JP3129305B2 - テストキャリア及びベアチップの検査方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、テストキャリア及
びテストキャリアを利用したベアチップの検査方法に関
し、更に詳細には、狭ピッチ配列で電極パッドを有する
ベアチップに対応でき、しかも経済的で寿命の長いテス
トキャリア、及び作業能率の高いベアチップの検査方法
に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】半導体装置の高密度実装化の要求に応じ
て、近年、ベアチップを実装基板上に実装するベアチッ
プ実装法が開発され、実用化されつつある。ベアチップ
とは、ウエハ上に形成された半導体チップをダイシング
して得たものである。ベアチップは、ダイシングした半
導体チップを樹脂封止等によりパッケージ化した従来の
半導体パッケージとは異なり、実装寸法が著しく小さく
て済むので、実装密度を高くできる利点を有する。しか
し、現状のベアチップは、ウエハーテストのみでの出荷
が殆どであり、パッケージ品と同等の検査を行い、品質
保証付きでの出荷はなされていない状況である。これを
解決するためにベアチップ状態での選別、バーンイン手
法が色々と提案されている。例えば、特願平１０−１６
６６７５号公報が挙げられる。これについて、以下に説
明する。

【０００３】図５は従来のベアチップの検査手順のフロ
ーチャートである。先ず、ステップ１で、集積回路を各
チップ毎に形成したウエハを検査する。次いで、ステッ
プ２でダイシングして各半導体チップに分割し、ベアチ
ップとする。ステップ３では、各ベアチップをテストキ
ャリアに装着し、ステップ４で一次検査を行う。次い
で、ステップ５でバーンインを行って、ベアチップに実
使用状態より高い電圧、温度のストレスを与える。ステ
ップ６で、バーンイン処理後のベアチップについて二次
検査を行う。最後に、ステップ７としてテストキャリア
からベアチップを取り外し、良品であれば、出荷する。
本検査手順で検査されるベアチップは、図６（ａ）及び
（ｂ）に示すように、ベアチップの電極には、アルミニ
ウム製の電極パッドが設けてある。ベアチップの電極
は、現実には、Ａｌ層が酸化され、図６（ｃ）に示すよ
うに、Ａｌ層と、Ａｌ層上に生成したＡｌ自然酸化膜
（Ａｌ2 Ｏ3 ）とから構成される。Ａｌ自然酸化膜は、
電極パッド形成後にＡｌ層が自然酸化されて生じたもの
である。図６（ａ）はベアチップの斜視図、図６（ｂ）
はベアチップの電極パッド" Ａ "の拡大図、図６（ｃ）
は電極パッドの断面図である。

【０００４】ここで、図７〜図９を参照して、検査に際
し、ベアチップを搭載する従来のテストキャリアの構造
を説明する。図７は従来のテストキャリアの構成を示す
展開斜視図、図８は図７のテストキャリアを組み込んだ
状態の矢視Ｉ−Ｉの縦断面図、図９（ａ）、（ｂ）、及
び（ｃ）は、それぞれ、キャリアベース、弾性体、及び
コンタクトシートのキャリア組込み前の斜視図である。
テストキャリア１０は、図７に示すように、キャリア本
体１２と、キャリア本体１２に挿入するキャリア蓋１４
と、ベアチップを搭載するキャリアベース１６とから構
成されている。キャリア本体１２は、コンタクトシート
１７を介して後ネジ止めによりキャリアベース１６に取
り付けられている。ベアチップは、後述するように、コ
ンタクトシート１７の中央に配置される。

【０００５】キャリア本体１２は、図７に示すように、
下部にキャリア蓋１４を収容する長方形筒状のキャリア
枠１８と、キャリア枠１８の両長辺側壁から上方にそれ
ぞれ対向して延び、外方に拡開自在なキャリア蓋止め壁
２０とを備えている。キャリア枠１８の両長辺側壁１９
の上端は、図８に示すように、筒内側に形成された切れ
込み部２２Ａ、２２Ｂをキャリア蓋止め壁２０の下端と
の間に備えている。

【０００６】キャリア蓋１４は、図８に示すように、蓋
上部２４と、蓋上部２４の両側縁から下方に垂下する側
壁２６Ａ、２６Ｂと、蓋上部２４の下方で側壁２６Ａ、
２６Ｂの間に摺動自在に設けられたチップ押圧部２８と
を備えている。側壁２６Ａ、２６Ｂは、それぞれ、外方
に突出する突出部３０Ａ、３０Ｂを中間に備え、キャリ
ア蓋１４がキャリア本体１２に挿入された際、突出部３
０Ａ、３０Ｂが切れ込み部２２Ａ、２２Ｂに入り込むこ
とにより、キャリア１４は、キャリア本体１２に掛止さ
れる。蓋上部２４とチップ押圧部２８との間には、球体
２０を介してチップ押圧部２８を下方に付勢するコイル
バネ３２が設けられている。

【０００７】キャリアベース１６は、図９（ａ）に示す
ように、コンタクトシートの縦、横寸法と同じ大きさ
で、貫通孔３３を有する凹部３４を中央に備えている。
図９（ｂ）に示すように、貫通孔３５を有する弾性体３
６が、貫通孔３５を貫通孔３３上に位置させるようにし
て、バンプの高さばらつき、ベアチップの反りを吸収す
る事を目的として凹部３４内に配置される。コンタクト
シート１７は、ポリイミドで形成された厚さ５０μm以
下のシートであって、ベアチップを載せて、キャリア蓋
１４とキャリアベース１６との間に介在するシートであ
る。コンタクトシート１７は、図９（ｃ）に示すよう
に、ベアチップの各電極パッドと一致する位置に内側端
子４０を一方の端部として有し、外部の検査装置と接続
される外側端子４２を他方の端部として外側に有する所
定の配線パターン３８を上面に備え、弾性体３６の貫通
孔３５と同じ位置に貫通孔３９を備えている。内側端子
４０は、図９（ｄ）に示すように、バンプ４４を有す
る。バンプ４４は、配線パターン３８と同様に、図９
（ｅ）に示すように、上からＡｕメッキ層、Ｎｉ層及び
Ｃｕ層あるいはそれらの合金層で形成されている。

【０００８】次いで、ベアチップの電極パッドとコンタ
クトシート１７の内側端子４０との位置合わせをベアチ
ップとコンタクトシートの配線パターンを画像認識する
事により実施し、ベアチップをコンタクトシート１７上
に配置する。

【０００９】続いて、真空吸引装置により、キャリアベ
ース１６の貫通孔３３、弾性体３６の貫通孔３５及びコ
ンタクトシート１７の貫通孔３９を介してベアチップを
吸引し、コンタクトシート１７上に仮固定する。次い
で、チップ押圧部２８を下にして、キャリア本体１２内
にキャリア蓋１４を挿入する。突出部３０が切れ込み部
２２に入り込み、キャリア蓋１４は、キャリア本体１２
に掛止される。これにより、ベアチップは、チップ押圧
部２８を介してコイルバネ３２により押圧されて、ベア
チップの電極パッドはコンタクトシート１７の内側端子
４０に接触し、押圧される。また、この時点で、真空吸
引によるベアチップの吸着は停止される。

【００１０】この状態で、例えば１２５℃、３分のプリ
ヒート処理を実施し、一次選別を行ない、良品チップに
ついてバーンイン処理を行う。バーンイン処理条件は、
例えば１２５℃、印可電圧６〜８Ｖ、時間８〜７２時間
である。バーンイン処理の後、二次選別を行い、不良品
を排除する。テストキャリアからのベアチップの取り外
しは、ベアチップの装着と逆の手順で行う。

【００１１】

【発明が解決しようとする課題】しかし、上述のテスト
キャリアを利用した従来のベアチップの検査方法には、
次のような問題があった。第１には、電極パッドと接触
するコンタクトシートの内側端子にバンプを必要として
いるために、コンタクトシートのコストが嵩むというこ
とである。第２には、バンプとアルミニウム製電極パッ
ドとが接触するので、バーンイン等の熱履歴により、電
極パッドが削られて薄くなることである。その結果、テ
スト後のチップの組立性、例えばワイヤーボンディング
性、バンプ付け性の劣化が発生する。第３には、電極パ
ッドがアルミの場合、自然酸化膜が生成するため、低加
圧で安定したコンタクトを得るためには、電極パッドを
バンプに接触、押圧する押圧力を強くする必要があっ
て、例えば１０ｇ／ピンの荷重になる。この結果、ベア
チップのアルミ電極が損傷し易く、テスト後のチップの
組立性、例えばワイヤーボンディング性、バンプ付け性
の劣化が発生する。また、押し圧力を大きくしないよう
にするには、チップをキャリアへ搭載した後にベアチッ
プとコンタクトシート、キャリアベースの熱膨脹差を利
用したプリヒート処理があるが、この場合、アルミ屑が
コンタクトシートのバンプ先端へ付着するため、コンタ
クトシートの寿命が短くなる。

【００１２】一方、ポゴピンによるコンタクト方式を適
用し、図１０（ｃ）に示すようなバーンイン・ソケット
にバンプ付きベアチップを挿入して検査する方法も従来
から実施されている。この方法では、先ず、図１０
（ａ）に示すようなベアチップの電極パッドに金バンプ
メッキを施して、図１０（ｂ）に示すように、バンプを
形成する。次いで、図１０（ｃ）に示すように、バーン
イン・ソケット４２に装着し、金バンプとバーンイン・
ソケットのピンとを接触させ、ソケット蓋を下ろして双
方を相互に接触させる。次いで、バーンインし、所定の
検査を行う。しかし、この方式では、電極パッドのピッ
チが、０．５mm以上であることが必要であり、０．５mm
以下、特に、０．２mm以下の狭ピッチのベアチップには
適用することが極めて難しい。また、電極バンプがピン
と接触するために、バンプの変形が生じるため、フリッ
プチップ接続を行うことが難しくなる。

【００１３】そこで、本発明の目的は、狭ピッチの電極
配列のベアチップであっても、経済的にベアチップ検査
を行えるテストキャリア及びそのテストキャリアを利用
したベアチップ及びウエハの検査方法を提供することで
ある。

【００１４】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明に係るテストキャリアは、電極パッド上に金
（Ａｕ）又は金合金製バンプを有するベアチップを保持
してテスト、バーンイン処理すると共に、ベアチップの
電極パッドを外部の検査装置に接続させるテストキャリ
アであって、バンプを有するベアチップの電極と接触す
る金（Ａｕ）層を上面に有する端子パッドを一方の端部
に、外部の検査装置に接続する接続端子を他方の端部に
それぞれ有し、一方の端部をベアチップの電極パッドに
対応した位置に設けた配線パターンを備えたコンタクト
シートと、コンタクトシートを介してベアチップを支持
するキャリアベースと、キャリアベース上にコンタクト
シートを介して貫通中空部を有するキャリア本体と、キ
ャリア本体の貫通中空部に貫入してベアチップに接触、
押圧して、バンプを有するベアチップの電極パッドとコ
ンタクトシートの端子パッドとを電気的に接触させるキ
ャリア蓋体とを有し、コンタクトシートの端子パッド
は、バンプの形成されていない平坦なパッドとして形成
され、配線パターンを介してベアチップの電極パッドを
外部の検査装置に接続させることを特徴としている。

【００１５】本発明では、バンプは、金（Ａｕ）又は金
合金で形成され、電極パッド上に金（Ａｕ）又は金合金
製バンプを接合するには、例えなバンプボンダーを使っ
て電極パッド上に金（Ａｕ）又は金合金製バンプを接合
する方法、治具を使って熱圧着方式で電極パッド上に金
（Ａｕ）又は金合金製バンプを接合する方法等がある。
熱圧着方式により接合したバンプは除去し易い。また、
バンプボンダー方式の場合、形成したバンプを後で除去
するときには、バンプ形成条件である荷重及び超音波を
調整して、電極パッドとバンプとの接合を仮接合レベル
すなわち検査工程中バンプ欠落が発生しないレベルとす
る。本発明では、従来のベアチップ電極のＡｌ層又はＡ
ｌ酸化膜とパッドのＡｕ層との接触に代えて、ベアチッ
プ電極パッドのＡｕ又はＡｕ合金製バンプとＡｕ面を有
する端子パッドのＡｕ層同士の接触であるから、確実に
電気的接触（コンタクト）を達成し、しかも低い押圧
力、例えば約５ｇ／ピンで十分であって、従来の約１／
２で良いため、電極パッド及び端子パッドの損耗が少な
く、プリヒート処理も不要である。更には、コンタクト
シートの寿命も長い。

【００１６】本発明の好適な実施態様では、キャリアベ
ースは、ベアチップの下方に凹部を備え、その凹部に弾
性体を収容している。これにより、バンプの高さばらつ
き、ベアチップの反りを吸収している。更に好適には、
キャリアベースは、凹部に貫通開口部を有し、かつ弾性
体は、凹部に収容されたときに、キャリアベースの貫通
開口部に連通する貫通孔を有し、コンタクトシートは、
キャリアベース上に配置されたときに、弾性体の貫通孔
に連通する貫通孔を有する。これにより、キャリアベー
スの貫通開口部、弾性体の貫通孔、及びコンタクトシー
トの貫通孔を介して、ベアチップを吸引し、コンタクト
シート上に仮固定することができる。

【００１７】本発明の好適な実施態様では、キャリア蓋
体は、キャリア本体の貫通中空部に貫入してベアチップ
に接触し、押圧するチップ押圧部を下部に有し、キャリ
ア本体に着脱自在に掛止され、かつ内蔵するバネにより
チップ押圧部をベアチップに対して押圧して、ベアチッ
プの電極パッドとコンタクトシートの配線パターンの端
子パッドとを電気的に接触させる。

【００１８】上述のテストキャリアを使用した本発明に
係るベアチップの検査方法（以下、第１の発明方法と言
う）は、テストキャリアを使って、電極パッドにバンプ
を備えたベアチップを検査する方法であって、テスト、
バーンイン処理に際し、光学的な位置合わせ装置を使っ
て、ベアチップの電極パッドとコンタクトシートの端子
パッドとを位置合わせし、ベアチップとコンタクトシー
トとの位置合わせデータを得る第１のステップと、位置
合わせデータに基づいて、ベアチップの電極パッドとコ
ンタクトシートの端子パッドとが相互に一致するよう
に、コンタクトシート上にベアチップを位置決めして、
ベアチップをコンタクトシート上に配置する第２のステ
ップと、キャリアベースの貫通開口部、弾性体の貫通
孔、及びコンタクトシートの貫通孔を介して、ベアチッ
プを吸引し、コンタクトシート上に仮固定する第３のス
テップと、チップ押圧部を下方にしてキャリア蓋体をキ
ャリア本体の貫通中空部に貫入させ、チップ押圧部でベ
アチップを押圧して、ベアチップの電極パッドとコンタ
クトシートの端子パッドとを電気的に接触させる第４の
ステップと、ベアチップを保持したテストキャリアを所
定の温度の炉に送入してバーンイン処理する第５のステ
ップとを備えていることを特徴とする。

【００１９】第１の発明方法の好適な実施態様では、第
１のステップの前に、集積回路を各チップ毎に形成した
ウエハを検査するウエハ検査工程と、チップの電極にバ
ンプを形成するバンプ形成工程と、ウエハを各チップ毎
に切断するダイシング工程と、チップを選別する一次検
査工程とを備えている。また、第５のステップに引き続
き、バーンイン処理後のチップを選別する二次検査工程
と、チップの外観検査を行う外観検査工程とを備えてい
る。更には、二次検査工程に次いで、チップ外観検査工
程前に電極パッドに形成されたバンプを物理的に除去す
るバンプ除去工程を有する。バンプを物理的に除去する
際には、例えばエアーナイフ手段によりエアージェット
を吹き付けてバンプを電極パッドから吹き切る方式、或
いは切断工具を使ってバンプを電極パッドから切断する
方式等がある。いずれの場合もバンプを除去すると共に
除去されたバンプ吸引も同時に行なう。

【００２０】ウエハ検査工程で行う検査は、ダイシング
前の各チップの品質を確認する検査であって、例えば直
流特性試験を行う。各チップの一次検査は、ダイシング
した後のチップの品質を確認するための機能試験を中心
とする検査であって、その検査項目には、例えば、チッ
プのオープン・ショートを検査するコンタクト試験、素
子の電荷帯電時間を測定するホールド試験、電流特性試
験、ルーズファンクション試験等がある。チップの二次
検査は、バーンイン後のチップの品質を確認する機能試
験及びエージングによる初期不良品を検出する検査であ
って、その検査項目には、一次検査工程で行う検査項目
に加えて、実使用レベルでの性能を確認する試験、動作
速度レベルを確認する試験等がある。

【００２１】

【発明の実施の形態】以下に、添付図面を参照し、実施
例を挙げて本発明の実施の形態を具体的かつ詳細に説明
する。テストキャリアの実施形態例 本実施形態例は、第１の発明に係るテストキャリアの実
施形態の一例であって、図１（ａ）は本実施形態例のテ
ストキャリアの要部であるコンタクトシートの構成を示
す模式的斜視図、図１（ｂ）はコンタクトシートの配線
パターンの内側端子の模式的拡大図、及び図１（ｃ）は
配線パターンの縦断面図である。図２（ａ）はテストキ
ャリア５０を使って検査するベアチップの斜視図、及び
図２（ｂ）は図２（ａ）に示したベアチップの電極パッ
ド" Ａ "の拡大斜視図である。本実施形態例のテストキ
ャリアは、電極パッドにバンプを有するベアチップを保
持し、ベアチップの電極パッドを外部の検査装置に接続
させるテストキャリアであって、コンタクトシート１０
の構成を除いて、図７〜図９に示した従来のテストキャ
リア１０と同じ構成を備えている。

【００２２】コンタクトシート５０は、ポリイミドで形
成された厚さ５０μm以下のシートであって、ベアチッ
プを載せて、キャリア蓋１４とキャリアベース１６との
間に介在し、図１（ａ）に示すように、配線パターン５
２を備え、図９（ｃ）に示す従来のコンタクトシート１
７の貫通孔３９と同じ位置に貫通孔５４を備えている。
コンタクトシート５０は、外部の検査装置と接続する外
側端子５６を外側に有し、ベアチップの各電極パッドと
一致する位置に、図１（ｂ）に示すように、内側端子５
８を有する。外側端子５６と内側端子５８とは、配線パ
ターン５２により接続されている。配線パターン５２
は、図１（ｃ）に示すように、Ｃｕ層５２ａと、Ｃｕ層
５２Ａ上に形成されたＮｉ層５２ｂと、Ｎｉ層５２ｂ上
に設けられたＡｕメッキ層５２ｃとの積層金属膜で形成
されている。内側端子５８は、図１（ｃ）に示す配線パ
ターン５２と同じ材料で形成され、バンプを備えていな
い。

【００２３】本実施形態例のテストキャリア１０に装着
するベアチップ６０は、図２（ａ）及び（ｂ）に示すよ
うに、Ａｌ製の電極パッド６２にバンプ６４を有するベ
アチップである。バンプ６４は、金（Ａｕ）、又は金合
金、例えばＡｕとＰｄとの合金で形成され、例えばバン
プボンダー又は熱圧着方式で電極パッド６２上に接合さ
れる。

【００２４】本実施形態例では、ベアチップ６０の電極
パッド６２は、Ａｕ層又はＡｕとＰｄとの合金で形成さ
れたバンプ６０を備え、一方、コンタクトシート５０の
配線パターン５２の内側端子５８は、図１（ｃ）に示す
ように、Ａｕメッキ層５２ｃを上層に有するパッドとし
て形成されているので、電極パッド６２上のバンプ６４
と内側端子５８とを５ｇ／ピン位の小さい押圧力で接触
させることにより、電気的に導通させることができる。
よって、従来のバンプ付きコンタクトシートからバンプ
無しコンタクトシートいわゆる通常のＴＡＢフィルムと
同レベルのシートを使用できるため、大幅なコストメリ
ットが得られる。さらに低加圧での安定コンタクトが可
能であるため、内側端子５８の損傷が小さく、コンタク
トシート５０の寿命が長くなる。ベアチップ電極の摩耗
が少なくなるためボンディング性の劣化を防止できる。
等のメリットを得ることが出来る。

【００２５】テストキャリアの実施形態例の改変例 本改変例のテストカセットは、第２の発明に係るテスト
カセットの実施形態の一例であって、ダイシングする前
のウエハ上のチップをそのままでバーンイン処理できる
テストカセットである。本改変例のテストカセットで
は、図示しないが、実施形態例１のテストキャリアを改
変して、キャリア本体、キャリア蓋、キャリアベース及
びコンタクトシートが、ウエハ上の各チップの電極パッ
ドとコンタクトシートの配線パターンの内側端子とを電
気的に接触させる構成になっている。

【００２６】ベアチップの検査方法の実施形態例１ 本実施形態例は、第１の発明方法に係るベアチップの検
査方法の実施形態の一例であって、図３は本実施形態例
のベアチップの検査手順のフローチャートである。先
ず、ステップＳ１で、集積回路を各チップ毎に形成した
ウエハを検査する。次に、ステップＳ２で、ウエハ上の
各チップの電極パッドにバンプを形成する。続いて、ス
テップＳ３で、ダイシングして各半導体チップに分割
し、ベアチップとする。ステップＳ２とステップＳ３
は、順序が逆転する場合もある。次に、ステップＳ４
で、従来と同様にして各ベアチップをテストキャリアに
装着し、ステップＳ５で一次検査を行う。次いで、ステ
ップＳ６でバーンイン処理を行って、ベアチップにスト
レスを印可し、ステップＳ７で、バーンイン処理後のベ
アチップについて二次検査を行う。最後に、ステップＳ
８で、テストキャリアからベアチップを取り外し、良品
のみを出荷する。また、バンプ無しベアチップを必要と
するときには、ステップＳ９に移行し、物理的にバンプ
を除去して出荷する。本実施形態例のベアチップの検査
方法によれば、バンプ付きベアチップでも、バンプ無し
ベアチップでも出荷することができる。

【００２７】ウエハの検査方法の実施形態例 本実施形態例は、第２の発明方法に係るウエハの検査方
法の実施形態の一例であって、図４は本実施形態例のウ
エハの検査手順のフローチャートである。先ず、ステッ
プＳ１で、集積回路を各チップ毎に形成したウエハを検
査する。次に、ステップＳ２で、ウエハ上の各チップの
電極パッドにバンプを形成する。続いて、ステップＳ３
で、ウエハをテストカセットに装着し、ステップＳ４で
各チップの一次検査を行う。次いで、ステップＳ５でバ
ーンイン処理を行って、ベアチップにストレスを印可
し、ステップＳ６で、バーンイン処理後のベアチップに
ついて二次検査を行う。次いで、ステップＳ７で、テス
トカセットからウエハを取り外し、ステップＳ８で、ダ
イシングして各半導体チップに分割し、ベアチップとす
る。最後に、良品であれば、出荷する。また、バンプ無
しベアチップを必要とするときには、ステップＳ９に移
行し、物理的にバンプを除去して出荷する。

【００２８】本実施形態例では、ウエハ上の各チップを
同時にバーンイン処理して、二次検査を行うので、検査
効率が極めて高い。また、本実施形態例のベアチップの
検査方法によれば、バンプ付きベアチップでも、バンプ
無しベアチップでも出荷することができる。

【００２９】

【発明の効果】本発明によれば、金（Ａｕ）又は金合金
層を上面に有するバンプの形成されていない平坦なパッ
ドとしてコンタクトシートの端子パッドを形成し、ベア
チップの電極パッド上に金（Ａｕ）又は金合金製バンプ
を形成し、電極パッドと端子パッドとを接触させること
により、チップを外部の検査装置に接続させるテストキ
ャリアを実現している。本発明では、従来の電極のＡｌ
層又はＡｌ酸化膜とバンプのＡｕ層との接触に代えて、
電極パッドのＡｕ又はＡｕ合金製バンプとＡｕ面を有す
る端子パッドのＡｕ層同士の接触であるから、低加圧で
確実なコンタクトが可能になり、コンタクトシートの内
側端子の損傷が小さく、シートの寿命が長くなる。ま
た、ベアチップ電極の摩耗、損傷が少なくなるためボン
ディング性の劣化を防止できる。更に、従来のバンプ付
きコンタクトシートからバンプ無しコンタクトシートい
わゆる通常のＴＡＢフィルムと同レベルのシートを使用
できるため、大幅なコストダウンを図ることが出来る等
のメリットを得ることが出来る。第１の発明方法のベア
チップの検査方法は、ベアチップの電極パッドを損傷す
ることなく、経済的にベアチップの検査を行う検査方法
を実現している。第２の発明方法のウエハの検査方法
は、ウエハ上のダイシング前のチップを同時に検査でき
るため、第１の方法よりさらに経済的に検査する検査方
法を実現している。

【図面の簡単な説明】

【図１】図１（ａ）は本実施形態例のテストキャリアの
要部であるコンタクトシートの構成を示す模式的斜視
図、図１（ｂ）はコンタクトシートの配線パターンの内
側端子の模式的拡大図、及び図１（ｃ）は配線パターン
の縦断面図である。

【図２】図２（ａ）はテストキャリア１０を使って検査
するベアチップの斜視図、及び図２（ｂ）は図２（ａ）
に示したベアチップの電極パッドの拡大斜視図図であ
る。

【図３】ベアチップの検査方法の実施形態例のベアチッ
プの検査手順のフローチャートである。

【図４】ウエハの検査方法の実施形態例のウエハ検査の
検査手順のフローチャートである。

【図５】従来のベアチップの検査手順のフローチャート
である。

【図６】図６（ａ）はベアチップの斜視図、図６（ｂ）
はベアチップの電極パッド" Ａ"の拡大図、及び図６
（ｃ）は電極パッドの断面図である。

【図７】従来のテストキャリアの構成を示す斜視図であ
る。

【図８】図７のテストキャリアを組み込んだ状態の矢視
Ｉ−Ｉの縦断面図である。

【図９】図９（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）及び
（ｅ）は、それぞれ、従来のテストキャリアのキャリア
ベース、弾性体、コンタクトシートの斜視図、内側端子
の拡大図、内側端子の断面図である。

【図１０】図１０（ａ）、（ｂ）、（ｃ）及び（ｄ）
は、それぞれ、ベアチップ、金バンプめっき付きベアチ
ップ、ベアチップをソケットに装着した状態、及び、バ
ーンインした状態でのソケットの断面図である。

【符号の説明】

１０ テストキャリア １２ キャリア本体 １４ キャリア蓋 １６ キャリアベース １７ コンタクトシート １８ キャリア枠 ２０ キャリア蓋止め壁 ２２ 切れ込み部 ２４ 蓋上部 ２６ 側壁 ２８ チップ押圧部 ３０ 突出部 ３２ コイルバネ ３３、３５、３９ 貫通孔 ３４ 凹部 ３６ 弾性体 ３８ 配線パターン ４０ 内側端子 ４２ 外側端子 ４４ バンプ ５０ 実施形態例のテストキャリアのコンタクトシート ５２ 配線パターン ５４ 貫通孔 ５６ 外側端子 ５８ 内側端子 ６０ ベアチップ ６２ 電極パッド ６４ バンプ

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) G01R 31/26 H01L 21/66 H01R 33/76

Claims (12)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 電極パッド上に金（Ａｕ）又は金合金製
   バンプを有するベアチップを保持してテスト、バーンイ
   ン処理すると共に、ベアチップの電極パッドを外部の検
   査装置に接続させるテストキャリアであって、 バンプを有するベアチップの電極と接触する金（Ａｕ）
   層を上面に有する端子パッドを一方の端部に、外部の検
   査装置に接続する接続端子を他方の端部にそれぞれ有
   し、一方の端部をベアチップの電極パッドに対応した位
   置に設けた配線パターンを備えたコンタクトシートと、 コンタクトシートを介してベアチップを支持するキャリ
   アベースと、 キャリアベース上にコンタクトシートを介して貫通中空
   部を有するキャリア本体と、 キャリア本体の貫通中空部に貫入してベアチップに接
   触、押圧して、バンプを有するベアチップの電極パッド
   とコンタクトシートの端子パッドとを電気的に接触させ
   るキャリア蓋体とを有し、コンタクトシートの端子パッ
   ドは、バンプの形成されていない平坦なパッドとして形
   成され、配線パターンを介してベアチップの電極パッド
   を外部の検査装置に接続させることを特徴とするテスト
   キャリア。
2. 【請求項２】 キャリアベースは、ベアチップの下方に
   凹部を備え、その凹部に弾性体を収容していることを特
   徴とする請求項１記載のテストキャリア。
3. 【請求項３】 キャリアベースは、凹部に貫通開口部を
   有し、かつ弾性体は、凹部に収容されたときに、キャリ
   アベースの貫通開口部に連通する貫通孔を有し、コンタ
   クトシートは、キャリアベース上に配置されたときに、
   弾性体の貫通孔に連通する貫通孔を有することを特徴と
   する請求項２に記載のテストキャリア。
4. 【請求項４】 キャリア蓋体は、キャリア本体の貫通中
   空部に貫入してベアチップに接触し、押圧するチップ押
   圧部を下部に有し、キャリア本体に着脱自在に掛止さ
   れ、かつ内蔵するバネによりチップ押圧部をベアチップ
   に対して押圧して、ベアチップの電極パッドとコンタク
   トシートの配線パターンの端子パッドとを電気的に接触
   させることを特徴とする請求項１から３のいずれか１項
   に記載のテストキャリア。
5. 【請求項５】 請求項３又は４に記載のテストキャリア
   を使って、電極パッドにバンプを備えたベアチップを検
   査する方法であって、テスト、バーンイン処理に際し、 光学的な位置合わせ装置を使って、ベアチップの電極パ
   ッドとコンタクトシートの端子パッドとを位置合わせ
   し、ベアチップとコンタクトシートとの位置合わせデー
   タを得る第１のステップと、 位置合わせデータに基づいて、ベアチップの電極パッド
   とコンタクトシートの端子パッドとが相互に一致するよ
   うに、コンタクトシート上にベアチップを位置決めし
   て、ベアチップをコンタクトシート上に配置する第２の
   ステップと、 キャリアベースの貫通開口部、弾性体の貫通孔、及びコ
   ンタクトシートの貫通孔を介して、ベアチップを吸引
   し、コンタクトシート上に仮固定する第３のステップ
   と、 チップ押圧部を下方にしてキャリア蓋体をキャリア本体
   の貫通中空部に貫入させ、チップ押圧部でベアチップを
   押圧して、ベアチップの電極パッドとコンタクトシート
   の端子パッドとを電気的に接触させる第４のステップ
   と、 ベアチップを保持したテストキャリアを所定の温度の炉
   に送入してバーンイン処理する第５のステップとを備え
   ていることを特徴とするベアチップの検査方法。
6. 【請求項６】 第１のステップの前に、 集積回路を各チップ毎に形成したウエハを検査するウエ
   ハ検査工程と、 各チップの電極にバンプを形成するバンプ形成工程と、 ウエハを各チップ毎に切断するダイシング工程と、 各チップを選別する一次検査工程とを備えていることを
   特徴とする請求項５に記載のベアチップの検査方法。
7. 【請求項７】 第５のステップに引き続き、バーンイン
   処理後のチップを選別する二次検査工程と、 チップの外観検査を行う外観検査工程とを備えることを
   特徴とする請求項５又は６に記載のベアチップの検査方
   法。
8. 【請求項８】 二次検査工程に次いで、チップの外観検
   査工程前に電極パッドに形成されたバンプを物理的に除
   去するバンプ除去工程を有することを特徴とする請求項
   ７に記載のベアチップの検査方法。
9. 【請求項９】 請求項１に記載のテストキャリアはチッ
   プ個片対応であるが、これをウエハー全面が保持可能に
   したウエハーカセットを用いて、電極パッドにバンプを
   備えてウエハ上に形成された各チップを検査するウエハ
   の検査方法であって、 テスト、バーンイン処理に際し、光学的な位置合わせ装
   置を使って、ウエハーの電極パッドとコンタクトシート
   の端子パッドとを位置合わせし、ウエハーとコンタクト
   シートとの位置合わせデータを得る第１のステップと、 位置合わせデータに基づいて、ウエハーの電極パッドと
   コンタクトシートの端子パッドとが相互に一致するよう
   に、コンタクトシート上にウエハを位置決めして、ウエ
   ハをコンタクトシート上に配置する第２のステップと、 ウエハーカセットベースの貫通開口部、異方導電性シー
   トの貫通孔、及びコンタクトシートの貫通孔を介して、
   ウエハを吸引し、コンタクトシート上に仮固定する第３
   のステップと、 チップ押圧部を下方にしてカセット蓋体をカセット本体
   の貫通中空部に貫入させ、チップ押圧部で、ウエハ裏面
   を押圧して、チップの電極パッドとコンタクトシートの
   端子パッドとを電気的に接触させる第４のステップと、 ウエハを保持したカセットを所定の温度の炉に送入して
   バーンイン処理する第５のステップとを備えていること
   を特徴とするウエハの検査方法。
10. 【請求項１０】 第１のステップの前に、 集積回路を各チップ毎に形成したウエハを検査するウエ
    ハ検査工程と、 各チップの電極にバンプを形成するバンプ形成工程とを
    備えていることを特徴とする請求項９に記載のウエハの
    検査方法。
11. 【請求項１１】 第５のステップに引き続き、バーンイ
    ン処理後のウエハーを選別する二次検査工程と、 ウエハを各チップ毎に切断するダイシング工程とを備え
    ることを特徴とする請求９又は１０に記載のウエハの検
    査方法。
12. 【請求項１２】 ダイシング工程に次いで、電極パッド
    に形成されたバンプを物理的に除去するバンプ除去工程
    を有することを特徴とする請求項１１に記載のウエハの
    検査方法。