JP3131929B2 - 炭素添加化合物半導体結晶成長方法 - Google Patents
炭素添加化合物半導体結晶成長方法Info
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Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、気相成長法による炭素
添加化合物半導体薄膜の結晶成長方法に関するものであ
る。
添加化合物半導体薄膜の結晶成長方法に関するものであ
る。
【0002】
【従来の技術】III・V 属化合物半導体において、導電形
の制御に電気的活性不純物元素の添加が重要である。特
に、化合物半導体薄膜においては、デバイスの高性能化
の点から電気的活性不純物元素を高濃度に添加して、低
抵抗化することが重要である。n形結晶については、シ
リコンが良好な不純物であり、添加法も容易なことから
低抵抗化は容易である。しかし、p形結晶については、
不純物元素種や添加法の点から問題がある。
の制御に電気的活性不純物元素の添加が重要である。特
に、化合物半導体薄膜においては、デバイスの高性能化
の点から電気的活性不純物元素を高濃度に添加して、低
抵抗化することが重要である。n形結晶については、シ
リコンが良好な不純物であり、添加法も容易なことから
低抵抗化は容易である。しかし、p形結晶については、
不純物元素種や添加法の点から問題がある。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】従来、低抵抗のp形結
晶成長に用いる添加不純物としては、亜鉛やベリリウム
などのII属元素が用いられている。しかし、亜鉛は拡散
定数が大きいという欠点があり、デバイスプロセスでの
熱処理で隣接するn形層へ拡散し、p−n接合の位置が
ずれたり、p−n接合の急峻性が崩れたりして、デバイ
スの特性劣化の原因となっている。ベリリウムは亜鉛よ
り拡散定数が小さいが、高濃度化(低抵抗化)に伴い、
通電により異常拡散が生じることから(Appl.Phys.Lett.
58(18)、6 May 1991 p2015)、亜鉛の場合と同様にp−n
接合の位置や急峻性が問題となる。
晶成長に用いる添加不純物としては、亜鉛やベリリウム
などのII属元素が用いられている。しかし、亜鉛は拡散
定数が大きいという欠点があり、デバイスプロセスでの
熱処理で隣接するn形層へ拡散し、p−n接合の位置が
ずれたり、p−n接合の急峻性が崩れたりして、デバイ
スの特性劣化の原因となっている。ベリリウムは亜鉛よ
り拡散定数が小さいが、高濃度化(低抵抗化)に伴い、
通電により異常拡散が生じることから(Appl.Phys.Lett.
58(18)、6 May 1991 p2015)、亜鉛の場合と同様にp−n
接合の位置や急峻性が問題となる。
【0004】炭素はGaAs系材料の良好なp形添加不
純物として注目され、トリメチルガリウムやトリメチル
ひ素を用いた炭素添加結晶成長方法が広く研究されるよ
うになってきた。有機金属を用いたGaAs系薄膜の気
相成長では、結晶性を良くする点から成長温度は650
℃以上である。しかし、従来のトリメチルガリウムやト
リメチルひ素を用いた炭素添加結晶成長方法では、成長
温度を500℃〜550℃という著しい低温にしないと
炭素不純物を高濃度添加できないという重大な欠点を持
っていた。成長温度の低下は結晶性の劣化につながり、
これはデバイスの特性劣化の原因となる重要な問題であ
る。
純物として注目され、トリメチルガリウムやトリメチル
ひ素を用いた炭素添加結晶成長方法が広く研究されるよ
うになってきた。有機金属を用いたGaAs系薄膜の気
相成長では、結晶性を良くする点から成長温度は650
℃以上である。しかし、従来のトリメチルガリウムやト
リメチルひ素を用いた炭素添加結晶成長方法では、成長
温度を500℃〜550℃という著しい低温にしないと
炭素不純物を高濃度添加できないという重大な欠点を持
っていた。成長温度の低下は結晶性の劣化につながり、
これはデバイスの特性劣化の原因となる重要な問題であ
る。
【0005】本発明の目的は、気相成長法による高温成
長可能な高濃度炭素添加化合物半導体薄膜の結晶成長方
法を提供することにある。
長可能な高濃度炭素添加化合物半導体薄膜の結晶成長方
