JP6780330B2 - 塗布膜除去装置、塗布膜除去方法及び記憶媒体 - Google Patents
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- 239000011248 coating agent Substances 0.000 title claims description 202
- 238000000576 coating method Methods 0.000 title claims description 202
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 37
- 238000003860 storage Methods 0.000 title claims description 7
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 266
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 68
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 67
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims description 35
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 16
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims description 15
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 claims description 8
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 7
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims description 6
- 238000004590 computer program Methods 0.000 claims description 3
- 239000012528 membrane Substances 0.000 claims 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 167
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 164
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 93
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 47
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 38
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 20
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 9
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 7
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 7
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 7
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 5
- 230000008961 swelling Effects 0.000 description 5
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 5
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 4
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 3
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 description 3
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 239000003431 cross linking reagent Substances 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000003204 osmotic effect Effects 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 230000007723 transport mechanism Effects 0.000 description 1
- 238000012795 verification Methods 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- H01L21/02041—Cleaning
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
- H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
- H01L21/02282—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process liquid deposition, e.g. spin-coating, sol-gel techniques, spray coating
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02296—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer
- H01L21/02299—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer pre-treatment
- H01L21/02312—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer pre-treatment treatment by exposure to a gas or vapour
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
- H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
- H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
- H01L21/0274—Photolithographic processes
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- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/324—Thermal treatment for modifying the properties of semiconductor bodies, e.g. annealing, sintering
-
- H—ELECTRICITY
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
- H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
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- H—ELECTRICITY
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Description
円形の基板の表面に塗布液を供給して形成された塗布膜の周縁部を除去液により除去する塗布膜除去装置において、
基板を保持して回転させる回転保持部と、
前記回転保持部に保持された基板の表面の周縁部に、除去液が基板の回転方向の下流側に向かうようにかつ除去液の吐出位置から平面的に見て除去液の吐出軌跡の延長線が基板の外方側に向くように、除去液を吐出する除去液ノズルと、
前記基板の表面の周縁部における除去液の供給領域に、基板の表面に平行でかつ基板の中央側から外方側に向かう帯状の気流を形成して、除去液の液流を外側に押圧するための気流形成部と、を備え、
前記気流形成部は、基板の表面と対向すると共に前記除去液ノズルに対して基板の回転方向の下流側に配置された整流部材と、前記整流部材の下方側の気流形成空間に、除去液の供給領域よりも基板の中央側から基板の周縁部に向けてガスを吐出するガス吐出部と、を備え、
前記整流部材は、前記除去液ノズルから吐出された除去液が前記気流形成空間に基板の回転方向の上流側から流入して当該気流形成空間を流れるように構成されていることを特徴とする。
円形の基板の表面に塗布液を供給して形成された塗布膜の周縁部を除去液により除去する塗布膜除去方法において、
基板を回転保持部に保持して回転させながら、基板の表面の周縁部に、除去液が基板の回転方向の下流側に向かうようにかつ除去液の吐出位置から平面的に見て除去液の吐出軌跡の延長線が基板の外方側に向くように、除去液を吐出する工程と、
前記基板の表面と対向すると共に前記除去液ノズルに対して基板の回転方向の下流側に配置された整流部材の下方側の気流形成空間に、前記除去液ノズルから吐出された除去液が基板の回転方向の上流側から流入する工程と、
前記気流形成空間に、除去液の供給領域よりも基板の中央側から基板の周縁部に向けてガスを吐出することにより当該ガスが整流部材にガイドされながら基板の表面に平行でかつ基板の中央側から外方側に向かう帯状の気流を形成して、除去液の液流を外側に押圧する工程と、を含むことを特徴とする。
前記プログラムは本発明の塗布膜除去方法を実行するためにステップが組まれていることを特徴とする。
上述の塗布装置1に図22に示すタイプの気流形成部8を設け、塗布膜が形成されたウエハWをスピンチャック11に保持して1000rpmで回転させた状態で、その表面の周縁部に、除去液ノズル3から除去液を供給すると共に、気流形成部8からガスを吐出させてEBR処理を行った。塗布膜としてはレジスト膜、除去液としてはレジスト膜の溶媒である溶剤を用いた。この処理を複数枚のウエハWに対して行い、処理後にウエハWの塗布膜端部の盛り上がり(ハンプ)の形状を接触式段差測定機により測定した(実施例1)。また気流形成部8を設けない場合についても同様にEBR処理を行い、処理後にウエハWの塗布膜端部のハンプの形状を測定した(比較例1)。
塗布装置1において、気流形成部5は退避位置に退避させ、塗布膜としてレジスト膜が形成されたウエハWをスピンチャック11に保持して回転させた状態で、その周縁部に、除去液ノズル3から除去液を供給してEBR処理を行った。除去液としてはレジスト液の溶媒である溶剤を用いた。この処理をスピンチャック11の回転数を変えて行い、処理後にウエハWの塗布膜端部の盛り上がり(ハンプ)の形状を評価例1と同様に測定した。
ウエハWの周縁部を加熱して塗布膜の乾燥を促進することにより、ハンプが低減することを確認するために次のような評価試験を行った。試験装置としては、図11に示す塗布装置において、気流形成部5を用いずに、除去液ノズル3におけるウエハW上の除去液供給位置よりもウエハWの回転方向で見て少し上流側の位置であるウエハWの周縁部と対向するように、垂直に配置されたガスノズルを設けた装置を用いた。EBRの対象となる塗布膜は、膜厚が220nmのSOC膜(低分子量のポリマーと架橋剤とを含む有機膜)である。
11 スピンチャック
21 回転機構
3 除去液ノズル
5、8 気流形成部
50 気流形成空間
51 整流部材
52、82 ガス吐出部
54 ガス流路
57 圧縮部位
61 移動機構
W ウエハ
P 吐出位置
9 加熱部
Claims (13)
- 円形の基板の表面に塗布液を供給して形成された塗布膜の周縁部を除去液により除去する塗布膜除去装置において、
基板を保持して回転させる回転保持部と、
前記回転保持部に保持された基板の表面の周縁部に、除去液が基板の回転方向の下流側に向かうようにかつ除去液の吐出位置から平面的に見て除去液の吐出軌跡の延長線が基板の外方側に向くように、除去液を吐出する除去液ノズルと、
前記基板の表面の周縁部における除去液の供給領域に、基板の表面に平行でかつ基板の中央側から外方側に向かう帯状の気流を形成して、除去液の液流を外側に押圧するための気流形成部と、を備え、
前記気流形成部は、基板の表面と対向すると共に前記除去液ノズルに対して基板の回転方向の下流側に配置された整流部材と、前記整流部材の下方側の気流形成空間に、除去液の供給領域よりも基板の中央側から基板の周縁部に向けてガスを吐出するガス吐出部と、を備え、
前記整流部材は、前記除去液ノズルから吐出された除去液が前記気流形成空間に基板の回転方向の上流側から流入して当該気流形成空間を流れるように構成されていることを特徴とする塗布膜除去装置。 - 前記整流部材の先端は、基板の外縁よりも外方側に位置するように設けられていることを特徴とする請求項1記載の塗布膜除去装置。
- 前記ガス吐出部は、ガス供給元側から送られたガスを圧縮して前記整流部材の下方側の空間に供給するために、ガス流路が狭められた部位が当該空間に臨むように設けられていることを特徴とする請求項1または2記載の塗布膜除去装置。
- 前記基板の表面に対する前記整流部材の下面の高さは、0.5mm〜3.0mmであることを特徴とする請求項1ないし3のいずれか一項に記載の塗布膜除去装置。
- 前記気流形成部を、除去液の供給領域に帯状の気流を形成するための位置と、当該位置から退避する退避位置との間で移動させるための移動機構を備えたことを特徴とする請求項1ないし4のいずれか一項に記載の塗布膜除去装置。
- 前記帯状の気流の幅は、10mm〜50mmであることを特徴とする請求項1ないし5のいずれか一項に記載の塗布膜除去装置。
- 前記基板の回転数は、1000rpm〜4000rpmであることを特徴とする請求項1ないし6のいずれか一項に記載の塗布膜除去装置。
- 基板の表面の周縁部の塗布膜の乾燥を促進させるために少なくとも前記周縁部を加熱する加熱部を備えたことを特徴とする請求項1ないし7のいずれか一項に記載の塗布膜除去装置。
- 前記加熱部は、前記気流形成部により形成される帯状の気流が加熱された状態となるように構成されていることを特徴とする請求項8に記載の塗布膜除去装置。
- 円形の基板の表面に塗布液を供給して形成された塗布膜の周縁部を除去液により除去する塗布膜除去方法において、
基板を回転保持部に保持して回転させながら、基板の表面の周縁部に、除去液が基板の回転方向の下流側に向かうようにかつ除去液の吐出位置から平面的に見て除去液の吐出軌跡の延長線が基板の外方側に向くように、除去液を吐出する工程と、
前記基板の表面と対向すると共に前記除去液ノズルに対して基板の回転方向の下流側に配置された整流部材の下方側の気流形成空間に、前記除去液ノズルから吐出された除去液が基板の回転方向の上流側から流入する工程と、
前記気流形成空間に、除去液の供給領域よりも基板の中央側から基板の周縁部に向けてガスを吐出することにより当該ガスが整流部材にガイドされながら基板の表面に平行でかつ基板の中央側から外方側に向かう帯状の気流を形成して、除去液の液流を外側に押圧する工程と、を含むことを特徴とする塗布膜除去方法。 - 前記整流部材の先端は、基板の外縁よりも外方側に位置するように設けられていることを特徴とする請求項10記載の塗布膜除去方法。
- 前記除去液を吐出する工程は、少なくとも前記基板の表面の周縁部を加熱した状態で行われることを特徴とする請求項10または11に記載の塗布膜除去方法。
- 円形の基板の表面に塗布液を供給して形成された塗布膜の周縁部を除去液により除去する塗布膜除去装置に用いられるコンピュータプログラムを記憶する記憶媒体であって、
前記コンピュータプログラムは、請求項10ないし12のいずれか一項に記載の塗布膜除去方法を実行するようにステップ群が組まれていることを特徴とする記憶媒体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020160147873A KR102646640B1 (ko) | 2015-11-11 | 2016-11-08 | 도포막 제거 장치, 도포막 제거 방법 및 기억 매체 |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015221489 | 2015-11-11 | ||
JP2015221489 | 2015-11-11 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017092445A JP2017092445A (ja) | 2017-05-25 |
JP6780330B2 true JP6780330B2 (ja) | 2020-11-04 |
Family
ID=58771796
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016136224A Active JP6780330B2 (ja) | 2015-11-11 | 2016-07-08 | 塗布膜除去装置、塗布膜除去方法及び記憶媒体 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6780330B2 (ja) |
KR (1) | KR102646640B1 (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7007869B2 (ja) * | 2017-11-14 | 2022-01-25 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、基板処理方法及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体 |
KR102447277B1 (ko) * | 2017-11-17 | 2022-09-26 | 삼성전자주식회사 | 스핀 코터 및 이를 구비하는 기판처리 장치와 기판처리 시스템 |
JP7469145B2 (ja) | 2020-05-29 | 2024-04-16 | 株式会社Screenホールディングス | 周縁部塗布装置および周縁部塗布方法 |
JP2024503164A (ja) | 2020-08-11 | 2024-01-25 | 株式会社レゾナック | 溶剤組成物 |
CN116324044A (zh) * | 2020-10-01 | 2023-06-23 | 朗姆研究公司 | 预镀边缘干燥 |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06196401A (ja) * | 1992-12-24 | 1994-07-15 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板端縁洗浄装置 |
JP3248970B2 (ja) * | 1993-01-11 | 2002-01-21 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板端縁洗浄装置 |
JP3114084B2 (ja) * | 1994-04-04 | 2000-12-04 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理方法及び処理装置 |
JPH09106980A (ja) * | 1995-10-11 | 1997-04-22 | Kawasaki Steel Corp | 塗布膜形成装置及び塗布膜形成方法 |
JP3300624B2 (ja) * | 1997-01-24 | 2002-07-08 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板端面の洗浄方法 |
JP3405312B2 (ja) * | 2000-02-25 | 2003-05-12 | 日本電気株式会社 | 塗布膜除去装置 |
US20030070695A1 (en) * | 2001-10-16 | 2003-04-17 | Applied Materials, Inc. | N2 splash guard for liquid injection on the rotating substrate |
JP4377169B2 (ja) * | 2002-07-08 | 2009-12-02 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置及び処理方法 |
JP4363593B2 (ja) * | 2003-05-14 | 2009-11-11 | 東京エレクトロン株式会社 | 薄膜除去装置 |
JP4761381B2 (ja) * | 2006-08-01 | 2011-08-31 | 東京エレクトロン株式会社 | 薄膜除去装置及び薄膜除去方法 |
JP5068577B2 (ja) * | 2007-04-25 | 2012-11-07 | 株式会社エムテーシー | 角形被処理体のフォトレジストの除去装置 |
JP5320455B2 (ja) | 2011-12-16 | 2013-10-23 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置及び基板処理方法 |
-
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KR20170055425A (ko) | 2017-05-19 |
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