JP3096820B2 - ダイアフラムセンサ - Google Patents
ダイアフラムセンサInfo
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- G01—MEASURING; TESTING
- G01F—MEASURING VOLUME, VOLUME FLOW, MASS FLOW OR LIQUID LEVEL; METERING BY VOLUME
- G01F1/00—Measuring the volume flow or mass flow of fluid or fluent solid material wherein the fluid passes through a meter in a continuous flow
- G01F1/68—Measuring the volume flow or mass flow of fluid or fluent solid material wherein the fluid passes through a meter in a continuous flow by using thermal effects
- G01F1/684—Structural arrangements; Mounting of elements, e.g. in relation to fluid flow
- G01F1/6845—Micromachined devices
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- Fluid Mechanics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Measuring Volume Flow (AREA)
Description
いられるダイアフラムセンサに関するものである。
クロブリッジ型フローセンサの一例を示す斜視図であ
る。同図において、1はシリコンからなる半導体基板で
あり、この半導体基板1の中央部には異方性エッチング
により両側の開口2,3を連通する貫通孔、つまり空隙
部4が形成されており、この空隙部の上部には半導体基
板1からブリッジ状に空間的に隔離され結果的に半導体
基板1から熱的に絶縁された橋絡部5が形成されてい
る。そしてこの橋絡部5の表面には通常の薄膜形成技術
により薄膜のヒータエレメント7とそれを挟む薄膜の測
温抵抗エレメント8,9が配列して形成されている。ま
た、半導体基板1上の角部には薄膜の測温抵抗エレメン
ト10が形成されている。なお、11は半導体基板1上
の各開口2,3の中央部分に形成されたスリット状の中
央開口であり、これらの開口2,3および中央開口11
によって露出したシリコン部分をKOHなどの溶液で異
方性エッチングを行うことによりエッチングの断面形状
が逆台形を有する空隙部4が形成されるとともにその空
隙部4によって半導体基板1からヒータエレメント7お
よび測温抵抗エレメント8,9が熱的に絶縁されて支持
された橋絡部5が形成される。
ブリッジ型フローセンサの動作を示す説明図であり、同
図(a)は各エレメントの温度分布を示し,同図(b)
は図6のB−B′線断面を示している。なお、図中、6
は半導体基板1上に形成されるヒータエレメント7など
の素子を保護するための保護膜であり、これは熱伝導率
の低い窒化シリコンなどの材料により形成されている。
りもある一定の高い温度th (例えば63℃:周囲温度
基準)で制御すると、測温抵抗エレメント8,9の温度
t3 ,t4 (例えば35℃:周囲温度基準)は図6
(a)に示すように略等しくなる。このとき、例えば図
5に示すように矢印方向12に気体が移動すると、上流
側の測温抵抗エレメント8は冷却され、ΔT3 だけ降温
する。一方、下流側の測温抵抗エレメント9は温度がΔ
T4 だけ昇温する。この結果、上流側の測温抵抗エレメ
ント8と下流側測温抵抗エレメント9との間に温度差が
生じる。このため、測温抵抗エレメント8,9をホィー
トストンブリッジ回路に組み込み、その温度差を電圧に
変換することにより、気体の流速の応じた電圧出力が得
られ、その結果、気体の流速を検出することができる。
ーセンサは、薄膜技術および異方性エッチング技術によ
り形成された極めて熱容量の小さい薄膜橋絡構造を有す
るもので、応答速度が極めて速く、高感度,低消費電力
であり、しかも量産性が良いなどの優れた利点を有して
いる。
マイクロブリッジ型フローセンサでは、半導体基板1の
一部を異方性エッチングにより除去して空隙部4を形成
する場合、エッチング用開口のうち、特に左右両側の開
口2,3が比較的大きくなっていた。このため、気体の
流れが空隙部4内にも入り込んでしまい、気体中に含ま
れているゴミ(ダスト)などがその開口2,3の周辺に
付着したりあるいは空隙部4内に入り込むなどしてセン
サ特性に悪影響を与えるという問題があった。これに対
して、特開昭61−88532号公報に開示されたよう
なダイアフラムセンサを用いればゴミの付着を少なくで
きるが、その一方で、上流側測温抵抗エレメントと下流
側測温抵抗エレメントとの間のTCRミスマッチのドリ