法を提供することにある。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明にかかる炭素添加
化合物半導体結晶成長方法は、気相成長法によるGaA
s結晶もしくはAlGaAs結晶への炭素添加結晶成長
方法において、有機金属ガスであるトリメチルアンチモ
ン(TMSb)もしくはトリメチルインジウム(TMI
n)を上記GaAs結晶もしくはAlGaAs結晶の成
長ガスとともに供給するものである。
化合物半導体結晶成長方法は、気相成長法によるGaA
s結晶もしくはAlGaAs結晶への炭素添加結晶成長
方法において、有機金属ガスであるトリメチルアンチモ
ン(TMSb)もしくはトリメチルインジウム(TMI
n)を上記GaAs結晶もしくはAlGaAs結晶の成
長ガスとともに供給するものである。
【0007】
【作用】本発明においては、従来の500℃という温度
に比べて、例えば650℃というような高温で成長させ
ても、高濃度に炭素不純物を結晶中に添加させることが
できる。
に比べて、例えば650℃というような高温で成長させ
ても、高濃度に炭素不純物を結晶中に添加させることが
できる。
【0008】本発明は、気相法による高濃度炭素不純物
添加III・V 族化合物半導体薄膜の成長において、炭素不
純物供給源としてトリメチルアンチモンあるいはトリメ
チルインジウムのような母結晶の格子定数を大きくする
ようなIII 族またはV族の等電荷元素を用いることを最
も主要な特徴とする。
添加III・V 族化合物半導体薄膜の成長において、炭素不
純物供給源としてトリメチルアンチモンあるいはトリメ
チルインジウムのような母結晶の格子定数を大きくする
ようなIII 族またはV族の等電荷元素を用いることを最
も主要な特徴とする。
【0009】
【実施例】図1は本発明を実施するための装置の一例を
示す概略図である。この図で、1は反応容器、2は加熱
用の高周波コイル、3はガス供給口、4はガス排気口、
5〜9はガスボンベで、それぞれトリメチルアンチモン
(TMSb),トリメチルインジウム(TMIn),ト
リメチルガリウム(TMGa),アルシン(AsH
3 ),トリメチルひ素(TMAs)の各ガスが充填され
ている。なお、図1は従来例の説明も行えるように、T
MAsのガスボンベ9も示してある。ただし、ドーパン
トガスのガスボンベは省略してある。5a〜9aは開閉
用のバルブ、10は半絶縁性GaAs基板(以下、単に
基板という)、20は基板支持部材を示す。
示す概略図である。この図で、1は反応容器、2は加熱
用の高周波コイル、3はガス供給口、4はガス排気口、
5〜9はガスボンベで、それぞれトリメチルアンチモン
(TMSb),トリメチルインジウム(TMIn),ト
リメチルガリウム(TMGa),アルシン(AsH
3 ),トリメチルひ素(TMAs)の各ガスが充填され
ている。なお、図1は従来例の説明も行えるように、T
MAsのガスボンベ9も示してある。ただし、ドーパン
トガスのガスボンベは省略してある。5a〜9aは開閉
用のバルブ、10は半絶縁性GaAs基板(以下、単に
基板という)、20は基板支持部材を示す。
【0010】(実施例1)炭素不純物供給源として、T
MSbを用いる場合について説明する。ガスボンベ7,
8のバルブ7a,8aを開いて、反応容器1内にTMG
aガス,AsH3ガスを送りバッファ層を形成し、次い
でガスボンベ5のバルブ5aを開いてTMSbガスを送
る。成長温度は650℃、流量はTMSbガスは0.4
ccm,TMGaガスは1.5ccm,AsH3 ガスは
4.0ccmとした。
MSbを用いる場合について説明する。ガスボンベ7,
8のバルブ7a,8aを開いて、反応容器1内にTMG
aガス,AsH3ガスを送りバッファ層を形成し、次い
でガスボンベ5のバルブ5aを開いてTMSbガスを送
る。成長温度は650℃、流量はTMSbガスは0.4
ccm,TMGaガスは1.5ccm,AsH3 ガスは
4.0ccmとした。
【0011】図2に結晶が成長した基板10の断面図を
示す。図2で、11はバッファ(GaAs)層、12は
炭素添加(p形GaAs)層を示す。
示す。図2で、11はバッファ(GaAs)層、12は
炭素添加(p形GaAs)層を示す。
【0012】図3に実施例1における炭素添加GaAs
