JP3664193B2 - 熱処理装置及び熱処理方法 - Google Patents
熱処理装置及び熱処理方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP3664193B2 JP3664193B2 JP4795296A JP4795296A JP3664193B2 JP 3664193 B2 JP3664193 B2 JP 3664193B2 JP 4795296 A JP4795296 A JP 4795296A JP 4795296 A JP4795296 A JP 4795296A JP 3664193 B2 JP3664193 B2 JP 3664193B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- heat treatment
- processed
- insertion direction
- treatment apparatus
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、熱処理装置及び熱処理方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
半導体デバイスの製造プロセスにおいては、被処理体である半導体ウエハに酸化、拡散、CVD(Chemical Vapor Deposition)、アニールなどの処理を行うために、各種の熱処理装置が使用されている。この種の熱処理装置の一つとして、被処理体を支持する支持部を有する移載機構により、上記被処理体を予め加熱された処理室内に水平方向から挿入移載して熱処理する枚葉式の熱処理装置が提案されている。
【0003】
上記熱処理装置によれば、処理室内が予め加熱されているので、ウエハを迅速に昇温させて熱処理することが可能となり、スループットの向上が図れる。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記熱処理装置においては、予め加熱された処理室内にウエハを挿入する際に、挿入方向の先端側と後端側とに生じる挿入時差により、ウエハには挿入方向に温度分布、すなわち面内温度差が発生する。この面内温度差が大きい場合には、ウエハにスリップ(結晶のズレ)が発生し、品質の低下や半導体デバイスの歩留りの低下を招く問題がある。
【0005】
そこで、本発明は、上記課題を解決すべくなされたもので、被処理体を予め加熱された処理室内に水平方向から挿入する際の挿入時差による被処理体の面内温度差を可及的に低減し得る熱処理装置及び熱処理方法を提供することを目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために本発明のうち請求項1に係る発明は、被処理体を支持する支持部を有する移載機構により、上記被処理体を予め加熱された処理室内に水平方向から挿入移載して熱処理する熱処理装置において、上記支持部の熱容量または吸熱特性を、挿入時差による上記被処理体の面内温度差を低減すべく挿入方向に変化させてなることを特徴とする。
【0007】
請求項2に係る発明は、請求項1に記載の熱処理装置における上記支持部が肉厚を挿入方向に漸増させて形成されていることを特徴とする。
【0008】
請求項3に係る発明は、請求項1に記載の熱処理装置における上記支持部が上記被処理体とほぼ同じ平面形状に形成され、上面を上記被処理体の載置面とし、下面側の肉厚を挿入方向に漸増させて形成されていることを特徴とする。
請求項4に係る発明は、被処理体を支持する支持部を有する移載機構により、上記被処理体を予め加熱された処理室内に水平方向から挿入移載して熱処理する熱処理方法において、挿入時差による上記被処理体の面内温度差を低減すべく上記支持部の熱容量が挿入方向に漸増するように支持部の肉厚を挿入方向後端から先端に向って漸次増大させて形成することにより、被処理体の挿入方向先端側の温度上昇を抑えて被処理体後端部の挿入時点での面内温度差を低減することを特徴とする。
【0009】
【実施の形態】
以下に、本発明の実施の形態を添付図面に基づいて詳述する。
【0010】
先ず、本発明が適用される熱処理装置を含む複数の処理室を備えたマルチチャンバ型処理装置の概略的平面構成を示す図3において、1はローダ室を構成する第1の移載室であり、この移載室1の両側にはゲートバルブG1,G2を介して第1のカセット室2Aおよび第2のカセット室2Bが接続されている。これらカセット室2A,2Bは、複数枚(例えば25枚)の被処理体(被処理基板)例えば半導体ウエハWを所定の間隔(例えば5mm間隔)で収容する容器たるカセット3を収容するチャンバとして形成されている。
【0011】
上記カセット室2A,2Bには、外部との間を開閉するゲートバルブG3,G4が設けられ、カセット室2A,2B内には上記カセット3をウエハWが水平な状態で支持するアームを有してカセット3を外部との間で上記ゲートバルブG3,G4を介して搬入搬出するカセット搬入搬出機構と、搬入されたカセット3を上記アームから受け取って高さ調整可能に支持する昇降可能なカセットステージとを備えている(図示省略)。第1の移載室1およびカセット室2A,2Bは、不活性ガス例えば窒素(N2)ガスの供給により、大気圧(常圧)以上、例えば大気圧の不活性ガス雰囲気に維持されていることが好ましい。
【0012】
上記第1の移載室1内には、第1の移載機構4と、ウエハWの中心およびオリエンテーションフラット(オリフラともいう)の位置合せを行うための回転ステージ5とが配設されている。この回転ステージ5は、ウエハWの周縁位置を検知する図示しない光センサおよび上記第1の移載機構4とともにウエハWの位置合せ機構を構成している。例えばウエハWの中心が回転ステージ5の中心からずれていることが検出された場合には、第1の移載機構4によりウエハWの位置を修正する。
