JP3070272B2 - 電子回路装置 - Google Patents
電子回路装置Info
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- JP3070272B2 JP3070272B2 JP4198498A JP19849892A JP3070272B2 JP 3070272 B2 JP3070272 B2 JP 3070272B2 JP 4198498 A JP4198498 A JP 4198498A JP 19849892 A JP19849892 A JP 19849892A JP 3070272 B2 JP3070272 B2 JP 3070272B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、電子回路装置に関し、
詳しくは樹脂封止ハイブリッドＩＣに関する。
詳しくは樹脂封止ハイブリッドＩＣに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の樹脂パッケージ型ハイブリッドＩ
Ｃは、リード取り出し構造によりＳＩＰタイプ及びＤＩ
Ｐタイプに分類されるが、樹脂封止モールドの場合、金
型又はケースに回路基板を予め挿入しておき、注型法、
浸漬法、トランスファ法などにより液状又は粉体状の熱
硬化性樹脂（例えばエポキシ樹脂やシリコーン樹脂）を
用いて封止している。
Ｃは、リード取り出し構造によりＳＩＰタイプ及びＤＩ
Ｐタイプに分類されるが、樹脂封止モールドの場合、金
型又はケースに回路基板を予め挿入しておき、注型法、
浸漬法、トランスファ法などにより液状又は粉体状の熱
硬化性樹脂（例えばエポキシ樹脂やシリコーン樹脂）を
用いて封止している。
【０００３】ＳＩＰタイプのハイブリッドＩＣの一例を
図５に示す。ケース１ａ内に回路基板２ａが収容され、
回路基板２ａには厚膜抵抗器Ｒ１、Ｒ２などの厚膜回路
素子あるいはフリップチップＩＣ等の組付回路素子が固
定される。ここで、通常、厚みのある組付回路素子は基
板の一方の主面に集められて搭載される（図においてＡ
面）。３ａはモールド樹脂部であり、ケース１ａ内に充
填されて回路素子の防湿並びに回路基板の固定を行って
いる。９ａは抵抗器Ｒ１、Ｒ２を保護する保護ガラスで
ある。
図５に示す。ケース１ａ内に回路基板２ａが収容され、
回路基板２ａには厚膜抵抗器Ｒ１、Ｒ２などの厚膜回路
素子あるいはフリップチップＩＣ等の組付回路素子が固
定される。ここで、通常、厚みのある組付回路素子は基
板の一方の主面に集められて搭載される（図においてＡ
面）。３ａはモールド樹脂部であり、ケース１ａ内に充
填されて回路素子の防湿並びに回路基板の固定を行って
いる。９ａは抵抗器Ｒ１、Ｒ２を保護する保護ガラスで
ある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記した
従来の樹脂パッケージ型ハイブリッドＩＣでは、主とし
て封止樹脂硬化時の収縮やその後の加熱・冷却による樹
脂の膨張・収縮する過程で、封止樹脂部３ａと回路基板
２ａとの間の収縮率や熱膨張率の差により両者間に応力
が発生し、この応力が回路基板２ａに固定された抵抗器
Ｒ１、Ｒ２に作用し、その結果、この抵抗器Ｒ１、Ｒ２
の抵抗値が、受承する応力に応じて変化してしまう欠点
があった。
従来の樹脂パッケージ型ハイブリッドＩＣでは、主とし
て封止樹脂硬化時の収縮やその後の加熱・冷却による樹
脂の膨張・収縮する過程で、封止樹脂部３ａと回路基板
２ａとの間の収縮率や熱膨張率の差により両者間に応力
が発生し、この応力が回路基板２ａに固定された抵抗器
