JP3134481B2

JP3134481B2 - 静磁波装置

Info

Publication number: JP3134481B2
Application number: JP04101739A
Authority: JP
Inventors: 田剛和岡; 村悟新; 土恭秀鎌; 谷文夫金
Original assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date: 1991-03-29
Filing date: 1992-03-26
Publication date: 2001-02-13
Anticipated expiration: 2016-02-13
Also published as: JPH05114805A

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明は静磁波装置に関し、特
に、たとえばＹＩＧ（イットリウム，アイアン，ガーネ
ット）素子などのフェリ磁性素子と、そのフェリ磁性素
子に磁界を印加するための磁石と、そのフェリ磁性素子
に関連して設けられるトランスデューサとを有する、静
磁波装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】図１３は実願平１−１４８３７０号（実
開平３−８６６０１号）に開示され、かつ、この発明の
背景となる従来の静磁波装置の一例を示す断面図解図で
ある。この静磁波装置１は、金属からなる筐体２を含
み、この筐体２内には、その高さ方向の中間に、たとえ
ばアルミナからなる誘電体基板３が設けられる。この誘
電体基板３の下面には、たとえば短冊状のＹＩＧ素子４
が設けられ、さらに、ＹＩＧ素子４の下には、アース板
５が設けられる。また、誘電体基板３の上面には、２つ
のトランスデューサ（図示せず）が間隔を隔てて設けら
れる。これらのトランスデューサは、筐体２の側壁を貫
通する２つの同軸コネクタ（図示せず）に、それぞれ接
続される。

【０００３】さらに、筐体２内には、誘電体基板３など
を挟むようにして、ＹＩＧ素子４に直流磁界を印加する
ための磁石６ａおよび６ｂが、それぞれ設けられる。こ
の静磁波装置１では、たとえば、一方の同軸コネクタに
信号を入力して一方のトランスデューサに信号を与えれ
ば、その信号が体積前進静磁波（ＭＳＦＶＷ）として励
起される。そして、その体積前進静磁波は、ＹＩＧ素子
４上で他方のトランスデューサ側に伝搬され、そのトラ
ンスデューサで受信され、他方の同軸コネクタから信号
として出力される。

【０００４】なお、この静磁波装置１には、その筐体２
の上壁に、２つの調整ねじ７ａおよび７ｂが螺合されて
いる。これらの調整ねじ７ａおよび７ｂは、ＹＩＧ素子
４に印加する磁界の分布を調整するためのものである。
さらに、その筐体２の下壁には、別の調整ねじ８が螺合
され、その調整ねじ８の先端には、別の磁石９が固着さ
れている。これらの調整ねじ８および磁石９は、ＹＩＧ
素子４に印加する磁界の大きさを変えて、この静磁波装
置１の周波数特性を変えるためのものである。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】ところが、この静磁波
装置１では、２つの磁石６ａおよび６ｂの間隔や筐体２
および磁石６ａの間隔をそれぞれ所定の間隔に維持しな
ければならなく、ＹＩＧ素子，磁石およびトランスデュ
ーサの位置決めが困難であって、組立を行う時に作業性
および生産性が悪い。

【０００６】そこで、本願発明者は、フェリ磁性素子，
磁石およびトランスデューサの位置決めを容易にするた
めに、それらを金属からなるホルダに収納することを提
案しているが、それでは全体の重量が重くなってしま
う。

【０００７】それゆえに、この発明の主たる目的は、フ
ェリ磁性素子，磁石およびトランスデューサを容易にか
つ正確に位置決めすることができかつ軽量である、静磁
波装置を提供することである。

【０００８】

【課題を解決するための手段】この発明にかかる静磁波
装置は、フェリ磁性素子と、フェリ磁性素子に磁界を印
加するための磁石と、フェリ磁性素子に関連して設けら
れるトランスデューサとを有する静磁波装置であって、
フェリ磁性素子を収納するためのフェリ磁性素子収納部
と、磁石をフェリ磁性素子に対して所定の位置に収納す
るための磁石収納部と、トランスデューサをフェリ磁性
素子に対して所定の位置に収納するためのトランスデュ
ーサ収納部とを有する合成樹脂からなるホルダを含む、
静磁波装置である。

【０００９】

【作用】ホルダのフェリ磁性素子収納部には、フェリ磁
性素子が収納される。また、ホルダの磁石収納部には、
磁石が収納される。この場合、磁石は、フェリ磁性素子
に対して所定の位置に収納される。さらに、ホルダのト
ランスデューサ収納部には、トランスデューサが収納さ
れる。この場合、トランスデューサは、フェリ磁性素子
に対して所定の位置に収納される。

