JP3039622B2 - ボロメータ型赤外線センサ - Google Patents
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Description
ドレス方式の走査回路を持つと共に、走査回路における
画素破壊防止手段を備えた画素保護回路付き半導体装置
に適用されるボロメータ型赤外線センサであって、詳し
くは半導体基板上に入射赤外線を電気信号に変換する複
数のボロメータがスイッチに接続されて画素を成すボロ
メータ型赤外線センサに関する。
を持つ半導体装置では、装置内部に設けられた水平シフ
トレジスタ並びに垂直シフトレジスタにより順次選択パ
ルス信号を送り、これらの水平シフトレジスタ,垂直シ
フトレジスタに接続される水平スイッチ,垂直スイッチ
を順次切り替えることで信号の伝送交点に形成される画
素信号を読み取っている。通常,水平シフトレジスタ並
びに垂直シフトレジスタは、例えば特願平7−7526
4号に提案されているように、外部からのX−Yアドレ
スを制御するための信号線によりクロック信号やデータ
信号を伝送することで選択パルスを作る。
ス方式の走査回路を持つ半導体装置の場合、何らかの原
因によりクロック信号及びデータ信号が停止等の異常を
来すと、走査回路の停止や動作不良が生じ、同一画素が
長時間選択されることがある。このように同一画素が長
時間選択されると、画素を構成する素子に過剰な負荷が
かかり、画素の特性劣化及び画素破壊を起こしてしま
う。
レジスタに関してクロック信号及びデータ信号等のX−
Yアドレスを制御する信号線の断線等により走査回路の
停止や動作不良が生じて同一画素が長時間選択される
と、例えばこうした半導体装置に適用されるボロメータ
型赤外線センサにおいては、画素を構成するボロメータ
部(通常、半導体基板上に入射赤外光を電気信号に変換
する複数のボロメータが1次元又は2次元に配列されて
スイッチに接続されて画素を成す)に電流が流れ続ける
ことになり、ボロメータ部が過剰な自己発熱を起こして
画素の特性劣化を来したり、ボロメータ部が焼き切れて
画素破壊が生じてしまうという問題がある。こうした問
題は、この種の半導体装置を用いたものであれば、ボロ
メータ型赤外線センサ以外のものでも同様に生じる。
なされたもので、その技術的課題は、X−Yアドレス方
式の走査回路の停止や動作不良による画素の特性劣化や
画素破壊を防止し得るボロメータ型赤外線センサを提供
することにある。
基板上に1次元又は2次元に配列され、入射赤外線を電
気信号に変換する複数のボロメータと、複数のボロメー
タの選択を行うスイッチと、クロック信号及びデータ信
号が入力され、スイッチを制御するシフトレジスタとを
備えたボロメータ型赤外線センサにおいて、シフトレジ
スタの内部出力の論理ゲートをとることでデータ信号が
一定時間以上与えられたことを検出するデータ検出手段
と、データ検出手段の出力信号に応じて複数のボロメー
タの選択を禁止する禁止手段とを備えたボロメータ型赤
外線センサが得られる。
次元又は2次元に配列され、入射赤外線を電気信号に変
換する複数のボロメータと、複数のボロメータの選択を
行うスイッチと、クロック信号及びデータ信号が入力さ
れ、スイッチを制御するシフトレジスタとを備えたボロ
メータ型赤外線センサにおいて、クロック信号が一定時
間以上与えられないことを検出するクロック検出手段
と、クロック検出手段の出力信号に応じて複数のボロメ
ータの選択を禁止する禁止手段とを備えたボロメータ型
赤外線センサが得られる。
次元又は2次元に配列され、入射赤外線を電気信号に変
換する複数のボロメータと、複数のボロメータの選択を
行うスイッチと、クロック信号及びデータ信号が入力さ
れ、スイッチを制御するシフトレジスタとを備えたボロ
メータ型赤外線センサにおいて、データ信号の入力に基
づいて電源投入時に複数のボロメータの選択を禁止する
電源禁止手段と、電源禁止手段の出力信号に応じて複数
のボロメータの選択を禁止する禁止手段とを備えたボロ
メータ型赤外線センサが得られる。
Yアドレス方式の走査回路の水平シフトレジスタ及び垂