Ｒ１、Ｒ２に作用し、その結果、この抵抗器Ｒ１、Ｒ２
の抵抗値が、受承する応力に応じて変化してしまう欠点
があった。
【０００５】本発明者らの試験、解析によれば、封止樹
脂部３ａの硬化時の収縮により回路基板２ａには圧縮応
力及び面直方向の曲げ応力が作用し、この曲げ応力によ
り抵抗器Ｒ１、Ｒ２に圧縮応力又は引張り応力が生じる
ことがわかった。上記曲げ応力は回路基板２ａ各部にお
いてばらつくので、回路基板２ａ上の固定位置によって
抵抗器Ｒ１、Ｒ２の抵抗値がばらつき、その結果、回路
の出力がばらつく。
脂部３ａの硬化時の収縮により回路基板２ａには圧縮応
力及び面直方向の曲げ応力が作用し、この曲げ応力によ
り抵抗器Ｒ１、Ｒ２に圧縮応力又は引張り応力が生じる
ことがわかった。上記曲げ応力は回路基板２ａ各部にお
いてばらつくので、回路基板２ａ上の固定位置によって
抵抗器Ｒ１、Ｒ２の抵抗値がばらつき、その結果、回路
の出力がばらつく。
【０００６】以下、試験結果を図６〜図９に基づいて説
明する。試験用の回路基板２０は、図６に示すように、
縦、横、厚さが１３ｍｍ×４７．５ｍｍ×０．８ｍｍの
寸法を有し、台座９０で回路基板２０の長手方向の両端
部を支持した。厚膜抵抗器Ｒは回路基板２０の短辺２１
から１５．３ｍｍの位置に固定され、回路基板２０の長
手方向中央を回路基板２０の長手方向と直角に向けて押
圧した。回路基板２０に加えられる応力と回路基板２０
に固定された厚膜抵抗器Ｒの抵抗値変化との関係を図７
に示す。図７から、押圧力（曲げ応力）と抵抗値の変化
とはほぼ直線関係にあり、この押圧力による回路基板２
０の湾曲により、厚膜抵抗器Ｒに圧縮応力が生じる場合
には抵抗減少、厚膜抵抗器Ｒに引張り応力が生じる場合
には抵抗増加が生じることがわかった。
明する。試験用の回路基板２０は、図６に示すように、
縦、横、厚さが１３ｍｍ×４７．５ｍｍ×０．８ｍｍの
寸法を有し、台座９０で回路基板２０の長手方向の両端
部を支持した。厚膜抵抗器Ｒは回路基板２０の短辺２１
から１５．３ｍｍの位置に固定され、回路基板２０の長
手方向中央を回路基板２０の長手方向と直角に向けて押
圧した。回路基板２０に加えられる応力と回路基板２０
に固定された厚膜抵抗器Ｒの抵抗値変化との関係を図７
に示す。図７から、押圧力（曲げ応力）と抵抗値の変化
とはほぼ直線関係にあり、この押圧力による回路基板２
０の湾曲により、厚膜抵抗器Ｒに圧縮応力が生じる場合
には抵抗減少、厚膜抵抗器Ｒに引張り応力が生じる場合
には抵抗増加が生じることがわかった。
【０００７】次に、図６の回路基板２０における反り量
（変位量）と抵抗値変化量との関係を調べた。その結果
を図８に示す。ただし、反り量は回路基板中央部の最大
変位量とした。図８から、回路基板２０の変位量（反り
量）と抵抗値変化量とがほぼ直線関係にあることがわか
る。なお、回路基板２０の両短辺２１、２２を支持して
中央部を押圧した場合、回路基板２０の変形により回路
基板２０の長手方向各部に作用する圧縮あるいは引張り
応力は図９に示すように、中央部が最大で両短辺２１、
２２でほぼ０となるように変化することがわかった。。
（変位量）と抵抗値変化量との関係を調べた。その結果
を図８に示す。ただし、反り量は回路基板中央部の最大
変位量とした。図８から、回路基板２０の変位量（反り
量）と抵抗値変化量とがほぼ直線関係にあることがわか
る。なお、回路基板２０の両短辺２１、２２を支持して
中央部を押圧した場合、回路基板２０の変形により回路
基板２０の長手方向各部に作用する圧縮あるいは引張り
応力は図９に示すように、中央部が最大で両短辺２１、
２２でほぼ０となるように変化することがわかった。。
【０００８】次に、厚膜抵抗器Ｒが上記位置に固定され
た回路基板２０を図５に示す位置にて実際にケ−ス１に
収容し、モールド樹脂部３ａで全面モールドした場合の
厚膜抵抗器Ｒの抵抗値変化を調べた。その結果、この厚
膜抵抗器Ｒの抵抗値変化率は室温状態で約−０．７％で
あった。また、従来のハイブリッドＩＣでは、回路基板
２ａの部品搭載面Ａが凹面となるように反ることもわか
った。この原因は、回路基板２ａの部品搭載面Ａには各
種の高さをもつ回路素子が固定されるので、それに合わ
せて回路素子搭載面Ａとそれに対面するケース１ａの内
面との間の寸法を確保する必要があり、その結果とし
て、部品搭載面Ａ側に充填されるモールド樹脂部はＢ面
側に充填されるモールド樹脂部よりも多くなるためと考
えられる。すなわち、厚く充填されたＡ面側のモールド
樹脂部の収縮量（収縮力）が薄く充填されたＢ面側のモ
ールド樹脂部の収縮量（収縮力）より大きいので、回路
基板２ａがＡ面を凹面とするように反るものと考えられ
る。
た回路基板２０を図５に示す位置にて実際にケ−ス１に
収容し、モールド樹脂部３ａで全面モールドした場合の
厚膜抵抗器Ｒの抵抗値変化を調べた。その結果、この厚
膜抵抗器Ｒの抵抗値変化率は室温状態で約−０．７％で
あった。また、従来のハイブリッドＩＣでは、回路基板
２ａの部品搭載面Ａが凹面となるように反ることもわか
った。この原因は、回路基板２ａの部品搭載面Ａには各
種の高さをもつ回路素子が固定されるので、それに合わ
せて回路素子搭載面Ａとそれに対面するケース１ａの内
面との間の寸法を確保する必要があり、その結果とし
て、部品搭載面Ａ側に充填されるモールド樹脂部はＢ面
側に充填されるモールド樹脂部よりも多くなるためと考
えられる。すなわち、厚く充填されたＡ面側のモールド
樹脂部の収縮量（収縮力）が薄く充填されたＢ面側のモ
ールド樹脂部の収縮量（収縮力）より大きいので、回路
基板２ａがＡ面を凹面とするように反るものと考えられ
る。
【０００９】上記の結果として、このような回路基板２
の反り（すなわち回路基板２の面直方向の曲げ応力）に
より、部品搭載面Ａ上に固定された厚膜抵抗器Ｒに圧縮
応力が加えられ、厚膜抵抗器Ｒの抵抗値が減少する。本
発明は、以上の問題点に鑑みなされたものであり、モー
ルド樹脂部と回路基板との間に生じる応力に起因する基
板一体形成型抵抗器（回路基板と一体に形成された抵抗
器）の抵抗値変動の低減を実現する電子回路装置を提供
することを、その目的としている。
の反り（すなわち回路基板２の面直方向の曲げ応力）に
より、部品搭載面Ａ上に固定された厚膜抵抗器Ｒに圧縮
応力が加えられ、厚膜抵抗器Ｒの抵抗値が減少する。本
発明は、以上の問題点に鑑みなされたものであり、モー
ルド樹脂部と回路基板との間に生じる応力に起因する基
板一体形成型抵抗器（回路基板と一体に形成された抵抗
器）の抵抗値変動の低減を実現する電子回路装置を提供
することを、その目的としている。
【００１０】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の本発明の
電子回路装置は、底面開口のケースと、表主面側にチッ
プ素子が搭載され前記ケース内に収容される回路基板
と、前記ケース内に充填され前記回路基板全面を被覆す
るモールド樹脂部と、一端が前記回路基板に固定され他
端が前記モールド樹脂部を貫通して外部に突出するリー
ドと、前記ケースの内面に配設されて前記回路基板の端
部を保持する基板嵌入溝と、前記回路基板と一体に形成
された基板一体形成型抵抗器とを備え、前記基板嵌入溝
は前記ケースの厚さ方向の中心部に形成されることを特
