JP3047567B2 - 方位センサ - Google Patents
方位センサInfo
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、磁気抵抗素子に適当な
バイアス磁界を付与し、地磁気を検出して方位を知る方
位センサに関するものである。
バイアス磁界を付与し、地磁気を検出して方位を知る方
位センサに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】一般に、地磁気を検出するセンサとして
は、回転自在の磁石を用いたもの、コアに検出用のコイ
ルを巻き付けたもの、磁気抵抗素子を用いたもの等があ
る。回転自在の磁石を用いたものは、一般に永久磁石の
Ｎ極とＳ極の中心点を回転自在に支持したもので、地磁
気の方向に沿ってＮ極とＳ極が常に南北をさすことによ
り方位が検知される。しかしながらこの方式は、可動部
があるために、素子が小型化しにくいうえ、検出結果を
電気信号に換え、他の用途と組み合わせるという応用が
難しい。また、コアに検出用のコイルを巻いたものは、
地磁気信号をコイルで検出し回路処理することにより、
方位を検出するものであるが、これもまた、小型化が難
しいものであった。
は、回転自在の磁石を用いたもの、コアに検出用のコイ
ルを巻き付けたもの、磁気抵抗素子を用いたもの等があ
る。回転自在の磁石を用いたものは、一般に永久磁石の
Ｎ極とＳ極の中心点を回転自在に支持したもので、地磁
気の方向に沿ってＮ極とＳ極が常に南北をさすことによ
り方位が検知される。しかしながらこの方式は、可動部
があるために、素子が小型化しにくいうえ、検出結果を
電気信号に換え、他の用途と組み合わせるという応用が
難しい。また、コアに検出用のコイルを巻いたものは、
地磁気信号をコイルで検出し回路処理することにより、
方位を検出するものであるが、これもまた、小型化が難
しいものであった。
【０００３】これに対し、弱磁界感度が良好な強磁性の
磁気抵抗素子を用いた方位センサは、検出信号の処理の
容易さ及び他の電気制御への応用が可能である。更に小
型化が可能である等の利点があり、磁気抵抗素子を用い
た方位センサが考えられている。
磁気抵抗素子を用いた方位センサは、検出信号の処理の
容易さ及び他の電気制御への応用が可能である。更に小
型化が可能である等の利点があり、磁気抵抗素子を用い
た方位センサが考えられている。
【０００４】図４に磁気抵抗素子を用いた従来の方位セ
ンサを示す。方位センサは、Ａ，Ｂ２つのセンサ部から
なる。図６において１１ａ，１１ｂは磁気抵抗素子であ
り、そのエレメントのパターン方向は同一方向である。
この磁気抵抗素子１１ａ，１１ｂの、外部磁界に対する
抵抗値変化の様子を図７（ａ）に示すが、図７（ｂ）の
ようにエレメントのパターンに対して回転方向に磁界が
加わった時の抵抗値の変化である。１２ａ，１２ｂはバ
イアス磁界発生用の永久磁石であり、前記磁気抵抗素子
１１ａ，１１ｂに加わる磁界Ｈａ，Ｈｂは図に示すよう
に互いに直交している。いま、地磁気Ｈｅの方向が図６
に示す向きとすると、各磁気抵抗素子１１ａ，１１ｂが
感じる磁界は、磁界Ｈａ，ＨｂとＨｅとの合成磁界Ｈｔ
ａ，Ｈｔｂで表される。すなわち、前記センサＡの前記
バイアス磁界と地磁気とのなす角度をθとすると、前記
センサＢと地磁気とのなす角度は、θ＋９０°となり、
θがわかれば、方位が検出できることになる。
ンサを示す。方位センサは、Ａ，Ｂ２つのセンサ部から
なる。図６において１１ａ，１１ｂは磁気抵抗素子であ
り、そのエレメントのパターン方向は同一方向である。