フトによる出力誤差が大きくなったり、低流速(低流
量)の測定が精度良く安定して行うことができなくなっ
たりするという問題が新たに生じる。
ム構造を採用してゴミの付着を抑えることにより新たに
生じた課題を解決するために本発明による第1のダイア
フラムセンサは、基板の一部に空間を設けて薄肉面状に
形成されたダイアフラム部と、このダイアフラム部に形
成された発熱部と、この発熱部の両側に対称に形成され
た測温抵抗部とを備えたダイアフラムセンサにおいて、
発熱部と両側の測温抵抗部との間に気流方向と略垂直方
向に長手方向を持つように細長く形成されたスリット部
を設けたものである。また、本発明による第2のダイア
フラムセンサは、第1のダイアフラムセンサに加えて発
熱部の長手方向端部にスリットを設けたものである。ま
た、本発明による第3のダイアフラムセンサは、第1の
ダイアフラムセンサまたは第2のダイアフラムセンサに
加えて測温抵抗部の外周部にスリットを設けたものであ
る。
は、発熱部の両側に対称に測温抵抗部を配置し、この発
熱部と両側の測温抵抗部との間に気流方向と略垂直方向
に長手方向を持つように細長く形成されたスリット部を
設けたことにより、発熱部から両側測温抵抗部へのダイ
アフラム部部材を通しての熱伝導が小さくなる。また、
本発明における第2のダイアフラムセンサは、発熱部の
長手方向端部にスリット部を設けたことにより、発熱部
から基板厚肉部へのダイアフラム部部材を通しての熱伝
導が小さくなる。また、本発明における第3のダイアフ
ラムセンサは、測温抵抗部の外周部にスリット部を設け
たことにより、測温抵抗部の基板厚肉部へのダイアフラ
ム部部材を通しての熱伝導が小さくなる。
説明する。図1は本発明によるダイアフラムセンサの一
実施例による構成を示す図であり、図(a)は上方から
見た要部平面図、図(b)は図(a)のB−B′線の断
面図である。同図において、21は基板として例えばシ
リコンからなる半導体基板であり、この半導体基板21
の背面側中央部には例えば異方性エッチングにより表面
側に連通しない断面が台形状の開口22が形成されてお
り、この開口22の底部側、つまり半導体基板21の表
面側には薄肉状のダイアフラム部23が一体的に形成さ
れている。また、このダイアフラム部23の表面中央部
には、通常の薄膜形成技術により薄膜のヒータエレメン
ト7が形成されている。さらにこのヒータエレメント7
を挟む両側には、所定距離離間して通常の薄膜形成技術
により薄膜の測温抵抗エレメント8,9が対称に配列し
て形成されている。また、このヒータエレメント7とそ
の両側の測温抵抗エレメント8,9との間には、その長
手方向に沿ってダイアフラム部23の薄肉部を貫通する
帯状のスリット部24l,24rが穿設され、さらに両
側の測温抵抗エレメント8,9の外側にも長手方向に沿
ってこのダイアフラム部23の薄肉部を貫通する複数の
角穴を断続的に連結したスリット部25l,25rが穿
設されている。また、同様にこのヒータエレメント7の
長手方向両端側にはこのダイアフラム部23の薄肉部を
貫通するスリット部24u,24dが穿設され、さらに
両側の測温抵抗エレメント8,9の長手方向両端側にも
このダイアフラム部23の薄肉部を貫通するスリット部
25u,25dが穿設されている。なお、これらのスリ
ット部24l,24r,24u,24d,25l,25
r,25u,25dは、通常のフォトリソグラフィおよ
びウェットもしくはドライエッチング技術により容易に
形成することができる。
の表面に薄肉状のダイアフラム部23を形成するととも
にこのダイアフラム部23上にヒータエレメント7およ
びこのヒータエレメント7を挟んで両側に対称に測温抵
抗エレメント8,9を形成配置し、さらにヒータエレメ
ント7の両側に長手方向に沿ってスリット部24l,2
4rを設けたことにより、ヒータエレメント7から測温
抵抗エレメント8,9へのダイアフラム部23の部材を
通しての熱伝導が極めて少なくなるので、ヒータエレメ
ント7によって発生した熱による測温抵抗エレメント
8,9の温度上昇は従来に比べて低くなる。よって測温
抵抗エレメント8,9の温度に比例して大きくなるダス
トの付着による出力誤差および温度に比例して大きくな
る上流側測温抵抗エレメント8と下流側測温抵抗エレメ
ント9との間のTCRミスマッチのドリフトによる出力
誤差が小さくなる。特に熱伝導率の小さい気体の場合、
測温抵抗エレメント8,9のエレメント抵抗の温度をよ
り低く設定することができる。また、測温抵抗エレメン
ト8と測温抵抗エレメント9との間の気体の流れによっ
て形成された温度差を小さくするように動作するヒータ
エレメント7からの余分な熱供給がなくなるため、低流
速域での感度も向上できる。また、ヒータエレメント7
は通電時に若干熱変形するが、その影響(応力)が測温
抵抗エレメント8,9に伝わらず、誤差の要因を大幅に
減らすことができる。また、測温抵抗エレメント8,9
の外側にそれぞれスリット部25l,25r,25u,
25dを設けたことにより、これらのスリット部25
l,25r,25u,25dの外側の半導体基板21の
厚肉部との熱絶縁が極めて良好となり、感度を向上させ
ることができる。さらにヒータエレメント7および測温
抵抗エレメント8,9の両端側に短手方向に沿ってそれ
ぞれスリット部24u,24dおよびスリット部25
u,25dを設けたことにより、ヒータエレメント7と
半導体基板21の厚肉部との熱絶縁が極めて良好とな
り、ヒータエレメント7の消費電力が少なくなり、ま
た、測温抵抗エレメント8,9と半導体基板21の厚肉
部との熱絶縁が極めて良好となり、感度を向上させるこ
とができる。
抗体の抵抗値特性を示したものであり、図(a)は図1
に示すヒータエレメント7と測温抵抗エレメント8,9
との間を分離しない構造およびヒータエレメント7と測
温抵抗エレメント8,9との間をスリットで部分的に分
離した構造におけるヒータ電流を増加させたときの測温
抵抗エレメント8,9の抵抗値変化を示し、図(b)は
ヒータエレメント7と測温抵抗エレメント8,9との間
にスリット部24l,24rを設けて完全に分離した本
実施例による構造におけるヒータ電流を増加させたとき
の測温抵抗エレメント8,9の抵抗値変化を示したもの
である。ヒータエレメント7の印加電流を増加させてい
くと、測温抵抗エレメント8,9の抵抗値は増加してい
くが、ヒータエレメント7と測温抵抗エレメント8,9
との間を分離しない構造および部分的にスリットで分離
した構造では、ヒータ電流の増加に伴い、発生した熱に
よるダイアフラム部23の機械的変形が測温抵抗エレメ
ント8,9に伝わり、図(a)に示すようにある限界点
Pを越えると、測温抵抗エレメント8,9にも機械的歪
みを与え、測温抵抗エレメント8,9の抵抗値に誤差を
与えてしまい、さらにこの限界点Pの位置も限界点P以
上での抵抗値特性も一定しておらず、また、ヒータエレ
メント7の両側の測温抵抗エレメント8,9でのこの効
果の程度に多少のずれがあるため、測温抵抗エレメント
8,9間のバランスが不安定、つまり零点が安定しない
ことになる。実際の使用条件としては、必要な感度を得
るために必要なヒータ電流を流すと、この限界点を越え
てしまうことが多く、特に間欠駆動においては、毎回零
点が変動してしまい、正確な測定ができない。したがっ
て機械的な歪みに影響されない限界点P以下での使用が
条件となる。一方、スリット部24l,24rで完全に
分離した本実施例による構造では、ヒータエレメント7
のヒータ電流の増加に伴い、発生した熱によるダイアフ
ラム部23の機械的変形が測温抵抗エレメント8,9に
伝わらないので、安定した抵抗値特性が得られる。した
がってスリット部24l,24rで完全に分離した構造
では、より安定した計測が可能となり、特に零点の安定
性を大幅に向上させることができる。
他の実施例による構成を示す図で図(a)は上方から見
た要部平面図、図(b)は図(a)のB−B′線の断面
図であり、前述の図と同一部分には同一符号を付してあ
る。同図において、図1と異なる点は、半導体基板21
の対向辺に気体の流れる方向12を設定するようにヒー
タエレメント7,測温抵抗エレメント8,測温抵抗エレ
メント9およびこれらのスリット部24l,24r,2
4u,24d,25l,25r,25u,25dを配列
して構成したものである。
な効果が得られる。なお、ダイアフラム部23は正方形
もしくは長方形のいずれの形状に形成しても良い。
22を形成するために半導体基板21の背面側からエッ
チングを行ったが、例えば図4(a),(b)に図1に
相当する図で示すようにダイアフラム部23に複数のス
リット31を形成し、これらの各スリット31を利用し
て上面から結晶軸のエッチング特性を利用した異方性エ
ッチングもしくは等方性エッチングを行い、ダイアフラ
ム部23の下に中空の空間部31を形成して構成しても
良い。
して例えばシリコンからなる半導体基板を用いた場合に
ついて説明したが、本発明はこれに限定されるものでは
なく、例えばアルミニウム,ステンレスなどの金属基板
を用い、ダイアフラム部を例えばSiO2 ,Si3 N4
などの絶縁膜で形成しても同様の効果が得られることは
言うまでもない。
フラム部の形成に異方性エッチングを用いた場合につい
て説明したが、例えば弗酸と硝酸との混合液による等方
性エッチングなどによるエッチング方法を用いても同様
に形成できることは言うまでもない。
チングに限られるものではなく、エンドミルやレーザな
どによる加工でも形成可能であり、もしくは基板とダイ
アフラム部とを別々に製作し、貼り合わせても同様に形
成できることは勿論である。
フラムセンサによれば、基板の一部に空間を設けて薄肉
面状に形成されたダイアフラム部を設け、このダイアフ
ラム部に発熱部とこの発熱部の両側に対称に測温抵抗部
とを設けたことにより、気体がこのダイアフラム部下側
の空間部に入り込まず、表面に沿って流れるので、気体
の流れによるダストの付着が極小となる(付着したとし
ても従来のように特定の箇所に集中することがなくな
る)とともに基板との熱絶縁が極めて良好となり、高感
度の流量検出および低消費電力による流量検出が可能と
なる。しかも、この発熱部と両側の測温抵抗部との間に
気流方向と略垂直方向に長手方向を持つように細長く形
成されたスリット部が設けられているので、発熱部から
測温抵抗部へのダイアフラム部の部材を通しての熱伝導
が極めて小さくなり、発熱部によって発生した熱による
測温抵抗部の温度上昇は従来に比べて低くなり、測温抵
抗部の温度に比例して大きくなるダストの付着による出
力誤差および温度に比例して大きくなる測温抵抗部間の
TCRミスマッチドリフトによる出力誤差を小さくする
ことができるとともに特に熱伝導率の小さい気体の場
合、測温抵抗部の温度をより低く設定でき、さらに発熱
部からの余分な熱供給がなくなるので、低流速域での感
度を向上させることができる。また、発熱部は通電時に
若干変形するが、その影響による応力が測温抵抗部に伝
わらないので、誤差の要因を大幅に減らすことができ
る。また、発熱部の長手方向端部にスリット部を設けた
ことにより、発熱部と基板厚肉部との熱絶縁が極めて良
好となり、発熱部の消費電力が少なくなる。また、測温
抵抗部の外周部にスリット部を設けたことにより、基板
厚肉部との熱絶縁が極めて良好となり、感度を向上させ
ることができる。また、従来のブリッジ構造とは異な
り、全ての端面を厚肉の基板によって固定されているダ
イアフラム構造では、ダイアフラム部形成時の残留応力
が多い場合には割れてしまうことがあるが、スリット部
を設けたことにより、応力を分散させることができ、信
頼性の高いダイアフラムセンサを形成することができる
という極めて優れた効果が得られる。
よる構成を示す図である。
部の抵抗値特性を説明する図である。
による構成を示す図である。
実施例による構成を示す図である。
を示す図である。
する図である。
Claims (3)
- 【請求項1】 基板の一部に空間を設けて薄肉面状に形
成されたダイアフラム部と、前記ダイアフラム部に形成
された発熱部と、前記発熱部の両側に対称に形成された
測温抵抗部とを備えたダイアフラムセンサにおいて、 前記発熱部と両側の測温抵抗部との間に気流方向と略垂
直方向に長手方向を持つように細長く形成されたスリッ
ト部を設けたことを特徴とするダイアフラムセンサ。 - 【請求項2】 請求項1において、前記発熱部の長手方
向端部にスリット部を設けたことを特徴とするダイアフ
ラムセンサ。 - 【請求項3】 請求項1または請求項2において、前記
測温抵抗部の外周部にスリット部を設けたことを特徴と
するダイアフラムセンサ。
Priority Applications (1)
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Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
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JP2-96520 | 1990-04-13 | ||
JP03106528A JP3096820B2 (ja) | 1990-04-13 | 1991-04-12 | ダイアフラムセンサ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
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JPH04230808A JPH04230808A (ja) | 1992-08-19 |
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ID=26437717
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP03106528A Expired - Lifetime JP3096820B2 (ja) | 1990-04-13 | 1991-04-12 | ダイアフラムセンサ |
Country Status (1)
Country | Link |
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JP3484372B2 (ja) | 1999-06-10 | 2004-01-06 | 三菱電機株式会社 | 感熱式流量センサ |
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JP2013033057A (ja) * | 2012-10-04 | 2013-02-14 | Denso Corp | 流量センサ |
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1991
- 1991-04-12 JP JP03106528A patent/JP3096820B2/ja not_active Expired - Lifetime
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Publication number | Publication date |
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JPH04230808A (ja) | 1992-08-19 |
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