【００１０】

【発明の効果】この発明によれば、フェリ磁性素子，磁
石およびトランスデューサを容易にかつ正確に位置決め
できる、静磁波装置が得られる。そのため、この発明に
かかる静磁波装置は、組立時に作業性および生産性がよ
い。しかも、この発明によれば、ホルダが合成樹脂から
なるため、金属からなるホルダを用いる場合に比べて、
静磁波装置が軽量となる。

【００１１】この発明の上述の目的，その他の目的，特
徴および利点は、図面を参照して行う以下の実施例の詳
細な説明から一層明らかとなろう。

【００１２】

【実施例】図１はこの発明の一実施例を示す分解斜視図
であり、図２は図１に示す実施例の組み立てた状態にお
ける図１の線ＩＩ−ＩＩにおける断面図である。この静
磁波装置１０は、合成樹脂からなるたとえば矩形板状の
ホルダ１２を含む。

【００１３】このホルダ１２は、磁石収納部として、た
とえば平面矩形の凹部１４を有する。この凹部１４は、
ホルダ１２の下面に開口部を有する。

【００１４】また、このホルダ１２の上面には、フェリ
磁性素子収納部として、たとえば長方形の凹部１６が形
成される。この凹部１６は、ホルダ１２の一方の対角線
上に延びるように、長方形に形成される。また、ホルダ
１２の凹部１６の底面には、その長手方向の一端側，中
央および他端側に、それぞれ、２つずつの位置決め用の
凸部１８ａが、その幅方向に所定の間隔を隔てて形成さ
れる。さらに、この凹部１６の底面の長手方向の一端お
よび他端には、それぞれ、２つずつの位置決め用の凸部
１８ｂが形成される。なお、凹部１６の底部の長手方向
の一端および他端には、スルーホール２０がそれぞれ形
成されている。

【００１５】さらに、ホルダ１２の上面には、トランス
デューサ収納部として、たとえば、２つの矩形の凹部２
２ａおよび２２ｂと、２つの折れ曲がった凹部２４ａお
よび２４ｂとが、それぞれ、凹部１６に通じるように凹
部１６より浅く形成される。この場合、凹部２２ａおよ
び２４ａは、凹部１６の長手方向の一端側において、そ
の幅方向の一端および他端にそれぞれ形成される。な
お、折れ曲がった凹部２４ａは、ホルダ１２の一方側面
にわたって形成される。同様に、凹部２２ｂおよび２４
ｂは、凹部１６の長手方向の他端側において、その幅方
向の他端および一端にそれぞれ形成される。なお、凹部
２４ｂは、ホルダ１２の他方側面にわたって形成され
る。

【００１６】また、矩形の凹部２２ａの底部には２つの
スルーホール２６ａが形成され、矩形の凹部２２ｂの底
部にも２つのスルーホール２６ｂが形成されている。

【００１７】このホルダ１２の表面全面には、たとえば
金などの導体をめっきすることなどによって、アース導
体層２８が形成される。

【００１８】このホルダ１２の凹部１４には、磁石３０
が収納され固着される。

【００１９】また、ホルダ１２の上面の凹部１６には、
フェリ磁性素子としてたとえば短冊状のＹＩＧ素子３２
が収納される。この場合、ＹＩＧ素子３２は、６つの凸
部１８ａと４つの凸部１８ｂとで位置決めされる。

【００２０】さらに、ホルダ１２の凹部２２ａ，２２
ｂ，２４ａおよび２４ｂには、２つのトランスデューサ
３４ａおよび３４ｂが収納される。すなわち、トランス
デューサ３４ａおよび３４ｂは、たとえばアルミナなど
の誘電体からなる略Ｊ字形の誘電体基板３６ａおよび３
６ｂの一方主面に、それぞれ形成されている。そして、
一方の誘電体基板３６ａがホルダ１２の凹部２２ａおよ
び２４ａに嵌め込まれ、他方の誘電体基板３６ｂが凹部
２２ｂおよび２４ｂに嵌め込まれる。したがって、トラ
ンスデューサ３４ａおよび３４ｂは、平面的に見て、Ｙ
ＩＧ素子３２の一端近傍および他端近傍をそれぞれ横切
る。