直シフトレジスタへ入力されるクロック信号,データ信
号を常に監視し、それらの入力信号の断線等による走査
回路の停止及び動作不良の場合は、走査回路の内部アド
レス信号を遮断状態にすることにより、画素が選択され
ないようにし、画素の特性劣化及び画素破壊を保護す
る。
に、水平シフトレジスタのデータ信号を監視する水平デ
ータ検出手段と、水平シフトレジスタのクロック信号を
監視する水平クロック検出手段と、スイッチを遮断状態
にして水平方向の異常を保護する水平スイッチ遮断手段
と、垂直シフトレジスタのデータ信号を監視する垂直デ
ータ検出手段と、垂直シフトレジスタのクロック信号を
監視する垂直クロック検出手段と、スイッチを遮断状態
にして垂直方向の異常を保護する垂直スイッチ遮断手段
と、パワーオン時の不良動作の保護を画素の選択拒否に
より行う選択拒否手段と、電源電圧の低下を監視する電
圧降下監視手段とを備える。
の走査回路の水平シフトレジスタへの入力信号である水
平クロック信号及び水平データ信号,垂直シフトレジス
タへの入力信号である垂直クロック信号及び垂直データ
信号の入力状態をそれぞれ監視し、異常があれば水平シ
フトレジスタに接続されている水平スイッチ及び垂直シ
フトレジスタに接続されている垂直スイッチを遮断状態
にし、ある特定の画素のみが選択されてしまうことを防
止する。ボロメータ型赤外線センサにおいては、同一画
素が長時間選択されると、画素を構成するボロメータ部
に電流が流れ続けることになり、ボロメータ部が過剰な
自己発熱を起こし、画素の特性劣化やボロメータ部が焼
き切れてしまうことで画素破壊が生じる問題があった
が、こうような問題を回避することができる。又、パワ
ーオン時のシフトレジスタ内部の不定なデータによる異
常動作での画素の特性劣化や画素破壊を保護するため、
走査回路のパワーオンリセット機能を設ている。
ロメータ型赤外線センサについて、図面を参照して詳細
に説明する。
タ型赤外線センサの回路構成を示したものである。
メータ101が垂直スイッチ(N個の半導体素子から成
る)102並びに水平スイッチ(N個の対構成された半
導体素子と反転回路との接続回路から成る)103に接
続されており、水平スイッチ103を順次走査する水平
シフトレジスタ(N個)104と、垂直スイッチ102
を順次走査する垂直シフトレジスタ(N個)105と、
水平スイッチ103に接続される出力信号線106とが
備えられている。ここで、水平シフトレジスタ104に
は入力データ信号であるH.DATA信号107,入力
クロック信号であるH.CLK信号108が伝送され、
垂直シフトレジスタ105には入力データ信号である
V.DATA信号109,入力クロック信号であるV.
CLK信号110が伝送される。
H.DATA信号107を監視する水平データ監視回路
111と、H.CLK信号108を監視する水平クロッ
ク監視回路112と、水平データ監視回路111及び水
平クロック監視回路112の出力の論理積を取る水平監
視AND113と、水平監視AND113の出力により
水平スイッチ103を遮断状態にする水平マスクAND
(N個)114と、V.DATA信号109を監視する
垂直データ監視回路115と、V.CLK信号110を
監視する垂直クロック監視回路116と、パワーオン時
のシフトレジスタ内部の不定なデータによる異常動作を
保護するためのセンサ・パワーオン保護回路117とが
備えられている。
は、センサ・パワーオン保護回路117のパワーオン・
リセットを行うパワーオン・リセット回路118と、電
源電圧の低下の監視を行う電源電圧監視回路119と、
パワーオン・リセット回路118及び電源電圧監視回路
119の出力の論理積を取ってセンサ・パワーオン保護
回路117のリセットを行う電源監視AND120と、
垂直データ監視回路115,垂直クロック監視回路11
6,及びセンサ・パワーオン保護回路117の出力の論
理積を取る垂直監視AND121と、垂直監視AND1
19の出力により垂直スイッチ102を遮断状態にする
垂直マスクAND(N個)122とが備えられている。
12,垂直クロック監視回路116はそれぞれ抵抗R1
及びコンデンサC1,抵抗R2及びコンデンサC2を含
む単安定マルチバイブレータ(リトリガ機能付き)で構
成され、センサ・パワーオン保護回路117はフリップ
・フロップで構成される。
ミングチャートを参照し、このボロメータ型赤外線セン
サの動作を説明する。
V.CLK信号110とを垂直シフトレジスタ105に
入力し、垂直シフトレジスタ105で生成されるシフト
パルスにより、垂直スイッチ102を導通状態にすると
共に、外部回路からH.DATA信号107とH.CL
K信号108とを水平シフトレジスタ104に入力し、
水平シフトレジスタから生成されるシフトパルスによ
り、水平スイッチ103を順次走査することにより、各
画素のボロメータ101から出力信号線106を通じて
信号を読み出す。
フトレジスタ104への入力データ信号であるH.DA
TA信号107がVDDの電圧に固定されたり、或いは
水平シフトレジスタ104への入力クロック信号である
H.CLK信号108が停止した場合(垂直シフトレジ
スタ105への入力信号のV.DATA信号109,
V.CLK信号110に関しても同様な場合が考えられ
る)、順次走査が停止し、ある特定の画素のみが選択さ
れ、同一画素が長時間選択される。同一画素が長時間選
択されると、画素を構成するボロメータ101に電流が
流れ続けることにより、ボロメータ101が過剰な自己
発熱をし、ボロメータ101の特性劣化やボロメータ1
01が焼き切れることによる画素破壊を生じる。
Iをボロメータ101に流れる電流値,Rをボロメータ
101の抵抗値,Ts を1画素あたりの選択時間,To
をフレーム時間とした場合、Po =I2 ・R・Ts /T
o なる関係で表わされる。
素破壊を防止する保護回路が備えられている。
H.DATA信号107は必ず1画素周期のパルス幅で
水平シフトレジスタ104に入力されるため、水平シフ
トレジスタ104の内部出力状態は1画素周期のパルス
幅のパルスが転送される。従って、水平シフトレジスタ
104の内部出力状態において2画素周期以上のパルス
幅のパルスが転送されていることは動作不良を示す。
力データ信号であるH.DATA信号107の監視をす
る水平データ監視回路111は、水平シフトレジスタ1
04の入力段近傍の内部出力状態において3画素周期以
上(本来は2画素周期以上のパルス幅で良いが、ゲート
遅延のためにグリッチが発生する恐れがあるため、3画
素周期以上としている)のパルス幅のパルスが転送され
ていないか否かを監視し、その結果、3画素周期以上の
パルス幅のパルスが転送された場合には全ての水平スイ
ッチ103を遮断状態にすることによって、画素の特性
劣化や画素破壊を防止して装置を保護する。
ータ信号であるV.DATA信号109もH.DATA
信号107と同様に、通常状態で順次走査を行う場合、
V.DATA信号109は必ず1画素周期のパルス幅で
垂直シフトレジスタ105に入力されるため、垂直シフ
トレジスタ105の内部出力状態は1画素周期のパルス
幅のパルスが転送される。従って、垂直シフトレジスタ
105の内部出力状態において2画素周期以上のパルス
幅のパルスが転送されていることは動作不良を示す。
力データ信号であるV.DATA信号109の監視をす
る垂直データ監視回路115は、垂直シフトレジスタ1
05の入力段近傍の内部出力状態において、3画素周期
以上(ここでも本来は2画素周期以上のパルス幅で良い
が、ゲート遅延のたためグリッチが発生する恐れがある
ため、3画素周期以上としている)のパルス幅のパルス
が転送されていないか否かを監視し、その結果、3画素
周期以上のパルス幅のパルスが転送された場合は全ての
垂直スイッチ102を遮断状態にすることによって、画
素の特性劣化や画素破壊を防止して装置を保護する。
垂直クロック監視回路116を含む要部に係る処理波形
を示したタイミングチャートである。
ク信号であるH.CLK信号108の監視をする水平ク
ロック監視回路112は、上述したように単安定マルチ
バイブレーター(リトリガ機能付き)で構成され、H.
CLK信号108が入力されている場合には水平スイッ
チ103が画素の選択を許可する信号を出力し、H.C
LK信号108が停止した場合にはコンデンサC1,抵
抗R1で決まる時定数後に水平スイッチ103を遮断状
態にする信号を出力することによって、画素の特性劣化
や画素破壊を防止して装置を保護する。
る時定数は、ある特定の画素が選択され続けてもボロメ
ータ101が自己発熱による画素の特性劣化や画素破壊
を起こさない時間に合わせている。
ロック信号であるV.CLK信号110の監視をする垂
直クロック監視回路116も、上述したように単安定マ
ルチバイブレーター(リトリガ機能付き)で構成される
が、V.CLK信号110が入力されている場合には垂
直スイッチ102が画素の選択を許可する信号を出力
し、V.CLK信号110が停止した場合にはコンデン
サC2,抵抗R2で決まる時定数後に垂直スイッチ10
2を遮断状態にする信号を出力することによって、画素
の特性劣化や画素破壊を防止して装置を保護する。
まる時定数は、ある特定の画素が選択され続けてもボロ
メータ101が自己発熱による画素の特性劣化や画素破
壊を起こさない時間に時定数を合わせている。
ンデンサC1,抵抗R1の時定数について具体的な数値
例を示せば、先ずボロメータ101に流れる電流をI,
ボロメータ抵抗値R,1画素の選択時間をt,熱コンダ
クタンスをGth,熱時定数をτとしたとき、ボロメー
タ101の自己発熱温度ΔTはΔT=(I2 ・R・t)
/(Gth・τ)なる関係で表わされる。ここで、I=
3mA,R=3kΩ,t=1μs,Gth=0.25μ
W/K,τ=20msとすると、ΔT=5℃となる。次
に、実験からボロメータ101の自己発熱温度ΔT=4
00℃まではボロメータ101の特性劣化や破壊がない
ことが確認されている。
数は、ボロメータ101の自己発熱温度ΔT=400℃
になる選択時間t以下に設定すれば良く、例えば通常の
自己発熱温度ΔT=5℃の10倍の自己発熱温度,即
ち、通常の1画素の選択時間tの10倍である10μs
に決定する。但し、こうした時定数は、通常の自己発熱
の2倍以上若しくは4倍以上になる選択時間に決定する
ことが好ましい。これは時定数を決めるコンデンサの容
量値と抵抗値とが半導体製造プロセスにおいて±50%
程度変動することにより、通常動作において誤動作が生
じないようにするためである。
垂直クロック監視回路116は、図4に示すような回路
構成でも構成できる。
トトランジスタ402,定電流源403,積分コンデン
サ404,及び出力バッファ405により構成される。
を図5に示すその処理波形のタイムングチャートを参照
して説明する。
8又はV.CLK信号110の立ち上がりエッジの微分
パルスを生成し、その微分パルスをリセットパルスと
し、リセットトランジスタ402をONすることによ
り、積分コンデンサ404をリセットにする。リセット
パルスが“L”レベルになることにより、リセットトラ
ンジスタ402がOFFし、定電流源403から積分コ
ンデンサ404に電荷が蓄えられる。H.CLK信号1
08又はV.CLK信号110が入力されている場合、
積分コンデンサ404の両端の電圧は、図示のような出
力バッファ405の入力405(IN)に関して出力バッフ
ァ405の入力閾値電圧VI を超える前にリセットさ
れ、その結果、出力バッファ405の出力405(OUT)
は通常状態の順次動作を許可する旨を出力する。
V.CLK信号110の停止等でクロック信号が入力さ
れない場合にはリセットパルスが加えられないため、積
分コンデンサ404の両端の電圧は、上昇して出力バッ
ファ405の入力405(IN)に関して出力バッファ40
5の入力閾値電圧VI を超える電圧になり、その結果、
出力バッファ405の出力405(OUT) は垂直スイッチ
102又は水平スイッチ103を遮断状態にする旨を出
力する。
する回路構成における具体的数値例を示せば、先ず定電
流源403の電流値をI4,積分コンデンサ404の容
量をC4,V.CLK信号110の周期をt4とする
と、積分コンデンサ404の両端の電圧V4は、V4=
I4・t4/C4なる関係で表わされる。
流れる電流をI,ボロメータ抵抗値をR,1画素の選択
時間をt,熱コンダクタンスをGth,熱時定数をτと
した場合、ボロメータ101の自己発熱温度ΔTは、Δ
T=(I2 ・R・t)/(Gth・τ)なる関係で表わ
され、I=3mA,R=3kΩ,t=1μs,Gth=
0.25μW/K,τ=20msとするとΔT=5℃と
なる。
圧VI が10V,通常の自己発熱温度ΔT=5℃の4倍
で画素の選択の拒否を行うように設定した場合、通常動
作での積分コンデンサ404の両端の電圧V4は、入力
閾値電圧VI =10V/4の2.5Vになるように各パ
ラメータを設定する。
F,t4=250μsとすると、通常動作においてV4
=2.5Vとなる。従って、V.CLK信号110が正
常に入力されているときには、積分コンデンサ404の
両端の電圧V4は2.5Vまで上昇してリセットされる
が、V.CLK信号110が停止等した場合には積分コ
ンデンサ404の両端の電圧V4は上昇し続けて出力バ
ッファ405の入力閾値電圧VI と積分コンデンサ40
4の両端の電圧V4とが等しくなると、4クロック分の
V.CLK信号110が入力されなくなり、このときに
出力バッファ405は画素の選択を拒否を行う旨を出力
する。
及び垂直クロック監視回路116を図4に示すような回
路構成とすると、図1に示した単安定マルチバイブレー
ター(リトリガ機能付き)として構成した場合に比べ、
回路規模を小さくすることができる。
104及び垂直シフトレジスタ105内部の不定なデー
タによる不良動作での画素の特性劣化や画素破壊を回避
保護するためのセンサ・パワーオン保護回路117は、
ここでは電源投入時からV.DATA信号109が2ク
ロック入力されるまでボロメータ101の直前に接続さ
れる垂直スイッチ102を遮断状態にすることにより、
ボロメータ101を保護する。
91,電界トランジスタ1192,電界トランジスタ1
193,及びバッファ(反転回路)1194で構成さ
れ、電界トランジスタ1192及び電界トランジスタ1
193のドレイン−ソース間電圧とバッファ1194の
入力閾値電圧との比較により電源電圧の降下の監視を行
う。電源電圧が正常値である場合は、電界トランジスタ
1192及び電界トランジスタ1193のドレイン−ソ
ース間電圧は、バッファ1194の入力閾値電圧より低
い電圧であり、何らかの原因により電源電圧が降下し出
すと、電源電圧の降下に伴うバッファ1194の入力閾
値電圧の低下が生じ、電界トランジスタ1192及び電
界トランジスタ1193のドレイン−ソース間電圧がバ
ッファ1194の入力閾値電圧より高い電圧になり、バ
ッファ1194の出力論理は反転する。従って、電源電
圧監視回路119の出力によりボロメータ101の直前
に接続される垂直スイッチ102を遮断状態にし、ボロ
メータ101を保護する。
を持つ半導体装置に保護回路を設けることにより、シフ
トレジスタにリセット機能を持たせるよりも回路規模を
小さくすることができる。
ータ型赤外線センサの回路構成を示したものである。
向に4画素周期毎に出力信号線606を分割して構成さ
れている。
割である場合には、4画素同時に読み出しを行うために
水平シフトレジスタ604に4画素周期のパルス幅の
H.DATA信号607を入力し、水平シフトレジスタ
604内部には4画素周期のパルス幅のパルスが転送さ
れる。従って、水平シフトレジスタ604の内部出力状
態において5画素周期以上のパルス幅のパルスが転送さ
れていることは動作不良を示す。
平シフトレジスタ604の入力段近傍の内部出力状態に
おいて、6画素周期以上(本来は5画素周期以上のパル
ス幅で良いが、ゲート遅延のためグリッチが発生する恐
れがあるため、6画素周期以上としている)のパルス幅
のパルスが転送されていないか否かを監視する。その結
果、6画素周期以上のパルス幅のパルスが転送されたと
きには全ての水平スイッチ603を遮断状態にすること
によって、画素の特性劣化や画素破壊を防止して装置を
保護する。
トレジスタのデータ信号監視回路は、シフトレジスタの
入力段近傍の内部出力状態において、(n+2)画素周
期以上のパルス幅[本来はn画素周期以上のパルス幅で
良いが、ゲート遅延のためグリッチが発生する恐れがあ
るため、(n+2)画素周期以上としている]のパルス
が転送されていないか否かを監視し、その結果、(n+
2)画素周期以上のパルス幅のパルスが転送されたとき
にはスイッチを遮断状態にすることによって、画素の特
性劣化や画素破壊を防止して装置を保護する。
線センサは、X−Yアドレス方式の走査回路を持つ半導
体装置に適用すれば有効に機能する。例えば、画素表示
装置として様々な方式のものが提案されており、開発さ
れているが、その一例としてFED(Field Em
ission Display)と呼ばれる電界放出素
子を用いたディスプレイがある。このFEDは、ゲート
及びカソード間に電圧を印加することで電子を放出さ
せ、対向する蛍光板に照射させて発光する方式であり、
電子の放出による蛍光板の発光が継続されると寿命が劣
化することが知られている。
回路が停止等した場合、ある特定のセルのみが長時間選
択され、その特定のセルのみが長時間選択による特性劣
化や破壊を生じるが、本発明の保護回路によりこれを防
止対策して改善することができる。
ma Display Panel),LCD(Liq
uid Crystal Display),可視のM
OS型撮像デバイス等のX−Yアドレス方式の走査回路
を持つ半導体装置全般において本発明は適用できる。
型赤外線センサによれば、X−Yアドレス方式の走査回
路の水平シフトレジスタ及び垂直シフトレジスタへの入
力信号となるクロック信号及びデータ信号を常に監視
し、これらの入力信号の断線等による走査回路の停止や
動作不良の場合は、走査回路の内部アドレス信号を遮断
状態にして画素が選択されないようにするため、同一画
素が長時間選択されて画素を構成する素子に過剰な負荷
がかかることが防止され、画素の特性劣化や画素破壊を
防止する保護対策が計られるようになる。又、ボロメー
タ型赤外線センサ内部に保護回路を設け、内部出力状態
等で監視を行っており、簡単な論理ゲートで構成できる
ため、外部回路の回路規模を削減できるようになる。
ンサの回路構成を示したものである。
入力信号波形を示したすタイミングチャートである。
れる水平クロック監視回路及び垂直クロック監視回路を
含む要部に係る処理波形を示したタイミングチャートで
ある。
れる水平クロック監視回路及び垂直クロック監視回路に
関する他の回路構成を示したものである。
波形のタイムングチャートである。
センサの回路構成を示したものである。
Claims (3)
- 【請求項1】 半導体基板上に1次元又は2次元に配列
され、入射赤外線を電気信号に変換する複数のボロメー
タと、前記複数のボロメータの選択を行うスイッチと、
クロック信号及びデータ信号が入力され、前記スイッチ
を制御するシフトレジスタとを備えたボロメータ型赤外
線センサにおいて、前記シフトレジスタの内部出力の論
理ゲートをとることで前記データ信号が一定時間以上与
えられたことを検出するデータ検出手段と、前記データ
検出手段の出力信号に応じて前記複数のボロメータの選
択を禁止する禁止手段とを備えたことを特徴とするボロ
メータ型赤外線センサ。 - 【請求項2】 半導体基板上に1次元又は2次元に配列
され、入射赤外線を電気信号に変換する複数のボロメー
タと、前記複数のボロメータの選択を行うスイッチと、
クロック信号及びデータ信号が入力され、前記スイッチ
を制御するシフトレジスタとを備えたボロメータ型赤外
線センサにおいて、前記クロック信号が一定時間以上与
えられないことを検出するクロック検出手段と、前記ク
ロック検出手段の出力信号に応じて前記複数のボロメー
タの選択を禁止する禁止手段とを備えたことを特徴とす
るボロメータ型赤外線センサ。 - 【請求項3】 半導体基板上に1次元又は2次元に配列
され、入射赤外線を電気信号に変換する複数のボロメー
タと、前記複数のボロメータの選択を行うスイッチと、
クロック信号及びデータ信号が入力され、前記スイッチ
を制御するシフトレジスタとを備えたボロメータ型赤外
線センサにおいて、前記データ信号の入力に基づいて電
源投入時に前記複数のボロメータの選択を禁止する電源
禁止手段と、前記電源禁止手段の出力信号に応じて前記
複数のボロメータの選択を禁止する禁止手段とを備えた
ことを特徴とするボロメータ型赤外線センサ。
Priority Applications (2)
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JP8273612A JP3039622B2 (ja) | 1996-10-16 | 1996-10-16 | ボロメータ型赤外線センサ |
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Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP8273612A JP3039622B2 (ja) | 1996-10-16 | 1996-10-16 | ボロメータ型赤外線センサ |
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ID=17530179
Family Applications (1)
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-
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- 1996-10-16 JP JP8273612A patent/JP3039622B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1997
- 1997-10-16 US US08/942,416 patent/US6222585B1/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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