JPH0728226A - 領域的イメージを測定する装置及び方法 - Google Patents
領域的イメージを測定する装置及び方法Info
- Publication number
- JPH0728226A JPH0728226A JP8833894A JP8833894A JPH0728226A JP H0728226 A JPH0728226 A JP H0728226A JP 8833894 A JP8833894 A JP 8833894A JP 8833894 A JP8833894 A JP 8833894A JP H0728226 A JPH0728226 A JP H0728226A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- image
- mask
- adjusting
- data
- light
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
- G03F1/82—Auxiliary processes, e.g. cleaning or inspecting
- G03F1/84—Inspecting
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
- G01N21/956—Inspecting patterns on the surface of objects
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70605—Workpiece metrology
- G03F7/70616—Monitoring the printed patterns
- G03F7/7065—Defects, e.g. optical inspection of patterned layer for defects
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70605—Workpiece metrology
- G03F7/70653—Metrology techniques
- G03F7/70666—Aerial image, i.e. measuring the image of the patterned exposure light at the image plane of the projection system
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/8851—Scan or image signal processing specially adapted therefor, e.g. for scan signal adjustment, for detecting different kinds of defects, for compensating for structures, markings, edges
- G01N2021/8887—Scan or image signal processing specially adapted therefor, e.g. for scan signal adjustment, for detecting different kinds of defects, for compensating for structures, markings, edges based on image processing techniques
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
- G01N21/956—Inspecting patterns on the surface of objects
- G01N2021/95676—Masks, reticles, shadow masks
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- Immunology (AREA)
- Pathology (AREA)
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】フェーズ・シフト・マスクを使って実際のフォ
トレジスト・パターンを露光することなく、そのマスク
の実際の特性を決定する装置及び方法を提供する。 【構成】フォトリトグラフ・マスクの特性を決定するた
めの装置は、多重波長の光源と、周波数選択手段と、コ
ヒーレンス調節手段と、オブジェクトの位置づけ手段
と、数値的アパーチャ調節手段を含み且つマスクの拡大
した光学的に等価のイメージ生成手段と、イメージ捕捉
手段とより成る。フォトリトグラフ・マスクの性能を表
わすイメージを得るための方法は、選択された周波数の
電磁エネルギーを与え、そのエネルギーのコヒーレンス
を調節し、その電磁エネルギーがフォトリトグラフ・マ
スクの選択された部分を照射するようにそのフォトリト
グラフ・マスクを位置付け、そのマスクの拡大された光
学的に等価のステッパ（ｓｔｅｐｐｅｒ）イメージを生
成し、その生成されたイメージを捕捉するステップとよ
り成る。
トレジスト・パターンを露光することなく、そのマスク
の実際の特性を決定する装置及び方法を提供する。 【構成】フォトリトグラフ・マスクの特性を決定するた
めの装置は、多重波長の光源と、周波数選択手段と、コ
ヒーレンス調節手段と、オブジェクトの位置づけ手段
と、数値的アパーチャ調節手段を含み且つマスクの拡大
した光学的に等価のイメージ生成手段と、イメージ捕捉
手段とより成る。フォトリトグラフ・マスクの性能を表
わすイメージを得るための方法は、選択された周波数の
電磁エネルギーを与え、そのエネルギーのコヒーレンス
を調節し、その電磁エネルギーがフォトリトグラフ・マ
スクの選択された部分を照射するようにそのフォトリト
グラフ・マスクを位置付け、そのマスクの拡大された光
学的に等価のステッパ（ｓｔｅｐｐｅｒ）イメージを生
成し、その生成されたイメージを捕捉するステップとよ
り成る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、フォトリトグラフ・マ
スクを量的に評価するための方法及びシステムに関する
ものである。更に詳しく云えば、本発明は、フェーズ・
シフト及びクロム・マスク、並びにそれらの欠陥に関す
るデータを生成でき、その生成されたデータを量的に分
析することによってそれらマスク及び欠陥を評価するの
に有用な光学的イメージを与えることができるシステム
に関するものである。
スクを量的に評価するための方法及びシステムに関する
ものである。更に詳しく云えば、本発明は、フェーズ・
シフト及びクロム・マスク、並びにそれらの欠陥に関す
るデータを生成でき、その生成されたデータを量的に分
析することによってそれらマスク及び欠陥を評価するの
に有用な光学的イメージを与えることができるシステム
に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】小サイズという特徴を持ったマイクロ・
エレクトロニック回路の生産は、対応して小サイズのイ
メージを作成する機能を必要とする。実用上の事項とし
て、可視範囲の光を使用する光学的画像システムは、ほ
ぼ１ミクロンの解像度限界を持っている。
エレクトロニック回路の生産は、対応して小サイズのイ
メージを作成する機能を必要とする。実用上の事項とし
て、可視範囲の光を使用する光学的画像システムは、ほ
ぼ１ミクロンの解像度限界を持っている。
【０００３】より高い解像度のイメージを生成する１つ
の方法は、イメージを生成するために現像されるフォト
レジスト材料を露光するために使用されるエネルギーの
波長を小さくすることである。電磁的スペクトルの紫外
線領域におけるエネルギーは通常の光学素子を通過しな
いであろう。従って、容易に紫外線を透過する石英のよ
うな材料からレンズ及びマスクを作ることが必要であ
る。
の方法は、イメージを生成するために現像されるフォト
レジスト材料を露光するために使用されるエネルギーの
波長を小さくすることである。電磁的スペクトルの紫外
線領域におけるエネルギーは通常の光学素子を通過しな
いであろう。従って、容易に紫外線を透過する石英のよ
うな材料からレンズ及びマスクを作ることが必要であ
る。
【０００４】高解像度のイメージを生成するための極め
て有望な新しいテクノロジは、いわゆる「フェーズ・シ
フト・マスク」の使用を必要とする。典型的には、これ
らマスクは、そのスペクトルの紫外線部分において
「光」又は電磁的エネルギーを映像化する。
て有望な新しいテクノロジは、いわゆる「フェーズ・シ
フト・マスク」の使用を必要とする。典型的には、これ
らマスクは、そのスペクトルの紫外線部分において
「光」又は電磁的エネルギーを映像化する。
【０００５】所定のパターンにおけるマスクの「光学的
厚み」を変更することによって、解像度、焦点の深度、
及びコントラストを強化し得る有利な光学的干渉が生成
時に生じる。従って、所望の特徴がフォトレジスト上に
投影される。しかし、光がマスクを通過した時に生成さ
れたフェーズ・シフトに誤差がある場合、フォトレジス
ト上に生成されたイメージは不正確であるか又は歪んで
おり、上記の利点は実現されないであろう。
厚み」を変更することによって、解像度、焦点の深度、
及びコントラストを強化し得る有利な光学的干渉が生成
時に生じる。従って、所望の特徴がフォトレジスト上に
投影される。しかし、光がマスクを通過した時に生成さ
れたフェーズ・シフトに誤差がある場合、フォトレジス
ト上に生成されたイメージは不正確であるか又は歪んで
おり、上記の利点は実現されないであろう。
【０００６】フェーズ・シフト・マスクの有効性を評価
するための１つの従来方法は機能的テストである。その
マスクは光学的ステッパに置かれ、フォトレジストを露
光するために使用される。生成されたイメージは、意図
した特徴を生成するのにそのマスクが適当であるかどう
かを決定するために評価される。この機能的テストの難
しさは、それが高価であって、時間浪費するものであ
り、しかも、受容し得ないイメージの形成に関与するそ
のマスクの誤差の性質に関する詳細な情報を与えるもの
でないことである。
するための１つの従来方法は機能的テストである。その
マスクは光学的ステッパに置かれ、フォトレジストを露
光するために使用される。生成されたイメージは、意図
した特徴を生成するのにそのマスクが適当であるかどう
かを決定するために評価される。この機能的テストの難
しさは、それが高価であって、時間浪費するものであ
り、しかも、受容し得ないイメージの形成に関与するそ
のマスクの誤差の性質に関する詳細な情報を与えるもの
でないことである。
【０００７】フェーズ・シフト・マスクを評価するため
のもう１つの技法は、そのマスクにおける食刻の深さ及
び種々な層の深さを物理的に測定することである。これ
は実際の物理的寸法の精度を探知し得るけれども、所望
のフェーズ・シフトを行うようにそのマスクが光学的に
働くという保証はない。例えば、好ましいフェーズ・シ
フトは、概略的には、１８０度である。そのようなフェ
ーズ・シフトを行うために取り除かれる石英の深さは、
関心ある波長では１８０度に等しいものとして測定され
るかもしれないけれども、そのフェーズ・シフト・マス
クの特定の領域が所望のフェーズ・シフトを実際に生成
する保証はない。
のもう１つの技法は、そのマスクにおける食刻の深さ及
び種々な層の深さを物理的に測定することである。これ
は実際の物理的寸法の精度を探知し得るけれども、所望
のフェーズ・シフトを行うようにそのマスクが光学的に
働くという保証はない。例えば、好ましいフェーズ・シ
フトは、概略的には、１８０度である。そのようなフェ
ーズ・シフトを行うために取り除かれる石英の深さは、
関心ある波長では１８０度に等しいものとして測定され
るかもしれないけれども、そのフェーズ・シフト・マス
クの特定の領域が所望のフェーズ・シフトを実際に生成
する保証はない。
【０００８】従って、フェーズ・シフト・マスクを使用
して実際のフォトレジスト・パターンを露光する必要な
くそのマスクの実際の性能を決定するための方法及び装
置に対する非常に切実な要求がある。更に、直接的な寸
法測定により得られるものよりもずっと多くマスクの実
際の性能を表わすデータを生じさせる方法及び装置に対
する要求がある。
して実際のフォトレジスト・パターンを露光する必要な
くそのマスクの実際の性能を決定するための方法及び装
置に対する非常に切実な要求がある。更に、直接的な寸
法測定により得られるものよりもずっと多くマスクの実
際の性能を表わすデータを生じさせる方法及び装置に対
する要求がある。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】本発明の主たる目的
は、フォトリトグラフ・マスクの評価のための装置及び
方法を提供することにある。
は、フォトリトグラフ・マスクの評価のための装置及び
方法を提供することにある。
【００１０】本発明のもう１つの目的は、フォトリトグ
ラフ・マスクに関するデータを獲得し、このデータを分
析し、そのマスクの性能の評価を可能にするデータを表
わすイメージを与えるための方法及び装置を提供するこ
とにある。
ラフ・マスクに関するデータを獲得し、このデータを分
析し、そのマスクの性能の評価を可能にするデータを表
わすイメージを与えるための方法及び装置を提供するこ
とにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、フォト
リトグラフ・マスクの特性を決定するための装置は、多
重波長の光源と、その光源からの選択された周波数の光
を供給するための周波数選択手段と、選択された光のコ
ヒーレンスを調節するためのコヒーレンス調節手段と、
１つのオブジェクトをシステムに関して調節可能に位置
付けるための位置づけ手段と、数値的アパーチャを調節
するための調節手段を含み且つマスクの拡大した光学的
に等価のイメージを生成するためのイメージ手段と、そ
のイメージ手段によって生成されたイメージを捕捉する
ためのイメージ捕捉手段とより成る。
リトグラフ・マスクの特性を決定するための装置は、多
重波長の光源と、その光源からの選択された周波数の光
を供給するための周波数選択手段と、選択された光のコ
ヒーレンスを調節するためのコヒーレンス調節手段と、
１つのオブジェクトをシステムに関して調節可能に位置
付けるための位置づけ手段と、数値的アパーチャを調節
するための調節手段を含み且つマスクの拡大した光学的
に等価のイメージを生成するためのイメージ手段と、そ
のイメージ手段によって生成されたイメージを捕捉する
ためのイメージ捕捉手段とより成る。
【００１２】本発明によれば、そのシステムは、イメー
ジ手段の光軸に関してマスク照射光の角度を調節するた
めの角度調節手段より成る。周波数選択手段は、種々の
離散的周波数が選択されるように、その選択された周波
数の調節を可能にする。更に、そのシステムはイメージ
手段により捕捉されたイメージを表示するための表示手
段より成る。更に、そのシステムはイメージ捕捉手段に
より捕捉されたイメージを分析するための分析手段より
成る。好ましくは、その分析手段はプログラムされたデ
ィジタル・コンピュータより成る。更に、そのシステム
は、オブジェクトの照射された領域のサイズを制御する
ための制御手段及び瞳孔占有比（ｐｕｐｉｌ ｆｉｌｌ
ｉｎｇ ｒａｔｉｏ）を調節するための瞳孔占有調節手
段より成る。更に、そのシステムは焦点調節手段より成
り、イメージ捕捉手段は、その焦点調節手段により焦点
が変更されたとき、種々の焦点深度でデータを捕捉す
る。
ジ手段の光軸に関してマスク照射光の角度を調節するた
めの角度調節手段より成る。周波数選択手段は、種々の
離散的周波数が選択されるように、その選択された周波
数の調節を可能にする。更に、そのシステムはイメージ
手段により捕捉されたイメージを表示するための表示手
段より成る。更に、そのシステムはイメージ捕捉手段に
より捕捉されたイメージを分析するための分析手段より
成る。好ましくは、その分析手段はプログラムされたデ
ィジタル・コンピュータより成る。更に、そのシステム
は、オブジェクトの照射された領域のサイズを制御する
ための制御手段及び瞳孔占有比（ｐｕｐｉｌ ｆｉｌｌ
ｉｎｇ ｒａｔｉｏ）を調節するための瞳孔占有調節手
段より成る。更に、そのシステムは焦点調節手段より成
り、イメージ捕捉手段は、その焦点調節手段により焦点
が変更されたとき、種々の焦点深度でデータを捕捉す
る。
【００１３】本発明によれば、フォトリトグラフ・マス
クの性能を表わすイメージを得るための方法は、選択さ
れた周波数の電磁エネルギーを与えるステップと、その
与えられたエネルギーのコヒーレンスを調節するステッ
プと、その電磁エネルギーがフォトリトグラフ・マスク
の選択された部分を照射するようにそのフォトリトグラ
フ・マスクを位置付けるステップと、そのマスクの拡大
された光学的に等価のステッパ（ｓｔｅｐｐｅｒ）イメ
ージを生成するステップと、その生成されたイメージを
捕捉するステップとより成る。
クの性能を表わすイメージを得るための方法は、選択さ
れた周波数の電磁エネルギーを与えるステップと、その
与えられたエネルギーのコヒーレンスを調節するステッ
プと、その電磁エネルギーがフォトリトグラフ・マスク
の選択された部分を照射するようにそのフォトリトグラ
フ・マスクを位置付けるステップと、そのマスクの拡大
された光学的に等価のステッパ（ｓｔｅｐｐｅｒ）イメ
ージを生成するステップと、その生成されたイメージを
捕捉するステップとより成る。
【００１４】本発明の方法によれば、イメージからのデ
ータを分析することができ、マスクの選択された領域を
表わす表示を生成することができる。更にそのマスクを
評価するためには、イメージ手段に対する焦点の上及び
下のポイントにおいて連続したイメージを捕捉すること
ができ、そのマスクの特性を決定するためにそのデータ
を分析することができる。
ータを分析することができ、マスクの選択された領域を
表わす表示を生成することができる。更にそのマスクを
評価するためには、イメージ手段に対する焦点の上及び
下のポイントにおいて連続したイメージを捕捉すること
ができ、そのマスクの特性を決定するためにそのデータ
を分析することができる。
【００１５】
【実施例】図１を参照すると、本発明によるシステム１
０は、光学顕微鏡の特性を多く有する光学システム１２
を含む。コンピュータ１４は、光学システムにおけるい
くつかのコンポーネントを制御するためにその光学シス
テムにインターフェースされる。コンピュータ１４は、
光学システム１２からイメージを得るために、電荷結合
素子に基づくカメラ（即ち、ＣＣＤカメラ）１５にイン
ターフェースされる。このＣＣＤカメラ１５は、米国ア
リゾナ州ツーソンのフォトメトリックス社により製造さ
れたタイプのものでよい。それは、例えば、５１２＊５
１２画素の装置（但し、各画素は１９＊１９ミクロンの
大きさを持つ）でよい。ＣＣＤカメラ１５は、好ましく
は、２４０乃至９００ナノメートルの範囲のスペクトル
感度を有する。
０は、光学顕微鏡の特性を多く有する光学システム１２
を含む。コンピュータ１４は、光学システムにおけるい
くつかのコンポーネントを制御するためにその光学シス
テムにインターフェースされる。コンピュータ１４は、
光学システム１２からイメージを得るために、電荷結合
素子に基づくカメラ（即ち、ＣＣＤカメラ）１５にイン
ターフェースされる。このＣＣＤカメラ１５は、米国ア
リゾナ州ツーソンのフォトメトリックス社により製造さ
れたタイプのものでよい。それは、例えば、５１２＊５
１２画素の装置（但し、各画素は１９＊１９ミクロンの
大きさを持つ）でよい。ＣＣＤカメラ１５は、好ましく
は、２４０乃至９００ナノメートルの範囲のスペクトル
感度を有する。
【００１６】コンピュータ１４は、図４及び図５に関連
して更に十分に後述するソフトウエアでもって動作し、
ＣＣＤカメラ１５からデータを得て分析し、このデータ
をディスプレイ１６上に表示する。そこに表示されたも
のの永久的コピーは、コンピュータ１４にインターフェ
ースされたプリンタ１８によって与えられる。
して更に十分に後述するソフトウエアでもって動作し、
ＣＣＤカメラ１５からデータを得て分析し、このデータ
をディスプレイ１６上に表示する。そこに表示されたも
のの永久的コピーは、コンピュータ１４にインターフェ
ースされたプリンタ１８によって与えられる。
【００１７】図２を参照すると、光学装置１２は、深い
紫外線範囲の波長を含む紫外線を与えるランプ２０を含
む。それは、適当なランプ・ハウジングに装着された１
００ワットのＨｇ−Ｘｅアーク・ランプでよい。ランプ
２０からの光は、光学システム１２による使用のために
特定の波長又はスペクトル線を選択するフィルタ２２に
よって濾波される。そのようなフィルタはこの分野では
よく知られており、光学的ステッパ・システムにおいて
一般に使用されるものとマッチするように、ほぼ２５０
及び３６５ナノメートルの波長を通すよう選択される。
代替として、所望の波長のレーザ又は単色光光源を使用
することも可能である。
紫外線範囲の波長を含む紫外線を与えるランプ２０を含
む。それは、適当なランプ・ハウジングに装着された１
００ワットのＨｇ−Ｘｅアーク・ランプでよい。ランプ
２０からの光は、光学システム１２による使用のために
特定の波長又はスペクトル線を選択するフィルタ２２に
よって濾波される。そのようなフィルタはこの分野では
よく知られており、光学的ステッパ・システムにおいて
一般に使用されるものとマッチするように、ほぼ２５０
及び３６５ナノメートルの波長を通すよう選択される。
代替として、所望の波長のレーザ又は単色光光源を使用
することも可能である。
【００１８】フィルタ２２によって選択された波長のの
エネルギーはコンデンサ・レンズ２４によって集めら
れ、比較的小さい径のビームを形成する。しかし、この
ビームは、一般的には、システム１０を使用して測定を
行うためにフェーズ・シフト・マスクの比較的小さい領
域の照射にとって望ましい寸法よりも大きい寸法のもの
である。コンデンサ・レンズ２４からの光は顕微鏡シス
テム２６を通過させられる。顕微鏡システム２６は、ビ
ーム径をそれの入力におけるサイズの数分の１に減少さ
せる。典型的には、そのビームは、コンデンサ・レンズ
２４から受けたビームの５分の１乃至１０分の１に減少
させられる。
エネルギーはコンデンサ・レンズ２４によって集めら
れ、比較的小さい径のビームを形成する。しかし、この
ビームは、一般的には、システム１０を使用して測定を
行うためにフェーズ・シフト・マスクの比較的小さい領
域の照射にとって望ましい寸法よりも大きい寸法のもの
である。コンデンサ・レンズ２４からの光は顕微鏡シス
テム２６を通過させられる。顕微鏡システム２６は、ビ
ーム径をそれの入力におけるサイズの数分の１に減少さ
せる。典型的には、そのビームは、コンデンサ・レンズ
２４から受けたビームの５分の１乃至１０分の１に減少
させられる。
【００１９】顕微鏡システム２６から発した光はレンズ
・システム２８、追加のレンズ３２、フィールド・レン
ズ３６及びコンデンサ・レンズ・システム３８を含む一
連のリレー・レンズを通過する。レンズ３２とフィール
ド・レンズ３６との間で、光はミラー３４による反射に
よって方向を変える。レンズ２８とレンズ３２との間に
は開口３０があり、それは、十分に後述するように、シ
グマの値の調節、即ち、後述の対物レンズに対する瞳孔
占有比の調節を可能にするという主要な機能を有する。
・システム２８、追加のレンズ３２、フィールド・レン
ズ３６及びコンデンサ・レンズ・システム３８を含む一
連のリレー・レンズを通過する。レンズ３２とフィール
ド・レンズ３６との間で、光はミラー３４による反射に
よって方向を変える。レンズ２８とレンズ３２との間に
は開口３０があり、それは、十分に後述するように、シ
グマの値の調節、即ち、後述の対物レンズに対する瞳孔
占有比の調節を可能にするという主要な機能を有する。
【００２０】ミラー３４とフィールド・レンズ３６の間
の光路には、照射サイズ制御開口３９が設けられる。そ
れは、典型的には、マスクの所望の領域が照射されるよ
うにサイズ決めされる。
の光路には、照射サイズ制御開口３９が設けられる。そ
れは、典型的には、マスクの所望の領域が照射されるよ
うにサイズ決めされる。
【００２１】コンデンサ・レンズ・システム３８から発
する光はステージ４２における開口４０に供給される。
ステージ４２には、評価されるべきフェーズ・シフト・
マスク４４が置かれている。光学システム１２の光軸４
５に関するステージ４２の位置は、その分野ではよく知
られた方法で、機械的手段により３次元的に制御され
る。コンピュータ１４を操作するコンピュータ・プログ
ラムの一部分はその機械的制御システムとインターフェ
ースするように設計されており、従って、そのシステム
により与えられたイメージ・データを適正に記憶するた
めの評価されるマスク４４のその部分から１つのレコー
ドが作られる。更に、コンピュータ・プログラムは、選
択された位置にステージ４２を位置付けるためのコマン
ドをオペレータがその機械的システムに送ることを可能
にする。換言すれば、マスク４４の面におけるＸ及びＹ
の移動は、調べられるべきそのマスクの部分を選択す
る。
する光はステージ４２における開口４０に供給される。
ステージ４２には、評価されるべきフェーズ・シフト・
マスク４４が置かれている。光学システム１２の光軸４
５に関するステージ４２の位置は、その分野ではよく知
られた方法で、機械的手段により３次元的に制御され
る。コンピュータ１４を操作するコンピュータ・プログ
ラムの一部分はその機械的制御システムとインターフェ
ースするように設計されており、従って、そのシステム
により与えられたイメージ・データを適正に記憶するた
めの評価されるマスク４４のその部分から１つのレコー
ドが作られる。更に、コンピュータ・プログラムは、選
択された位置にステージ４２を位置付けるためのコマン
ドをオペレータがその機械的システムに送ることを可能
にする。換言すれば、マスク４４の面におけるＸ及びＹ
の移動は、調べられるべきそのマスクの部分を選択す
る。
【００２２】マスク４４を通過した光は、対物レンズ・
システム４８を有する対物レンズ４６及び０.０３乃至
０.３５の範囲で開口数（ＮＡ）制御のための調節可能
な開口５０に達する。例えば、ＮＡ＝０.４及び倍率５
Ｘのステッパに対するステッパ等価イメージを生成する
ためには、０.４／５、即ち０.０８の開口が選択され
る。或いは、ＮＡ＝０.５及び倍率４Ｘのステッパに対
するもう１つ例では、０.５／４、即ち０.１２５の開口
が選択される。この開口数と瞳孔占有比を設定する開口
３０との間の関係は、図４に関連して後述する。
システム４８を有する対物レンズ４６及び０.０３乃至
０.３５の範囲で開口数（ＮＡ）制御のための調節可能
な開口５０に達する。例えば、ＮＡ＝０.４及び倍率５
Ｘのステッパに対するステッパ等価イメージを生成する
ためには、０.４／５、即ち０.０８の開口が選択され
る。或いは、ＮＡ＝０.５及び倍率４Ｘのステッパに対
するもう１つ例では、０.５／４、即ち０.１２５の開口
が選択される。この開口数と瞳孔占有比を設定する開口
３０との間の関係は、図４に関連して後述する。
【００２３】対物レンズ４６から発した光は、標準的な
顕微鏡レンズ５２によってイメージ面５４に集光され
る。この時点で、イメージは対物レンズ４６の倍率だけ
で大きさを拡大されており、一般には、見るに十分な大
きさではない。追加の拡大レンズ５６がそのイメージの
大きさを再び拡大する。例えば、対物レンズ４６は１０
倍のレンズでよく、一方、拡大レンズ５６は１５倍のレ
ンズでよく、１５０の合計拡大係数を与える。一般に、
１００の桁の係数は満足すべきものである。望遠系の設
計が好ましい。即ち、イメージは焦点の変化によって変
化しないことが好ましい。
顕微鏡レンズ５２によってイメージ面５４に集光され
る。この時点で、イメージは対物レンズ４６の倍率だけ
で大きさを拡大されており、一般には、見るに十分な大
きさではない。追加の拡大レンズ５６がそのイメージの
大きさを再び拡大する。例えば、対物レンズ４６は１０
倍のレンズでよく、一方、拡大レンズ５６は１５倍のレ
ンズでよく、１５０の合計拡大係数を与える。一般に、
１００の桁の係数は満足すべきものである。望遠系の設
計が好ましい。即ち、イメージは焦点の変化によって変
化しないことが好ましい。
【００２４】従来技術ではよく知られているように、集
光するためにマスク４４から対物レンズ４６までの距離
を調節するための必要な処置が取られることは勿論であ
る。これは、コンピュータ１４の制御の下に、手動で又
は適当な駆動機構でもって達成可能である。
光するためにマスク４４から対物レンズ４６までの距離
を調節するための必要な処置が取られることは勿論であ
る。これは、コンピュータ１４の制御の下に、手動で又
は適当な駆動機構でもって達成可能である。
【００２５】レンズ５６からの拡大されたイメージは、
１つのＣＣＤカメラに供給されるイメージである。しか
し、図２には、第１のカメラ１５Ａ及び２つの追加のＣ
ＣＤカメラ１５Ｂ及び１５Ｃが示される。光軸４５に沿
って進む光をカメラ１５Ａ、１５Ｂ及び１５Ｃのための
３つの異なるビームに分割するために、光学的ビーム・
スプリッタ機構が使用される。カメラ１５Ａは、それが
受けるイメージが焦点にあるように位置付けられる。カ
メラＢは、第１方向にわずかに焦点外れしたイメージを
受けるように位置付けられる。カメラＣは、カメラ１５
Ｂが受けたイメージに関してわずかに反対方向に焦点外
れしたイメージを受けるように位置付けられる。
１つのＣＣＤカメラに供給されるイメージである。しか
し、図２には、第１のカメラ１５Ａ及び２つの追加のＣ
ＣＤカメラ１５Ｂ及び１５Ｃが示される。光軸４５に沿
って進む光をカメラ１５Ａ、１５Ｂ及び１５Ｃのための
３つの異なるビームに分割するために、光学的ビーム・
スプリッタ機構が使用される。カメラ１５Ａは、それが
受けるイメージが焦点にあるように位置付けられる。カ
メラＢは、第１方向にわずかに焦点外れしたイメージを
受けるように位置付けられる。カメラＣは、カメラ１５
Ｂが受けたイメージに関してわずかに反対方向に焦点外
れしたイメージを受けるように位置付けられる。
【００２６】カメラ１５Ｂ及び１５Ｃのデータ出力は数
値計算装置６２に送られる。従って、そのデータは実時
間ベースで比較され、その比較の結果はコンピュータ１
４に送られる。それの代わりに、両方の出力をその後の
分析のためにコンピュータ１４に供給することも可能で
ある。
値計算装置６２に送られる。従って、そのデータは実時
間ベースで比較され、その比較の結果はコンピュータ１
４に送られる。それの代わりに、両方の出力をその後の
分析のためにコンピュータ１４に供給することも可能で
ある。
【００２７】カメラ１５Ｂ及び１５Ｃの出力は、位相誤
差の検出可能性を強化するために、装置６２又はコンピ
ュータ１４によって減算され、除算され、或いは他の方
法で操作可能である。
差の検出可能性を強化するために、装置６２又はコンピ
ュータ１４によって減算され、除算され、或いは他の方
法で操作可能である。
【００２８】図２に示されたシステムは、種々のイメー
ジを同時に得ることができ且つ実時間比較を行うことが
できるという利点を持っているけれども、そのシステム
は、図１に示された単一のカメラを使用するものよりも
ずっと高価である。しかし、１つのカメラしか持たない
システムは、焦点を通してマスクを移動させ且つ各位置
に対してデータを記録するならば、同じデータを得るよ
う使用可能である。獲得したデータに関する操作によっ
てイメージ減算が実行可能である。この方法はより大き
い時間消費をするものである。
ジを同時に得ることができ且つ実時間比較を行うことが
できるという利点を持っているけれども、そのシステム
は、図１に示された単一のカメラを使用するものよりも
ずっと高価である。しかし、１つのカメラしか持たない
システムは、焦点を通してマスクを移動させ且つ各位置
に対してデータを記録するならば、同じデータを得るよ
う使用可能である。獲得したデータに関する操作によっ
てイメージ減算が実行可能である。この方法はより大き
い時間消費をするものである。
【００２９】もう１つの代替方法として、差し挟まれた
プレート６６の使用によって合焦状態を変えることがで
きる。このプレートは光路の長さを変える領域及びそれ
を変えない領域を有する。そのプレートは光路に交番的
に挿入及び除去を行うことも可能である。これは動力化
可能であり、例えば、モータ７０によってプレート６６
を回転させ、単一カメラからデータを受けて表示スクリ
ーン上にちらつき領域として欠陥領域を見ることが可能
である。
プレート６６の使用によって合焦状態を変えることがで
きる。このプレートは光路の長さを変える領域及びそれ
を変えない領域を有する。そのプレートは光路に交番的
に挿入及び除去を行うことも可能である。これは動力化
可能であり、例えば、モータ７０によってプレート６６
を回転させ、単一カメラからデータを受けて表示スクリ
ーン上にちらつき領域として欠陥領域を見ることが可能
である。
【００３０】ランプ２０によって与えられる照射の波長
を変えることによって位相誤差に関する追加情報を得る
ことが可能である。好ましくは、その位相誤差が消える
まで波長が変えられる。この場合、所望の波長に対する
位相誤差は正確に計算可能である。例えば、Ｉライン
（３６５ナノメートル）における２００度の位相シフト
は、３２０ナノメートルでは見ることができない（即
ち、１８０度となるであろう）。
を変えることによって位相誤差に関する追加情報を得る
ことが可能である。好ましくは、その位相誤差が消える
まで波長が変えられる。この場合、所望の波長に対する
位相誤差は正確に計算可能である。例えば、Ｉライン
（３６５ナノメートル）における２００度の位相シフト
は、３２０ナノメートルでは見ることができない（即
ち、１８０度となるであろう）。
【００３１】図２の光学的システムの更なる特徴は、マ
スク４４のイメージングを可能にするレンズ５６から開
口３０のイメージングを可能にするレンズ６８に切り替
える機能である。これは、後述の瞳孔占有係数、即ち、
シグマを直接に観察することを可能にする。
スク４４のイメージングを可能にするレンズ５６から開
口３０のイメージングを可能にするレンズ６８に切り替
える機能である。これは、後述の瞳孔占有係数、即ち、
シグマを直接に観察することを可能にする。
【００３２】シグマ及び開口数に関する以下の説明で
は、図３乃至図７を参照する。図２の開口３０は、対物
レンズ４６の開口５０に対してその光学システムにおけ
る共役の位置に位置付けられる。開口３０のサイズ及び
性質の調節は、ステッパ技術の分野においては、照射の
コヒーレンスとして知られているものを決定する。
は、図３乃至図７を参照する。図２の開口３０は、対物
レンズ４６の開口５０に対してその光学システムにおけ
る共役の位置に位置付けられる。開口３０のサイズ及び
性質の調節は、ステッパ技術の分野においては、照射の
コヒーレンスとして知られているものを決定する。
【００３３】図３を参照すると、コンデンサ・レンズ３
８、マスク４４、及びオブジェクト。レンズ４６の瞳の
間の関係が示される。瞳孔占有比、即ち、シグマは角度
Ａの正弦対角度Ｂの正弦として定義される。角度Ａの正
弦は照射の開口数にほぼ等しく、角度Ｂ正弦はイメージ
・レンズの開口数にほぼ等しい。従って、シグマは、照
射の開口数をイメージ・レンズの開口数で除したものに
等しい。
８、マスク４４、及びオブジェクト。レンズ４６の瞳の
間の関係が示される。瞳孔占有比、即ち、シグマは角度
Ａの正弦対角度Ｂの正弦として定義される。角度Ａの正
弦は照射の開口数にほぼ等しく、角度Ｂ正弦はイメージ
・レンズの開口数にほぼ等しい。従って、シグマは、照
射の開口数をイメージ・レンズの開口数で除したものに
等しい。
【００３４】図４、図５及び図６に示されるように、照
射のコヒーレンスを変えるよう開口３０のサイズを変え
ることは有用である。実際に、これは、種々のステッパ
照射システムのモデル化及び特定のフェーズ・シフト・
マスク４４との相互作用をテストすることを可能にす
る。図４において、点光源（かなり小さい開口）が使用
されるため、シグマは実質的にはゼロに等しい。図５で
は、より大きい開口が使用され、シグマは、例えば、
０.３に等しい。図６では、更に大きい開口が使用さ
れ、シグマは、例えば、０.６に等しい。図５及び図６
はインコヒーレントな光源を表わす。
射のコヒーレンスを変えるよう開口３０のサイズを変え
ることは有用である。実際に、これは、種々のステッパ
照射システムのモデル化及び特定のフェーズ・シフト・
マスク４４との相互作用をテストすることを可能にす
る。図４において、点光源（かなり小さい開口）が使用
されるため、シグマは実質的にはゼロに等しい。図５で
は、より大きい開口が使用され、シグマは、例えば、
０.３に等しい。図６では、更に大きい開口が使用さ
れ、シグマは、例えば、０.６に等しい。図５及び図６
はインコヒーレントな光源を表わす。
【００３５】更に複雑な構成の他のタイプの開口を使用
することも可能である。例えば、図７に示されるような
分離軸である４つの小さい開口が使用可能である。種々
のステッパ製造業者により開示されているような他のオ
フ軸照射構成もシミュレート可能である。
することも可能である。例えば、図７に示されるような
分離軸である４つの小さい開口が使用可能である。種々
のステッパ製造業者により開示されているような他のオ
フ軸照射構成もシミュレート可能である。
【００３６】更に、他の照射パターンも利用可能であ
る。例えば、或選択されたタイプのマスクを調べるため
に、開口３０において複数の溝を持った円形プレート又
は位相板が利用可能である。
る。例えば、或選択されたタイプのマスクを調べるため
に、開口３０において複数の溝を持った円形プレート又
は位相板が利用可能である。
【００３７】図８を参照すると、本発明に従ってコンピ
ュータ１４により使用されるコンピュータ・プログラム
の高レベルのフローチャートが示される。そのプログラ
ムは、光学システム１２の機械的制御機構とインターフ
ェースしてそのシステムのユーザに測定を行うようシス
テムを設定させる制御ブロック８０を含む。ステージ位
置付け装置をインターフェースし且つ制御するために、
及び対物レンズ４６（図２）に関してステージ４２の動
きを介してイメージを合焦させるために、適当なモジュ
ールが設けられる。
ュータ１４により使用されるコンピュータ・プログラム
の高レベルのフローチャートが示される。そのプログラ
ムは、光学システム１２の機械的制御機構とインターフ
ェースしてそのシステムのユーザに測定を行うようシス
テムを設定させる制御ブロック８０を含む。ステージ位
置付け装置をインターフェースし且つ制御するために、
及び対物レンズ４６（図２）に関してステージ４２の動
きを介してイメージを合焦させるために、適当なモジュ
ールが設けられる。
【００３８】データ捕捉モジュール８２は、Ｘ−Ｙステ
ージ制御機構から位置に関するデータを、及びＣＣＤカ
メラ１５からイメージ・データを受け取る。受け取られ
たデータは、図９に関連して更に詳細に後述されるデー
タ分析モジュールにおいて分析される。このモジュール
は、フェーズ・シフト・マスク上の位置の関数として生
成されたイメージにおける光の伝達強度及び位相に関す
る出力を与えるべくデータを分析する。
ージ制御機構から位置に関するデータを、及びＣＣＤカ
メラ１５からイメージ・データを受け取る。受け取られ
たデータは、図９に関連して更に詳細に後述されるデー
タ分析モジュールにおいて分析される。このモジュール
は、フェーズ・シフト・マスク上の位置の関数として生
成されたイメージにおける光の伝達強度及び位相に関す
る出力を与えるべくデータを分析する。
【００３９】モジュール８６はデータ表示ブロックであ
る。ステップ８４において行われた分析の結果、ディス
プレイ１６（図１）により使用するための、又はプリン
タ１８によりハード・コピーを作るための適当なイメー
ジが作成される。
る。ステップ８４において行われた分析の結果、ディス
プレイ１６（図１）により使用するための、又はプリン
タ１８によりハード・コピーを作るための適当なイメー
ジが作成される。
【００４０】イメージ・データは、一旦それが収集され
ると、いくつかの方法で分析可能である。フェーズ・シ
フト・マスクの最も重要な２つのパラメータは、その位
相及び伝達値である。イメージ・データと原理的シミュ
レーションとの比較によるこれら位相及び伝達値の決定
を、図９に関連して説明する。
ると、いくつかの方法で分析可能である。フェーズ・シ
フト・マスクの最も重要な２つのパラメータは、その位
相及び伝達値である。イメージ・データと原理的シミュ
レーションとの比較によるこれら位相及び伝達値の決定
を、図９に関連して説明する。
【００４１】ステップ１００において、イメージが上記
のように焦点を通して得られる。システムは特殊なステ
ッパ等価状態をエミュレートするよう設定される。関心
ある特徴のイメージがいくつかの選ばれた焦点面で得ら
れる。これら焦点面の範囲及び数は所望の精度及びエミ
ュレートされる特殊なステッパ条件に依存する。
のように焦点を通して得られる。システムは特殊なステ
ッパ等価状態をエミュレートするよう設定される。関心
ある特徴のイメージがいくつかの選ばれた焦点面で得ら
れる。これら焦点面の範囲及び数は所望の精度及びエミ
ュレートされる特殊なステッパ条件に依存する。
【００４２】ステップ１０２では、ライン又は接点のよ
うな所望の特徴の領域が分析のために選択される。これ
は、全体的特徴、その特徴の特定の領域、又はその特徴
の特定のセクションを介したライン・プロファイルでよ
い。
うな所望の特徴の領域が分析のために選択される。これ
は、全体的特徴、その特徴の特定の領域、又はその特徴
の特定のセクションを介したライン・プロファイルでよ
い。
【００４３】ステップ１０４では、適当な範囲のマスク
位相及び伝達値を使用する理論的計算が、そのシステム
によりエミュレートされた特殊なステッパ等価条件にお
いて関心ある特徴に対して行われる。これらの計算の結
果、測定されるべきデータとの比較のために使用される
べき焦点通過の空虚イメージの位相対伝達マトリクスが
生じる。特徴のライブラリが発生され、コンピュータ１
４（図１）と関連のメモリに記憶される。
位相及び伝達値を使用する理論的計算が、そのシステム
によりエミュレートされた特殊なステッパ等価条件にお
いて関心ある特徴に対して行われる。これらの計算の結
果、測定されるべきデータとの比較のために使用される
べき焦点通過の空虚イメージの位相対伝達マトリクスが
生じる。特徴のライブラリが発生され、コンピュータ１
４（図１）と関連のメモリに記憶される。
【００４４】ステップ１０６では、理論的な空虚イメー
ジ（ブロック１０４において定義され、コンピュータ１
４のメモリに記憶された）に対する測定されたデータの
適正な数値的適合性が、焦点通過位相全体対伝送イメー
ジ・マトリクスに対して調べられる。この数値的適合の
結果、１つのマトリクスが生じ、それの値の各々はその
測定されたデータが特定の位相及び伝送に対するシミュ
レートされた空虚イメージと一致する程度を表わす。例
えば、その特徴と関連ある領域がライン・プロファイル
である場合、理論的プロファイルに対する測定されたプ
ロファイル・データの非線形の最小四辺形が相関の程度
を決定するために使用可能である。
ジ（ブロック１０４において定義され、コンピュータ１
４のメモリに記憶された）に対する測定されたデータの
適正な数値的適合性が、焦点通過位相全体対伝送イメー
ジ・マトリクスに対して調べられる。この数値的適合の
結果、１つのマトリクスが生じ、それの値の各々はその
測定されたデータが特定の位相及び伝送に対するシミュ
レートされた空虚イメージと一致する程度を表わす。例
えば、その特徴と関連ある領域がライン・プロファイル
である場合、理論的プロファイルに対する測定されたプ
ロファイル・データの非線形の最小四辺形が相関の程度
を決定するために使用可能である。
【００４５】ステップ１０８では、相関値のマトリクス
が大域的最小を決定するために調べられる。この大域的
最小はフェーズ・シフト・マスクのイメージング特性に
対応する特定の位相及び伝達値を表わす。
が大域的最小を決定するために調べられる。この大域的
最小はフェーズ・シフト・マスクのイメージング特性に
対応する特定の位相及び伝達値を表わす。
【００４６】一般的には、本発明によるシステム及び方
法を使用する場合、開始点は、ｘｙ面における位置付け
の関数として特徴及びフェーズ・シフトを有するマスク
である。システムは、ステッパ・レンズとマスクとの使
用を含む特定のステッパ環境をシミュレートし、その結
果生じる強度のプロットをその面のｘ及びｙ位置並びに
ｚ位置（上記のように下の焦点及び上の焦点によるイメ
ージの面に直角の方向）の関数として生成する。データ
の適用に関して２つの主要な領域がある。まず、データ
はその結果生じるレジスト寸法を決定するために使用可
能である。換言すれば、露光後に生じるレジスト・パタ
ーンが決定可能である。更に、このパターンは、理想的
な焦点面からの離隔範囲の関数として決定可能である。
従って、露光される特徴の臨界的寸法及び焦点の臨界性
が決定可能である。これは、マスクが使用可能であるか
どうかを屡々決定するであろう。更に、欠陥印刷可能性
に関するデータが決定可能である。例えば、欠陥は存在
するがマスクが使用される時にその欠陥が印刷されない
場合、そのマスクは受容可能となり得る。閾値モデル及
びレジスト・シミュレーションを含む種々の分析方法が
使用可能である。
法を使用する場合、開始点は、ｘｙ面における位置付け
の関数として特徴及びフェーズ・シフトを有するマスク
である。システムは、ステッパ・レンズとマスクとの使
用を含む特定のステッパ環境をシミュレートし、その結
果生じる強度のプロットをその面のｘ及びｙ位置並びに
ｚ位置（上記のように下の焦点及び上の焦点によるイメ
ージの面に直角の方向）の関数として生成する。データ
の適用に関して２つの主要な領域がある。まず、データ
はその結果生じるレジスト寸法を決定するために使用可
能である。換言すれば、露光後に生じるレジスト・パタ
ーンが決定可能である。更に、このパターンは、理想的
な焦点面からの離隔範囲の関数として決定可能である。
従って、露光される特徴の臨界的寸法及び焦点の臨界性
が決定可能である。これは、マスクが使用可能であるか
どうかを屡々決定するであろう。更に、欠陥印刷可能性
に関するデータが決定可能である。例えば、欠陥は存在
するがマスクが使用される時にその欠陥が印刷されない
場合、そのマスクは受容可能となり得る。閾値モデル及
びレジスト・シミュレーションを含む種々の分析方法が
使用可能である。
【００４７】代替方法として、システムは、マスクの構
造に関する情報を発生するように使用可能である。例え
ば、マスクの位相及び伝達に関するデータは図９に関し
て説明したように決定される。更に、欠陥を特徴づける
ことも可能である。結局、生のデータを有用な情報に変
換するために、種々な分析方法が使用可能である。例え
ば、これは、受容可能な特性を有する既知のマスクによ
り発生されたデータに比較することによって、又はマス
クの品質を決定するためにシミュレーション・データに
比較することによって行うことが可能である。
造に関する情報を発生するように使用可能である。例え
ば、マスクの位相及び伝達に関するデータは図９に関し
て説明したように決定される。更に、欠陥を特徴づける
ことも可能である。結局、生のデータを有用な情報に変
換するために、種々な分析方法が使用可能である。例え
ば、これは、受容可能な特性を有する既知のマスクによ
り発生されたデータに比較することによって、又はマス
クの品質を決定するためにシミュレーション・データに
比較することによって行うことが可能である。
【００４８】図１０は起こり得るプロセスのフローチャ
ートである。フェーズ・シフト・マスクはステップ２０
０において受けられる。ステップ２０２では、本発明の
装置及び方法を使用してデータが得られる。ステップ２
０４では、強度データ・マップが上述のように発生され
る。そのデータはマスク作成プロセス開発において使用
可能である。ステップ２０６において、イメージ・シミ
ュレーションが行われ、シミュレーション・モデル又は
既知のマスクとの比較が行われる。ステップ２０８で
は、位相伝達測定が行われる。ステップ２１０では、そ
のマスクが仕様に合致するかどうかに関する決定が行わ
れる。
ートである。フェーズ・シフト・マスクはステップ２０
０において受けられる。ステップ２０２では、本発明の
装置及び方法を使用してデータが得られる。ステップ２
０４では、強度データ・マップが上述のように発生され
る。そのデータはマスク作成プロセス開発において使用
可能である。ステップ２０６において、イメージ・シミ
ュレーションが行われ、シミュレーション・モデル又は
既知のマスクとの比較が行われる。ステップ２０８で
は、位相伝達測定が行われる。ステップ２１０では、そ
のマスクが仕様に合致するかどうかに関する決定が行わ
れる。
【００４９】代替方法として、プレレジストＣＤスクリ
ーニングが達成可能である。ステップ２１２において、
レジスト・シミュレーションが生成される。ステップ２
１４では、露光及び焦点の深度（ＤＯＦ）の関数として
ＣＤ値が得られる。ステップ２１６では、そのマスクが
仕様の通りに働くかどうかの判断を行う。
ーニングが達成可能である。ステップ２１２において、
レジスト・シミュレーションが生成される。ステップ２
１４では、露光及び焦点の深度（ＤＯＦ）の関数として
ＣＤ値が得られる。ステップ２１６では、そのマスクが
仕様の通りに働くかどうかの判断を行う。
【００５０】本発明の装置及び方法は検査及び修理プロ
セスに統合可能である。欠陥検出はステップ２１８にお
いて達成可能である。ステップ２２０では、欠陥は、フ
ェーズ・シフト及び伝送に関して、ｘｙ位置の関数とし
て特徴づけられる。ステップ２２２では、マスクの更な
るエッチングを含む修理作用の可能な取合わせを使用し
て、修理が行われる。ステップ２２４では、特徴づけら
れた欠陥の修理が成功したかどうかに関する決定が行わ
れる。欠陥が依然として含まれる場合、それらは再びス
テップ２２０において特徴づけられる。更なる修理作用
がステップ２２２において行われ、欠陥が含まれるかど
うかに関する更なる決定が行われる。それらが含まれな
い場合、マスクは正常に修理されたことになる。
セスに統合可能である。欠陥検出はステップ２１８にお
いて達成可能である。ステップ２２０では、欠陥は、フ
ェーズ・シフト及び伝送に関して、ｘｙ位置の関数とし
て特徴づけられる。ステップ２２２では、マスクの更な
るエッチングを含む修理作用の可能な取合わせを使用し
て、修理が行われる。ステップ２２４では、特徴づけら
れた欠陥の修理が成功したかどうかに関する決定が行わ
れる。欠陥が依然として含まれる場合、それらは再びス
テップ２２０において特徴づけられる。更なる修理作用
がステップ２２２において行われ、欠陥が含まれるかど
うかに関する更なる決定が行われる。それらが含まれな
い場合、マスクは正常に修理されたことになる。
【００５１】
【発明の効果】本発明の装置及び方法によれば、フェー
ズ・シフト・マスクを使って実際のフォトレジスト・パ
ターンを露光することなく、そのマスクの実際の性能を
決定することが可能である。
ズ・シフト・マスクを使って実際のフォトレジスト・パ
ターンを露光することなく、そのマスクの実際の性能を
決定することが可能である。
【図１】本発明によるシステムのブロック図である。
【図２】図１の光学システムの概略図である。
【図３】図２の光学システムにおける瞳孔占有比を説明
する図である。
する図である。
【図４】図２の光学システムに対する開口配置の一例を
示す図である。
示す図である。
【図５】図２の光学システムに対する開口配置の一例を
示す図である。
示す図である。
【図６】図２の光学システムに対する開口配置の一例を
示す図である。
示す図である。
【図７】図２の光学システムに対する開口配置の一例を
示す図である。
示す図である。
【図８】図１のシステムを操作するために使用されるコ
ンピュータ・プログラムの高レベルのフローチャートで
ある。
ンピュータ・プログラムの高レベルのフローチャートで
ある。
【図９】図８のデータ分析ブロックのフローチャートで
ある。
ある。
【図１０】図１のシステムに対する種々のアプリケーシ
ョンのフローチャートである。
ョンのフローチャートである。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 イサベラ・ダイアナ・ミン・チャン アメリカ合衆国ニューヨーク州、チャパク ア、キング・ストリート 121番地 アパ ートメント・２ (72)発明者 デレク・ブライアン・ドーブ アメリカ合衆国ニューヨーク州、マウン ト・キスコ、インディアン・ヒル・ロード 41番地 (72)発明者 ジョン・ルロイ・ステイプルス アメリカ合衆国ニューヨーク州、プレザン トビル、オールド・スクール・レイン（番 地なし)
Claims (19)
- 【請求項１】イメージ測定システムにして、 光源と、 選択された周波数の光を供給するための手段と、 該光のコヒーレンスを調節するためのコヒーレンス調節
手段と、 該システムに関してオブジェクトを調節可能に位置付け
るための位置付け手段と、 該オブジェクトの拡大された光学的に等価のステッパ・
イメージを生成するためのイメージ手段にして、開口数
を調節するための調節手段を含むものと、 該イメージ手段によって生成されたイメージを捕捉する
ためのイメージ捕捉手段と、 より成るシステム。 - 【請求項２】前記コヒーレンス調節手段は前記システム
の光軸に関する前記光の角度を調節するための角度調節
手段を含むことを特徴とする請求項１に記載のシステ
ム。 - 【請求項３】前記光源は多重波長光発生手段と前記シス
テムによる使用のために該発生手段により生成された光
の周波数を選択するための周波数選択手段とより成るこ
とを特徴とする請求項１に記載のシステム。 - 【請求項４】前記イメージ手段によって捕捉されたイメ
ージを表示するための表示手段を含むことを特徴とする
請求項１に記載のシステム。 - 【請求項５】前記イメージ手段によって捕捉されたイメ
ージを分析するための分析手段を含むことを特徴とする
請求項１に記載のシステム。 - 【請求項６】前記分析手段はプログラムされたディジタ
ル・コンピュータより成ることを特徴とする請求項５に
記載のシステム。 - 【請求項７】オブジェクトの照射された領域のサイズを
制御するための制御手段を含むことを特徴とする請求項
１に記載のシステム。 - 【請求項８】焦点調節手段を含み、前記イメージ捕捉手
段は該焦点調節手段の選択された焦点位置においてデー
タを捕捉することを特徴とする請求項１に記載のシステ
ム。 - 【請求項９】前記焦点調節手段は光路長を変更するため
の光学プレートと、該光学プレートを前記システムの光
軸に導入し及び該光軸から引っ込めるための手段とを含
むことを特徴とする請求項１に記載のシステム。 - 【請求項１０】前記イメージ捕捉手段は各々が前記シス
テムの異なるイメージ面に配置された複数の電子的イメ
ージング装置より成ることを特徴とする請求項１に記載
のシステム。 - 【請求項１１】前記電子的イメージング装置のうちの第
１のものは焦点面から第１の方向に変位され、前記電子
的イメージング装置のうちの第２のものは焦点面から第
１の方向とは反対の第２の方向に変位されることを特徴
とする請求項１０に記載のシステム。 - 【請求項１２】前記電子的イメージング装置のうちの第
１のもの及び第２のものによって生成された信号を結合
するための結合手段を含むことを特徴とする請求項１１
に記載のシステム。 - 【請求項１３】前記結合手段は前記電子的イメージング
装置のうちの第１のもの及び第２のものからの信号の実
時間減算を行うことを特徴とする請求項１１に記載のシ
ステム。 - 【請求項１４】オブジェクトのイメージを生成するため
の方法にして、 選択された周波数の電磁的エネルギーを供給するステッ
プと、 該電磁的エネルギーが該オブジェクトの選択された部分
を照射するように該オブジェクトを位置付けるステップ
と、 該オブジェクトの拡大された光学的にステッパ等価のイ
メージを生成するステップと、 生成されたイメージを捕捉するステップと、 より成る方法。 - 【請求項１５】前記イメージからデータを抽出するステ
ップと、 前記イメージの光学的特性を決定するために該データを
分析するステップと、 より成ることを特徴とする請求項１４に記載の方法。 - 【請求項１６】焦点の上及び下のポイントで連続的なイ
メージを捕捉するステップより成ることを特徴とする請
求項１４に記載の方法。 - 【請求項１７】前記光学的にステッパ等価のイメージを
生成するステップは該イメージを生成するために使用さ
れるイメージ・システムの開口数を調節するステップを
含むことを特徴とする請求項１４に記載の方法。 - 【請求項１８】前記オブジェクトはクロム・フォトリト
グラフ・マスクであることを特徴とする請求項１４に記
載の方法。 - 【請求項１９】前記オブジェクトはフェーズ・シフト・
マスクであることを特徴とする請求項１４に記載の方
法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US5616193A | 1993-04-30 | 1993-04-30 | |
| US056161 | 1993-04-30 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0728226A true JPH0728226A (ja) | 1995-01-31 |
Family
ID=22002574
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8833894A Pending JPH0728226A (ja) | 1993-04-30 | 1994-04-26 | 領域的イメージを測定する装置及び方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0628806A3 (ja) |
| JP (1) | JPH0728226A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11174657A (ja) * | 1997-12-17 | 1999-07-02 | Hitachi Ltd | マスクパターン外観検査装置および方法 |
| JP2001235853A (ja) * | 1999-10-13 | 2001-08-31 | Applied Materials Inc | 空中画像を使用するレチクル検査のための方法及び装置 |
| JP2003015270A (ja) * | 2001-06-28 | 2003-01-15 | Raitoron Kk | 位相シフトマスク検査装置及び位相シフトマスク検査方法 |
| JP2005500671A (ja) * | 2001-03-20 | 2005-01-06 | ニューメリカル テクノロジーズ インコーポレイテッド | マスク欠陥のプリンタビリティ解析を提供するシステム及び方法 |
| JPWO2004086121A1 (ja) * | 2003-03-24 | 2006-06-29 | 株式会社ニコン | 光学素子、光学系、レーザ装置、露光装置、マスク検査装置、及び高分子結晶の加工装置 |
| JP2009507251A (ja) * | 2005-09-05 | 2009-02-19 | カール ツアイス エスエムエス ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 投影露光装置の結像面中の強度分布を決定する方法 |
| US7523027B2 (en) | 1997-09-17 | 2009-04-21 | Synopsys, Inc. | Visual inspection and verification system |
| JP4668401B2 (ja) * | 1999-09-03 | 2011-04-13 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | フォトリソグラフィシミュレーションによるレティクル検査方法及びシステム |
Families Citing this family (30)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5717518A (en) * | 1996-07-22 | 1998-02-10 | Kla Instruments Corporation | Broad spectrum ultraviolet catadioptric imaging system |
| GB2357158B (en) * | 1996-07-22 | 2001-07-18 | Kla Instr Corp | A method of inspecting objects for defects |
| US6211505B1 (en) * | 1997-12-25 | 2001-04-03 | Nec Corporation | Method and apparatus for checking shape |
| JP2947513B1 (ja) * | 1998-07-30 | 1999-09-13 | 株式会社ニデック | パターン検査装置 |
| US7242464B2 (en) | 1999-06-24 | 2007-07-10 | Asml Holdings N.V. | Method for characterizing optical systems using holographic reticles |
| US7016025B1 (en) | 1999-06-24 | 2006-03-21 | Asml Holding N.V. | Method and apparatus for characterization of optical systems |
| JP2001165632A (ja) * | 1999-12-03 | 2001-06-22 | Sony Corp | 検査装置及び検査方法 |
| JP2001168159A (ja) * | 1999-12-03 | 2001-06-22 | Sony Corp | 検査装置及び検査方法 |
| JP2001343336A (ja) | 2000-05-31 | 2001-12-14 | Nidek Co Ltd | 欠陥検査方法及び欠陥検査装置 |
| US7072502B2 (en) | 2001-06-07 | 2006-07-04 | Applied Materials, Inc. | Alternating phase-shift mask inspection method and apparatus |
| DE10146583A1 (de) * | 2001-09-21 | 2003-04-17 | Siemens Ag | Vorrichtung und Verfahren zum optischen Abtasten einer Substratscheibe |
| US6906305B2 (en) * | 2002-01-08 | 2005-06-14 | Brion Technologies, Inc. | System and method for aerial image sensing |
| US6935922B2 (en) | 2002-02-04 | 2005-08-30 | Kla-Tencor Technologies Corp. | Methods and systems for generating a two-dimensional map of a characteristic at relative or absolute locations of measurement spots on a specimen during polishing |
| WO2003096356A2 (de) | 2002-05-10 | 2003-11-20 | Carl Zeiss Smt Ag | Reflektives röntgenmikroskop und inspektionssystem zur untersuchung von objekten mit wellenlängen ≤ 100nm |
| US6828542B2 (en) | 2002-06-07 | 2004-12-07 | Brion Technologies, Inc. | System and method for lithography process monitoring and control |
| JP2004047517A (ja) | 2002-07-08 | 2004-02-12 | Canon Inc | 放射線生成装置、放射線生成方法、露光装置並びに露光方法 |
| DE10239955B3 (de) * | 2002-08-26 | 2004-05-13 | Carl Zeiss Smt Ag | Mikroskop mit Hell- und Dunkelfeldbeleuchtung |
| US6807503B2 (en) | 2002-11-04 | 2004-10-19 | Brion Technologies, Inc. | Method and apparatus for monitoring integrated circuit fabrication |
| US7053355B2 (en) | 2003-03-18 | 2006-05-30 | Brion Technologies, Inc. | System and method for lithography process monitoring and control |
| US7016027B2 (en) | 2003-05-08 | 2006-03-21 | Infineon Technologies Ag | System and method for quantifying errors in an alternating phase shift mask |
| DE10337037B4 (de) * | 2003-08-12 | 2006-02-23 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zur Vermessung einer Belichtungsintensität auf einem Wafer |
| DE102007000981B4 (de) | 2007-02-22 | 2020-07-30 | Vistec Semiconductor Systems Gmbh | Vorrichtung und Verfahren zum Vermessen von Strukturen auf einer Maske und zur Berechnung der aus den Strukturen resultierenden Strukturen in einem Photoresist |
| DE102007047924B4 (de) | 2007-02-23 | 2013-03-21 | Vistec Semiconductor Systems Jena Gmbh | Verfahren zur automatischen Detektion von Fehlmessungen mittels Qualitätsfaktoren |
| DE102007025306B9 (de) | 2007-05-30 | 2012-10-31 | Vistec Semiconductor Systems Gmbh | Koordinatenmess-Maschine und Verfahren zur Vermessung von Strukturen auf einem Substrat mittels einer Koordinaten-Messmaschine |
| DE102008049365A1 (de) | 2008-09-26 | 2010-04-01 | Carl Zeiss Sms Gmbh | Maskeninspektionsmikroskop mit variabler Beleuchtungseinstellung |
| WO2011151116A1 (en) | 2010-06-03 | 2011-12-08 | Carl Zeiss Sms Gmbh | A method for determining the performance of a photolithographic mask |
| DE102011078927B4 (de) | 2010-07-12 | 2019-01-31 | Carl Zeiss Sms Ltd. | Verfahren zum Korrigieren von Fehlern einer photolithographischen Maske |
| DE102011083774B4 (de) | 2010-10-04 | 2019-06-13 | Carl Zeiss Sms Ltd. | Verfahren zum Bestimmen von Laser korrigierenden Tool-Parametern |
| US20120154773A1 (en) | 2010-12-17 | 2012-06-21 | Carl Zeiss Sms Gmbh | Method and apparatus for correcting errors on a wafer processed by a photolithographic mask |
| US8539394B2 (en) | 2011-03-02 | 2013-09-17 | Carl Zeiss Sms Ltd. | Method and apparatus for minimizing overlay errors in lithography |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04100045A (ja) * | 1990-08-20 | 1992-04-02 | Nikon Corp | フォトマスク検査装置 |
| JPH04229863A (ja) * | 1990-12-27 | 1992-08-19 | Nikon Corp | フォトマスク検査装置およびフォトマスク検査方法 |
| JPH05249656A (ja) * | 1992-01-09 | 1993-09-28 | Toshiba Corp | マスク検査装置 |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4218142A (en) * | 1978-03-08 | 1980-08-19 | Aerodyne Research, Inc. | Mask analysis |
| EP0070017B1 (en) * | 1981-07-14 | 1986-10-29 | Hitachi, Ltd. | Pattern detection system |
| JPS5963725A (ja) * | 1982-10-05 | 1984-04-11 | Toshiba Corp | パタ−ン検査装置 |
| SU1171703A1 (ru) * | 1983-01-06 | 1985-08-07 | Ленинградский Институт Авиационного Приборостроения | Способ контрол фотошаблона и устройство дл его осуществлени |
| US5235400A (en) * | 1988-10-12 | 1993-08-10 | Hitachi, Ltd. | Method of and apparatus for detecting defect on photomask |
| JP2796316B2 (ja) * | 1988-10-24 | 1998-09-10 | 株式会社日立製作所 | 欠陥または異物の検査方法およびその装置 |
| CH685650A5 (de) * | 1991-07-20 | 1995-08-31 | Tencor Instruments | Einrichtung für Oberflächeninspektionen. |
| US5300786A (en) * | 1992-10-28 | 1994-04-05 | International Business Machines Corporation | Optical focus phase shift test pattern, monitoring system and process |
-
1994
- 1994-04-26 JP JP8833894A patent/JPH0728226A/ja active Pending
- 1994-04-28 EP EP94106670A patent/EP0628806A3/en not_active Withdrawn
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04100045A (ja) * | 1990-08-20 | 1992-04-02 | Nikon Corp | フォトマスク検査装置 |
| JPH04229863A (ja) * | 1990-12-27 | 1992-08-19 | Nikon Corp | フォトマスク検査装置およびフォトマスク検査方法 |
| JPH05249656A (ja) * | 1992-01-09 | 1993-09-28 | Toshiba Corp | マスク検査装置 |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7523027B2 (en) | 1997-09-17 | 2009-04-21 | Synopsys, Inc. | Visual inspection and verification system |
| JPH11174657A (ja) * | 1997-12-17 | 1999-07-02 | Hitachi Ltd | マスクパターン外観検査装置および方法 |
| JP4668401B2 (ja) * | 1999-09-03 | 2011-04-13 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | フォトリソグラフィシミュレーションによるレティクル検査方法及びシステム |
| JP2001235853A (ja) * | 1999-10-13 | 2001-08-31 | Applied Materials Inc | 空中画像を使用するレチクル検査のための方法及び装置 |
| JP2005500671A (ja) * | 2001-03-20 | 2005-01-06 | ニューメリカル テクノロジーズ インコーポレイテッド | マスク欠陥のプリンタビリティ解析を提供するシステム及び方法 |
| JP4663214B2 (ja) * | 2001-03-20 | 2011-04-06 | シノプシイス インコーポレイテッド | マスク欠陥のプリンタビリティ解析を提供するシステム及び方法 |
| JP2003015270A (ja) * | 2001-06-28 | 2003-01-15 | Raitoron Kk | 位相シフトマスク検査装置及び位相シフトマスク検査方法 |
| JP4518704B2 (ja) * | 2001-06-28 | 2010-08-04 | ライトロン株式会社 | 位相シフトマスク検査装置及び位相シフトマスク検査方法 |
| JPWO2004086121A1 (ja) * | 2003-03-24 | 2006-06-29 | 株式会社ニコン | 光学素子、光学系、レーザ装置、露光装置、マスク検査装置、及び高分子結晶の加工装置 |
| JP4862398B2 (ja) * | 2003-03-24 | 2012-01-25 | 株式会社ニコン | 光学素子、光学系、レーザ装置、露光装置、被検物検査装置、及び高分子結晶の加工装置 |
| JP2009507251A (ja) * | 2005-09-05 | 2009-02-19 | カール ツアイス エスエムエス ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 投影露光装置の結像面中の強度分布を決定する方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0628806A3 (en) | 1995-03-15 |
| EP0628806A2 (en) | 1994-12-14 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0728226A (ja) | 領域的イメージを測定する装置及び方法 | |
| JP4841721B2 (ja) | 空中画像を使用するレチクル検査のための方法及び装置 | |
| JP5645410B2 (ja) | 瞳孔フィルターを用いたリソグラフィー画像再構成によるフォトマスクの検査方法及び装置 | |
| US7072502B2 (en) | Alternating phase-shift mask inspection method and apparatus | |
| JP4668401B2 (ja) | フォトリソグラフィシミュレーションによるレティクル検査方法及びシステム | |
| JP4430601B2 (ja) | リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 | |
| KR100596760B1 (ko) | 시각 검사 및 검증 시스템 | |
| JP4940056B2 (ja) | リソグラフィマスク用の検査方法及び装置 | |
| TW201708942A (zh) | 用於預測晶圓級缺陷可印性之裝置及方法 | |
| JP2020520481A (ja) | レチクルを検査する装置および方法 | |
| JP3300830B2 (ja) | 異物等の欠陥検査方法及びその装置 | |
| CN107924146A (zh) | 光刻设备对准传感器和方法 | |
| TWI396841B (zh) | 近接曝光用光罩的檢查裝置、檢查方法、製造方法、近接曝光用光罩及圖案轉寫方法 | |
| EP3839635A1 (en) | Dark field digital holographic microscope and associated metrology method | |
| NL2024478A (en) | Dark field digital holographic microscope and associated metrology method | |
| JP3443197B2 (ja) | フォトマスクの検査方法およびフォトマスクの検査装置 | |
| EP4246232A1 (en) | Illumination arrangement for a metrology device and associated method | |
| TW202125112A (zh) | 檢測物體結構的方法和實行該方法的設備 | |
| TW202202951A (zh) | 確定物體影像的方法 | |
| TW202422003A (zh) | 藉助計量系統對測量物件的空間圖像而三維確定的方法以及用於實施該確定方法的計量系統 | |
| NL2021856A (en) | Metrology apparatus |