JP3110199U - 多層研磨パッド - Google Patents
多層研磨パッド Download PDFInfo
- Publication number
- JP3110199U JP3110199U JP2004006943U JP2004006943U JP3110199U JP 3110199 U JP3110199 U JP 3110199U JP 2004006943 U JP2004006943 U JP 2004006943U JP 2004006943 U JP2004006943 U JP 2004006943U JP 3110199 U JP3110199 U JP 3110199U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thickness
- polishing
- compressibility
- layer
- backing layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23H—WORKING OF METAL BY THE ACTION OF A HIGH CONCENTRATION OF ELECTRIC CURRENT ON A WORKPIECE USING AN ELECTRODE WHICH TAKES THE PLACE OF A TOOL; SUCH WORKING COMBINED WITH OTHER FORMS OF WORKING OF METAL
- B23H5/00—Combined machining
- B23H5/06—Electrochemical machining combined with mechanical working, e.g. grinding or honing
- B23H5/08—Electrolytic grinding
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/04—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
- B24B37/046—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces using electric current
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/11—Lapping tools
- B24B37/20—Lapping pads for working plane surfaces
- B24B37/22—Lapping pads for working plane surfaces characterised by a multi-layered structure
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Polishing Bodies And Polishing Tools (AREA)
Abstract
【課題】基板にわたる研磨の均一性を、特に、低い圧力、例えば、0.8psi未満、又は0.5psi未満、又は0.3psi未満において改善することができる。その結果、層間剥離を回避するために低圧力研磨を必要とする材料、例えば、低k誘電体材料を、許容均一度で研磨することができる多層研磨パッドを提供する。
【解決手段】研磨パッドは、研磨層と、この研磨層に固定されたバッキング層とを有する。研磨層は、研磨表面と、第1厚みと、第1圧縮性と、約40から80ショアDの硬度とを有する。バッキング層は、第1厚みより大きい第2厚みと、第1圧縮性より大きい第2圧縮性とを有する。第1厚み、第1圧縮性、第2厚み及び第2圧縮性は、研磨表面が、1psi以下の印加圧力のもとで、少なくとも2ミルそれる。
【選択図】図3A
【解決手段】研磨パッドは、研磨層と、この研磨層に固定されたバッキング層とを有する。研磨層は、研磨表面と、第1厚みと、第1圧縮性と、約40から80ショアDの硬度とを有する。バッキング層は、第1厚みより大きい第2厚みと、第1圧縮性より大きい第2圧縮性とを有する。第1厚み、第1圧縮性、第2厚み及び第2圧縮性は、研磨表面が、1psi以下の印加圧力のもとで、少なくとも2ミルそれる。
【選択図】図3A
Description
本出願は、2003年10月3日に出願された米国仮出願第60/508,321号の優先権を主張する。
[背景]
本考案は、化学的機械的研磨中に使用される研磨パッドに関する。
本考案は、化学的機械的研磨中に使用される研磨パッドに関する。
集積回路は、通常、シリコンウェハに導電性、半導電性又は絶縁性の層を順次堆積することにより、基板上に形成される。1つの製造ステップは、平坦でない表面上にフィラー層を堆積し、次いで、その平坦でない表面が露出されるまでフィラー層を平坦化することを含む。例えば、導電性フィラー層を、パターン化された絶縁層上に堆積して、絶縁層のトレンチ又はホールを埋めることができる。次いで、絶縁層の持ち上がったパターンが露出されるまでフィラー層を研磨する。平坦化の後、絶縁層の持ち上がったパターン間に残っている導電層の部分が、基板上の薄膜回路間に導電性経路を与えるビア、プラグ及びラインを形成する。更に、平坦化は、フォトリソグラフィー用に基板表面を平坦化するためにも必要である。
化学的機械的研磨(CMP)は、1つの受け入れられた平坦化方法である。この平坦化方法は、通常、基板をキャリア又は研磨ヘッドに取り付けることを必要とする。基板の露出面が、回転研磨円板又は直進ベルトのような研磨パッドの研磨面に対して配置される。キャリアのヘッドは、制御可能な荷重を基板に与え、基板を研磨パッドに押し付ける。研削粒子を含むことのできる研磨液が研磨パッドの表面に供給され、表面と研磨パッドとの間の相対的な移動で平坦化及び研磨が行なわれる。
従来の研磨パッドは、「標準」パッド及び固定研削パッドを含む。標準パッドは、耐久性粗面をもつポリウレタン研磨層を有し、圧縮性バッキング層を含むこともできる。これに対して、固定研削パッドは、収容媒体に保持された研削粒子を有し、一般的に非圧縮性のバッキング層に支持させることができる。
化学的機械的研磨プロセスの1つの目的は、研磨の均一性である。基板上の異なる領域が異なる割合で研磨された場合、基板のある領域は、材料除去量が多過ぎるか(「過剰研磨」)又は材料除去量が少な過ぎる(「過少研磨」)ことが考えられる。
[概要]
1つの態様において、本考案は、研磨層と、この研磨層に固定されたバッキング層とをもつ研磨パッドに向けられる。研磨層は、研磨表面と、第1厚みと、第1圧縮性と、約40から80ショアDの硬度と、厚み非均一性とを有する。バッキング層は、第1厚みより大きい第2厚みと、第1圧縮性より大きい第2圧縮性とを有する。第1厚み、第1圧縮性、第2厚み及び第2圧縮性は、研磨表面が、1psi以下の印加圧力において、研磨層の厚み非均一性より大きくそれるというものである。
1つの態様において、本考案は、研磨層と、この研磨層に固定されたバッキング層とをもつ研磨パッドに向けられる。研磨層は、研磨表面と、第1厚みと、第1圧縮性と、約40から80ショアDの硬度と、厚み非均一性とを有する。バッキング層は、第1厚みより大きい第2厚みと、第1圧縮性より大きい第2圧縮性とを有する。第1厚み、第1圧縮性、第2厚み及び第2圧縮性は、研磨表面が、1psi以下の印加圧力において、研磨層の厚み非均一性より大きくそれるというものである。
本考案の実施形態は、次の特徴の1つ以上を含むことができる。研磨表面は、0.5psi以下の印加圧力、例えば、0.3psi以下で、例えば、約0.1psiのもとで、少なくとも2ミル、それてもよい。バッキング層の第2圧縮性と第2厚みとの積は、0.8psi以下の圧力において少なくとも2ミルでよい。バッキング層は、硬度が20ショアA以下でよい。バッキング層は、第2厚みが80ミルより大きく、例えば、約90ミルから150ミルでよく、研磨層は、厚みが50ミルより小さく、例えば、40ミル以下、又は25ミル以下でよい。研磨表面には複数の溝が形成されてもよく、研磨層の下面にはくぼみが形成されてもよく、このくぼみと整列してバッキング層にアパーチャーが形成されてもよく、研磨層とバッキング層との間には流体不浸透性の層があってもよく、研磨層とは反対側でバッキング層にメタルシートが固定されてもよく、更に、このメタルシートを露出させるために研磨層及びバッキング層を貫通して複数のホールが形成されてもよい。研磨層は、ポリウレタン、例えば、中空の極微球が埋め込まれた鋳造ポリウレタンを含んでもよい。
