JP3073467B2 - 樹脂封止型半導体装置 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置Info
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- JP3073467B2 JP3073467B2 JP19532997A JP19532997A JP3073467B2 JP 3073467 B2 JP3073467 B2 JP 3073467B2 JP 19532997 A JP19532997 A JP 19532997A JP 19532997 A JP19532997 A JP 19532997A JP 3073467 B2 JP3073467 B2 JP 3073467B2
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- electrode
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は下面にコンタクト電
極を有する樹脂基板の上面にICチップを載置し、IC
チップを含む樹脂基板を樹脂封止して成る半導体装置に
関するものである。
極を有する樹脂基板の上面にICチップを載置し、IC
チップを含む樹脂基板を樹脂封止して成る半導体装置に
関するものである。
【0002】
【従来の技術】ICチップを樹脂基板上に搭載し、IC
チップ及び樹脂基板を樹脂封止したピングリッドアレイ
(以下PGAという。)やパッドアレイキャリア(以下
PACという。)は、小型、薄型の半導体実装部品とし
て近年広く普及している。特にPGAはコンピューター
等の交換用メモリーとして広く採用されており、又、P
ACは携帯用小型電子機器の実装部品として広く採用さ
れている。
チップ及び樹脂基板を樹脂封止したピングリッドアレイ
(以下PGAという。)やパッドアレイキャリア(以下
PACという。)は、小型、薄型の半導体実装部品とし
て近年広く普及している。特にPGAはコンピューター
等の交換用メモリーとして広く採用されており、又、P
ACは携帯用小型電子機器の実装部品として広く採用さ
れている。
【0003】ここでPGAを従来例として樹脂封止型半
導体装置の構造を説明する。図8は樹脂封止型PGAの
断面図、図9は樹脂封止する金型の要部断面図、図10
は樹脂基板の下面図、図11は樹脂基板の断面図、図1
2は図9A部の拡大断面図を示す。図8に示すごとくコ
ンタクトピン1を下面に有する樹脂基板2の上面にIC
チップ3を載置した後、トランスファーモールドにより
ICチップ3を含む樹脂基板2の上面全体及び側面を被
覆し封止樹脂層4を形成する。6はPGA装置との脱着
を容易にするための高さ規制用の段を有するスタンドピ
ンである。上記した樹脂封止型PGAの製造方法を図9
にもとづいて説明する。コンタクトピン1を下面側に有
する樹脂基板2の上面にICチップ3を実装したPGA
を、前記コンタクトピン1の逃穴8を有する下金型7に
圧入固定する。次にPGAを圧入固定した下金型7上に
上金型11を被せることによってPGAの上面及び側面
に空隙が形成される。然る後樹脂ゲート10より封止樹
脂を圧力を伴って注入し、封止樹脂層4をトランスファ
ーモールドし、樹脂が硬化した後PGAを取り出して樹
脂ゲート10部分の余分な樹脂を切落すことにより樹脂
封止型PGAを完成させる。
導体装置の構造を説明する。図8は樹脂封止型PGAの
断面図、図9は樹脂封止する金型の要部断面図、図10
は樹脂基板の下面図、図11は樹脂基板の断面図、図1
2は図9A部の拡大断面図を示す。図8に示すごとくコ
ンタクトピン1を下面に有する樹脂基板2の上面にIC
チップ3を載置した後、トランスファーモールドにより
ICチップ3を含む樹脂基板2の上面全体及び側面を被
覆し封止樹脂層4を形成する。6はPGA装置との脱着
を容易にするための高さ規制用の段を有するスタンドピ
ンである。上記した樹脂封止型PGAの製造方法を図9
にもとづいて説明する。コンタクトピン1を下面側に有
する樹脂基板2の上面にICチップ3を実装したPGA
を、前記コンタクトピン1の逃穴8を有する下金型7に
