CN2936578Y - 一种处理垫及含有该处理垫的基材处理设备 - Google Patents

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张守松
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Abstract

一种处理垫，其具有一覆盖层及一固定至该覆盖层的背衬层。该覆盖层具有一外表面、一第一厚度、一第一压缩度以及一介约40至80箫式硬度D间的硬度。该背衬层具有一大于该第一厚度的第二厚度以及一大于该第一压缩度的第二压缩度。该第一厚度、第一压缩度、第二厚度以及第二压缩度可使该外表面在所施压力为1psi或更低时偏离至少2密尔。

Description

一种处理垫及含有该处理垫的基材处理设备
技术领域
本实用新型是关于用于化学机械研磨的处理垫及含有该处理垫的基材处理设备。
背景技术
集成电路一般是通过将导电层、半导体层或绝缘层连续沉积于一硅晶圆上的方式形成于一基材上。一种制造步骤包括沉积一填料层在一非平面表面上，并平坦化该填料层直至暴露出该非平面表面为止。例如，一导电填料层可沉积在一经图案化的绝缘层，以填充该绝缘层中的该沟槽或孔洞。该填料层继而会被研磨，直至暴露出该绝缘层凸起的图案为止。在平坦化之后，续存在该绝缘层的该凸起图案间的该导电层部分会形成可提供该基材上薄膜电路间的导电路径的介电窗、插塞及连接线。此外，该基材表面亦需平坦化以进行微影。
化学机械研磨(CMP)是一种可接受的平坦化方法。此平坦化方法一般需要将该基材安装在一承载头或研磨头上。该基材所暴露的表面则置放抵靠在诸如旋转研磨盘或线性前进带之类的处理垫的外表面。该承载头可在该基材上提供一可控制的负载，以将它按抵靠处理垫。研磨液(包括研磨粒子)供应至该处理垫表面，而该基材及处理垫间的相对移动会造成平坦化及研磨作用。
现有处理垫包括「标准」处理垫以及固定式处理垫。标准处理垫有一含耐久粗糙表面的聚氨酯覆盖层，且亦可包括一可压式背衬层。反之，固定式处理垫具有承含在一环绕媒介物的研磨粒子，并由一通常为非可压式背衬层所支撑。
化学机械研磨制程的一目的在于均匀性研磨。若基材上不同区域以不同速率研磨时，则对该基材某些区域而言，会有材料过度移除(即过度研磨)或材料过少移除(即研磨不足)的可能。
发明内容
在一态样中，本实用新型是关于具有一覆盖层及一固定于该覆盖层的背衬层的处理垫。该覆盖层具有一外表面、一第一厚度、一第一压缩度、一介约40至80萧式硬度D的硬度以及一不均匀厚度。该背衬层具有一大于该第一厚度的第二厚度，以及一大于该第一压缩度的第二压缩度。该第一厚度、第一压缩度、第二厚度及第二压缩度可使该外表面在施压于1psi或更少时，能较该覆盖层的非均匀厚度(thickness non-uniformity)偏移更多。
实施本实用新型可能包括下列一种或多种特征。该外表面在施压于0.5psi或更少时(例如0.3psi或更少(如约0.1psi))偏移至少2密尔(mil)。在施压于0.8psi或更少时背衬层的第二压缩度及第二厚度可偏移至少2密尔。该背衬层可具有萧式硬度A为20或更低的硬度。背衬层可具有一大于80密尔的第二厚度，例如介约90及150密尔，且覆盖层可具有一小于50密尔的厚度，例如40密尔或更小、或25密尔或更小。数个沟槽可形成于该外表面中，一凹槽可形成于覆盖层的底部表面中，一孔径可形成于与凹槽对准的背衬层中，一不透流体层可设于覆盖层及背衬层之间，一金属薄片可固定至背衬层与覆盖层相对的一侧，且数个孔洞可穿通覆盖层及背衬层以将金属薄片暴露出。覆盖层可包括聚氨酯，例如用以嵌埋中空微球体的浇注型聚氨酯。
