JP3051912B2 - リンドープダイヤモンドの合成法 - Google Patents
リンドープダイヤモンドの合成法Info
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- JP3051912B2 JP3051912B2 JP8252376A JP25237696A JP3051912B2 JP 3051912 B2 JP3051912 B2 JP 3051912B2 JP 8252376 A JP8252376 A JP 8252376A JP 25237696 A JP25237696 A JP 25237696A JP 3051912 B2 JP3051912 B2 JP 3051912B2
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- phosphorus
- diamond
- hydrogen
- synthesizing
- doped diamond
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
- C30B25/02—Epitaxial-layer growth
- C30B25/10—Heating of the reaction chamber or the substrate
- C30B25/105—Heating of the reaction chamber or the substrate by irradiation or electric discharge
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B32/00—Carbon; Compounds thereof
- C01B32/25—Diamond
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B32/00—Carbon; Compounds thereof
- C01B32/25—Diamond
- C01B32/26—Preparation
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/02—Elements
- C30B29/04—Diamond
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- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S427/00—Coating processes
- Y10S427/103—Diamond-like carbon coating, i.e. DLC
- Y10S427/104—Utilizing low energy electromagnetic radiation, e.g. microwave, radio wave, IR, UV, visible, actinic laser
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】この発明は、リンドープダイ
ヤモンドの合成法に関するものである。さらに詳しく
は、この発明は、n型特性を示すダイヤモンドの合成法
として、ダイヤモンドの気相合成におけるリンの不純物
としてのダイヤモンド中への導入法に関するものであ
る。
ヤモンドの合成法に関するものである。さらに詳しく
は、この発明は、n型特性を示すダイヤモンドの合成法
として、ダイヤモンドの気相合成におけるリンの不純物
としてのダイヤモンド中への導入法に関するものであ
る。
【0002】
【従来の技術とその課題】従来より知られているマイク
ロ波プラズマ法によるリンドープダイヤモンドの合成で
は、水素とメタンの反応ガス中に、フォスフィン(PH
3 )を導入し、マイクロ波プラズマ中でフォスフィンを
分解することによって生成するダイヤモンド中にリンの
ドープを行っている。
ロ波プラズマ法によるリンドープダイヤモンドの合成で
は、水素とメタンの反応ガス中に、フォスフィン(PH
3 )を導入し、マイクロ波プラズマ中でフォスフィンを
分解することによって生成するダイヤモンド中にリンの
ドープを行っている。
【0003】しかしながら、このマイクロ波プラズマ中
