JP3158733U - 表面実装型ledパッケージ基板 - Google Patents

表面実装型ledパッケージ基板 Download PDF

Info

Publication number
JP3158733U
JP3158733U JP2010000637U JP2010000637U JP3158733U JP 3158733 U JP3158733 U JP 3158733U JP 2010000637 U JP2010000637 U JP 2010000637U JP 2010000637 U JP2010000637 U JP 2010000637U JP 3158733 U JP3158733 U JP 3158733U
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
sealing resin
led package
package substrate
type led
substrate according
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2010000637U
Other languages
English (en)
Inventor
明言 陳
明言 陳
Original Assignee
琉明斯光電科技股▲分▼有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 琉明斯光電科技股▲分▼有限公司 filed Critical 琉明斯光電科技股▲分▼有限公司
Priority to JP2010000637U priority Critical patent/JP3158733U/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3158733U publication Critical patent/JP3158733U/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

【課題】分割する際に封止樹脂を破損させることなく、生産力、歩留まりおよび信頼性を向上可能な表面実装型LEDパッケージ基板を提供する。【解決手段】表面実装型LEDパッケージ基板は、基板10と、複数のLEDチップ20と、封止樹脂30からなる。複数のLEDチップ20は、表面実装技術によって基板10上に固着される。封止樹脂30は、透光性絶縁材料から構成され、LEDチップ20を覆うように基板10の上方に配置される。封止樹脂30は、LEDチップ20の分布によって陥没状に配列された数多くの分割溝31を有する。分割溝31は、横方向また縦方向に配列される。【選択図】図5

Description

本考案は、表面実装型LEDパッケージ基板に関し、特に表面実装型LEDパッケージ基板を分割するための構成に関するものである。
発光ダイオード(light−emitting diode、 LED)は通電によって発光する電子素子である。発光原理は電気エネルギーを光エネルギーに転化させる、即ち化合物半導体に電流を通し、電子とホールとを結合させ、過剰なエネルギーを光に転化させ、放散することによって発光効果を達成することにある。
LED技術の進歩に伴い、LED製品は、輝度の向上だけでなく、早期の指示ランプとしての用途から省エネルギー、エコロジー、長寿命化、小型化などの特性を有する照明および光源製品にまで発展した。応用範囲は一般の照明、自動車照明、街路灯およびバックライトパネルにわたり、市場規模および成長力は非常に注目されるため、全世界中において積極的に発展する事業であると言える。
LEDの需要が日増しに大きくなり、製造工程も日増しに進歩し、表面実装型(Surface Mount Device、 SMD)発光ダイオードが生み出された。図1に示すように、表面実装型LEDパッケージは、表面実装技術(SMT)によって基板10上に複数のLEDチップ20が配置され、そののち基板10に封止樹脂30が塗布され、これを硬化させることによって構成されている。樹脂が硬化した後、カッター40によって表面実装型LEDパッケージの基板を分割し、所定の形のLEDを生成する。
従来のSMTによる封止樹脂30の厚さTは約0.3mm以上であった。封止樹脂30は分割しにくい特性を持っているため、カッター40によって分割作業を行なう際、図2に示すように平坦な分割面に欠陥面35を生成させるという現象が起こりやすいだけでなく、不良率が比較的高い。また、封止樹脂30は均一ではないため、LEDチップ20から放射された光に影響を与え、信頼性を低下させる虞がある。
本考案の主な目的は、分割工程を簡単化及び迅速化し、封止樹脂を破損させることなくLEDパッケージの完全無欠を維持することにより、生産力、歩留まりおよび信頼性を向上可能な表面実装型LEDパッケージ基板を提供することにある。
上述の目的を達成するために、本考案による表面実装型LEDパッケージ基板は、基板、複数のLEDチップおよび封止樹脂を備える。
複数のLEDチップは、表面実装技術によって基板上に固着される。封止樹脂は、LEDチップを覆うように基板の上方に配置される。
本考案の特徴は、次のとおりである。
封止樹脂は、LEDチップの分布によって陥没状に配列された数多くの分割溝を有し、分割溝上の封止樹脂の厚さT1は0.1mmに等しいかそれ以下である。
このように本考案は、表面実装型LEDパッケージ基板を分割するための構成として分割溝上の封止樹脂の厚さを所定の範囲に制限し、分割工程を順調に行なうことができるようにしたものである。
従来のLEDパッケージを示す模式図。 従来のLEDパッケージが分割された後の断面を示す模式図。 本考案の一実施形態による表面実装型LEDパッケージ基板を示す平面図。 本考案の一実施形態による表面実装型LEDパッケージ基板を示す側面図。 図4の部分拡大図。 本考案の一実施形態による表面実装型LEDパッケージ基板が分割された後の断面を示す模式図。 本考案の別の一実施形態による表面実装型LEDパッケージ基板の断面を示す模式図。 本考案また別の一実施形態による表面実装型LEDパッケージ基板の断面を示す模式図。
以下、本考案による表面実装型LEDパッケージ基板の一実施形態を図面に基づいて説明する。
(一実施形態)
図3から図6に示すように、本実施形態のLEDパッケージ基板は、基板10、複数のLEDチップ20および封止樹脂30を備える。
基板10は、セラミックス、エポキシ樹脂および酸化物のうちのいずれか一つから構成される。
複数のLEDチップ20は、表面実装技術によって基板10上に固着される。SMT加工法は本考案の主張範囲ではないため、詳細な説明を省略する。
封止樹脂30は、透光性絶縁材料から構成される。その材質はシリコン樹脂またはエポキシ樹脂であるが、これに限らず効果が同等な材質を使用することが可能である。封止樹脂30は、LEDチップ20を覆うように基板10の上方に配置される。上述したパッケージの構成は先行技術であるため、詳細な説明を省略する。
本実施形態の主な特徴は次のとおりである。封止樹脂30は、LEDチップ20の分布によって陥没状に配列された数多くの分割溝31を有する。分割溝31の配列方向は横方向また縦方向である。本実施形態において、分割溝31は碁盤の目のように縦横交互に配列されるが、これに限らない。
本実施形態は、数回研究開発及び改善された結果、分割溝31上の封止樹脂30の厚さT1が0.1mmに等しいかそれ以下である場合、カッター40によって分割工程を行う際、封止樹脂30を破損させないことが判明した。
分割溝31の幅wは0.3mm±0.2mm、封止樹脂30の厚さT2は0.3mmという数値が比較的好ましいが、これに限られない。
封止樹脂30の製造工程は、モールディング方法(Molding)、射出方法(injection)、スプレー方法(spray)およびコーティング方法(coating)のうちのいずれか一つによって行なわれる。分割溝31の最大厚さは0.1mmに制限される。