在另一态样中，本实用新型是关于一种具有覆盖层的处理垫，其中该覆盖层具有一外表面、一介约40至80萧式硬度D的硬度以及一约25密尔或更小的厚度，且具有一背衬层固定于覆盖层。背衬层的压缩度大于覆盖层的压缩度且其厚度介约90至150密尔。
实施本实用新型也可包括下列一或多种特征。该背衬层可具有约95密尔或约125密尔的厚度。背衬层在施压0.5psi时也可具有2％的压缩度。
在另一态样中，本实用新型是关于一具有覆盖层的处理垫，该覆盖层包括一外表面、一介约40至80萧式硬度D的硬度、一第一压缩度及一第一厚度，且具有一固定于该覆盖层的背衬层。该背衬层具有一大于第一压缩度的第二压缩度以及一90密尔或更大的厚度。该背衬层的第二厚度及第二压缩度为2密尔或更大，且第二厚度对该厚度的比值介约4.5及8之间。
在另一态样中，本实用新型是关于一种化学机械研磨方法，其包括将一基材与一处理垫的覆盖层的外表面接触，并供应一研磨液至外表面，在基材及外表面间形成相对移动，并施一压力(1psi或更低)予该基材以将基材压按抵靠处理垫。该覆盖层具有一第一厚度、一第一压缩度、一介约40至80萧式硬度D的硬度以及一非均匀厚度，且该覆盖层固定于该背衬层，其中该背衬层具有一大于该第一厚度的第二厚度以及一大于该第一压缩度的第二压缩度。该第一厚度、第一压缩度、第二厚度及第二压缩度在所施压力下，可使该外表面偏移较该覆盖层的一非均匀厚度为大。
实施本实用新型也可包括下列一或多个特征。所施压例可为0.5psi或更小，例如0.3psi或更小，如约0.1psi。
在另一态样中，本实用新型是关于电化学处理的方法，其包括将一基材与一处理垫的一覆盖层的一表面相接触，并供应一电解液至该表面，于该基材及该表面之间形成相对移动，并于一暴露于该电解液中的阴极及该基材间施予一偏压，以及施一压力(1psi或更小)予该基材以将之按压靠抵该处理垫。该覆盖层具有一第一厚度、一第一压缩度、一介约40至80萧式硬度D的硬度以及一非均匀厚度，且该覆盖层系固定于一背衬层，该背衬层具有一大于该第一厚度的第二厚度以及一大于该第一压缩度的第二压缩度。该第一厚度、第一压缩度、第二厚度以及第二压缩度于该压力下可使该外表面偏移较该覆盖层的非均匀厚度为大。
实施本实用新型可包括下列一或多个特征。其中施加该偏压可包括以一电接触窗(延伸通过该处理垫)接触该基材。该处理垫可包括一金属薄片，其固定于该背衬层与该覆盖层相对的一侧，其并包括数个孔洞穿通该覆盖层及该背衬层以将该金属薄片暴露出。且施加该偏压可包括施加一偏压于该电性接触窗与该金属薄片之间。所施加的压力可为0.5psi或更小，例如0.3psi或更小，例如约0.1psi。
于另一态样中，本实用新型是关于一种基材处理设备，其具有一垫支撑部、一由该垫支撑部承载的处理垫、一用于装载一基材以接触该处理垫的承载头、一制程流体的供应器以及一马达，其中该马达连接该垫支撑部及该承载头的至少一者以于该处理垫及该基材间形成相对移动。该处理垫有一覆盖层，其具有一暴露表面、一第一厚度、一第一压缩度、一介约40至80萧式硬度D的硬度以及一非均匀厚度，且一背衬层系固定至该覆盖层。该背衬层具有一大于该第一厚度的第二厚度以及一大于该第一压缩度的第二压缩度。该第一厚度、第一压缩度、第二厚度及第二压缩度于压力1psi或更小时，可使该暴露表面偏移较该覆盖层的该非均匀厚度为大。
实施本实用新型可包括下列一或多个特征。一电极可放置以接触该表面，一阴极可接触该研磨液，且一电源供应器可耦接于该电极及该阴极间以形成一偏压。
在另一态样中，本实用新型是关于一处理垫，其具有一覆盖层及一固定至该覆盖层的背衬层。该覆盖层具有一外表面、一第一厚度、一第一压缩度、一介约40至80萧式硬度D的硬度以及一非均匀厚度。该背衬层具有一大于该第一厚度的第二厚度以及一大于该第一压缩度的第二压缩度。该第一厚度、第一压缩度、第二厚度、第二压缩度可使该暴露表面在压力为1psi或更小时与一实质平坦表面有足够偏移，并使该外表面与该基材在基材表面保持均匀接触。
