JP3051319B2 - フィルムキャリア型半導体装置 - Google Patents

フィルムキャリア型半導体装置

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JP3051319B2 JP10634795A JP10634795A JP3051319B2 JP 3051319 B2 JP3051319 B2 JP 3051319B2 JP 10634795 A JP10634795 A JP 10634795A JP 10634795 A JP10634795 A JP 10634795A JP 3051319 B2 JP3051319 B2 JP 3051319B2
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  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、テープ状のキャリアフ
ィルム上に半導体素子を搭載して、その半導体素子を封
止樹脂によってモールドすることにより製造されるフィ
ルムキャリア型半導体装置に関し、さらに詳述すれば、
半導体素子が効率よく放熱されるフィルムキャリア型半
導体装置に関する。
【0002】
【従来の技術】フィルムキャリア型半導体装置は、テー
プ状のキャリアフィルム上に半導体素子を搭載して、半
導体素子を封止樹脂によってモールドすることにより製
造される。このようなフィルムキャリア型半導体装置
は、通常、次のように製造される。図11に示すよう
に、ウエハ等によって多数の半導体素子51が製造され
ると、各半導体素子51上面の各隅部近傍に設けられた
電極部51aに、上方に突出するバンプ56がそれぞれ
設けられる。各電極部51a上にバンプ56が設けられ
た半導体素子51は、相互に分離される。
【0003】他方、図12(a)および図12(b)に
示すように、ポリイミド等によって構成されたテープ状
のキャリアフィルム54が準備されて、その幅方向中央
部に中央開口部54aが形成されるとともに、各中央開
口部54aの各側方に側部開口部54bがそれぞれ形成
される。そして、分離された半導体素子51の各バンプ
56が各中央開口部54a内にそれぞれ位置するよう
に、半導体素子51がそれぞれ配置されて、各バンプ5
6に、リード線としてのフィンガー57の一方の端部が
それぞれ接続される。各フィンガー57は、半導体素子
51の側方に延出しており、キャリアフィルム54の各
側部にそれぞれ設けられた各側部開口部54b上を通過
するようにキャリアフィルム54上に載置される。これ
により、半導体素子51は、各フィンガー57によって
キャリアテープ54に支持された状態になる。
【0004】このような状態で、図12(a)および
(b)に二点鎖線で示すように、各半導体素子51が、
キャリアフィルム54とともに封止樹脂58によってモ
ールドされる。そして、各半導体素子51毎に、キャリ
アフィルム54が切断されることにより、図13(a)
および(b)に示すように、平板状の半導体素子51
が、各フィンガー57とともに封止樹脂58によってモ
ールドされたフィルムキャリア型半導体装置50が得ら
れる。
【0005】このような構成のフィルムキャリア型半導
体装置50は、図13(c)に示すように、封止樹脂5
8から延出した各フィンガー57の端部が、プリント基
板60上のパターン61に接続されて、キャリアフィル
ム54が、各フィンガー57によってプリント基板60
に押さえ付けられた状態でプリント基板60上に搭載さ
れる。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】このようなフィルムキ
ャリア型半導体装置50は、消費電力の増加によって半
導体素子51の接合部の温度が上昇するが、半導体素子
51は封止樹脂58によって覆われており、半導体素子
51は十分に放熱されず、その温度上昇を十分に抑制す
ることができないという問題がある。特に、テープ状の
キャリアフィルムを使用して製造されるフィルムキャリ
ア型半導体装置は、製造が容易であって多端子化にも容
易に対応することができ、しかも、経済的であるという
多くの利点を有しているために、得られた半導体装置の
半導体素子の温度上昇を抑制することが課題になってい
る。
【0007】本発明は、このような問題を解決するもの
であり、その目的は、半導体素子を効果的に放熱するこ
とができ、半導体素子の温度上昇を抑制することができ
るフィルムキャリア型半導体装置を提供することにあ
る。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明のフィルムキャリ
ア型半導体装置は、上面に開口部を有する放熱体内にダ
イボンドされた半導体素子と、その半導体素子の上面に
設けられた各電極に一方の端部がそれぞれ接続されてお
り、それぞれの他方の端部が半導体素子の側方に延出し
たリード線としてのフィンガーと、前記放熱体の開口部
に整合するように開口部が設けられており、各フィンガ
ーが整合状態になった各開口部を通過するように放熱体
が表面に接着されたキャリアフィルムと、このキャリア
フィルムの開口部を通過した各フィンガーの端部が外部
に延出するように、各フィンガーを放熱体内の半導体素
子とともにモールドする封止樹脂と、を具備することを
特徴とするものであり、そのことにより上記目的が達成
される。
【0009】前記キャリアフィルムにおける放熱体が接
着された表面とは反対側の表面に、前記封止樹脂によっ
てモールドされた第2の半導体素子が搭載されていても
よく、また、前記放熱体に、別の放熱具がさらに取り付
けられていてもよい。
【0010】
【作用】本発明のフィルムキャリア型半導体装置では、
放熱体内に半導体素子がダイボンドされると、放熱体が
キャリアフィルムの表面に接着される。このとき、半導
体素子は、放熱体の開口部およびキャリアフィルムの開
口部から露出した状態になる。そして、キャリアフィル
ムの開口部から露出した半導体素子の電極部に、リード
線としてのフィンガーの一方の端部がそれぞれ接続さ
れ、各フィンガーの端部がキャリアフィルム上に支持さ
れる。このような状態で、放熱体内の半導体素子が封止
樹脂によってモールドされる。キャリアフィルム上のフ
ィンガーは、各端部が封止樹脂の外部に延出するよう
に、半導体素子とともに封止樹脂によってモールドされ
る。このようなフィルムキャリア型半導体装置は、放熱
体によって効率よく放熱される。
【0011】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて詳細
に説明する。
【0012】図1(a)は、本発明のフィルムキャリア
型半導体装置の一例を示す平面図、図1(b)はそのA
−A線における断面図である。このフィルムキャリア型
半導体装置10は、半導体素子11が収容される中空直
方体状の放熱体12を有している。この放熱体12は、
長方形状の底面12aの周縁部に壁部12bが設けられ
て、上面に開口部が形成された状態になっており、銅、
アルミニウム、鉄等の金属板によって構成されている。
放熱体12の底面12a上には、平板状の半導体素子1
1が半田13によってダイボンドされている。
【0013】なお、半導体素子11は、放熱体12に対
して、銀ペースト等の導電性ペースト、シリカ等をフィ
ラーとした高放電絶縁ペースト等のろう材によってダイ
ボンドするようにしてもよい。
【0014】放熱体12は接着剤15によって、ポリイ
ミド等によって構成されたキャリアフィルム14に接着
されている。このキャリアフィルム14は、放熱体12
の開口部と整合する中央開口部14aが中央部に設けら
れており、その中央開口部14aの周辺部に、放熱体1
2の壁部12b上面が接着剤15によって接着されてい
る。
【0015】放熱体12内に設けられた半導体素子11
の上面には、幅方向に沿って延びる各側縁部近傍に、各
一対の電極11aがそれぞれ設けられており、各電極1
1aに、上方に突出する接着用のバンプ16がそれぞれ
設けられている。各パンプ16には、金属の細い薄板片
によって構成されたフィンガー17の一方の端部が、そ
れぞれ接着されている。各フィンガー17は、電極を兼
ねるリード線であり、半導体素子11の各側縁部に設け
られた一対のフィンガー17は、それぞれが半導体素子
11の各側縁部から外方に延出している。
【0016】放熱体12内に収容された半導体素子11
は、封止樹脂18によってモールドされている。封止樹
脂18は、放熱体12内およびキャリアフィルム14の
中央開口部14a内に充填されて、半導体素子11を封
止するとともに、キャリアフィルム14もその周縁部を
除いてモールドしている。各フィンガー17は、外方に
延出した各先端部を除いて、封止樹脂18によってモー
ルドされており、各フィンガー17の先端部が封止樹脂
18から延出している。
【0017】このような構成のフィルムキャリア型半導
体装置10は、図2に示すように、プリント基板20上
に搭載されて使用される。この場合、フィルムキャリア
型半導体装置10は、放熱体12の底面12aが、プリ
ント基板20上のパターン22に接続されるとともに、
封止樹脂18から延出した各フィンガー17の端部が、
プリント基板20上のパターン21に接続され、キャリ
アフィルム14が、プリント基板20に押し付けられた
状態になる。
【0018】プリント基板20上のフィルムキャリア型
半導体装置10は、放熱体12からプリント基板20の
パターン22を通って効率よく放熱されるために、消費
電力の増加による半導体素子11の接合部の温度上昇が
抑制される。
【0019】このようなフィルムキャリア型半導体装置
10は、次のように製造される。図3に示すように、リ
ール状に巻回されたポリイミド製のテープ状になったキ
ャリアフィルム14が引き出されると、そのテープ状の
キャリアフィルム14の幅方向中央部が、長方形状に一
定の間隔で順番に打ち抜かれて、中央開口部14aが順
次形成される。同時に、その中央開口部14aの各側方
が、キャリアフィルム14の長手方向に沿って延びる長
方形状に順番に打ち抜かれて、各側部開口部14bがそ
れぞれ順次形成される。
【0020】他方、図4(a)および(b)に示すよう
に、上面が開放された中空直方体状の放熱体12の底面
12a上に、平板状の半導体素子11が、半田13によ
ってダイボンドされる。その後、半導体素子11の各側
縁部の上面に設けられた各一対の電極11a上に、上方
に突出するバンプ16が設けられる。
【0021】このような状態になると、半導体素子11
がダイボンドされた放熱体12は、テープ状になったキ
ャリアフィルム14に、接着剤15によって接着され
る。放熱体12は、壁部12bの上面が、中央開口部1
4aの周縁部に接着されて、半導体素子11がキャリア
フィルム14の中央開口部14aから露出した状態にさ
れる。
【0022】その後、図5(a)および(b)に示すよ
うに、テープ状のキャリアフィルム14の中央開口部1
4aから露出した半導体素子11の上面の各バンプ16
に、各フィンガー17の一方の端部が接続される。各フ
ィンガー17は、キャリアフィルム14の中央開口部1
4aの各側方にそれぞれ延出され、キャリアフィルム1
4の各側部開口部14b上を通過した状態で支持され
る。
【0023】次に、キャリアフィルム14の中央開口部
14aから放熱体12内に封止樹脂18が充填されると
ともに、半導体素子11およびキャリアフィルム14上
に封止樹脂18が充填されて、半導体素子11とともに
各フィンガー17が先端部を残してモールドされるとと
もに、キャリアフィルム14がその周縁部を残してモー
ルドされる。その後、モールドされた封止樹脂18毎に
キャリアフィルム14が切断され、これにより、図1
(a)および(b)に示すフィルムキャリア型半導体装
置10が得られる。
【0024】図6(a)は、本発明のフィルムキャリア
型半導体装置の他の実施例を示す一部破断平面図、図6
(b)はそのD−D線における断面図である。本実施例
のフィルムキャリア半導体装置30は、電力用半導体素
子31が搭載される放熱体32と、その電力用半導体素
子31を制御するためにキャリアフィルム34上に搭載
された半導体集積回路素子39とを有している。
【0025】キャリアフィルム34には、一方の側部に
長方形状の中央開口部34aが設けられており、他方の
側部表面上に、薄い直方体状の半導体集積回路素子39
が搭載されている。半導体集積回路素子39が搭載され
た表面とは反対側の表面には、平板状の放熱体32が接
着剤35によって接着されている。放熱体32は、銅、
アルミニウム、鉄等の金属板によって構成されており、
キャリアフィルム34の中央開口部34aに対向して凹
部32cが設けられている。この凹部32cの底面32
a上には、電力用半導体素子31が半田33によってダ
イボンドされており、凹部32cを取り囲む壁部32b
の上面が、キャリアフィルム34の中央開口部34a周
辺部に接着剤35によって接着されている。放熱体32
は、凹部32cが形成された側部とは反対側の側部が、
キャリアフィルム34を挟んで半導体集積回路素子39
と対向しており、その側部がキャリアフィルム34に接
着剤35によって接着されている。
【0026】放熱体32の凹部32cに収容された電力
用半導体素子31上には、各隅部近傍に電極部31aが
それぞれ設けられており、各電極部31a上に、上方に
突出する接着用のバンプ36がそれぞれ設けられてい
る。また、キャリアフィルム34上に搭載された半導体
集積回路素子39の上面の各隅部近傍にも電極部39a
がそれぞれ設けられており、各電極部39a上に、上方
に突出する接着用のバンプ36がそれぞれ設けられてい
る。
【0027】電力用半導体素子31および半導体集積回
路素子39の相互に近接した側部上に設けられた各一対
のバンプ36には、相互に近接するバンプ36同士が、
金属の細い薄板片によって構成されたフィンガー37に
よって接続されている。電力用半導体素子31および半
導体集積回路素子39上の他の各一対のバンプ36に
は、それぞれ、各素子31および39の側方に、相互に
離れるように延出したフィンガー37の一方の端部がそ
れぞれ接続されている。
【0028】放熱体32の凹部32c内に収容された半
導体素子31、および、キャリアフィルム34上に搭載
された半導体集積回路素子39は、封止樹脂38によっ
て封止されている。封止樹脂38は、放熱体32の凹部
32c内およびキャリアフィルム34の開口部34a内
に充填されて、キャリアフィルム34の中央開口部34
aの周縁部を覆うとともに、キャリアフィルム34上の
半導体集積回路素子39を覆って、直方体状になってい
る。キャリアフィルム34の周縁部は、全周にわたって
封止樹脂38から延出しており、また、電力用半導体素
子31および半導体集積回路素子39の各側方に延出し
た各一対のフィンガー37も、各先端部がそれぞれ封止
樹脂38から延出している。
【0029】本実施例のフィルムキャリア型半導体装置
30は、次のように製造される。図7に示すように、リ
ール状に巻回されたポリイミド製のテープ状になったキ
ャリアフィルム34が引き出されると、そのテープ状の
キャリアフィルム34の幅方向の各側部に、キャリアフ
ィルム34の長手方向に沿って延びる長方形状の側部開
口部34bが、それぞれ順番に打ち抜かれるとともに、
一方の側部開口部34aに近接した中央部に長方形状の
中央開口部14aが、それぞれ、一定の間隔で順番に打
ち抜かれる。
【0030】他方、図8に示すように、一方の側部に上
面が開放された中空直方体状の凹部32cが設けられた
平板状の複数の放熱体12が準備されて、各放熱体32
の凹部32cの底面32a上に、薄い平板状の電力用半
導体素子31が、半田33によってダイボンドされる。
その後、半導体素子31の上面の各隅部近傍にそれぞれ
設けられた4つの電極31a上に、上方に突出するバン
プ36がそれぞれ設けられる。
【0031】このような状態になると、電力用半導体素
子31がそれぞれダイボンドされた各放熱体32は、テ
ープ状になったキャリアフィルム34に、凹部32cの
周囲を構成する壁部32bの上面が、中央開口部34a
の周縁部に接着剤35によって接着されるとともに、凹
部32cが形成されていない側部が、キャリアフィルム
34の表面に接着剤35によって接着される。これによ
り、各放熱体32の凹部32c内に設けられた電力用半
導体素子31は、キャリアフィルム34の中央開口部1
4aを通して露出した状態になる。
【0032】その後、図9に示すように、キャリアフィ
ルム34の放熱体32が接着された表面とは反対側の表
面に、半導体集積回路素子39が、接着剤35によって
搭載される。そして、電力半導体素子31および半導体
集積回路素子39における相互に近接したバンプ36同
士が、各フィンガー37によって接続されるとともに、
電力半導体素子31および半導体集積回路素子39の他
のバンプ36に、各素子31および39の側方に延出す
る各フィンガー37の一方の端部がそれぞれ接着され
る。
【0033】次に、キャリアフィルム34の中央開口部
34aから放熱体32の凹部32c内に封止樹脂38が
充填されてモールドされるとともに、キャリアフィルム
34の中央開口部34aの周縁部上、電力用半導体素子
31上、および半導体集積回路素子39が封止樹脂38
によってモールドされる。その後、モールドされた封止
樹脂38毎にキャリアフィルム34が切断されることに
より、図6(a)および(b)に示すフィルムキャリア
型半導体装置30が得られる。
【0034】本実施例のフィルムキャリア型半導体装置
は、電力用半導体素子31における放熱体32が接着さ
れた表面が高電位になって高熱になる場合にも、放熱体
32によって、電力用半導体素子31が効率よく放熱さ
れる。また、電力用半導体素子31を制御する半導体集
積回路素子39が、電力用半導体素子31とは別体に構
成されているために、電力用半導体素子31の熱による
影響をほとんど受けるおそれがない。
【0035】なお、上記各実施例のフィルムキャリア型
半導体装置10および30において、図10(a)に示
すように、放熱体12および32の裏面における対角位
置に、各ビス孔12eおよび32eをそれぞれ設けて、
図10(b)に示すように、放熱体12および32に、
多数の放熱フィン41を有する別体に構成された放熱具
40をビス止めするようにしてもよい。この場合には、
放熱具40の各放熱フィン41が空気に有効に接触する
ように、各半導体装置10および30がプリント基板2
0のパターン上に取り付けられると、放熱効果が一層高
められる。
【0036】
【発明の効果】本発明のフィルムキャリア型半導体装置
は、このように、放熱体によって半導体素子が効率よく
放熱されるために、半導体素子の温度上昇が抑制され
る。
【図面の簡単な説明】
【図1】(a)は本発明のフィルムキャリア型半導体装
置の一例を示す平面図、(b)はそのA−A線における
断面図である。
【図2】そのフィルムキャリア型半導体装置の使用状態
を示す側面図である。
【図3】そのフィルムキャリア型半導体装置の製造に使
用されるフィルムの斜視図である。
【図4】(a)はそのフィルムキャリア型半導体装置の
製造に使用される半導体素子が収容された放熱体の平面
図、(b)はそのB−B線における断面図である。
【図5】(a)はその放熱体をフィルムに装着した状態
を示す平面図、(b)はそのC−C線における断面図で
ある。
【図6】(a)は本発明のフィルムキャリア型半導体装
置の他の実施例を示す一部破断平面図、(b)はそのD
−D線における断面図である。
【図7】そのフィルムキャリア型半導体装置の製造に使
用されるフィルムの斜視図である。
【図8】そのフィルムキャリア型半導体装置の製造に使
用される半導体素子が収容された放熱体の平面図であ
る。
【図9】その放熱体をフィルムに装着した状態を示す平
面図である。
【図10】(a)は本発明のフィルムキャリア型半導体
装置のさらに他の実施例を示す背面図、(b)はそのフ
ィルムキャリア型半導体装置の使用状態の一例を示す側
面図である。
【図11】従来のフィルムキャリア型半導体装置の製造
に使用される半導体素子の平面図である。
【図12】(a)はその半導体素子を分割してキャリア
フィルムに装着した状態を示す平面図、(b)はそのF
−F線における断面図である。
【図13】(a)は従来のフィルムキャリア型半導体装
置の他の実施例を示す一部破断平面図、(b)はそのG
−G線における断面図、(c)はその使用状態を示す側
面図である。
【符号の説明】
10 フィルムキャリア型半導体装置 11 半導体素子 12 放熱体 13 半田 14 フィルム 15 接着剤 16 パンプ 17 フィンガー 18 封止樹脂 30 フィルムキャリア型半導体装置 31 電力用半導体素子 32 放熱体 33 半田 34 フィルム 35 接着剤 36 パンプ 37 フィンガー 38 封止樹脂 39 半導体集積回路素子 40 放熱具 41 放熱フィン

Claims (3)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 上面に開口部を有する放熱体内にダイボ
    ンドされた半導体素子と、 その半導体素子の上面に設けられた各電極に一方の端部
    がそれぞれ接続されており、それぞれの他方の端部が半
    導体素子の側方に延出したリード線としてのフィンガー
    と、 前記放熱体の開口部に整合するように開口部が設けられ
    ており、各フィンガーが整合状態になった各開口部を通
    過するように放熱体が表面に接着されたキャリアフィル
    ムと、 このキャリアフィルムの開口部を通過した各フィンガー
    の端部が外部に延出するように、各フィンガーを放熱体
    内の半導体素子とともにモールドする封止樹脂と、 を具備することを特徴とするフィルムキャリア型半導体
    装置。
  2. 【請求項2】 前記キャリアフィルムにおける放熱体が
    接着された表面とは反対側の表面に、前記封止樹脂によ
    ってモールドされた第2の半導体素子が搭載されている
    請求項1に記載のフィルムキャリア型半導体装置。
  3. 【請求項3】 前記放熱体には、別の放熱具がさらに取
    り付けられている請求項1に記載のフィルムキャリア型
    半導体装置。
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