この磁気抵抗素子１１ａ，１１ｂの、外部磁界に対する
抵抗値変化の様子を図７（ａ）に示すが、図７（ｂ）の
ようにエレメントのパターンに対して回転方向に磁界が
加わった時の抵抗値の変化である。１２ａ，１２ｂはバ
イアス磁界発生用の永久磁石であり、前記磁気抵抗素子
１１ａ，１１ｂに加わる磁界Ｈａ，Ｈｂは図に示すよう
に互いに直交している。いま、地磁気Ｈｅの方向が図６
に示す向きとすると、各磁気抵抗素子１１ａ，１１ｂが
感じる磁界は、磁界Ｈａ，ＨｂとＨｅとの合成磁界Ｈｔ
ａ，Ｈｔｂで表される。すなわち、前記センサＡの前記
バイアス磁界と地磁気とのなす角度をθとすると、前記
センサＢと地磁気とのなす角度は、θ＋９０°となり、
θがわかれば、方位が検出できることになる。
【０００５】ところで、このようなＡ，Ｂ各センサを同
一平面内で回転して、地磁気を検出すると、その出力
は、理論的には図６に示すような互いに９０°位相がず
れた波形になる。すなわち、センサＡ，Ｂの各出力は、 Ｖａ＝Ａｓｉｎθ Ｖｂ＝Ｂｃｏｓθ と表すことができ、これから、センサに対する地磁気の
方向角度は、 ｔａｎθ＝ｓｉｎθ／ｃｏｓθ＝（Ｖａ×Ｂ）／（ｖｂ×Ａ） として得られる。この算出は、マイクロコンピュータを
用いれば簡単に行える。
一平面内で回転して、地磁気を検出すると、その出力
は、理論的には図６に示すような互いに９０°位相がず
れた波形になる。すなわち、センサＡ，Ｂの各出力は、 Ｖａ＝Ａｓｉｎθ Ｖｂ＝Ｂｃｏｓθ と表すことができ、これから、センサに対する地磁気の
方向角度は、 ｔａｎθ＝ｓｉｎθ／ｃｏｓθ＝（Ｖａ×Ｂ）／（ｖｂ×Ａ） として得られる。この算出は、マイクロコンピュータを
用いれば簡単に行える。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記の磁
気抵抗素子１１ａ，１１ｂを用いた従来の方位センサで
は、以下の点でその示す方位に誤差が生じ易い。まず、
２つの磁気抵抗素子１１ａ，１１ｂからの出力の比で方
位を求めるのであるから、各センサの感度は同一でない
と誤差が生じる。すなわち、各磁気抵抗素子間の磁気特
性が同一でなければならない。次に、素子に加わる合成
磁界も同一でなければならず、バイアス磁界の大きさ、
各磁気抵抗素子エレメントに対する方向が一定でなけれ
ばならない。
気抵抗素子１１ａ，１１ｂを用いた従来の方位センサで
は、以下の点でその示す方位に誤差が生じ易い。まず、
２つの磁気抵抗素子１１ａ，１１ｂからの出力の比で方
位を求めるのであるから、各センサの感度は同一でない
と誤差が生じる。すなわち、各磁気抵抗素子間の磁気特
性が同一でなければならない。次に、素子に加わる合成
磁界も同一でなければならず、バイアス磁界の大きさ、
各磁気抵抗素子エレメントに対する方向が一定でなけれ
ばならない。
【０００７】しかしながら、実際に図８に示すような特
性が完全に一致した磁気抵抗素子１１ａ，１１ｂを作成
することは困難である。また、精度良くバイアス磁石を
設置することも困難であり、図９の特性図に示すよう
に、各エレメントの動作中心が異なり、出力が小さくな
るとともに、上述のように各センサ間の出力にばらつき
が生じ、その結果方位検出に誤差が生じるという課題が
あった。
性が完全に一致した磁気抵抗素子１１ａ，１１ｂを作成
することは困難である。また、精度良くバイアス磁石を
設置することも困難であり、図９の特性図に示すよう
に、各エレメントの動作中心が異なり、出力が小さくな
るとともに、上述のように各センサ間の出力にばらつき