層の炭素濃度の深さ方向分布を、二次イオン質量分析法
により測定した結果を示す。図3で横軸は基板10の表
面からの距離であり、Oは基板10と成長結晶の界面、
プラスは成長結晶側、マイナスは基板10側を示し、縦
軸は結晶中炭素濃度を示す。
層の炭素濃度の深さ方向分布を、二次イオン質量分析法
により測定した結果を示す。図3で横軸は基板10の表
面からの距離であり、Oは基板10と成長結晶の界面、
プラスは成長結晶側、マイナスは基板10側を示し、縦
軸は結晶中炭素濃度を示す。
【0013】図3から、TMSbを供給していないバッ
ファ層11のGaAsの炭素濃度は基板10の濃度と同
じで、検出限界(5×1016atoms/cm3 )以下
である。TMSbを供給した炭素添加層12には深さ方
向に均一に分布した高濃度(1×1018atoms/c
m3 )な炭素不純物が検出された。このように、本発明
の方法では、TMSbの供給層だけに炭素不純物を均一
に高濃度添加することができることがわかる。
ファ層11のGaAsの炭素濃度は基板10の濃度と同
じで、検出限界(5×1016atoms/cm3 )以下
である。TMSbを供給した炭素添加層12には深さ方
向に均一に分布した高濃度(1×1018atoms/c
m3 )な炭素不純物が検出された。このように、本発明
の方法では、TMSbの供給層だけに炭素不純物を均一
に高濃度添加することができることがわかる。
【0014】比較のために、従来のTMAsを用いた炭
素添加法で結晶成長を行った。図1でガスボンベ6とガ
スボンベ8を用いた。650℃で成長したGaAs結晶
の炭素濃度は6×1016atoms/cm3 で、基板1
0の濃度(5×1016atoms/cm3 )とほぼ同じ
であり、ほとんど添加できないことがわかる。また、同
様として、従来のTMGaを用いた炭素添加法により6
50℃で成長したGaAs結晶の場合でも、炭素濃度は
1×1017atoms/cm3 と、本発明の方法より1
桁低い濃度の結晶である。
素添加法で結晶成長を行った。図1でガスボンベ6とガ
スボンベ8を用いた。650℃で成長したGaAs結晶
の炭素濃度は6×1016atoms/cm3 で、基板1
0の濃度(5×1016atoms/cm3 )とほぼ同じ
であり、ほとんど添加できないことがわかる。また、同
様として、従来のTMGaを用いた炭素添加法により6
50℃で成長したGaAs結晶の場合でも、炭素濃度は
1×1017atoms/cm3 と、本発明の方法より1
桁低い濃度の結晶である。
【0015】このように、従来の炭素添加方法によるG
aAs結晶の場合、炭素不純物は高品質が得られる高温
成長においてはほとんど添加できないか、あるいは添加
できても低濃度に限られることがわかる。
aAs結晶の場合、炭素不純物は高品質が得られる高温
成長においてはほとんど添加できないか、あるいは添加
できても低濃度に限られることがわかる。
【0016】本発明のTMSbを用いた炭素不純物添加
法によるGaAs結晶の品質は、成長温度が従来の炭素
添加法による結晶よりも約150℃高いため、非常に良
いことがフォトルミネッセンス(略PL)法による強い
ピーク強度から確認された。アンチモンは、GaAs結
晶中に取り込まれにくく、結晶中濃度はオージェ電子分
光分析法の検出した限界に近い数%である。GaAs中
の数%のアンチモンは、GaAsのバンドギャップに影
響を及ぼさないため、混入しても問題とならない。
法によるGaAs結晶の品質は、成長温度が従来の炭素
添加法による結晶よりも約150℃高いため、非常に良
いことがフォトルミネッセンス(略PL)法による強い
ピーク強度から確認された。アンチモンは、GaAs結
晶中に取り込まれにくく、結晶中濃度はオージェ電子分
光分析法の検出した限界に近い数%である。GaAs中
の数%のアンチモンは、GaAsのバンドギャップに影
響を及ぼさないため、混入しても問題とならない。
【0017】(実施例2)本発明の第2の実施例につい
て説明する。この実施例では、図1のガスボンベ6を用
いて炭素不純物供給源としてTMInを用いた。この場
合の炭素添加p形GaAs結晶中の炭素濃度の深さ方向
分布を二次元イオン質量分析法により測定した結果を図
4に示す。成長温度は650℃、原料供給量はTMIn
0.01ccm、TMGa1.5ccm、AsH3 4.