【００２１】また、これらのトランスデューサ３４ａお
よび３４ｂと誘電体基板３６ａおよび３６ｂとの一端部
には、ホルダ１２のスルーホール２６ａおよび２６ｂに
対応して、スルーホール３８ａおよび３８ｂが、それぞ
れ形成されている。そして、トランスデューサ３４ａお
よび３４ｂの一端は、これらのスルーホール２６ａ，２
６ｂ，３８ａおよび３８ｂで、アース導体層２８に接続
される。

【００２２】さらに、ホルダ１２の上面には、アース導
体としてたとえば銅などの導体からなる薄板４０が固着
される。この場合、ホルダ１２の上面の凹部にトランス
デューサ３４ａおよび３４ｂが設けられるので、薄板４
０は、トランスデューサ３４ａおよび３４ｂに接触しな
い。

【００２３】さらに、必要に応じて、ホルダ１２は、た
とえば金属ケース（図示せず）に収納され、２つのトラ
ンスデューサ３４ａおよび３４ｂの他端は、金属ケース
を貫通する入出力端子としての２つの同軸コネクタ（図
示せず）の中心導体に、それぞれ接続される。なお、こ
れらの同軸コネクタの外導体は、金属ケースを介して、
アース導体層２８に接続される。

【００２４】この静磁波装置１０では、ホルダ１２によ
って、磁石３０とＹＩＧ素子３２とトランスデューサ３
４ａおよび３４ｂとを容易にかつ正確に位置決めするこ
とができる。そのため、この静磁波装置１０は、その組
立時の作業性および生産性がよい。

【００２５】しかも、この静磁波装置１０では、ホルダ
１２が合成樹脂で形成されているため、金属からなるホ
ルダを用いたものと比べて軽量となる。

【００２６】また、この静磁波装置１０では、２つのト
ランスデューサ３４ａおよび３４ｂの近傍に導体からな
る薄板４０が設けられて凹部１６が使用周波数域でカッ
トオフ導波路になるため、２つのトランスデューサ３４
ａおよび３４ｂの一方から他方へ直接的に到達するいわ
ゆる直達波が抑制される。

【００２７】さらに、この静磁波装置１０では、磁石３
０とＹＩＧ素子３２とトランスデューサ３４ａおよび３
４ｂとが一体的となるので、その部品点数が削減され
る。

【００２８】図３はこの発明の他の実施例を示す分解斜
視図であり、図４は図３に示す実施例の組み立てた状態
における図３の線ＩＶ−ＩＶにおける断面図である。こ
の実施例では、特に、ホルダ１２において、凹部１６の
長手方向における一端側および他端側に、２つの***部
１２ａおよび１２ｂがそれぞれ形成される。一方の***
部１２ａの上面は、トランスデューサ収納部としての凹
部２２ａおよび凹部２４ａの底面と平らに形成される。
また、他方の***部１２ｂの上面は、トランスデューサ
収納部としての凹部２２ｂおよび凹部２４ｂの底面と平
らに形成される。なお、このホルダ１２において、凹部
１６の底部には、ＹＩＧ素子３２を位置決めるするため
の凸部やスルーホールが形成されていない。

【００２９】また、この実施例では、アース導体層２８
は、ホルダ１２のほぼ表面全面に形成されるが、凹部１
４の上面と、凹部１６，２２ａ，２２ｂ，２４ａおよび
２４ｂの底面と、ホルダ１２の一方側面および他方側面
において凹部２４ａおよび２４ｂの近傍部分とには形成
されない。

【００３０】さらに、トランスデューサ３４ａおよび３
４ｂは、ホルダ１２の***部１２ａおよび１２ｂの上面
と凹部２２ａ，２２ｂ，２４ａおよび２４ｂの底面と
に、たとえば金などの導体をめっきすることなどによっ
て、アース導体層２８とともに形成される。

【００３１】また、ホルダ１２の凹部１４には、フェリ
磁性素子としてのＹＩＧ素子３２とアース導体としてた
とえば銅などの導体からなる別の薄板４２と磁石３０と
が、収納され固着される。この場合、ホルダ１２の凹部
１４の上面には、図１および図２に示す実施例における
凸部１８ａおよび１８ｂと同様な多数の凸部（図示せ
ず）が形成されていて、ＹＩＧ素子３２は、これらの凸
部で位置決めされ、あるいは、たとえば接着剤で接着さ
れる。もちろん、それらの凸部と接着剤とを併用してＹ
ＩＧ素子３２の位置決め固定を行ってもよい。

【００３２】図３および図４に示す実施例でも、ホルダ
１２によって、磁石３０とＹＩＧ素子３２とトランスデ
ューサ３４ａおよび３４ｂとを容易にかつ正確に位置決
めすることができるので、組立時の作業性および生産性
がよい。しかも、この実施例でも、ホルダ１２が合成樹
脂で形成されているため、金属からなるホルダを用いた
ものと比べて軽量となる。また、この実施例では、導体
からなる２枚の薄板４０および４２によって、一方のト
ランスデューサから他方のトランスデューサへの直達波
がさらに抑制される。さらに、この実施例でも、その部
品点数が削減される。

【００３３】図５はこの発明のさらに他の実施例を示す
分解斜視図であり、図６は図５に示す実施例の組み立て
た状態における図５の線ＶＩ−ＶＩにおける断面図であ
る。この実施例では、特に、ホルダ１２において、凹部
１６の底部の長手方向の一端部，中央部および他端部
が、凹部１４に通じるように開口される。すなわち、ホ
ルダ１２は、凹部１６を横切る２つの架橋部１３ａおよ
び１３ｂを有する。架橋部１３ａおよび１３ｂの上面
は、トランスデューサ収納部としての凹部２２ａ，２２
ｂ，２４ａおよび２４ｂの底面と平らに形成される。ま
た、架橋部１３ａおよび１３ｂの下面は、凹部１４の上
面よりＹＩＧ素子３２の厚みだけ上方に形成される。

【００３４】また、アース導体層２８は、ホルダ１２に
おいて、架橋部１３ａおよび１３ｂの表面と、凹部２２
ａ，２２ｂ，２４ａおよび２４ｂの底面と、一方側面お
よび他方側面の凹部２４ａおよび２４ｂの近傍部分とを
除く表面に形成される。

【００３５】さらに、トランスデューサ３４ａおよび３
４ｂは、ホルダ１２の架橋部１３ａおよび１３ｂの上面
と凹部２２ａ，２２ｂ，２４ａおよび２４ｂの底面と
に、たとえば金などの導体をめっきすることなどによっ
て、アース導体層２８とともに形成される。

【００３６】また、ホルダ１２の凹部１４には、フェリ
磁性素子としてのＹＩＧ素子３２とアース導体としてた
とえば銅などの導体からなる別の薄板４２と磁石３０と
が、収納され固着される。

【００３７】図５および図６に示す実施例でも、ホルダ
１２によって、磁石３０とＹＩＧ素子３２とトランスデ
ューサ３４ａおよび３４ｂとを容易にかつ正確に位置決
めすることができるので、組立時の作業性および生産性
がよい。しかも、この実施例でも、ホルダ１２が合成樹
脂で形成されているため、金属からなるホルダを用いた
ものと比べて軽量となる。また、この実施例でも、導体
からなる２枚の薄板４０および４２によって、一方のト
ランスデューサから他方のトランスデューサへの直達波
がさらに抑制される。さらに、この実施例でも、その部
品点数が削減される。

【００３８】図７はこの発明の別の実施例を示す斜視図
であり、図８は図７に示す実施例の平面図であり、図９
は図８の線ＩＸ−ＩＸにおける断面図である。この実施
例では、特に、ホルダ１２の上面において、その一方端
部および他方端部にわたって、トランスデューサ収納部
として略Ｊ字形の凹部２３ａおよび２３ｂが、それぞれ
形成される。さらに、図１０などに示すように、ホルダ
１２には、凹部２３ａおよび２３ｂの一端に、２つずつ
のスルーホール２６ａおよび２６ｂが、それぞれ形成さ
れる。

【００３９】さらに、ホルダ１２には、凹部１４と凹部
２３ａおよび２３ｂとの間において、フェリ磁性素子収
納部としての長方形の挿入部１７が、平面的に見て、凹
部２３ａおよび２３ｂを横切るようにして形成される。
この挿入部１７は、ホルダ１２の一方の対角線上に延び
て形成され、ホルダ１２の側面において開口部を有す
る。また、ホルダ１２には、挿入部１７内に多数の位置
決め用の凸部１８ａおよび１８ｂが形成される。さら
に、図１０などに示すように、ホルダ１２には、挿入部
１７の底部の長手方向の一端，中間および他端に、スル
ーホール２０がそれぞれ形成される。

【００４０】そして、このホルダ１２において、凹部２
３ａおよび２３ｂの底面と挿入部１７の上面および側面
とを除く表面に、アース導体層２８が形成される。な
お、トランスデューサ３４ａおよび３４ｂは、ホルダ１
２の凹部２３ａおよび２３ｂの底面に、たとえば金など
の導体をめっきすることなどによって、アース導体層２
８とともに形成される。この場合、多数のスルーホール
２０内にもアース導体層２８が形成されるので、アース
導体層２８によって生じるインダクタンスを小さくでき
る。