在另一态样中，本实用新型是关于一种处理垫，其具有一覆盖层及一固定至该覆盖层的背衬层。该覆盖层具有一外表面、一第一厚度、一第一压缩度、一介约40至80萧式硬度D的硬度以及一非均匀厚度。该背衬层具有一大于该第一厚度的第二厚度以及一大于该第一压缩度的第二压缩度。该第一厚度、第一压缩度、第二厚度、第二压缩度可使该外表面在压力为1psi或更小时有足够偏移，以实质补偿该覆盖层的非均匀厚度。
前述所讨论的任一不同实施方式亦适用于本实用新型任一不同态样。
本实用新型的潜在优势可包括下列特征的一或多种。遍布该基材的研磨均匀度可特别实施于一低压下，例如低于0.8psi，或甚至低于0.5psi或0.3psi。因此，材料一般系要求于低压下研磨以避免脱层发生，例如低k值介电材料可以适当均匀度进行研磨。
本实用新型的一或多个实施例的细节揭示于下文的附图及实施方式中。
附图说明
图1A是说明一现有处理垫的概要截面侧视图。
图1B是说明一基材与图1A的处理垫相接触的概要截面侧视图。
图2是说明一化学机械研磨站的部分概要侧视截面图。
图3A是说明图2的处理垫的一概要侧视图。
图3B是说明一基材与图3A的处理垫相接触的概要截面侧视图。
图4是说明该处理垫的另一实施方式的概要截面侧视图。
图5是说明该处理垫的另一实施方式的概要截面侧视图。
图6是说明该处理垫的另一实施方式的概要侧面侧视图。
图中符号说明
10研磨站           14基材
16旋转平台         18处理垫
20背衬层           22覆盖层
24外表面           26沟槽
28黏结层           30研磨液
32研磨浆/施洗臂    34承载头
36承载驱动轴       38轴
60习知处理垫       62可压缩式背衬层
64聚氨酯覆盖层     66粗糙表面
70凹槽             72底表面
74薄区段           80薄片
82、84对齐部分     88黏结层
90薄金属层         92上表面
94穿孔             96孔洞
98黏结层
具体实施方式
请参照图1A，其如前文所述的一现有处理垫60，其具有一含耐久粗糙表面66的聚氨酯覆盖层64，以及一厚度与该覆盖层相同的可压缩式背衬层62。此外，该覆盖层64在厚度上可有些微变化，例如遍布在该处理垫(为便于了解，图1A中的变化都有些夸饰)上的变化次序约为1-2密尔。
举例来说，由Rodel公司所上市的一处理垫具有一覆盖层，其由嵌埋有中空微球体(IC1000)的聚氨酯以及一由浸埋的聚酯毡制品(Suba IV)形成的背衬层所形成的。该覆盖层厚度微50或80密尔，并具有萧式硬度D为52至62的硬度，其中该背衬层厚度为50密尔，且其萧式硬度A约为61的硬度。
然而不幸的是，现有的处理垫在低压力下(例如约1.0psi，也特别是非常低的压力，如低于0.5psi)的研磨均匀度并不佳。在不受限于任何特别理论下，该标准处理垫的大小及物理特性可使该背衬层在低研磨压力下仍维持足够的刚性，使得该基材的向下压力不足以将该覆盖层完全整平(flatten out)。因此如图1B所示，该覆盖层64的厚度变化会使压力仅在该覆盖层64的较厚部分66传递至基材，因此导致在该研磨速率下的不均匀性。
与现有处理垫不同的是，本实用新型处理垫实施时具有一较薄覆盖层以及一较厚且更具压缩性的背衬层。同样的，当不受限于任何特别理论下，该覆盖层所减少的厚度会使其更易于偏移。同样的，该背衬层所增加的厚度及压缩性可使该覆盖层更易于偏移。因此，即使在非常低的研磨压力下该覆盖层也可被整平，以使该覆盖层的厚度变化不会对研磨均匀性造成不利的影响。
现参照图2，一或多个基材14可放置于一CMP设备中的一研磨站10。一合适的研磨设备的描述可参照美国专利案第5,738,574号，其全文合并于此以供参考。