【0013】
上記第1の移載機構4は、水平に回動および伸縮可能なアーム、例えば多関節アームからなり、先端(ウエハ支持部)には支持したウエハWを真空吸着する吸引孔6を有していることが好ましい。上記第1ないし第2のカセット室2A,2B内のカセット3と、上記回転ステージ5と、後述の真空予備室11A,11Bとの間でウエハWの移載を行うように構成されている。
【0014】
上記第1の移載室1の後方には、ゲートバルブG5,G6を介して第1の真空予備室7Aおよび第2の真空予備室7Bが接続されている。これら真空予備室7A,7Bは、室内を所定の圧力10-3〜10-4Torrに減圧する減圧ポンプおよび室内を不活性ガス例えば窒素ガスで常圧復帰させるためのガス源が接続されている。また、真空予備室7A,7Bには、処理前のウエハを予め加熱(予熱)する加熱手段および処理後のウエハを冷却する冷却手段を備えていることが好ましい。
【0015】
上記第1および第2の真空予備室7A,7Bの後方には、ゲートバルブG7,G8を介して第2の移載室8が接続されている。この第2の移載室8内には、上記真空予備室7A,7Bと、後述の処理室10A〜10Cとの間でウエハWの移載を行うための例えば多関節アームからなる第2の移載機構9が配置されている。この第2の移載機構9の詳細については後述する。
【0016】
上記第2の移載室8には、ゲートバルブG9〜G11を介して左右および後方の三方に第1〜第3の処理室10A〜10Cが接続され、これら移載室8および処理室10A〜10Cは減圧ポンプにより所定の圧力例えば10-3〜10-6Torrに減圧されるようになっている。上記処理室10A〜10Cは、同一の処理を行なうように構成されていてもよく、あるいは異なる処理を行なうように構成されていてもよい。
【0017】
上記処理室10A〜10Cの少なくとも一つは、熱処理装置、例えば枚葉式減圧CVD装置の処理室10として構成されている。この熱処理装置の処理室10は、例えば図4に示すように偏平な円形容器状の石英製チャンバからなっている。この処理室10の外側の上部と下部には、例えばカンタル線等の発熱抵抗体からなる面状の加熱部(ヒータ)11a,11bが設けられ、処理室10内を所定の熱処理温度、例えば1,000℃に加熱し得るように構成されている。
【0018】
上記処理室10は、例えばアルミニウム合金製のケーシング12の内部に断熱空間、あるいはグラスウール等の断熱材13を介して収容されている。上記ケーシング12は、外部への熱的影響を防止するために、冷却構造例えば冷却水通路を有する水冷構造とされていることが好ましい。
【0019】
上記処理室10の側部には、ウエハWを搬入搬出する出入口14が設けられ、この出入口14にはこれを開閉するゲートバルブG(G9〜G11)が設けられている。また、処理室10の側部には、処理室10内を減圧排気する減圧ポンプ等に通じる排気口15と、処理室10内に処理ガス、不活性ガス例えば窒素ガス、クリーニングガス等を供給するこれらのガス源に通じるガス供給口16とが設けられている。
【0020】
また、処理室10内には、搬入されたウエハWを保持する保持手段として、図示例ではウエハWの下面を保持すべく複数例えば3本の石英製保持ピン(ウエハ保持ピンともいう)17が設けられている。なお、上記保持手段としては、ウエハWの被処理面とは反対側の面(下面または上面)全体を保持する面状のもの、あるいはウエハWの周縁部を保持する環状のもの等であってもよい。また、上記保持手段は、移載機構(上記第2の移載機構)9との間でウエハWの受取り受渡しを行なう上下動機構を有していてもよい。
【0021】
上記移載機構9は、図1ないし図2に示すように基台18の上部に水平に回動および伸縮可能な多関節アームからなる移載アーム19を設け、この移載アーム19の先端にウエハWを支持する支持部(ウエハ支持部ともいう)20を有している。上記移載アーム19は、基台18の上部に一端が水平に回動可能に設けられた基部アーム部19aと、この基部アーム部19aの他端に一端が水平に回動可能に設けられた中間アーム部19bと、この中間アーム部19bの他端に一端が水平に回動可能に設けられた先端アーム部19cとから主に構成されており、この先端アーム部19cに上記ウエハ支持部20が設けられている。なお、上記処理室10内のウエハ保持ピン17側がウエハ支持部20との間でウエハWの受取り受渡しを行なうための上下動機構を有しない場合には、上記移載アーム19側が上下動可能に構成されていることが好ましい。
【0022】
上記移載機構9は、ウエハWの熱処理を行なう場合、予め加熱された上記処理室10内に移載アーム19の伸張動作でウエハ支持部20上のウエハWを水平方向から挿入(搬入)してウエハ保持ピン17上に移載した後、移載アーム19を移載室(第2の移載室)8側に収縮させる。また、熱処理が終了した場合には、上記とは逆の動作で熱処理後のウエハWを処理室10外に搬出する。
【0023】
上記ウエハWを予め加熱された処理室10内に水平方向から挿入する場合、その挿入過程で先ずウエハWの挿入方向先端が最初に加熱され、次いでウエハWの後端が遅れて加熱される。このようにウエハ面内の挿入時差に起因して生じる温度差を低減するために、上記移載機構9のウエハ支持部20がその熱容量を挿入方向に変化させて形成されている。図示例のウエハ支持部20においては、ウエハWとほぼ同じ平面形状、例えばウエハWの直径と同じ直径Dの円板状に形成され、その上面がウエハWを載置する平坦な載置面21とされ、下面側の肉厚tが挿入方向Xの後端から先端に向って漸増して形成されている。
【0024】