【００４１】また、ホルダ１２の挿入部１７には、フェ
リ磁性素子としてたとえば短冊状のＹＩＧ素子３２が挿
入され固定される。この場合、ＹＩＧ素子３２は多数の
凸部１８ａおよび１８ｂによって位置決めされる。な
お、挿入部１７の長さ，幅および高さをＹＩＧ素子３２
に合わせて形成すれば、これらの凸部１８ａおよび１８
ｂは不要となる。

【００４２】さらに、ホルダ１２の上面には、アース導
体としてたとえば銅などの導体からなる薄板（図示せ
ず）が設けられる。

【００４３】この実施例でも、磁石３０，ＹＩＧ素子３
２およびトランスデューサ３４ａおよび３４ｂを容易に
かつ正確に位置決めすることができるとともに、金属か
らなるホルダを用いたものと比べて軽量となる。さら
に、この実施例でも、トランスデューサ間の直達波が抑
制されるとともに、その部品点数が削減される。

【００４４】図１１は図７に示す実施例の変形例を示す
斜視図であり、図１２は図１１に示す実施例の平面図で
ある。図１１および図１２に示す実施例では、図７に示
す実施例と比べて、特に、フェリ磁性素子収納部として
の挿入部１７が、ホルダ１２の上面の中央部において開
口されている。

【００４５】図１１および図１２に示す実施例でも、磁
石３０，ＹＩＧ素子３２およびトランスデューサ３４ａ
および３４ｂを容易にかつ正確に位置決めすることがで
きるとともに軽量となる。さらに、トランスデューサ間
の直達波が抑制されるとともに部品点数が削減される。

【００４６】なお、上述の各実施例では、フェリ磁性素
子としてのＹＩＧ素子３２が磁石３０とトランスデュー
サ３４ａおよび３４ｂとの間に配置されているが、この
発明では、トランスデューサがフェリ磁性素子と磁石と
の間に配置されるようにホルダを構成してもよい。

【００４７】また、上述の実施例では、フェリ磁性素子
の一方側のみに磁石が配置されているが、この発明で
は、フェリ磁性素子の両側にそれぞれ磁石が配置される
ようにホルダを構成してもよい。

【００４８】さらに、上述の各実施例では、ホルダ１
２，磁石収納部としての凹部１４および磁石３０が矩形
に形成されているが、それらはたとえば円形に形成され
てもよくそれらの形状を任意に変更してもよい。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の一実施例を示す分解斜視図である。

【図２】図１に示す実施例の組み立てた状態における図
１の線ＩＩ−ＩＩにおける断面図である。

【図３】この発明の他の実施例を示す分解斜視図であ
る。

【図４】図３に示す実施例の組み立てた状態における図
３の線ＩＶ−ＩＶにおける断面図である。

【図５】この発明のさらに他の実施例を示す分解斜視図
である。

【図６】図５に示す実施例の組み立てた状態における図
５の線ＶＩ−ＶＩにおける断面図である。

【図７】この発明の別の実施例を示す斜視図である。

【図８】図７に示す実施例の平面図である。

【図９】図８の線ＩＸ−ＩＸにおける断面図である。

【図１０】図７に示す実施例に用いられるホルダを下方
から見た斜視図である。

【図１１】図７に示す実施例の変形例を示す斜視図であ
る。

【図１２】図１１に示す実施例の平面図である。

【図１３】従来の静磁波装置の一例を示す断面図解図で
ある。

【符号の説明】

１０静磁波装置１２ホルダ１４，１６，２２ａ，２２ｂ，２４ａ，２４ｂ凹部３０磁石３２ＹＩＧ素子３４ａ，３４ｂトランスデューサ

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者金谷文夫京都府長岡京市天神２丁目26番10号株式会社村田製作所内 (56)参考文献特許2595830（ＪＰ，Ｂ１) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) H01P 1/215 - 1/218

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】フェリ磁性素子と、前記フェリ磁性素子
に磁界を印加するための磁石と、前記フェリ磁性素子に
関連して設けられるトランスデューサとを有する静磁波
装置であって、前記フェリ磁性素子を収納するためのフェリ磁性素子収
納部と、前記磁石を前記フェリ磁性素子に対して所定の
位置に収納するための磁石収納部と、前記トランスデュ
ーサを前記フェリ磁性素子に対して所定の位置に収納す
るためのトランスデューサ収納部とを有する合成樹脂か
らなるホルダを含む、静磁波装置。