JP3128837B2 - ドライエッチング方法 - Google Patents
ドライエッチング方法Info
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- JP3128837B2 JP3128837B2 JP03024379A JP2437991A JP3128837B2 JP 3128837 B2 JP3128837 B2 JP 3128837B2 JP 03024379 A JP03024379 A JP 03024379A JP 2437991 A JP2437991 A JP 2437991A JP 3128837 B2 JP3128837 B2 JP 3128837B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ドライエッチング方法
に関し、更に詳しくは、半導体装置に用いられるポリシ
リコン，ポリサイド等のシリコン系薄膜のドライエッチ
ングに係わる。
に関し、更に詳しくは、半導体装置に用いられるポリシ
リコン，ポリサイド等のシリコン系薄膜のドライエッチ
ングに係わる。
【０００２】
【従来の技術】最近のこの種のポリシリコン膜，ポリサ
イド膜等のドライエッチング方法としては、例えば、１
９９０年応物秋講演予稿集第４６２頁２６ｐ−ＺＦ−
１，同第４６３頁２６ｐ−ＺＦ−２，２６ｐ−ＺＦ−３
の夫々に記載の従来技術が知られている。
イド膜等のドライエッチング方法としては、例えば、１
９９０年応物秋講演予稿集第４６２頁２６ｐ−ＺＦ−
１，同第４６３頁２６ｐ−ＺＦ−２，２６ｐ−ＺＦ−３
の夫々に記載の従来技術が知られている。
【０００３】（１）上記２６ｐ−ＺＦ−１記載の方法
は、タングステンポリサイドをエッチングするにあた
り、塩素（Ｃｌ2）ガスに酸素（Ｏ2）ガスを添加し、Ｓ
ｉＯ2を保護膜としつつ異方性エッチングを行なう方法
である。
は、タングステンポリサイドをエッチングするにあた
り、塩素（Ｃｌ2）ガスに酸素（Ｏ2）ガスを添加し、Ｓ
ｉＯ2を保護膜としつつ異方性エッチングを行なう方法
である。
【０００４】（２）上記２６ｐ−ＺＦ−２記載の方法
は、タングステンポリサイドをエッチングするにあた
り、保護膜形成とエッチングを交互に繰り返すタイムモ
ジュレーティッド（ＴＭ）エッチングを行なう方法であ
る。
は、タングステンポリサイドをエッチングするにあた
り、保護膜形成とエッチングを交互に繰り返すタイムモ
ジュレーティッド（ＴＭ）エッチングを行なう方法であ
る。
【０００５】（３）上記２６ｐ−ＺＦ−３記載の方法
は、タングステンポリサイドやポリシリコンをエッチン
グするにあたり、ウエハ温度を−７０℃程度に冷却し、
六フッ素イオウ（ＳＦ6／）臭化水素（ＨＢｒ）系ガス
を用いて異方性エッチングを行なう方法である。この方
法においては、臭素系のガスを用いているため、エッチ
ング時に生成されるＳｉＢｒXで側壁保護を行なってい
る。なお、この方法は、ＳｉＯ2との選択比が高くとれ
るという利点を有している。
は、タングステンポリサイドやポリシリコンをエッチン
グするにあたり、ウエハ温度を−７０℃程度に冷却し、
六フッ素イオウ（ＳＦ6／）臭化水素（ＨＢｒ）系ガス
を用いて異方性エッチングを行なう方法である。この方
法においては、臭素系のガスを用いているため、エッチ
ング時に生成されるＳｉＢｒXで側壁保護を行なってい
る。なお、この方法は、ＳｉＯ2との選択比が高くとれ
るという利点を有している。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
た従来技術にあっては、以下に説明する各種の問題点を