该研磨站10包括一旋转平台16，一处理垫18置放于其上。如前文所述，该处理垫18是一两层的处理垫，其一层为一软背衬层20，另一层为一具有一均匀组成物的硬粗糙外层22。该粗糙外覆盖层22具有一外表面24。该研磨站亦可包括一垫调整设备，用以维持该处理垫的表面状况以使其能有效研磨基材。
在研磨步骤期间，一研磨液30(例如一研磨浆)可藉一研磨浆供应器或结合的研磨浆/施洗臂32供应至处理垫18的表面。研磨浆30可含有研磨粒子、一pH调整剂或化学活性成分。
该基材14通过一承载头34而被承载靠抵该处理垫18。该承载头34由一支撑结构所悬置，例如一旋转器，且其通过一承载驱动轴36连接至一承载头旋转马达，以使该承载头可绕该轴38旋转。
现参照图3A，该处理垫18的覆盖层22为一相当粗糙且具刚性(rigidity)的研磨材料，并不易受研磨制程(例如浇注型聚氨酯)所影响。例如，该覆盖层22可具有约为40至80(如50至60)萧式硬度D的硬度。该覆盖层22的该外表面24可具有粗糙表面纹理，例如，可被嵌埋于聚氨酯中的中空微球体，以于该覆盖层由一浇注型聚氨酯块削离时，位于该暴露表面的该微球体可破裂而提供凹坑态且粗糙状的表面纹理。
该覆盖层22是一相当薄，例如小于50密尔，诸如40密尔或更小、或25密尔或更小、或20密尔或更小、或15密尔或更小。一般而言，该覆盖层22是尽可能的薄以使之能进行加工。然而，该调整制程倾向能磨损该覆盖层。因此，该覆盖层的厚度可作选择(例如3000研磨及调整循环)以使该处理垫能具有较佳的使用寿命。举例来说，该覆盖层厚度为5至10密尔，然而，厚度介约5至20密尔亦适用。遍及该垫的非均匀厚度约为1至3密尔，尽管仍有可能出现较大的非均匀性(此非均匀性是指因垫制造制程所导致遍及该处理垫的所有厚度变化，而非小规模(例如小于100密尔)的不连续厚度变化，例如沟槽、穿孔或表面粗糙度)。
亦可选择的是，该外表面24的至少一部份可包括数个沟槽26形成其中以承纳研磨浆。该沟槽可为任何形式，例如中心环形、直线形、交叉形、螺旋形以及类似者。该沟槽26可延伸过该覆盖层22的厚度约20-80％(例如25％)。举例来说，在一具有一覆盖层22(厚度为20密尔)的处理垫中，该沟槽26的深度D1约为5密尔。
该背衬层20是一可压缩材料，其较该覆盖层22为软且更具压缩性。例如，该背衬层可为一封闭气室式泡绵(closed-cell foam)，如具有空孔的聚氨酯或多晶硅，以使该槽在压力下可塌陷并使背衬层能压缩。该背衬层20材料在压力下应能由该基材横向位移开。该背衬层20可具有萧式硬度A为20或更小的硬度，例如12或更小、或5或更小。
如前文所述，该背衬层20应较该覆盖层22更具压缩性。压缩性于一既定压力下可量测为厚度的百分比变化。例如，在约0.5psi的压力下，该背衬层20可承受约3％的压缩。适合作为背衬层的材料是由美国康乃迪克州Rogers市Rogers股份有限公司所贩售的PORON 4701-30(PORON系Rogers股份有限公司的商标)。
此外，该背衬层20较厚，例如90密尔或更厚。举例来说，该背衬层厚度可约为95至500密尔，例如95至200密尔，或95至150密尔，或95至125密尔。更明确而言，该背衬层20可约为该覆盖层22的厚度的2至15倍，例如约4.5至8倍厚(尤其对20密尔厚的覆盖层而言)。
一般而言，该背衬层20的厚度是经选择以确保该背衬层20的压缩性以及该覆盖层22的刚性，该覆盖层可在非常小的压力下(例如0.5psi或更小)偏移，其量至少等于该覆盖层厚度中的任何非均匀度，例如约2密尔(该非均匀度并未显示于图3A中)。举例来说，100密尔厚的背衬层在压力为0.5psi时的压缩度为至少2％，而200密尔厚的背衬层在压力为0.5psi时的压缩度应为至少1％。