別の態様において、本考案は、研磨表面、約40から80ショアDの硬度及び約25ミル以下の厚みを有する研磨層と、この研磨層に固定されたバッキング層とを含む研磨パッドに向けられる。バッキング層は、研磨層より圧縮性が高く、約90から150ミルの厚みを有する。
本考案の実施形態は、次の特徴の1つ以上を含むことができる。バッキング層は、約95ミルの厚み又は約125ミルの厚みを有してもよい。又、バッキング層は、0.5psiにおいて2%以上の圧縮性を有してもよい。
別の態様において、本考案は、研磨表面、約40から80ショアDの硬度、第1圧縮性及び第1厚みを有する研磨層と、この研磨層に固定されたバッキング層とを含む研磨パッドに向けられる。バッキング層は、第1圧縮性より大きな第2圧縮性と、90ミル以上の第2厚みとを有する。バッキング層は、更に、第2厚みと第2圧縮性との積が2ミル以上であると共に、第2厚みと前記厚みとの比が約4.5から8である。
別の態様において、本考案は、基板を研磨パッドの研磨層の研磨表面と接触状態にもっていくステップと、研磨表面に研磨液を供給するステップと、基板と研磨表面との間に相対的移動を生じさせるステップと、基板に圧力を印加して、1psi以下の印加圧力で研磨パッドに基板を押し付けるステップとを備えた化学的機械的研磨方法に向けられる。研磨層は、第1厚み、第1圧縮性、約40から80ショアDの硬度、及び厚み非均一性を有していて、バッキング層に固定され、このバッキング層は、第1厚みより大きな第2厚み、及び第1圧縮性より大きな第2圧縮性を有する。第1厚み、第1圧縮性、第2厚み及び第2圧縮性は、研磨表面が、印加圧力のもとで、研磨層の厚み非均一性より大きくそれるというものである。
本考案の実施形態は、次の特徴の1つ以上を含むことができる。印加圧力は、0.5psi以下で、例えば、0.3psi以下、例えば、約0.1psiでよい。
別の形態において、本考案は、基板を処理パッドのカバー層の表面と接触状態にもっていくステップと、表面に電解液を供給するステップと、基板と表面との間に相対的移動を生じさせるステップと、電解液に露出されたカソードと基板との間にバイアスを印加するステップと、基板に圧力を印加して、1psi以下の印加圧力で処理パッドに基板を押し付けるステップとを備えた電気化学的処理方法に向けられる。カバー層は、第1厚み、第1圧縮性、約40から80ショアDの硬度、及び厚み非均一性を有していて、バッキング層に固定され、このバッキング層は、第1厚みより大きな第2厚み、及び第1圧縮性より大きな第2圧縮性を有する。第1厚み、第1圧縮性、第2厚み及び第2圧縮性は、研磨表面が、印加圧力のもとで、カバー層の厚み非均一性より大きくそれるというものである。
本考案の実施形態は、次の特徴の1つ以上を含むことができる。バイアスを印加するステップは、研磨パッドを通して延びる電気的コンタクトに基板を接触させることを含んでもよい。研磨パッドは、研磨層とは反対側でバッキング層に固定されたメタルシートと、このメタルシートを露出させるために研磨層及びバッキング層を通して形成された複数のホールとを含んでもよく、バイアスを印加するステップは、電気的コンタクトとメタルシートとの間にバイアスを印加することを含んでもよい。印加圧力は、0.5psi以下で、例えば、0.3psi以下、例えば、約0.1psiでよい。
別の態様において、本考案は、パッド支持体と、このパッド支持体に保持された処理パッドと、この処理パッドに基板を接触保持するためのキャリアヘッドと、処理流体の供給源と、パッド支持体及びキャリアヘッドの少なくとも一方に接続されて、処理パッドと基板との間に相対的移動を生じさせるモーターとを備えた基板処理装置に向けられる。処理パッドは、露出表面、第1厚み、第1圧縮性、約40から80ショアDの硬度、及び厚み非均一性をもつカバー層と、このカバー層に固定されたバッキング層とを有する。バッキング層は、第1厚みより大きな第2厚み、及び第1圧縮性より大きな第2圧縮性を有する。第1厚み、第1圧縮性、第2厚み及び第2圧縮性は、露出表面が、1psi以下の印加圧力のもとで、研磨層の厚み非均一性より大きくそれるというものである。
本考案の実施形態は、次の特徴の1つ以上を含むことができる。電極は、基板に接触するように配置されてもよく、カソードは、研磨流体に接触してもよく、更に、電極とカソードとの間に電源が結合されてバイアスを形成してもよい。
別の形態において、本考案は、カバー層と、このカバー層に固定されたバッキング層とをもつ処理パッドに向けられる。カバー層は、外面、第1厚み、第1圧縮性、約40から80ショアDの硬度、及び厚み非均一性を有する。バッキング層は、第1厚みより大きな第2厚み、及び第1圧縮性より大きな第2圧縮性を有する。第1厚み、第1圧縮性、第2厚み及び第2圧縮性は、露出表面が、1psi以下の印加圧力のもとで、カバー層の厚み非均一性より大きくそれるというものである。
別の形態において、本考案は、カバー層と、このカバー層に固定されたバッキング層とをもつ処理パッドに向けられる。カバー層は、外面、第1厚み、第1圧縮性、約40から80ショアDの硬度、及び厚み非均一性を有する。バッキング層は、第1厚みより大きな第2厚み、及び第1圧縮性より大きな第2圧縮性を有する。第1厚み、第1圧縮性、第2厚み及び第2圧縮性は、露出表面が、1psi以下の印加圧力のもとで、実質的に平坦な基板から充分にそれて、外面が基板表面にわたって基板と実質的に均一の接触を保つというものである。
別の形態において、本考案は、カバー層と、このカバー層に固定されたバッキング層とを有する処理パッドに向けられる。カバー層は、外面、第1厚み、第1圧縮性、約40から80ショアDの硬度、及び厚み非均一性を有する。バッキング層は、第1厚みより大きな第2厚み、及び第1圧縮性より大きな第2圧縮性を有する。第1厚み、第1圧縮性、第2厚み及び第2圧縮性は、研磨表面が、1psi以下の印加圧力のもとで、充分にそれて、研磨層の厚み非均一性を実質的に補償するようなものである。
又、上述した種々のいずれの実施形態も、本考案の種々のいずれの態様に適用することもできる。
本考案の潜在的な効果は、次の事柄の1つ以上を含むことができる。基板にわたる研磨の均一性を、特に、低い圧力、例えば、0.8psi未満、又は0.5psi未満、又は0.3psi未満において改善することができる。その結果、層間剥離を回避するために低圧力研磨を必要とする材料、例えば、低k誘電体材料を、許容均一度で研磨することができる。
本考案の1つ以上の実施形態の詳細を添付図面に示して以下に説明する。本考案の他の特徴、目的及び効果は、以下の説明、添付図面及び実用新案登録請求の範囲から明らかとなろう。 種々の図面では、同様の要素が同じ参照記号で示されている。
[詳細な説明]
上述したように、図1Aを参照すれば、従来の研磨パッド60は、耐久性粗面の研磨表面66をもつポリウレタンカバー層64と、このカバー層とほぼ同じ厚みの圧縮性バッキング層62とを有することができる。更に、研磨パッドにわたり、カバー層64の厚みには、例えば、約1−2ミル程度の僅かなばらつきがあってもよい(明瞭化のため、図1Aでは、ばらつきが著しく誇張されている)。
上述したように、図1Aを参照すれば、従来の研磨パッド60は、耐久性粗面の研磨表面66をもつポリウレタンカバー層64と、このカバー層とほぼ同じ厚みの圧縮性バッキング層62とを有することができる。更に、研磨パッドにわたり、カバー層64の厚みには、例えば、約1−2ミル程度の僅かなばらつきがあってもよい(明瞭化のため、図1Aでは、ばらつきが著しく誇張されている)。
例えば、ロデル・インクから商業的に入手できる1つの研磨パッドは、中空の極微球が埋設されたポリウレタンで形成されたカバー層(IC1000)と、ポリウレタン含浸ポリエステルフェルトで形成されたバッキング層(Suba IV)とを有している。カバー層は、厚みが50又は80ミルで、硬度がショアDスケールで52−62であり、一方、バッキング層は、厚みが50ミルで、硬度がショアAスケールで約61である。
不都合なことに、従来の研磨パッドは、低い圧力、例えば、1.0psi未満、及び特に、非常に低い圧力、例えば、0.5psi未満では、受け入れられない研磨均一性を招く。特定の理論に限定されずに、標準的研磨パッドの寸法及び物理的特性は、低い研磨圧力では、バッキング層が充分堅牢に保たれて基板14の下方圧力がカバー層を完全に「平らに広げる」に充分でないというものである。その結果、図1Bに示すように、カバー層64の厚みのばらつきで、カバー層64の厚い部分66のみにおいて基板へ圧力が伝達されることになり、従って、研磨の割合に非均一性を引き起こす。