徴としている。請求項２記載の構成は請求項１記載の電
子回路装置において更に、前記基板一体形成型抵抗器は
前記回路基板に少なくとも一対形成され、前記一対の基
板一体形成型抵抗器は、オペアンプの出力端と−入力端
とを接続するフィードバック抵抗素子と、一端が前記オ
ペアンプの入力端に接続される入力抵抗素子とを構成す
ることを特徴としている。
電子回路装置は、底面開口のケースと、表主面側にチッ
プ素子が搭載され前記ケース内に収容される回路基板
と、前記ケース内に充填され前記回路基板全面を被覆す
るモールド樹脂部と、一端が前記回路基板に固定され他
端が前記モールド樹脂部を貫通して外部に突出するリー
ドと、前記ケースの内面に配設されて前記回路基板の端
部を保持する基板嵌入溝と、前記回路基板と一体に形成
された基板一体形成型抵抗器とを備え、前記基板嵌入溝
は前記ケースの厚さ方向の中心部に形成されることを特
徴としている。請求項２記載の構成は請求項１記載の電
子回路装置において更に、前記基板一体形成型抵抗器は
前記回路基板に少なくとも一対形成され、前記一対の基
板一体形成型抵抗器は、オペアンプの出力端と−入力端
とを接続するフィードバック抵抗素子と、一端が前記オ
ペアンプの入力端に接続される入力抵抗素子とを構成す
ることを特徴としている。
【００１１】本発明でいう基板一体形成型抵抗器とし
て、印刷後、焼成して形成した厚膜抵抗体の他、各種Ｐ
ＶＤ法やＣＶＤ法で形成された薄膜抵抗体を採用するこ
とができる。これら抵抗器は、回路基板上に直接、一体
に形成される。
て、印刷後、焼成して形成した厚膜抵抗体の他、各種Ｐ
ＶＤ法やＣＶＤ法で形成された薄膜抵抗体を採用するこ
とができる。これら抵抗器は、回路基板上に直接、一体
に形成される。
【００１２】
【作用及び発明の効果】本発明では、回路基板がケース
内に挿入され、回路基板の端部が基板ガイド体の基板嵌
入溝に嵌入、保持された状態で、モールド樹脂部がケー
ス内に充填され、回路基板全面を被覆する。モールド樹
脂部の硬化、収縮により回路基板に圧縮応力が生じる
が、回路基板は基板嵌入溝の案内によりケースの厚さ方
向中心部に保持されている。したがって、回路基板の非
部品搭載面側にも従来より多量のモールド樹脂部を充填
でき、その結果、部品搭載面側のモールド樹脂部と非部
品搭載面側のモールド樹脂部がほぼ等量となって、回路
基板の上記両面に作用する圧縮応力がほぼ等しくなり、
その結果、回路基板に曲げ応力が発生せず、回路基板の
反りにより回路基板上に固定された基板一体形成型抵抗
器の抵抗値が変動しない。
内に挿入され、回路基板の端部が基板ガイド体の基板嵌
入溝に嵌入、保持された状態で、モールド樹脂部がケー
ス内に充填され、回路基板全面を被覆する。モールド樹
脂部の硬化、収縮により回路基板に圧縮応力が生じる
が、回路基板は基板嵌入溝の案内によりケースの厚さ方
向中心部に保持されている。したがって、回路基板の非
部品搭載面側にも従来より多量のモールド樹脂部を充填
でき、その結果、部品搭載面側のモールド樹脂部と非部
品搭載面側のモールド樹脂部がほぼ等量となって、回路
基板の上記両面に作用する圧縮応力がほぼ等しくなり、
その結果、回路基板に曲げ応力が発生せず、回路基板の
反りにより回路基板上に固定された基板一体形成型抵抗
器の抵抗値が変動しない。
【００１３】
【実施例】（実施例１） 本発明の電子回路装置の一実施例を図１〜図３に示す。
この電子回路装置はハイブリッドＩＣであって、ケ−ス
１と、ケ−ス１内に収容された回路基板２と、ケ−ス１
内に充填されたモールド樹脂部３と、一端が回路基板２
に固定され他端がモールド樹脂部３を貫通して外部に突
出するリード４と、ケース１の内面に配設されて回路基
板２の端部を保持する基板嵌入溝１２と、回路基板２と
一体に形成された基板一体形成型抵抗器Ｒ１、Ｒ２とを
備えている。なお、図１では回路基板２の主面上のモー
ルド樹脂部３は剥離して図示している。
この電子回路装置はハイブリッドＩＣであって、ケ−ス
１と、ケ−ス１内に収容された回路基板２と、ケ−ス１
内に充填されたモールド樹脂部３と、一端が回路基板２
に固定され他端がモールド樹脂部３を貫通して外部に突
出するリード４と、ケース１の内面に配設されて回路基
板２の端部を保持する基板嵌入溝１２と、回路基板２と
一体に形成された基板一体形成型抵抗器Ｒ１、Ｒ２とを
備えている。なお、図１では回路基板２の主面上のモー
ルド樹脂部３は剥離して図示している。
【００１４】ケ−ス１は、縦、横、高さが５０ｍｍ×６
ｍｍ×１８ｍｍの直方中空体形状を有し、底面が開口さ
れている。ケ−ス１の壁厚は約１ｍｍで、ＰＢＴ樹脂の
射出成形により形成されている。ケ−ス１の長手方向両
端に位置する両内端面には、ガイド凹部１１（図３参
照）がそれぞれ凹設されている。ガイド凹部１１は縦、
横、高さが１ｍｍ×１．２ｍｍ×１１ｍｍとされ、一対
のガイド凹部１１は回路基板２の端部が嵌入される基板
嵌入溝１２となっている。
ｍｍ×１８ｍｍの直方中空体形状を有し、底面が開口さ
れている。ケ−ス１の壁厚は約１ｍｍで、ＰＢＴ樹脂の
射出成形により形成されている。ケ−ス１の長手方向両
端に位置する両内端面には、ガイド凹部１１（図３参
照）がそれぞれ凹設されている。ガイド凹部１１は縦、
横、高さが１ｍｍ×１．２ｍｍ×１１ｍｍとされ、一対
のガイド凹部１１は回路基板２の端部が嵌入される基板
嵌入溝１２となっている。
【００１５】この実施例で重要な点は、回路基板２の主
面（部品搭載面Ａ、非部品搭載面Ｂ）に対面するケース
１の主内面は、互いに同形の平面であり、かつ、この基
板嵌入溝１２がケース１の内部においてその厚さ方向の
中心位置に形成されていることである。その結果、回路
基板２はケース１の内部空間の厚さ方向中央に保持され
ることとなる。
面（部品搭載面Ａ、非部品搭載面Ｂ）に対面するケース
１の主内面は、互いに同形の平面であり、かつ、この基
板嵌入溝１２がケース１の内部においてその厚さ方向の
中心位置に形成されていることである。その結果、回路
基板２はケース１の内部空間の厚さ方向中央に保持され
ることとなる。
【００１６】回路基板２はアルミナを素材とする単層も
しくは多層基板であって、回路基板２の両短辺２１、２
２はそれぞれガイド凹部１１に嵌入されて保持されてい
る。回路基板２の寸法は、縦、横、厚さ１３ｍｍ×４
７．５ｍｍ×０．８ｍｍであり、その線膨張率は約７．
５×１０-6／℃である。回路基板２には単層もしくは多
層の配線パタン（図示せず）が形成されている。回路基
板２の部品搭載面Ａに回路基板２の短辺２１に近接して
基板一体形成型抵抗器Ｒ１〜Ｒ２が固定され、基板一体
形成型抵抗器Ｒ１、Ｒ２上に保護ガラス９が被着されて
いる。
しくは多層基板であって、回路基板２の両短辺２１、２
２はそれぞれガイド凹部１１に嵌入されて保持されてい
る。回路基板２の寸法は、縦、横、厚さ１３ｍｍ×４
７．５ｍｍ×０．８ｍｍであり、その線膨張率は約７．
５×１０-6／℃である。回路基板２には単層もしくは多
層の配線パタン（図示せず）が形成されている。回路基
板２の部品搭載面Ａに回路基板２の短辺２１に近接して
基板一体形成型抵抗器Ｒ１〜Ｒ２が固定され、基板一体
形成型抵抗器Ｒ１、Ｒ２上に保護ガラス９が被着されて
いる。
【００１７】基板一体形成型抵抗器Ｒ１、Ｒ２は、縦、
横、厚さが１．５ｍｍ×０．８５ｍｍ×１０μｍの長方
形の膜からなる。基板一体形成型抵抗器Ｒ１、Ｒ２は図
２に示すように、ＲｕＯ2 素材からなる厚膜導体ペース
トのスクリーン印刷技術により形成され、焼成された厚
膜抵抗体であって、それらの両端はＡｇ系を素材とする
厚さ約１０μｍの配線層５に接続されている。保護ガラ
ス９は厚膜ガラスペーストを焼成後で約１０μｍの厚さ
になるように印刷し、摂氏約５００度で約１時間加熱焼
成して形成した。
横、厚さが１．５ｍｍ×０．８５ｍｍ×１０μｍの長方
形の膜からなる。基板一体形成型抵抗器Ｒ１、Ｒ２は図
２に示すように、ＲｕＯ2 素材からなる厚膜導体ペース
トのスクリーン印刷技術により形成され、焼成された厚
膜抵抗体であって、それらの両端はＡｇ系を素材とする
厚さ約１０μｍの配線層５に接続されている。保護ガラ
ス９は厚膜ガラスペーストを焼成後で約１０μｍの厚さ
になるように印刷し、摂氏約５００度で約１時間加熱焼
成して形成した。
【００１８】モールド樹脂部３は、ケ−ス１内へ回路基
板２を挿入後、液状エポキシ樹脂エコゲル（日本ペルノ
ックスＫＫ製）をケ−ス１内に注入し、摂氏１２５度で
２時間熱硬化させ、冷却して形成される。このエポキシ
樹脂の体積収縮率は約９６％、線膨張率は約５１×１０
-6／℃である。上記した回路基板２上の回路は、図４に
示すようにモノリシックのオペアンプＯＰと、基板一体
形成型抵抗器Ｒ１〜Ｒ２をもつ初段センスアンプを構成
し、このオペアンプ増幅回路の電圧増幅率ｋは、基板一
体形成型抵抗器Ｒ１〜Ｒ２により決定される。
板２を挿入後、液状エポキシ樹脂エコゲル（日本ペルノ
ックスＫＫ製）をケ−ス１内に注入し、摂氏１２５度で
２時間熱硬化させ、冷却して形成される。このエポキシ
樹脂の体積収縮率は約９６％、線膨張率は約５１×１０
-6／℃である。上記した回路基板２上の回路は、図４に
示すようにモノリシックのオペアンプＯＰと、基板一体
形成型抵抗器Ｒ１〜Ｒ２をもつ初段センスアンプを構成
し、このオペアンプ増幅回路の電圧増幅率ｋは、基板一
体形成型抵抗器Ｒ１〜Ｒ２により決定される。
【００１９】以下、本実施例の特徴点を説明する。上記
したようにこの実施例では、基板嵌入溝１２に嵌入され
ることにより、回路基板１がケース１内の内部空間の上
記厚さ方向中心位置に固定される。その結果、部品搭載
面Ａ側のモールド樹脂部３１の量と、非部品搭載面Ｂ側
のモールド樹脂部３２の量とがほぼ等しくなり、その結
果としてモールド樹脂部３１からＡ面に作用する圧縮応
力と、モールド樹脂部３２からＢ面に作用する圧縮応力
とがほぼ等しくなり、これにより回路基板２の反りが防
止され、この反りにより主に生じる基板一体形成型抵抗
器Ｒ１、Ｒ２の変化を防止することができる。
したようにこの実施例では、基板嵌入溝１２に嵌入され
ることにより、回路基板１がケース１内の内部空間の上
記厚さ方向中心位置に固定される。その結果、部品搭載
面Ａ側のモールド樹脂部３１の量と、非部品搭載面Ｂ側
のモールド樹脂部３２の量とがほぼ等しくなり、その結
果としてモールド樹脂部３１からＡ面に作用する圧縮応
力と、モールド樹脂部３２からＢ面に作用する圧縮応力
とがほぼ等しくなり、これにより回路基板２の反りが防
止され、この反りにより主に生じる基板一体形成型抵抗
器Ｒ１、Ｒ２の変化を防止することができる。
【００２０】なお、部品搭載面Ａ側のモールド樹脂部３
１の充填量は、部品搭載面ＡにチップＯＰや抵抗器Ｒ
１、Ｒ２が固定される分だけ多少、減少し、その結果、
回路基板２は非部品搭載面Ｂを凹とする側に反ろうとす
るが、実際には、基板一体形成型抵抗器Ｒ１、Ｒ２など
の体積は僅かであり、逆に部品搭載面Ａには上記回路素
子の固定により回路素子に働く曲げ応力だけ回路基板２
を部品搭載面Ａを凹とする方向へ反らせる力が増加する
ので、両力が相殺しあう。
１の充填量は、部品搭載面ＡにチップＯＰや抵抗器Ｒ
１、Ｒ２が固定される分だけ多少、減少し、その結果、
回路基板２は非部品搭載面Ｂを凹とする側に反ろうとす
るが、実際には、基板一体形成型抵抗器Ｒ１、Ｒ２など
の体積は僅かであり、逆に部品搭載面Ａには上記回路素
子の固定により回路素子に働く曲げ応力だけ回路基板２
を部品搭載面Ａを凹とする方向へ反らせる力が増加する
ので、両力が相殺しあう。
【００２１】以上の結果として、このオペアンプ電圧増
幅回路からなる初段センスアンプの電圧増幅率のばらつ
きを大幅に低減することができた。通常、微小な入力信
号電圧又は信号電流を増幅する初段センスアンプの電圧
増幅率はより大きな信号電圧を扱うその後の回路段に比
べて格段に高い安定度が要求されるが、本実施例によれ
ば電圧増幅率のばらつきを大幅に低減でき、このような
初段センスアンプに好適である。
幅回路からなる初段センスアンプの電圧増幅率のばらつ
きを大幅に低減することができた。通常、微小な入力信
号電圧又は信号電流を増幅する初段センスアンプの電圧
増幅率はより大きな信号電圧を扱うその後の回路段に比
べて格段に高い安定度が要求されるが、本実施例によれ
ば電圧増幅率のばらつきを大幅に低減でき、このような
初段センスアンプに好適である。
【００２２】（変形態様）上記実施例において、回路基
板２の表面にシリコンゲルを塗布したのち、ケース１内
に収容することはより効果がある。なお、塗布の場合
は、エポキシ樹脂の量が、Ａ、Ｂ両面で等しくなるよう
に回路基板２の両主面Ａ、Ｂの両面に等しい厚さで塗布
することが好ましい。
板２の表面にシリコンゲルを塗布したのち、ケース１内
に収容することはより効果がある。なお、塗布の場合
は、エポキシ樹脂の量が、Ａ、Ｂ両面で等しくなるよう
に回路基板２の両主面Ａ、Ｂの両面に等しい厚さで塗布
することが好ましい。
【図１】実施例１を示す断面図、
【図２】実施例１を示す断面図、
【図３】実施例１を示す断面図、
【図４】実施例１の装置の一部等価回路図、
【図５】従来のハイブリッドＩＣの断面図、
【図６】回路基板への曲げ力と基板一体形成型抵抗器の
抵抗値変化率との関係を試験するための試験装置を示す
模式図、
抵抗値変化率との関係を試験するための試験装置を示す
模式図、
【図７】図６の試験装置による試験結果を示す特性図、
【図８】回路基板への変位量（厚さ方向）と基板一体形
成型抵抗器の抵抗値変化量との関係を示す特性図、
成型抵抗器の抵抗値変化量との関係を示す特性図、
【図９】回路基板の湾曲に伴い抵抗器に加わる応力の回
路基板の長手方向への変化を示す特性図、
路基板の長手方向への変化を示す特性図、
１はケース、２は回路基板、３はモールド樹脂部、４は
リード、Ｒ１、Ｒ２は基板一体形成型抵抗器、１１はガ
イド凹部、１２は基板嵌入溝
リード、Ｒ１、Ｒ２は基板一体形成型抵抗器、１１はガ
イド凹部、１２は基板嵌入溝
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 長坂 崇 愛知県刈谷市昭和町１丁目１番地 日本 電装株式会社内 (72)発明者 加藤 暁子 愛知県刈谷市昭和町１丁目１番地 日本 電装株式会社内 (56)参考文献 実開 昭62−120358（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 23/28 H05K 1/16
Claims (2)
- 【請求項１】底面開口のケースと、表主面側にチップ素
子が搭載され前記ケース内に収容される回路基板と、前
記ケース内に充填され前記回路基板全面を被覆するモー
ルド樹脂部と、一端が前記回路基板に固定され他端が前
記モールド樹脂部を貫通して外部に突出するリードと、
前記ケースの内面に配設されて前記回路基板の端部を保
持する基板嵌入溝と、前記回路基板と一体に形成された
基板一体形成型抵抗器とを備え、前記基板嵌入溝は前記
ケースの厚さ方向の中心部に形成されることを特徴とす
る電子回路装置。 - 【請求項２】請求項１記載の電子回路装置において、前
記基板一体形成型抵抗器は前記回路基板に少なくとも一
対形成され、前記一対の基板一体形成型抵抗器は、オペ
アンプの出力端と−入力端とを接続するフィードバック
抵抗素子と、一端が前記オペアンプの入力端に接続され
る入力抵抗素子とを構成することを特徴とする電子回路
装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4198498A JP3070272B2 (ja) | 1992-07-24 | 1992-07-24 | 電子回路装置 |
| US08/091,718 US5483217A (en) | 1992-07-15 | 1993-07-15 | Electronic circuit device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4198498A JP3070272B2 (ja) | 1992-07-24 | 1992-07-24 | 電子回路装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0645478A JPH0645478A (ja) | 1994-02-18 |
| JP3070272B2 true JP3070272B2 (ja) | 2000-07-31 |
Family
ID=16392132
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4198498A Expired - Fee Related JP3070272B2 (ja) | 1992-07-15 | 1992-07-24 | 電子回路装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3070272B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010071724A (ja) * | 2008-09-17 | 2010-04-02 | Mitsubishi Electric Corp | 樹脂モールド半導体センサ及び製造方法 |
| JP5147929B2 (ja) * | 2010-11-24 | 2013-02-20 | 株式会社オートネットワーク技術研究所 | スイッチングユニット |
| CN102653703B (zh) * | 2011-03-01 | 2013-07-17 | 湖北中烟工业有限责任公司 | 一种改善中草药提取物对卷烟口感影响的表香香精 |
-
1992
- 1992-07-24 JP JP4198498A patent/JP3070272B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0645478A (ja) | 1994-02-18 |
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