此外，该背衬层应具有足够压缩性以在合适的操作压力时(例如于1psi或更低)，该处理垫可较该处理垫的最大压缩度为低。该背衬层可具有一大于10％或大于20％的最大压缩度。于一实施例中，该背衬层于压力为3至8psi时压缩度为25％，也可具有较其更高的最大压缩度。
简而言之，在1psi或更低压力(可能在0.8psi或更低、或0.5psi或更低、或0.3psi或更低)时，该背衬层的压缩度及厚度(CD)可大于该覆盖层在厚度上的不均匀度。例如，在0.8psi或更低压力(可能为0.5psi或更低)时，该背衬层的压缩度及厚度(CD)的乘积为2密尔或更多(且可能为3密尔或更多)。
流体静力学系数K可藉所施压力(P)除以体积应变(ΔV/V)的方式量测的，亦即，K＝PV/ΔV。假设该背衬层可承受净压缩(亦即，材料在压力下并未横向位移)，则该流体静力学系数K等于所施压力除以压缩度(ΔD/D)。因此，假设该背衬层于0.5psi压力时可承受至少2％的净压缩，该背衬层的压缩系数K将为25或更小。另一方面，若欲使用更低的压力(例如0.1psi)，则该背衬层20的压缩系数应为5或更低。在所施压力范围为0.1至1.0psi时，该背衬层在每磅/平方英时的压缩系数K为50psi或更小。当然，若该背衬层材料在压缩时承受横向位移，则体积应变会略小于压缩度，而流体静力学系数可能会略高于压缩度。
现参照图3B，在不受限于任何特殊理论下，此配置可允许来自基材的向下力于低压下「整平」该覆盖层，而所谓低压系指0.5psi或更低，例如0.3psi或更低，如0.1psi，且因此可实质补偿该覆盖层的不均匀厚度。举例来说，该覆盖层22的厚度变化是由压缩该背衬层20的方式吸收(为清楚表示，该差异显著的夸示于图3A)，以使该外表面在接触基材大致平坦的表面时仍维持大致均匀度。因此，均匀压力可藉处理垫施于基材，藉以改善低压力研磨期间的研磨均匀性。故，所用材料应在低压研磨时可避免脱层发生，例如低k值介电材料即可被研磨具有适当均匀度。
在一实施例中，该覆盖层22可进行加工(例如藉由模造制程)而让数个沟槽预先形成在该覆盖层的上表面。于一模造制程中(例如射出成型或压模技术)，该垫材料可保存或设于具有压痕(或凹口)的模子中以形成沟槽凹坑。或者，该覆盖层22可藉较习知的技术加工，例如藉由切割技术由一铸块切下一垫材料薄片。该沟槽可接着以加工或铣削该覆盖层的上表面方式分别形成。
一旦该背衬层20及覆盖层22加工完成后，其等可进行固定，例如藉由薄黏结层28，如感压式黏结剂。
参照图4，在另一实施例中，一或多个凹槽70可形成于该覆盖层22的底表面72，以提供一薄区段74。此凹槽70可延伸该覆盖层厚度的20至80％，例如50％。例如，在具有覆盖层22(厚20密尔)的处理垫中，该凹槽52深度约为10密尔，而使该薄区段74的厚度约为10密尔。此外，一或多个孔径76可形成于该背衬层20中，以让感应组件延伸过该背衬层20且部分延伸至该覆盖层22。
在此实施例中，该沟槽26并未延伸至该覆盖层22的薄区段74中。因此，该处理垫的外表面24包括数个具有或不具有沟槽的部分，且该凹口位于该不具有沟槽部分之一者中。该沟槽26可具有充分深度以延伸至或延伸超过该凹槽70的内表面所界定的平面。
现参照图5，在另一实施例中，一种流体可渗透、抗撕裂材料的薄片80(例如聚酯薄膜)设于该背衬层20及该覆盖层22之间。该薄片80可藉黏结层28固定至覆盖层22，抑或覆盖层22可直接设于薄片80上。薄片80可藉一薄黏结层88固定至该背衬层20上。薄片80可为一透明材料，且覆盖层22及背衬层20的对齐部分82及84可分别移除，以提供通过该处理垫的光学端口。
或者，亦可不需该透明薄片而于该处理垫中形成一窗口。例如，可在该覆盖层22中形成一固态透明部，并在该背衬层20中形成一孔径，使之与该固态透明部对齐。该透明部可藉切割该覆盖层22形成一孔径并以黏结剂固定予一透明插塞的方式形成的。或者，该透明部可藉由将一透明材料的***物置放于液态的垫材料中，并将该液态的垫材料固化，使该***物可结合至固化的垫块中，并接着由该块体将该覆盖层切割下。
现参照图6，在另一实施例中，一薄金属层90(例如导电金属，如不锈钢，例如SST 410钢)可固定(利用黏结层98)至该背衬层22的底表面。该金属层90也可具磁性。数个穿孔94可延伸过该覆盖层22及该背衬层20，以将该金属层之上表面92暴露出。此外，一或多个孔洞96可延伸过该覆盖层22、背衬层20以及金属层90。
图3至图6的各种处理垫均可用于电化学制程中，例如除化学机械研磨外，其均可用于电化学机械研磨(ECMP)或同步电化学沉积及研磨制程中。
在电化学机械研磨中，导电材料(例如铜)可介电化学溶解方式由基材表面移除，同时该基材表面也可同时进行研磨。该基材表面可置放于电解液中(其也可作为研磨液)，并于该基材及一与电极相接触的阴极间施予一偏压。该ECMP可于一低压或非常低的压力下实施，例如低于1psi，如0.8psi或更低、或0.5psi或更低、或0.3psi或更低。
举例而言，请参照图6，该金属薄片90可连接至一第一电极以作为阴极(孔洞94可作为电解液至金属薄片90的信道)，而一第二电极可延伸过孔径96以接触该基材使该基材当作阳极。
在电化学沉积中，该偏压电压可颠倒，使该基材表面成为阴极，而与该电解液接触的电极变成阳极，且导电金属电性沉积至该基材上。若照此实施且基材在低压下接触一移动处理垫时，则材料将会更适切的沉积至该介电层中的任何沟渠中。
本实用新型的实施例均已在上文揭示，然而，应可理解的是本实用新型的各种变化亦可在不悖离本实用新型的精神及范围下提出。
举例而言，无论是处理垫或是承载头，或是其两者皆可移动以在外表面及基材间形成相对移动。该处理垫可为一固定至平台的圆形(或其它形状)垫、一延伸于供应器及拉紧滚轮间的带条或是一连续带状物。该处理垫可固定在一平台上，在研磨操作间在一平台上逐渐前进或在研磨期间在该平台上持续驱动。该垫在研磨期间可固定至该平台，或在该平台及处理垫间设一流体轴承。黏结层可施于该处理垫的底部表面以将该垫固定在平台，且该黏结层可以一可移除式衬垫作覆盖。此外，虽然其是以纵向设置，但应可理解的是该外表面及基材也可在垂直方向、或在其它方向上颠倒设置。

Claims (24)

1.一种处理垫，其至少包含：
一覆盖层，所述覆盖层具有一外表面、一第一厚度、一第一压缩度，其特征是，该覆盖层具有一介约40至80箫式硬度D间的硬度，以及一非均匀厚度；
所述处理垫还包括一背衬层，该背衬层固定至该覆盖层，该背衬层具有一大于该第一厚度的第二厚度以及一大于该第一压缩度的第二压缩度；
以及该第一厚度、第一压缩度、第二厚度以及第二压缩度可使该外表面在所施压力为1磅/平方英时或更小时偏移较该覆盖层的非均匀厚度为多的距离。
2.如权利要求1所述的处理垫，其特征是该外表面在所施压力为0.5psi或更低时偏移至少2密尔。
3.如权利要求1所述的处理垫，其特征是该外表面在所施压力为0.3psi或更低时偏移至少2密尔。
4.如权利要求1所述的处理垫，其特征是该外表面在所施压力约为0.1psi时偏移至少2密尔。
5.如权利要求1所述的处理垫，其特征是该背衬层的第二压缩度及第二厚度的乘积在压力为0.8psi或更低时为至少2密尔。
6.如权利要求5所述的处理垫，其特征是该背衬层的硬度为20箫式硬度D或更小。
7.如权利要求5所述的处理垫，其特征是该背衬层具有一介约90及150密尔间的第二厚度。
8.如权利要求7所述的处理垫，其特征是该覆盖层具有一小于50密尔的厚度。
9.如权利要求1所述的处理垫，其特征是至少包括数个沟槽形成于该外表面中。
10.如权利要求1所述的处理垫，其特征是至少包括一凹槽以及一孔径，其中该凹槽形成于该覆盖层的一底表面中，而该孔径形成于该背衬层中与该凹槽相对准。
11.如权利要求1所述的处理垫，其特征是至少包含一位于该覆盖层及该背衬层间的流体可渗透层。
12.如权利要求1所述的处理垫，其特征是至少包含一金属薄片，其系固定于该背衬层与该覆盖层相对的一侧。
13.如权利要求12所述的处理垫，其特征是至少包含数个穿通该覆盖层及该背衬层的孔洞，用以暴露出该金属薄片。
14.如权利要求1所述的处理垫，其特征是该覆盖层包括聚氨酯。
15.如权利要求14所述的处理垫，其特征是该覆盖层由嵌埋有中空微球体的浇注型聚氨酯所构成。
16.一种处理垫，其至少包含：
一覆盖层，所述覆盖层具有一外表面，
其特征是该覆盖层还包括一介约40至80箫式硬度D间的硬度以及一约25密尔或更小的厚度；以及
所述处理垫还包括一固定至该覆盖层的背衬层，该背衬层较该覆盖层更具压缩性，且其厚度介约90至150密尔。
17.如权利要求16所述的处理垫，其特征是该背衬层厚度约为95密尔。
18.如权利要求16所述的处理垫，其特征是该背衬层厚度约为125密尔。
19.如权利要求16所述的处理垫，其特征是该背衬层的压缩度于0.5psi时为2％或更高。
20.一种处理垫，其至少包含：
一覆盖层，所述覆盖层具有一外表面，
其特征是该覆盖层具有一介约40至80箫式硬度D间的硬度、一第一压缩度以及一第一厚度；
所述处理垫还包括一固定至该覆盖层的背衬层，该背衬层具有一大于该第一压缩度的第二压缩度以及一90密尔或更厚的第二厚度，该背衬层的第二厚度及第二压缩度的乘积为2密尔或更高，且该第二厚度对该厚度的比值介约4.5及8之间。
21.一种含有处理垫的基材处理设备，其至少包含：
一处理垫支撑部；
一由该处理垫支撑部所支撑的处理垫，该处理垫有一覆盖层，该覆盖层具有一外表面、一第一厚度、一第一压缩度，
其特征是所述处理垫还具有一介约40至80箫式硬度D间的硬度以及一非均匀厚度，以及一固定至该覆盖层的背衬层，该背衬层具有一大于该第一厚度的第二厚度以及一大于该第一压缩度的第二压缩度其中该第一厚度、第一压缩度、第二厚度及第二压缩度可使该外表面在所施压力为1psi或更低时偏移较该覆盖层的非均匀厚度为大的距离；该基材处理设备还包括
一承载头，用以承纳一基材以与该处理垫相接触；
一制程液体供应器；以及
一马达，连结至该垫支撑部以及该承载头的至少一个以在该处理垫及基材间形成相对移动。
22.如权利要求21所述的基材处理设备，其特征是所述基材处理设备还至少包括一设以接触该基材的电极、一接触该制程液体的阴极以及一耦接于该电极及该阴极间以形成一偏压的电源供应器。
23.一种处理垫，包含：
一覆盖层，所述覆盖层具有一外表面、一第一厚度、一第一压缩度，
其特征是该覆盖层具有一介约40至80箫式硬度D间的硬度，一非均匀厚度；
所述处理垫还包括一固定至该覆盖层的背衬层，该背衬层具有一大于该第一厚度的第二厚度以及一大于该第一压缩度的第二压缩度；
其中该第一厚度、第一压缩度、第二厚度及第二压缩度可使该外表面于所施压力为1psi或更低时足以偏移离一大致平坦的基材，其并可使该外表面在接触基材表面时仍维持大致均匀度。
24.一种处理垫，其至少包含：
一覆盖层，所述覆盖层具有一外表面、一第一厚度、一第一压缩度，
其特征是该覆盖层具有一介约40至80箫式硬度D间的硬度，该覆盖层具有一非均匀厚度；
所述处理垫还包括一固定至该覆盖层的背衬层，该背衬层具有一大于该第一厚度的第二厚度以及一大于该第一压缩度的第二压缩度；
其中该第一厚度、第一压缩度、第二厚度及第二压缩度可使该外表面于所施压力为1psi或更低时发生足够偏移，以实质弥补该覆盖层的非均匀厚度。
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