が生じ、その結果方位検出に誤差が生じるという課題が
あった。
【０００８】更にバイアス磁界Ｈａ，Ｈｂを永久磁石に
より形成するため各バイアス磁界Ｈａ，Ｈｂが互いに影
響しあい、正確に直交するバイアス磁界Ｈａ，Ｈｂが得
られない。以上のように従来の方位センサでは検出方位
に誤差が含まれやすいという課題があった。
より形成するため各バイアス磁界Ｈａ，Ｈｂが互いに影
響しあい、正確に直交するバイアス磁界Ｈａ，Ｈｂが得
られない。以上のように従来の方位センサでは検出方位
に誤差が含まれやすいという課題があった。
【０００９】また、２つの磁気抵抗素子を用いておりセ
ンサが大きくなるという課題もあった。
ンサが大きくなるという課題もあった。
【００１０】本発明は上記従来の課題を解決するもの
で、簡単な構成で地磁気を検出し小型で正確な方位を示
す方位センサを提供することを目的とする。
で、簡単な構成で地磁気を検出し小型で正確な方位を示
す方位センサを提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に本発明の方位センサは、４つの直交する辺を有する絶
縁基板上にパターンの長手方向に通電すると電気抵抗が
パターンに直交する磁界の強さに応じて変化する４個の
磁気抵抗エレメントをパターンの長手方向が互いに直交
しかつ前記絶縁基板の各辺に対して４５°の方向を向く
ように配置し互いに直列に接続するとともに所定の入力
端子と出力端子を設けて構成した磁気抵抗素子と、前記
磁気抵抗エレメントを形成した面がその中心部にくるよ
うに上記磁気抵抗素子を設置する台座を有し、かつ上記
磁気抵抗エレメントに対して４５°方向にバイアス磁界
を付与するための第１のバイアスコイルを前記磁気抵抗
エレメントから所定の距離で巻くための第１の溝とさら
に前記第１のバイアスコイルに対して直交する第２のバ
イアスコイルを前記第１のバイアスコイルに触れないよ
うな所定の位置に形成するための第２の溝とを有するホ
ルダーと前記ホルダーにそれぞれ所定の巻数で形成した
２つのバイアスコイルとを備えたものである。
に本発明の方位センサは、４つの直交する辺を有する絶
縁基板上にパターンの長手方向に通電すると電気抵抗が
パターンに直交する磁界の強さに応じて変化する４個の
磁気抵抗エレメントをパターンの長手方向が互いに直交
しかつ前記絶縁基板の各辺に対して４５°の方向を向く
ように配置し互いに直列に接続するとともに所定の入力
端子と出力端子を設けて構成した磁気抵抗素子と、前記
磁気抵抗エレメントを形成した面がその中心部にくるよ
うに上記磁気抵抗素子を設置する台座を有し、かつ上記
磁気抵抗エレメントに対して４５°方向にバイアス磁界
を付与するための第１のバイアスコイルを前記磁気抵抗
エレメントから所定の距離で巻くための第１の溝とさら
に前記第１のバイアスコイルに対して直交する第２のバ
イアスコイルを前記第１のバイアスコイルに触れないよ
うな所定の位置に形成するための第２の溝とを有するホ
ルダーと前記ホルダーにそれぞれ所定の巻数で形成した
２つのバイアスコイルとを備えたものである。
【００１２】
【作用】本発明によれば、磁気抵抗素子は、同一形成条
件でしかもきわめて近くに隣接する位置に形成された磁
気抵抗エレメントにて構成される磁気抵抗素子を用いて
おり、外部磁界と各直交バイアス磁界との合成磁界に対
する出力特性はどの磁気抵抗エレメントも同一である。
件でしかもきわめて近くに隣接する位置に形成された磁
気抵抗エレメントにて構成される磁気抵抗素子を用いて
おり、外部磁界と各直交バイアス磁界との合成磁界に対
する出力特性はどの磁気抵抗エレメントも同一である。
【００１３】また、バイアス磁界は、各バイアスコイル
に流す電流のＯＮ，ＯＦＦを瞬時に切り替えて、２つの
バイアスコイルのうちどちらか一方のみがバイアス磁界
を印加する方式で方位を検出するので、お互い他方のバ
イアス磁界が影響してバイアス磁界の印加方向にずれが
生じて誤差が生じるということもない。また、磁気抵抗
素子はバイアスコイルを形成するホルダーにて保持さ
れ、予めその磁気抵抗エレメントが外部に形成するバイ
アスコイルの中心部にくるように台座にて設置されてお
り、バイアス磁界との位置関係も所定値に保てる。さら
に外巻のバイアスコイルは内巻のコイルに直接巻かれる
ことが無いのでコイルの形状が安定し発生磁界も安定す
る。そのうえ各バイアスコイルの巻き数は所定の巻き数
に設定するので、同一の定電流源で励磁しても同程度の
磁界が得られる。
に流す電流のＯＮ，ＯＦＦを瞬時に切り替えて、２つの
バイアスコイルのうちどちらか一方のみがバイアス磁界
を印加する方式で方位を検出するので、お互い他方のバ
イアス磁界が影響してバイアス磁界の印加方向にずれが
生じて誤差が生じるということもない。また、磁気抵抗
素子はバイアスコイルを形成するホルダーにて保持さ
れ、予めその磁気抵抗エレメントが外部に形成するバイ
アスコイルの中心部にくるように台座にて設置されてお
り、バイアス磁界との位置関係も所定値に保てる。さら
に外巻のバイアスコイルは内巻のコイルに直接巻かれる
ことが無いのでコイルの形状が安定し発生磁界も安定す
る。そのうえ各バイアスコイルの巻き数は所定の巻き数
に設定するので、同一の定電流源で励磁しても同程度の
磁界が得られる。
【００１４】また、磁気抵抗エレメントに対して４５°
方向にバイアス磁界を付与するようにバイアスコイルを
巻線する場合、磁気抵抗エレメントの長手方向が絶縁基
板の４つの辺に対して４５°方向になるように形成した
場合は、絶縁基板の４つの辺に対して平行に形成した場
合よりもセンサ全体として小形化が実現できる。
方向にバイアス磁界を付与するようにバイアスコイルを
巻線する場合、磁気抵抗エレメントの長手方向が絶縁基
板の４つの辺に対して４５°方向になるように形成した
場合は、絶縁基板の４つの辺に対して平行に形成した場
合よりもセンサ全体として小形化が実現できる。
【００１５】これにより簡単な構成で地磁気を検出し正
確な方位を示す方位センサを実現できる。
確な方位を示す方位センサを実現できる。
【００１６】
【実施例】以下、本発明の一実施例の方位センサについ
て、図面を参照しながら説明する。図１（ａ），（ｂ）
はそれぞれ本実施例における方位センサの外形を示した
斜視図及び平面図であり、図２（ａ）は同センサの上面
を切り欠いた断面図である。図２（ｂ）は同センサの側
面の断面図である。図において、１は磁気抵抗素子であ
り、四角形の平板上のガラスからなる絶縁基板上に形成
されたパターンの長手方向が互いに直交し直列に接続さ
れた４つの磁気抵抗エレメント３からなる。この４つの
磁気抵抗エレメント３は、ＮｉＦｅを膜厚１０００Åを
真空蒸着したのち、フォトリソグラフィーおよびエッチ
ングにより所定のパターンに加工したものであり、前記
ガラス基板の４辺に対してパターンの長手方向を４５°
方向になるようにしている。また３ａは磁気抵抗素子端
子である。２ａ，２ｂはバイアス磁界発生用のバイアス
コイルであり、前記磁気抵抗素子１を箱形の素子ホルダ
ー４内の設置台部４ａに設置したのち、この素子ホルダ
ー４に設けたコイル用溝４ｂ，４ｃに絶縁被覆線を所定
の数だけ巻いて作成した。ここで、素子ホルダー４のコ
イル用溝４ｂ，４ｃの深さは図３（ａ），（ｂ）に示す
ようにｈ1，ｈ2であり、内側に形成されるコイルのコイ
ル用溝４ｂの方が深くなっている。そしてなお、外側に
巻くコイルの位置は内側のコイルの厚さｄ１を考慮し
て、予め外巻き用溝の位置をｄ１だけ高く変えている。
（ｈ1−ｈ2＝Δｈ≧ｄ1）各バイアスコイル２ａ，２ｂ
の形成方向は互いに直交し、また各バイアスコイル２
ａ，２ｂと前記磁気抵抗エレメント３のなす角度は互い
に４５°方向になるように素子ホルダー４にて決められ
ている。
て、図面を参照しながら説明する。図１（ａ），（ｂ）
はそれぞれ本実施例における方位センサの外形を示した
斜視図及び平面図であり、図２（ａ）は同センサの上面
を切り欠いた断面図である。図２（ｂ）は同センサの側
面の断面図である。図において、１は磁気抵抗素子であ
り、四角形の平板上のガラスからなる絶縁基板上に形成
されたパターンの長手方向が互いに直交し直列に接続さ
れた４つの磁気抵抗エレメント３からなる。この４つの
磁気抵抗エレメント３は、ＮｉＦｅを膜厚１０００Åを
真空蒸着したのち、フォトリソグラフィーおよびエッチ
ングにより所定のパターンに加工したものであり、前記
ガラス基板の４辺に対してパターンの長手方向を４５°
方向になるようにしている。また３ａは磁気抵抗素子端
子である。２ａ，２ｂはバイアス磁界発生用のバイアス
コイルであり、前記磁気抵抗素子１を箱形の素子ホルダ
ー４内の設置台部４ａに設置したのち、この素子ホルダ
ー４に設けたコイル用溝４ｂ，４ｃに絶縁被覆線を所定
の数だけ巻いて作成した。ここで、素子ホルダー４のコ
イル用溝４ｂ，４ｃの深さは図３（ａ），（ｂ）に示す
ようにｈ1，ｈ2であり、内側に形成されるコイルのコイ
ル用溝４ｂの方が深くなっている。そしてなお、外側に
巻くコイルの位置は内側のコイルの厚さｄ１を考慮し
て、予め外巻き用溝の位置をｄ１だけ高く変えている。
（ｈ1−ｈ2＝Δｈ≧ｄ1）各バイアスコイル２ａ，２ｂ
の形成方向は互いに直交し、また各バイアスコイル２
ａ，２ｂと前記磁気抵抗エレメント３のなす角度は互い
に４５°方向になるように素子ホルダー４にて決められ
ている。
【００１７】このような構成の方位センサの動作は次の
通りである。出力は図２（ａ）に示す端子Ｔ１，Ｔ３間
に定電圧を加え、端子Ｔ２，Ｔ４間の出力電圧を更に増
幅回路で処理する。いま、バイアスコイル２ａ，２ｂの
いずれかに所定の電流を流しながら、このセンサを同一
平面内で１回転して地磁気を検出すると、その出力は図
４のようになり、９０°位相がずれ、しかも振幅の大き
さは同等の波形が得られる。よって下記の式から地磁気
の方向を正確に検出することができる。
通りである。出力は図２（ａ）に示す端子Ｔ１，Ｔ３間
に定電圧を加え、端子Ｔ２，Ｔ４間の出力電圧を更に増
幅回路で処理する。いま、バイアスコイル２ａ，２ｂの
いずれかに所定の電流を流しながら、このセンサを同一
平面内で１回転して地磁気を検出すると、その出力は図
４のようになり、９０°位相がずれ、しかも振幅の大き
さは同等の波形が得られる。よって下記の式から地磁気
の方向を正確に検出することができる。
【００１８】 ｔａｎθ＝ｓｉｎθ／ｃｏｓθ＝ｖａ／Ｖｂ 以上のように本実施例によれば磁気抵抗素子１は、同一
形成条件でしかもきわめて近くに隣接する位置に形成さ
れた磁気抵抗エレメント３にて構成される磁気抵抗素子
１を１つしか用いておらず、外部磁界と各直交バイアス
磁界との合成磁界に対する出力特性はどの磁気抵抗エレ
メント３も同一である。
形成条件でしかもきわめて近くに隣接する位置に形成さ
れた磁気抵抗エレメント３にて構成される磁気抵抗素子
１を１つしか用いておらず、外部磁界と各直交バイアス
磁界との合成磁界に対する出力特性はどの磁気抵抗エレ
メント３も同一である。
【００１９】また、バイアス磁界は、各バイアスコイル
２ａ，２ｂに流す電流のＯＮ，ＯＦＦを瞬時に切り替え
て、２つのバイアスコイル２ａ，２ｂのうちどちらか一
方のみがバイアス磁界を印加する方式で方位を検出する
ので、お互い他方のバイアス磁界が影響してバイアス磁
界の印加方向にずれが生じるということもない。さら
に、バイアス磁界と磁気抵抗素子の位置関係は予め素子
ホルダー４にて決められているとともにバイアス磁界の
大きさもその形成位置及び巻き数を所定値に決めてある
のでばらつきが低減される。その上磁気抵抗エレメント
３を、各エレメントがそのパターン方向を互いに直交す
るようにして直列接続し、かつ、エレメントに対して４
５°方向にバイアス磁界を加えることは、すべての磁気
抵抗エレメントに対して同一の動作をさせることにな
る。また、４５°方向にバイアス磁界が加わることは、
特性検出を、微少磁界に対してダイナミックに特性変化
する領域で行うことになり、わずかの誤差に対する安定
性が向上する。
２ａ，２ｂに流す電流のＯＮ，ＯＦＦを瞬時に切り替え
て、２つのバイアスコイル２ａ，２ｂのうちどちらか一
方のみがバイアス磁界を印加する方式で方位を検出する
ので、お互い他方のバイアス磁界が影響してバイアス磁
界の印加方向にずれが生じるということもない。さら
に、バイアス磁界と磁気抵抗素子の位置関係は予め素子
ホルダー４にて決められているとともにバイアス磁界の
大きさもその形成位置及び巻き数を所定値に決めてある
のでばらつきが低減される。その上磁気抵抗エレメント
３を、各エレメントがそのパターン方向を互いに直交す
るようにして直列接続し、かつ、エレメントに対して４
５°方向にバイアス磁界を加えることは、すべての磁気
抵抗エレメントに対して同一の動作をさせることにな
る。また、４５°方向にバイアス磁界が加わることは、
特性検出を、微少磁界に対してダイナミックに特性変化
する領域で行うことになり、わずかの誤差に対する安定
性が向上する。
【００２０】また、磁気抵抗エレメントに対して４５°
方向にバイアス磁界を付与するようにバイアスコイルを
巻線する場合、図５（ａ）に示すように磁気抵抗エレメ
ントの長手方向が絶縁基板の４つの辺に対して４５°方
向になるように形成した場合は、図５（ｂ）のように絶
縁基板の４つの辺に対して平行に形成した場合よりもセ
ンサ全体として小形化が実現できる。（２．８×Ｘ＜
Ｘ：磁気抵抗素子に占める引き回しおよび電極パターン
幅＞）
方向にバイアス磁界を付与するようにバイアスコイルを
巻線する場合、図５（ａ）に示すように磁気抵抗エレメ
ントの長手方向が絶縁基板の４つの辺に対して４５°方
向になるように形成した場合は、図５（ｂ）のように絶
縁基板の４つの辺に対して平行に形成した場合よりもセ
ンサ全体として小形化が実現できる。（２．８×Ｘ＜
Ｘ：磁気抵抗素子に占める引き回しおよび電極パターン
幅＞）
【００２１】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、１つの磁
気抵抗素子に９０°異なる方向からバイアスコイルによ
り別々にバイアス磁界を加え、更にその磁界方向と磁気
抵抗エレメントの方向を４５°にすること、また、バイ
アス磁界と磁気抵抗素子の位置関係およびコイルの巻き
数を設定することにより地磁気の検出を正確に測定する
ことが可能となる。更に、磁気抵抗エレメントの長手方
向を絶縁基板の４つの辺に対して４５°方向に形成する
ので、センサの形状が小型になる。
気抵抗素子に９０°異なる方向からバイアスコイルによ
り別々にバイアス磁界を加え、更にその磁界方向と磁気
抵抗エレメントの方向を４５°にすること、また、バイ
アス磁界と磁気抵抗素子の位置関係およびコイルの巻き
数を設定することにより地磁気の検出を正確に測定する
ことが可能となる。更に、磁気抵抗エレメントの長手方
向を絶縁基板の４つの辺に対して４５°方向に形成する
ので、センサの形状が小型になる。
【図１】（ａ）は本発明の一実施例における方位センサ
の斜視図 （ｂ）は同平面図
の斜視図 （ｂ）は同平面図
【図２】（ａ）は同断面図 （ｂ）は同断面図
【図３】（ａ），（ｂ）はそれぞれ同実施例の素子ホル
ダーの断面図
ダーの断面図
【図４】同実施例における地磁気検出の出力波形図
【図５】（ａ），（ｂ）は磁気抵抗エレメントの配置方
向とセンサ形状比較を示した平面図
向とセンサ形状比較を示した平面図
【図６】従来の方位センサの外形図
【図７】（ａ）は磁気抵抗素子の磁気抵抗特性図 （ｂ）は磁気抵抗素子に流れる電流ｉと印加される磁界
Ｈとの関係を示した説明図
Ｈとの関係を示した説明図
【図８】従来の方位センサの地磁気検出の出力波形図
【図９】同センサの出力波形図
１ 磁気抵抗素子 ２ａ，２ｂ バイアスコイル ３ 磁気抵抗エレメント ３ａ 磁気抵抗素子端子 ４ 素子ホルダー ４ａ 設置台部 ４ｂ，４ｃ コイル用溝
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G01C 17/30 G01C 17/28
Claims (1)
- 【請求項１】４つの直交する辺を有する絶縁基板上にパ
ターンの長手方向に通電すると電気抵抗がパターンに直
交する磁界の強さに応じて変化する４個の磁気抵抗エレ
メントをパターンの長手方向が互いに直交しかつ前記絶
縁基板の各辺に対して４５°の方向を向くように配置し
互いに直列に接続するとともに所定の入力端子と出力端
子を設けて構成した磁気抵抗素子と、前記磁気抵抗エレ
メントを形成した面がその中心部にくるように上記磁気
抵抗素子を設置する台座を有するホルダーと、このホル
ダーにそれぞれ所定の巻数で形成した２つのバイアスコ
イルとを備え、かつ前記ホルダーに上記磁気抵抗エレメ
ントに対して４５°方向にバイアス磁界を付与するため
の第１のバイアスコイルを前記磁気抵抗エレメントから
所定の距離で巻くための第１の溝と前記第１のバイアス
コイルに対して直交する第２のバイアスコイルを前記第
１のバイアスコイルに触れないような所定の位置に形成
するための第２の溝とを有する方位センサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3288316A JP3047567B2 (ja) | 1991-11-05 | 1991-11-05 | 方位センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3288316A JP3047567B2 (ja) | 1991-11-05 | 1991-11-05 | 方位センサ |
Publications (2)
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1991
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