上記ウエハ支持部20の材質としては、例えばアルミナ(Al2O3)が用いられるが、炭化ケイ素(SiC)、石英等であってもよい。また、処理室10内に図4に示すようなウエハ保持ピン17を有する場合には、上記ウエハ支持部20には図5に示すようにウエハ保持ピン17との干渉を避けるための切欠部22が設けられていることが好ましい。
【0025】
次に、以上のように構成された熱処理装置の作用について述べる。熱処理装置の処理室10内は、加熱部11a,11bによって予め所定の熱処理温度に加熱されている。この加熱状態の処理室10内にウエハWが移載機構9によって水平方向から挿入される。この場合、上記ウエハWは、カセット室2Aもしくは2Bのカセット3から真空予備室7Aもしくは7B内に移送されており、この真空予備室7Aもしくは7B内から移載機構9における移載アーム19のウエハ支持部20上に支持されて移載室8内を経由し、上記処理室10内に開状態のゲートバルブGを介して水平方向から挿入され、ウエハ保持ピン17上に移載される。移載後、移載機構9の移載アーム19は収縮して移載室8内に戻され、処理室10のゲートバルブGが閉じられる。
【0026】
上記処理室10内は、排気口15からの減圧排気により所定の減圧状態に維持され、この状態でガス供給口16から処理ガスを上記加熱状態のウエハWの被処理面に供給することにより、ウエハWの被処理面にはCVD法による成膜処理が面内均一に施される。所定の処理が終了したなら、処理室10内を不活性ガスでパージした後、ゲートバルブGを開けて移載機構9により処理済みのウエハWが処理室10内から搬出され、真空予備室7Aもしくは7B等を介してカセット室2Aもしくは2Bのカセット3に収容される。このようにして順次連続的にウエハWの熱処理を含む処理が行なわれる。
【0027】
ところで、上記ウエハWを予め加熱された処理室10内に水平方向から挿入する場合、先ずウエハWの挿入方向Xの先端が最初に挿入され、次いでウエハWの後端が遅れて挿入されため、この挿入時差に起因してウエハWの面内には挿入方向Xに温度分布ないし温度差が生じる。上記移載機構9のウエハ支持部10の肉厚tが挿入方向Xに一定であった従来の熱処理装置においては、ウエハWを処理室10内に挿入した際に、ウエハWの挿入方向先端部Aは図6の昇温曲線L1で示すように昇温し、ウエハWの後端部Bは挿入時点Pから昇温曲線L2で示すように昇温し、その挿入時点Pでの面内温度差がTfであった。
【0028】
一方、本実施の形態の熱処理装置においては、上記面内温度差を低減すべく上記移載機構9のウエハ支持部20の熱容量が挿入方向Xに漸増するように肉厚tを挿入方向後端から先端に向って漸次増大させて形成されている。このため、上記ウエハWの下面に接しているウエハ支持部20の挿入方向先端側の熱容量が大きい分、ウエハWの挿入方向先端側の温度上昇が抑えられる。これにより、ウエハWの挿入方向先端部Aは図6の昇温曲線L3で示すように昇温するため、ウエハ後端部Bの挿入時点Pでの面内温度差が上記Tfよりも小さいTsに低減する。
【0029】
このように上記熱処理装置によれば、ウエハWを支持するウエハ支持部20を有する移載機構9により、上記ウエハWを予め加熱された処理室10内に水平方向から挿入移載して熱処理する熱処理装置において、上記ウエハ支持部20の熱容量を、挿入時差による上記ウエハWの面内温度差を低減すべく挿入方向に変化させてなるため、挿入時差により生じる上記ウエハWの面内温度差を可及的に低減することが可能となり、上記ウエハWの品質およびスループットの向上が図れる。
【0030】
この場合、上記ウエハ支持部20の肉厚tを挿入方向に漸増させて熱容量を漸増させているため、比較的簡単な構造で挿入時差による上記ウエハWの面内温度差を容易に低減することが可能となる。また、上記ウエハ支持部20が上記ウエハWとほぼ同じ平面形状に形成され、上面を上記ウエハWの載置面21とし、下面側の肉厚tを挿入方向Xに漸増させて形成されているため、比較的簡単な構造で挿入時差による上記ウエハWの面内温度差を効率よく低減することが可能となる。
【0031】
以上、本発明の実施の形態を図面により詳述してきたが、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲での種々の設計変更等が可能である。例えば、移載機構9のウエハ支持部20としては、その熱容量を挿入方向に比例的に変化させるために、図7に示すように下面側の肉厚tを挿入方向後端から先端に放物曲線状に漸増させて形成されていてもよい。
【0032】
ウエハWの面内温度差は、予め加熱された処理室10内へのウエハWの挿入時だけでなく、搬出時にも生じる。この場合、高温の処理室10から常温の移載室8にウエハWが搬出されるので、上記とは逆に、搬出方向先端側の降温を抑えるべくウエハ支持部20の肉厚を搬出方向後端から先端に漸増させて形成することが好ましい。このようにウエハ挿入時とウエハ搬出時では逆の構造のウエハ支持部20が要求されるため、例えば図8に示すように移載機構9の先端アーム部19cを中央で回転可能に支持された構造にし、この先端アーム部19cの一端に挿入用のウエハ支持部20Aを設け、先端アーム19cの他端に搬出用のウエハ支持部20Bを設けるようにするとよい。
【0033】
上記実施の形態では、挿入時差によるウエハWの面内温度差を低減するために、ウエハ支持部20の熱容量を挿入方向に変化させたが、ウエハ支持部20の吸熱特性例えば熱吸収率を挿入方向に変化させてもよい。この場合、例えばウエハ支持部20の密度、材質等を挿入方向に変化させて形成すればよく、必ずしも肉厚tを変化させる必要はない。本発明が適用される熱処理装置としては、CVD処理以外に例えば酸化、拡散、アニール等の処理を行なうものであってもよい。また、被処理体としては、半導体ウエハ以外に例えばLCD基板等も適用可能である。