有している。
た従来技術にあっては、以下に説明する各種の問題点を
有している。
【０００７】即ち、上記（１）記載の従来方法において
は、エッチングガスに酸素ガスを添加するため対レジス
ト選択比の低下がまぬがれないという問題がある。
は、エッチングガスに酸素ガスを添加するため対レジス
ト選択比の低下がまぬがれないという問題がある。
【０００８】また、上記（２）記載の従来方法において
は、ポリマーデポジションにより保護膜形成を行なうた
め、堆積性ガス（デポガス）を用いることに起因してダ
ストの発生が起る問題がある。
は、ポリマーデポジションにより保護膜形成を行なうた
め、堆積性ガス（デポガス）を用いることに起因してダ
ストの発生が起る問題がある。
【０００９】さらに、上記（３）記載の従来方法にあっ
ては、タングステンポリサイドやポリシリコンをエッチ
ングし下地が露出した後のオーバーエッチング時には、
側壁保護作用を有するＳｉＢｒXの供給が低下するた
め、図１２に示すように、オーバーエッチングを行なう
ことによる形状の劣化がまぬがれないという問題があ
る。なお、図１２中１０はシリコン基板、１１はＳｉＯ
2膜、１２はポリシリコン膜、１３はＳｉＯ2膜、１４は
レジストを示している。
ては、タングステンポリサイドやポリシリコンをエッチ
ングし下地が露出した後のオーバーエッチング時には、
側壁保護作用を有するＳｉＢｒXの供給が低下するた
め、図１２に示すように、オーバーエッチングを行なう
ことによる形状の劣化がまぬがれないという問題があ
る。なお、図１２中１０はシリコン基板、１１はＳｉＯ
2膜、１２はポリシリコン膜、１３はＳｉＯ2膜、１４は
レジストを示している。
【００１０】本発明は、このような従来方法の諸問題に
着目して創案されたものであって、対下地選択比が大き
くとれ、パターン変換差を小さくできると共に、オーバ
ーエッチング時の形状劣化を防止して異方性加工を可能
にするドライエッチング方法を得んとするものである。
着目して創案されたものであって、対下地選択比が大き
くとれ、パターン変換差を小さくできると共に、オーバ
ーエッチング時の形状劣化を防止して異方性加工を可能
にするドライエッチング方法を得んとするものである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】そこで、本発明は、基体
上に形成されたポリシリコン膜，ポリサイド膜のドライ
エッチング方法において、前記基体上に前記ポリシリコ
ン膜，ポリサイド膜を形成する工程と、前記ポリシリコ
ン膜，ポリサイド膜上に耐エッチング性を有するストッ
パ膜をパターニングする工程と、前記ポリシリコン膜，
ポリサイド膜をエッチングし、前記基体が露出した時点
で酸素プラズマ処理を行なった後、前記ストッパ膜をマ
スクとしてオーバーエッチングを行う工程と、を備える
ことを、その解決方法としている。
上に形成されたポリシリコン膜，ポリサイド膜のドライ
エッチング方法において、前記基体上に前記ポリシリコ
ン膜，ポリサイド膜を形成する工程と、前記ポリシリコ
ン膜，ポリサイド膜上に耐エッチング性を有するストッ
パ膜をパターニングする工程と、前記ポリシリコン膜，
ポリサイド膜をエッチングし、前記基体が露出した時点
で酸素プラズマ処理を行なった後、前記ストッパ膜をマ
スクとしてオーバーエッチングを行う工程と、を備える
ことを、その解決方法としている。
【００１２】
【作用】ポリシリコン膜やポリサイド膜がエッチングさ
れて下地基体が露出した時点で、酸素プラズマ処理を施
すことにより、前記エッチングのマスクとしてのレジス
トを完全に除去され、ストッパ膜が露出する。このよう
にして反応系中から炭素源（レジスト）が無くなるた
め、次工程のオーバーエッチングにおいて、レジストを
マスクとして用いたときに比べ選択比を高くとることが
可能となる。また、酸素プラズマ処理を行なうことによ
り、ポリシリコン膜又はポリサイド膜のエッチングされ
た側壁に酸化シリコン膜が形成され、この酸化シリコン
膜が後に行なうオーバーエッチングにおける形状の劣化
を阻止する作用を有する。
れて下地基体が露出した時点で、酸素プラズマ処理を施
すことにより、前記エッチングのマスクとしてのレジス
トを完全に除去され、ストッパ膜が露出する。このよう
にして反応系中から炭素源（レジスト）が無くなるた
め、次工程のオーバーエッチングにおいて、レジストを
マスクとして用いたときに比べ選択比を高くとることが
可能となる。また、酸素プラズマ処理を行なうことによ
り、ポリシリコン膜又はポリサイド膜のエッチングされ
た側壁に酸化シリコン膜が形成され、この酸化シリコン
膜が後に行なうオーバーエッチングにおける形状の劣化
を阻止する作用を有する。
【００１３】
【実施例】以下、本発明に係るドライエッチング方法の
詳細を図面に示す実施例に基づいて説明する。
詳細を図面に示す実施例に基づいて説明する。
【００１４】（第１実施例）図１〜図４は、本発明に係
るドライエッチング方法の第１実施例を示している。
るドライエッチング方法の第１実施例を示している。
【００１５】先ず、図１に示すように基体としてのシリ
コン基板１０表面にゲート酸化膜としてのＳｉＯ2膜１
１を形成する。次に、そのＳｉＯ2膜１１上にゲート電
極となるリン（Ｐ）がドープされたポリシリコン膜（以
下ｎ+−ＰｏｌｙＳｉ膜と称する）１２及び、オーバー
エッチング時にマスクとなる耐エッチング性を有する酸
化膜１３を例えばＣＶＤ法により順次形成する。
コン基板１０表面にゲート酸化膜としてのＳｉＯ2膜１
１を形成する。次に、そのＳｉＯ2膜１１上にゲート電
極となるリン（Ｐ）がドープされたポリシリコン膜（以
下ｎ+−ＰｏｌｙＳｉ膜と称する）１２及び、オーバー
エッチング時にマスクとなる耐エッチング性を有する酸
化膜１３を例えばＣＶＤ法により順次形成する。
【００１６】次に、酸化膜１３上に別途レジスト１４を
用いてパターニングを行なう。このパターニングされた
レジスト１４をマスクとしてゲート電極となるｎ+−Ｐ
ｏｌｙＳｉ膜１２をエッチングし、加工を行なうもので
ある。
用いてパターニングを行なう。このパターニングされた
レジスト１４をマスクとしてゲート電極となるｎ+−Ｐ
ｏｌｙＳｉ膜１２をエッチングし、加工を行なうもので
ある。
【００１７】このエッチングには、ＲＦバイアス印加型
のＥＣＲエッチャーを用いた。まず、図２に示すよう
に、オーバーエッチング時のマスクとなる酸化膜１３
を、反応ガスとしてＣＨＦ3ガスと酸素を５０SCCM対２
SCCMの流量比で用い、また圧力として１０ｍｔｏｒｒ、
μ波出力を３００ｍＡ、ＲＦバイアス（２ＭＨｚ）３０
Ｗに設定してエッチングを行なった。
のＥＣＲエッチャーを用いた。まず、図２に示すよう
に、オーバーエッチング時のマスクとなる酸化膜１３
を、反応ガスとしてＣＨＦ3ガスと酸素を５０SCCM対２
SCCMの流量比で用い、また圧力として１０ｍｔｏｒｒ、
μ波出力を３００ｍＡ、ＲＦバイアス（２ＭＨｚ）３０
Ｗに設定してエッチングを行なった。
【００１８】次に、図３に示すように、レジスト１４及
び酸化膜１３をマスクとしてｎ+−ＰｏｌｙＳｉ膜１２
のエッチングを行なう。このエッチングには、臭化水素
（ＨＢｒ）ガスを５０SCCMの流量で用い、圧力として１
０ｍｔｏｒｒ、μ波出力＝３００ｍＡ、ＲＦバイアス
（２ＭＨｚ）２０Ｗに設定し、下地であるＳｉＯ2膜１
１が露出するまでエッチングする。この時、オーバーエ
ッチングの為、更にエッチングを行なうと側壁保護に寄
与するＳｉＢｒXがエッチング面より発生しないので、
上記した図１２に示すようにｎ+−ＰｏｌｙＳｉ膜１２
にアンダーカットが発生するという問題点が生じる。
び酸化膜１３をマスクとしてｎ+−ＰｏｌｙＳｉ膜１２
のエッチングを行なう。このエッチングには、臭化水素
（ＨＢｒ）ガスを５０SCCMの流量で用い、圧力として１
０ｍｔｏｒｒ、μ波出力＝３００ｍＡ、ＲＦバイアス
（２ＭＨｚ）２０Ｗに設定し、下地であるＳｉＯ2膜１
１が露出するまでエッチングする。この時、オーバーエ
ッチングの為、更にエッチングを行なうと側壁保護に寄
与するＳｉＢｒXがエッチング面より発生しないので、
上記した図１２に示すようにｎ+−ＰｏｌｙＳｉ膜１２
にアンダーカットが発生するという問題点が生じる。
【００１９】そこで、本実施例では、下地のＳｉＯ2膜
１１が露出した時点で、酸素（Ｏ2）を１００SCCM、圧
力として２０ｍｔｏｒｒ、μ波出力を３００ｍＡ、ＲＦ
バイアス（２ＭＨｚ）０Ｗに設定して酸素プラズマ処理
を行なう（図４）。この時、マスクであるレジスト１４
が完全に除去されるまで処理することが望ましい。
１１が露出した時点で、酸素（Ｏ2）を１００SCCM、圧
力として２０ｍｔｏｒｒ、μ波出力を３００ｍＡ、ＲＦ
バイアス（２ＭＨｚ）０Ｗに設定して酸素プラズマ処理
を行なう（図４）。この時、マスクであるレジスト１４
が完全に除去されるまで処理することが望ましい。
【００２０】図５及び図６に示すように、この処理によ
り、ｎ+−ＰｏｌｙＳｉ膜１２の側壁に保護膜として形
成されているＳｉＢｒXがＳｉＯXになると共に、側壁も
酸化されＳｉＯ2となる。
り、ｎ+−ＰｏｌｙＳｉ膜１２の側壁に保護膜として形
成されているＳｉＢｒXがＳｉＯXになると共に、側壁も
酸化されＳｉＯ2となる。
【００２１】なお、Ｓｉ−Ｏの結合エネルギーは１９２
Ｋｃａｌ／ｍｏｌであり、Ｓｉ−Ｂｒの結合エネルギー
は７０Ｋｃａｌ／ｍｏｌである。このため、Ｓｉ−Ｂｒ
結合は、酸素プラズマ処理を施すことにより、Ｓｉ−Ｏ
結合に変化し易くなっている。即ち、結合エネルギーの
変化を式で表わすと、Ｓｉ−Ｂｒ＋１／２Ｏ2→Ｓｉ−
Ｏ＋１／２Ｂｒ2−１２２Ｋｃａｌ／ｍｏｌであり、Ｓ
ｉＢｒ4がＳｉＯ2に変化する生成エネルギーを式で表わ
すと、ＳｉＢｒ4＋Ｏ2→ＳｉＯ2＋２Ｂｒ（ΔＨｆ＝−
１１１ＫＪ／ｍｏｌ）となり、共に発熱反応であるた
め、自発的に反応は進行する。
Ｋｃａｌ／ｍｏｌであり、Ｓｉ−Ｂｒの結合エネルギー
は７０Ｋｃａｌ／ｍｏｌである。このため、Ｓｉ−Ｂｒ
結合は、酸素プラズマ処理を施すことにより、Ｓｉ−Ｏ
結合に変化し易くなっている。即ち、結合エネルギーの
変化を式で表わすと、Ｓｉ−Ｂｒ＋１／２Ｏ2→Ｓｉ−
Ｏ＋１／２Ｂｒ2−１２２Ｋｃａｌ／ｍｏｌであり、Ｓ
ｉＢｒ4がＳｉＯ2に変化する生成エネルギーを式で表わ
すと、ＳｉＢｒ4＋Ｏ2→ＳｉＯ2＋２Ｂｒ（ΔＨｆ＝−
１１１ＫＪ／ｍｏｌ）となり、共に発熱反応であるた
め、自発的に反応は進行する。
【００２２】斯る酸素プラズマ処理を施した後、上記エ
ッチングと同一条件で図４に示す状態でオーバーエッチ
ングを行なう。なお、パターン側壁は、上記したよう
に、ＳｉＯXになっているため、エッチングは進行しな
いが、エッチング面にはイオンの入射があり、エッチン
グ残りの除去が可能となる。また、このオーバーエッチ
ングの際には、レジスト１４は除去されており、反応系
中には、炭素（Ｃ）が無いため、レジストをマスクとし
て用いるのに比べ選択比を高くとれる利点がある。
ッチングと同一条件で図４に示す状態でオーバーエッチ
ングを行なう。なお、パターン側壁は、上記したよう
に、ＳｉＯXになっているため、エッチングは進行しな
いが、エッチング面にはイオンの入射があり、エッチン
グ残りの除去が可能となる。また、このオーバーエッチ
ングの際には、レジスト１４は除去されており、反応系
中には、炭素（Ｃ）が無いため、レジストをマスクとし
て用いるのに比べ選択比を高くとれる利点がある。
【００２３】（第２実施例）図７〜図１１は、本発明の
第２実施例を示している。本実施例は、シリコン基板１
０の上に段差があり、段差のある酸化膜２０上の材料を
エッチングする場合で、その材料のポリサイド膜２２
（１２，２１）の場合に、本発明を適用した例である。
段差のある酸化膜２０上にｎ＋−ＰｏｌｙＳｉ膜１２、
及びタングステンシリサイド（以下ＷＳｉX）膜２１を
順次形成してポリサイド膜２２とし、その上に第１実施
例と同様に酸化膜１３及びレジスト１４を順次形成す
る。
第２実施例を示している。本実施例は、シリコン基板１
０の上に段差があり、段差のある酸化膜２０上の材料を
エッチングする場合で、その材料のポリサイド膜２２
（１２，２１）の場合に、本発明を適用した例である。
段差のある酸化膜２０上にｎ＋−ＰｏｌｙＳｉ膜１２、
及びタングステンシリサイド（以下ＷＳｉX）膜２１を
順次形成してポリサイド膜２２とし、その上に第１実施
例と同様に酸化膜１３及びレジスト１４を順次形成す
る。
【００２４】まず、第１実施例と同じく、オーバーエッ
チング時のマスクとなる酸化膜１３をエッチングする
（図８）。
チング時のマスクとなる酸化膜１３をエッチングする
（図８）。
【００２５】次に、レジスト１４，酸化膜１３をマスク
としてポリサイド膜２２（１２，２１）をエッチングす
るわけであるが、このエッチングにはＳＦ6ガスとＨＢ
ｒガスを５SCCM対３０SCCMの流量比で用い、また、圧力
を１０ｍｔｏｒｒ、μ波出力を３００ｍＡ、ウエハ基板
温度を−７０℃に設定した。
としてポリサイド膜２２（１２，２１）をエッチングす
るわけであるが、このエッチングにはＳＦ6ガスとＨＢ
ｒガスを５SCCM対３０SCCMの流量比で用い、また、圧力
を１０ｍｔｏｒｒ、μ波出力を３００ｍＡ、ウエハ基板
温度を−７０℃に設定した。
【００２６】次に、図９に示すように、下地である酸化
膜２０が一部露出した時点で、第１実施例で示したよう
に酸素ガスのプラズマ処理により、レジスト１４を除去
する。
膜２０が一部露出した時点で、第１実施例で示したよう
に酸素ガスのプラズマ処理により、レジスト１４を除去
する。
【００２７】この時、段差の一部にｎ+−ＰｏｌｙＳｉ
膜１２のエッチング残り１２ａを生じ、その表面もポリ
サイドの側壁同様酸化されている。従って、単にＨＢｒ
ガスのみで追加エッチングを行なっても除去困難であ
る。そこで、下記のａ），ｂ）の条件で段階的なエッチ
ングを行なう。
膜１２のエッチング残り１２ａを生じ、その表面もポリ
サイドの側壁同様酸化されている。従って、単にＨＢｒ
ガスのみで追加エッチングを行なっても除去困難であ
る。そこで、下記のａ），ｂ）の条件で段階的なエッチ
ングを行なう。
【００２８】ａ）ＳＦ6／ＨＢｒ＝２／５０SCCM、１０
ｍｔｏｒｒ、μ波＝３００Ｗ、ＲＦバイアス＝２０Ｗ ｂ）ＨＢｒ＝５０SCCM、１０ｍｔｏｒｒ、μ波＝３００
Ｗ、ＲＦバイアス＝２０Ｗ 即ち、ＳＦ6を含むガス系でエッチング残り１２ａ上の
酸化膜を除去した後、 ｂ）の条件でオーバーエッチングを行なうことにより異
方性を維持し、かつ、下地との選択比を大きく保った状
態でのエッチング残り１２ａの除去が可能となる。
ｍｔｏｒｒ、μ波＝３００Ｗ、ＲＦバイアス＝２０Ｗ ｂ）ＨＢｒ＝５０SCCM、１０ｍｔｏｒｒ、μ波＝３００
Ｗ、ＲＦバイアス＝２０Ｗ 即ち、ＳＦ6を含むガス系でエッチング残り１２ａ上の
酸化膜を除去した後、 ｂ）の条件でオーバーエッチングを行なうことにより異
方性を維持し、かつ、下地との選択比を大きく保った状
態でのエッチング残り１２ａの除去が可能となる。
【００２９】以上、両実施例について説明したが、本発
明は、これに限らず各種の設計変更が可能である。
明は、これに限らず各種の設計変更が可能である。
【００３０】例えば上記第１及び第２実施例にあって
は、ＨＢｒガス単独又はＨＢｒガスとＳＦ6ガスの混合
ガスを用いたが、この他ＨＢｒガスの代りとしてＢ
ｒ2，ＢＢｒ3，ＣＢｒ3Ｈガスを用い、ＳＦ6ガスの代り
として、ＮＦ3，ＣＦ4ガス等を用いても同様な効果が得
られる。
は、ＨＢｒガス単独又はＨＢｒガスとＳＦ6ガスの混合
ガスを用いたが、この他ＨＢｒガスの代りとしてＢ
ｒ2，ＢＢｒ3，ＣＢｒ3Ｈガスを用い、ＳＦ6ガスの代り
として、ＮＦ3，ＣＦ4ガス等を用いても同様な効果が得
られる。
【００３１】また、レジスト下部に形成した絶縁膜とし
て、上記実施例においてＣＶＤ法によるＳｉＯ2を用い
たが、これ以外にＰＳＧ，ＢＰＳＧ，ＡｓＳＧ，ＳｉＮ
等を用いることも可能である。また、膜厚を最適化する
ことで、上部のレジストパターニングの際の反射の影響
も低減することも可能となる。
て、上記実施例においてＣＶＤ法によるＳｉＯ2を用い
たが、これ以外にＰＳＧ，ＢＰＳＧ，ＡｓＳＧ，ＳｉＮ
等を用いることも可能である。また、膜厚を最適化する
ことで、上部のレジストパターニングの際の反射の影響
も低減することも可能となる。
【００３２】さらに、レジスト除去には実施例のＯ2ガ
ス以外、Ｏ2＋Ｎ2，Ｏ2＋ＮＨ3，Ｏ2＋Ｈ2Ｏ系の混合ガ
スを用いることも可能である。また、レジスト除去の前
に、ウエハ表面に吸着しているガス種（Ｂｒ系）又は反
応生成物（ＳｉＢｒX）等を除去し易くする様１００〜
３００℃に加熱することも適用可能である。
ス以外、Ｏ2＋Ｎ2，Ｏ2＋ＮＨ3，Ｏ2＋Ｈ2Ｏ系の混合ガ
スを用いることも可能である。また、レジスト除去の前
に、ウエハ表面に吸着しているガス種（Ｂｒ系）又は反
応生成物（ＳｉＢｒX）等を除去し易くする様１００〜
３００℃に加熱することも適用可能である。
【００３３】さらにまた、上記実施例において、エッチ
ング残り１２ａの酸化膜層を除去する方法として、反応
ガスの選定を行なったが、イオンエネルギーを増大させ
るＲＦバイアスを一時的に高くする等の方法で酸化膜を
除去することも適用可能である。
ング残り１２ａの酸化膜層を除去する方法として、反応
ガスの選定を行なったが、イオンエネルギーを増大させ
るＲＦバイアスを一時的に高くする等の方法で酸化膜を
除去することも適用可能である。
【００３４】
【発明の効果】以上の説明から明らかあように、堆積性
ガスを用いることなく、対下地選択比を高くとりつつポ
リシリコン、ポリサイドの異方性加工が可能となる。
ガスを用いることなく、対下地選択比を高くとりつつポ
リシリコン、ポリサイドの異方性加工が可能となる。
【００３５】特にオーバーエッチング時には、ポリシリ
コン、ポリシリコンの側壁は安定な酸化膜となってお
り、また、レジストをあらかじめ除去し反応系より炭素
を除外している為、高選択比でオーバーエッチングが可
能となる効果がある。
コン、ポリシリコンの側壁は安定な酸化膜となってお
り、また、レジストをあらかじめ除去し反応系より炭素
を除外している為、高選択比でオーバーエッチングが可
能となる効果がある。
【図１】第１実施例の工程図。
【図２】第１実施例の工程図。
【図３】第１実施例の工程図。
【図４】第１実施例の工程図。
【図５】第１実施例においてエッチングにより下地が露
出した時点での側壁の状態を示す断面説明図。
出した時点での側壁の状態を示す断面説明図。
【図６】第１実施例において酸素プラズマ処理を施した
ときの側壁の状態を示す断面図。
ときの側壁の状態を示す断面図。
【図７】第２実施例の工程図。
【図８】第２実施例の工程図。
【図９】第２実施例の工程図。
【図１０】第２実施例の工程図。
【図１１】第２実施例の工程図。
【図１２】従来のオーバーエッチングを施した状態を示
す断面図。
す断面図。
１１…ＳｉＯ2膜、１２…ポリシリコン膜、１３…酸化
膜、１４…レジスト、２１…タングステンシリサイド
膜、２２…ポリサイド膜。
膜、１４…レジスト、２１…タングステンシリサイド
膜、２２…ポリサイド膜。
Claims (2)
- 【請求項１】 基体上に形成されたポリシリコン膜のド
ライエッチング方法において、 前記基体上に前記ポリシリコン膜を形成する工程と、 前記ポリシリコン膜上に耐エッチング性を有するストッ
パ膜をパターニングする工程と、 前記ポリシリコン膜をエッチングし、前記基体が露出し
た時点で酸素プラズマ処理を行なった後、前記ストッパ
膜をマスクとしてオーバーエッチングを行う工程と、を
備えることを特徴とするドライエッチング方法。 - 【請求項２】 基体上に形成されたポリサイド膜のドラ
イエッチング方法において、 前記基体上に前記ポリサイド膜を形成する工程と、 前記ポリサイド膜上に耐エッチング性を有するストッパ
膜をパターニングする工程と、 前記ポリシリコン膜をエッチングし、前記基体が露出し
た時点で酸素プラズマ処理を行なった後、前記ストッパ
膜をマスクとしてオーバーエッチングを行う工程と、を
備えることを特徴とするドライエッチング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03024379A JP3128837B2 (ja) | 1991-02-19 | 1991-02-19 | ドライエッチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03024379A JP3128837B2 (ja) | 1991-02-19 | 1991-02-19 | ドライエッチング方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04263424A JPH04263424A (ja) | 1992-09-18 |
| JP3128837B2 true JP3128837B2 (ja) | 2001-01-29 |
Family
ID=12136556
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP03024379A Expired - Fee Related JP3128837B2 (ja) | 1991-02-19 | 1991-02-19 | ドライエッチング方法 |
Country Status (1)
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|---|---|
| JP (1) | JP3128837B2 (ja) |
-
1991
- 1991-02-19 JP JP03024379A patent/JP3128837B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04263424A (ja) | 1992-09-18 |
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