これらの従来の研磨パッドとは対照的に、本考案の研磨パッドの実施形態は、より薄いカバー層と、より厚く且つより圧縮性の高いバッキング層とを有する。この場合も、特定の理論に限定されずに、カバー層は、厚み減少のためにそり易くなる。同様に、バッキング層の厚み及び圧縮性増加のために、カバー層がそり易くなる。その結果、研磨圧力が非常に低くても、カバー層を平らに広げて、カバー層の厚みのばらつきが研磨均一性に悪影響を及ぼさないようにすることができる。
図2を参照すれば、CMP装置の研磨ステーション10において1つ以上の基板14を研磨することができる。適当な研磨装置の説明は、参考として全開示をここに援用する米国特許第5,738,574号に見ることができる。
研磨ステーション10は、回転可能なプラテン16を備え、その上に、研磨パッド18が配置される。以下に述べるように、研磨パッド18は、柔軟なバッキン層20と、実質的に均一の組成をもつ堅固な耐久性外側層22とをもつ2層研磨パッドである。耐久性のある外側カバー層22は、研磨表面24を与える。又、研磨ステーションは、基板を効果的に研磨するように研磨パッドの表面の状態を維持するためのパッドコンディショナー装置も含むことができる。
研磨ステップの間に、研磨流体30、例えば、スラリーを、スラリー供給ポート又は複合スラリー/洗浄アーム32により研磨パッド18の表面に供給することができる。スラリー30は、研削粒子、pH調整剤又は化学的活性成分を含むことができる。
基板14は、キャリアヘッド34により研磨パッド18に対して保持される。キャリアヘッド34は、カルーセルのような支持構造体から懸架されると共に、キャリアドライブシャフト36によりキャリアヘッド回転モーターに接続されて、キャリアヘッドが軸38の周りで回転できるようにする。
図3Aを参照すれば、研磨パッド18のカバー層22は、研磨プロセスにおいて不活性な比較的耐久性のある堅固な研磨材料、例えば、鋳造ポリウレタンである。例えば、カバー層22は、ショアDスケールで約40から80、例えば、50から65の硬度をもつことができる。カバー層22の研磨表面24は、粗面テクスチャーをもつことができ、例えば、中空の極微球をポリウレタンに埋め込んで、カバー層を鋳造ポリウレタンブロックからスカイビングしたときに、露出面の極微球が破裂して、へこみのある粗面テクスチャーを与えることができる。
カバー層22は、薄いものであり、例えば、50ミル未満で、例えば、40ミル以下、又は25ミル以下、又は20ミル以下、又は15ミル以下である。一般に、カバー層22は、製造できることを条件として、できるだけ薄くされる。しかしながら、コンディショニングプロセスは、カバー層を磨耗させる傾向がある。それ故、有効寿命、例えば、3000回の研磨及びコンディショニングサイクルをもつ研磨パッドとなるように、カバー層の厚みを選択することができる。例えば、カバー層は、5から10ミルの厚みをもつことができる。約5から20ミルの間の厚みが適切であろう。パッドを横切る厚み非均一性は、約1−3ミルであるが、より大きな非均一性も考えられる(これらの非均一性は、パッド製造プロセスにより生じる研磨パッドを横切る厚みの全体的な変化を指すもので、溝、孔又は粗面のような小さなスケール(例えば、100ミル未満)での個別の厚み変動ではない)。
任意であるが、研磨表面24の少なくとも一部分は、スラリーを搬送するために形成された複数の溝26を含むことができる。これらの溝は、同心円、直線、クロスハッチ、螺旋等、ほぼいかなるパターンでもよい。溝26は、カバー層22の厚みの約20−80%、例えば、25%にわたって延びることができる。例えば、厚みが20ミルのカバー層22を有する研磨パッドでは、溝26は、約5ミルの深さD1を有することができる。
バッキング層20は、カバー層22より柔軟性で且つ圧縮性が高い圧縮性材料である。例えば、バッキング層は、ポリウレタン又はボイドを伴うポリシリコンのような閉セル発泡材でよく、圧力のもとでセルがつぶれ、バッキング層が圧縮する。バッキング層20の材料は、基板からの圧力のもとで横方向に変位することが許される。バッキング層20は、ショアAスケールで20以下の硬度、例えば、12以下又は5以下を有することができる。
上述したように、バッキング層20は、カバー層22より圧縮性が高くなければならない。圧縮性は、所与の圧力におけるパーセント厚み変化として測定されてもよい。例えば、約0.5psiの圧力のもとで、バッキング層20は、約3%の圧縮を受けることができる。バッキング層に適した材料は、コネチカット州ロガーのロガーズ・コーポレーションからのPORON 4701−30である(PORONは、ロガーズ・コーポレーションの商標である)。
更に、バッキング層20は、厚みがあり、例えば、90ミル以上である。例えば、バッキング層は、約95から500ミル厚み、例えば、95から200ミル、又は95から150ミル、或いは95から125ミルでよい。特に、バッキング層20は、カバー層22の約2から15倍の厚み、例えば、4.5から8倍の厚みでよい(特に、20ミル厚みのカバー層に対して)。
一般に、バッキング層20の厚みは、バッキング層20の圧縮性と、カバー層22の堅牢性が与えられると、カバー層が、非常に低い圧力、例えば、0.5psi以下の圧力において、カバー層の厚みの非均一性に少なくとも等しい量、例えば、約2ミル、それることを保証するように選択される(図3Aには非均一性は示されていない)。例えば、100ミル厚みのバッキング層は、0.5psiにおいて少なくとも2%の圧縮性をもたねばならず、一方、200ミル厚みのバッキング層は、0.5psiにおいて少なくとも1%の圧縮性をもたねばならない。
更に、バッキング層は、当該運転圧力、例えば、1psi以下において、研磨パッドを研磨パッドの最大圧縮性より低い状態にするに充分なほど圧縮し得るものでなければならない。バッキング層は、10%又は20%より大きな最大圧縮性をもつことができる。一実施形態において、バッキング層は、3から8psiの圧力において25%の圧縮性をもつことができ、その最大圧縮性は、もっと高い。
簡単に述べると、1psi以下の圧力において(及びおそらく、0.8psi以下、又は0.5psi以下、或いは0.3psi以下において)、バッキング層は、圧縮性と厚みの積(C・D)をカバー層の厚みの非均一性より大きくすることができる。例えば、0.8psi以下の圧力では(及びおそらく0.5psi以下では)、バッキング層は、圧縮性と厚みの積(C・D)を2ミル以上(及びおそらく3ミル以上)とすることができる。
静水圧モジュラスKは、印加圧力(P)を容積歪(ΔV/V)で除算したものとして測定されてもよく、即ちK=PV/ΔVとなる。バッキング層が純粋な圧縮を受ける(即ち、材料が印加圧力のもとで横方向に変位しない)と仮定すると、静水圧モジュラスKは、印加圧力を圧縮で除算したもの(ΔD/D)に等しくなる。従って、バッキング層が0.5psiにおいて少なくとも2%の純粋な圧縮を受けると仮定すると、バッキング層は、圧縮性モジュラスKが25以下となる。一方、もっと低い圧力、例えば、0.1psiの圧力を使用すべき場合には、バッキング層20は、圧縮性モジュラスが5以下でなければならない。バッキング層は、0.1から1.0psiの範囲の印加圧力のpsi当たり50psi以下の圧縮性モジュラスKを有してもよい。もちろん、バッキング層の材料が圧縮状態のもとで横方向変位を受ける場合には、容積歪が圧縮よりも若干少なく、従って、静水圧モジュラスが若干高くなることがある。
図3Bを参照すれば、特定の理論に限定されずに、この構成は、0.5psi以下の圧力のような低い圧力、例えば、0.3psi以下、例えば、0.1psiにおいて、基板からの下方の力でカバー層を「平らに広げる」ことができ、従って、研磨層の厚み非均一性を実質的に補償することができる。例えば、図示されたように、カバー層22の厚みのばらつきは、バッキン層20の圧縮により吸収され(明瞭化のために、図3Aでは、ばらつきが大きく誇張されている)、従って、研磨表面は、基板表面にわたって実質的に平らな基板と実質的に均一に接触したままとなる。その結果、研磨パッドにより基板に均一な圧力を印加することができ、これにより、低圧力研磨中に研磨の均一性を改善することができる。その結果、層間剥離を回避するために低圧研磨を必要とする材料、例えば、低kの誘電体材料を、受け入れられる均一度で研磨することができる。
一実施形態において、カバー層22は、例えば、成形プロセスにより、カバー層の上面に溝を予め形成して、製造することができる。成形プロセス、例えば、射出成形又は圧縮成形では、溝の凹所を形成するくぼみを有する型の中でパッド材料が硬化し又は固化する。或いは又、カバー層22は、更に別の従来の技術、例えば、鋳造ブロックからパッド材料の薄いシートをスカイビングすることにより製造できる。次いで、カバー層の上面を加工又はミリングすることにより溝を形成することができる。
バッキング層20及びカバー層22が製造されると、それらは、例えば、感圧接着剤のような薄い接着剤層28で固定される。
図4を参照すれば、別の実施形態において、カバー層22の下面72に1つ以上のくぼみ70を形成して、薄い区分74を設けることができる。これらのくぼみ70は、カバー層22の厚みの20から80%、例えば、50%にわたって延びることができる。例えば、厚みが20ミルのカバー層22を有する研磨パッドでは、くぼみ70は、厚みが約10ミルの薄い区分74を残して、約10ミルの深さをもつことができる。更に、バッキング層20に1つ以上のアパーチャー76を形成して、センサ素子がバッキング層20を経てカバー層22へ部分的に延びることができるようにする。
この実施形態では、カバー層22の薄い区分74にわたって溝26が延びない。従って、研磨パッドの研磨表面24は、溝をもつ部分と、もたない部分とを含み、更に、溝をもたない部分の1つにくぼみが配置される。溝26は、くぼみ70の内面で画成された平面へ又はそれを越えて延びるに充分な深さである。
図5を参照すれば、別の実施形態において、マイラーのような流体不浸透性の耐亀裂材料の薄いシート80がバッキング層20とカバー層22との間に配置される。このシート80は、接着層28によりカバー層22に固定されてもよいし、又はカバー層22をシート80に直接堆積することもできる。シート80は、薄い接着層88によりバッキング層20に固定されてもよい。シート80は、透明材料であり、カバー層22及びバッキング層20の整列された部分82及び84を各々除去して、研磨パッドを通る光学ポートを設けることができる。
或いは又、透明シートを使用せずに研磨パッドにウインドウが形成される。例えば、カバー層22に内実の透明部分を形成することができ、この内実の透明部分に整列されたアパーチャーをバッキング層20に形成することができる。この透明部分は、カバー層22にアパーチャーをカットし、次いで、透明なプラグを接着剤で固定することにより形成できる。或いは又、液体パッド材料に透明材料のインサートを入れ、液体パッド材料を硬化して、その固体化されたパッドのブロックにインサートが一体成形されるようにし、次いで、ブロックからカバー層をスカイビングすることにより、透明部分を形成することができる。
図6を参照すれば、別の実施形態において、薄いメタル層90、例えば、ステンレススチールのような導電性材料、例えば、SST410が、例えば、接着層98でバッキング層22の下面に固定される。メタル層90は、磁性であってもよい。複数の孔94がカバー層22及びバッキング層20の両方を通して延び、メタル層の上面92を露出させる。更に、1つ以上のホール96が、カバー層22、バッキング層20及びメタル層90を通して延びる。
図3から6の種々の研磨パッドは、化学的機械的研磨に加えて、電気化学的処理、例えば、電気化学的機械的研磨(ECMP)又は同様の電気化学的堆積及び研磨に使用されてもよい。
電気化学的機械的研磨においては、銅のような導電性材料が電気化学的分解により基板表面から除去されると同時に、基板表面が研磨される。基板表面は、電解液(研磨流体としても作用する)に入れられ、基板と、電解液に接触するカソードとの間にバイアスが印加される。ECMPは、低い又は非常に低い圧力、例えば、1psi未満、例えば、0.8psi以下、又は0.5psi以下、又は0.3psi以下で実行することもできる。
例えば、図6を参照すれば、メタルシート90は、カソードとして働くように第1電極に接続することができ(ホール94は、メタルシート90への電解液のアクセスを与える)、更に、第2電極は、アパーチャー96を通して基板に接触するように延びることができ、基板がアノードとして働く。
電気化学的堆積においては、バイアス電圧が逆転されて、基板表面がカソードとなり、電解液に接触する電極がアノードとなり、導電性材料が基板に電気的堆積される。基板が低圧力において移動する処理パッドに接触する間にこれが実行される場合には、材料が誘電体層のトレンチに堆積されるのが好ましい。
本考案の多数の実施形態を以上に説明した。しかしながら、本考案の精神及び範囲から逸脱せずに種々の変更がなされ得ることが理解されよう。
例えば、研磨パッド又はキャリアヘッドのいずれか又は両方を移動して、研磨表面と基板との間に相対的移動を生じさせることができる。研磨パッドは、プラテンに固定された円形(又は他の形状の)パッド、供給ローラーと巻き取りローラーとの間に延びるテープ、又は連続ベルトでよい。研磨パッドは、これをプラテンに固定し、研磨作業と研磨作業との間にプラテン上で増分的に前進させるか又は研磨中にプラテン上で連続的に駆動することができる。パッドは、研磨中にプラテンに固定することもできるし、又は研磨中にプラテンと研磨パッドとの間に流体ベアリングを設けることもできる。研磨パッドの下面に接着層を付着してパッドをプラテンに固定し、接着層を除去可能なライナーでカバーすることもできる。更に、垂直配置の用語を使用したが、研磨表面及び基板は、垂直方向に上下反転して保持することもできるし、又は他の何らかの方向に保持することもできる。
従って、他の実施形態も実用新案登録請求の範囲内に包含される。
10・・・研磨ステーション、14・・・基板、16・・・回転可能なプラテン、18・・・研磨パッド、20・・・バッキング層、22・・・カバー層、24・・・研磨表面、26・・・グループ、28・・・接着層、30・・・研磨流体、32・・・スラリー/洗浄アーム、34・・・キャリアヘッド、36・・・キャリアドライブシャフト、70・・・くぼみ、72・・・下面、74・・・薄い区分、76・・・アパーチャー、80・・・薄いシート、82、84・・・整列した部分、88・・・接着層、90・・・メタル層、94・・・孔、96・・・ホール
Claims (25)
- 研磨表面、第1厚み、第1圧縮性、及び約40から80ショアDの硬度を有する研磨層であって、厚み非均一性を有している研磨層と、
上記研磨層に固定されたバッキング層であって、上記第1厚みより大きい第2厚み及び上記第1圧縮性より大きい第2圧縮性を有するバッキング層と、
を備え、上記第1厚み、第1圧縮性、第2厚み及び第2圧縮性は、上記研磨表面が、1psi以下の印加圧力のもとで、上記研磨層の上記厚み非均一性より大きくそれるようなものである研磨パッド。 - 上記研磨表面は、0.5psi以下の印加圧力のもとで少なくとも2ミルそれる、請求項1に記載の研磨パッド。
- 上記研磨表面は、0.3psi以下の印加圧力のもとで少なくとも2ミルそれる、請求項1に記載の研磨パッド。
- 上記研磨表面は、約0.1psiの印加圧力のもとで少なくとも2ミルそれる、請求項1に記載の研磨パッド。
- 上記バッキング層の上記第2圧縮性と第2厚みの積は、0.8psi以下の圧力において少なくとも2ミルである、請求項1に記載の研磨パッド。
- 上記バッキング層は20ショアA以下の硬度を有する、請求項5に記載の研磨パッド。
- 上記バッキング層は約90から150ミルの第2厚みを有する、請求項5に記載の研磨パッド。
- 上記研磨層は50ミル未満の厚みを有する、請求項7に記載の研磨パッド。
- 上記研磨表面に形成された複数の溝を更に備えた、請求項1に記載の研磨パッド。
- 上記研磨層の下面に形成されたくぼみ、及び該くぼみと整列された上記バッキング層のアパーチャーを更に備えた、請求項1に記載の研磨パッド。
- 上記研磨層と上記バッキング層との間に流体不浸透性の層を更に備えた、請求項1に記載の研磨パッド。
- 上記研磨層と反対側で上記バッキング層に固定されたメタルシートを更に備えた、請求項1に記載の研磨パッド。
- 上記メタルシートを露出させるために上記研磨層及び上記バッキング層を通して形成された複数のホールを更に備えた、請求項9に記載の研磨パッド。
- 上記研磨層はポリウレタンを含む、請求項1に記載の研磨パッド。
- 上記研磨層は、中空の極微球が埋め込まれた鋳造ポリウレタンより成る、請求項14に記載の研磨パッド。
- 研磨表面、約40から80ショアDの硬度及び約25ミル以下の厚みを有する研磨層と、
上記研磨層に固定されたバッキング層であって、上記研磨層より圧縮性が高く且つ約90から150ミルの厚みを有するバッキング層と、
を備えた研磨パッド。 - 上記バッキング層は約95ミルの厚みを有する、請求項16に記載の研磨パッド。
