JP3054388B2 - 配線基板の製造方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、樹脂絶縁層を介し
て形成される配線パターンと樹脂絶縁層を貫通し複数の
配線パターン間を導通するビアとを有する配線基板の製
造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】一般に、配線パターン間に樹脂絶縁層を
介在させた多層配線基板４０は、図６(Ａ)に示すよう
に、コア基板４１の上面に形成した下層配線パターン４
２の上方に所定厚さの感光性樹脂ペーストを塗布し乾燥
させ樹脂絶縁層４４を形成する。この樹脂絶縁層４４に
対し、図６(Ｂ)に示すように、露光と現像、又はレーザ
加工を行って下層配線パターン４２の上面を露出させる
ビアホール４６を形成した後、樹脂絶縁層４４の上面に
無電解銅メッキ及び電解銅メッキと露光・現像等により
上層配線パターン５２を形成する。同時に、上記ビアホ
ール４６内には上・下層配線パターン５２，４２間を導
通するビア４８が形成される。

【０００３】

【発明が解決すべき課題】ところで、上記ビアホール４
６を形成する際の現像工程においては、現像液によって
溶け出した樹脂が形成途中のビアホール４６の底部に溜
まることがある。この溶け出した樹脂がビアホール４６
の底部に溜まると、形成途中のビアホール４６の底部に
新たな現像液が供給されにくくなり、該底部から深さ方
向への現像が阻害される。この結果、図６(Ｃ)に示すよ
うに、ビアホール４６の孔明け不足によりビア４８の底
面と下層配線パターン４２の上面との間に樹脂片４５が
残る場合がある。係る樹脂片４５を除去するために、現
像時間を長くする方法も考えられるが、溶け出した樹脂
がビアホール４６の底部に溜まった状態では、やはり深
さ方向への現像は難しく、却ってビアホール４６の径が
大きくなり過ぎてしまうという問題もあった。

【０００４】また、現像時間が長くなると、ビアホール
４６の周囲における樹脂絶縁層４４が膨潤化して、ビア
ホール４６の形状にばらつきが生じるという問題もあっ
た。更に、両面に樹脂絶縁層４４を有する多層配線基板
４０を水平に保持した状態で上下両面に同時に現像を行
う場合、下面側は樹脂溜りが少なく深さ方向への現像が
容易であるのに対し、上面側は樹脂溜りが生じ易く深さ
方向への現像が困難となる。このため、上下面の樹脂絶
縁層４４間で現像速度に差が生じる。この現像速度の相
違により、上面側のビアホール４６には図６(Ｃ)のよう
な孔明け不足が生じ易く、下面側のビアホール４６には
図６(Ｄ)に示すような過剰現像が生じ易い。この過剰現
像により略円柱状で下部が斜めに広がる形状のビアホー
ル４６が形成されると、上記銅メッキの付き周り不良が
生じ、ビア４８の底部に狭隘部５０を形成する場合があ
る。これらの樹脂片４５が残ったり狭隘部５０がある
と、ビア４８による上・下層配線パターン５２，４２間
の導通が不安定になり、立体回路が形成されない場合を
生じることがある。

【０００５】係る導通不良を防ぐため、上記ビアホール
４６を形成した樹脂絶縁層４４の上面を厚さ約５μｍ程
研磨・除去して平坦化した後、該樹脂絶縁層４４の表面
にアルカリ・過マンガン酸カリウム等のエッチング液を
接触して、樹脂絶縁層４４の表面を粗化していた。その
後、この粗化された樹脂絶縁層４４の表面に、Ｓｎ／Ｐ
ｄコロイドタイプのメッキ触媒核(図示せず)を吸着さ
せ、前記無電解銅メッキ等により上層配線パターン５２
を形成していた。この方法では、樹脂絶縁層４４の上面
が研磨により平坦化されているので、前記ビアホール４
６を形成する際の現像のばらつきによるビア４８の前記
形状不良を若干低減できるが、未だ不十分で安定性を欠
いている。

