JP3033221B2 - 電子回路装置 - Google Patents
電子回路装置Info
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- JP3033221B2 JP3033221B2 JP3062869A JP6286991A JP3033221B2 JP 3033221 B2 JP3033221 B2 JP 3033221B2 JP 3062869 A JP3062869 A JP 3062869A JP 6286991 A JP6286991 A JP 6286991A JP 3033221 B2 JP3033221 B2 JP 3033221B2
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- Japan
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- electronic circuit
- circuit device
- solder connection
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＬＳＩなどを実装した
多層基板を封止した電子回路装置に関する。
多層基板を封止した電子回路装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】電子回路装置を封止する目的は、 １）多層配線基板上のＬＳＩ、配線等を外部雰囲気と遮
断し、腐食、異物混入等を防ぐこと、 ２）気密封止を行ない、内部を熱伝導性の良い不活性ガ
スで置換し、ＬＳＩからの発熱を外部へ伝達し、チップ
の冷却を図ることにある。
断し、腐食、異物混入等を防ぐこと、 ２）気密封止を行ない、内部を熱伝導性の良い不活性ガ
スで置換し、ＬＳＩからの発熱を外部へ伝達し、チップ
の冷却を図ることにある。
【０００３】また、封止寿命としては、その電子回路装
置を使用した製品寿命以上が必要である。図２にＬＳＩ
を搭載した従来の封止構造の電子回路装置断面図を示
す。
置を使用した製品寿命以上が必要である。図２にＬＳＩ
を搭載した従来の封止構造の電子回路装置断面図を示
す。
【０００４】１は、セラミックス基板で、Ｗ，Ｍｏなど
の導体で配線層が形成されている多層基板である。４は
ＬＳＩチップでワイヤボンド、テープキャリア、ＣＣＢ
などの方法でセラミックス基板１の配線と接続されてい
る。３はセラミックス基板１にはんだ、ろう接続された
入出力ピンである。５は封止用の金属性キャップで、通
常４２Ａｌｌｏｙ（Ｆｅ−Ｎｉ４２％合金），コバール
などの材料が用いられている。このキャップ５はセラミ
ックス基板１の表面の周囲に施されたメタライズ２の上
に、ＡｕＳｎ、銀ろうなどによりろう付けされている。
また、同様な封止構造としては、NIKKEI ELECTRONICS 1
984.3.26 第１７８頁から１８４頁において論じられて
いる。
の導体で配線層が形成されている多層基板である。４は
ＬＳＩチップでワイヤボンド、テープキャリア、ＣＣＢ
などの方法でセラミックス基板１の配線と接続されてい
る。３はセラミックス基板１にはんだ、ろう接続された
入出力ピンである。５は封止用の金属性キャップで、通
常４２Ａｌｌｏｙ（Ｆｅ−Ｎｉ４２％合金），コバール
などの材料が用いられている。このキャップ５はセラミ
ックス基板１の表面の周囲に施されたメタライズ２の上
に、ＡｕＳｎ、銀ろうなどによりろう付けされている。
また、同様な封止構造としては、NIKKEI ELECTRONICS 1
984.3.26 第１７８頁から１８４頁において論じられて
いる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上記従来技術には以下
のような問題点がある。封止部の接続寿命は、 （１）ＬＳＩの消費電力、セラミックス基板上へのＬＳ
Ｉ搭載数で決まる発熱量と、セラミックス基板、キャッ
プ材、ろう材の各熱膨張係数αとセラミックス基板の大
きさ等から決まる。すなわち、ＬＳＩの発熱によりセラ
ミックス基板の温度がＴ1からＴ2に上昇すると、セラミ
ックス基板の熱膨張によりもとの長さｌに比べて図３に
示すようにΔｌ（Δｌ＝Δα・ΔＴ・ｌ）だけ膨張す
る。その結果、金属性キャップ５の４２Ａｌｌｏｙより
軟らかい材質のろう材６及びキャップ５の主にコーナ部
７に大きな応力、ひずみを発生させる。そして、ＬＳＩ
のＯＮ／ＯＦＦ動作により、この発生する応力、ひずみ
は繰り返され、熱疲労寿命によりやがては、封止部に亀
裂が入り、その機能は失われる。すなわち、図２におけ
るセラミックス基板が大きくなるほど、封止部への発生
応力、ひずみも大きくなり封止部の長寿命保証が出来な
くなるのである。
のような問題点がある。封止部の接続寿命は、 （１）ＬＳＩの消費電力、セラミックス基板上へのＬＳ
Ｉ搭載数で決まる発熱量と、セラミックス基板、キャッ
プ材、ろう材の各熱膨張係数αとセラミックス基板の大
きさ等から決まる。すなわち、ＬＳＩの発熱によりセラ
ミックス基板の温度がＴ1からＴ2に上昇すると、セラミ
ックス基板の熱膨張によりもとの長さｌに比べて図３に
示すようにΔｌ（Δｌ＝Δα・ΔＴ・ｌ）だけ膨張す
る。その結果、金属性キャップ５の４２Ａｌｌｏｙより
軟らかい材質のろう材６及びキャップ５の主にコーナ部
７に大きな応力、ひずみを発生させる。そして、ＬＳＩ
のＯＮ／ＯＦＦ動作により、この発生する応力、ひずみ
は繰り返され、熱疲労寿命によりやがては、封止部に亀
裂が入り、その機能は失われる。すなわち、図２におけ
るセラミックス基板が大きくなるほど、封止部への発生
応力、ひずみも大きくなり封止部の長寿命保証が出来な
くなるのである。
【０００６】（２）キャップとセラミックス基板をはん
だ材で接続する際にフラックス（表面活性材）等を使用
するため、はんだ接続部断面形状が平型の場合にはフラ
ックスがはんだ外に逃げずらく、且つ一旦取り込まれる
と図４に示すようにはんだ内にボイド８が発生し易くな
り、このボイドが封止部の熱疲労寿命を低減させる。
だ材で接続する際にフラックス（表面活性材）等を使用
するため、はんだ接続部断面形状が平型の場合にはフラ
ックスがはんだ外に逃げずらく、且つ一旦取り込まれる
と図４に示すようにはんだ内にボイド８が発生し易くな
り、このボイドが封止部の熱疲労寿命を低減させる。
【０００７】本発明の目的は、上記した従来技術の問題
点をなくし、多層基板を封止した電子回路装置の封止寿
命を十分に得られる装置を提供することにある。
点をなくし、多層基板を封止した電子回路装置の封止寿
命を十分に得られる装置を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、封止体を天板と側板に分けた。
に、封止体を天板と側板に分けた。
【０００９】また、封止体のはんだ接続部における端部
断面形状を凸型または円型とした。
断面形状を凸型または円型とした。
【００１０】また、側板のはんだ接続部にメタライズを
施し、天板と側板、側板と多層配線基板間におけるはん
だ接続部において、天板、側板及び多層配線基板のいず
れかの四角より多層配線基板の辺長に対して約１５％以
上のところに支柱を設け、一定のはんだ接続高さにし
た。
施し、天板と側板、側板と多層配線基板間におけるはん
だ接続部において、天板、側板及び多層配線基板のいず
れかの四角より多層配線基板の辺長に対して約１５％以
上のところに支柱を設け、一定のはんだ接続高さにし
た。
【００１１】
【作用】封止体を天板側と側板側に分けることにより、
封止体に複数のはんだ接続部を設けることが出来るの
で、セラミックス基板の熱膨張により発生した応力、ひ
ずみの集中を複数のはんだ接続部でそれぞれ分散させる
ことが出来る。
封止体に複数のはんだ接続部を設けることが出来るの
で、セラミックス基板の熱膨張により発生した応力、ひ
ずみの集中を複数のはんだ接続部でそれぞれ分散させる
ことが出来る。
【００１２】封止体のはんだ接続部における端部断面形
状を凸型または円型にすることにより、はんだ接続部に
発生するひずみを平型の場合より小さくすることが出来
る。更にまた、はんだ接続時において、はんだ接続部の
内部に発生したボイドを外部に排出することが出来る。
状を凸型または円型にすることにより、はんだ接続部に
発生するひずみを平型の場合より小さくすることが出来
る。更にまた、はんだ接続時において、はんだ接続部の
内部に発生したボイドを外部に排出することが出来る。
【００１３】はんだ接続部に通常以上の高さを設けるこ
とにより、側板の支点位置をはんだ接続部の内部に移動
させることが出来、はんだ接続部での局部的な応力、ひ
ずみの発生を防ぐことが出来る。
とにより、側板の支点位置をはんだ接続部の内部に移動
させることが出来、はんだ接続部での局部的な応力、ひ
ずみの発生を防ぐことが出来る。
【００１４】また、はんだ接続部の高さを得るための支
柱を最大ひずみが発生する四角から避けることによっ
て、はんだ接続部の接続寿命を大幅に伸ばすことが出来
る。
柱を最大ひずみが発生する四角から避けることによっ
て、はんだ接続部の接続寿命を大幅に伸ばすことが出来
る。
【００１５】
【実施例】図１は本発明の一実施例に係る電子回路装置
の断面図である。図１において、１はセラミックス基
板、３は入出力ピン、４はＬＳＩ、９は封止用天板、１
０は封止用側板、６は天板９と側板１０及び側板１０と
セラミックス基板１を接続するためのはんだろう材、２
ははんだろう材接続を行なうためのメタライズ、１２は
はんだ接続高さを維持するための柱である。なお、柱１
２の接続位置は、セラミックス基板１の四角を除いたと
ころであればどこでも良い。また、図１３から図２１ま
では、はんだ接続高さを維持するための支柱を除いた場
合の封止用天板９、側板１０、セラミックス基板１、は
んだ６、メタライズ２の各部分より構成した封止部の一
断面形状を表した実施例である。図１３は、側板１０に
おけるはんだ接続部断面形状が上部が凸、下部が円型、
図１４は、側板１０におけるはんだ接続部断面形状が上
部が円型、下部が凸、図１５は、側板１０におけるはん
だ接続部断面形状が上部が円型、下部が円型、図１６
は、側板１０におけるはんだ接続部断面形状が上部が
凸、下部が平型、図１７は、側板１０におけるはんだ接
続部断面形状が上部が円型、下部が平型、図１８は、側
板１０におけるはんだ接続部断面形状が上部が平型、下
部が凸、図１９は、側板１０におけるはんだ接続部断面
形状が上部が平型、下部が円型、図２０は、側板１０に
おけるはんだ接続部断面形状が上部が円型、下部が円型
であり、また、図２０は円型断面のうちはんだ接続部と
なる一部分にメタライズ２を施した場合、図２１は、円
型断面の側面全体にメタライズ２を施し、はんだ６で側
板１０全体を覆ったような接続例である。
の断面図である。図１において、１はセラミックス基
板、３は入出力ピン、４はＬＳＩ、９は封止用天板、１
０は封止用側板、６は天板９と側板１０及び側板１０と
セラミックス基板１を接続するためのはんだろう材、２
ははんだろう材接続を行なうためのメタライズ、１２は
はんだ接続高さを維持するための柱である。なお、柱１
２の接続位置は、セラミックス基板１の四角を除いたと
ころであればどこでも良い。また、図１３から図２１ま
では、はんだ接続高さを維持するための支柱を除いた場
合の封止用天板９、側板１０、セラミックス基板１、は
んだ６、メタライズ２の各部分より構成した封止部の一
断面形状を表した実施例である。図１３は、側板１０に
おけるはんだ接続部断面形状が上部が凸、下部が円型、
図１４は、側板１０におけるはんだ接続部断面形状が上
部が円型、下部が凸、図１５は、側板１０におけるはん
だ接続部断面形状が上部が円型、下部が円型、図１６
は、側板１０におけるはんだ接続部断面形状が上部が
凸、下部が平型、図１７は、側板１０におけるはんだ接
続部断面形状が上部が円型、下部が平型、図１８は、側
板１０におけるはんだ接続部断面形状が上部が平型、下
部が凸、図１９は、側板１０におけるはんだ接続部断面
形状が上部が平型、下部が円型、図２０は、側板１０に
おけるはんだ接続部断面形状が上部が円型、下部が円型
であり、また、図２０は円型断面のうちはんだ接続部と
なる一部分にメタライズ２を施した場合、図２１は、円
型断面の側面全体にメタライズ２を施し、はんだ６で側
板１０全体を覆ったような接続例である。
【００１６】以上述べた装置の動作説明について説明す
る。まず、ＬＳＩ４の動作による発熱がセラミックス基
板１に伝達され、セラミックス基板１に熱膨張が発生す
る。この際に発生した応力、ひずみは、はんだ６、側板
１０、天板９へ加わるが、はんだ接続部をセラミックス
基板１−側板１０、側板１０−天板９の２ヵ所に分割し
てあるので、各はんだ接続部に発生する応力、ひずみを
各はんだ接続部に分散させることが出来る。また、セラ
ミックス基板１−側板１０、側板１０−天板９間を接続
するはんだ６で、一定の接続高さを設けることによって
各々のはんだ６の内部で発生する応力、ひずみを低減す
ることが出来る。つまり、側板１０とセラミックス基板
１及び天板９と側板１０におけるはんだ接続高さ（隙
間）がないと、図６に示すようにセラミックス基板１の
熱膨張に対し、側板１０の底部１１が支点となるため、
はんだ６に対して局部的に大きな応力、ひずみを発生さ
せる。そこで、図５に示すように側板１０のはんだ接続
部にメタライズ２を施し、接続用はんだ６で一定の接続
高さｈを維持することによって、セラミックス基板１の
熱膨張に対する、側板１０の支点位置をはんだ内部まで
移動させ局部的な応力、ひずみの発生を防ぐことが出来
る。なお、天板９と側板１０のはんだ接続部に対しても
接続高さｈを設けることにより同様の作用が働く。ま
た、通常の状態では、はんだ接続高さは天板９、側板１
０の自重により、数μｍ程度になるので、スペーサー、
支柱１２等の支持体をはんだ接続内部に設けることによ
って、一定の接続高さｈを取る必要がある。ｈを求める
には、はんだ内のせん断ひずみをγ、セラミックス基板
１の変位をΔｌとすると近似的にγ＝Δｌ／ｈの関係式
が成立ち、γとはんだ破断寿命の関係は実験結果より図
７の様に示され、γ＝１％付近に破断寿命の変曲点が存
在することが分かっている。よって、Δｌ／ｈ＝γ≦１
％を満足するようなｈを求めれば良い。また、セラミッ
クス基板１のコーナから支持体の取付け位置までの距離
をｍとし、ｍとセラミックス基板１の辺長に対する比率
をＰとした場合、Ｐとはんだ破断寿命の関係は、実験的
に図８の様に示され、Ｐ＝１５％付近にはんだ破断寿命
の変曲点があり、支持体取付け位置ｍは、セラミックス
基板１の辺長をｌとするとｍ≧０．１５・ｌの関係にな
ければならない。
る。まず、ＬＳＩ４の動作による発熱がセラミックス基
板１に伝達され、セラミックス基板１に熱膨張が発生す
る。この際に発生した応力、ひずみは、はんだ６、側板
１０、天板９へ加わるが、はんだ接続部をセラミックス
基板１−側板１０、側板１０−天板９の２ヵ所に分割し
てあるので、各はんだ接続部に発生する応力、ひずみを
各はんだ接続部に分散させることが出来る。また、セラ
ミックス基板１−側板１０、側板１０−天板９間を接続
するはんだ６で、一定の接続高さを設けることによって
各々のはんだ６の内部で発生する応力、ひずみを低減す
ることが出来る。つまり、側板１０とセラミックス基板
１及び天板９と側板１０におけるはんだ接続高さ（隙
間）がないと、図６に示すようにセラミックス基板１の
熱膨張に対し、側板１０の底部１１が支点となるため、
はんだ６に対して局部的に大きな応力、ひずみを発生さ
せる。そこで、図５に示すように側板１０のはんだ接続
部にメタライズ２を施し、接続用はんだ６で一定の接続
高さｈを維持することによって、セラミックス基板１の
熱膨張に対する、側板１０の支点位置をはんだ内部まで
移動させ局部的な応力、ひずみの発生を防ぐことが出来
る。なお、天板９と側板１０のはんだ接続部に対しても
接続高さｈを設けることにより同様の作用が働く。ま
た、通常の状態では、はんだ接続高さは天板９、側板１
０の自重により、数μｍ程度になるので、スペーサー、
支柱１２等の支持体をはんだ接続内部に設けることによ
って、一定の接続高さｈを取る必要がある。ｈを求める
には、はんだ内のせん断ひずみをγ、セラミックス基板
１の変位をΔｌとすると近似的にγ＝Δｌ／ｈの関係式
が成立ち、γとはんだ破断寿命の関係は実験結果より図
７の様に示され、γ＝１％付近に破断寿命の変曲点が存
在することが分かっている。よって、Δｌ／ｈ＝γ≦１
％を満足するようなｈを求めれば良い。また、セラミッ
クス基板１のコーナから支持体の取付け位置までの距離
をｍとし、ｍとセラミックス基板１の辺長に対する比率
をＰとした場合、Ｐとはんだ破断寿命の関係は、実験的
に図８の様に示され、Ｐ＝１５％付近にはんだ破断寿命
の変曲点があり、支持体取付け位置ｍは、セラミックス
基板１の辺長をｌとするとｍ≧０．１５・ｌの関係にな
ければならない。
【００１７】また、側板１０のはんだ接続部の上下もし
くは一方の断面形状を凸または円型にすることによっ
て、はんだ内でのボイド発生量及び発生ひずみ量を低減
させることが出来る。これは、図１０に示すように、側
板１０のはんだ接続部断面形状を凸−平型とし、３次元
熱弾塑性解析を行ない、両接続部はんだ内で発生するひ
ずみをシミュレーションした結果、凸形状の方が平型に
比べ発生する相当ひずみが小さくなるからである。シミ
ュレーションに使用した温度データを図１１に示すが、
温度範囲を−２５〜１５０℃として解析した。また図１
１は１５０℃における両接続箇所のはんだ断面において
発生する相当ひずみについて解析した分布図である。は
んだの熱疲労寿命を検討するパラメータの１つに最大相
当ひずみ値が有り、図１２（ａ）の凸形状では最大相当
ひずみが３．６％、（ｂ）の平型形状では最大相当ひず
みが４．６％となり、接続形状がはんだ内発生ひずみに
与える効果として約２２％（（４．６−３．６）／４．
６）の低減がなされることが分かった。なお、シミュレ
ーションに使用した各構成材料は、図１０において天板
９と多層基板１をセラミックス、側板１０を４２Ａｌｌ
ｏｙ、はんだ６をＳｎ−３７Ｐｂとして計算した。
くは一方の断面形状を凸または円型にすることによっ
て、はんだ内でのボイド発生量及び発生ひずみ量を低減
させることが出来る。これは、図１０に示すように、側
板１０のはんだ接続部断面形状を凸−平型とし、３次元
熱弾塑性解析を行ない、両接続部はんだ内で発生するひ
ずみをシミュレーションした結果、凸形状の方が平型に
比べ発生する相当ひずみが小さくなるからである。シミ
ュレーションに使用した温度データを図１１に示すが、
温度範囲を−２５〜１５０℃として解析した。また図１
１は１５０℃における両接続箇所のはんだ断面において
発生する相当ひずみについて解析した分布図である。は
んだの熱疲労寿命を検討するパラメータの１つに最大相
当ひずみ値が有り、図１２（ａ）の凸形状では最大相当
ひずみが３．６％、（ｂ）の平型形状では最大相当ひず
みが４．６％となり、接続形状がはんだ内発生ひずみに
与える効果として約２２％（（４．６−３．６）／４．
６）の低減がなされることが分かった。なお、シミュレ
ーションに使用した各構成材料は、図１０において天板
９と多層基板１をセラミックス、側板１０を４２Ａｌｌ
ｏｙ、はんだ６をＳｎ−３７Ｐｂとして計算した。
【００１８】また、接続用はんだ内部に発生するボイド
の低減方法としては、図９（ａ），（ｂ）に示す様に側
板１０のはんだ接続部の断面形状を凸１２（（ａ）図）
または円型（（ｂ）図）にすることによって、はんだ接
続時に発生したボイド８を外部に排出することが出来る
ものである。
の低減方法としては、図９（ａ），（ｂ）に示す様に側
板１０のはんだ接続部の断面形状を凸１２（（ａ）図）
または円型（（ｂ）図）にすることによって、はんだ接
続時に発生したボイド８を外部に排出することが出来る
ものである。
【００１９】以上述べたように、本実施例によれば、キ
ャップ構造の変更、はんだの上下２段接続、はんだ接続
高さの制御を行なうことによって、セラミックス基板の
熱膨張により発生した応力、ひずみを分散させ、また、
はんだ内ボイド発生量を低減でき、熱疲労による封止寿
命を大幅に伸ばすことが出来る。
ャップ構造の変更、はんだの上下２段接続、はんだ接続
高さの制御を行なうことによって、セラミックス基板の
熱膨張により発生した応力、ひずみを分散させ、また、
はんだ内ボイド発生量を低減でき、熱疲労による封止寿
命を大幅に伸ばすことが出来る。
【００２０】
【発明の効果】本発明によれば、セラミックス基板の熱
膨張によるはんだ部、封止キャップへの発生応力、ひず
みを分散、減少させることが出来、また、はんだ内ボイ
ド発生量を低減させることにより、はんだ接続部におけ
る封止信頼性を向上させ、封止寿命を大幅に伸ばすこと
が出来る。
膨張によるはんだ部、封止キャップへの発生応力、ひず
みを分散、減少させることが出来、また、はんだ内ボイ
ド発生量を低減させることにより、はんだ接続部におけ
る封止信頼性を向上させ、封止寿命を大幅に伸ばすこと
が出来る。
【図１】本発明を適用した電子回路装置の断面図であ
る。
る。
【図２】従来の電子回路装置の断面図である。
【図３】ＬＳＩチップの発熱によりセラミックス基板が
Δｌだけ膨張した状態を示す断面図である。
Δｌだけ膨張した状態を示す断面図である。
【図４】はんだ接続部に発生したボイドを示す図であ
る。
る。
【図５】はんだ接続高さを設けた電子回路装置の断面図
である。
である。
【図６】封止体に応力、ひずみが発生した場合の変形図
である。
である。
【図７】せん断ひずみとはんだ破断寿命の関係図であ
る。
る。
【図８】支持体取付け位置とはんだ破断寿命の関係図で
ある。
ある。
【図９】ボイドの排出状態を示す図である。
【図１０】シミュレーションに使用した電子回路装置の
一部分の断面図である。
一部分の断面図である。
【図１１】シミュレーションに使用した温度データ図で
ある。
ある。
【図１２】相当ひずみ分布図である。
【図１３】本発明の一実施例に係る封止構造からなる電
子回路装置の断面図である。
子回路装置の断面図である。
【図１４】本発明の一実施例に係る封止構造からなる電
子回路装置の断面図である。
子回路装置の断面図である。
【図１５】本発明の一実施例に係る封止構造からなる電
子回路装置の断面図である。
子回路装置の断面図である。
【図１６】本発明の一実施例に係る封止構造からなる電
子回路装置の断面図である。
子回路装置の断面図である。
【図１７】本発明の一実施例に係る封止構造からなる電
子回路装置の断面図である。
子回路装置の断面図である。
【図１８】本発明の一実施例に係る封止構造からなる電
子回路装置の断面図である。
子回路装置の断面図である。
【図１９】本発明の一実施例に係る封止構造からなる電
子回路装置の断面図である。
子回路装置の断面図である。
【図２０】本発明の一実施例に係る封止構造からなる電
子回路装置の断面図である。
子回路装置の断面図である。
【図２１】本発明の一実施例に係る封止構造からなる電
子回路装置の断面図である。
子回路装置の断面図である。
１…セラミックス基板、２…メタライズ、４…ＬＳＩ、
６…はんだ、ろう材、９…天板、１０…側板、１２…支
柱。
６…はんだ、ろう材、９…天板、１０…側板、１２…支
柱。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 佐々木 秀昭 神奈川県秦野市堀山下１番地株式会社 日立製作所 神奈川工場内 (72)発明者 白井 貢 神奈川県秦野市堀山下１番地株式会社 日立製作所 神奈川工場内 (72)発明者 浜村 健一 神奈川県秦野市堀山下１番地株式会社 日立製作所 神奈川工場内 (56)参考文献 特開 昭62−281452（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−191453（ＪＰ，Ａ) 特公 昭48−41754（ＪＰ，Ｂ１) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 23/02,23/04
Claims (2)
- 【請求項１】基板と、該基板に搭載する電子回路部品
と、該電子回路部品を上記基板に封止するための封止体
とを有する電子回路装置であり、この封止体が、第１の
はんだ接続部を介して上記基板に接続される枠状の第１
の封止体と、第２のはんだ接続部を介して上記第１の封
止体に蓋をするように該第１の封止体に接続される第２
の封止体とからなる電子回路装置において、上記第１の
封止体の基板側及び第２の封止体側の一方又は両方のは
んだ接続部における端部断面形状を凸型または円型とし
て、第１の封止体を夫々第１のはんだ接続部及び第２の
はんだ接続部を介して上記基板及び第２の封止体とはん
だ接続したことを特徴とする電子回路装置。 - 【請求項２】上記はんだ接続部の高さｈは、せん断ひず
みをγ、上記基板の変位をΔｌとすると、Δｌ／ｈ＝γ
≦１％を満たし、この高さｈを維持するための支持手段
を設けると共に、該支持手段を上記基板上、第１、第２
の封止体のいずれかの四隅より上記基板の辺長に対して
１５％以上のところに有することを特徴とする請求項１
記載の電子回路装置。
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| JP2-80712 | 1990-03-30 | ||
| JP3062869A JP3033221B2 (ja) | 1990-03-30 | 1991-03-27 | 電子回路装置 |
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ID=26403927
Family Applications (1)
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-
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- 1991-03-27 JP JP3062869A patent/JP3033221B2/ja not_active Expired - Fee Related
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