- 上記バッキング層は約125ミルの厚みを有する、請求項16に記載の研磨パッド。
- 上記バッキング層は0.5psiにおいて2%以上の圧縮性を有する、請求項16に記載の研磨パッド。
- 研磨表面、約40から80ショアDの硬度、第1圧縮性及び第1厚みを有する研磨層と、
上記研磨層に固定されたバッキング層であって、該バッキング層は、上記第1圧縮性より大きな第2圧縮性、及び90ミル以上の第2厚みを有し、更に、該第2厚みと上記第2圧縮性との積が2ミル以上であると共に、該第2厚みと上記厚みとの比が約4.5から8であるようなバッキング層と、
を備えた研磨パッド。 - パッド支持体と、
上記研磨パッド支持体に保持された処理パッドであって、該処理パッドは、外面、第1厚み、第1圧縮性、約40から80ショアDの硬度、及び厚み非均一性をもつカバー層と、該カバー層に固定されたバッキング層であって、上記第1厚みより大きな第2厚み及び上記第1圧縮性より大きな第2圧縮性を有するバッキング層とを有し、上記第1厚み、第1圧縮性、第2厚み及び第2圧縮性は、上記研磨表面が、1psi以下の印加圧力のもとで、上記カバー層の上記厚み非均一性より大きくそれるようなものである処理パッドと、
上記処理パッドに基板を接触保持するためのキャリアヘッドと、
処理流体の供給源と、
上記パッド支持体及び上記キャリアヘッドの少なくとも一方に接続されて、上記処理パッドと上記基板との間に相対的移動を生じさせるモーターと、
を備えた基板処理装置。 - 上記基板に接触するように配置された電極と、上記処理流体に接触するカソードと、バイアスを形成するために上記電極と上記カソードとの間に結合された電源とを備えた、請求項21に記載の装置。
- 外面、第1厚み、第1圧縮性及び約40から80ショアDの硬度を有するカバー層であって、厚み非均一性を有しているカバー層と、
上記カバー層に固定されたバッキング層であって、上記第1厚みより大きな第2厚み及び上記第1圧縮性より大きな第2圧縮性を有するバッキング層と、
を備え、上記第1厚み、第1圧縮性、第2厚み及び第2圧縮性は、露出表面が、1psi以下の印加圧力のもとで、上記カバー層の厚み非均一性より大きくそれるというものである処理パッド。 - 外面、第1厚み、第1圧縮性及び約40から80ショアDの硬度を有するカバー層であって、厚み非均一性を有しているカバー層と、
上記カバー層に固定されたバッキング層であって、上記第1厚みより大きな第2厚み及び上記第1圧縮性より大きな第2圧縮性を有するバッキング層と、
を備え、上記第1厚み、第1圧縮性、第2厚み及び第2圧縮性は、上記外面が、1psi以下の印加圧力のもとで、実質的に平坦な基板から充分にそれて、上記外面が基板表面にわたって上記基板と実質的に均一の接触を保つというものである処理パッド。 - 外面、第1厚み、第1圧縮性及び約40から80ショアDの硬度を有するカバー層であって、厚み非均一性を有しているカバー層と、
上記カバー層に固定されたバッキング層であって、上記第1厚みより大きな第2厚み及び上記第1圧縮性より大きな第2圧縮性を有するバッキング層と、
を備え、上記第1厚み、第1圧縮性、第2厚み及び第2圧縮性は、上記外面が、1psi以下の印加圧力のもとで、充分にそれて、上記研磨層の厚み非均一性を実質的に補償するようなものである処理パッド。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US50832103P | 2003-10-03 | 2003-10-03 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004291819 Continuation | 2004-10-04 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP3110199U true JP3110199U (ja) | 2005-06-16 |
Family
ID=36646634
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004006943U Expired - Fee Related JP3110199U (ja) | 2003-10-03 | 2004-11-26 | 多層研磨パッド |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7654885B2 (ja) |
JP (1) | JP3110199U (ja) |
CN (1) | CN2936578Y (ja) |
TW (1) | TWM269996U (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011507720A (ja) * | 2007-12-31 | 2011-03-10 | イノパッド,インコーポレイテッド | 化学的機械的平坦化パッド |
JP2017148920A (ja) * | 2016-02-26 | 2017-08-31 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨方法 |
Families Citing this family (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8066552B2 (en) * | 2003-10-03 | 2011-11-29 | Applied Materials, Inc. | Multi-layer polishing pad for low-pressure polishing |
US20060163083A1 (en) * | 2005-01-21 | 2006-07-27 | International Business Machines Corporation | Method and composition for electro-chemical-mechanical polishing |
EP1710045B1 (en) * | 2005-04-08 | 2008-12-17 | Ohara Inc. | A substrate and a method for polishing a substrate |
US20070197132A1 (en) * | 2006-02-15 | 2007-08-23 | Applied Materials, Inc. | Dechuck using subpad with recess |
US8562389B2 (en) * | 2007-06-08 | 2013-10-22 | Applied Materials, Inc. | Thin polishing pad with window and molding process |
US8083570B2 (en) * | 2008-10-17 | 2011-12-27 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Chemical mechanical polishing pad having sealed window |
TWI510328B (zh) * | 2010-05-03 | 2015-12-01 | Iv Technologies Co Ltd | 基底層、包括此基底層的研磨墊及研磨方法 |
US20110287698A1 (en) * | 2010-05-18 | 2011-11-24 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | System, method and apparatus for elastomer pad for fabricating magnetic recording disks |
US20120302148A1 (en) * | 2011-05-23 | 2012-11-29 | Rajeev Bajaj | Polishing pad with homogeneous body having discrete protrusions thereon |
US9067297B2 (en) | 2011-11-29 | 2015-06-30 | Nexplanar Corporation | Polishing pad with foundation layer and polishing surface layer |