【0034】
【発明の効果】
以上要するに本発明によれば、次のような優れた効果が得られる。
【0035】
(1)請求項1に係る発明によれば、被処理体を支持する支持部を有する移載機構により、上記被処理体を予め加熱された処理室内に水平方向から挿入移載して熱処理する熱処理装置において、上記支持部の熱容量または吸熱特性を、挿入時差による上記被処理体の面内温度差を低減すべく挿入方向に変化させてなるため、挿入時差により生じる上記被処理体の面内温度差を可及的に低減することが可能となり、上記被処理体の品質およびスループットの向上が図れる。
【0036】
(2)請求項2に係る発明によれば、上記支持部が肉厚を挿入方向に漸増させて形成されているため、比較的簡単な構造で挿入時差による上記被処理体の面内温度差を容易に低減することが可能となる。
【0037】
(3)請求項3に係る発明によれば、上記支持部が上記被処理体とほぼ同じ平面形状に形成され、上面を上記被処理体の載置面とし、下面側の肉厚を挿入方向に漸増させて形成されているため、比較的簡単な構造で挿入時差による上記被処理体の面内温度差を効率よく低減することが可能となる。
(4)請求項4に係る発明によれば、被処理体を支持する支持部を有する移載機構により、上記被処理体を予め加熱された処理室内に水平方向から挿入移載して熱処理する熱処理方法において、挿入時差による上記被処理体の面内温度差を低減すべく上記支持部の熱容量が挿入方向に漸増するように支持部の肉厚を挿入方向後端から先端に向って漸次増大させて形成することにより、被処理体の挿入方向先端側の温度上昇を抑えて被処理体後端部の挿入時点での面内温度差を低減するため、上記被処理体の品質およびスループットの向上が図れる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施の形態を示す熱処理装置における移載機構の側面図である。
【図2】図1の移載機構の平面図である。
【図3】図1の熱処理装置を備えたマルチチャンバ型処理装置の概略的構成を示す平面図である。
【図4】図1の熱処理装置の一例を示す断面図である。
【図5】移載機構の支持部の平面図である。
【図6】ウエハ挿入後のウエハ温度の変化を示すグラフである。
【図7】本発明の他の実施の形態を示す移載機構の支持部の側面図である。
【図8】本発明の他の実施の形態を示す移載機構の斜視図である。
【符号の説明】
W 半導体ウエハ(被処理体)
10 処理室
19 移載機構
20 ウエハ支持部(支持部)
21 載置面
【発明の属する技術分野】
本発明は、熱処理装置及び熱処理方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
半導体デバイスの製造プロセスにおいては、被処理体である半導体ウエハに酸化、拡散、CVD(Chemical Vapor Deposition)、アニールなどの処理を行うために、各種の熱処理装置が使用されている。この種の熱処理装置の一つとして、被処理体を支持する支持部を有する移載機構により、上記被処理体を予め加熱された処理室内に水平方向から挿入移載して熱処理する枚葉式の熱処理装置が提案されている。
【0003】
上記熱処理装置によれば、処理室内が予め加熱されているので、ウエハを迅速に昇温させて熱処理することが可能となり、スループットの向上が図れる。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記熱処理装置においては、予め加熱された処理室内にウエハを挿入する際に、挿入方向の先端側と後端側とに生じる挿入時差により、ウエハには挿入方向に温度分布、すなわち面内温度差が発生する。この面内温度差が大きい場合には、ウエハにスリップ(結晶のズレ)が発生し、品質の低下や半導体デバイスの歩留りの低下を招く問題がある。
【0005】
そこで、本発明は、上記課題を解決すべくなされたもので、被処理体を予め加熱された処理室内に水平方向から挿入する際の挿入時差による被処理体の面内温度差を可及的に低減し得る熱処理装置及び熱処理方法を提供することを目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために本発明のうち請求項1に係る発明は、被処理体を支持する支持部を有する移載機構により、上記被処理体を予め加熱された処理室内に水平方向から挿入移載して熱処理する熱処理装置において、上記支持部の熱容量または吸熱特性を、挿入時差による上記被処理体の面内温度差を低減すべく挿入方向に変化させてなることを特徴とする。
【0007】
請求項2に係る発明は、請求項1に記載の熱処理装置における上記支持部が肉厚を挿入方向に漸増させて形成されていることを特徴とする。
【0008】
請求項3に係る発明は、請求項1に記載の熱処理装置における上記支持部が上記被処理体とほぼ同じ平面形状に形成され、上面を上記被処理体の載置面とし、下面側の肉厚を挿入方向に漸増させて形成されていることを特徴とする。
請求項4に係る発明は、被処理体を支持する支持部を有する移載機構により、上記被処理体を予め加熱された処理室内に水平方向から挿入移載して熱処理する熱処理方法において、挿入時差による上記被処理体の面内温度差を低減すべく上記支持部の熱容量が挿入方向に漸増するように支持部の肉厚を挿入方向後端から先端に向って漸次増大させて形成することにより、被処理体の挿入方向先端側の温度上昇を抑えて被処理体後端部の挿入時点での面内温度差を低減することを特徴とする。
【0009】
【実施の形態】
以下に、本発明の実施の形態を添付図面に基づいて詳述する。
【0010】
