JP3128178U - 化合物半導体素子 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】導電性材料から成る基体部と絶縁膜と導電性膜とが順次形成された基板の一方の主面に、化合物半導体領域を形成し、この化合物半導体領域の一方の主面に電極を配置する。化合物半導体領域には、一方の主面から絶縁膜に達する切り欠け部分が設けられており、切り欠け部分から露出した絶縁膜、導電膜及び化合物半導体領域は絶縁性保護膜によって被覆される。
【選択図】図1
Description
て、密度が約1013cm−2という高濃度の2次元電子ガス層(又は2次元ホールガス層)が形成される。この2次元電子ガス層の存在によって、窒化ガリウム系化合物半導体領域2にはその一方の主面と水平な方向に電流が流れる。即ち、アノード電極3とカソード電極4との間にアノード電極3側の電位を高くする電圧を印加すると、アノード電極3から2次元電子ガス層を通ってカソード電極4に電流が流れる。
Claims (6)
- 導電性材料から成る基体部と、該基体部の一方の主面に形成された絶縁膜と、前記基体部の一方の主面に前記絶縁膜を介して形成された導電膜とを有する基板と、前記基板の一方の主面に形成された化合物半導体領域と、該化合物半導体領域の一方の主面に形成され、且つ前記基体部と電気的に接続された電極とを有し、 前記化合物半導体領域には、その厚み方向に前記一方の主面から少なくとも前記絶縁膜にまで達する切り欠け部分が設けられており、前記切り欠け部分に露出した前記導電膜の側面が絶縁性保護膜によって被覆され、前記導電膜が素子側面に露出しないことを特徴とする化合物半導体素子。
- 前記絶縁性保護膜は、前記導電膜の側面から前記化合物半導体領域の一方の主面側と前記基体側に延伸し、前記切り欠け部分に露出した前記化合物半導体領域及び前記絶縁膜の側面を被覆することを特徴とする請求項1記載の化合物半導体素子。
- 前記切り欠け部分の底面には前記絶縁膜が露出し、前記絶縁性保護膜が前記絶縁膜の上面に接していることを特徴とする請求項2記載の化合物半導体素子。
- 前記切り欠け部分の底面には前記基体部が露出し、前記絶縁性保護膜が前記基体部にまで延伸して、前記基体部の上面が前記絶縁性保護膜によって被覆されていることを特徴とする請求項2記載の化合物半導体素子。
- 前記基体部はシリコン単結晶基板であり、前記導電膜はシリコン単結晶膜であり、前記化合物半導体領域は窒化ガリウム系化合物半導体領域であることを特徴とする請求項1に記載の化合物半導体素子。
- 前記切り欠け部分は半導体素子の外周縁に沿って環状に形成されており、前記切り欠け部分の側面に露出した前記導体膜の全体が環状に形成された前記絶縁性保護膜によって被覆されていることを特徴とする請求項1記載の化合物半導体素子。
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