圧入固定する。次にPGAを圧入固定した下金型7上に
上金型11を被せることによってPGAの上面及び側面
に空隙が形成される。然る後樹脂ゲート10より封止樹
脂を圧力を伴って注入し、封止樹脂層4をトランスファ
ーモールドし、樹脂が硬化した後PGAを取り出して樹
脂ゲート10部分の余分な樹脂を切落すことにより樹脂
封止型PGAを完成させる。
【0004】しかし前記樹脂基板2は湿潤性を有するた
め、図10に示すごとく、その下面側にダミーパターン
14及びそれを保護する絶縁コート15を形成するが、
そのため図11に示すごとく下面側は、中央部と端部に
段差が生じる。このため、図12に示すごとく、下金型
7と樹脂基板2の外周部に空隙20が生じ、封止樹脂の
注入時にその圧力により封止樹脂層4がその空隙20を
通って下金型7の逃穴8や樹脂基板2の下面側に流れ出
し、外観上及び封止上著しく問題があった。そこで本出
願人は上記問題点を解決する手段を特開平1−1699
53号公報に提案しており、それを図面に基づいて説明
する。
め、図10に示すごとく、その下面側にダミーパターン
14及びそれを保護する絶縁コート15を形成するが、
そのため図11に示すごとく下面側は、中央部と端部に
段差が生じる。このため、図12に示すごとく、下金型
7と樹脂基板2の外周部に空隙20が生じ、封止樹脂の
注入時にその圧力により封止樹脂層4がその空隙20を
通って下金型7の逃穴8や樹脂基板2の下面側に流れ出
し、外観上及び封止上著しく問題があった。そこで本出
願人は上記問題点を解決する手段を特開平1−1699
53号公報に提案しており、それを図面に基づいて説明
する。
【0005】図13は樹脂基板の下面図、図14はその
断面図、図15は金型の部分拡大断面図で、それぞれ前
述の図10、図11及び図12に対応するものであり、
同一要素には同一番号を付し説明を省略する。すなわ
ち、図13において図10と異なる部分は樹脂基板2の
下面外周に枠パターン12と、絶縁コート13とによる
枠30を設けることにより、図14に示すごとく外周部
の枠30と中央部のダミーパターン14上の絶縁コート
15とが同じ高さとなるようにしている。次に図15に
より本発明のPGAのインサートモールドを前記図12
に示す従来例との対応によって説明する。すなわち金型
内に於いて下金型7に圧入固定された樹脂基板2の下面
は前述のごとく外周部の枠30と中央部の絶縁コート1
5とが同じ高さになっているため前記樹脂基板2の外周
部の空隙20が存在しなくなる。従って加圧注入された
封止樹脂層4は枠30によって阻止されることにより逃
穴8や、樹脂基板2の下面側への流入が無くなる。
断面図、図15は金型の部分拡大断面図で、それぞれ前
述の図10、図11及び図12に対応するものであり、
同一要素には同一番号を付し説明を省略する。すなわ
ち、図13において図10と異なる部分は樹脂基板2の
下面外周に枠パターン12と、絶縁コート13とによる
枠30を設けることにより、図14に示すごとく外周部
の枠30と中央部のダミーパターン14上の絶縁コート
15とが同じ高さとなるようにしている。次に図15に
より本発明のPGAのインサートモールドを前記図12
に示す従来例との対応によって説明する。すなわち金型
内に於いて下金型7に圧入固定された樹脂基板2の下面
は前述のごとく外周部の枠30と中央部の絶縁コート1
5とが同じ高さになっているため前記樹脂基板2の外周
部の空隙20が存在しなくなる。従って加圧注入された
封止樹脂層4は枠30によって阻止されることにより逃
穴8や、樹脂基板2の下面側への流入が無くなる。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】上記構成によれば、封
止樹脂の流れ止めとして充分な効果を発揮するが、樹脂
基板に対する封止樹脂の密着力が不充分であり、信頼性
上問題があった。また上記構成では、通常の配線パター
ンの他にダミーパターンを形成するため、その分だけ樹
脂基板が大きくなってしまう。近年、半導体装置は小
型、薄型化が進む中で、基板が大型化すること、また半
導体装置全体の総厚を厚くすることは避けなければなら
ない。しかしながらPGAは前述の如く樹脂基板が大き
くなる問題があり、また外部とのコンタクト端子として
長いコンタクトピン1を使用するので、コンタクトピン
1と樹脂基板2を係合するために厚い樹脂基板が必要と
なり、半導体装置として薄型化が難しい構造となってい
る。本発明の目的は、上記の如き問題点を解決し、小型
で且つ薄型が可能で、樹脂基板に対する封止樹脂の密着
力を高めた樹脂封止型半導体装置を提供することであ
る。
止樹脂の流れ止めとして充分な効果を発揮するが、樹脂
基板に対する封止樹脂の密着力が不充分であり、信頼性
上問題があった。また上記構成では、通常の配線パター
ンの他にダミーパターンを形成するため、その分だけ樹
脂基板が大きくなってしまう。近年、半導体装置は小
型、薄型化が進む中で、基板が大型化すること、また半
導体装置全体の総厚を厚くすることは避けなければなら
ない。しかしながらPGAは前述の如く樹脂基板が大き
くなる問題があり、また外部とのコンタクト端子として
長いコンタクトピン1を使用するので、コンタクトピン
1と樹脂基板2を係合するために厚い樹脂基板が必要と
なり、半導体装置として薄型化が難しい構造となってい
る。本発明の目的は、上記の如き問題点を解決し、小型
で且つ薄型が可能で、樹脂基板に対する封止樹脂の密着
力を高めた樹脂封止型半導体装置を提供することであ
る。
【0007】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めの本発明の構成は、上面側にはICチップと接続する
ためのリード電極を形成するとともに、下面側には複数
の列を成して設けられたコンタクト電極を形成し、上面
側のリード電極と下面側のコンタクト電極とをスルーホ
ール電極を介して接続した樹脂基板と、該樹脂基板の上
面側に搭載したICチップと、該ICチップを封止する
とともに、前記樹脂基板の上面側から前記スルーホール
電極内に充填される封止樹脂と、前記コンタクト電極に
形成したハンダ電極とを有し、前記コンタクト電極は前
記スルーホール電極から離れた位置に設けており、前記
樹脂基板の下面側には前記スルーホール電極を覆うレジ
ストを設けたことを特徴とする樹脂封止型半導体装置で
ある。
めの本発明の構成は、上面側にはICチップと接続する
ためのリード電極を形成するとともに、下面側には複数
の列を成して設けられたコンタクト電極を形成し、上面
側のリード電極と下面側のコンタクト電極とをスルーホ
ール電極を介して接続した樹脂基板と、該樹脂基板の上
面側に搭載したICチップと、該ICチップを封止する
とともに、前記樹脂基板の上面側から前記スルーホール
電極内に充填される封止樹脂と、前記コンタクト電極に
形成したハンダ電極とを有し、前記コンタクト電極は前
記スルーホール電極から離れた位置に設けており、前記
樹脂基板の下面側には前記スルーホール電極を覆うレジ
ストを設けたことを特徴とする樹脂封止型半導体装置で
ある。
【0008】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に基づいて説明する。図1は本発明の第一実施の形態を
示すパッドアレイキャリア(PAC)の断面図、図2
(a)は本発明の第二実施の形態を示すPACの平面
図、図2(b)は図2の要部断面図である。図1におい
て、31は樹脂基板であり、表面側にはリード電極33
が形成されるとともに、リード電極33にワイヤーボン
ディングされたICチップ35が搭載されている。リー
ド電極33は樹脂基板31を貫通するスルーホール電極
34を介して裏面側のリード電極32と電気的に接続さ
れている。樹脂基板31の裏面側には、スルーホール電
極34から離れた位置にリード電極32の一部分のみが
露呈するように、シート状のレジスト38が設けられて
いる。リード電極32の露呈した部分はコンタクト電極
32aとして使用され、複数の列を成して形成されると
ともに、このコンタクト電極32aにはハンダボールを
入れてリフローすることにより電極37が形成されてい
る。即ち、コンタクト電極32aはリード電極32を介
してスルーホール電極34に接続し、ハンダ電極はスル
ーホール電極34から離れて形成されているので、リフ
ロー時に溶融したハンダがスルーホール電極34内に流
れ込むことがない。それによりハンダ電極の高さを一定
に保つことができ、PACを他の回路基板に実装すると
きの接続信頼性を向上できるものである。36は封止樹
脂であり、ICチップ35を含む樹脂基板31の上面と
側面を封止している。更に封止樹脂36は樹脂基板31
の上面からスルーホール電極34内に充填されており、
これにより封止樹脂36と樹脂基板31との密着力を高
めている。また前述の如く樹脂基板31の裏面側には、
スルーホール電極34から離れた位置にリード電極32
の一部分のみが露呈するように、シート状のレジスト3
8が設けられ、スルーホール電極34はレジスト38で
覆われるので、封止樹脂36がスルーホール電極34か
ら漏れ出すことがなく、外観品質を損うことがなくな
る。
に基づいて説明する。図1は本発明の第一実施の形態を
示すパッドアレイキャリア(PAC)の断面図、図2
(a)は本発明の第二実施の形態を示すPACの平面
図、図2(b)は図2の要部断面図である。図1におい
て、31は樹脂基板であり、表面側にはリード電極33
が形成されるとともに、リード電極33にワイヤーボン
ディングされたICチップ35が搭載されている。リー
ド電極33は樹脂基板31を貫通するスルーホール電極
34を介して裏面側のリード電極32と電気的に接続さ
れている。樹脂基板31の裏面側には、スルーホール電
極34から離れた位置にリード電極32の一部分のみが
露呈するように、シート状のレジスト38が設けられて
いる。リード電極32の露呈した部分はコンタクト電極
32aとして使用され、複数の列を成して形成されると
ともに、このコンタクト電極32aにはハンダボールを
入れてリフローすることにより電極37が形成されてい
る。即ち、コンタクト電極32aはリード電極32を介
してスルーホール電極34に接続し、ハンダ電極はスル
ーホール電極34から離れて形成されているので、リフ
ロー時に溶融したハンダがスルーホール電極34内に流
れ込むことがない。それによりハンダ電極の高さを一定
に保つことができ、PACを他の回路基板に実装すると
きの接続信頼性を向上できるものである。36は封止樹
脂であり、ICチップ35を含む樹脂基板31の上面と
側面を封止している。更に封止樹脂36は樹脂基板31
の上面からスルーホール電極34内に充填されており、
これにより封止樹脂36と樹脂基板31との密着力を高
めている。また前述の如く樹脂基板31の裏面側には、
スルーホール電極34から離れた位置にリード電極32
の一部分のみが露呈するように、シート状のレジスト3
8が設けられ、スルーホール電極34はレジスト38で
覆われるので、封止樹脂36がスルーホール電極34か
ら漏れ出すことがなく、外観品質を損うことがなくな
る。
【0009】次に本発明の第二実施の形態を図2
(a)、(b)に基づいて説明する。尚以下の実施の形
態において、図1と同一の構成要素には同じ番号を付
け、その説明を省略する。第一実施の形態と本実施の形
態の異なる部分は、レジスト38の外形の大きさであ
る。即ち、本実施の形態では図2(a)、(b)に示す
如く、レジスト38は、電極37と樹脂基板31の下面
側外周部を露呈するように形成されており、封止樹脂3
6は樹脂基板31の下面外周部も覆うように形成されて
いる。
(a)、(b)に基づいて説明する。尚以下の実施の形
態において、図1と同一の構成要素には同じ番号を付
け、その説明を省略する。第一実施の形態と本実施の形
態の異なる部分は、レジスト38の外形の大きさであ
る。即ち、本実施の形態では図2(a)、(b)に示す
如く、レジスト38は、電極37と樹脂基板31の下面
側外周部を露呈するように形成されており、封止樹脂3
6は樹脂基板31の下面外周部も覆うように形成されて
いる。
【0010】次に上記第二実施の形態に示したPACの
製造方法を説明する。図3は樹脂基板31を樹脂モール
ド用の下金型39へ入れた状態を示す平面図、図4は金
型へ封止樹脂を注入する状態を示す断面図である。図3
において、39はモールド用の下金型であり、封止形状
を決めるキャビティー39aと、キャビティー39aに
封止樹脂36を導くためのゲート溝39cが形成されて
いる。樹脂基板31はその四つ角に位置決め用の突起3
1aが形成されており、この突起31aがキャビティー