【０００６】また、前記エッチング液により、樹脂片４
５を除去する方法も考えられるが、樹脂片４５を除去す
るエッチングの際に、樹脂絶縁層４４の上面が過剰に粗
化され、その上面に形成される上層配線パターン５２と
樹脂絶縁層４４との密着強度が低下するという問題もあ
った。更に、レーザを強く照射してビアホール４６内に
樹脂片４５が残らないようにする方法も考えられるが、
レーザ照射が過剰になると前記図６(Ｄ)に示した狭隘部
５０が不用意にビア４８に形成されてしまうという問題
があった。

【０００７】本発明は、以上の従来の技術における問題
点を解決し、ビア底部における樹脂残りや形状不良をな
くし、ビアの形状を正確にして上・下層配線パターン間
の導通を確実にすると共に、比較的微細なビアホールと
ビアの形成を可能にした多層配線基板の製造方法を提供
することを目的とする。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明は、上記課題を解
決するため、下層配線パターンの上に形成される樹脂絶
縁層に対し正確なビアホールを形成すべく、露光後の現
像工程を洗浄及び乾燥工程により一旦中断し、再度現像
を行うことに着想して成されたものである。即ち、本発
明の配線基板の製造方法は、下層配線パターンの上に樹
脂絶縁層を形成する工程と、上記樹脂絶縁層に対し露光
と現像を行い、該樹脂絶縁層にビアホールを形成する工
程と、を含む多層配線パターンを形成することが予定さ
れている配線基板の製造方法であって、上記現像工程を
複数回に分け、且つその間において上記樹脂絶縁層を洗
浄した後に乾燥する工程を含むことを特徴とする。

【０００９】この方法によれば、上記乾燥工程の直前に
配線基板を洗浄を行うことにより、ビアホールの直径が
１００μｍ以下の微細なものでも、形成途中のビアホー
ル内における剥離状態の樹脂片をビアホールの外へ除去
できるので、ビアホール内の深さ方向への現像が阻害さ
れなくなる。従って、直径が例えば９０μｍ以下の微細
なビアホールの形成が可能になる。しかも、途中の乾燥
工程によってその直前の現像が停止されるか、現像速度
が遅くなるので、ビアホールの径のばらつきを極力抑え
ることができ、ビアの径を制御し易くなる。その後、例
えば基板の姿勢等を変えて次の現像工程を行える為、樹
脂残りや形状不良がなく、形状及びサイズとも所要のビ
アホールを確実に形成できる。従って、ビアホール内に
追って形成されるビアにより、下層配線パターンと追っ
て形成される上層配線パターンとを確実に導通させるこ
とができる。

【００１０】また、３回以上に分けた現像工程につい
て、最初の現像工程以外の各現像工程ごとに洗浄と乾燥
工程を含めた方法とすることも可能である。これによっ
ても、ビアホールの径のばらつきを抑えることができ、
所要のビアホールの形成が更に確実になる。尚、上記乾
燥工程が、前記樹脂絶縁層を約８０〜１５０℃に数分〜
数１０分間加熱保持する製造方法ともできる。これによ
れば、ビアホール内の現像の進行を確実に停止でき、且
つ次の現像工程でビアホール内を所要の形状に形成し得
る。また、上記ビアホールを形成した後、前記樹脂絶縁
層の上に上層配線パターンを形成し、且つ前記ビアホー
ル内にビアを形成する工程、を含む多層配線パターンを
有する配線基板の製造方法も含まれる。これによれば、
上・下層配線パターンがビアを介して確実に導通した立
体回路を有する多層配線基板を提供することができる。

【００１１】更に、前記露光と現像が、ネガ型により行
われる配線基板の製造方法も含む。一般にポジ型のレジ
ストでは、感光した樹脂部分が現像で流れ落ちる。これ
は、光を当てることで、光が当っていない部分(未感光
部分)よりも光が当った部分（感光部分）の方が早く溶
け出すという時間差を利用して現像する方法である。従
って、現像時間を長くすれば、未感光部分も溶け出して
レジストが薄くなる。これに対して、ネガ型では未感光
部分が溶けて、感光部分は光硬化するためレジストの溶
け出し(膜減り)が少ないという利点がある。これによれ
ば、前記樹脂絶縁層における露光からマスクされた未感
光部分に所要形状のビアホールを正確且つ容易に形成す
ることができる。

【００１２】また、前記複数回の現像工程は、配線基板
を略水平に保持した状態で行い、該複数回の現像工程の
うち最初又は中間の現像の後に、略水平に保持された前
記配線基板の上下面を上下反転させた後、次の現像を行
う配線基板の製造方法も含まれる。これによれば、上下
両面での現像速度差から生じるビアホールの形状不良や
形状のばらつきを解消できるので、配線基板の上下両面
の樹脂絶縁層に対し、所要形状を有するビアホールを均
一且つ同時に形成することが可能となる。

【００１３】更に、前記下層配線パターンと樹脂絶縁層
とを略水平に保持された前記配線基板の下面側に位置さ
せた状態で、前記現像工程を行う配線基板の製造方法も
含まれる。これによれば、正確な形状と寸法を有するビ
アホールを同じ樹脂絶縁層に対し所望数同時に形成する
ことができる。尚、この方法で配線基板の上下両面の樹
脂絶縁層にそれぞれビアホールを形成する場合、洗浄及
び乾燥工程を挟んで各現像工程を、基板の上下面を順次
上下反転させることにより行う。

【００１４】

【実施の形態】以下において本発明の実施に好適な形態
を図面と共に説明する。図１は多層配線基板の製造方法
の概略を示す各工程の断面図に関する。図１(Ａ)に示す
ように、厚さ０．８ｍｍのガラス−ＢＴ(ビスマレイミ
ド・トリアジン)樹脂の複合材からなるコア基板１の上下
両面には、厚さ２８μｍの銅からなる下層配線パターン
４が形成されている。また、コア基板１には直径３００
μｍのスルーホール２がドリル加工により多数穿孔さ
れ、各スルーホール２内には円筒形でその周壁の厚さが
１５μｍの導通部３が形成されている。この導通部３
は、コア基板１の両面における下層配線パターン４同士
を導通させる役割を果たす。尚、各導通部３の中空部内
には図示しない熱硬化性樹脂が充填される。

【００１５】係るコア基板１及び下層配線パターン４
は、以下のようにして形成される。先ず、コア基板１の
上下両面に厚さ約１２μｍの銅箔が貼付けられる。得ら
れた銅貼り積層板に、ドリル加工を行い多数のスルーホ
ール２を穿孔する。次いで、この積層板の上下両面及び
スルーホール２内にＰｄ触媒核を付着させ、その後に無
電解メッキ及び電解メッキを施し、各表面で銅の厚さが
約２８μｍとなるようにする。更に、この銅の上にレジ
ストを塗布し、露光と現像を施した後、不要部分をエッ
チングにて除去することにより、上記下層配線パターン
４が形成される。

【００１６】次に、図１(Ｂ)に示すように、下層配線パ
ターン４の上方に厚さ５５μｍの感光性を有するエポキ
シ系の樹脂絶縁層６が全面に形成される。この樹脂絶縁
層６の所定の位置に露光と現像を行い、略円錐形のビア
ホール７が形成される。このビアホール７の底部には、
下層配線パターン４の上面が露出する。係るビアホール
７を形成する上記現像の方法によっては、前述した樹脂
残りが生じたり、ビアホール７自体に形状不良が生じ得
る。このため、ビアホール７を含む樹脂絶縁層６の表面
に対し、複数回の現像とその間における洗浄及び乾燥が
施される。これについては、追って図２にもとづき詳し
く説明する。

【００１７】次に、ビアホール７を含む樹脂絶縁層６の
表面全体を過マンガン酸カリウム溶液(４５ｇ／リットル)で
粗化し、次に下層配線パターン４の上面を硫酸−過酸化
水素系エッチング液(奥野製薬製；商品名ＯＰＣ−４０
０)でソフトエッチングした。これらは何れも次述する
無電解メッキ層との密着性を向上させる為に施される。
次いで、Ｓｎ−Ｐｄコロイド溶液(奥野製薬製；商品名
ＯＰＣ−８０)に浸漬してＰｄ触媒核を吸着させ、無電
解Ｃｕメッキ液(奥野製薬製;商品名ビルドカッパー）に
より、図１(Ｃ)に示すように、ビアホール７を含む樹脂
絶縁層６の表面全体に無電解メッキ層８を形成する。

【００１８】更に、係る無電解メッキ層８の上面全体に
水溶性ドライフィルムの感光性樹脂を貼着して、露光と
現像を行うと、図１(Ｄ)に示すように、所定のパターン
のメッキレジスト(樹脂パターン)１０が形成される。次
に、係るメッキレジスト１０が形成された無電解メッキ
層８に対し硫酸系電解銅メッキを施すと、図１(Ｅ)に示
すように、上記メッキレジスト１０で覆われていない無
電解メッキ層８の上面に厚さ１５μｍの電解メッキ層１
４が形成される。同時に、ビアホール７内の上記無電解
メッキ層８の基部９上にも同様の厚さの電解メッキ層１
４が形成される。

【００１９】その後、上記メッキレジスト１０をＮａＯ
Ｈ水溶液に接触させることにより剥離し、更に過硫酸塩
系エッチング液(荏原ユージライト製；商品名ＰＢ−２
２８)により、露出した無電解メッキ層８を除去して、
電解メッキ層１４とその下部の無電解メッキ層８とから
なる上層配線パターン１５及びビア１２を形成させる。
この状態を図１(Ｆ)に示す。これにより、上・下層配線
パターン１５，４がビア１２によって導通された立体回
路が形成される。更に、図１(Ｇ)に示すように、前記樹
脂絶縁層６及び上層配線パターン１５の上面全体に厚さ
５５μｍの樹脂絶縁層１６が形成され、前記同様に露光
と複数回の現像及びその間の洗浄及び乾燥を行って、該
樹脂絶縁層１６の所定の位置にビアホール１７が形成さ
れる。

【００２０】上記樹脂絶縁層１６の上面に前記同様の図
示しない無電解メッキ層とメッキレジストが形成され、
これらに対し硫酸系電解銅メッキを施すと、上記メッキ
レジストのない無電解メッキ層の上面に厚さ１５μｍの
最上層配線パターン２０が形成され、同時にビアホール
１７内には上記同様のビア１８が形成される。これによ
り、図１(Ｇ)のように、下層・上層・最上層配線パター
ン４，１５，２０とこれらを導通するビア１２，１８か
らなる立体回路が形成される。そして、図１(Ｈ)に示す
ように、上記樹脂絶縁層１６及び最上層配線パターン２
０の上面全体に感光性のエポキシ変性樹脂からなるソル
ダーレジスト２２を形成し、露光と現像を行って最上層
配線パターン２０の上面に開口部２４を形成する。この
開口部２４内に露出する最上層配線パターン２０の上面
に、無電解メッキによりＮｉ(Ｎｉ−Ｐ)メッキ層及びＡ
ｕメッキ層からなるパッド２６を形成して、多層配線基
板２８を得た。尚、最上層配線パターン２０は上下方向
における相対的な名称で、仮に上層配線パターン１５を
下層配線パターンとした場合、その上層配線パターンと
なる。

【００２１】次に図２により本発明の特徴的な製造工程
について説明する。図２(Ａ)は、前記図１(Ｂ)のビアホ
ール７を形成する直前の状態を示す模式的な拡大断面図
で、図２(Ｂ)に示すように、下層配線パターン４の上方
に形成された樹脂絶縁層６に対し、所謂ネガ型による露
光と現像を行い所定の位置にビアホール７が形成され
る。しかし、現像工程の途中でビアホール７内に現像液
により溶け出した剥離状態の粉及び粒状の樹脂片６ａが
溜まると、それよりも深い位置にある樹脂絶縁層６への
現像が阻害されてしまう。

【００２２】そこで、このビアホール７に例えば有機溶
剤からなる洗浄液を噴射することにより、図２(Ｃ)に示
すように、上記粉及び粒状の樹脂片６ａは排出され、底
部の樹脂部分６ｂのみが残留する。２回の現像工程の間
に係る洗浄を行うことにより、直径が１００μｍ以下の
ビアホール７であっても、現像工程中に樹脂が溶け出し
してビアホール７の底部に溜まった樹脂片６ａを確実に
除去できる。従って、ビアホール７の底部の樹脂残り
や、ビアホール７の直径の過大化を防止することができ
るので、比較的微細なビアホール７とビア１２を形成で
きる。

【００２３】次いで、係るビアホール７を有する樹脂絶
縁層６を乾燥する。具体的には、約１００℃にして１０
分程度に渉って加熱保持する。すると、樹脂絶縁層６
は、上記ビアホール７内を含めてその表面での現像作用
が停止される。洗浄した後に係る乾燥を行うことで、樹
脂絶縁層６の膨潤を解消し、現像速度を著しく遅くする
ことができる。これにより、ビアホール７の直径が制御
し易くなり、製造される配線基板２８の精度が安定化す
る。

【００２４】そして、係る乾燥された表面を有するビア
ホール７に対し、再度現像を行うと深さ方向への現像が
阻害されることなく、図２(Ｄ)に示すように、上記底部
の樹脂部分６ｂも除去され、ビアホール７の直径の広が
りを制御しつつ深いビアホール７が形成される。係る２
回の現像工程と、その間における洗浄と乾燥工程を行う
ことにより、ビアホール７には樹脂残りが解消され、且
つ所要の形状と微細な寸法を有するビアホール７を得る
ことができる。最後に、上記ビアホール７を含む樹脂絶
縁層６に対し、前記図１(Ｃ)乃至(Ｅ)の工程を施すこと
により、図２(Ｅ)に示すように、ビア１２とこれに繋が
る上層配線パターン１５が形成される。

【００２５】尚、前記現像工程は、図３に示すように、
コア基板１、下層配線パターン４及び樹脂絶縁層６等か
らなる基板Ｋを水平に保持した状態で、上下両面に対し
現像液を上方及び下方からシャワー状に連続して噴射す
るものである。この場合、基板Ｋの上面には現像液の液
溜りＳが生じ、上面の樹脂絶縁層６に液圧がかかりにく
くビアホール７が形成されにくい。一方、基板Ｋの下面
には常に新しい現像液が噴射されるため、ビアホール７
が形成され易いという傾向がある。そこで、前記のよう
に露光後に２回の現像工程を行う場合、１回目の現像工
程の後に基板Ｋの上下面を上下反転させて２回目の現像
工程を行うと、上面と下面との位置によるビアホールの
形状のばらつきを抑制することができる。

【００２６】この場合、１回目の現像後に基板Ｋを取出
し、前記洗浄を行いビアホール内の樹脂片を洗い流す。
その後、前記乾燥と上下反転を行って２回目の現像を行
う。尚、従来における基板の上下面をそのままにして１
回の現像工程で行う方法に比べ、本発明により上下面を
反転して２回の現像工程を施す場合、その現像液のシャ
ワー圧は従来方法の約半分で済む。更に、形成されるビ
アホールのアスペクト比(深さ／内径)も、従来の方法に
比べて高くできることが確認された。

【００２７】ここで、本発明による実施例を比較例と共
に説明する。前記図２の方法により形成されたビアホー
ル７と、従来の１回のみの現像によって形成された比較
例のビアホールについて、ネガ型によりビアホールを形
成するマスクによる露光遮蔽寸法を種々に変えて形成さ
れた複数のビアについて、それらの深さと同じ遮蔽寸法
毎のばらつき(分布)を測定した。その結果を図４のグラ
フに示す。図４から、実施例の各ビアホール７は、同じ
露光遮蔽寸法でも比較例に比べ深く形成でき、且つその
ばらつきも小さい範囲に留まっていた。この結果から、
本発明の方法は、比較的正確な形状と寸法のビアホール
が形成できることが裏付けられた。

【００２８】また、洗浄と乾燥を挟んで現像を２回行う
本発明方法にて製造した実施例の多層配線基板２８と、
従来同様１回の現像のみによる多層配線基板２８と同じ
構造を有する比較例の配線基板をそれぞれ１６０個ずつ
用意した。これらの各配線基板内には、直径１００μｍ
のビア１２，１８が合計１０００個形成されている。各
配線基板２８の前記パッド２６に図示しないプローブを
接触させ、外部電源から一定の電流を各基板内の１００
０個のビア１２，１８を含む立体回路に流して、係る回
路の抵抗値を測定することにより導通しているか否かを
判定した。そして、１０００個のビア１２，１８のうち
１つでも不導通個所のある配線基板を不良として、各例
ごとの全体に対する不良率を算出した。また、上記測定
後に、実施例及び比較例の各配線基板２８を分解して、
全てのビア１２，１８の上端における直径の平均と偏差
(１Σ)を測定した。これらの結果を表１に示す。

【００２９】

【表１】

【００３０】表１から、実施例の配線基板は不良率が５
％以下と低いのに対し、比較例では５０％以上の不良率
であった。また、ビア１２，１８の直径も実施例は比較
例よりも平均で太く、且つばらつきも少ないことが判明
した。これらの結果も本発明方法の効果を裏付けるもの
であり、且つ多層配線基板の生産性の向上に寄与できる
ことも明白になった。

【００３１】本発明は以上において説明した形態や実施
例に限定されるものではない。例えば、図５(Ａ)及び
(Ｂ)に示すように、前記図１と同じくコア基板１の両面
に下層配線パターン４を形成し、その上方に樹脂絶縁層
６を形成し且つ露光した後、前記複数回の現像工程とそ
の間に洗浄及び乾燥工程を施してビアホール７を形成し
たものを用意する。次に、図５(Ｃ)に示すように、この
樹脂絶縁層６の表面全体に無電解銅メッキ等を施して数
１０μｍの厚さの銅の導体層３０を形成し、更に、図５
(Ｄ)に示すように、上記銅体層３０の上面に感光性の樹
脂からなる絶縁層３２を形成する。次いで、係る樹脂絶
縁層３２に露光と現像を行い、図５(Ｅ)に示すように、
所定の樹脂パターン３３とする。そして、係る樹脂パタ
ーン３３と上記導体層３０とをエッチング液に浸漬する
ことにより、図５(Ｆ)に示すように、上記樹脂パターン
３３により保護された位置に上層配線パターン３４及び
ビア３６が形成される。前記と同じ方法により、図示し
ない樹脂絶縁層や最上層配線パターン等を形成して、前
記配線基板２８と同様な多層配線基板３８を形成するこ
とができる。

【００３２】また、本発明には、樹脂絶縁層の厚み等に
応じて、３回以上の現像工程とそれらの間における洗浄
及び乾燥工程を行うことも含まれる。尚、露光と現像は
未感光部分が現像により除去されるネガ型によると、樹
脂絶縁層の感光部分の樹脂の溶け出しが少なく、膜減り
量が少ないという点で優れているが、所謂ポジ型を用い
ることもできる。更に、前記多層配線基板２８，３８の
コア基板１には、ＢＴ樹脂とガラス繊維布との複合材
(ガラス−ＢＴレジン材)の他、ガラス−エポキシ材、ガ
ラス−ＰＰＥ材や、紙−エポキシ材等の複合材、或いは
エポキシ、ＢＴレジン、ポリイミド、ＰＰＥ等の樹脂を
用いても良い。

【００３３】また、コア基板１を上記樹脂等に限らず、
セラミック製としても良い。係る剛性の高いセラミック
のコア基板１を用いる場合、その両面に同数の樹脂絶縁
層６，１６と下層・上層・最上層配線パターン４，１
５，２０を形成せず、互いに異なる層数としたり、或い
はコア基板１の片面にのみ樹脂絶縁層６等や下層・上層
配線パターン４，１５等を形成しても良い。後者の場
合、前記スルーホール２等を省略することができる。更
に、上記コア基板１は必須の要素ではなく、例えば既設
の樹脂絶縁層の上面に下層配線パターン４を形成して順
次前記の各工程を行って、樹脂製多層配線基板を製造し
ても良い。或いは、既設のセラミック層又はセラミック
多層配線基板の上面に下層配線パターン４を形成して順
次前記の各工程を行い、セラミックと樹脂を含む複合多
層配線基板を製造することも可能である。

【００３４】また、前記多層配線基板２８の外部との導
通用端子にパッド２６を用いたが、これに替えて半田バ
ンプ、リード、又はピン等を使用することもできる。
尚、配線パターン４等を銅で形成したが、Ｎｉ及びその
合金(Ｎｉ−Ｐ,Ｎｉ−Ｂ,Ｎｉ−Ｃｕ−Ｐ)、Ｃｏ及びそ
の合金(Ｃｏ−Ｐ,Ｃｏ−Ｂ,Ｃｏ−Ｎｉ−Ｐ)、Ｓｎとそ
の合金(Ｓｎ−Ｐｂ,Ｓｎ−Ｐｂ−Ｐｄ)、Ａｕ,Ａｇ,Ｐ
ｄ,Ｐｔ,Ｒｈ,又はＲｕ等とそれらの合金の何れかを用
いることもできる。

【００３５】

【発明の効果】以上において説明した本発明の製造方法
によれば、樹脂絶縁層に形成するビアホールを露光した
後に複数回の現像工程と、その間の洗浄及び乾燥工程に
より形成したので、正確な形状を有する比較的微細なビ
アホールを確実に形成できる。従って、追ってこのビア
ホール内に形成されるビアも正確になるため、上・下層
配線パターン間を確実に導通でき、設計通りの立体回路
を有する配線基板を提供することができる。また、請求
項４，５の発明によれば、配線基板の両面は勿論、片面
にのみ配線パターンを有する場合でも、正確な形状と寸
法を有するビアホールとこれに倣ったビアを形成するこ
とができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】(Ａ)乃至(Ｈ)は本発明を用いた配線基板の製造
工程の概略を示す部分断面図。

【図２】(Ａ)乃至(Ｄ)は本発明によるビアホールの製造
工程を示す部分断面図、(Ｅ)は得られたビアを示す部分
断面図。

【図３】本発明の現像工程を示す概略図。

【図４】実施例及び比較例の露光遮蔽寸法とビアの深さ
の関係を示すグラフ。

【図５】(Ａ)乃至(Ｆ)は本発明を用いた配線基板の異な
る製造工程を示す部分断面図。

【図６】(Ａ)及び(Ｂ)は従来の製造工程を示す部分断面
図、(Ｃ)と(Ｄ)は得られたビアを示す部分断面図。

【符号の説明】

４…………………下層配線パターン ６，１６…………樹脂絶縁層 ７，１７…………ビアホール １２,１８,３６…ビア １５，３４………上層配線パターン ２８，３８………配線基板

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平６−310858（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) H05K 3/46

Claims (5)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】下層配線パターンの上に樹脂絶縁層を形成
   する工程と、 上記樹脂絶縁層に対し露光と現像を行い、該樹脂絶縁層
   にビアホールを形成する工程と、を含む多層配線パター
   ンを形成することが予定されている配線基板の製造方法
   であって、 上記現像工程を複数回に分け、且つその間において上記
   樹脂絶縁層を洗浄した後に乾燥する工程を含むことを特
   徴とする配線基板の製造方法。
2. 【請求項２】請求項１の前記ビアホールを形成した後、
   前記樹脂絶縁層の上に上層配線パターンを形成し、且つ
   前記ビアホール内にビアを形成する工程、を含むことを
   特徴とする多層配線パターンを有する配線基板の製造方
   法。
3. 【請求項３】前記露光と現像が、ネガ型により行われる
   ことを特徴とする請求項１又は２に記載の配線基板の製
   造方法。
4. 【請求項４】前記複数回の現像工程は、配線基板を略水
   平に保持した状態で行い、該複数回の現像工程のうち最
   初又は中間の現像の後に、略水平に保持された前記配線
   基板の上下面を上下反転させた後、次の現像を行うこと
   を特徴とする請求項１乃至３の何れかに記載の配線基板
   の製造方法。
5. 【請求項５】前記下層配線パターンと樹脂絶縁層とを略
   水平に保持された前記配線基板の下面側に位置させた状
   態で、前記現像工程を行うことを特徴とする請求項１乃
   至４の何れかに記載の配線基板の製造方法。