JPH04212003A - Infrared thickness gauge - Google Patents
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- JPH04212003A JPH04212003A JP5736091A JP5736091A JPH04212003A JP H04212003 A JPH04212003 A JP H04212003A JP 5736091 A JP5736091 A JP 5736091A JP 5736091 A JP5736091 A JP 5736091A JP H04212003 A JPH04212003 A JP H04212003A
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Links
- 238000011088 calibration curve Methods 0.000 claims abstract description 44
- 238000012937 correction Methods 0.000 claims abstract description 36
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 abstract description 26
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 abstract description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 16
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 10
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 8
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 8
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 7
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 5
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 4
- 230000005457 Black-body radiation Effects 0.000 description 3
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 3
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 3
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 2
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 2
- WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L calcium difluoride Chemical compound [F-].[F-].[Ca+2] WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 229910001634 calcium fluoride Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000295 emission spectrum Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910001120 nichrome Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 1
- -1 polypropylene Polymers 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
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- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
Abstract
Description
【０００１】0001
【産業上の利用分野】本発明は、赤外線光源から放射さ
れる赤外線を用い、この赤外線を例えば測定フィルムや
測定シ―ト等の被測定体（以下「フィルム」という）に
照射し、フィルムの厚さに応じて変化するフィルム透過
光量を検出することでフィルムの厚さをオンラインで測
定する赤外線厚さ計に関するものである。[Industrial Field of Application] The present invention uses infrared rays emitted from an infrared light source, and irradiates the infrared rays onto an object to be measured (hereinafter referred to as "film") such as a measurement film or measurement sheet. This invention relates to an infrared thickness meter that measures the thickness of a film online by detecting the amount of light transmitted through the film, which changes depending on the thickness.
【０００２】0002
【従来の技術】以下従来の技術を図面を用いて説明する
。
図９は赤外線厚さ計の概要を説明する図である。
図１０は従来の技術の説明に供する図である。2. Description of the Related Art The conventional technology will be explained below with reference to the drawings. FIG. 9 is a diagram illustrating an outline of an infrared thickness gauge. FIG. 10 is a diagram for explaining the conventional technology.
【０００３】図９において、赤外線厚さ計は、フィルム
Ｆに赤外線発生手段Ｎを用いて赤外線光を照射（入射光
λα）して透過（一部反射・散乱光λθとなる）させ、
フィルムＦの厚さ（Ｔ）［μｍ］に応じて吸収（μ）さ
れる光（透過光λβ）の減衰量を検出器Ｍで検出してそ
の時の厚さを換算する装置である。この時、赤外線発生
手段Ｎと検出器Ｍは、夫々センサ部としてフィルムＦの
上，下の面をスキャニングするセンサ部１ ，２ 内に
設けられて、通常図示しないフレ―ム構造物に組付けら
れている。尚、赤外線発生手段Ｎと検出器Ｍは基本的に
上，下いずれのセンサ部内に組込まれて構成されてもよ
いが、ここでは図示するように赤外線発生手段Ｎが下側
センサ部１ に組込まれ、検出器Ｍが上側センサ部２
に組込まれた場合で以下、説明する。In FIG. 9, the infrared thickness gauge uses an infrared generating means N to irradiate a film F with infrared light (incident light λα) and transmit it (partially reflected and scattered light λθ).
This device detects the amount of attenuation of light (transmitted light λβ) absorbed (μ) according to the thickness (T) [μm] of the film F with a detector M, and converts the thickness at that time. At this time, the infrared ray generating means N and the detector M are provided in sensor sections 1 and 2 that scan the upper and lower surfaces of the film F, respectively, and are usually assembled to a frame structure (not shown). It is being Incidentally, the infrared ray generating means N and the detector M may basically be configured to be incorporated into either the upper or lower sensor section, but here, as shown in the figure, the infrared ray generating means N is incorporated into the lower sensor section 1. , the detector M is connected to the upper sensor section 2.
The case where it is incorporated in will be explained below.
【０００４】この様な構成において、一般に、フィルム
Ｆの組成分に吸収されて減衰する光の量は、厚さＴの指
数関数で一義的に決まり、指数関数の係数から求めたフ
ィルム検量線（以下「検量線」という）で厚さの測定演
算が行なわれることとなる。In such a configuration, generally, the amount of light absorbed and attenuated by the composition of the film F is uniquely determined by an exponential function of the thickness T, and the film calibration curve ( The thickness will be calculated using the calibration curve (hereinafter referred to as the "calibration curve").
【０００５】ここで、検量線の指数関数（厚さ出力）は
、
Ｉ＝Ｉ０ （１−ρ）ｅｘｐ（−ｂＴ）
…（
１）で表わすことができる。但し、Ｉ０ をフィルムが
無い時の厚さ出力（空気層の出力）、ρをフィルムの表
面反射損失分（反射損失係数）、（−ｂ）をフィルムの
厚さＴから一義的に求まる指数係数（定数，フィルム特
有の吸収係数）とする。Here, the exponential function (thickness output) of the calibration curve is I=I0 (1-ρ)exp(-bT)
…(
1). However, I0 is the thickness output when there is no film (air layer output), ρ is the surface reflection loss of the film (reflection loss coefficient), and (-b) is the index coefficient uniquely determined from the film thickness T. (constant, absorption coefficient specific to the film).
【０００６】図１０において、横軸（Ｘ軸）にフィルム
の厚さＴを取り（例えば一目あたりの厚み“ＢＷＤＩＶ
”を設定する）、縦軸に厚さ出力電圧（Ｙ信号）Ｉを
とった時の、（１）式に基づく特性を検量線という。こ
の検量線は指数関数特性を示す。図１０においては、例
えばフィルムが存在しない時の厚さ出力（空気層の厚さ
出力となる）（Ｉ）の電圧値を３．８（Ｖ）、光を遮断
した時の電圧値を０（Ｖ）になるようにして、各厚さの
フィルムＦに付いて赤外線を透過し、その時得られた出
力電圧値から検量線の指数関数を作成している。尚、図
１０においてＢ部分は（１）式にのっとった純粋の指数
関数カ―ブとなっており、フィルム本来の検量線の特性
を示している。In FIG. 10, the horizontal axis (X-axis) is the film thickness T (for example, the thickness per stitch "BWDIV").
”), and the thickness output voltage (Y signal) I is plotted on the vertical axis, the characteristic based on equation (1) is called a calibration curve. This calibration curve shows an exponential characteristic. In Fig. 10, For example, the voltage value of thickness output (I) when there is no film (this is the thickness output of the air layer) is 3.8 (V), and the voltage value when light is blocked is 0 (V). In this way, the infrared rays are transmitted through the film F of each thickness, and the exponential function of the calibration curve is created from the output voltage value obtained at that time.In addition, in FIG. It is a pure exponential curve, showing the characteristics of the original calibration curve of the film.
【０００７】[0007]
【発明が解決しようとする課題】従来の技術にあっては
、以下のような問題点があった。
（イ）：測定時、入射光λαはフィルム透過前にある割
合でその光量がフィルム表面において反射・散乱光λθ
として損失する関係上、厚さが無限に薄くなった場合（
仮想ゼロ点）にあって、透過吸収で失われる光量がゼロ
近くでも、表面の反射で損失する光量のために、空気層
の厚さ出力近傍の値が得られない。[Problems to be Solved by the Invention] The conventional technology has the following problems. (B): During measurement, the incident light λα is reflected and scattered at a certain rate on the film surface at a certain rate before it passes through the film.
If the thickness becomes infinitely thin due to the loss as
Even if the amount of light lost due to transmission and absorption is close to zero at the virtual zero point, a value close to the air layer thickness output cannot be obtained due to the amount of light lost due to surface reflection.
【０００８】
（ロ）：厚さが薄い領域（厚さゼロ近傍領域）となると
、厚さ出力Ｉを空気層の出力Ｉ０ となるよう強制的に
（１）式について演算している。即ち、反射損失係数ρ
を考慮にいれていないために“Ｉ０ ＝３．８［Ｖ］”
を通る指数関数の近似カ―ブで検量線を演算するので、
厚さが薄い測定領域（空気層領域）では、図１０Ａ部分
で示すように、検量線が歪んでしまう。このために、フ
レ―ム補正（ヘッド走行特性を全幅スキャンで調べてプ
ロセッサに格納し、厚さ測定の際にフレ―ム走行特性を
補正して正確なプロフィ―ルパタ―ンを表示させる動作
をいう）が精度良くできない。(b): When the thickness becomes a thin region (thickness near zero region), the calculation is performed using equation (1) so that the thickness output I becomes the output I0 of the air layer. That is, the reflection loss coefficient ρ
“I0 = 3.8 [V]” because it does not take into account
Since the calibration curve is calculated using the approximate curve of the exponential function that passes through,
In a thin measurement region (air layer region), the calibration curve is distorted as shown in FIG. 10A. For this purpose, frame correction (head running characteristics are examined by full-width scanning and stored in the processor, and the frame running characteristics are corrected during thickness measurement to display an accurate profile pattern) is performed. ) cannot be done accurately.
【０００９】（ハ）：（ロ）から、仮に、空気層領域で
センサ部をスキャニングしても測定指示値はゼロを指示
せず、フレ―ム特有のプロフィ―ルパタ―ンが発生し（
機械的ガタツキやフレ―ムの歪み等で走行特性がでてし
まう）、走行特性を改善するために前記フレ―ム補正を
行っても、赤外線光がフィルムを透過する際にフィルム
表面で反射して失われる光の減衰量を考慮にいれていな
いことにより、厚さの薄い領域で歪んだ検量線が作成さ
れていることから、この薄い領域の検量線を利用したフ
レ―ム補正やオ―トキャル（ＡＵＴ ＣＡＬ：オ―トキ
ャリブレ―ション“自動補正”の略称）で正しい演算が
できない。(c): From (b), even if the sensor section is scanned in the air layer region, the measurement indication value will not indicate zero, and a profile pattern unique to the frame will occur (
Even if the frame correction described above is performed to improve the running characteristics, infrared light is reflected on the film surface when it passes through the film. As a result, a distorted calibration curve is created in a thin region because the amount of attenuation of light lost in the thin region is not taken into consideration. Correct calculation cannot be performed with AUT CAL (abbreviation for auto-calibration "automatic correction").
【００１０】本発明は、従来の技術の有するこのような
問題点に鑑みてなされたものであり、その目的とすると
ころは、測定精度や信頼性を向上させた赤外線厚さ計を
提供するものである。即ち、本発明の目的とするところ
は、検量線を改善し、正しいフレ―ム補正量を演算して
、スキャニング時のプロフィ―ルをよくして測定精度を
向上させた赤外線厚さ計を提供するものである。さらに
は、走行特性による測定誤差の改善、即ち走行補正を施
した赤外線厚さ計を提供するものである。又、本発明の
目的とするところは、赤外線発生手段として黒体放射を
利用した黒体炉を用いて波長領域を拡大することで、測
定精度や信頼性を向上させた赤外線厚さ計を提供するも
のである。さらに又、本発明の目的とするところは、赤
外線発生手段として面発光する黒体放射を利用した黒体
炉構造として均一で且つ安定した光束を作り、この種の
センサの必要とする特有の走行特性及びパスライン特性
の改善を図り、もって測定精度や信頼性を向上させた赤
外線厚さ計を提供するものである。The present invention has been made in view of the above-mentioned problems of the conventional technology, and its purpose is to provide an infrared thickness gauge with improved measurement accuracy and reliability. It is. That is, an object of the present invention is to provide an infrared thickness gauge that improves the calibration curve, calculates the correct frame correction amount, improves the profile during scanning, and improves measurement accuracy. It is something to do. Furthermore, the present invention provides an infrared thickness gauge that improves measurement errors due to running characteristics, that is, performs running correction. Another object of the present invention is to provide an infrared thickness gauge with improved measurement accuracy and reliability by expanding the wavelength range by using a blackbody furnace that uses blackbody radiation as an infrared generation means. It is something to do. Furthermore, it is an object of the present invention to create a uniform and stable luminous flux using a blackbody furnace structure that utilizes surface-emitting blackbody radiation as an infrared ray generating means, and to achieve the characteristic running required by this type of sensor. The object of the present invention is to provide an infrared thickness gauge with improved measurement accuracy and reliability by improving the characteristics and pass line characteristics.
【００１１】[0011]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は、フレ―ムに組付けられ、被測定体の上，
下面をスキャニングする上部センサ部及び下部センサ部
を有し、一方のセンサ部に組込まれた赤外線発生手段か
ら前記被測定体に向かって照射された赤外線が被測定体
の厚さに応じて吸収された透過光の減衰量を他方のセン
サ部に組込まれた検出器で検出することにより前記被測
定体の厚さを測定する赤外線厚さ計であって、（イ）前
記被測定体が無い時の出力をＩ０ 、前記被測定体の表
面反射損失分をρ、前記被測定体の厚さ（Ｔ）から一義
的に求まる指数係数を（−ｂ）としたとき、前記被測定
体の厚さに応じて指数的に減衰する被測定体の厚さ出力
（Ｉ）の関係を、最小２乗法“Ｉ１ ＝Ｉ０ （１−ρ
）ｅｘｐ（−ｂＴ）”で求めたフィルム検量線から前記
被測定体の厚さ測定演算をし、当該式の被測定体の表面
反射損失分ρをゼロとして空気層における走行特性の信
号変化分を厚さ指示値に変換してフレ―ム補正値とする
フレ―ム補正検量線“Ｉ２ ＝Ｉ０ ｅｘｐ（―ｂＴ）
”で前記被測定体の厚さゼロ近傍のフレ―ム補正演算を
するようにしたことを特徴とする赤外線厚さ計。
（ロ）赤外線発生手段を黒体炉としたことを特徴とする
赤外線厚さ計である。[Means for Solving the Problems] In order to achieve the above object, the present invention is assembled into a frame and mounted on a measured object.
It has an upper sensor section and a lower sensor section that scan the lower surface, and the infrared rays irradiated toward the object to be measured from an infrared ray generating means incorporated in one sensor section are absorbed according to the thickness of the object to be measured. An infrared thickness meter that measures the thickness of the object to be measured by detecting the amount of attenuation of the transmitted light with a detector built into the other sensor section, wherein (a) when the object to be measured is not present; When the output of The relationship between the thickness output (I) of the measured object, which decays exponentially according to
)exp(-bT)", calculate the thickness of the object to be measured from the film calibration curve, and set the surface reflection loss ρ of the object in the formula to zero, and calculate the signal change in the running characteristics in the air layer. Frame correction calibration curve "I2 = I0 exp (-bT)" which converts the value into a thickness indication value and uses it as a frame correction value.
``The infrared thickness gauge is characterized in that a frame correction calculation is performed when the thickness of the object to be measured is near zero. It is a thickness gauge.
【００１２】0012
【作用】赤外光がフィルムの表面反射で減衰することを
踏まえて、実際、測定に使用する領域と、フレ―ム補正
用の２つの領域で検量線を作成する。空気層でフレ―ム
補正をするとＴ＝０［μｍ］近傍の歪んだ検量線を使っ
てフレ―ムの走行特性を演算してしまうので、正確なプ
ロフィ―ルパタ―ンが得られなくなる。そこで、測定用
の検量線とは別にフレ―ム補正用の検量線が必要となる
。フレ―ム補正補償タイプの検量線が従来の検量線と違
うところは、厚さの測定演算用には各フィルムの厚さと
出力電圧から求めた指数関数を検量線に使用し、フレ―
ム補正用には指数関数から求めた検量線を使用する。[Operation] Based on the fact that infrared light is attenuated by surface reflection of the film, a calibration curve is actually created in two regions: one for measurement and one for frame correction. If frame correction is performed using an air layer, the running characteristics of the frame will be calculated using a distorted calibration curve near T=0 [μm], making it impossible to obtain an accurate profile pattern. Therefore, a calibration curve for frame correction is required in addition to the calibration curve for measurement. The difference between the frame correction compensation type calibration curve and the conventional calibration curve is that an exponential function obtained from the thickness of each film and the output voltage is used for the thickness measurement calculation.
A calibration curve obtained from an exponential function is used for the system correction.
【００１３】具体的には、フィルムの表面反射があるた
めに、厚さＴが０［μｍ］における検量線では、Ｉ＝Ｉ
０ とならず（前記数値でいえばＩ０ ＝３．８［Ｖ］
のポイントを通らず）、フレ―ム補正用の検量線が作成
できないところから、フレ―ム補正ができないこととな
るので、フレ―ム補正用に別の検量線を設定するために
、フィルムの厚さに応じて指数的に減衰するフィルム厚
さ信号出力の関係を、最小２乗法で求めて、空気層にお
ける走行特性の信号変化分を厚さ指示値に変換してフレ
―ム補正値とする。ここで、検量線はフィルムの厚さを
演算する部分と、厚さ０［μｍ］近傍のフレ―ム補正の
みをする検量線部の２本の検量線を持たせる。Specifically, since there is surface reflection of the film, in the calibration curve when the thickness T is 0 [μm], I=I
0 (in terms of the above numerical values, I0 = 3.8 [V]
Since the calibration curve for frame correction cannot be created, frame correction cannot be performed, so in order to set another calibration curve for frame correction, The relationship between the film thickness signal output, which attenuates exponentially depending on the thickness, is determined by the least squares method, and the change in the signal of the running characteristics in the air layer is converted into a thickness indication value, which is then used as a frame correction value. do. Here, the calibration curve has two calibration curves, one for calculating the thickness of the film and the other for only performing frame correction around the thickness of 0 [μm].
【００１４】即ち、（１）式の検量線に加えて（下記す
る第１図においては（１）式をＩ１ として表わす）、
（１）式の反射率をρ＝０とした指数関数をフレ―ム補
正検量線として、
Ｉ２ ＝Ｉ０ ｅｘｐ（―ｂＴ）
…（２Ａ）つまり、
Ｉ２ ＝３．８ｅｘｐ（―ｂＴ）
…
（２Ｂ）として新たに求めて（故にＴ＝０［μｍ］の時
Ｉ−３．８［Ｖ］となる）、２本の検量線を持たせ、こ
れ等により実際にフレ―ム補正を行う。That is, in addition to the calibration curve of equation (1) (in FIG. 1 below, equation (1) is represented as I1),
Using the exponential function with the reflectance in equation (1) as ρ = 0 as a frame correction calibration curve, I2 = I0 exp (-bT)
...(2A) That is, I2 = 3.8exp(-bT)
…
(2B) (therefore, when T = 0 [μm], it becomes I-3.8 [V]), have two calibration curves, and use these to actually perform frame correction. .
【００１５】ここで、フレ―ムの走行特性による厚さ出
力の変動分（ΔＩ：ドリフト）を厚さの変動分（ΔＴ）
で微分すると、（１）式は、
ΔＩ／ΔＴ＝−ｂＩ０ （１−ρ）・ｅｘｐ（−ｂ
・Ｔ）＝−ｂ・Ｉ …（３）となり、
ΔＴ＝−（１／ｂ）・（ΔＩ／Ｉ）
…（
４）（“ΔＩ／Ｉ”は厚さ出力あたりの厚さ指示信号誤
差となる）から、厚さ変動分ΔＴは一定となる（尚、（
２）式を微分しても同様の結果が得られる）。Here, the variation in thickness output (ΔI: drift) due to the running characteristics of the frame is expressed as the variation in thickness (ΔT).
When differentiated by , equation (1) becomes ΔI/ΔT=-bI0 (1-ρ)・exp(-b
・T)=-b・I...(3), ΔT=-(1/b)・(ΔI/I)
…(
4) (“ΔI/I” is the thickness instruction signal error per thickness output), so the thickness variation ΔT is constant (in addition, (
2) Similar results can be obtained by differentiating the equation).
【００１６】ここで、（２）式において、Ｉ０ ＝３．
８［Ｖ］，Ｔ＝０［μｍ］の時、Ｉ２ ＝３．８［Ｖ］
となるから、定数ｂ２ にフィルムの吸収係数と等しい
値を用いれば、ΔＩ／Ｉは厚さ０［μｍ］近傍を含む測
定範囲全域で等しくなり、正しいフレ―ム補正を行う事
ができる。このようにして、２本の独立した検量線で互
いにフィルム厚さ，フレ―ム補正値を演算するため、夫
々精度のよい演算が行える。Here, in equation (2), I0 =3.
8 [V], when T = 0 [μm], I2 = 3.8 [V]
Therefore, if a value equal to the absorption coefficient of the film is used for the constant b2, ΔI/I will be equal over the entire measurement range including the thickness near 0 [μm], and correct frame correction can be performed. In this way, since the film thickness and frame correction value are mutually calculated using two independent calibration curves, each calculation can be performed with high precision.
【００１７】[0017]
【実施例】実施例について図面を参照して説明する。
尚、以下の図面において、図９乃至図１０と重複する部
分は同一番号を付してその説明は省略する。図１は本発
明の実施例の説明に供する図である。図２は図１に用い
られる本発明の具体的一実施例のブロック系統図である
。[Example] An example will be described with reference to the drawings. In the following drawings, parts that overlap with those in FIGS. 9 and 10 are given the same numbers, and their explanations will be omitted. FIG. 1 is a diagram for explaining an embodiment of the present invention. FIG. 2 is a block system diagram of a specific embodiment of the present invention used in FIG.
【００１８】図１乃至図２において、３ は検量線作成
を行う例えばパソコン等から成る演算手段３ である。
この演算手段３ にあっては、サンプルフィルムの実際
の厚さとその時の上のセンサ部２ からの検出信号出力
とから、（イ）．フィルムの吸収係数ｂを求める。
（ロ）．フィルムの厚さ演算はこの吸収係数に基づいて
求まる検量線で行う。
（ハ）．フレ―ム補正用の検量線は、フィルム厚さ０μ
ｍ近傍の検量線を『Ｉ＝Ｉ０ 』のポイントを通るよう
シフトさせて作成する。In FIGS. 1 and 2, reference numeral 3 denotes a calculation means 3, which is comprised of, for example, a personal computer, and is used to prepare a calibration curve. This calculation means 3 calculates (a) from the actual thickness of the sample film and the detection signal output from the upper sensor section 2 at that time. Determine the absorption coefficient b of the film. (B). The thickness of the film is calculated using a calibration curve determined based on this absorption coefficient. (c). The calibration curve for frame correction is for film thickness 0μ.
A calibration curve in the vicinity of m is created by shifting it so that it passes through the point "I=I0".
【００１９】この演算手段３ で作成された検量線は、
ウェ―ブゲ―ジ（ＷＥＢ ＧＡＧＥ）システムのプロセ
ッサ４ に定数として例えばＩ／Ｏ４１を介してキ―イ
ン入力される。
プロセッサには、演算式等が格納されたＲＯＭ４２，キ
―イン入力等を格納したり読出可能に格納されるＲＡＭ
４３，夫々に格納されるデ―タに基づく所望の演算処理
を行うＣＰＵ４４等が具備されており、このことから、
プロセッサ４ でフィルム厚さの測定・演算が施される
。このときの演算においてフレ―ム補正としては、空気
層で上，下センサ部１ ，２ をスキャニングして、フ
レ―ム各ポイントの電気的変動量を厚さの変化分として
変換して、厚さの補正量とする。測定されたフィルムの
厚さ指示やプロフィ―ル等についてのＣＰＵ４４での測
定演算結果は、Ｉ／Ｏ４１から例えば表示部５ に出力
されて所望の指示・表示がなされる。The calibration curve created by this calculating means 3 is as follows:
It is key-inputted as a constant into the processor 4 of the WEB GAGE system via the I/O 41, for example. The processor includes a ROM 42 in which calculation formulas are stored, and a RAM in which key-in inputs and the like are stored and readable.
43, are equipped with a CPU 44 etc. that performs desired arithmetic processing based on the data stored in each.
The processor 4 measures and calculates the film thickness. In this calculation, frame correction is performed by scanning the upper and lower sensor sections 1 and 2 in the air layer, converting the amount of electrical fluctuation at each point of the frame into a change in thickness, and This is the correction amount for The measurement calculation results of the CPU 44 regarding the measured film thickness instructions, profile, etc. are outputted from the I/O 41 to, for example, the display section 5, where desired instructions and displays are made.
【００２０】ここで、プロセッサ４ へ６４個の折点及
びＸ軸一目あたりの厚みを設定すると仮定すると、演算
された時の得られる第１図の検量線の特性は、６４折れ
線として表現される（Ｘ軸は最大測定値を６０等分した
厚みの倍数となる）。つまり、６４折れ線１ポイント当
たりの厚さＢＷＤＩＶ（Ｔ−Ｄｉｖｉｓｉｏｎ）は、
ＢＷＤＩＶ ＝最大測定値／６０
…（５）となる。[0020] Here, assuming that 64 break points and the thickness per stitch on the X axis are set in the processor 4, the characteristics of the calibration curve in Fig. 1 obtained when calculated are expressed as 64 polygonal lines. (The X-axis is a multiple of the thickness obtained by dividing the maximum measurement value into 60 equal parts). In other words, the thickness BWDIV (T-Division) per point of 64 polygonal lines is
BWDIV = maximum measured value/60
...(5).
【００２１】今、フレ―ム補正用の検量線は、Ｔ＝０の
時Ｙ軸を １６０００に正規化させた信号（検量線格納
デ―タ）とすると、厚さ出力Ｉ２ は、
Ｉ２ ＝１６０００・ｅｘｐ（−ｂ・Ｔ）
…（６
）となるから、第１図に示すように、この折れ線は、Ｏ
［μｍ］を中心にマイナス側に３個（検量線格納用番地
数），プラス側に３個（同上）のフレ―ム補正時の空気
測定を行った場合の特性（フレ―ム補正用検量線）が得
られる。又フィルムの厚さ測定に用いる検量線は（１）
，（２Ｂ）及び（６）式から、
Ｉ１ ＝１６０００・｛Ｉ０ （１−ρ）／３．８｝・
ｅｘｐ（−ｂ・Ｔ）…（７）となる。そして、この様な
計算で求めたデ―タがＲＡＭ４３に格納されて、以後に
測定時において、上センサ部２ からの入力デ―タに基
づき、ＣＰＵ４４での厚さ測定演算に際して使用される
。Now, assuming that the calibration curve for frame correction is a signal (calibration curve storage data) in which the Y axis is normalized to 16000 when T=0, the thickness output I2 is I2 = 16000.・exp(-b・T)
…(6
), so as shown in Figure 1, this polygonal line is O
Characteristics when performing air measurements during frame correction with 3 on the minus side (number of addresses for storing calibration curves) and 3 on the plus side (same as above) centered on [μm] (calibration for frame correction) line) is obtained. The calibration curve used to measure the film thickness is (1)
, (2B) and (6), I1 = 16000・{I0 (1−ρ)/3.8}・
exp(-b·T)...(7). The data obtained through such calculations is stored in the RAM 43 and used in the thickness measurement calculation by the CPU 44 based on the input data from the upper sensor section 2 during subsequent measurements.
【００２２】ここで赤外線発生手段Ｎについてみる。図
３乃至図６は赤外線発生手段の説明に供する図である。Now let's look at the infrared ray generating means N. 3 to 6 are diagrams for explaining the infrared ray generating means.
【００２３】図３乃至図４において、赤外線厚さ計とし
ては、赤外線の３つの波長を用いてフィルムの厚さを測
定することが理想である。つまり、フィルムの吸収帯波
長Ｍ光（測定光）と、このＭ光を挟んで吸収の少ない波
長帯（リファレンス光，参照光）Ｒ１ ，Ｒ２ を用い
、Ｍ光についてＲ１ ，Ｒ２ で補償演算するようにし
てフィルムの厚さを測定することである。In FIGS. 3 and 4, it is ideal for an infrared thickness meter to measure the thickness of a film using three wavelengths of infrared rays. In other words, by using the film absorption band wavelength M light (measurement light) and the wavelength band with low absorption (reference light, reference light) R1 and R2 sandwiching this M light, compensation calculation is performed using R1 and R2 for the M light. to measure the thickness of the film.
【００２４】ところで、現実的には赤外光源としては、
電球管等のような例えばハロゲンランプ等の石英ガラス
等に代表される容器（ガラス管）６ａで覆われた光源６
を用いている。この赤外線を発光する電球において、
タングステンやニクロム線等の発熱体（フィラメント）
６ｂからは１０μｍ以上の長波長の赤外線光が放射され
るが、前記ガラス管６ａに封入されているためにハロゲ
ンランプの波長範囲として４μｍ以上の赤外光が安定し
ないこととなり（実際には４μｍ以上の波長が当該ガラ
ス管を透過できないと考えてよい）、４μｍ程度、言替
えれば４μｍ以上の長い波長は測定光に用いることがで
きないこととなる。By the way, in reality, as an infrared light source,
A light source 6 such as a light bulb covered with a container (glass tube) 6a typified by quartz glass or the like such as a halogen lamp.
is used. In this light bulb that emits infrared rays,
Heating element (filament) such as tungsten or nichrome wire
6b emits infrared light with a long wavelength of 10 μm or more, but since it is enclosed in the glass tube 6a, infrared light with a wavelength of 4 μm or more is not stable as a halogen lamp (actually, it is 4 μm or more). It can be considered that wavelengths longer than 4 μm cannot pass through the glass tube), and in other words, long wavelengths of about 4 μm or more cannot be used as measurement light.
【００２５】一方、フィルムの代表的な例としてポリプ
ロピレン（Ｐ．Ｐ）の吸収体をとれば、３．３〜３．５
μｍであり、これについて前記Ｍ光，Ｒ１ ，Ｒ２ の
内長波長側Ｒ２ 光を５μｍ以上で用いることはできな
い。つまり、ハロゲンランプ使用においてはやむなくＭ
光とＲ１ 光の２波長による補正演算した値を用いざる
を得ない。On the other hand, if we take a polypropylene (PP) absorber as a typical example of a film, the
.mu.m, and the longer wavelength R2 light among the M light, R1, and R2 cannot be used at a wavelength of 5 .mu.m or more. In other words, when using a halogen lamp, M
There is no choice but to use a value calculated by correcting the two wavelengths of light and R1 light.
【００２６】さらにまた、前記ガラス管６ａにフィラメ
ント６ｂが封入されているために、光の発光源としては
、フィラメント６ｂから発生する直接光（１次発光）λ
α１ とこのフィラメントによって熱せられたガラス管
６ａからの別の光（２次発光）λα２ とが発生するよ
うな関係が形成され、結果的に、あたかも２つの光源が
あるように見えるため、走行特性に悪影響が生ずる。Furthermore, since the filament 6b is enclosed in the glass tube 6a, the direct light (primary light emission) λ generated from the filament 6b serves as a light emission source.
A relationship is formed in which α1 and another light (secondary emission) λα2 from the glass tube 6a heated by this filament are generated, and as a result, it appears as if there are two light sources, so the running characteristics will have an adverse effect on
【００２７】さらに、赤外線発生手段については、図５
のように、光源６ は装置全体の中から見れば点発光源
であり、この点発光源からの光λαをフィルムＦに照射
するには一般には光学系（レンズ）７ を用いて平行光
を得た上で行なうことも必要とされることがある。この
ような場合において、平行光を得るためにはレンズｆ値
位置に当該光源６ を置く必要があったり一方損失光λ
α０ もあり、光源のパワ―を効率よく得られない点や
発光***置で光量等が変化する等の問題点も存在する。
勿論、ハロゲンランプ等発光源にあってはフィラメント
が劣化物であるために短寿命である点も見逃せない。Furthermore, regarding the infrared ray generating means, FIG.
As shown in the figure, the light source 6 is a point light source when viewed from the whole device, and in order to irradiate the film F with the light λα from this point light source, an optical system (lens) 7 is generally used to convert parallel light. Sometimes it is necessary to take action after obtaining it. In such a case, in order to obtain parallel light, it is necessary to place the light source 6 at the lens f value position, and on the other hand, the lost light λ
α0, and there are also problems such as inability to obtain the power of the light source efficiently and the amount of light changing depending on the position of the light emitter. Of course, it cannot be overlooked that light emitting sources such as halogen lamps have short lifetimes because their filaments are deteriorated.
【００２８】このようなことから、本発明においては、
赤外線発生手段について以下のように構成したことに特
徴を有するものである。
（イ）Ｍ光，Ｒ１ ／Ｒ２ 光を１つの赤外線光源で得
るために黒体放射を利用した黒体炉を用いる。つまり、
図６に示すように、ハロゲン波長範囲よりその赤外線波
長使用範囲が広い長波長帯域（例えばフッ化カルシウム
ＣａＦ２ を窓材として使用した場合は１０μｍ迄の波
長を得ることができる）赤外線光をＭ光，Ｒ１ ／Ｒ２
光として使用し、Ｍ光についてＲ１ ／Ｒ２ 光を用
いることで演算補正できるようにする。
（ロ）黒体炉を用いた上で、さらに、発光面積を広くし
、損失光を少なくし、光量を効率的に使用し、光源があ
たかも点光源から発光されたように使用し、黒体炉を使
用することによる放射光が時間的，空間的に均一で安定
していることでセンサの目的であるフィルムの厚さ測定
に関し、走行特性等に左右されずに安定した高信頼性の
実現を図る。[0028] For this reason, in the present invention,
The present invention is characterized in that the infrared ray generating means is configured as follows. (a) In order to obtain M light, R1/R2 light with one infrared light source, a black body furnace using black body radiation is used. In other words,
As shown in Figure 6, infrared light in a long wavelength band whose infrared wavelength usage range is wider than the halogen wavelength range (for example, when calcium fluoride CaF2 is used as a window material, wavelengths up to 10 μm can be obtained) is converted into M light. ,R1/R2
By using the R1/R2 light as the M light, calculation correction can be performed. (b) In addition to using a black body furnace, it is possible to widen the light emitting area, reduce loss of light, use the amount of light efficiently, use the light source as if it were emitted from a point light source, and use a black body. By using a furnace, the emitted light is temporally and spatially uniform and stable, making it possible to achieve stable and high reliability in measuring film thickness, which is the purpose of the sensor, regardless of running characteristics, etc. We aim to
【００２９】図７及び図８は本発明の赤外線厚さ計の他
の具体的一実施例を示す図である。FIGS. 7 and 8 are diagrams showing another specific embodiment of the infrared thickness gauge of the present invention.
【００３０】図７において、１０は黒体炉６０及び各種
のフィルタｆｅが装着されたフィルタホイルｆｈが配置
される下センサ部である。９は検出器Ｍからの検出信号
を増幅器８ を介して入力し同時にフィルタホイルｆｈ
からの回転同期信号ｄｉを入力して同期検波して各波長
の光量に応じた電気信号に変換してＭ光信号Ｍｉ ，Ｒ
１ 光信号Ｒ１ｉ，Ｒ２ 光信号Ｒ２ｉをプロセッサ４
０のＩ／Ｏ４１ａに出力する同期検波回路である。In FIG. 7, reference numeral 10 denotes a lower sensor section in which a blackbody furnace 60 and a filter foil fh equipped with various filters fe are arranged. 9 inputs the detection signal from the detector M via the amplifier 8, and at the same time inputs the detection signal from the detector M to the filter wheel fh.
The rotation synchronization signal di from is inputted and synchronously detected, converted into an electrical signal according to the light intensity of each wavelength, and M optical signals Mi, R are generated.
1 Optical signals R1i, R2 Optical signal R2i is sent to processor 4
This is a synchronous detection circuit that outputs to the I/O 41a of 0.
【００３１】このような構成において、その動作は以下
のようになる。物体を熱すると表面から赤外線が放射さ
れる。このときに放射される赤外線量は物体の温度に依
存する。このことを黒体炉に当はめてみると、黒体炉の
温度を制御することにより、黒体炉からの赤外線量を制
御することができるそこで図７においては、プロセッサ
４０からこの制御が成される場合を図示するが、勿論別
に黒体炉温度制御回路を設置してこれにより制御される
ように構成してもよいことはいうまでもない。In such a configuration, the operation is as follows. When an object is heated, infrared radiation is emitted from the surface. The amount of infrared rays emitted at this time depends on the temperature of the object. Applying this to a blackbody furnace, the amount of infrared rays emitted from the blackbody furnace can be controlled by controlling the temperature of the blackbody furnace. Although the case is shown in the figure, it goes without saying that a separate blackbody furnace temperature control circuit may be installed and controlled by this circuit.
【００３２】黒体炉６０から放射された赤外線光はフィ
ルタｆｈによってＭ光とＲ１ 光とＲ２ 光の各成分に
分割されてフィルムＦに照射される。フィルムＦを透過
した透過光は各成分毎に検出器Ｍで検出される。検出さ
れた赤外線光量は増幅器８ で増幅されて同期検波回路
９ に導かれる。同期検波回路９ において、検出され
た赤外線光量は、フィルタホイルｆｅの回転同期信号ｄ
ｉで同期検波され、各波長の光量に応じた波長成分の電
気信号Ｍｉ ，Ｒ１ｉ，Ｒ２ｉに変換され、プロセッサ
４０に出力される。プロセッサ４０においては、
Ｍｉ ／（αＲ１ｉ＋βＲ２ｉ）
…（８）によりフィルムの厚さが演算され
る（但し、α及びβは任意係数）。この演算された値は
表示部５ で表示されることとなる。The infrared light emitted from the blackbody furnace 60 is divided into M light, R1 light, and R2 light components by a filter fh, and is irradiated onto the film F. The transmitted light transmitted through the film F is detected by a detector M for each component. The detected amount of infrared light is amplified by an amplifier 8 and guided to a synchronous detection circuit 9. In the synchronous detection circuit 9, the amount of infrared light detected is determined by the rotation synchronization signal d of the filter foil fe.
The signals are synchronously detected at i, converted into electrical signals Mi, R1i, and R2i of wavelength components corresponding to the light intensity of each wavelength, and output to the processor 40. In the processor 40, Mi /(αR1i+βR2i)
...(8) calculates the thickness of the film (however, α and β are arbitrary coefficients). This calculated value will be displayed on the display section 5.
【００３３】このようなＭ光をＲ１ 光／Ｒ２ 光で補
正演算を行うことで、以下のようなメリットが簡単に得
られる。
（あ）検出器の温度によるドリフトを補正する。
（い）光源の電源電圧変動によるドリフトを補正できる
。
（う）検出器と光源の光軸のズレ（検出ヘッドと光源ヘ
ッドは２つの独立した駆動系に搭載されフィルムを上下
に挟んだ形で厚さを測定する構成であるため、どうして
も機構的なズレが発生する）による光量の変化を補正す
る。
（え）フィルムの傾きによる表面反射の損失を補正でき
る。
（お）フィルムに含まれる色素，異物，ヘイズ（濁り）
等、光量の減衰を引起こすものの影響を補正する。
（か）光源以外から検出器に入射する外乱光の影響を補
正できる。
（き）電気回路の温度特性によるドリフトや熱による機
械的歪みの影響を補正できる。By performing correction calculations on such M light using R1 light/R2 light, the following advantages can be easily obtained. (A) Correct the drift caused by the temperature of the detector. (b) Drifts caused by fluctuations in the power supply voltage of the light source can be corrected. (c) Misalignment of the optical axes of the detector and light source (The detection head and light source head are mounted on two independent drive systems, and the thickness is measured by sandwiching the film above and below, so mechanical problems are inevitable. Corrects changes in light amount due to misalignment). (e) It is possible to correct the loss of surface reflection due to film tilt. (E) Pigments, foreign substances, haze (turbidity) contained in the film
etc., to compensate for the effects of things that cause attenuation of light intensity. (i) It is possible to correct the influence of disturbance light that enters the detector from sources other than the light source. (i) It is possible to correct the effects of drift due to the temperature characteristics of electrical circuits and mechanical distortion due to heat.
【００３４】図８において、６００ は黒体温度を安定
に保つため光学系と発光面とを密閉した構造の黒体炉構
造である。より具体的には、黒体炉構造６００ は、黒
体温度（発光表面温度）を一定に保ち安定した発光スペ
クトルを得るために、光軸以外の光路を断熱材で遮蔽し
て外部から密閉した構造とし、光軸上に発光面６０ａを
平面となるように設置した上で、当該発光面６０ａから
の放射エネルギ―を有効に使用するために、発光面６０
ａと比較的短距離に光径の大きい焦点（ｆ１）のコンデ
ンサレンズ７０を配置する。６０ｃは黒体炉端面６０ｂ
とコンデンサレンズ７０の焦点ｆ１とを結ぶ直線上で、
コンデンサレンズ７０の主点εと結ばれる高さｈ／２の
光束位置に設けられる可変構造又は固定構造の絞りであ
る。このことにより、光径ｈの平行光束を比較的容易に
得ることができる。In FIG. 8, reference numeral 600 denotes a blackbody furnace structure in which the optical system and the light emitting surface are sealed in order to keep the blackbody temperature stable. More specifically, the blackbody furnace structure 600 is constructed by shielding the optical path other than the optical axis with a heat insulating material and sealing it from the outside in order to maintain a constant blackbody temperature (emission surface temperature) and obtain a stable emission spectrum. In order to effectively use the radiant energy from the light emitting surface 60a, the light emitting surface 60a is installed so as to be flat on the optical axis.
A condenser lens 70 having a focal point (f1) with a large optical diameter is arranged at a relatively short distance from a. 60c is the black body furnace end surface 60b
On the straight line connecting and the focal point f1 of the condenser lens 70,
This is a variable or fixed aperture diaphragm provided at a light beam position with a height h/2 connected to the principal point ε of the condenser lens 70. Thereby, a parallel light beam having a light diameter h can be obtained relatively easily.
【００３５】これにより、フィルムＦの位置が上下セン
サ間（δ）内で任意の位置を取っても照射面積は変動し
ないから、安定した測定値が得られる。又、黒体炉構造
６００ は面光源となるために、表面温度にムラがない
ために各小要素面からの発光スペクトルに差がない。故
に、検出器位置が変動しても安定した測定ができる。[0035] As a result, even if the film F is placed at any arbitrary position between the upper and lower sensors (δ), the irradiated area does not change, so that stable measured values can be obtained. Furthermore, since the blackbody furnace structure 600 serves as a surface light source, there is no unevenness in surface temperature, so there is no difference in the emission spectrum from each small element surface. Therefore, stable measurements can be made even if the detector position changes.
【００３６】尚、図８のような黒体炉構造において、比
較的容易に平行光が得られることから、赤外線厚さ計と
してφ２〜φ１０ｍｍ前後の照射面積を任意設定したい
場合であっても、光束計φｈをφ１０以上にしておけば
絞り径を変えることで任意の光束系を得ることができる
。又、図８の黒体炉構造は図７のような用い方もできる
ことはいうまでもない、。この場合には、極端なことを
いえば絞りをフイルタホイルに装着されるフィルタで（
フィルタ径を絞り径と一致させる）兼用するようにして
もよい。或は又、図２において、赤外線発生手段として
黒体炉を単に用いる構造とすることもできることはいう
までもない。In addition, since parallel light can be obtained relatively easily in the black body furnace structure as shown in FIG. By setting the photometer φh to φ10 or more, an arbitrary beam system can be obtained by changing the diameter of the aperture. It goes without saying that the blackbody reactor structure shown in FIG. 8 can also be used as shown in FIG. In this case, in extreme cases, the diaphragm can be replaced by a filter attached to the filter foil (
The filter diameter may be made to match the aperture diameter. Alternatively, in FIG. 2, it goes without saying that a structure may be adopted in which a black body furnace is simply used as the infrared ray generating means.
【００３７】[0037]
【発明の効果】本発明は、以上説明したように構成され
ているので、次に記載するような効果を奏する。
■：検量線が指数関数なのでフィルム厚さの測定精度が
向上する。
■：スキャニングした時の走行特性の補正量が適切にな
り、プロフィ―ルの測定精度が向上する。
■：黒体炉を用いることによりハロゲンランプ等では測
定できない長波長領域における赤外線光を使用すること
ができることとなり、フィルム厚さ測定を行う際の代表
的な吸収帯（３．２〜３．６μｍ）よりも長波長側を使
用することができる他に、多波長の組合せで多層フィル
ム等についての各成分の厚さ測定をも測定実現可能とな
る。
■：黒体炉の温度を変えることで所定のピ―ク波長及び
エネルギ―の増減をも簡単に得ることが可能となる。
■：黒体炉はハロゲンランプ等のフィラメントのように
劣化物を使用しておらず、装置として長寿命が期待でき
る。
■：安定したムラのない光源が使用できることにより、
時空的にも空間的にも均一（安定）した光束を得ること
ができ、フィルム上をセンサが移動してその厚さを測定
するような構造の装置が持つ特有の走行特性を従来値よ
りも約１０倍向上することができた。
■：図８の黒体炉構造によれば、比較的容易に平行光が
得られ、照射面積を任意設定したい場合であっても任意
の光束系を簡単に得ることができる。[Effects of the Invention] Since the present invention is constructed as described above, it produces the following effects. ■: Since the calibration curve is an exponential function, the accuracy of measuring film thickness is improved. ■: The amount of correction for driving characteristics when scanning becomes appropriate, improving profile measurement accuracy. ■: By using a blackbody furnace, it is possible to use infrared light in the long wavelength range that cannot be measured with halogen lamps, etc., and the typical absorption band (3.2 to 3.6 μm) when measuring film thickness. ), it is also possible to measure the thickness of each component of a multilayer film by combining multiple wavelengths. ■: By changing the temperature of the blackbody furnace, it is possible to easily obtain a predetermined increase or decrease in peak wavelength and energy. ■: Blackbody furnaces do not use degraded materials like filaments in halogen lamps, and can be expected to have a long life as a device. ■: By being able to use a stable and even light source,
It is possible to obtain a luminous flux that is uniform (stable) both in time and space, and the unique running characteristics of a device with a structure in which a sensor moves on a film and measures its thickness are better than conventional values. We were able to improve this by approximately 10 times. (2): According to the blackbody furnace structure shown in FIG. 8, parallel light can be obtained relatively easily, and even if the irradiation area is desired to be arbitrarily set, an arbitrary luminous flux system can be easily obtained.
【図１】本発明の実施例の説明に供する図である。FIG. 1 is a diagram for explaining an embodiment of the present invention.
【図２】図１に用いられる本発明の具体的一実施例のブ
ロック系統図である。FIG. 2 is a block system diagram of a specific embodiment of the present invention used in FIG. 1;
【図３】赤外線発生手段の説明に供する図である。FIG. 3 is a diagram illustrating an infrared ray generating means.
【図４】赤外線発生手段の説明に供する図である。FIG. 4 is a diagram for explaining an infrared ray generating means.
【図５】赤外線発生手段の説明に供する図である。FIG. 5 is a diagram for explaining an infrared ray generating means.
【図６】赤外線発生手段の説明に供する図である。FIG. 6 is a diagram for explaining an infrared ray generating means.
【図７】本発明の赤外線厚さ計の他の具体的一実施例を
示す図である。FIG. 7 is a diagram showing another specific embodiment of the infrared thickness gauge of the present invention.
【図８】本発明の赤外線厚さ計の他の具体的一実施例を
示す図である。FIG. 8 is a diagram showing another specific embodiment of the infrared thickness gauge of the present invention.
【図９】赤外線厚さ計の概要を説明する図である。FIG. 9 is a diagram illustrating an outline of an infrared thickness gauge.
【図１０】従来の技術の説明に供する図である。FIG. 10 is a diagram for explaining a conventional technique.
Ｆ 測定フィルム（フィルム） Ｎ 赤外線発生手段 Ｍ 検出器 １ １０ 下センサ部 ２ 上センサ部 ４ ４０ プロセッサ ５ 表示部 ６０ 黒体炉 ９ 同期検波回路 F Measurement film (film) N Infrared ray generation means M Detector 1 10 Lower sensor part 2 Upper sensor part 4 40 processor 5 Display section 60 Blackbody furnace 9 Synchronous detection circuit
Claims (2)
，下面をスキャニングする上部センサ部及び下部センサ
部を有し、一方のセンサ部に組込まれた赤外線発生手段
から前記被測定体に向かって照射された赤外線が被測定
体の厚さに応じて吸収された透過光の減衰量を他方のセ
ンサ部に組込まれた検出器で検出することにより前記被
測定体の厚さを測定する赤外線厚さ計であって、前記被
測定体が無い時の出力をＩ０ 、前記被測定体の表面反
射損失分をρ、前記被測定体の厚さ（Ｔ）から一義的に
求まる指数係数を（−ｂ）としたとき、前記被測定体の
厚さに応じて指数的に減衰する被測定体の厚さ出力（Ｉ
）の関係を、最小２乗法“Ｉ１ ＝Ｉ０ （１−ρ）ｅ
ｘｐ（−ｂＴ）”で求めたフィルム検量線から前記被測
定体の厚さ測定演算をし、当該式の被測定体の表面反射
損失分ρをゼロとして空気層における走行特性の信号変
化分を厚さ指示値に変換してフレ―ム補正値とするフレ
―ム補正検量線“Ｉ２ ＝Ｉ０ ｅｘｐ（―ｂＴ）”で
前記被測定体の厚さゼロ近傍のフレ―ム補正演算をする
ようにしたことを特徴とする赤外線厚さ計。1. It has an upper sensor section and a lower sensor section that are assembled to a frame and scan the upper and lower surfaces of the object to be measured, and the infrared ray generating means built in one sensor section can detect the object to be measured. The thickness of the object to be measured is measured by detecting the amount of attenuation of the transmitted light that is absorbed by the infrared rays irradiated toward the object according to the thickness of the object to be measured with a detector built into the other sensor section. is an infrared thickness meter, in which the output when the object to be measured is absent is I0, the surface reflection loss of the object to be measured is ρ, and the index coefficient uniquely determined from the thickness (T) of the object to be measured. is (-b), the thickness output of the measured object (I
) using the least squares method “I1 = I0 (1-ρ)e
The thickness of the object to be measured is calculated from the film calibration curve obtained by " The frame correction calculation for the thickness of the object to be measured near zero is performed using the frame correction calibration curve "I2 = I0 exp (-bT)" which is converted into a thickness indication value and used as a frame correction value. An infrared thickness gauge characterized by:
，下面をスキャニングする上部センサ部及び下部センサ
部を有し、一方のセンサ部に組込まれた赤外線発生手段
から前記被測定体に向かって照射された赤外線が前記被
測定体の厚さに応じて吸収された透過光の減衰量を他方
のセンサ部に組込まれた検出器で検出することにより前
記被測定体の厚さを測定する赤外線厚さ計であって、赤
外線発生手段を黒体炉としたことを特徴とする赤外線厚
さ計。2. It has an upper sensor section and a lower sensor section that are assembled to a frame and scan the upper and lower surfaces of the object to be measured, and the infrared ray generating means built in one sensor section can detect the object to be measured. The thickness of the object to be measured is determined by detecting the amount of attenuation of the transmitted light that is absorbed by the infrared rays irradiated toward the object according to the thickness of the object to be measured with a detector built in the other sensor part. An infrared thickness gage for measuring infrared thickness, characterized in that an infrared ray generating means is a black body furnace.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP05736091A JP3166185B2 (en) | 1990-05-15 | 1991-03-20 | Infrared thickness gauge |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2-124574 | 1990-05-15 | ||
| JP12457490 | 1990-05-15 | ||
| JP05736091A JP3166185B2 (en) | 1990-05-15 | 1991-03-20 | Infrared thickness gauge |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04212003A true JPH04212003A (en) | 1992-08-03 |
| JP3166185B2 JP3166185B2 (en) | 2001-05-14 |
Family
ID=26398393
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP05736091A Expired - Fee Related JP3166185B2 (en) | 1990-05-15 | 1991-03-20 | Infrared thickness gauge |
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|---|---|---|---|---|
| JP2012512400A (en) * | 2008-12-19 | 2012-05-31 | アイメス サービシーズ ゲーエムベーハー | Apparatus and method for three-dimensional optical measurement of highly reflective or transmissive materials |
| CN108895994A (en) * | 2018-06-01 | 2018-11-27 | 北京核夕菁科技有限公司 | Plating measurement method and apparatus |
| JP2019002035A (en) * | 2017-06-13 | 2019-01-10 | 浙江東尼電子股▲ふん▼有限公司 | Electroplating process method of magnetic material |
| EP3660448A1 (en) | 2018-11-29 | 2020-06-03 | Yokogawa Electric Corporation | Thickness measurement apparatus, thickness measurement method, and thickness measurement program |
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1991
- 1991-03-20 JP JP05736091A patent/JP3166185B2/en not_active Expired - Fee Related
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| US10982949B2 (en) | 2018-11-29 | 2021-04-20 | Yokogawa Electric Corporation | Measurement apparatus, measurement method, and computer readable medium |
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