でのフォスフィンの分解によるダイヤモンド中へのリン
のドープ方法の場合には、リンは水素と結合した状態で
ドープされており、リンは電子の供給体とはなり得ない
という問題があった。また、ダイヤモンド中へのリンの
ドープ法としては、ダイヤモンドの結晶にリンのイオン
を加速して打ち込む方法も知られている。しかし、この
方法では、炭素と比べて質量が大きいリンを打ち込むこ
とによって、ダイヤモンド中に欠陥を生じさせると共
に、リンは炭素と結合することなくダイヤモンド格子中
に侵入型として含まれるため、ダイヤモンド格子中に結
合を作ることは困難であった。
でのフォスフィンの分解によるダイヤモンド中へのリン
のドープ方法の場合には、リンは水素と結合した状態で
ドープされており、リンは電子の供給体とはなり得ない
という問題があった。また、ダイヤモンド中へのリンの
ドープ法としては、ダイヤモンドの結晶にリンのイオン
を加速して打ち込む方法も知られている。しかし、この
方法では、炭素と比べて質量が大きいリンを打ち込むこ
とによって、ダイヤモンド中に欠陥を生じさせると共
に、リンは炭素と結合することなくダイヤモンド格子中
に侵入型として含まれるため、ダイヤモンド格子中に結
合を作ることは困難であった。
【0004】さらには、プラズマを用いないダイヤモン
ドの合成法である化学輸送反応法でも、反応系中に黒鉛
と共に赤リンを置き、系中での蒸発によってダイヤモン
ド中にリンをドープすることができるが、黒鉛と赤リン
の反応速度や蒸発速度の違いのため、ダイヤモンド中の
リンの濃度を制御することが困難であった。
ドの合成法である化学輸送反応法でも、反応系中に黒鉛
と共に赤リンを置き、系中での蒸発によってダイヤモン
ド中にリンをドープすることができるが、黒鉛と赤リン
の反応速度や蒸発速度の違いのため、ダイヤモンド中の
リンの濃度を制御することが困難であった。
【0005】
【課題を解決するための手段】この発明は、上記の課題
を解決するためになされたものであって、マイクロ波プ
ラズマ法でリンドープダイヤモンドを合成するに際し、
ダイヤモンド中のリン濃度の高い制御性と、リンが水素
と結合することなくダイヤモンド格子中に結合する方法
を提供するものである。
を解決するためになされたものであって、マイクロ波プ
ラズマ法でリンドープダイヤモンドを合成するに際し、
ダイヤモンド中のリン濃度の高い制御性と、リンが水素
と結合することなくダイヤモンド格子中に結合する方法
を提供するものである。
【0006】すなわち、この発明は、水素および揮発性
炭化水素を原料ガスとし、マイクロ波プラズマ法により
ダイヤモンドを合成する合成法において、反応ガスにフ
ォスフイン(PH 3 )、塩化ホスホニウム(PH 4 C
l)、赤リン(P)のいずれかを添加し、マイクロ波プ
ラズマによって励起すると共に、リンに結合する水素を
解離させ、反応室中におかれた基板上に、リン原子が水
素原子と結合せずにドーパントとして導入されたダイヤ
モンドの単結晶または多結晶質の薄膜を成長させること
を特徴とするリンドープダイヤモンドの合成法を提供す
る。
炭化水素を原料ガスとし、マイクロ波プラズマ法により
ダイヤモンドを合成する合成法において、反応ガスにフ
ォスフイン(PH 3 )、塩化ホスホニウム(PH 4 C
l)、赤リン(P)のいずれかを添加し、マイクロ波プ
ラズマによって励起すると共に、リンに結合する水素を
解離させ、反応室中におかれた基板上に、リン原子が水
素原子と結合せずにドーパントとして導入されたダイヤ
モンドの単結晶または多結晶質の薄膜を成長させること
を特徴とするリンドープダイヤモンドの合成法を提供す
る。
【0007】
【発明の実施の形態】この発明は、上記のとおりのリン
ドープダイヤモンドの合成法を提供するものであるが、
この合成法では反応ガスにフォスフイン(PH 3 )、塩
化ホスホニウム(PH 4 Cl)、赤リン(P)のいずれ
かを添加する。リンに結合する水素を解離させる手段に
は、ダイヤモンドを成長させる基板の加熱と紫外線照射
の2つが代表的なものとしてある。加熱温度は、900
℃以上1100℃以下とし、望ましくは950℃〜10
00℃である。揮発性炭化水素中の炭素(C)と混合す
る水素(H2 )の割合は、1:100以下、特に1:1
000〜5:1000が望ましく、また、反応ガス中の
リン(P)と炭素(C)の割合は4:100以下である
ことが望ましい。反応室の圧力は50Torr以上50
0Torr以下とし、望ましくは80〜150Torr
である。
ドープダイヤモンドの合成法を提供するものであるが、
この合成法では反応ガスにフォスフイン(PH 3 )、塩
化ホスホニウム(PH 4 Cl)、赤リン(P)のいずれ
かを添加する。リンに結合する水素を解離させる手段に
は、ダイヤモンドを成長させる基板の加熱と紫外線照射
の2つが代表的なものとしてある。加熱温度は、900
℃以上1100℃以下とし、望ましくは950℃〜10
00℃である。揮発性炭化水素中の炭素(C)と混合す
る水素(H2 )の割合は、1:100以下、特に1:1
000〜5:1000が望ましく、また、反応ガス中の
リン(P)と炭素(C)の割合は4:100以下である
ことが望ましい。反応室の圧力は50Torr以上50
0Torr以下とし、望ましくは80〜150Torr
である。
【0008】なお、ダイヤモンド単結晶膜を成長させる
ためには、ヘテロエピタキシャル成長のダイヤモンドも
しくはダイヤモンドの単結晶基板を用いることが望まし
い。{111}面、{110}面、{100}面のいず
れでも良いが、{111}面が望ましい。なお、以下に
実施例を示し、さらに詳しくこの発明の実施の形態につ
いて説明する。実施例1. マイクロ波プラズマ法において、水素
(H2 )にメタン(CH4 )0.3%、フォスフィン
(PH3 )0.003%を加えた反応ガスを圧力100
Torrの反応室へ導入し、基板に単結晶ダイヤモンド
の{111}面を用い、この基板を950℃に加熱し
て、厚さ0.5μmのダイヤモンドを形成した。形成し
た膜を二次イオン質量分析計を用いて分析したところ、
ダイヤモンド中の水素濃度は用いたダイヤモンド基板中
の水素濃度と同じで、リンの添加に伴う水素濃度の増加
は観測されなかった。ホール効果を測定した結果このダ
イヤモンド膜はn型特性を示し、温度400Kで移動度
2.8cm2 /vs、キャリア濃度3×1515/cm3
であった。実施例2. マイクロ波プラズマ法において、水素
(H2 )にメタン(CH4 )0.15%、フォスフィン
(PH3 )0.00015%を加えた反応ガスを圧力8
0Torrの反応室に導入し、基板に単結晶ダイヤモン
ドの{111}面を用い、この基板を900℃に加熱し
て、厚さ0.5μmのダイヤモンド膜を形成した。二次
イオン質量分析計を用いて水素濃度を分析したところ、
生成したダイヤモンド中の水素濃度は検出限界以下で、
リンの添加と共に水素が添加されていることは観測され
なかった。ホール効果を測定した結果このダイヤモンド
膜はn型特性を示し、温度400Kで移動度26.5c
m2 /vs、キャリア濃度1×1014/cm3 であっ
た。実施例3. マイクロ波プラズマ法において、水素
(H2 )にメタン(CH4 )0.15%、フォスフィン
(PH3 )0.00015%を加えた反応ガスを圧力8
0Torrの反応室に導入し、基板に単結晶ダイヤモン
ドの{111}面を用い、超高圧水銀灯を用いて紫外線
を発生させ、その紫外線を基板に照射しながら厚さ0.
2μmのダイヤモンド膜を形成した。二次イオン質量分
析計を用いて水素濃度を分析したところ、生成したダイ
ヤモンド中の水素濃度は検出限界以下で、リンの添加と
共に水素が添加されていることは観測されなかった。実施例4. マイクロ波プラズマ法において、メタン(C
H4 )0.1〜0.5%を含む水素(H2 )に、フォス
フィン(PH3 )をリン(P)と炭素(C)の割合が
4:100以下になるように加え、圧力50〜300T
orrの反応室に導入し、基板温度900〜1100℃
で、単結晶ダイヤモンドの{111}面上に厚さ0.5
μmのダイヤモンド膜を形成した。この膜のホール効果
測定結果を表1に示した。
ためには、ヘテロエピタキシャル成長のダイヤモンドも
しくはダイヤモンドの単結晶基板を用いることが望まし
い。{111}面、{110}面、{100}面のいず
れでも良いが、{111}面が望ましい。なお、以下に
実施例を示し、さらに詳しくこの発明の実施の形態につ
いて説明する。実施例1. マイクロ波プラズマ法において、水素
(H2 )にメタン(CH4 )0.3%、フォスフィン
(PH3 )0.003%を加えた反応ガスを圧力100
Torrの反応室へ導入し、基板に単結晶ダイヤモンド
の{111}面を用い、この基板を950℃に加熱し
て、厚さ0.5μmのダイヤモンドを形成した。形成し
た膜を二次イオン質量分析計を用いて分析したところ、
ダイヤモンド中の水素濃度は用いたダイヤモンド基板中
の水素濃度と同じで、リンの添加に伴う水素濃度の増加
は観測されなかった。ホール効果を測定した結果このダ
イヤモンド膜はn型特性を示し、温度400Kで移動度
2.8cm2 /vs、キャリア濃度3×1515/cm3
であった。実施例2. マイクロ波プラズマ法において、水素
(H2 )にメタン(CH4 )0.15%、フォスフィン
(PH3 )0.00015%を加えた反応ガスを圧力8
0Torrの反応室に導入し、基板に単結晶ダイヤモン
ドの{111}面を用い、この基板を900℃に加熱し
て、厚さ0.5μmのダイヤモンド膜を形成した。二次
イオン質量分析計を用いて水素濃度を分析したところ、
生成したダイヤモンド中の水素濃度は検出限界以下で、
リンの添加と共に水素が添加されていることは観測され
なかった。ホール効果を測定した結果このダイヤモンド
膜はn型特性を示し、温度400Kで移動度26.5c
m2 /vs、キャリア濃度1×1014/cm3 であっ
た。実施例3. マイクロ波プラズマ法において、水素
(H2 )にメタン(CH4 )0.15%、フォスフィン
(PH3 )0.00015%を加えた反応ガスを圧力8
0Torrの反応室に導入し、基板に単結晶ダイヤモン
ドの{111}面を用い、超高圧水銀灯を用いて紫外線
を発生させ、その紫外線を基板に照射しながら厚さ0.
2μmのダイヤモンド膜を形成した。二次イオン質量分
析計を用いて水素濃度を分析したところ、生成したダイ
ヤモンド中の水素濃度は検出限界以下で、リンの添加と
共に水素が添加されていることは観測されなかった。実施例4. マイクロ波プラズマ法において、メタン(C
H4 )0.1〜0.5%を含む水素(H2 )に、フォス
フィン(PH3 )をリン(P)と炭素(C)の割合が
4:100以下になるように加え、圧力50〜300T
orrの反応室に導入し、基板温度900〜1100℃
で、単結晶ダイヤモンドの{111}面上に厚さ0.5
μmのダイヤモンド膜を形成した。この膜のホール効果
測定結果を表1に示した。
【0009】
【表1】 比較例1.基板温度830℃で、水素(H2 )に対して
メタン(CH4 )濃度0.3%、フォスフィン(P
H3 )濃度0.0006%、0.0003%、0.00
015%、および0.00003%の各々の条件下に、
圧力80Torrで、単結晶ダイヤモンドの(111)
面上に厚さ0.5μmのリンドープダイヤモンド膜を合
成した。合成したダイヤモンド膜中のリンと水素の濃度
を二次イオン質量分析計を用いて分析したところ、リン
濃度の増加に伴い水素濃度も比例して増加した。電気的
特性の測定結果、いずれも108 Ω・cm以上の高い抵
抗率を示した。比較例2. 基板温度1200℃、水素(H2 )に対して
メタン(CH4 )濃度0.1%、フォスフィン(P
H3 )濃度0.0006%、0.0003%、0.00
015%、および0.00003%の各々の条件下に、
圧力80Torrで、単結晶ダイヤモンドの(111)
面上にリンドープダイヤモンド膜の合成を試みたが、ダ
イヤモンドの生成は見られなかった。比較例3. 基板温度950℃、水素(H2 )に対してメ
タン(CH4 )濃度0.3%、フォスフィン(PH3 )
濃度0.0006%、圧力40Torrで、単結晶ダイ
ヤモンドの(111)面上に厚さ0.5μmのリンドー
プダイヤモンド膜を合成した。得られたダイヤモンド膜
の抵抗率は、5×107 Ω・cmと高くホール効果の測
定は出来なかった。比較例4. 基板温度950℃、水素(H2 )に対してメ
タン(CH4 )濃度0.2%、フォスフィン(PH3 )
濃度0.0003%、圧力550Torrで、単結晶ダ
イヤモンドの(111)面上に厚さ0.5μmのリンド
ープダイヤモンド膜を合成した。得られたダイヤモンド
膜の抵抗率は、7×108 Ω・cmと高くホール効果の
測定は出来なかった。比較例5. 基板温度950℃、水素(H2 )に対してメ
タン(CH4 )濃度2%、フォスフィン(PH3 )濃度
0.0006%、圧力70Torrで、単結晶ダイヤモ
ンドの(111)面上に厚さ0.5μmのリンドープダ
イヤモンド膜を合成した。得られたダイヤモンド膜の抵
抗率は、3×108 Ω・cmと高くホール効果の測定は
出来なかった。比較例6. 基板温度950℃、水素(H2 )に対してメ
タン(CH4 )濃度0.05%、フォスフィン(P
H3 )濃度0.0005%、圧力60Torrで、単結
晶ダイヤモンドの(111)面上にリンドープダイヤモ
ンド膜の合成を試みたが、良好なエピタキシャル膜は得
られなかった。
メタン(CH4 )濃度0.3%、フォスフィン(P
H3 )濃度0.0006%、0.0003%、0.00
015%、および0.00003%の各々の条件下に、
圧力80Torrで、単結晶ダイヤモンドの(111)
面上に厚さ0.5μmのリンドープダイヤモンド膜を合
成した。合成したダイヤモンド膜中のリンと水素の濃度
を二次イオン質量分析計を用いて分析したところ、リン
濃度の増加に伴い水素濃度も比例して増加した。電気的
特性の測定結果、いずれも108 Ω・cm以上の高い抵
抗率を示した。比較例2. 基板温度1200℃、水素(H2 )に対して
メタン(CH4 )濃度0.1%、フォスフィン(P
H3 )濃度0.0006%、0.0003%、0.00
015%、および0.00003%の各々の条件下に、
圧力80Torrで、単結晶ダイヤモンドの(111)
面上にリンドープダイヤモンド膜の合成を試みたが、ダ
イヤモンドの生成は見られなかった。比較例3. 基板温度950℃、水素(H2 )に対してメ
タン(CH4 )濃度0.3%、フォスフィン(PH3 )
濃度0.0006%、圧力40Torrで、単結晶ダイ
ヤモンドの(111)面上に厚さ0.5μmのリンドー
プダイヤモンド膜を合成した。得られたダイヤモンド膜
の抵抗率は、5×107 Ω・cmと高くホール効果の測
定は出来なかった。比較例4. 基板温度950℃、水素(H2 )に対してメ
タン(CH4 )濃度0.2%、フォスフィン(PH3 )
濃度0.0003%、圧力550Torrで、単結晶ダ
イヤモンドの(111)面上に厚さ0.5μmのリンド
ープダイヤモンド膜を合成した。得られたダイヤモンド
膜の抵抗率は、7×108 Ω・cmと高くホール効果の
測定は出来なかった。比較例5. 基板温度950℃、水素(H2 )に対してメ
タン(CH4 )濃度2%、フォスフィン(PH3 )濃度
0.0006%、圧力70Torrで、単結晶ダイヤモ
ンドの(111)面上に厚さ0.5μmのリンドープダ
イヤモンド膜を合成した。得られたダイヤモンド膜の抵
抗率は、3×108 Ω・cmと高くホール効果の測定は
出来なかった。比較例6. 基板温度950℃、水素(H2 )に対してメ
タン(CH4 )濃度0.05%、フォスフィン(P
H3 )濃度0.0005%、圧力60Torrで、単結
晶ダイヤモンドの(111)面上にリンドープダイヤモ
ンド膜の合成を試みたが、良好なエピタキシャル膜は得
られなかった。
【0010】
【発明の効果】以上詳しく説明したとおり、この発明に
よって、リンが水素と結合することなくダイヤモンドに
ドープされた、n型特性を示すダイヤモンド膜が提供さ
れる。
よって、リンが水素と結合することなくダイヤモンドに
ドープされた、n型特性を示すダイヤモンド膜が提供さ
れる。
Claims (5)
- 【請求項1】 揮発性炭化水素とこれに混合する水素を
反応ガスとし、この反応ガスにフォスフイン(P
H 3 )、塩化ホスホニウム(PH 4 Cl)、赤リン
(P)のいずれかを添加し、マイクロ波プラズマ法によ
りリンを不純物としてダイヤモンド中に導入するリンド
ープダイヤモンドの合成法において、リンに結合する水
素を解離させ、リンを水素と結合させずにドーパントと
してダイヤモンド中に導入することを特徴とするリンド
ープダイヤモンドの合成法。 - 【請求項2】 揮発性炭化水素中の炭素(C)と結合す
る水素(H2 )の割合が1:100以下で、かつ反応ガ
ス中のリン(P)と炭素(C)の割合が4:100以下
である請求項1記載のリンドープダイヤモンドの合成
法。 - 【請求項3】 ダイヤモンドを成長させる基板を900
℃以上1100℃以下に加熱することにより、リンに結
合する水素を解離させる請求項1または2記載のリンド
ープダイヤモンドの合成法。 - 【請求項4】 ダイヤモンドを成長させる基板に紫外線
を照射することにより、リンに結合する水素を解離させ
る請求項1または2記載のリンドープダイヤモンドの合
成法。 - 【請求項5】 ダイヤモンドを合成する反応室の圧力を
50Torr以上500Torr以下とする請求項1な
いし4のいずれかに記載のリンドープダイヤモンドの合
成法。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8252376A JP3051912B2 (ja) | 1996-09-03 | 1996-09-03 | リンドープダイヤモンドの合成法 |
DE19653124A DE19653124B4 (de) | 1996-09-03 | 1996-12-19 | Synthese von phosphor-dotiertem Diamant |
GB9701788A GB2317399B (en) | 1996-09-03 | 1997-01-29 | Synthesis of phosphorus-doped diamond |
US08/791,614 US5961717A (en) | 1996-09-03 | 1997-01-31 | Synthesis of phosphorus-doped diamond |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8252376A JP3051912B2 (ja) | 1996-09-03 | 1996-09-03 | リンドープダイヤモンドの合成法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH1081587A JPH1081587A (ja) | 1998-03-31 |
JP3051912B2 true JP3051912B2 (ja) | 2000-06-12 |
Family
ID=17236456
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP8252376A Expired - Lifetime JP3051912B2 (ja) | 1996-09-03 | 1996-09-03 | リンドープダイヤモンドの合成法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5961717A (ja) |
JP (1) | JP3051912B2 (ja) |
DE (1) | DE19653124B4 (ja) |
GB (1) | GB2317399B (ja) |
Families Citing this family (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6858080B2 (en) * | 1998-05-15 | 2005-02-22 | Apollo Diamond, Inc. | Tunable CVD diamond structures |
US6582513B1 (en) * | 1998-05-15 | 2003-06-24 | Apollo Diamond, Inc. | System and method for producing synthetic diamond |
US8591856B2 (en) * | 1998-05-15 | 2013-11-26 | SCIO Diamond Technology Corporation | Single crystal diamond electrochemical electrode |
JP3568394B2 (ja) * | 1998-07-07 | 2004-09-22 | 独立行政法人 科学技術振興機構 | 低抵抗n型ダイヤモンドの合成法 |
TW200414309A (en) | 2002-06-18 | 2004-08-01 | Sumitomo Electric Industries | N-type semiconductor diamond producing method and semiconductor diamond |
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