本実施形態において、封止樹脂30は表面が平坦面32に形成されるが、これに限らない。
(他の実施形態)
図7に示すように、本考案の他の実施形態において、封止樹脂30の表面は平坦面32に限らず、円弧面33に形成されることも可能である。分割溝31の特徴は前述した実施形態と同じであるため、説明を省略する。
本考案のまた他の実施形態において、封止樹脂30は蛍光粉34を含有するため、LEDチップ20を青色光LEDに成すことが可能である。本実施形態は白色光LEDパッケージとなる。本実施形態において、蛍光粉34はコの字形に、LEDチップ20を覆うように配置されるが、これに限らない。
上述したとおり、本考案は、分割溝上の封止樹脂を所定の厚さに製作するため、分割加工を行なう際、封止樹脂が分割された面の完全無欠を維持し、破損を発生させないことが可能なだけでなく、加工工程の便をはかり、LEDパッケージの生産力、歩留まりおよび信頼性を向上させることができる。
1:基板、20:LEDチップ、30:封止樹脂、31:裁断溝、32:平坦面、33:円弧面、34:蛍光粉、40:カッター

Claims (11)

  1. 基板と、
    表面実装技術によって基板上に固着される複数のLEDチップと、
    LEDチップを覆うように基板の上方に配置される封止樹脂と、を備え、
    封止樹脂は、LEDチップの分布によって陥没状に配列された数多くの分割溝を有し、分割溝上の封止樹脂の厚さは0.1mmに等しいかそれ以下であることを特徴とする表面実装型LEDパッケージ基板。
  2. 分割溝の幅は、0.3mm±0.2mmであることを特徴とする請求項1に記載の表面実装型LEDパッケージ基板。
  3. 封止樹脂の厚さは、0.3mmであることを特徴とする請求項1に記載の表面実装型LEDパッケージ基板。
  4. 封止樹脂の材料は、透光性絶縁材料であることを特徴とする請求項1に記載の表面実装型LEDパッケージ基板。
  5. 透光性絶縁材料は、シリコン樹脂であることを特徴とする請求項4に記載の表面実装型LEDパッケージ基板。
  6. 透光性絶縁材料は、エポキシ樹脂であることを特徴とする請求項4に記載の表面実装型LEDパッケージ基板。
  7. 封止樹脂は、表面が平坦面に形成されることを特徴とする請求項1に記載の表面実装型LEDパッケージ基板。
  8. 封止樹脂は、表面が円弧面に形成されることを特徴とする請求項1に記載の表面実装型LEDパッケージ基板。
  9. 封止樹脂は、蛍光粉を含有することを特徴とする請求項8に記載の表面実装型LEDパッケージ基板。
  10. 封止樹脂は、モールディング方法、射出方法、スプレー方法およびコーティング方法のうちのいずれか一つによって成形されることを特徴とする請求項1に記載の表面実装型LEDパッケージ基板。
  11. 基板は、セラミックス、エポキシ樹脂および酸化物のうちのいずれか一つから構成されることを特徴とする請求項8に記載の表面実装型LEDパッケージ基板。
JP2010000637U 2010-02-03 2010-02-03 表面実装型ledパッケージ基板 Expired - Fee Related JP3158733U (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010000637U JP3158733U (ja) 2010-02-03 2010-02-03 表面実装型ledパッケージ基板

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010000637U JP3158733U (ja) 2010-02-03 2010-02-03 表面実装型ledパッケージ基板

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP3158733U true JP3158733U (ja) 2010-04-15

Family

ID=54862261

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2010000637U Expired - Fee Related JP3158733U (ja) 2010-02-03 2010-02-03 表面実装型ledパッケージ基板

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3158733U (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014216622A (ja) * 2013-04-30 2014-11-17 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014216622A (ja) * 2013-04-30 2014-11-17 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101373710B1 (ko) 엘이디 금속기판 패키지 및 그 제조방법
US20150021633A1 (en) Light-emitting diode package and light-emitting device
US20130241393A1 (en) Luminaire and manufacturing method of the same
JP2010129615A (ja) 発光装置及び照明装置
WO2015010407A1 (zh) 一种led及显示设备
US9048395B2 (en) Light emitting device package, lighting module and lighting system
US9470381B2 (en) Light-emitting device having circular light emission
TW200939450A (en) LED chip package structure manufacturing method for preventing light-emitting efficiency of fluorescent powder from being decreased due to high temperature
CN102820384A (zh) 发光二极管封装结构的制造方法
JP3158733U (ja) 表面実装型ledパッケージ基板
JP2011151112A (ja) 発光装置及び発光装置の製造方法
CN102280563A (zh) 一种高功率led柔性封装
US9222640B2 (en) Coated diffuser cap for LED illumination device
US8945959B2 (en) LED with thin package struture and method for manufacturing the same
US10270022B2 (en) LED (light-emitting diode) module and a light apparatus
KR20150051780A (ko) 고연색성 및 고효율 발광모듈
KR101255747B1 (ko) 발광 소자 모듈 및 이를 포함하는 조명 장치
KR20080092001A (ko) 조명용 발광 다이오드 모듈
KR20120088969A (ko) 양면 발광이 가능한 발광소자 패키지 및 상기 발광소자 패키지의 제조 방법
KR101956128B1 (ko) 테이프 타입의 광소자 패키지 및 그 제조 방법
KR101865272B1 (ko) 발광소자 모듈 및 이의 제조방법
KR100698477B1 (ko) 램프형 파워 엘이디
TWI466332B (zh) Led封裝結構
KR20160146260A (ko) Led 패키지
TWI425672B (zh) 用於製造封裝發光二極體的方法

Legal Events

Date Code Title Description
R150 Certificate of patent (=grant) or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130324

Year of fee payment: 3

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees