JP3155639B2 - 弾性表面波共振子およびその製造方法 - Google Patents
弾性表面波共振子およびその製造方法Info
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Description
好適な弾性表面波共振子および該弾性表面波共振子で構
成したフィルタ装置に関する。
ているLSIと同様に、フォトリソグラフィ技術を使用
して製造可能であるため、量産性に優れ、VHF帯、U
HF帯等において、好適な高周波信号処理装置として、
例えば、テレビジョン受信機の中間周波数フィルタ、V
TRの局部発振器等の分野において広範に使用されてい
る。
形、軽量という特徴から、ポケットベル、携帯電話等の
移動体通信分野で、高周波用フィルタとして応用されて
いる。 例えば、携帯電話機では、単一のアンテナで送
信と受信を行なうため、送信信号と受信信号を分波せし
めるアンテナ分波器に、弾性表面波装置で構成したフィ
ルタ装置が多く使用されている。
失かつ帯域外抑圧度の大きなことが要求される。このよ
うな要求に対する弾性表面波装置として、例えばIDT
型フィルタや弾性表面波共振子を使用して構成したフィ
ルタ装置がある。
上にボンディングパット6を備えたすだれ状電極4を配
置した構成である。
62−116008号公報に記載されているような、一
対の入、出力すだれ状電極で構成されたトランスバーサ
ル型のフィルタ装置に較べ、非常に低損失化を図ること
ができる長所がある。
子およびそれを使用したフィルタ装置である。
同様に、リアクタンス素子を使用して、UHF帯、ある
いは、準マイクロ波帯のフィルタ装置を構成することが
可能である。
例えば、特開昭58−131810号公報、特開昭58
−100521号公報等に開示された技術がある。
ルトラソニックス・シンポジウム、プロシーディング
ス、第381〜384頁(IEEE,1975,ULT
RASONICS SYMPOSIUM PROCEE
DINGS,pp.381〜384)」記載の技術、ま
た、「エレクトロニクス レター 1985年、21
巻、25/26号、第1211〜1212頁(ELEC
TRONICS LETTERS 5th Decem
ber 1985,Vol.21,No.25/26,
pp.1211〜1212)」記載の技術がある。
子とリアクタンス素子とでフィルタ装置を構成する場
合、共振子の共振特性だけでなく、共振子の有する制動
容量、コンダクタンス等が問題になる。
インダクタンス素子と、各接続点に接続した弾性表面共
振子で、いわゆる梯子型フィルタ装置を構成した場合、
外部回路との整合をとるために、弾性表面波共振子の制
動容量は、制限される。
るためには、弾性表面波装置のコンダクタンス、およ
び、制動容量は小さいことが必要である。
周波数は、弾性表面波共振子の制動容量とインダクタン
ス素子の素子値で決まるため、所望の周波数特性を得る
ためには、容量は所望の値であることが必要である。
用している弾性表面波共振子の共振周波数で阻止特性を
得ることができ、この阻止特性における抑圧度を充分大
きくするためには、弾性表面波共振子のコンダクタンス
を大きくすることが必要である。
る場合、弾性表面波共振子の有する電気的特性値は、種
々の制限を受けることになる。
ィルタ装置を構成した場合、全ての条件を満足すること
は困難であり、フィルタ装置の低損失化には限界があっ
た。
解決し、フィルタ装置の構成に好適な弾性表面波共振子
とこれを使用したフィルタ装置および弾性表面波共振子
の製造方法を提供することを目的とする。
め、本発明は、 基板と、すだれ状電極を少なくとも2以
上直列接続した電極群と、該電極群に対し並列に接続し
た容量素子とを有する弾性表面波共振子、および、直列
に接続された複数のインダクタンス素子を有し、前記弾
性表面波共振子を、直列に接続された複数のインダクタ
ンス素子の接続点に接続することを特徴とする。
振子が提供される。すなわち、基板と、すだれ状電極を
少なくとも2以上直列接続した電極群と、該電極群に対
し並列に接続した容量素子を有して構成した弾性表面波
共振子において、前記すだれ状電極を少なくとも2以上
直列接続した電極群の容量値をC0、前記電極群に対し
並列に接続した容量素子の容量値をC1、該弾性表面共
振子の有する容量値をCとし、次式を満足することを条
件として、
振周波数、ftは、フィルタ装置の通過域の中心周波
数、fcは、弾性表面波共振子の容量値とインダクタン
ス素子値で決まるフィルタ装置のカットオフ周波数、k
2は、電気機械結合係数、Csは、すだれ状電極1対当た
りの容量、lsは、フィルタ装置の通過域の損失、uは、
圧電材料で決まる定数、Nは、電極対数、Wは、電極開
口長)前記電極群、並列容量を設けた弾性表面波共振子
である。
共振子の製造方法として、以下の方法が提供される。
を設けた弾性表面波共振子を製造する際、圧電性基板上
に第1の導電性薄膜により第1の電極を形成した後、第
2の導電性薄膜を第1の電極上に形成し、該第2の導電
性薄膜により第1の電極と異なる第2の電極を形成する
弾性表面波共振子の製造方法であって、前記第1の電
極、および、前記第2の電極を形成する工程において、
容量素子を形成すべき圧電性基板上の導電性薄膜を保護
パターンで覆い、第1および第2の電極を形成した後、
容量素子の製造を行う弾性表面波共振子の製造方法が考
えられる。
に導電性薄膜より形成したすだれ状電極を複数個、直列
接続して1開口弾性表面波共振子設け、該直列接続した
すだれ状電極に並列に接続した容量素子を設けるように
構成した。
とにより、弾性表面波共振子の制動容量とは別に、並列
接続した容量素子の容量を変えることで、前記弾性表面
波共振子を構成した場合に要求される容量値に、素子値
を設定することが可能になるため、フィルタ装置の製造
が容易になり、かつ、フィルタ装置の性能を向上するこ
とができる。
る。
子1とインダクタンス素子2を有して梯子型フィルタを
構成する場合を考える。
ため、直列に接続したインダクタンス素子2個と、該接
続点に並列に接続した一開口弾性表面波共振子とで構成
した梯子型フィルタ1段(いわゆるT型フィルタ)につ
いて考える。
充分小さいとし、弾性表面波共振子のサセプタンスを
B、インダクタンスの有するリアクタンス分を、X/2
とすると、その影像インピーダンスZiは、以下のよう
に表わせる。
L1は直列インダクタンスの値である。
L2、C2、また制動容量をCとすると、 B=ωC−(1/(ωL2−1/(ωC2))) となる。
値は、フィルタの阻止周波数に対応する)とすると、f
r=1/(2π・√(L2C2))となり、回路の特性イ
ンピーダンスをRsとすると、上式から、通過域の周波
数ftでの整合条件として次式を得る。
P/(ft2−fr2))) ここで、P=8k2(2k2
+π2)/π4、k2は、電気機械結合係数である。
fc≒(1/2π)・√(4/(L1C)−(1/L2C
2))と近似できる。
て、整理すると整合条件として次式を得る。
iNbO3を使用し、ftが、950MHz、frが、8
20MHz、fcが、1.3GHzのフィルタ装置を構
成することを考える。
りCは3.6pFとなる。
容量をCs、すだれ状電極の電極対数をN、電極開口長
をWとすると、CはNWCsと表わされ、仮に開口長を
100μmとすると、上記容量値を得るためには電極対
数は75対となる。
子の共振インピーダンスは、10Ω程度の大きな値とな
り、フィルタ構成に必要な共振特性を得ることができな
い。逆に、共振インピーダンスが充分小さくなるように
電極対数を大きくすると、制動容量Cが大きな値となっ
てしまったり、開口長を極端に小さくしなければならな
い等の不都合が発生する場合がある。
波共振子を複数個、直列に接続する構成が用いられる。
共振子を、直列に接続することで、共振子が単独の場合
に比べ、共振子全体の容量は小さくなり、共振インピー
ダンスの大幅な増加を、避けることができる。
実現しようとした場合、次のような問題が生ずる。
は、前式のように表わされるが、所望の損失を実現する
ために必要な制動容量の近似式を求めると以下のように
表わされる。
失lsは、粗い近似式として弾性表面波共振子のサセプ
タンスBおよびコンダクタンスG、直列インダクタンス
のリアクタンスXにより、 ls≒10Log(1+GX(1+√BX))(Log
は、常用対数) と表せる。弾性表面波共振子の通過域におけるコンダク
タンスを実験的に調べた結果、電極対数Nと電極開口長
Wに比例する関係があることが、新たに判明した。
を比例定数として次式で表せる。
失の関係式に代入し、整理すると制動容量C0に関す
る、次式を得る。
の容量値は同程度の値とすることができるが、0.5d
B以下の損失を得ようとした場合、損失から決まる制動
容量の値はさらに小さくなるため、整合条件で決定され
る制動容量の値と一致せず、従来の弾性表面波共振子を
使用したのでは、さらに低損失のフィルタ装置の実現を
図れない。
発明においては、図1に示すような直列に接続したイン
ダクタンス素子と、各接続点にて並列に接続した、一開
口弾性表面波共振子を有して構成した梯子型フィルタ装
置において、第一実施例として、図2に示すように、一
開口弾性表面波共振子を3個直列に接続するとともに、
直列接続した弾性表面波共振子に並列に、容量素子を接
続し設ける構成とした。 この場合、並列に接続した容
量素子の容量値をC1とし、弾性表面波共振子の制動容
量とC1の和をCとすると、前記整合条件および損失か
ら定まる容量値の条件は、整合条件については、Cが式
9のように表わされ、C0が式10で、またC1は式9と
式10から決定される容量の差として表わされる。
から要求される容量値は、弾性表面波共振子の制動容量
と容量素子の容量値の和として得られ、他方損失から要
求される制動容量の値は、弾性表面波共振子単独の制動
容量値として得られ、従来の弾性表面波共振子に比べ、
それぞれの条件を満足することが容易となり、設計の自
由度が増加した。
iNbO3圧電基板3の表面にアルミニウム、アルミニ
ウム合金等の導電性薄膜を成膜し、弾性表面波共振子で
あるすだれ状電極4と容量素子5、またこれら電極パタ
−ンとパッケージの端子とを接続するためのボンディン
グパッド6を形成して構成している。
例えば磁歪素子で構成しても良い。
の一例であり、3段梯子型フィルタの特性を示したもの
である。同図に示すように、通過域における損失は、従
来に比べ約0.2dB改善することができた。
方向に対し直角方向に設けた構成である。第1実施例の
ように、弾性表面波の伝搬方向に容量素子を設ける構成
では、弾性表面波共振子の直列接続段数が多い場合に、
基板表面を有効に利用するのに有利であるが、本第2実
施例は、直列接続段数が少ない場合に、基板表面を有効
に利用するのに有利である配置構成である。
(例えばガラス基板等が考えられる)に、容量素子を形
成し、パッケージに設置した後、ワイヤ7により電気的
に並列に接続した構成である。
のパッケージに配置できるため、レイアウトの自由度
が、さらに増加する利点がある。
使用した弾性表面波共振子の製造方法である。
を設けた弾性表面波共振子を製造する際、圧電性基板上
に第1の導電性薄膜により第1の電極を形成した後、第
2の導電性薄膜を第1の電極上に形成し、該第2の導電
性薄膜により第1の電極と異なる第2の電極を形成する
弾性表面波共振子の製造方法であって、前記第1の電
極、および、前記第2の電極を形成する工程において、
容量素子を形成すべき圧電性基板上の導電性薄膜を保護
パターンで覆い、第1および第2の電極を形成した後、
容量素子の製造を行う弾性表面波共振子の製造方法。
電性薄膜より薄いのが好ましい。またここで容量素子
は、弾性表面波共振子に並列に設けた容量部のみなら
ず、すだれ状電極部をも含めて考えるのが好ましい。さ
て、高周波で使用される弾性表面波装置では、すだれ状
電極で発生する弾性表面波の不要な反射、損失等を避け
るため、100nm程度の比較的薄い膜厚の電極が使用
される。
るには、上記膜厚は薄過ぎて接触不良の原因にもなるた
め、通常、最初に膜厚の厚いボンディング用のボンディ
ングパッドを形成し、その後、すだれ状電極の薄膜を形
成してパターニングする方法が行われる。
だれ状電極と同一の薄膜から形成することも可能である
が、特に薄膜の抵抗が問題となる場合、以下に述べる本
実施例の方法により抵抗の低減が可能である。
ば膜厚500nm程度の第1の導電性薄膜たるアルミニ
ウム薄膜を蒸着、または、スパッタ等の方法で成膜す
る。
いて、上記アルミニウム薄膜からボンディングパッドを
形成する。
ミニウム薄膜はフォトレジストで覆いエッチングせずに
残しておく。
00nm程度の第2の導電性薄膜たるアルミニウム薄膜
(第1の導電性薄膜より薄い)を成膜する。
ミニウム薄膜と同様に、フォトリソグラフィ技術により
弾性表面波共振子を形成する。
パターンがエッチングされないように、上記と同様にフ
ォトリソグラフィ技術を用いて、容量素子の電極パタ−
ンを形成して製造を完了する。
厚い導電性薄膜での製造が必要な部分には厚い膜で、ま
た、弾性表面波共振子等の薄い導電性薄膜での製造が必
要な部分には薄い膜での製造ができ、目的・用途に適合
した弾性表面波素子を構成できる。
を構成するため、IDT型共振子のすだれ状電極の開口
長、電極対数等を大きくし、共振点から外れた周波数に
おける上記共振子の抵抗値を小さくした場合でも、容量
値が大きくならないため、フィルタ装置の構成が容易に
なり、装置の性能向上が図れる。また、本発明の弾性表
面波共振子の製造方法によれば、効率の良い製造が行え
る。
ある。
図である。
ある。
図である。
図である。
説明図である。
性基板、4…すだれ状電極、5…容量素子、6…ボンデ
ィングパッド、7…ワイヤ、8…第1のアルミニウム薄
膜、9…第2のアルミニウム薄膜。
Claims (4)
- 【請求項1】基板と、すだれ状電極を少なくとも2以上
直列接続した電極群と、該電極群に対し並列に接続した
容量素子とを有する弾性表面波共振子、および、直列に
接続された複数のインダクタンス素子を有し、 前記弾性表面波共振子を、直列に接続された複数のイン
ダクタンス素子の接続点に接続することを特徴とするフ
ィルタ装置。 - 【請求項2】基板と、すだれ状電極を少なくとも2以上
直列接続した電極群、および、該電極に対し並列に接続
した容量素子を有して構成した弾性表面波共振子と、イ
ンダクタンス素子で、梯子型フィルタを構成したことを
特徴とするフィルタ装置。 - 【請求項3】基板と、すだれ状電極を少なくとも2以上
直列接続した電極群と、該電極群に対し並列に接続した
容量素子を有して構成した弾性表面波共振子において、
前記すだれ状電極を少なくとも2以上直列接続した電極
群の容量値をC0、前記電極群に対し並列に接続した容
量素子の容量値をC1、該弾性表面共振子の有する容量
値をCとし、次式を満足することを条件として、 【数1】 【数2】 【数3】 【数4】 (ただし、frは、弾性表面波共振子の共振周波数、ft
は、フィルタ装置の通過域の中心周波数、fcは、弾性
表面波共振子の容量値とインダクタンス素子値で決まる
フィルタ装置のカットオフ周波数、k2は、電気機械結
合係数、Csは、すだれ状電極1対当たりの容量、ls
は、フィルタ装置の通過域の損失、uは、圧電材料で決
まる定数、Nは、電極対数、Wは、電極開口長)前記電
極群、並列容量を設けたことを特徴とする弾性表面波共
振子。 - 【請求項4】圧電性基板上に電極と容量素子を設けた弾
性表面波共振子を製造する際、圧電性基板上に第1の導
電性薄膜により第1の電極を形成した後、第2の導電性
薄膜を第1の電極上に形成し、該第2の導電性薄膜によ
り第1の電極と異なる第2の電極を形成する弾性表面波
共振子の製造方法であって、前記第1の電極、および、
前記第2の電極を形成する工程において、容量素子を形
成すべき圧電性基板上の導電性薄膜を保護パターンで覆
い、第1および第2の電極を形成した後、容量素子の製
造を行う弾性表面波共振子の製造方法。
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JP01385693A JP3155639B2 (ja) | 1993-01-29 | 1993-01-29 | 弾性表面波共振子およびその製造方法 |
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JPH06232678A JPH06232678A (ja) | 1994-08-19 |
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Family Applications (1)
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JP01385693A Expired - Lifetime JP3155639B2 (ja) | 1993-01-29 | 1993-01-29 | 弾性表面波共振子およびその製造方法 |
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