0ccmである。基板10は無添加半絶縁性GaAsで
ある。
て説明する。この実施例では、図1のガスボンベ6を用
いて炭素不純物供給源としてTMInを用いた。この場
合の炭素添加p形GaAs結晶中の炭素濃度の深さ方向
分布を二次元イオン質量分析法により測定した結果を図
4に示す。成長温度は650℃、原料供給量はTMIn
0.01ccm、TMGa1.5ccm、AsH3 4.
0ccmである。基板10は無添加半絶縁性GaAsで
ある。
【0018】TMInを供給していないバッファ層11
のGaAsの炭素濃度はGaAs基板の濃度と同じで、
検出限界(5×1016atoms/cm3 )以下であ
る。TMInを供給したGaAs層(炭素添加GaAs
層)には、深さ方向に均一に分布した高濃度(7×10
17atoms/cm3 )な炭素不純物が検出された。こ
のように、本発明の方法では、TMInの供給層だけに
炭素不純物を均一に高濃度添加することができることが
わかる。
のGaAsの炭素濃度はGaAs基板の濃度と同じで、
検出限界(5×1016atoms/cm3 )以下であ
る。TMInを供給したGaAs層(炭素添加GaAs
層)には、深さ方向に均一に分布した高濃度(7×10
17atoms/cm3 )な炭素不純物が検出された。こ
のように、本発明の方法では、TMInの供給層だけに
炭素不純物を均一に高濃度添加することができることが
わかる。
【0019】従来のTMAsやTMGaを用いた炭素添
加法により650℃で成長したGaAs結晶の炭素濃度
については図1で説明したので省略する。
加法により650℃で成長したGaAs結晶の炭素濃度
については図1で説明したので省略する。
【0020】本発明によるTMInを用いた炭素不純物
添加法によるGaAs結晶の品質は、成長温度が従来の
炭素添加法による結晶よりも約150℃高いため、非常
に良いことがフォトルミネッセンス(略PL)法による
強いピーク強度から確認された。インジウムの結晶中濃
度は、オージェ電子分光分析法の検出した限界に近い数
%である。GaAs中の数%のインジウムは、GaAs
のバンドギャップに影響を及ぼさないため混入しても問
題とならない。
添加法によるGaAs結晶の品質は、成長温度が従来の
炭素添加法による結晶よりも約150℃高いため、非常
に良いことがフォトルミネッセンス(略PL)法による
強いピーク強度から確認された。インジウムの結晶中濃
度は、オージェ電子分光分析法の検出した限界に近い数
%である。GaAs中の数%のインジウムは、GaAs
のバンドギャップに影響を及ぼさないため混入しても問
題とならない。
【0021】本発明のAlGaAsへのTMSbおよび
TMInを用いた炭素不純物添加法は、TMSbおよび
TMInを用いたGaAs結晶の場合と同じ条件で、母
結晶を構成するAl供給源のトリメチルアルミニウムを
追加するだけであるので、特に説明を要しない。結晶の
炭素不純物濃度は、AlGaAsの場合、GaAsより
1桁多い濃度が得られる。結晶品質はGaAsの場合と
同様に、高品質である。
TMInを用いた炭素不純物添加法は、TMSbおよび
TMInを用いたGaAs結晶の場合と同じ条件で、母
結晶を構成するAl供給源のトリメチルアルミニウムを
追加するだけであるので、特に説明を要しない。結晶の
炭素不純物濃度は、AlGaAsの場合、GaAsより
1桁多い濃度が得られる。結晶品質はGaAsの場合と
同様に、高品質である。
【0022】図5はGaAsの格子定数に対する不純物
(炭素,アンチモン,インジウム)濃度の影響を計算し
た結果を示す図である。炭素はGaAsの格子定数を小
さくし、アンチモンとインジウムは逆に格子定数を大き
くする。このため、基板10より格子定数の小さい炭素
添加結晶は拡張歪みを生じるが、アンチモンとインジウ
ムは逆に格子定数を大きくするため、炭素添加による拡
張歪みを開放させる効果があることがわかる。この計算
結果をもとに、本発明により成長させた高濃度(5×1
019atoms/cm3 )炭素添加GaAs結晶では、
格子定数が約0.01オングストローム小さくなり拡張
歪みを生じるが、同時に混入する約2%のSbにより、
格子定数はGaAsとほぼ一致する。このため、歪や転
位の発生は観察されなかった。
(炭素,アンチモン,インジウム)濃度の影響を計算し
た結果を示す図である。炭素はGaAsの格子定数を小
さくし、アンチモンとインジウムは逆に格子定数を大き
くする。このため、基板10より格子定数の小さい炭素
添加結晶は拡張歪みを生じるが、アンチモンとインジウ
ムは逆に格子定数を大きくするため、炭素添加による拡
張歪みを開放させる効果があることがわかる。この計算
結果をもとに、本発明により成長させた高濃度(5×1
019atoms/cm3 )炭素添加GaAs結晶では、
格子定数が約0.01オングストローム小さくなり拡張
歪みを生じるが、同時に混入する約2%のSbにより、
格子定数はGaAsとほぼ一致する。このため、歪や転
位の発生は観察されなかった。
【0023】図6はTMSbとTMAsをそれぞれ用い
て成長した同一濃度(5×1019atoms/cm3 )
の炭素不純物を含むGaAs表面荒さの測定結果を示
す。TMAsを用いた炭素添加GaAsに拡張歪により
発生した転位によるハッチパターンが観察され、これに
対応した表面の凹凸が観測できる。一方、TMSbを用
いた炭素添加GaAsにはハッチパターンは見られな
い。したがって、表面の凹凸もない。このことから、本
発明のように、アンチモンやインジウムを用いると格子
定数が整合するため、転位の発生しない極めて有効な炭
素不純物添加法であるといえる。
て成長した同一濃度(5×1019atoms/cm3 )
の炭素不純物を含むGaAs表面荒さの測定結果を示
す。TMAsを用いた炭素添加GaAsに拡張歪により
発生した転位によるハッチパターンが観察され、これに
対応した表面の凹凸が観測できる。一方、TMSbを用
いた炭素添加GaAsにはハッチパターンは見られな
い。したがって、表面の凹凸もない。このことから、本
発明のように、アンチモンやインジウムを用いると格子
定数が整合するため、転位の発生しない極めて有効な炭
素不純物添加法であるといえる。
【0024】このような格子定数の整合効果は、TMI
nを用いた炭素添加GaAsの場合や、TMSbないし
TMInを用いた炭素添加AlGaAsにも同様な効果
があることは説明を要しない。
nを用いた炭素添加GaAsの場合や、TMSbないし
TMInを用いた炭素添加AlGaAsにも同様な効果
があることは説明を要しない。
【0025】以上の結果から明らかなように、本発明で
は、結晶成長温度を従来の炭素添加法よりも高くでき、
しかも格子整合結晶を得ることができるため、結晶品質
に優れた高濃度炭素添加結晶を得ることができる。
は、結晶成長温度を従来の炭素添加法よりも高くでき、
しかも格子整合結晶を得ることができるため、結晶品質
に優れた高濃度炭素添加結晶を得ることができる。
【0026】
【0027】
【発明の効果】以上説明したように、本発明による炭素
添加化合物半導体薄膜の結晶成長方法では、結晶成長を
高温で行えることや、炭素と同時に混入する、例えばア
ンチモンやインジウムが格子定数の整合効果があること
などにより、高品質の高濃度炭素添加GaAs結晶もし
くはAlGaAs結晶が得られる。よって、低抵抗のG
aAs結晶もしくはAlGaAs結晶が容易に実現でき
る利点がある。これを応用することにより、急峻なpn
接合を持つ高性能な半導体デバイスを製造することがで
きる。p形GaAs系結晶に応用した場合、低抵抗のベ
ース層が容易に実現できることから、高性能なヘテロ接
合バイポーラトランジスタが製作できる。
添加化合物半導体薄膜の結晶成長方法では、結晶成長を
高温で行えることや、炭素と同時に混入する、例えばア
ンチモンやインジウムが格子定数の整合効果があること
などにより、高品質の高濃度炭素添加GaAs結晶もし
くはAlGaAs結晶が得られる。よって、低抵抗のG
aAs結晶もしくはAlGaAs結晶が容易に実現でき
る利点がある。これを応用することにより、急峻なpn
接合を持つ高性能な半導体デバイスを製造することがで
きる。p形GaAs系結晶に応用した場合、低抵抗のベ
ース層が容易に実現できることから、高性能なヘテロ接
合バイポーラトランジスタが製作できる。
【0028】特に、アンチモンを含む炭素添加GaAs
の場合は、価電子帯不連続量が大きいことから、ショッ
トキ障壁高さが炭素だけを添加したGaAsよりも低下
するため、金属(電極)との接触抵抗が減少し、良好な
オーミック接合が得やすい。
の場合は、価電子帯不連続量が大きいことから、ショッ
トキ障壁高さが炭素だけを添加したGaAsよりも低下
するため、金属(電極)との接触抵抗が減少し、良好な
オーミック接合が得やすい。
【図1】本発明を実施するための装置の一例を示す概略
図である。
図である。
【図2】結晶成長させた基板の例を示す断面図である。
【図3】トリメチルアンチモンを用いたGaAs結晶中
の炭素濃度の深さ方向分布の測定結果で、従来の方法に
より成長した結晶との比較を示したものである。
の炭素濃度の深さ方向分布の測定結果で、従来の方法に
より成長した結晶との比較を示したものである。
【図4】トリメチルインジウムを用いたGaAs結晶中
の炭素濃度の深さ方向分布の測定結果で、従来の方法に
より成長した結晶との比較して示したものである。
の炭素濃度の深さ方向分布の測定結果で、従来の方法に
より成長した結晶との比較して示したものである。
【図5】GaAs結晶中の格子定数に対する不純物(炭
素,アンチモン,インジウム)の影響を計算した結果を
示す図である。
素,アンチモン,インジウム)の影響を計算した結果を
示す図である。
【図6】トリメチルアンチモンを用いた炭素添加GaA
sとトリメチルひ素を用いた炭素添加GaAsの表面荒
さ測定結果を示す。
sとトリメチルひ素を用いた炭素添加GaAsの表面荒
さ測定結果を示す。
1 反応容器 2 高周波コイル 3 ガス供給口 4 ガス排気口 5 ガウボンベ 6 ガスボンベ 7 ガスボンベ 8 ガスボンベ 9 ガスボンベ 10 基板 11 バッファ層 12 炭素添加層 20 基板支持部材
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平2−203520(JP,A) 特開 平3−110829(JP,A) 特開 昭64−7614(JP,A) 特開 平4−146680(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H01L 21/205
Claims (1)
- 【請求項1】 気相成長法によるGaAs結晶もしくは
AlGaAs結晶への炭素添加結晶成長方法において、
有機金属ガスであるTMSbもしくはTMInを上記G
aAs結晶もしくはAlGaAs結晶の成長ガスととも
に供給することを特徴とする炭素添加化合物半導体結晶
成長方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP03271907A JP3131929B2 (ja) | 1991-09-25 | 1991-09-25 | 炭素添加化合物半導体結晶成長方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP03271907A JP3131929B2 (ja) | 1991-09-25 | 1991-09-25 | 炭素添加化合物半導体結晶成長方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0590166A JPH0590166A (ja) | 1993-04-09 |
JP3131929B2 true JP3131929B2 (ja) | 2001-02-05 |
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ID=17506550
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---|---|---|---|
JP03271907A Expired - Fee Related JP3131929B2 (ja) | 1991-09-25 | 1991-09-25 | 炭素添加化合物半導体結晶成長方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3131929B2 (ja) |
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---|---|---|---|---|
JP4901110B2 (ja) * | 2005-02-22 | 2012-03-21 | Jx日鉱日石金属株式会社 | 化合物半導体エピタキシャル結晶及びその成長方法 |
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1991
- 1991-09-25 JP JP03271907A patent/JP3131929B2/ja not_active Expired - Fee Related
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Publication number | Publication date |
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JPH0590166A (ja) | 1993-04-09 |
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