39aの四隅に係合している。そして図4に示す如く下
金型39の上面に上金型40が載置され、上金型40と
ゲート溝39cの間に形成されるゲート41を通してキ
ャビティー39a内に封止樹脂36が充填されている。
封止樹脂36は樹脂基板31の上面、側面及び下面を覆
うように流れ込むが、下面側はレジスト38によって流
れが規制され、樹脂基板31の外周部のみを覆うように
構成されている。更に封止樹脂36はスルーホール電極
34にも充填されているので、樹脂基板31とより強力
に密着している。
製造方法を説明する。図3は樹脂基板31を樹脂モール
ド用の下金型39へ入れた状態を示す平面図、図4は金
型へ封止樹脂を注入する状態を示す断面図である。図3
において、39はモールド用の下金型であり、封止形状
を決めるキャビティー39aと、キャビティー39aに
封止樹脂36を導くためのゲート溝39cが形成されて
いる。樹脂基板31はその四つ角に位置決め用の突起3
1aが形成されており、この突起31aがキャビティー
39aの四隅に係合している。そして図4に示す如く下
金型39の上面に上金型40が載置され、上金型40と
ゲート溝39cの間に形成されるゲート41を通してキ
ャビティー39a内に封止樹脂36が充填されている。
封止樹脂36は樹脂基板31の上面、側面及び下面を覆
うように流れ込むが、下面側はレジスト38によって流
れが規制され、樹脂基板31の外周部のみを覆うように
構成されている。更に封止樹脂36はスルーホール電極
34にも充填されているので、樹脂基板31とより強力
に密着している。
【0011】上記製造方法は本発明の第二実施の形態を
示すが、第一実施の形態はレジスト38の大きさが異な
るのみで、そのモールド方法は同じである。次に本発明に
よるPACの他の製造方法を説明する。前述の製造方法
では、PACを個々にモールドする方法を示したが、以
下に複数個のPACを同時にモールドする製造方法を説
明する。図5は複数個のICチップ35を搭載した短冊
状の樹脂基板31を示しており、ICチップ35の周囲
4辺にはそれぞれ穴31bが形成されている。この樹脂
基板31を金型にセットした状態を図6の断面図に示
す。図において39は下金型であり、キャビティー39
aと、突起39bが形成されている。下金型39のキャ
ビティー39aには樹脂基板31のICチップ35搭載
部分が収納されるとともに、穴31bが突起39bの外
側に係合する。そして樹脂基板31と突起39bの間に
は隙間43を形成する。
示すが、第一実施の形態はレジスト38の大きさが異な
るのみで、そのモールド方法は同じである。次に本発明に
よるPACの他の製造方法を説明する。前述の製造方法
では、PACを個々にモールドする方法を示したが、以
下に複数個のPACを同時にモールドする製造方法を説
明する。図5は複数個のICチップ35を搭載した短冊
状の樹脂基板31を示しており、ICチップ35の周囲
4辺にはそれぞれ穴31bが形成されている。この樹脂
基板31を金型にセットした状態を図6の断面図に示
す。図において39は下金型であり、キャビティー39
aと、突起39bが形成されている。下金型39のキャ
ビティー39aには樹脂基板31のICチップ35搭載
部分が収納されるとともに、穴31bが突起39bの外
側に係合する。そして樹脂基板31と突起39bの間に
は隙間43を形成する。
【0012】更に樹脂基板31の上にはキャビティープ
レート42が載置されている。図7に示す如く、キャビ
ティープレート42には、封止形状を決めるキャビティ
ー42aと、封止樹脂をキャビティー42aに導くため
のゲート溝42bと、位置決め穴42cが形成されてい
る。キャビティー42aは下型39のキャビティー39
aと同じ形状をしており、位置決めピン(図示せず)に
位置決め穴42cをセットしたときに両キャビティーが
一致するようになっている。そして最後に上金型45が
搭載されている。この状態でゲート溝42bから封止樹
脂36をキャビティー42a、39a内に充填すること
により、ICチップ35、樹脂基板31の上面、側面、
下面の外周部をモールドしている。前述の如く樹脂基板
31の下面にはレジスト38が形成されているので、レ
ジスト38の外周部により封止樹脂36の流れが規制さ
れ、不必要な封止樹脂36の流れを防止することができ
る。
レート42が載置されている。図7に示す如く、キャビ
ティープレート42には、封止形状を決めるキャビティ
ー42aと、封止樹脂をキャビティー42aに導くため
のゲート溝42bと、位置決め穴42cが形成されてい
る。キャビティー42aは下型39のキャビティー39
aと同じ形状をしており、位置決めピン(図示せず)に
位置決め穴42cをセットしたときに両キャビティーが
一致するようになっている。そして最後に上金型45が
搭載されている。この状態でゲート溝42bから封止樹
脂36をキャビティー42a、39a内に充填すること
により、ICチップ35、樹脂基板31の上面、側面、
下面の外周部をモールドしている。前述の如く樹脂基板
31の下面にはレジスト38が形成されているので、レ
ジスト38の外周部により封止樹脂36の流れが規制さ
れ、不必要な封止樹脂36の流れを防止することができ
る。
【0013】
【発明の効果】以上の説明で明らかな如く本発明によれ
ば、上面側にはICチップと接続するためのリード電極
を形成するとともに、下面側には複数の列を成して設け
られたコンタクト電極を形成し、上面側のリード電極と
下面側のコンタクト電極とをスルーホール電極を介して
接続した樹脂基板と、該樹脂基板の上面側に搭載したI
Cチップと、該ICチップを封止するとともに、前記樹
脂基板の上面側から前記スルーホール電極内に充填され
る封止樹脂と、前記コンタクト電極に形成したハンダ電
極とを有し、前記コンタクト電極は前記スルーホール電
極から離れた位置に設けており、前記樹脂基板の下面側
には前記スルーホール電極を覆うレジストを設けたの
で、ハンダ電極をリフロー時に溶融したハンダがスルー
ホール電極内に流れ込むことがない。それによりハンダ
電極の高さを一定に保つことができ、PACを他の回路
基板に実装するときの接続信頼性を向上できる。また樹
脂基板に対する封止樹脂の密着力を高めた樹脂封止型半
導体装置を提供できる。また複数のスルーホール電極に
封止樹脂を充填すれば、より密着力を高めることができ
る。さらに樹脂基板の裏面側には、スルーホール電極か
ら離れた位置にリード電極の一部分のみが露呈するよう
に、シート状のレジストが設けられ、スルーホール電極
はレジストで覆われるので、封止樹脂がスルーホール電
極から漏れ出すことがなく、外観品質を損うことがなく
なる。
ば、上面側にはICチップと接続するためのリード電極
を形成するとともに、下面側には複数の列を成して設け
られたコンタクト電極を形成し、上面側のリード電極と
下面側のコンタクト電極とをスルーホール電極を介して
接続した樹脂基板と、該樹脂基板の上面側に搭載したI
Cチップと、該ICチップを封止するとともに、前記樹
脂基板の上面側から前記スルーホール電極内に充填され
る封止樹脂と、前記コンタクト電極に形成したハンダ電
極とを有し、前記コンタクト電極は前記スルーホール電
極から離れた位置に設けており、前記樹脂基板の下面側
には前記スルーホール電極を覆うレジストを設けたの
で、ハンダ電極をリフロー時に溶融したハンダがスルー
ホール電極内に流れ込むことがない。それによりハンダ
電極の高さを一定に保つことができ、PACを他の回路
基板に実装するときの接続信頼性を向上できる。また樹
脂基板に対する封止樹脂の密着力を高めた樹脂封止型半
導体装置を提供できる。また複数のスルーホール電極に
封止樹脂を充填すれば、より密着力を高めることができ
る。さらに樹脂基板の裏面側には、スルーホール電極か
ら離れた位置にリード電極の一部分のみが露呈するよう
に、シート状のレジストが設けられ、スルーホール電極
はレジストで覆われるので、封止樹脂がスルーホール電
極から漏れ出すことがなく、外観品質を損うことがなく
なる。
【図1】本発明の第一実施の形態を示すPACの断面図
である。
である。
【図2】(a)は本発明の第二実施の形態を示すPAC
の平面図、(b)は図2(a)の要部断面図である。
の平面図、(b)は図2(a)の要部断面図である。
【図3】樹脂基板を下金型へ入れた状態を示す平面図で
ある。
ある。
【図4】金型へ封止樹脂を注入する状態を示す断面図で
ある。
ある。
【図5】短冊状の樹脂基板を示す平面図である。
【図6】図5の樹脂基板を金型にセットした状態を示す
断面図である。
断面図である。
【図7】キャビティープレートの外観図である。
【図8】従来のPGAを示す断面図である。
【図9】従来のPGAの製造方法を示す断面図である。
【図10】従来の樹脂基板の平面図である。
【図11】図10の断面図である。
【図12】図9の部分拡大図である。
【図13】従来の他の樹脂基板を示す平面図である。
【図14】図13の断面図である。
【図15】従来の他のPGAの製造方法を示す要部断面
図である。
図である。
31 樹脂基板、 32、33 リード電極 34 スルーホール電極 35 ICチップ 36 封止樹脂 37 コンタクト電極 38 レジスト
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H01L 23/28 H01L 23/12
Claims (1)
- 【請求項1】 上面側にはICチップと接続するための
リード電極を形成するとともに、下面側には複数の列を
成して設けられたコンタクト電極を形成し、上面側のリ
ード電極と下面側のコンタクト電極とをスルーホール電
極を介して接続した樹脂基板と、該樹脂基板の上面側に
搭載したICチップと、該ICチップを封止するととも
に、前記樹脂基板の上面側から前記スルーホール電極内
に充填される封止樹脂と、前記コンタクト電極に形成し
たハンダ電極とを有し、前記コンタクト電極は前記スル
ーホール電極から離れた位置に設けており、前記樹脂基
板の下面側には前記スルーホール電極を覆うレジストを
設けたことを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP19532997A JP3073467B2 (ja) | 1997-07-22 | 1997-07-22 | 樹脂封止型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP19532997A JP3073467B2 (ja) | 1997-07-22 | 1997-07-22 | 樹脂封止型半導体装置 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2197747A Division JPH0484452A (ja) | 1990-07-27 | 1990-07-27 | 樹脂封止型半導体装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH1065064A JPH1065064A (ja) | 1998-03-06 |
JP3073467B2 true JP3073467B2 (ja) | 2000-08-07 |
Family
ID=16339365
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP19532997A Expired - Lifetime JP3073467B2 (ja) | 1997-07-22 | 1997-07-22 | 樹脂封止型半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3073467B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001160597A (ja) * | 1999-11-30 | 2001-06-12 | Nec Corp | 半導体装置、配線基板及び半導体装置の製造方法 |
JP2013149674A (ja) * | 2012-01-17 | 2013-08-01 | Denso Corp | モールドパッケージおよびその製造方法 |
-
1997
- 1997-07-22 JP JP19532997A patent/JP3073467B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH1065064A (ja) | 1998-03-06 |
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