先ず、本発明が適用される熱処理装置を含む複数の処理室を備えたマルチチャンバ型処理装置の概略的平面構成を示す図3において、1はローダ室を構成する第1の移載室であり、この移載室1の両側にはゲートバルブG1,G2を介して第1のカセット室2Aおよび第2のカセット室2Bが接続されている。これらカセット室2A,2Bは、複数枚(例えば25枚)の被処理体(被処理基板)例えば半導体ウエハWを所定の間隔(例えば5mm間隔)で収容する容器たるカセット3を収容するチャンバとして形成されている。
【0011】
上記カセット室2A,2Bには、外部との間を開閉するゲートバルブG3,G4が設けられ、カセット室2A,2B内には上記カセット3をウエハWが水平な状態で支持するアームを有してカセット3を外部との間で上記ゲートバルブG3,G4を介して搬入搬出するカセット搬入搬出機構と、搬入されたカセット3を上記アームから受け取って高さ調整可能に支持する昇降可能なカセットステージとを備えている(図示省略)。第1の移載室1およびカセット室2A,2Bは、不活性ガス例えば窒素(N2)ガスの供給により、大気圧(常圧)以上、例えば大気圧の不活性ガス雰囲気に維持されていることが好ましい。
【0012】
上記第1の移載室1内には、第1の移載機構4と、ウエハWの中心およびオリエンテーションフラット(オリフラともいう)の位置合せを行うための回転ステージ5とが配設されている。この回転ステージ5は、ウエハWの周縁位置を検知する図示しない光センサおよび上記第1の移載機構4とともにウエハWの位置合せ機構を構成している。例えばウエハWの中心が回転ステージ5の中心からずれていることが検出された場合には、第1の移載機構4によりウエハWの位置を修正する。
【0013】
上記第1の移載機構4は、水平に回動および伸縮可能なアーム、例えば多関節アームからなり、先端(ウエハ支持部)には支持したウエハWを真空吸着する吸引孔6を有していることが好ましい。上記第1ないし第2のカセット室2A,2B内のカセット3と、上記回転ステージ5と、後述の真空予備室11A,11Bとの間でウエハWの移載を行うように構成されている。
【0014】
上記第1の移載室1の後方には、ゲートバルブG5,G6を介して第1の真空予備室7Aおよび第2の真空予備室7Bが接続されている。これら真空予備室7A,7Bは、室内を所定の圧力10-3〜10-4Torrに減圧する減圧ポンプおよび室内を不活性ガス例えば窒素ガスで常圧復帰させるためのガス源が接続されている。また、真空予備室7A,7Bには、処理前のウエハを予め加熱(予熱)する加熱手段および処理後のウエハを冷却する冷却手段を備えていることが好ましい。
【0015】
上記第1および第2の真空予備室7A,7Bの後方には、ゲートバルブG7,G8を介して第2の移載室8が接続されている。この第2の移載室8内には、上記真空予備室7A,7Bと、後述の処理室10A〜10Cとの間でウエハWの移載を行うための例えば多関節アームからなる第2の移載機構9が配置されている。この第2の移載機構9の詳細については後述する。
【0016】
上記第2の移載室8には、ゲートバルブG9〜G11を介して左右および後方の三方に第1〜第3の処理室10A〜10Cが接続され、これら移載室8および処理室10A〜10Cは減圧ポンプにより所定の圧力例えば10-3〜10-6Torrに減圧されるようになっている。上記処理室10A〜10Cは、同一の処理を行なうように構成されていてもよく、あるいは異なる処理を行なうように構成されていてもよい。
【0017】
上記処理室10A〜10Cの少なくとも一つは、熱処理装置、例えば枚葉式減圧CVD装置の処理室10として構成されている。この熱処理装置の処理室10は、例えば図4に示すように偏平な円形容器状の石英製チャンバからなっている。この処理室10の外側の上部と下部には、例えばカンタル線等の発熱抵抗体からなる面状の加熱部(ヒータ)11a,11bが設けられ、処理室10内を所定の熱処理温度、例えば1,000℃に加熱し得るように構成されている。
【0018】
上記処理室10は、例えばアルミニウム合金製のケーシング12の内部に断熱空間、あるいはグラスウール等の断熱材13を介して収容されている。上記ケーシング12は、外部への熱的影響を防止するために、冷却構造例えば冷却水通路を有する水冷構造とされていることが好ましい。
【0019】
上記処理室10の側部には、ウエハWを搬入搬出する出入口14が設けられ、この出入口14にはこれを開閉するゲートバルブG(G9〜G11)が設けられている。また、処理室10の側部には、処理室10内を減圧排気する減圧ポンプ等に通じる排気口15と、処理室10内に処理ガス、不活性ガス例えば窒素ガス、クリーニングガス等を供給するこれらのガス源に通じるガス供給口16とが設けられている。
【0020】
また、処理室10内には、搬入されたウエハWを保持する保持手段として、図示例ではウエハWの下面を保持すべく複数例えば3本の石英製保持ピン(ウエハ保持ピンともいう)17が設けられている。なお、上記保持手段としては、ウエハWの被処理面とは反対側の面(下面または上面)全体を保持する面状のもの、あるいはウエハWの周縁部を保持する環状のもの等であってもよい。また、上記保持手段は、移載機構(上記第2の移載機構)9との間でウエハWの受取り受渡しを行なう上下動機構を有していてもよい。
【0021】