CN102554768B (zh) * | 2012-02-10 | 2018-02-09 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 识别化学机械研磨设备的研磨性能的方法 |
KR101933015B1 (ko) * | 2012-04-19 | 2018-12-27 | 삼성전자주식회사 | 반도체 장치의 패드 구조물, 그의 제조 방법 및 패드 구조물을 포함하는 반도체 패키지 |
JP5789634B2 (ja) * | 2012-05-14 | 2015-10-07 | 株式会社荏原製作所 | ワークピースを研磨するための研磨パッド並びに化学機械研磨装置、および該化学機械研磨装置を用いてワークピースを研磨する方法 |
JP6273281B2 (ja) * | 2012-08-24 | 2018-01-31 | エコラブ ユーエスエイ インク | サファイア表面を研磨する方法 |
JP2014124718A (ja) * | 2012-12-26 | 2014-07-07 | Toyo Tire & Rubber Co Ltd | 積層研磨パッドの製造方法 |
TWI556910B (zh) * | 2013-10-01 | 2016-11-11 | 三芳化學工業股份有限公司 | 複合硏磨墊及其製造方法 |
US9463550B2 (en) * | 2014-02-19 | 2016-10-11 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Method of manufacturing chemical mechanical polishing layers |
TW201716182A (zh) * | 2015-11-03 | 2017-05-16 | 力晶科技股份有限公司 30078 新竹科學工業園區力行一路12號 | 研磨裝置與研磨方法 |
US10213894B2 (en) | 2016-02-26 | 2019-02-26 | Applied Materials, Inc. | Method of placing window in thin polishing pad |
KR102026250B1 (ko) * | 2018-02-05 | 2019-09-27 | 에스케이실트론 주식회사 | 웨이퍼 연마 장치용 연마 패드 및 그의 제조방법 |
WO2020227498A1 (en) * | 2019-05-07 | 2020-11-12 | Cabot Microelectronics Corporation | Chemical mechanical planarization pads via vat-based production |
Family Cites Families (58)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US647332A (en) * | 1899-06-21 | 1900-04-10 | Harry Thompson Shearer | Lathe attachment. |
US3504457A (en) | 1966-07-05 | 1970-04-07 | Geoscience Instr Corp | Polishing apparatus |
US3499250A (en) | 1967-04-07 | 1970-03-10 | Geoscience Instr Corp | Polishing apparatus |
US4512113A (en) | 1982-09-23 | 1985-04-23 | Budinger William D | Workpiece holder for polishing operation |
US4879258A (en) | 1988-08-31 | 1989-11-07 | Texas Instruments Incorporated | Integrated circuit planarization by mechanical polishing |
US5177908A (en) | 1990-01-22 | 1993-01-12 | Micron Technology, Inc. | Polishing pad |
US5257478A (en) | 1990-03-22 | 1993-11-02 | Rodel, Inc. | Apparatus for interlayer planarization of semiconductor material |
WO1995006544A1 (en) | 1993-09-01 | 1995-03-09 | Speedfam Corporation | Backing pad for machining operations |
US5433651A (en) | 1993-12-22 | 1995-07-18 | International Business Machines Corporation | In-situ endpoint detection and process monitoring method and apparatus for chemical-mechanical polishing |
US5489233A (en) | 1994-04-08 | 1996-02-06 | Rodel, Inc. | Polishing pads and methods for their use |
US5893796A (en) | 1995-03-28 | 1999-04-13 | Applied Materials, Inc. | Forming a transparent window in a polishing pad for a chemical mechanical polishing apparatus |
US6135856A (en) * | 1996-01-19 | 2000-10-24 | Micron Technology, Inc. | Apparatus and method for semiconductor planarization |
US6328642B1 (en) | 1997-02-14 | 2001-12-11 | Lam Research Corporation | Integrated pad and belt for chemical mechanical polishing |
US5921855A (en) | 1997-05-15 | 1999-07-13 | Applied Materials, Inc. | Polishing pad having a grooved pattern for use in a chemical mechanical polishing system |
US6146248A (en) | 1997-05-28 | 2000-11-14 | Lam Research Corporation | Method and apparatus for in-situ end-point detection and optimization of a chemical-mechanical polishing process using a linear polisher |
JPH11277408A (ja) * | 1998-01-29 | 1999-10-12 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 半導体ウエーハの鏡面研磨用研磨布、鏡面研磨方法ならびに鏡面研磨装置 |
US6068539A (en) | 1998-03-10 | 2000-05-30 | Lam Research Corporation | Wafer polishing device with movable window |
US6210257B1 (en) | 1998-05-29 | 2001-04-03 | Micron Technology, Inc. | Web-format polishing pads and methods for manufacturing and using web-format polishing pads in mechanical and chemical-mechanical planarization of microelectronic substrates |
KR100574311B1 (ko) * | 1998-08-28 | 2006-04-27 | 도레이 가부시끼가이샤 | 연마 패드 |
US6206759B1 (en) * | 1998-11-30 | 2001-03-27 | Micron Technology, Inc. | Polishing pads and planarizing machines for mechanical or chemical-mechanical planarization of microelectronic-device substrate assemblies, and methods for making and using such pads and machines |
US6354915B1 (en) | 1999-01-21 | 2002-03-12 | Rodel Holdings Inc. | Polishing pads and methods relating thereto |
US6217426B1 (en) | 1999-04-06 | 2001-04-17 | Applied Materials, Inc. | CMP polishing pad |
US6406591B1 (en) | 1999-07-30 | 2002-06-18 | Pitney Bowes Inc. | Mailing machine including a stripper blade having a raise edge |
US6464576B1 (en) | 1999-08-31 | 2002-10-15 | Rodel Holdings Inc. | Stacked polishing pad having sealed edge |
US6406363B1 (en) | 1999-08-31 | 2002-06-18 | Lam Research Corporation | Unsupported chemical mechanical polishing belt |
US6524164B1 (en) | 1999-09-14 | 2003-02-25 | Applied Materials, Inc. | Polishing pad with transparent window having reduced window leakage for a chemical mechanical polishing apparatus |
JP2003510826A (ja) | 1999-09-29 | 2003-03-18 | ロデール ホールディングス インコーポレイテッド | 研磨パッド |
US6551179B1 (en) | 1999-11-05 | 2003-04-22 | Strasbaugh | Hard polishing pad for chemical mechanical planarization |
US6638143B2 (en) * | 1999-12-22 | 2003-10-28 | Applied Materials, Inc. | Ion exchange materials for chemical mechanical polishing |
WO2001045900A1 (en) | 1999-12-23 | 2001-06-28 | Rodel Holdings, Inc. | Self-leveling pads and methods relating thereto |
US6979248B2 (en) | 2002-05-07 | 2005-12-27 | Applied Materials, Inc. | Conductive polishing article for electrochemical mechanical polishing |
US6884153B2 (en) | 2000-02-17 | 2005-04-26 | Applied Materials, Inc. | Apparatus for electrochemical processing |
US20030213703A1 (en) | 2002-05-16 | 2003-11-20 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for substrate polishing |
US20040020789A1 (en) | 2000-02-17 | 2004-02-05 | Applied Materials, Inc. | Conductive polishing article for electrochemical mechanical polishing |
US6537144B1 (en) | 2000-02-17 | 2003-03-25 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for enhanced CMP using metals having reductive properties |
US7066800B2 (en) | 2000-02-17 | 2006-06-27 | Applied Materials Inc. | Conductive polishing article for electrochemical mechanical polishing |
US7077721B2 (en) | 2000-02-17 | 2006-07-18 | Applied Materials, Inc. | Pad assembly for electrochemical mechanical processing |
US7059948B2 (en) | 2000-12-22 | 2006-06-13 | Applied Materials | Articles for polishing semiconductor substrates |
US6991528B2 (en) | 2000-02-17 | 2006-01-31 | Applied Materials, Inc. | Conductive polishing article for electrochemical mechanical polishing |
US6402591B1 (en) | 2000-03-31 | 2002-06-11 | Lam Research Corporation | Planarization system for chemical-mechanical polishing |
US6390891B1 (en) | 2000-04-26 | 2002-05-21 | Speedfam-Ipec Corporation | Method and apparatus for improved stability chemical mechanical polishing |
US7112121B2 (en) * | 2000-08-30 | 2006-09-26 | Micron Technology, Inc. | Methods and apparatus for electrical, mechanical and/or chemical removal of conductive material from a microelectronic substrate |
US6475332B1 (en) | 2000-10-05 | 2002-11-05 | Lam Research Corporation | Interlocking chemical mechanical polishing system |
CN100379522C (zh) * | 2000-12-01 | 2008-04-09 | 东洋橡膠工业株式会社 | 研磨垫及其制造方法和研磨垫用缓冲层 |
US6561889B1 (en) | 2000-12-27 | 2003-05-13 | Lam Research Corporation | Methods for making reinforced wafer polishing pads and apparatuses implementing the same |
US6572463B1 (en) | 2000-12-27 | 2003-06-03 | Lam Research Corp. | Methods for making reinforced wafer polishing pads utilizing direct casting and apparatuses implementing the same |
US6612917B2 (en) * | 2001-02-07 | 2003-09-02 | 3M Innovative Properties Company | Abrasive article suitable for modifying a semiconductor wafer |
US6632129B2 (en) * | 2001-02-15 | 2003-10-14 | 3M Innovative Properties Company | Fixed abrasive article for use in modifying a semiconductor wafer |
US6517426B2 (en) | 2001-04-05 | 2003-02-11 | Lam Research Corporation | Composite polishing pad for chemical-mechanical polishing |
KR100858392B1 (ko) * | 2001-04-25 | 2008-09-11 | 제이에스알 가부시끼가이샤 | 반도체 웨이퍼용 연마 패드와, 이를 구비한 반도체웨이퍼용 연마 적층체와, 반도체 웨이퍼의 연마 방법 |
US6887136B2 (en) | 2001-05-09 | 2005-05-03 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and methods for multi-step chemical mechanical polishing |
US6790768B2 (en) * | 2001-07-11 | 2004-09-14 | Applied Materials Inc. | Methods and apparatus for polishing substrates comprising conductive and dielectric materials with reduced topographical defects |
JP2003100682A (ja) * | 2001-09-25 | 2003-04-04 | Jsr Corp | 半導体ウエハ用研磨パッド |
US6913517B2 (en) | 2002-05-23 | 2005-07-05 | Cabot Microelectronics Corporation | Microporous polishing pads |
WO2004028745A1 (en) * | 2002-09-25 | 2004-04-08 | Ppg Industries Ohio, Inc. | Polishing pad for planarization |
TW592894B (en) * | 2002-11-19 | 2004-06-21 | Iv Technologies Co Ltd | Method of fabricating a polishing pad |
US6960120B2 (en) * | 2003-02-10 | 2005-11-01 | Cabot Microelectronics Corporation | CMP pad with composite transparent window |
US6884156B2 (en) * | 2003-06-17 | 2005-04-26 | Cabot Microelectronics Corporation | Multi-layer polishing pad material for CMP |
-
2004
- 2004-10-01 US US10/956,617 patent/US7654885B2/en active Active
- 2004-10-04 TW TW093215703U patent/TWM269996U/zh not_active IP Right Cessation
- 2004-10-08 CN CNU2004200137114U patent/CN2936578Y/zh not_active Expired - Fee Related
- 2004-11-26 JP JP2004006943U patent/JP3110199U/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011507720A (ja) * | 2007-12-31 | 2011-03-10 | イノパッド,インコーポレイテッド | 化学的機械的平坦化パッド |
JP2017148920A (ja) * | 2016-02-26 | 2017-08-31 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN2936578Y (zh) | 2007-08-22 |
US20050098446A1 (en) | 2005-05-12 |
US7654885B2 (en) | 2010-02-02 |
TWM269996U (en) | 2005-07-11 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3110199U (ja) | 多層研磨パッド | |
US8066552B2 (en) | Multi-layer polishing pad for low-pressure polishing | |
US8133096B2 (en) | Multi-phase polishing pad | |
US6361413B1 (en) | Apparatus and methods for conditioning polishing pads in mechanical and/or chemical-mechanical planarization of microelectronic device substrate assemblies | |
US6960521B2 (en) | Method and apparatus for polishing metal and dielectric substrates | |
KR101276715B1 (ko) | 폴리싱방법, 폴리싱장치, 및 폴리싱장치를 제어하기 위한 프로그램을 기록한 컴퓨터로 읽을 수 있는 기록매체 | |
US7520968B2 (en) | Conductive pad design modification for better wafer-pad contact | |
US7276743B2 (en) | Retaining ring with conductive portion | |
JP2005533667A (ja) | 終了点検出のための研磨パッド及び関連方法 | |
WO2006040864A1 (ja) | 研磨パッド | |
KR19980042007A (ko) | 반도체장치의 연마장치 및 연마방법 | |
JP2004134734A (ja) | 基板を研磨する方法および装置 | |
JPH11156701A (ja) | 研磨パッド | |
JP4750250B2 (ja) | 変更された可撓膜を有するキャリアヘッド | |
US6218306B1 (en) | Method of chemical mechanical polishing a metal layer | |
US6613200B2 (en) | Electro-chemical plating with reduced thickness and integration with chemical mechanical polisher into a single platform | |
US6420265B1 (en) | Method for polishing semiconductor device | |
JP2003053657A (ja) | 研磨面構成部材及び該研磨面構成部材を用いた研磨装置 | |
JP3019849B1 (ja) | 化学的機械的研磨装置 | |
JP2003158104A (ja) | 研磨装置 | |
KR20080075019A (ko) | 표면 거칠기의 연마 패드 | |
KR20050024100A (ko) | 화학적ㆍ기계적 연마장치 | |
JP2000233360A5 (ja) |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090427 Year of fee payment: 4 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |