JP3149525B2 - 高分子液晶化合物および液晶素子 - Google Patents
高分子液晶化合物および液晶素子Info
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Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、新規な高分子液晶化合
物および表示および調光などに用いられる液晶素子に関
する。
物および表示および調光などに用いられる液晶素子に関
する。
【０００２】
【従来の技術および発明が解決しようとする課題】光の
散乱遮光状態および非散乱状態を制御するタイプの液晶
素子は、動的散乱モードをはじめ、スメクチック液晶を
用いるもの、高分子分散型液晶、高分子液晶などいくつ
かのタイプの素子が知られている。このうち高分子液晶
を用いた素子は大型化が容易であり、曲面などの平面以
外の素子も可能であるなどの特徴のため注目されてい
る。
散乱遮光状態および非散乱状態を制御するタイプの液晶
素子は、動的散乱モードをはじめ、スメクチック液晶を
用いるもの、高分子分散型液晶、高分子液晶などいくつ
かのタイプの素子が知られている。このうち高分子液晶
を用いた素子は大型化が容易であり、曲面などの平面以
外の素子も可能であるなどの特徴のため注目されてい
る。
【０００３】しかしながら、これらの高分子液晶を用い
た液晶素子は、コントラストが概して低いという問題点
を有していた。本発明は上記の様な従来の高分子液晶を
用いた液晶素子の難点を解決し、遮光性の改善された液
晶素子を提供することを目的とする。
た液晶素子は、コントラストが概して低いという問題点
を有していた。本発明は上記の様な従来の高分子液晶を
用いた液晶素子の難点を解決し、遮光性の改善された液
晶素子を提供することを目的とする。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は、前記請求項１
に記載の一般式〔Ｉ〕で表わされる繰返し単位からな
る、数平均分子量５０００以上の高分子液晶化合物、お
よびこの高分子液晶化合物を少なくとも一方が透明な電
極付き基板間に挟持したことを特徴とする液晶素子に存
する。
に記載の一般式〔Ｉ〕で表わされる繰返し単位からな
る、数平均分子量５０００以上の高分子液晶化合物、お
よびこの高分子液晶化合物を少なくとも一方が透明な電
極付き基板間に挟持したことを特徴とする液晶素子に存
する。
【０００５】以下本発明を詳細に説明する。本発明の高
分子液晶は例えば下記の合成経路
分子液晶は例えば下記の合成経路
【０００６】
【化２】
【０００７】
【化３】
【０００８】
【化４】
【０００９】（式中、Ｒ′はアルキル基、Ｘ，ｍは前述
と同じ意味を示す）によりアクリル酸エステル基を有す
るモノマー〔II〕又は〔III 〕を合成し、常法により重
合させることにより製造することができる。重合はアゾ
ビスイソブチロニトリル（ＡＩＢＮ）などのアゾ系開始
剤、ベンゾイルパーオキシドなどの過酸化物系開始剤な
どの通常の開始剤を使用できる。また光重合法を採用し
ても良い。
と同じ意味を示す）によりアクリル酸エステル基を有す
るモノマー〔II〕又は〔III 〕を合成し、常法により重
合させることにより製造することができる。重合はアゾ
ビスイソブチロニトリル（ＡＩＢＮ）などのアゾ系開始
剤、ベンゾイルパーオキシドなどの過酸化物系開始剤な
どの通常の開始剤を使用できる。また光重合法を採用し
ても良い。
【００１０】また重合は溶媒の使用もしくは不使用下で
行ないうるが、ベンゼン、トルエン、エチルベンゼンな
どの溶媒を用いて溶液重合を行なうことにより再現性よ
く実施できる。このようにして得られた高分子液晶化合
物を透明電極を有する透明な基板間に挟持して本発明の
液晶素子を構成出来る。
行ないうるが、ベンゼン、トルエン、エチルベンゼンな
どの溶媒を用いて溶液重合を行なうことにより再現性よ
く実施できる。このようにして得られた高分子液晶化合
物を透明電極を有する透明な基板間に挟持して本発明の
液晶素子を構成出来る。
【００１１】この場合、セル・ギャップは数ミクロンな
いし数百ミクロンの範囲で選択できるが、通常は１５〜
７０ミクロンの範囲で好適に実施しうる。本発明の液晶
素子は高い遮光性を有する散乱状態を示し、これに電圧
を印加すると透明状態となる。透明状態は電圧をｏｆｆ
状態としても保持され、これを液晶温度範囲以上に加熱
して冷却すると散乱状態にもどる。
いし数百ミクロンの範囲で選択できるが、通常は１５〜
７０ミクロンの範囲で好適に実施しうる。本発明の液晶
素子は高い遮光性を有する散乱状態を示し、これに電圧
を印加すると透明状態となる。透明状態は電圧をｏｆｆ
状態としても保持され、これを液晶温度範囲以上に加熱
して冷却すると散乱状態にもどる。
【００１２】このような本発明の液晶素子の特性を利用
した表示素子等への応用としては、電気あるいは熱によ
る書込みモードへの応用が考えられる。これらのうち、
代表的なモードとしては、透明状態とした液晶セルにレ
ーザー光により書込む、熱書込みモードのライトバルブ
が挙げられる。このような液晶素子に用いる高分子液晶
組成物としては、本発明の高分子液晶化合物を単独であ
るいは複数種を配合して用いてもよく、更に他の成分と
して赤外線吸収色素あるいは二色性色素等の公知の添加
物を配合してもよく、また単分子の液晶化合物あるいは
液晶組成物を配合してもよい。
した表示素子等への応用としては、電気あるいは熱によ
る書込みモードへの応用が考えられる。これらのうち、
代表的なモードとしては、透明状態とした液晶セルにレ
ーザー光により書込む、熱書込みモードのライトバルブ
が挙げられる。このような液晶素子に用いる高分子液晶
組成物としては、本発明の高分子液晶化合物を単独であ
るいは複数種を配合して用いてもよく、更に他の成分と
して赤外線吸収色素あるいは二色性色素等の公知の添加
物を配合してもよく、また単分子の液晶化合物あるいは
液晶組成物を配合してもよい。
【００１３】
【実施例】本発明を以下の実施例により更に具体的に説
明するが、本発明はこれら実施例により何ら限定されな
い。 〔実施例１〕前記一般式〔II〕において、Ｒ′及びＸが
ブトキシ基、ｎが６であるモノマーをベンゼン中でＡＩ
ＢＮを加えて７０℃で５時間重合させて溶媒を留去し、
下記の繰り返し単位からなる高分子液晶化合物（ガラス
転移温度（Ｔｇ）−２３℃，ネマチックからアイソトロ
ピックへ変化する温度（ＴN-I)＝６１℃；ゲルパーミエ
ーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）による平均分子
量測定値：数平均分子量（ＭＮ）＝７５５８，重量平均
分子量（ＭＷ）＝１２３０３）を得た。
明するが、本発明はこれら実施例により何ら限定されな
い。 〔実施例１〕前記一般式〔II〕において、Ｒ′及びＸが
ブトキシ基、ｎが６であるモノマーをベンゼン中でＡＩ
ＢＮを加えて７０℃で５時間重合させて溶媒を留去し、
下記の繰り返し単位からなる高分子液晶化合物（ガラス
転移温度（Ｔｇ）−２３℃，ネマチックからアイソトロ
ピックへ変化する温度（ＴN-I)＝６１℃；ゲルパーミエ
ーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）による平均分子
量測定値：数平均分子量（ＭＮ）＝７５５８，重量平均
分子量（ＭＷ）＝１２３０３）を得た。
【００１４】
【化５】
【００１５】〔実施例２〕実施例１と同様の方法で下記
の繰り返し単位からなる高分子液晶化合物（Ｔｇ＝−２
℃，スメクチックＡからネマチックへ変化する温度（Ｔ
SA-N）＝３０℃，ＴN-I ＝５９℃）を得た。
の繰り返し単位からなる高分子液晶化合物（Ｔｇ＝−２
℃，スメクチックＡからネマチックへ変化する温度（Ｔ
SA-N）＝３０℃，ＴN-I ＝５９℃）を得た。
【００１６】
【化６】
【００１７】〔実施例３〕上記の実施例と同様にして、
以下の表に示される高分子液晶化合物を得た。
以下の表に示される高分子液晶化合物を得た。
【００１８】
【表１】
【００１９】〔実施例４〕実施例Ｎｏ．３−１１の高分
子液晶化合物を透明電極を有するガラス基板間に挟持し
て、ギャップ５０ミクロンの液晶素子を構成した。本素
子は遮光性の高い散乱状態を示し、５０Ｖの電圧印加で
０．５秒以内に透明状態となった。透明状態の素子を９
０℃に加熱して冷却すると遮光性の高い散乱状態にもど
った。
子液晶化合物を透明電極を有するガラス基板間に挟持し
て、ギャップ５０ミクロンの液晶素子を構成した。本素
子は遮光性の高い散乱状態を示し、５０Ｖの電圧印加で
０．５秒以内に透明状態となった。透明状態の素子を９
０℃に加熱して冷却すると遮光性の高い散乱状態にもど
った。
【００２０】
【発明の効果】本発明の高分子液晶化合物を用いること
により遮光性の高い液晶ライトバルブなどの液晶素子を
構成することができる。
により遮光性の高い液晶ライトバルブなどの液晶素子を
構成することができる。
【図１】本発明の液晶素子の模式的な断面図である。
１ 透明基板 ２ 透明電極 ３ 高分子液晶化合物
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平３−54204（ＪＰ，Ａ) 特開 昭64−56709（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−182644（ＪＰ，Ａ) Ｍｏｌ．Ｃｒｙｓｔ．Ｌｉｑ．Ｃｒｙ ｓｔ．Ｓｃｉ．Ｔｅｃｈｎｏｌ．，Ｓｅ ｃｔ．Ａ．（1995）［258］ｐ．51−60 Ｍｏｌ．Ｃｒｙｓｔ．Ｌｉｑ．Ｃｒｙ ｓｔ．Ｓｃｉ．Ｔｅｃｈｎｏｌ．，Ｓｅ ｃｔ．Ａ．（1994）［241］ｐ．119− 129 Ｊ．Ｍａｔｅｒ．Ｃｈｅｍ．（1993) ３［３］，ｐ．241−245 (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) C08F 20/00 - 20/70 C08F 120/00 - 120/70 C08F 220/00 - 220/70
Claims (2)
- 【請求項１】 下記一般式〔Ｉ〕で表わされる繰返し単
位からなる数平均分子量５０００以上の高分子液晶化合
物。 【化１】 （式中、Ｒはアルコキシ基、Ｘはアルコキシ基、シアノ
基、ｍは０または１、ｎは２〜１８を示す。） - 【請求項２】 請求項１記載の高分子液晶化合物を少な
くとも一方が透明な電極付き基板間に挟持したことを特
徴とする液晶素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11488392A JP3149525B2 (ja) | 1992-05-07 | 1992-05-07 | 高分子液晶化合物および液晶素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11488392A JP3149525B2 (ja) | 1992-05-07 | 1992-05-07 | 高分子液晶化合物および液晶素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05310840A JPH05310840A (ja) | 1993-11-22 |
| JP3149525B2 true JP3149525B2 (ja) | 2001-03-26 |
Family
ID=14649064
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11488392A Expired - Fee Related JP3149525B2 (ja) | 1992-05-07 | 1992-05-07 | 高分子液晶化合物および液晶素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3149525B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6444277B1 (en) | 1993-01-28 | 2002-09-03 | Applied Materials, Inc. | Method for depositing amorphous silicon thin films onto large area glass substrates by chemical vapor deposition at high deposition rates |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0738912A4 (en) * | 1994-09-28 | 1998-12-23 | Mitsui Toatsu Chemicals | POLYMERIC LIQUID CRYSTAL ELEMENT AND PROCESS FOR PRODUCING THE SAME |
| US7919648B2 (en) | 2005-12-08 | 2011-04-05 | Chisso Corporation | Lateral α-substituted acrylate compound and polymer thereof |
| JP5040259B2 (ja) * | 2005-12-08 | 2012-10-03 | Ｊｎｃ株式会社 | 側方α−置換アクリレート化合物およびその重合体 |
| CN102976971A (zh) * | 2012-12-24 | 2013-03-20 | 厦门大学 | 一种聚丙烯酸酯类侧链液晶高分子单体的合成方法 |
| JP6102423B2 (ja) * | 2013-03-29 | 2017-03-29 | Dic株式会社 | 重合性化合物及び光学素子 |
-
1992
- 1992-05-07 JP JP11488392A patent/JP3149525B2/ja not_active Expired - Fee Related
Non-Patent Citations (3)
| Title |
|---|
| Ｊ．Ｍａｔｅｒ．Ｃｈｅｍ．（１９９３）３［３］，ｐ．２４１−２４５ |
| Ｍｏｌ．Ｃｒｙｓｔ．Ｌｉｑ．Ｃｒｙｓｔ．Ｓｃｉ．Ｔｅｃｈｎｏｌ．，Ｓｅｃｔ．Ａ．（１９９４）［２４１］ｐ．１１９−１２９ |
| Ｍｏｌ．Ｃｒｙｓｔ．Ｌｉｑ．Ｃｒｙｓｔ．Ｓｃｉ．Ｔｅｃｈｎｏｌ．，Ｓｅｃｔ．Ａ．（１９９５）［２５８］ｐ．５１−６０ |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6444277B1 (en) | 1993-01-28 | 2002-09-03 | Applied Materials, Inc. | Method for depositing amorphous silicon thin films onto large area glass substrates by chemical vapor deposition at high deposition rates |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05310840A (ja) | 1993-11-22 |
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Legal Events
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