B 11/00 - 11/30 102 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (56) References JP-A-3-21804 (JP, A) JP-A-61-163915 (JP, U) (58) Fields investigated (Int. Cl. ⁷ , DB name) G01B 11/00-11/30 102

Claims (2)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項１】 フレ―ムに組付けられ、被測定体の上，
下面をスキャニングする上部センサ部及び下部センサ部
を有し、一方のセンサ部に組込まれた赤外線発生手段か
ら前記被測定体に向かって照射された赤外線が被測定体
の厚さに応じて吸収された透過光の減衰量を他方のセン
サ部に組込まれた検出器で検出することにより前記被測
定体の厚さを測定する赤外線厚さ計であって、前記被測
定体が無い時の出力をＩ₀ 、前記被測定体の表面反射損
失分をρ、前記被測定体の厚さ（Ｔ）から一義的に求ま
る指数係数を（−ｂ）としたとき、前記被測定体の厚さ
に応じて指数的に減衰する被測定体の厚さ出力（Ｉ）の
関係を、最小２乗法“Ｉ₁ ＝Ｉ₀ （１−ρ）ｅｘｐ（−
ｂＴ）”で求めたフィルム検量線から前記被測定体の厚
さ測定演算をし、当該式の被測定体の表面反射損失分ρ
をゼロとして空気層における走行特性の信号変化分を厚
さ指示値に変換してフレ―ム補正値とするフレ―ム補正
検量線“Ｉ₂ ＝Ｉ₀ ｅｘｐ（―ｂＴ）”で前記被測定体
の厚さゼロ近傍のフレ―ム補正演算をするようにしたこ
とを特徴とする赤外線厚さ計。Claims: 1. An object mounted on a frame, on an object to be measured,
It has an upper sensor section and a lower sensor section for scanning the lower surface, and infrared rays emitted from the infrared ray generating means incorporated in one of the sensor sections toward the object to be measured are absorbed according to the thickness of the object to be measured. An infrared thickness gauge that measures the thickness of the measured object by detecting the amount of attenuation of the transmitted light by a detector incorporated in the other sensor unit, and outputs an output when the measured object is not present. When I ₀ , the surface reflection loss of the object to be measured is ρ, and the exponential coefficient uniquely obtained from the thickness (T) of the object to be measured is (−b), according to the thickness of the object to be measured. The relation of the thickness output (I) of the measured object, which attenuates exponentially, is expressed by the least squares method “I ₁ = I ₀ (1-ρ) exp (−
bT) ”is used to calculate the thickness of the object to be measured from the film calibration curve obtained in“ bT) ”.
Is set to zero, the signal change of the running characteristics in the air layer is converted into a thickness indication value, and the measured value is obtained by a frame correction calibration curve “I ₂ = I ₀ exp (−bT)” which is used as a frame correction value. An infrared thickness gauge characterized by performing a frame correction operation near zero body thickness. 【請求項２】フレームに組付けられ、被測定体の上，下
面をスキャニングする上部センサ部及び下部センサ部を
有し、一方のセンサ部から前記被測定体に向かって照射
された赤外線が前記被測定体の厚さに応じて吸収された
透過光の減衰量を他方のセンサ部に組込まれた検出器で
検出することにより前記被測定体の厚さを測定する赤外
線厚さ計であって、前記一方のセンサ部は一方が開口し
た断熱材からなる容器と、この容器に収納された発熱体
と、この発熱体から放射される赤外線を平行光束とする
為に前記発熱体から所定の距離を保って配置されたレン
ズと、このレンズから出射する赤外線を光軸を中心とす
る所定の径にする為の絞りからなることを特徴とする赤
外線厚さ計。Wherein mounted on the frame, on the object to be measured has an upper sensor portion and a lower sensor unit for scanning a lower surface, infrared emitted toward one of the sensor unit or al the object to be measured An infrared thickness gauge for measuring the thickness of the measurement object by detecting the attenuation of transmitted light absorbed according to the thickness of the measurement object with a detector incorporated in the other sensor unit. One of the sensor units has an opening.
Container made of heat insulating material and heating element contained in this container
And the infrared rays emitted from this heating element as a parallel light flux
A lens placed at a predetermined distance from the heating element
And the infrared light emitted from this lens is centered on the optical axis.
An infrared thickness gauge comprising an aperture for obtaining a predetermined diameter .