上記移載機構9は、図1ないし図2に示すように基台18の上部に水平に回動および伸縮可能な多関節アームからなる移載アーム19を設け、この移載アーム19の先端にウエハWを支持する支持部(ウエハ支持部ともいう)20を有している。上記移載アーム19は、基台18の上部に一端が水平に回動可能に設けられた基部アーム部19aと、この基部アーム部19aの他端に一端が水平に回動可能に設けられた中間アーム部19bと、この中間アーム部19bの他端に一端が水平に回動可能に設けられた先端アーム部19cとから主に構成されており、この先端アーム部19cに上記ウエハ支持部20が設けられている。なお、上記処理室10内のウエハ保持ピン17側がウエハ支持部20との間でウエハWの受取り受渡しを行なうための上下動機構を有しない場合には、上記移載アーム19側が上下動可能に構成されていることが好ましい。
【0022】
上記移載機構9は、ウエハWの熱処理を行なう場合、予め加熱された上記処理室10内に移載アーム19の伸張動作でウエハ支持部20上のウエハWを水平方向から挿入(搬入)してウエハ保持ピン17上に移載した後、移載アーム19を移載室(第2の移載室)8側に収縮させる。また、熱処理が終了した場合には、上記とは逆の動作で熱処理後のウエハWを処理室10外に搬出する。
【0023】
上記ウエハWを予め加熱された処理室10内に水平方向から挿入する場合、その挿入過程で先ずウエハWの挿入方向先端が最初に加熱され、次いでウエハWの後端が遅れて加熱される。このようにウエハ面内の挿入時差に起因して生じる温度差を低減するために、上記移載機構9のウエハ支持部20がその熱容量を挿入方向に変化させて形成されている。図示例のウエハ支持部20においては、ウエハWとほぼ同じ平面形状、例えばウエハWの直径と同じ直径Dの円板状に形成され、その上面がウエハWを載置する平坦な載置面21とされ、下面側の肉厚tが挿入方向Xの後端から先端に向って漸増して形成されている。
【0024】
上記ウエハ支持部20の材質としては、例えばアルミナ(Al2O3)が用いられるが、炭化ケイ素(SiC)、石英等であってもよい。また、処理室10内に図4に示すようなウエハ保持ピン17を有する場合には、上記ウエハ支持部20には図5に示すようにウエハ保持ピン17との干渉を避けるための切欠部22が設けられていることが好ましい。
【0025】
次に、以上のように構成された熱処理装置の作用について述べる。熱処理装置の処理室10内は、加熱部11a,11bによって予め所定の熱処理温度に加熱されている。この加熱状態の処理室10内にウエハWが移載機構9によって水平方向から挿入される。この場合、上記ウエハWは、カセット室2Aもしくは2Bのカセット3から真空予備室7Aもしくは7B内に移送されており、この真空予備室7Aもしくは7B内から移載機構9における移載アーム19のウエハ支持部20上に支持されて移載室8内を経由し、上記処理室10内に開状態のゲートバルブGを介して水平方向から挿入され、ウエハ保持ピン17上に移載される。移載後、移載機構9の移載アーム19は収縮して移載室8内に戻され、処理室10のゲートバルブGが閉じられる。
【0026】
上記処理室10内は、排気口15からの減圧排気により所定の減圧状態に維持され、この状態でガス供給口16から処理ガスを上記加熱状態のウエハWの被処理面に供給することにより、ウエハWの被処理面にはCVD法による成膜処理が面内均一に施される。所定の処理が終了したなら、処理室10内を不活性ガスでパージした後、ゲートバルブGを開けて移載機構9により処理済みのウエハWが処理室10内から搬出され、真空予備室7Aもしくは7B等を介してカセット室2Aもしくは2Bのカセット3に収容される。このようにして順次連続的にウエハWの熱処理を含む処理が行なわれる。
【0027】
ところで、上記ウエハWを予め加熱された処理室10内に水平方向から挿入する場合、先ずウエハWの挿入方向Xの先端が最初に挿入され、次いでウエハWの後端が遅れて挿入されため、この挿入時差に起因してウエハWの面内には挿入方向Xに温度分布ないし温度差が生じる。上記移載機構9のウエハ支持部10の肉厚tが挿入方向Xに一定であった従来の熱処理装置においては、ウエハWを処理室10内に挿入した際に、ウエハWの挿入方向先端部Aは図6の昇温曲線L1で示すように昇温し、ウエハWの後端部Bは挿入時点Pから昇温曲線L2で示すように昇温し、その挿入時点Pでの面内温度差がTfであった。
【0028】
一方、本実施の形態の熱処理装置においては、上記面内温度差を低減すべく上記移載機構9のウエハ支持部20の熱容量が挿入方向Xに漸増するように肉厚tを挿入方向後端から先端に向って漸次増大させて形成されている。このため、上記ウエハWの下面に接しているウエハ支持部20の挿入方向先端側の熱容量が大きい分、ウエハWの挿入方向先端側の温度上昇が抑えられる。これにより、ウエハWの挿入方向先端部Aは図6の昇温曲線L3で示すように昇温するため、ウエハ後端部Bの挿入時点Pでの面内温度差が上記Tfよりも小さいTsに低減する。
【0029】
このように上記熱処理装置によれば、ウエハWを支持するウエハ支持部20を有する移載機構9により、上記ウエハWを予め加熱された処理室10内に水平方向から挿入移載して熱処理する熱処理装置において、上記ウエハ支持部20の熱容量を、挿入時差による上記ウエハWの面内温度差を低減すべく挿入方向に変化させてなるため、挿入時差により生じる上記ウエハWの面内温度差を可及的に低減することが可能となり、上記ウエハWの品質およびスループットの向上が図れる。
【0030】
この場合、上記ウエハ支持部20の肉厚tを挿入方向に漸増させて熱容量を漸増させているため、比較的簡単な構造で挿入時差による上記ウエハWの面内温度差を容易に低減することが可能となる。また、上記ウエハ支持部20が上記ウエハWとほぼ同じ平面形状に形成され、上面を上記ウエハWの載置面21とし、下面側の肉厚tを挿入方向Xに漸増させて形成されているため、比較的簡単な構造で挿入時差による上記ウエハWの面内温度差を効率よく低減することが可能となる。
【0031】
以上、本発明の実施の形態を図面により詳述してきたが、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲での種々の設計変更等が可能である。例えば、移載機構9のウエハ支持部20としては、その熱容量を挿入方向に比例的に変化させるために、図7に示すように下面側の肉厚tを挿入方向後端から先端に放物曲線状に漸増させて形成されていてもよい。
【0032】
ウエハWの面内温度差は、予め加熱された処理室10内へのウエハWの挿入時だけでなく、搬出時にも生じる。この場合、高温の処理室10から常温の移載室8にウエハWが搬出されるので、上記とは逆に、搬出方向先端側の降温を抑えるべくウエハ支持部20の肉厚を搬出方向後端から先端に漸増させて形成することが好ましい。このようにウエハ挿入時とウエハ搬出時では逆の構造のウエハ支持部20が要求されるため、例えば図8に示すように移載機構9の先端アーム部19cを中央で回転可能に支持された構造にし、この先端アーム部19cの一端に挿入用のウエハ支持部20Aを設け、先端アーム19cの他端に搬出用のウエハ支持部20Bを設けるようにするとよい。
【0033】
上記実施の形態では、挿入時差によるウエハWの面内温度差を低減するために、ウエハ支持部20の熱容量を挿入方向に変化させたが、ウエハ支持部20の吸熱特性例えば熱吸収率を挿入方向に変化させてもよい。この場合、例えばウエハ支持部20の密度、材質等を挿入方向に変化させて形成すればよく、必ずしも肉厚tを変化させる必要はない。本発明が適用される熱処理装置としては、CVD処理以外に例えば酸化、拡散、アニール等の処理を行なうものであってもよい。また、被処理体としては、半導体ウエハ以外に例えばLCD基板等も適用可能である。
【0034】
【発明の効果】
以上要するに本発明によれば、次のような優れた効果が得られる。
【0035】
(1)請求項1に係る発明によれば、被処理体を支持する支持部を有する移載機構により、上記被処理体を予め加熱された処理室内に水平方向から挿入移載して熱処理する熱処理装置において、上記支持部の熱容量または吸熱特性を、挿入時差による上記被処理体の面内温度差を低減すべく挿入方向に変化させてなるため、挿入時差により生じる上記被処理体の面内温度差を可及的に低減することが可能となり、上記被処理体の品質およびスループットの向上が図れる。
【0036】
(2)請求項2に係る発明によれば、上記支持部が肉厚を挿入方向に漸増させて形成されているため、比較的簡単な構造で挿入時差による上記被処理体の面内温度差を容易に低減することが可能となる。
【0037】
(3)請求項3に係る発明によれば、上記支持部が上記被処理体とほぼ同じ平面形状に形成され、上面を上記被処理体の載置面とし、下面側の肉厚を挿入方向に漸増させて形成されているため、比較的簡単な構造で挿入時差による上記被処理体の面内温度差を効率よく低減することが可能となる。
(4)請求項4に係る発明によれば、被処理体を支持する支持部を有する移載機構により、上記被処理体を予め加熱された処理室内に水平方向から挿入移載して熱処理する熱処理方法において、挿入時差による上記被処理体の面内温度差を低減すべく上記支持部の熱容量が挿入方向に漸増するように支持部の肉厚を挿入方向後端から先端に向って漸次増大させて形成することにより、被処理体の挿入方向先端側の温度上昇を抑えて被処理体後端部の挿入時点での面内温度差を低減するため、上記被処理体の品質およびスループットの向上が図れる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施の形態を示す熱処理装置における移載機構の側面図である。
【図2】図1の移載機構の平面図である。
【図3】図1の熱処理装置を備えたマルチチャンバ型処理装置の概略的構成を示す平面図である。
【図4】図1の熱処理装置の一例を示す断面図である。
【図5】移載機構の支持部の平面図である。
【図6】ウエハ挿入後のウエハ温度の変化を示すグラフである。
【図7】本発明の他の実施の形態を示す移載機構の支持部の側面図である。
【図8】本発明の他の実施の形態を示す移載機構の斜視図である。
【符号の説明】
W 半導体ウエハ(被処理体)
10 処理室
19 移載機構
20 ウエハ支持部(支持部)
21 載置面
Claims (4)
- 被処理体を支持する支持部を有する移載機構により、上記被処理体を予め加熱された処理室内に水平方向から挿入移載して熱処理する熱処理装置において、上記支持部の熱容量または吸熱特性を、挿入時差による上記被処理体の面内温度差を低減すべく挿入方向に変化させてなることを特徴とする熱処理装置。
- 上記支持部が、肉厚を挿入方向に漸増させて形成されていることを特徴とする請求項1に記載の熱処理装置。
- 上記支持部が、上記被処理体とほぼ同じ平面形状に形成され、上面を上記被処理体の載置面とし、下面側の肉厚を挿入方向に漸増させて形成されていることを特徴とする請求項1に記載の熱処理装置。
- 被処理体を支持する支持部を有する移載機構により、上記被処理体を予め加熱された処理室内に水平方向から挿入移載して熱処理する熱処理方法において、挿入時差による上記被処理体の面内温度差を低減すべく上記支持部の熱容量が挿入方向に漸増するように支持部の肉厚を挿入方向後端から先端に向って漸次増大させて形成することにより、被処理体の挿入方向先端側の温度上昇を抑えて被処理体後端部の挿入時点での面内温度差を低減することを特徴とする熱処理方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4795296A JP3664193B2 (ja) | 1996-02-09 | 1996-02-09 | 熱処理装置及び熱処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4795296A JP3664193B2 (ja) | 1996-02-09 | 1996-02-09 | 熱処理装置及び熱処理方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH09219435A JPH09219435A (ja) | 1997-08-19 |
JP3664193B2 true JP3664193B2 (ja) | 2005-06-22 |
Family
ID=12789701
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP4795296A Expired - Fee Related JP3664193B2 (ja) | 1996-02-09 | 1996-02-09 | 熱処理装置及び熱処理方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3664193B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4570037B2 (ja) * | 2005-03-17 | 2010-10-27 | 株式会社アルバック | 基板搬送システム |
JP6870944B2 (ja) * | 2016-09-26 | 2021-05-12 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置 |
-
1996
- 1996-02-09 JP JP4795296A patent/JP3664193B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH09219435A (ja) | 1997-08-19 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US6780251B2 (en) | Substrate processing apparatus and method for fabricating semiconductor device | |
US7198447B2 (en) | Semiconductor device producing apparatus and producing method of semiconductor device | |
US4985372A (en) | Method of forming conductive layer including removal of native oxide | |
US6949143B1 (en) | Dual substrate loadlock process equipment | |
US9589819B1 (en) | Substrate processing apparatus | |
US7313931B2 (en) | Method and device for heat treatment | |
US6488778B1 (en) | Apparatus and method for controlling wafer environment between thermal clean and thermal processing | |
JP2001196363A (ja) | 基板を加熱及び冷却する方法及び装置 | |
TW201619431A (zh) | 基板處理裝置、半導體裝置的製造方法及程式 | |
WO2004030085A1 (ja) | 被処理体の搬送方法 | |
JP3667038B2 (ja) | Cvd成膜方法 | |
KR100270458B1 (ko) | 스터퍼링후의 기판의 취급방법 및 스퍼터링 장치 | |
WO2020066571A1 (ja) | 基板処理装置、半導体装置の製造方法および記録媒体 | |
JPWO2002097872A1 (ja) | 半導体ウェーハの製造方法及びそれに用いられるサセプタ | |
JP3664193B2 (ja) | 熱処理装置及び熱処理方法 | |
TWI313893B (ja) | ||
JP4553227B2 (ja) | 熱処理方法 | |
JPH0917705A (ja) | 連続熱処理方法 | |
JPH09143691A (ja) | 成膜・熱処理装置 | |
JP2000269137A (ja) | 半導体製造装置及びウェハ取扱方法 | |
JP3130630B2 (ja) | 処理装置 | |
JP7445509B2 (ja) | 基板処理装置及び基板搬送方法 | |
KR101436059B1 (ko) | 반도체 제조 장치 및 방법 | |
JP2000174094A (ja) | 半導体製造装置 | |
JP3221530B2 (ja) | 被処理体の処理方法及び真空処理装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20050303 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20050322 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20050322 |
|
R150 | Certificate of patent (=grant) or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110408 Year of fee payment: 6 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |