JP3035403B2 - 半導体装置 - Google Patents
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Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置に係り、特に
シングル・インライン・パッケージ構造を有する半導体
装置に関する。
シングル・インライン・パッケージ構造を有する半導体
装置に関する。
【0002】近年、半導体装置の回路基板への実装方法
として、回路基板に半導体装置を実装するための特殊加
工をすることなく、半導体装置を回路基板上に実装する
サーフェイス・マウント・パッケージが広く用いられる
ようになってきている。
として、回路基板に半導体装置を実装するための特殊加
工をすることなく、半導体装置を回路基板上に実装する
サーフェイス・マウント・パッケージが広く用いられる
ようになってきている。
【0003】また、実装密度を向上しうるパッケージの
構造としてシングル・インライン・パッケージが知られ
ている。
構造としてシングル・インライン・パッケージが知られ
ている。
【0004】以上の理由によって、サーフェイス・マウ
ント・パッケージの利点及びシングル・インライン・パ
ッケージの利点を合わせ持つパッケージの実現が望まれ
ている。
ント・パッケージの利点及びシングル・インライン・パ
ッケージの利点を合わせ持つパッケージの実現が望まれ
ている。
【0005】
【従来の技術】従来、サーフェイス・マウント・パッケ
ージの利点及びシングル・インライン・パッケージの利
点を合わせ持つパッケージ構造として、本出願人は先に
特願平3−113483号にて、図5に示す半導体装置
1を提案しており、同図(A)は正面図、同図(B)は
側面図を示す。
ージの利点及びシングル・インライン・パッケージの利
点を合わせ持つパッケージ構造として、本出願人は先に
特願平3−113483号にて、図5に示す半導体装置
1を提案しており、同図(A)は正面図、同図(B)は
側面図を示す。
【0006】同図中、2は樹脂製パッケージであり、複
数の接続リード3が樹脂製パッケージ2の外部に延出し
ている。また、各接続リード3の先端所定部分は所定の
方向に折曲されている。そして、樹脂製パッケージ2の
両側部分には、接続リード3よりも長い複数の支持リー
ド4が樹脂製パッケージ2に対して異なる2側方向に延
出するように設置されている。
数の接続リード3が樹脂製パッケージ2の外部に延出し
ている。また、各接続リード3の先端所定部分は所定の
方向に折曲されている。そして、樹脂製パッケージ2の
両側部分には、接続リード3よりも長い複数の支持リー
ド4が樹脂製パッケージ2に対して異なる2側方向に延
出するように設置されている。
【0007】上記構成の半導体装置1を実装するときに
は、回路基板上に特殊加工をすることなく、上記支持リ
ード4によって樹脂製パッケージ2を回路基板上に直立
させることができる。
は、回路基板上に特殊加工をすることなく、上記支持リ
ード4によって樹脂製パッケージ2を回路基板上に直立
させることができる。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記本
出願人の提案になる半導体装置1を、従来のインライン
型実装機によって回路基板上に実装しようとすると、樹
脂製パッケージ2の側方に長く突出した支持リード4が
障害物となって十分に支持することが困難となった。そ
の結果、生産歩留りが悪くなる現象が多発し、専用の実
装機が必要とされるに到った。
出願人の提案になる半導体装置1を、従来のインライン
型実装機によって回路基板上に実装しようとすると、樹
脂製パッケージ2の側方に長く突出した支持リード4が
障害物となって十分に支持することが困難となった。そ
の結果、生産歩留りが悪くなる現象が多発し、専用の実
装機が必要とされるに到った。
【0009】本発明は、上述の点に鑑みてなされたもの
であり、特願平3−113483になる半導体装置を改
善し、従来のインライン型実装機による生産歩留りを維
持し、生産性の高い実装作業が可能な半導体装置を提供
することを目的とする。
であり、特願平3−113483になる半導体装置を改
善し、従来のインライン型実装機による生産歩留りを維
持し、生産性の高い実装作業が可能な半導体装置を提供
することを目的とする。
【課題を解決するための手段】上記の問題点を解決する
ために請求項1記載の発明では、内部にリードフレーム
に保持された半導体チップが封入された樹脂製パッケー
ジと、前記樹脂製パッケージの接合縁部に延出した接続
リードとを具備し、前記接合縁部側を回路基板上に立設
させる表面実装タイプの半導体装置において、回路基板
上に予め固定された支持手段に嵌合することにより前記
樹脂製パッケージを前記回路基板に対して立設状態に保
持させる被支持部を前記樹脂製パッケージの前記接合縁
部に設け、前記被支持部の形状を凹型の構成とし、前記
支持手段の形状を凸型の構成とした。
ために請求項1記載の発明では、内部にリードフレーム
に保持された半導体チップが封入された樹脂製パッケー
ジと、前記樹脂製パッケージの接合縁部に延出した接続
リードとを具備し、前記接合縁部側を回路基板上に立設
させる表面実装タイプの半導体装置において、回路基板
上に予め固定された支持手段に嵌合することにより前記
樹脂製パッケージを前記回路基板に対して立設状態に保
持させる被支持部を前記樹脂製パッケージの前記接合縁
部に設け、前記被支持部の形状を凹型の構成とし、前記
支持手段の形状を凸型の構成とした。
【0010】また、請求項2記載の発明では、前記被支
持部の前記支持手段を嵌入する嵌入口に面取り構造を設
ける構成とした。
持部の前記支持手段を嵌入する嵌入口に面取り構造を設
ける構成とした。
【0011】また、請求項3記載の発明では、前記被支
持部の形状を谷溝形状の構成とし、前記支持手段の形状
を山峰形状の構成とした。
持部の形状を谷溝形状の構成とし、前記支持手段の形状
を山峰形状の構成とした。
【0012】また、請求項4記載の発明では、複数の前
記樹脂製パッケージを単数組の前記支持手段にて回路基
板上に立設する構成とした。
記樹脂製パッケージを単数組の前記支持手段にて回路基
板上に立設する構成とした。
【0013】また、請求項5記載の発明では、前記樹脂
製パッケージによって封入された前記半導体チップを保
持する前記リードフレームにおける前記被支持部を形成
してなる部分を外部に露出させる構成とし、前記支持手
段を熱伝導性を有する素材にて構成した。
製パッケージによって封入された前記半導体チップを保
持する前記リードフレームにおける前記被支持部を形成
してなる部分を外部に露出させる構成とし、前記支持手
段を熱伝導性を有する素材にて構成した。
【0014】また、請求項6記載の発明では、前記嵌合
された前記被支持部と前記支持手段とを熱伝導性と導電
性を有する接着部材又はかしめによって定着させる構成
とした。
された前記被支持部と前記支持手段とを熱伝導性と導電
性を有する接着部材又はかしめによって定着させる構成
とした。
【0015】
【作用】上記請求項1記載の構成によれば、樹脂製パッ
ケージは予め固定された支持手段に嵌合して回路基板上
に立設される。したがって、予め設計された位置あるい
は方向に確実に樹脂製パッケージを実装できる。また、
樹脂製パッケージの外側に延出するのは接続リードのみ
である。したがって、実装工程の障害物となるものはな
い。
ケージは予め固定された支持手段に嵌合して回路基板上
に立設される。したがって、予め設計された位置あるい
は方向に確実に樹脂製パッケージを実装できる。また、
樹脂製パッケージの外側に延出するのは接続リードのみ
である。したがって、実装工程の障害物となるものはな
い。
【0016】また、請求項2記載の構成によれば、被支
持部の嵌入口は嵌入奥部より少し広くなっている。した
がって、実装機の動作に多少の位置ずれがあっても樹脂
製パッケージや回路基板を傷つけることなく嵌入作業を
実施できる。
持部の嵌入口は嵌入奥部より少し広くなっている。した
がって、実装機の動作に多少の位置ずれがあっても樹脂
製パッケージや回路基板を傷つけることなく嵌入作業を
実施できる。
【0017】また、請求項3記載の構成によれば、支持
手段の形状は比較的単純なものとすることができる。し
たがって、支持手段として使用する部材の生産は容易で
ある。
手段の形状は比較的単純なものとすることができる。し
たがって、支持手段として使用する部材の生産は容易で
ある。
【0018】また、請求項4記載の構成によれば、1組
の支持手段に多数の樹脂製パッケージを保持させること
ができる。したがって、使用する部材と作業工程は少な
くなる。
の支持手段に多数の樹脂製パッケージを保持させること
ができる。したがって、使用する部材と作業工程は少な
くなる。
【0019】また、請求項5記載の構成によれば、半導
体チップを支持しているリードフレームは熱伝導性を有
する支持手段に対して直接に接触する。したがって、半
導体チップの発した熱はリードフレームと支持手段を介
して外部に放散される。
体チップを支持しているリードフレームは熱伝導性を有
する支持手段に対して直接に接触する。したがって、半
導体チップの発した熱はリードフレームと支持手段を介
して外部に放散される。
【0020】また、請求項6記載の構成によれば、樹脂
製パッケージの立設位置は固定され、さらに熱と電気の
伝導経路も固定される。したがって、半導体装置を含む
回路基板上の回路は物理的かつ電気的に固定しない場合
よりも安定する。
製パッケージの立設位置は固定され、さらに熱と電気の
伝導経路も固定される。したがって、半導体装置を含む
回路基板上の回路は物理的かつ電気的に固定しない場合
よりも安定する。
【0021】
【実施例】図1は、本発明になる半導体装置10の概略
構造を示す図であり、同図(A),(B)はそれぞれ正
面図および側面図を示す。同図中、11は樹脂製パッケ
ージであり、複数の接続リード12が樹脂製パッケージ
11の接合縁部11a(回路基板と向かい合う側)から
延出している。また、各接続リード12の先端所定部分
は所定の方向に折曲されている。
構造を示す図であり、同図(A),(B)はそれぞれ正
面図および側面図を示す。同図中、11は樹脂製パッケ
ージであり、複数の接続リード12が樹脂製パッケージ
11の接合縁部11a(回路基板と向かい合う側)から
延出している。また、各接続リード12の先端所定部分
は所定の方向に折曲されている。
【0022】樹脂製パッケージ11の接合縁部11aに
は、接続リード12の両側2ヶ所に被支持部13が設け
られている。また、半導体装置10を立設しようとする
回路基板上には、予め支持手段14が固定されている。
回路基板上への半導体装置10の立設は、上記支持手段
14に対して樹脂製パッケージ11の被支持部13を嵌
入させることによって行われる。
は、接続リード12の両側2ヶ所に被支持部13が設け
られている。また、半導体装置10を立設しようとする
回路基板上には、予め支持手段14が固定されている。
回路基板上への半導体装置10の立設は、上記支持手段
14に対して樹脂製パッケージ11の被支持部13を嵌
入させることによって行われる。
【0023】同図(B)の(i)は、被支持部13およ
び支持手段14を、それぞれ窪穴形状および棒形突起形
状にて構成した例である。この例では、予め回路基板上
に固定された支持手段14の棒形突起部分に、樹脂製パ
ッケージ11の窪穴形状の被支持部13を差し込むこと
によって、半導体装置10の本体を回路基板上に立設さ
せる。
び支持手段14を、それぞれ窪穴形状および棒形突起形
状にて構成した例である。この例では、予め回路基板上
に固定された支持手段14の棒形突起部分に、樹脂製パ
ッケージ11の窪穴形状の被支持部13を差し込むこと
によって、半導体装置10の本体を回路基板上に立設さ
せる。
【0024】上記被支持部13および支持手段14を、
それぞれ窪穴形状および棒形突起形状にて構成した例に
おいては、支持手段14を回路基板上にどのように固定
するかによって、半導体装置10の立設位置および立設
方向は規定される。
それぞれ窪穴形状および棒形突起形状にて構成した例に
おいては、支持手段14を回路基板上にどのように固定
するかによって、半導体装置10の立設位置および立設
方向は規定される。
【0025】同図(B)の(ii)は、被支持部13およ
び支持手段14を、それぞれ谷溝形状および山峰形状に
て構成した例である。この例では、予め回路基板上に固
定された支持手段14の山峰形状部分に、樹脂製パッケ
ージ11の谷溝形状の被支持部13を差し込むことによ
って、半導体装置10の本体を回路基板上に立設させ
る。
び支持手段14を、それぞれ谷溝形状および山峰形状に
て構成した例である。この例では、予め回路基板上に固
定された支持手段14の山峰形状部分に、樹脂製パッケ
ージ11の谷溝形状の被支持部13を差し込むことによ
って、半導体装置10の本体を回路基板上に立設させ
る。
【0026】上記被支持部13および支持手段14を、
それぞれ谷溝形状および山峰形状にて構成した例におい
ては、支持手段14を回路基板上にどのように固定する
かは半導体装置10の被支持部13によって規定される
が、それによって半導体装置10の立設位置および立設
方向は規定されない。したがって、この例は先述の被支
持部13および支持手段14を、それぞれ窪穴形状およ
び棒形突起形状にて構成した例よりも汎用性が高い。さ
らに、1組の支持手段14によって多数の半導体装置1
0を実装することも可能である。
それぞれ谷溝形状および山峰形状にて構成した例におい
ては、支持手段14を回路基板上にどのように固定する
かは半導体装置10の被支持部13によって規定される
が、それによって半導体装置10の立設位置および立設
方向は規定されない。したがって、この例は先述の被支
持部13および支持手段14を、それぞれ窪穴形状およ
び棒形突起形状にて構成した例よりも汎用性が高い。さ
らに、1組の支持手段14によって多数の半導体装置1
0を実装することも可能である。
【0027】上述のどちらの例においても、被支持部1
3の嵌入口に面取り構造を設けることにより、半導体装
置10本体を回路基板上に実装する実装機の動作に多少
の位置ずれがあっても樹脂製パッケージや回路基板を傷
つけることなく嵌入作業を実施できる。また、被支持部
13を形成するリードフレーム部分を外部に露出させて
熱伝導性を有する素材で作られた支持手段14と嵌合さ
せれば、半導体チップの発した熱をリードフレームと支
持手段を介して外部に放散させることができる。
3の嵌入口に面取り構造を設けることにより、半導体装
置10本体を回路基板上に実装する実装機の動作に多少
の位置ずれがあっても樹脂製パッケージや回路基板を傷
つけることなく嵌入作業を実施できる。また、被支持部
13を形成するリードフレーム部分を外部に露出させて
熱伝導性を有する素材で作られた支持手段14と嵌合さ
せれば、半導体チップの発した熱をリードフレームと支
持手段を介して外部に放散させることができる。
【0028】図2は、本発明になる半導体装置の被支持
部13の詳細構造例を示す。同図(A)は、図1(B)
の(ii)にて示した例であり、図2(B)は谷溝形状に
て構成した変形例である。また、図2(C)は図1
(B)の(i)にて示した例である。図2(D)は嵌入
口を面取り構造にて構成した様子を示す拡大図である。
部13の詳細構造例を示す。同図(A)は、図1(B)
の(ii)にて示した例であり、図2(B)は谷溝形状に
て構成した変形例である。また、図2(C)は図1
(B)の(i)にて示した例である。図2(D)は嵌入
口を面取り構造にて構成した様子を示す拡大図である。
【0029】図2(A)の(i),(ii)はそれぞれ底
面図および正面図である。同図中、嵌入部分では比較的
広い面積のリードフレームが外部に露出しているので、
先述の放熱効果が高い。このタイプは一般的な環境条件
での使用を想定しており、先述のように実装時の自由度
も高い。
面図および正面図である。同図中、嵌入部分では比較的
広い面積のリードフレームが外部に露出しているので、
先述の放熱効果が高い。このタイプは一般的な環境条件
での使用を想定しており、先述のように実装時の自由度
も高い。
【0030】図2(B)は樹脂製パッケージ11の角隅
部分の接合縁部11aに被支持部13を設ける場合の変
形例の正面図である。このタイプは前述の特徴を備えて
いるほか、狭い空間に高密度で回路を詰め込む必要があ
る条件での使用を想定している。
部分の接合縁部11aに被支持部13を設ける場合の変
形例の正面図である。このタイプは前述の特徴を備えて
いるほか、狭い空間に高密度で回路を詰め込む必要があ
る条件での使用を想定している。
【0031】図2(C)は樹脂製パッケージ11の角隅
より離れた接合縁部11aの辺部分に外部からリードフ
レームが見えないように窪穴形状にて構成した場合の例
であり、同図(i),(ii)はそれぞれ底面図および正
面図である。同図中、被支持部13の周囲は嵌合に必要
な空間を残して樹脂製パッケージ11に覆われている。
そこで、被支持部13は回路基板上の支持手段14に確
実に定着し、定着後は嵌合したリードフレームは外気に
触れにくい構造となる。このタイプは外部環境が厳し
い、振動が激しいなど、環境条件が厳しい場合に使用さ
れることを想定している。
より離れた接合縁部11aの辺部分に外部からリードフ
レームが見えないように窪穴形状にて構成した場合の例
であり、同図(i),(ii)はそれぞれ底面図および正
面図である。同図中、被支持部13の周囲は嵌合に必要
な空間を残して樹脂製パッケージ11に覆われている。
そこで、被支持部13は回路基板上の支持手段14に確
実に定着し、定着後は嵌合したリードフレームは外気に
触れにくい構造となる。このタイプは外部環境が厳し
い、振動が激しいなど、環境条件が厳しい場合に使用さ
れることを想定している。
【0032】図3は本発明になる半導体装置の支持手段
14の詳細構造例を示す図である。この例はすべて、谷
溝形状にて構成される被支持部13に嵌合する山峰形状
の支持手段14の例を示し、(A),(B),(C)は
それぞれ、L字形,逆T字形およびI字形の素材で構成
されている。
14の詳細構造例を示す図である。この例はすべて、谷
溝形状にて構成される被支持部13に嵌合する山峰形状
の支持手段14の例を示し、(A),(B),(C)は
それぞれ、L字形,逆T字形およびI字形の素材で構成
されている。
【0033】それぞれ、一般的な条件ではL字形の支持
手段14を、特に支持強度を要する条件では逆T字形の
支持手段14を、回路基板の大きさに余裕がない条件で
はI字形の支持手段14を使用することを想定してい
る。
手段14を、特に支持強度を要する条件では逆T字形の
支持手段14を、回路基板の大きさに余裕がない条件で
はI字形の支持手段14を使用することを想定してい
る。
【0034】図4は本発明になる半導体装置の使用形態
例を示し、同図(A)は1組の短いL字形平板状突起に
よって単一の樹脂製パッケージ11を保持する例、同図
(B)は長い1組のL字形平板状突起によって複数の樹
脂製パッケージ11を保持する例を示す。
例を示し、同図(A)は1組の短いL字形平板状突起に
よって単一の樹脂製パッケージ11を保持する例、同図
(B)は長い1組のL字形平板状突起によって複数の樹
脂製パッケージ11を保持する例を示す。
【0035】上記のどちらの例においても、予め回路基
板上に固定されたL字形(山峰形状)の支持手段14
に、谷溝形状の被支持部13を嵌合させてから、嵌合部
をかしめまたは接着部材によって定着させ、接続リード
12を回路基板上の所定位置にはんだづけする。このと
き、嵌合部とともに前記かしめまたは接着部材を熱伝導
性を有する素材にて構成すれば、半導体チップによる熱
の放散効果をより高めることができる。
板上に固定されたL字形(山峰形状)の支持手段14
に、谷溝形状の被支持部13を嵌合させてから、嵌合部
をかしめまたは接着部材によって定着させ、接続リード
12を回路基板上の所定位置にはんだづけする。このと
き、嵌合部とともに前記かしめまたは接着部材を熱伝導
性を有する素材にて構成すれば、半導体チップによる熱
の放散効果をより高めることができる。
【0036】
【発明の効果】上述の如く、請求項1記載の発明によれ
ば、樹脂製パッケージは予め固定された支持手段に嵌合
して回路基板上に立設されるため、予め設計された位置
あるいは方向に確実に樹脂製パッケージを実装できると
いう特長がある。また、樹脂製パッケージの外側に延出
するのは接続リードのみであるため、実装工程の障害物
となるものはなく、従来のインライン型実装機にて生産
歩留りの高い生産ができるという特長がある。
ば、樹脂製パッケージは予め固定された支持手段に嵌合
して回路基板上に立設されるため、予め設計された位置
あるいは方向に確実に樹脂製パッケージを実装できると
いう特長がある。また、樹脂製パッケージの外側に延出
するのは接続リードのみであるため、実装工程の障害物
となるものはなく、従来のインライン型実装機にて生産
歩留りの高い生産ができるという特長がある。
【0037】また、請求項2記載の発明によれば、被支
持部の嵌入口は嵌入奥部より少し広くなっているため、
実装機の動作に多少の位置ずれがあっても樹脂製パッケ
ージや回路基板を傷つけることなく嵌入作業を実施でき
るという特長がある。
持部の嵌入口は嵌入奥部より少し広くなっているため、
実装機の動作に多少の位置ずれがあっても樹脂製パッケ
ージや回路基板を傷つけることなく嵌入作業を実施でき
るという特長がある。
【0038】また、請求項3記載の発明によれば、支持
手段の形状は比較的単純であるため、支持手段として使
用する部材の生産および入手は容易であり、生産コスト
を安くできるという特長がある。
手段の形状は比較的単純であるため、支持手段として使
用する部材の生産および入手は容易であり、生産コスト
を安くできるという特長がある。
【0039】また、請求項4記載の発明によれば、1組
の支持手段に多数の樹脂製パッケージを保持させること
ができるため、使用する部材と作業工程が少なくなって
生産コストが下がり、さらに、各樹脂製パッケージの立
設位置および方向などをパッケージの実装時に決めるこ
とができるという特長がある。
の支持手段に多数の樹脂製パッケージを保持させること
ができるため、使用する部材と作業工程が少なくなって
生産コストが下がり、さらに、各樹脂製パッケージの立
設位置および方向などをパッケージの実装時に決めるこ
とができるという特長がある。
【0040】また、請求項5記載の発明によれば、半導
体チップを支持しているリードフレームは熱伝導性を有
する支持手段に直接に接触するため、半導体チップの発
した熱はリードフレームと支持手段を介して外部に放散
され、他の放熱手段を設けることなく効果的に半導体チ
ップを冷却できるという特長がある。
体チップを支持しているリードフレームは熱伝導性を有
する支持手段に直接に接触するため、半導体チップの発
した熱はリードフレームと支持手段を介して外部に放散
され、他の放熱手段を設けることなく効果的に半導体チ
ップを冷却できるという特長がある。
【0041】また、請求項6記載の発明によれば、樹脂
製パッケージの立設位置は固定され、さらに熱と電気の
伝導経路も固定されるため、半導体装置を含む回路基板
上の回路は物理的かつ電気的に安定して、信頼性が増大
するという特長がある。
製パッケージの立設位置は固定され、さらに熱と電気の
伝導経路も固定されるため、半導体装置を含む回路基板
上の回路は物理的かつ電気的に安定して、信頼性が増大
するという特長がある。
【図1】本発明になる半導体装置の概略構造を示す図で
ある。
ある。
【図2】本発明になる半導体装置の被支持部の詳細構造
例を示す図である。
例を示す図である。
【図3】本発明になる半導体装置の支持手段の詳細構造
例を示す図である。
例を示す図である。
【図4】本発明になる半導体装置の使用形態例を示す図
である。
である。
【図5】本出願人の提案になる半導体装置の概略構造を
示す図である。
示す図である。
10 半導体装置 11 樹脂製パッケージ 11a 接合縁部 12 接続リード 13 被支持部 14 支持手段
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H01L 23/28 H01L 23/50
Claims (6)
- 【請求項1】 内部にリードフレームに保持された半導
体チップが封入された樹脂製パッケージと、 前記樹脂製パッケージの接合縁部に延出した接続リード
とを具備し、 前記接合縁部側を回路基板上に立設させる表面実装タイ
プの半導体装置において、 回路基板上に予め固定された支持手段に嵌合することに
より前記樹脂製パッケージを前記回路基板に対して立設
状態に保持させる被支持部を前記樹脂製パッケージの前
記接合縁部に設け、 前記被支持部の形状を凹型の構成とし、前記支持手段の
形状を凸型の構成とした ことを特徴とする半導体装置。 - 【請求項2】 前記被支持部の前記支持手段を嵌入する
嵌入口に面取り構造を設ける構成としたことを特徴とす
る請求項1記載の半導体装置。 - 【請求項3】 内部にリードフレームに保持された半導
体チップが封入された樹脂製パッケージと、 前記樹脂製パッケージの接合縁部に延出した接続リード
とを具備し、 前記接合縁部側を回路基板上に立設させる表面実装タイ
プの半導体装置において、 回路基板上に予め固定された支持手段に嵌合することに
より前記樹脂製パッケージを前記回路基板に対して立設
状態に保持させる被支持部を前記樹脂製パッケージの前
記接合縁部に設け、 前記被支持部の形状を谷溝形状の構成とし、前記支持手
段の形状を山峰形状の構成としたことを特徴とする半導
体装置。 - 【請求項4】 複数の前記樹脂製パッケージを単数組の
前記支持手段にて回路基板上に立設する構成としたこと
を特徴とする請求項3記載の半導体装置。 - 【請求項5】 前記樹脂製パッケージによって封入され
た前記半導体チップを保持する前記リードフレームにお
ける前記被支持部を形成してなる部分を外部 に露出させ
る構成とし、前記支持手段を熱伝導性を有する素材にて
構成したことを特徴とする請求項1乃至4のいずれか一
項記載の半導体装置。 - 【請求項6】 前記嵌合された前記被支持部と前記支持
手段とを熱伝導性と導電性を有する接着部材又はかしめ
によって定着させる構成としたことを特徴とする請求項
5記載の半導体装置。
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4050941A JP3035403B2 (ja) | 1992-03-09 | 1992-03-09 | 半導体装置 |
US08/026,809 US5446317A (en) | 1992-03-09 | 1993-03-05 | Single in-line package for surface mounting |
US08/441,595 US5728601A (en) | 1992-03-09 | 1995-05-15 | Process for manufacturing a single in-line package for surface mounting |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4050941A JP3035403B2 (ja) | 1992-03-09 | 1992-03-09 | 半導体装置 |
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Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH05259311A JPH05259311A (ja) | 1993-10-08 |
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Family
ID=12872853
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
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---|---|
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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US5413970A (en) * | 1993-10-08 | 1995-05-09 | Texas Instruments Incorporated | Process for manufacturing a semiconductor package having two rows of interdigitated leads |
US5777849A (en) * | 1996-02-06 | 1998-07-07 | Asea Brown Boveri Ag | Power semiconductor module having elongate plug contacts |
US6310782B1 (en) | 1996-10-31 | 2001-10-30 | Compaq Computer Corporation | Apparatus for maximizing memory density within existing computer system form factors |
US6048744A (en) * | 1997-09-15 | 2000-04-11 | Micron Technology, Inc. | Integrated circuit package alignment feature |
EP1026741A4 (en) * | 1997-10-07 | 2001-02-21 | Mitsubishi Electric Corp | SEMICONDUCTOR DEVICE |
US6515359B1 (en) * | 1998-01-20 | 2003-02-04 | Micron Technology, Inc. | Lead frame decoupling capacitor semiconductor device packages including the same and methods |
US6021048A (en) * | 1998-02-17 | 2000-02-01 | Smith; Gary W. | High speed memory module |
KR100265566B1 (ko) * | 1998-05-12 | 2000-09-15 | 김영환 | 칩 스택 패키지 |
JP2000113920A (ja) * | 1998-10-01 | 2000-04-21 | Mitsubishi Electric Corp | モジュール |
US6991960B2 (en) * | 2001-08-30 | 2006-01-31 | Micron Technology, Inc. | Method of semiconductor device package alignment and method of testing |
KR100475740B1 (ko) * | 2003-02-25 | 2005-03-10 | 삼성전자주식회사 | 신호 완결성 개선 및 칩 사이즈 감소를 위한 패드배치구조를 갖는 반도체 집적 회로장치 |
US20070117268A1 (en) * | 2005-11-23 | 2007-05-24 | Baker Hughes, Inc. | Ball grid attachment |
US20070126445A1 (en) * | 2005-11-30 | 2007-06-07 | Micron Technology, Inc. | Integrated circuit package testing devices and methods of making and using same |
US7875962B2 (en) * | 2007-10-15 | 2011-01-25 | Power Integrations, Inc. | Package for a power semiconductor device |
US8207455B2 (en) | 2009-07-31 | 2012-06-26 | Power Integrations, Inc. | Power semiconductor package with bottom surface protrusions |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2734151A (en) * | 1956-02-07 | jacobs | ||
JPS61174656A (ja) * | 1985-01-29 | 1986-08-06 | Nec Corp | 集積回路装置 |
JPS6276659A (ja) * | 1985-09-30 | 1987-04-08 | Toshiba Corp | 樹脂封止型半導体装置 |
US4764846A (en) * | 1987-01-05 | 1988-08-16 | Irvine Sensors Corporation | High density electronic package comprising stacked sub-modules |
JPH01166545A (ja) * | 1987-12-22 | 1989-06-30 | Nec Corp | ジグザグ型ic |
US5260601A (en) * | 1988-03-14 | 1993-11-09 | Texas Instruments Incorporated | Edge-mounted, surface-mount package for semiconductor integrated circuit devices |
US4975763A (en) * | 1988-03-14 | 1990-12-04 | Texas Instruments Incorporated | Edge-mounted, surface-mount package for semiconductor integrated circuit devices |
US4967262A (en) * | 1989-11-06 | 1990-10-30 | Micron Technology, Inc. | Gull-wing zig-zag inline lead package having end-of-package anchoring pins |
US5204287A (en) * | 1991-06-28 | 1993-04-20 | Texas Instruments Incorporated | Integrated circuit device having improved post for surface-mount package |
JP3253765B2 (ja) * | 1993-06-25 | 2002-02-04 | 富士通株式会社 | 半導体装置 |
US5413970A (en) * | 1993-10-08 | 1995-05-09 | Texas Instruments Incorporated | Process for manufacturing a semiconductor package having two rows of interdigitated leads |
-
1992
- 1992-03-09 JP JP4050941A patent/JP3035403B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1993
- 1993-03-05 US US08/026,809 patent/US5446317A/en not_active Expired - Fee Related
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1995
- 1995-05-15 US US08/441,595 patent/US5728601A/en not_active Expired - Fee Related
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