JP3030972B2 - Manufacturing method of magnetic recording medium - Google Patents
Manufacturing method of magnetic recording mediumInfo
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Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、非磁性支持体上に多層
構造からなる磁性層を形成する磁気記録媒体の製造方法
に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for manufacturing a magnetic recording medium in which a magnetic layer having a multilayer structure is formed on a non-magnetic support.
【０００２】[0002]
【従来の技術】金属あるいはＣｏ−Ｎｉ等の合金の連続
膜を磁性層とする、所謂強磁性金属薄膜型の磁気記録媒
体は、保磁力、角形比等に優れ、短波長域における電磁
変換特性に優れるばかりでなく、磁性層の薄膜化が可能
であるために記録減磁や再生時の厚み損失が著しく小さ
いことや、磁性層中に非磁性材料である結合剤等を混入
する必要がないために磁性材料の充填密度を高くできる
こと等、数々の利点を有している。2. Description of the Related Art A so-called ferromagnetic metal thin film type magnetic recording medium having a magnetic layer made of a continuous film of metal or an alloy of Co-Ni or the like has excellent coercive force, squareness ratio, etc., and electromagnetic conversion characteristics in a short wavelength region. In addition to being excellent in the magnetic layer, the thickness of the magnetic layer can be reduced, so that the thickness loss at the time of recording demagnetization and reproduction is extremely small, and it is not necessary to mix a binder, which is a nonmagnetic material, in the magnetic layer. For this reason, there are many advantages such as a high packing density of the magnetic material.
【０００３】この強磁性金属薄膜型の磁気記録媒体は、
一般に真空蒸着法により製造されており、例えば冷却キ
ャンの外周面に沿って所定の方向に移動走行される非磁
性支持体に対して、蒸発せしめられた磁性材料を斜め方
向から被着させる、所謂斜め蒸着法が実用化されてい
る。This ferromagnetic metal thin film type magnetic recording medium is
Generally, it is manufactured by a vacuum evaporation method. For example, a so-called evaporating magnetic material is obliquely applied to a non-magnetic support that moves and moves in a predetermined direction along the outer peripheral surface of a cooling can. The oblique deposition method has been put to practical use.
【０００４】このような斜め蒸着法により磁気記録媒体
の磁性層を形成する際には、蒸着時に非磁性支持体の表
面に酸素ガスを導入することにより、得られる磁性膜の
磁気特性の向上を図ることが行われている。When the magnetic layer of the magnetic recording medium is formed by such an oblique deposition method, oxygen gas is introduced into the surface of the non-magnetic support during the deposition to improve the magnetic properties of the obtained magnetic film. A plan is being made.
【０００５】ところで、この強磁性金属薄膜型の磁気記
録媒体における電磁変換特性は、一般に残留磁束密度Ｂ
r や飽和磁化σs 、保磁力ＨC に比例することが知られ
ている。従って、例えば磁性層としてＣｏ80Ｎｉ20（数
値は重量％を表す。）の組成を有する磁性薄膜を使用し
た蒸着テープでは、Ｎｉの添加量を減少させたり、或い
は上述のように非磁性支持体の表面に導入される酸素ガ
スの導入量を少なくして、得られる磁性膜表面の酸化物
量を減少させたりすることにより、残留磁束密度Ｂr を
増大させ、電磁変換特性の向上を図ることができると考
えられる。[0005] The electromagnetic conversion characteristics of the ferromagnetic metal thin film type magnetic recording medium generally include a residual magnetic flux density B
r and a saturation magnetization sigma s, it is known to be proportional to the coercive force H C. Therefore, for example, in the case of a vapor deposition tape using a magnetic thin film having a composition of Co 80 Ni 20 (numerical value is expressed by weight) as the magnetic layer, the amount of Ni added may be reduced or the non-magnetic support may be reduced as described above. By reducing the amount of oxygen gas introduced into the surface of the magnetic film and reducing the amount of oxide on the surface of the obtained magnetic film, the residual magnetic flux density Br can be increased, and the electromagnetic conversion characteristics can be improved. It is considered possible.
【０００６】ところが、図３に示すように、蒸着時に非
磁性支持体の表面に導入される酸素ガス流量を少なくす
ると、スチル時間が低下する傾向にあり、耐久性が劣化
するという問題が生じる。またこの時、図４に示すよう
に、上記酸素ガス流量の減少に伴って、得られる磁性膜
の出力特性は向上するものの、Ｃ／Ｎ特性が著しく劣化
してしまう。However, as shown in FIG. 3, when the flow rate of the oxygen gas introduced into the surface of the non-magnetic support during vapor deposition is reduced, the still time tends to decrease, and the durability is deteriorated. Further, at this time, as shown in FIG. 4, as the oxygen gas flow rate decreases, the output characteristics of the obtained magnetic film are improved, but the C / N characteristics are significantly deteriorated.
【０００７】この問題の解決策として、一般的には、非
磁性支持体上に複数の磁性薄膜を積層形成して磁性層を
多層化する方法が採用されている。この方法によれば、
良好な耐久性及びＣ／Ｎ特性を確保しつつ、残留磁束密
度Ｂr や保磁力ＨC の向上を図ることができる。As a solution to this problem, a method is generally adopted in which a plurality of magnetic thin films are laminated on a non-magnetic support to form a multilayered magnetic layer. According to this method,
While ensuring good durability and C / N characteristics, it is possible to improve the remanence B r and coercivity H C.
【０００８】[0008]
【発明が解決しようとする課題】上述のような多層膜か
らなる磁性層を有する磁気記録媒体は、例えば上述のよ
うな斜め蒸着を繰り返し行うことによって製造すること
ができるが、この場合、蒸着時に非磁性支持体の表面に
対して低入射角側から酸素ガスの導入を行うと、各磁性
薄膜の表面に酸化層（当該磁性薄膜の１０％程度の膜
厚）が形成されてしまうことがある。このため、上述の
ように磁性薄膜を積層させると、各磁性薄膜間には中間
酸化層が介在する。A magnetic recording medium having a magnetic layer composed of a multilayer film as described above can be manufactured, for example, by repeatedly performing oblique deposition as described above. When oxygen gas is introduced into the surface of the non-magnetic support from the low incident angle side, an oxide layer (about 10% of the thickness of the magnetic thin film) may be formed on the surface of each magnetic thin film. . Therefore, when the magnetic thin films are stacked as described above, an intermediate oxide layer is interposed between the magnetic thin films.
【０００９】しかしながら、このように磁性薄膜間に中
間酸化層が介在していると、各磁性薄膜間の磁気的な結
合を弱めることができるが、この酸化層の膜厚が厚すぎ
ると、逆にエネルギー積が減少し、電磁変換特性が劣化
する虞れが生じる。However, if the intermediate oxide layer is interposed between the magnetic thin films, the magnetic coupling between the magnetic thin films can be weakened. However, if the thickness of the oxide layer is too large, the reverse occurs. Therefore, there is a possibility that the energy product decreases and the electromagnetic conversion characteristics deteriorate.
【００１０】また、これら複数の磁性薄膜から構成され
てなる磁性層の表面、即ち前記磁性薄膜のうち最も上層
に存在する磁性薄膜の表面に形成された酸化層は、耐久
性の向上を図る上では有効に機能するものの、その膜厚
が厚くなると、スペーシングロスを発生する原因となっ
てしまう。従って、このような多層構造を有する磁気記
録媒体においては、耐久性と電磁変換特性のバランスを
保つことが重要な課題とされる。The surface of the magnetic layer composed of the plurality of magnetic thin films, that is, the oxide layer formed on the surface of the uppermost magnetic thin film among the magnetic thin films is used for improving durability. Although it functions effectively, the thicker film thickness causes a spacing loss. Therefore, in a magnetic recording medium having such a multilayer structure, it is important to maintain a balance between durability and electromagnetic conversion characteristics.
【００１１】そこで本発明は、上述の従来の実情に鑑み
て提案されたものであり、耐久性及び電磁変換特性に優
れた磁気記録媒体の製造方法を提供することを目的とす
る。Accordingly, the present invention has been proposed in view of the above-mentioned conventional circumstances, and has as its object to provide a method of manufacturing a magnetic recording medium having excellent durability and electromagnetic conversion characteristics.
【００１２】[0012]
【課題を解決するための手段】本発明者等は、上述の目
的を達成せんものと鋭意研究の結果、真空蒸着法により
形成される磁性薄膜の表面をボンバード処理して、この
磁性薄膜の表面に形成された酸化層の膜厚を極薄くした
り、或いはこの酸化層を除去したりすることにより、良
好な耐久性及び電磁変換特性が得られることを見出し、
本発明を完成するに到った。Means for Solving the Problems The inventors of the present invention have made intensive studies to achieve the above-mentioned object, and as a result, have conducted a bombardment treatment on the surface of a magnetic thin film formed by a vacuum evaporation method to obtain a surface of the magnetic thin film. It has been found that excellent durability and electromagnetic characteristics can be obtained by making the thickness of the oxide layer formed extremely thin or removing the oxide layer,
The present invention has been completed.
【００１３】すなわち、本発明は、非磁性支持体上に真
空蒸着法により酸素を導入しながら複数の磁性薄膜を積
層する磁気記録媒体の製造方法において、少なくとも下
層となる磁性薄膜の表面を、還元ガスを含む不活性ガス
でボンバード処理することを特徴とするものである。That is, the present invention provides a method for manufacturing a magnetic recording medium in which a plurality of magnetic thin films are stacked on a non-magnetic support while introducing oxygen by a vacuum evaporation method, wherein at least the surface of the lower magnetic thin film is reduced. It is characterized in that bombarding is performed with an inert gas containing a gas.
【００１４】本発明の磁気記録媒体の製造方法において
は、複数の磁性薄膜からなる多層構造を有してなる磁性
層を形成する。この磁性層を構成する磁性薄膜の構成材
料としては、一般的に使用されている磁性材料であれば
何れでも良いが、特に金属磁性材料が好ましい。この場
合、金属磁性材料としては、通常、この種の磁気記録媒
体で使用されるものが何れも使用可能であり、具体的に
例示すれば、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ等の磁性金属や、Ｆｅ−
Ｃｏ、Ｃｏ−Ｎｉ、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｎｉ、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｃ
ｒ、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃｒ、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃｒ等が挙
げられる。In the method of manufacturing a magnetic recording medium according to the present invention, a magnetic layer having a multilayer structure composed of a plurality of magnetic thin films is formed. As a constituent material of the magnetic thin film constituting the magnetic layer, any commonly used magnetic material may be used, but a metal magnetic material is particularly preferable. In this case, as the metal magnetic material, any of those generally used in this type of magnetic recording medium can be used, and specific examples include magnetic metals such as Fe, Co, and Ni, and Fe-
Co, Co-Ni, Fe-Co-Ni, Fe-Co-C
r, Co-Ni-Cr, Fe-Co-Ni-Cr and the like.
【００１５】本発明では、これら磁性材料からなる上記
磁性薄膜を形成する方法として、真空蒸着法が用いら
れ、典型的に斜め蒸着が行われる。斜め蒸着とは、蒸発
源から蒸発せしめられた上記磁性材料の蒸気流を、冷却
キャンの外周面に沿って所定の方向に移動走行される非
磁性支持体の表面の法線方向に対して所定の入射角をな
す方向から入射させて、上記非磁性支持体上に蒸着させ
る方法であり、この斜め蒸着を繰り返し行うことによ
り、上述のような多層構造を有する磁性層が得られる。In the present invention, a vacuum evaporation method is used as a method for forming the magnetic thin film made of these magnetic materials, and typically, oblique evaporation is performed. The oblique deposition means that the vapor flow of the magnetic material evaporated from the evaporation source is moved in a predetermined direction along the outer peripheral surface of the cooling can in a predetermined direction with respect to the normal direction of the surface of the nonmagnetic support. This is a method in which light is incident from a direction having an incident angle of, and vapor deposition is performed on the non-magnetic support. By repeating this oblique vapor deposition, a magnetic layer having the above-described multilayer structure can be obtained.
【００１６】このような蒸着に際して、上記磁性薄膜中
に酸素を取り込むことにより磁気特性の向上を図るため
に、蒸着時に非磁性支持体の表面に酸素ガスが導入され
る。このため、得られる磁性薄膜の表面には酸化層が形
成され、この磁性薄膜上に更に磁性薄膜を積層形成する
と、各磁性薄膜間には中間酸化層が介在してしまう。こ
のように、各磁性薄膜間に中間酸化層が介在している
と、磁性層の残留磁束密度Ｂr が低下する。At the time of such vapor deposition, oxygen gas is introduced into the surface of the non-magnetic support at the time of vapor deposition in order to improve magnetic properties by incorporating oxygen into the magnetic thin film. For this reason, an oxide layer is formed on the surface of the obtained magnetic thin film, and when a magnetic thin film is further formed on the magnetic thin film, an intermediate oxide layer is interposed between the magnetic thin films. Thus, the intermediate oxide layer between the magnetic thin films is interposed, remanence B r of the magnetic layer decreases.
【００１７】これに対して、本発明では、蒸着時に上記
磁性薄膜の表面を還元性ガスを含む不活性ガスでボンバ
ード処理する。これにより、上記酸化層の膜厚を薄くさ
れるか、或いは除去される。On the other hand, in the present invention, the surface of the magnetic thin film is bombarded with an inert gas containing a reducing gas at the time of vapor deposition. Thus, the thickness of the oxide layer is reduced or removed.
【００１８】実際に、上記酸化層の膜厚は、数１０Å程
度の極僅かで良く、例えば蒸着時に１００Å程度の膜厚
に形成された酸化層をボンバード処理によりその膜厚が
２０Å程度となるように薄膜化させれば、磁性層の残留
磁束密度Ｂrを向上させることができるとともに、積層
された磁性薄膜の下層の磁性薄膜から出てくる磁束の低
下等が防止できるので、電磁変換特性を著しく改善する
ことができる。Actually, the thickness of the oxide layer may be as small as about several tens of degrees. For example, an oxide layer formed to a thickness of about 100 degrees at the time of vapor deposition is made to have a thickness of about 20 degrees by bombarding. if brought into thinned, it is possible to improve the remanence B r of the magnetic layer, since such as reduction of the magnetic flux coming out of the lower layer of the magnetic thin film of the laminated magnetic thin film can be prevented, the electromagnetic conversion characteristics It can be significantly improved.
【００１９】このボンバード処理に使用される不活性ガ
スとしては、特に限定されないが、例えばＡｒガス等が
一般的に使用される。また、この不活性ガスに導入され
る還元性ガスとしては、例えばＨ2 ガス、アセチレン等
が挙げられる。The inert gas used in the bombarding process is not particularly limited, but for example, Ar gas is generally used. Examples of the reducing gas introduced into the inert gas include H 2 gas and acetylene.
【００２０】このようなボンバード処理の条件は、下記
の（１）式から与えられる定数Ｋを用いて表すことがで
きる。The condition of such a bombarding process can be expressed by using a constant K given by the following equation (1).
【００２１】[0021]
【数１】 (Equation 1)
【００２２】上記（１）式中、Ｅは処理装置内の電極に
加えられる電圧を表し、Ｉは前記電極の電流値を表す。
また、ｖは上記処理装置中を通過する際のテープスピー
ドを表し、ｗはボンバード処理がなされる磁気テープの
処理幅を表す。In the above formula (1), E represents a voltage applied to an electrode in the processing apparatus, and I represents a current value of the electrode.
In addition, v represents the tape speed when passing through the above-mentioned processing device, and w represents the processing width of the magnetic tape on which the bombardment processing is performed.
【００２３】従って、上記Ｋは単位面積当たりの処理能
力を表すものと考えられ、本発明では、その値が１０程
度以上となるように上記電極の電圧Ｅや電流値Ｉ等を適
宜選定することが望ましい。このＫの値を前記範囲に制
御することにより、耐久性を確保しつつ、電磁変換特性
の改善を図ることができる。Therefore, the above K is considered to represent the processing capacity per unit area, and in the present invention, the voltage E and the current value I of the electrodes are appropriately selected so that the value becomes about 10 or more. Is desirable. By controlling the value of K within the above range, the electromagnetic conversion characteristics can be improved while ensuring durability.
【００２４】なお、本発明の磁気記録媒体の製造方法に
おいて、磁性層は２層構造でも良く、３層以上の多層構
造でも良い。また、いずれの場合にも、磁性層を構成し
ている各磁性薄膜は、その成長方向が互いに同じ方向
（順方向）となるように形成しても良く、反対方向（逆
方向）となるように形成しても良い。In the method of manufacturing a magnetic recording medium according to the present invention, the magnetic layer may have a two-layer structure or a multilayer structure having three or more layers. In any case, the magnetic thin films constituting the magnetic layer may be formed so that their growth directions are the same (forward) or opposite (reverse). May be formed.
【００２５】また、上記非磁性支持体としては、通常こ
の種の磁気記録媒体において使用されるものが何れも使
用可能であり、例えばポリエチレンテレフタレート、ポ
リエチレン−２，６−ナフタレート等のポリエステル樹
脂や芳香族ポリアミドフィルム、ポリイミド樹脂フィル
ム等が挙げられる。As the non-magnetic support, any of those usually used in this type of magnetic recording medium can be used. For example, polyester resins such as polyethylene terephthalate and polyethylene-2,6-naphthalate and aromatic resins can be used. Group polyamide film, polyimide resin film and the like.
【００２６】更に、本発明においては、必要に応じて、
上記基体上に下塗り膜を形成する工程やバックコート
層、トップコート層等を形成する工程等を加えても良
い。この場合、下塗り膜、バックコート層、トップコー
ト層等の成膜条件は、通常この種の磁気記録媒体の製造
方法に適用される方法であれば良く、特に限定されな
い。Further, in the present invention, if necessary,
A step of forming an undercoat film on the substrate or a step of forming a back coat layer, a top coat layer, and the like may be added. In this case, the conditions for forming the undercoat film, the back coat layer, the top coat layer, and the like are not particularly limited as long as they are generally applied to the method of manufacturing this type of magnetic recording medium.
【００２７】[0027]
【作用】得られる磁性薄膜中に酸素を取り込むことによ
って当該磁性薄膜の磁気特性の向上を図るために、非磁
性支持体の表面に酸素ガスを導入しながら磁性材料の蒸
着を行うと、上記磁性薄膜の表面には酸化層が形成され
る。この酸化層を介して上記磁性薄膜上に更に磁性薄膜
を積層形成すると、これら磁性薄膜間には中間酸化層が
介在し、各磁性薄膜間の磁気的な結合を弱めることがで
きる。In order to improve the magnetic properties of the magnetic thin film by incorporating oxygen into the obtained magnetic thin film, the magnetic material is deposited while introducing oxygen gas onto the surface of the non-magnetic support. An oxide layer is formed on the surface of the thin film. When a magnetic thin film is further formed on the magnetic thin film via the oxide layer, an intermediate oxide layer is interposed between the magnetic thin films, and the magnetic coupling between the magnetic thin films can be weakened.
【００２８】しかし、実際には、上記中間酸化層の膜厚
は高々数１０Å程度の極僅かでよく、厚すぎると、逆に
エネルギー積が減少し、電磁変換特性の劣化を招くこと
になる。そこで、本発明のように、蒸着時に上記磁性薄
膜の表面をボンバード処理することにより、上記酸化層
を薄膜化、或いは除去すれば、磁性層の残留磁束密度Ｂ
r が向上し、同時に積層された磁性薄膜の下層の磁性薄
膜から出てくる磁束の低下等が防止されて、電磁変換特
性が向上する。However, actually, the thickness of the intermediate oxide layer
Is only a few tens of degrees at most, and if it is too thick,
Reduction of energy product and deterioration of electromagnetic conversion characteristics
become. Therefore, as in the present invention, the above-described magnetic thin film is used during vapor deposition.
By bombarding the surface of the film, the oxide layer
Is reduced or removed, the residual magnetic flux density B of the magnetic layer can be reduced.
rIs improved, and the magnetic thin film
The magnetic flux coming out of the film is prevented from lowering, etc.
The performance is improved.
【００２９】[0029]
【実施例】以下、本発明を適用した磁気記録媒体実施例
を具体的に説明する。本実施例の磁気テープは、図１に
示すように、ポリエチレンテレフタレートからなる非磁
性支持体１の一方の主面上に第１の磁性薄膜２及び第２
の磁性薄膜３からなる２層構造を有する磁性層が形成さ
れてなる。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Embodiments of the magnetic recording medium to which the present invention is applied will be specifically described below. As shown in FIG. 1, the magnetic tape of the present embodiment has a first magnetic thin film 2 and a second magnetic thin film 2 on one main surface of a non-magnetic support 1 made of polyethylene terephthalate.
A magnetic layer having a two-layer structure composed of the magnetic thin film 3 is formed.
【００３０】上記非磁性支持体１の一方の主面上には、
上記第１の磁性薄膜２の下塗り膜としてアクリル酸エス
テル系高分子ラテックスによる塗膜が形成されており、
この下塗り膜を介して該非磁性支持体１上に第１の磁性
薄膜２が形成されている。この下塗り膜は、平均粒径４
００Åの微粒子を含有してなり、この微粒子が１０００
万個／ｍｍ2 の割合で存在するように形成される。On one main surface of the non-magnetic support 1,
A coating film of an acrylate-based polymer latex is formed as an undercoat film of the first magnetic thin film 2,
A first magnetic thin film 2 is formed on the non-magnetic support 1 via the undercoat film. This undercoat film has an average particle size of 4
And the fine particles are 1000
It is formed so as to exist at a rate of 10,000 pieces / mm 2 .
【００３１】この下塗り膜上には、第１の磁性薄膜２が
形成され、この第１の磁性薄膜２上に第２の磁性薄膜３
が積層される。これら第１の磁性薄膜２及び第２の磁性
薄膜３は、斜め蒸着法により得られるものであり、その
成長方向は互いに同じ方向（順方向）となるように形成
される。これら第１の磁性薄膜２及び第２の磁性薄膜３
の膜厚は、それぞれ１０００Åである。A first magnetic thin film 2 is formed on the undercoat film, and a second magnetic thin film 3 is formed on the first magnetic thin film 2.
Are laminated. The first magnetic thin film 2 and the second magnetic thin film 3 are obtained by oblique evaporation, and are formed so that their growth directions are the same (forward). These first magnetic thin film 2 and second magnetic thin film 3
Are 1000 ° each.
【００３２】ここで、上記第１の磁性薄膜２の表面は、
部分的に酸化された状態とされ、この第１の磁性薄膜２
と該第１の磁性薄膜２上に積層される第２の磁性薄膜３
とが磁気的に分断されるようになされている。このよう
な上記第１の磁性薄膜２表面の酸化状態は、斜め蒸着時
に雰囲気中に酸素ガスを導入することにより実現するこ
とができる。Here, the surface of the first magnetic thin film 2 is
The first magnetic thin film 2 is partially oxidized.
And a second magnetic thin film 3 laminated on the first magnetic thin film 2
Are magnetically separated from each other. Such an oxidized state on the surface of the first magnetic thin film 2 can be realized by introducing oxygen gas into the atmosphere during oblique deposition.
【００３３】このような第１の磁性薄膜２の表面は、後
述するように蒸着時にボンバード処理されている。これ
により、斜め蒸着時に該第１の磁性薄膜２上に形成され
た酸化層の膜厚が薄くされ、或いは除去されて、前記酸
化層による磁性層の電磁変換特性の劣化が防止される。The surface of the first magnetic thin film 2 is bombarded at the time of vapor deposition as described later. Thereby, the thickness of the oxide layer formed on the first magnetic thin film 2 at the time of oblique deposition is reduced or removed, and deterioration of the electromagnetic conversion characteristics of the magnetic layer due to the oxide layer is prevented.
【００３４】更に、上記第２の磁性薄膜３上には、パー
フルオロポリエーテルを用いたトップコート膜４が形成
されている。一方、上記非磁性支持体１の他方の主面上
には、カーボン、ウレタンからなるバックコート層５が
形成される。Further, on the second magnetic thin film 3, a top coat film 4 using perfluoropolyether is formed. On the other hand, a back coat layer 5 made of carbon and urethane is formed on the other main surface of the nonmagnetic support 1.
【００３５】このような構成を有する磁気テープは、以
下のような構成を有する製造装置を用いて製造すること
ができる。The magnetic tape having such a configuration can be manufactured using a manufacturing apparatus having the following configuration.
【００３６】この製造装置においては、図２に示すよう
に、頭部と底部にそれぞれ設けられた排気口２３から排
気されて内部が真空状態となされた真空室１１内に、図
中の反時計回り方向に定速回転する送りロール１３と、
図中の時計回り方向に定速回転する巻取りロール１４と
が設けられ、これら送りロール１３から巻取りロール１
４にテープ状の非磁性支持体１２が順次走行するように
なされている。In this manufacturing apparatus, as shown in FIG. 2, a counterclockwise counterclockwise in FIG. 2 is placed in a vacuum chamber 11 which is evacuated from exhaust ports 23 provided in the head and the bottom, respectively, so that the inside is in a vacuum state. A feed roll 13 that rotates at a constant speed in the circumferential direction;
A take-up roll 14 that rotates at a constant speed in the clockwise direction in the figure is provided.
4, a tape-shaped non-magnetic support 12 runs sequentially.
【００３７】これら送りロール１３から巻取りロール１
４側に上記非磁性支持体１２が走行する中途部には、上
記各ロール１３，１４の径よりも大径となされた冷却キ
ャン１５が設けられている。この冷却キャン１５は、上
記非磁性支持体１２を図中下方に引き出すように設けら
れ、図中の時計回り方向に定速回転する構成とされる。
なお、上記送りロール１３、巻取りロール１４及び冷却
キャン１５は、それぞれ非磁性支持体１２の幅と略同じ
長さからなる円筒状をなすものであり、また上記冷却キ
ャン１５の内部には、図示しない冷却装置が設けられ、
上記非磁性支持体１２の温度上昇による変形等を抑制し
得るようになされている。From these feed rolls 13 to the winding roll 1
A cooling can 15 having a diameter larger than the diameter of each of the rolls 13 and 14 is provided at an intermediate portion where the nonmagnetic support 12 runs on the fourth side. The cooling can 15 is provided so as to pull out the nonmagnetic support 12 downward in the drawing, and is configured to rotate at a constant speed in the clockwise direction in the drawing.
The feed roll 13, the take-up roll 14, and the cooling can 15 each have a cylindrical shape having substantially the same length as the width of the nonmagnetic support 12. A cooling device not shown is provided,
The nonmagnetic support 12 can be suppressed from being deformed due to a rise in temperature.
【００３８】従って、上記非磁性支持体１２は、送りロ
ール１３から順次送り出され、さらに上記冷却キャン１
５の周面を通過し、巻取りロール１４に巻き取られてい
くようになされている。なお、上記送りロール１３と上
記冷却キャン１５との間及び該冷却キャン１５と上記巻
取りロール１４との間にはそれぞれガイドロール１６，
１７が配設され、上記送りロール１３から冷却キャン１
５及び該冷却キャン１５から巻取りロール１４に亘って
走行する非磁性支持体１２に所定のテンションをかけ、
該非磁性支持体１２が円滑に走行するようになされてい
る。Accordingly, the non-magnetic support 12 is sequentially sent out from the feed roll 13, and
5 and is wound on a winding roll 14. The guide rolls 16 and the guide rolls 16 are provided between the feed roll 13 and the cooling can 15 and between the cooling can 15 and the take-up roll 14, respectively.
The cooling roll 1 is provided from the feed roll 13.
5 and a predetermined tension is applied to the non-magnetic support 12 running from the cooling can 15 to the take-up roll 14,
The nonmagnetic support 12 runs smoothly.
【００３９】また、上記真空室１１内には、上記冷却キ
ャン１５の下方にルツボ１８が設けられ、このルツボ１
８内に金属磁性材料（Ｃｏ80Ｎｉ20）１９が充填されて
いる。このルツボ１８は、上記冷却キャン１５の幅と略
同一の幅を有してなる。A crucible 18 is provided in the vacuum chamber 11 below the cooling can 15.
8 is filled with a metallic magnetic material (Co 80 Ni 20 ) 19. The crucible 18 has substantially the same width as the width of the cooling can 15.
【００４０】更に、上記真空室１１の側壁部には、上記
ルツボ１８内に充填された金属磁性材料１９を加熱蒸発
させるための電子銃２０が取付けられる。この電子銃２
０は、該電子銃２０より放出される電子線Ｘが上記ルツ
ボ１８内の金属磁性材料１９に照射されるような位置に
配設される。そして、この電子銃２０によって蒸発せし
められた金属磁性材料１９が上記冷却キャン１５の周面
を定速走行する非磁性支持体１２上に磁性層として被着
形成されるようになされている。Further, an electron gun 20 for heating and evaporating the metallic magnetic material 19 filled in the crucible 18 is attached to the side wall of the vacuum chamber 11. This electron gun 2
Numeral 0 is disposed at a position where the electron beam X emitted from the electron gun 20 irradiates the metal magnetic material 19 in the crucible 18. The metal magnetic material 19 evaporated by the electron gun 20 is formed as a magnetic layer on the non-magnetic support 12 running at a constant speed on the peripheral surface of the cooling can 15.
【００４１】そして、上記冷却キャン１５の近傍には、
該冷却キャン１５の周面に沿ってシャッタ２２が配設さ
れている。これにより、上記非磁性支持体１２表面の一
部が覆われるかたちとなるので、蒸発せしめられた金属
磁性材料１９の該非磁性支持体１２の表面に対する入射
角を規制することができる。In the vicinity of the cooling can 15,
A shutter 22 is provided along the peripheral surface of the cooling can 15. As a result, a part of the surface of the nonmagnetic support 12 is covered, so that the incident angle of the evaporated metal magnetic material 19 with respect to the surface of the nonmagnetic support 12 can be restricted.
【００４２】従って、このような製造装置においては、
上記ルツボ１８内に充填された金属磁性材料１９が上記
電子銃２０により加熱蒸発され、上記冷却キャン１５の
周面を走行する非磁性支持体１２に被着されるが、当該
非磁性支持体１２が上記シャッタ２２の一端部（上記非
磁性支持体１２の送出し側の端部）１３ａにより被覆さ
れる時点までの領域で当該非磁性支持体１２に対して蒸
着がなされ、この時点で蒸発せしめられた金属磁性材料
１９の上記非磁性支持体１２に対する入射角θ 1 が最低
値となるようになされている。Therefore, in such a manufacturing apparatus,
The metal magnetic material 19 filled in the crucible 18 is
Heated and evaporated by the electron gun 20, the cooling can 15
It is attached to the nonmagnetic support 12 running on the peripheral surface,
The non-magnetic support 12 is connected to one end of the shutter 22 (the non-magnetic support 12).
(End on the delivery side of the magnetic support 12) 13a
In the region up to the point in time
Metal magnetic material that has been deposited and evaporated at this point
19 with respect to the non-magnetic support 12 1Is the lowest
It has been made to be a value.
【００４３】また、上記真空室１１内には、上記冷却キ
ャン１５の下方側と上方側を分断するごとく、仕切り板
２１が設けられている。これにより、上記送りロール１
３から送り出された非磁性支持体１２がこの仕切り板２
１を通過した時点より蒸着が行われ、この時点で上記蒸
発せしめられた金属磁性材料１９の上記非磁性支持体１
２に対する入射角θ2 が最高値をとるようになされてい
る。また、このような仕切り板２１を設けることによ
り、仕切り板２１よりも上方側には蒸発せしめられた金
属磁性材料１９が拡散されることがなくなるので、蒸着
効率が向上する。A partition plate 21 is provided in the vacuum chamber 11 so as to divide the lower side and the upper side of the cooling can 15. Thereby, the feed roll 1
The non-magnetic support 12 sent out of the partition plate 2
1 is passed, and at this time, the non-magnetic support 1 of the evaporated metal magnetic material 19 is formed.
The incident angle θ 2 with respect to No. 2 has a maximum value. Further, by providing such a partition plate 21, the evaporated metal magnetic material 19 is not diffused above the partition plate 21, so that the vapor deposition efficiency is improved.
【００４４】更に、上記真空室１１の側壁部には、酸素
ガス導入口２８がこの真空室１１の側壁を貫通して設け
られており、蒸着時にこの酸素ガス導入口２８を介して
非磁性支持体１２の表面に酸素ガスが供給されるように
なされている。これにより、得られる磁性薄膜中に酸素
が取り込まれて、磁気特性の向上が図られる。Further, an oxygen gas inlet 28 is provided in the side wall of the vacuum chamber 11 so as to penetrate through the side wall of the vacuum chamber 11. An oxygen gas is supplied to the surface of the body 12. Thereby, oxygen is taken into the obtained magnetic thin film, and the magnetic properties are improved.
【００４５】また、この製造装置においては、上記非磁
性支持体１２の送出し側と巻取り側の各ガイドロール１
６，１７と上記冷却キャン１５との中途部にそれぞれ処
理装置２４，２５が設けられている。In this manufacturing apparatus, the guide rolls 1 on the sending side and the winding side of the nonmagnetic support 12 are provided.
Processing devices 24 and 25 are provided in the middle of the cooling cans 15 and 6, respectively.
【００４６】これら処理装置２４，２５は、上記非磁性
支持体１２の表面及び上述のような斜め蒸着により形成
される磁性薄膜の表面をそれぞれボンバード処理するた
めに設けられるものであり、上記磁性薄膜の形成前と形
成後に、上記非磁性支持体１２及び上記磁性薄膜が形成
された磁気テープが当該処理装置２４，２５中を通過す
るとともに、これら上記非磁性支持体１２と上記磁性薄
膜の表面にボンバード処理がなされるように構成されて
いる。The processing devices 24 and 25 are provided for bombarding the surface of the non-magnetic support 12 and the surface of the magnetic thin film formed by the oblique vapor deposition as described above, respectively. Before and after the formation, the magnetic tape on which the nonmagnetic support 12 and the magnetic thin film are formed passes through the processing devices 24 and 25, and the surface of the nonmagnetic support 12 and the magnetic thin film is It is configured to perform a bombarding process.
【００４７】従って、送りロール１３から送り出された
上記非磁性支持体１２は、上記処理装置２４内を通過
し、そして上記冷却キャン１５の周面を走行し、更に上
記処理装置２５内を通過して、上記巻取りロール１４に
巻き取られる。Accordingly, the non-magnetic support 12 sent out from the feed roll 13 passes through the processing device 24, travels on the peripheral surface of the cooling can 15, and further passes through the processing device 25. Then, it is wound on the winding roll 14.
【００４８】上記処理装置２４，２５には、上記非磁性
支持体１２及び上記磁性薄膜が形成された磁気テープが
通過するための入口２４ａ，２５ａと出口２４ｂ，２５
ｂがそれぞれ設けられており、これら入口２４ａ，２５
ａから上記処理装置２４，２５内に介入した時点から上
記出口２４ｂ，２５ｂに至までの間に上記非磁性支持体
１２及び上記磁性薄膜が形成された磁気テープの表面に
対してボンバード処理が施される。このようなボンバー
ド処理を行うことにより、上記非磁性支持体１２上、或
いは蒸着により得られた磁性薄膜上に形成された酸化層
の膜厚が薄くされる、或いは除去されるので、前記酸化
層の存在に起因する電磁変換特性の劣化が防止される。The processing units 24 and 25 have inlets 24a and 25a and outlets 24b and 25 through which the non-magnetic support 12 and the magnetic tape on which the magnetic thin film is formed pass.
b are provided respectively, and these entrances 24a, 25
From the time point a, the surface of the non-magnetic support 12 and the surface of the magnetic tape on which the magnetic thin film is formed are subjected to a bombardment process from the time when they enter the processing devices 24 and 25 to the outlets 24b and 25b. Is done. By performing such a bombarding process, the thickness of the oxide layer formed on the nonmagnetic support 12 or on the magnetic thin film obtained by vapor deposition is reduced or removed. Is prevented from deteriorating the electromagnetic conversion characteristics due to the presence of.
【００４９】上記処理装置２４（又は処理装置２５）内
には、上記非磁性支持体１２（又は上記磁気テープ）を
介して１対の棒状の電極２６，２６（又は電極２７，２
７）が配設されており、これら電極２６，２６（又は電
極２７，２７）間で放電が発生する構成とされている。
これら電極２６，２６（又は電極２７，２７）として
は、直流型でも、交流型でも何れも使用可能である。In the processing device 24 (or the processing device 25), a pair of rod-shaped electrodes 26, 26 (or the electrodes 27, 2) are interposed via the nonmagnetic support 12 (or the magnetic tape).
7) is provided, and discharge is generated between these electrodes 26, 26 (or electrodes 27, 27).
As the electrodes 26, 26 (or the electrodes 27, 27), either a DC type or an AC type can be used.
【００５０】また、これら処理装置２４，２５内には、
不活性ガス又は還元ガスを含む不活性ガスが導入され、
上記電極２６，２６（又は電極２７，２７）は水冷され
る。The processing devices 24 and 25 include:
An inert gas including an inert gas or a reducing gas is introduced,
The electrodes 26, 26 (or the electrodes 27, 27) are water-cooled.
【００５１】なお、この処理装置によれば、上述のよう
な斜め蒸着により得られた磁性薄膜の表面に加えて、上
記非磁性支持体１２の表面にもボンバード処理がなされ
るが、少なくとも上述の磁性薄膜の表面がボンバード処
理されていれば良く、上記非磁性支持体１２の表面のボ
ンバード処理は省略しても良い。According to this processing apparatus, in addition to the surface of the magnetic thin film obtained by the oblique vapor deposition as described above, the surface of the nonmagnetic support 12 is also subjected to the bombardment treatment. It is sufficient that the surface of the magnetic thin film is bombarded, and the bombardment of the surface of the nonmagnetic support 12 may be omitted.
【００５２】そこで、このような製造装置を用いて以下
のような手順に従って各種磁気テープを製造した。実施例１ １０μｍ厚のポリエチレンテレフタレートフィルムの一
主面にアクリル酸エステル系高分子ラテックス（平均粒
径４００Å）を１０００万個／ｍｍ2 となるように塗布
して下塗り膜を形成した。Then, various magnetic tapes were manufactured using such a manufacturing apparatus according to the following procedure. Example 1 An acrylic acid ester-based polymer latex (average particle size: 400 °) was applied to one main surface of a 10 μm-thick polyethylene terephthalate film at an average particle size of 10 million / mm 2 to form an undercoat film.
【００５３】次に、金属磁性材料としてＣｏ80Ｎｉ20合
金（数値は組成比を表す。）を用い、上記下塗り膜が形
成されたポリエチレンテレフタレートフィルムを３０ｍ
／分のテープスピードで走行させると同時に、酸素ガス
を導入しながら真空中で斜め蒸着を行って、上記ポリエ
チレンテレフタレートフィルム上に膜厚が１０００Åと
なるように第１の磁性薄膜を形成した。Next, using a Co 80 Ni 20 alloy (numerical values indicate the composition ratio) as the metal magnetic material, the polyethylene terephthalate film on which the undercoat film was formed was 30 m long.
At the same time, the first magnetic thin film was formed on the polyethylene terephthalate film so as to have a thickness of 1000 ° by oblique vapor deposition in vacuum while introducing oxygen gas.
【００５４】この時、酸素ガスの導入量を２００ｃｃ／
分とし、蒸発せしめられた上記金属磁性材料の上記ポリ
エチレンテレフタレートフィルムの表面に対する入射角
を４５〜９０°の範囲で変化させた。At this time, the introduction amount of oxygen gas was set to 200 cc /
The incident angle of the evaporated metal magnetic material to the surface of the polyethylene terephthalate film was changed in the range of 45 to 90 °.
【００５５】また、このような蒸着に際し、上記ポリエ
チレンテレフタレートフィルムの表面と得られた第１の
磁性薄膜の表面をボンバード処理した。このボンバード
処理の条件としては、上記ポリエチレンテレフタレート
フィルムの表面においては、Ａｒガス雰囲気中で上記電
極の電圧を５００Ｖ、電流を０．２Ａとし、第１の磁性
薄膜の表面においては、５％のＨ2 ガスを含有するＡｒ
ガス雰囲気中で上記電極の電圧を５００Ｖ、電流を０．
３Ａとした。During the above-mentioned vapor deposition, the surface of the polyethylene terephthalate film and the surface of the obtained first magnetic thin film were bombarded. The conditions of the bombardment treatment are as follows: the surface of the polyethylene terephthalate film is set to a voltage of 500 V and a current of 0.2 A in an Ar gas atmosphere, and the surface of the first magnetic thin film is set to 5% of H. Ar containing two gases
In a gas atmosphere, the voltage of the electrode was set to 500 V and the current was set to 0.
3A.
【００５６】そして、上記巻取りロールに巻き取られた
上記ポリエチレンテレフタレートフィルムを巻き戻した
後、上記第１の磁性薄膜と同様にして膜厚が１０００Å
となるように第２の磁性薄膜を形成するとともに、得ら
れた第２の磁性薄膜の表面をボンバード処理した。な
お、このボンバード処理の条件は、上記ポリエチレンテ
レフタレートフィルムの表面に施した場合と同様とし
た。Then, after the polyethylene terephthalate film wound on the winding roll is rewound, the film thickness is 1000 ° in the same manner as the first magnetic thin film.
The second magnetic thin film was formed so as to satisfy the following condition, and the surface of the obtained second magnetic thin film was bombarded. The conditions for the bombardment treatment were the same as those applied to the surface of the polyethylene terephthalate film.
【００５７】このような蒸着後、得られた磁気テープに
カーボン、ウレタンからなるバックコート層と、パーフ
ルオロポリエーテルを用いたトップコート層をそれぞれ
形成し、更にこの磁気テープを８ｍｍ幅に裁断した。After such vapor deposition, a back coat layer made of carbon and urethane and a top coat layer made of perfluoropolyether were formed on the obtained magnetic tape, and the magnetic tape was cut into a width of 8 mm. .
【００５８】実施例２ 上記実施例１において第１の磁性薄膜の表面をボンバー
ド処理した際に、５％のＨ2 ガスを含有するＡｒガス雰
囲気中で行ったのを、４％のアセチレンを含有するＡｒ
ガス雰囲気に変えて、その他は実施例１と同様にして磁
気テープを作製した。 Example 2 When the surface of the first magnetic thin film was bombarded in Example 1 above, the bombardment was performed in an Ar gas atmosphere containing 5% H 2 gas, but containing 4% acetylene. Ar
A magnetic tape was produced in the same manner as in Example 1 except that the atmosphere was changed to a gas atmosphere.
【００５９】実施例３ 上記実施例１において第１の磁性薄膜の表面をボンバー
ド処理した際に、上記電極の電圧を５００Ｖ、電流を
０．３Ａとしたのを、電圧を５００Ｖ、電流を０．０５
Ａに変えて、その他は実施例１と同様にして磁気テープ
を作製した。 Example 3 In Example 1, when the surface of the first magnetic thin film was bombarded, the voltage of the electrode was set to 500 V and the current was set to 0.3 A. 05
A magnetic tape was prepared in the same manner as in Example 1 except that A was used.
【００６０】実施例４ 上記実施例１において第１の磁性薄膜の表面をボンバー
ド処理した際に、上記電極の電圧を５００Ｖ、電流を
０．３Ａとしたのを、電圧を５００Ｖ、電流を０．９Ａ
に変えて、その他は実施例１と同様にして磁気テープを
作製した。 Example 4 In Example 1, when the surface of the first magnetic thin film was bombarded, the voltage of the electrode was set to 500 V and the current was set to 0.3 A. 9A
A magnetic tape was produced in the same manner as in Example 1 except that
【００６１】比較例 上記実施例１において第１の磁性薄膜の表面をボンバー
ド処理した際に、５％のＨ2 ガスを含有するＡｒガス雰
囲気中で行ったのを、還元性ガスを含まないＡｒガス雰
囲気に変えて、その他は実施例１と同様にして磁気テー
プを作製した。[0061] The surface of the first magnetic thin film in Comparative Example Example 1 upon bombardment treatment, the went in an Ar gas atmosphere containing 5% H 2 gas, not containing reducing gas Ar A magnetic tape was produced in the same manner as in Example 1 except that the atmosphere was changed to a gas atmosphere.
【００６２】このようにして得られた各磁気テープにつ
いて、ソニー社製の商品名ＥＶＳ−９００により０．５
４μｍの波長における再生出力、Ｃ／Ｎ及びエラーレー
トをそれぞれ測定した。この結果を表１に示す。なお、
表１中に、各磁気テープにおける第１の磁性薄膜の表面
をボンバード処理した際の処理能力を示す定数Ｋ（上記
（１）式参照。）の値も併せて記した。Each of the magnetic tapes thus obtained was subjected to a 0.5 EVS-900 (trade name, manufactured by Sony Corporation).
The reproduction output, C / N, and error rate at a wavelength of 4 μm were measured. Table 1 shows the results. In addition,
Table 1 also shows the value of a constant K (see the above equation (1)) indicating the processing ability when the surface of the first magnetic thin film in each magnetic tape was subjected to bombardment processing.
【００６３】[0063]
【表１】 [Table 1]
【００６４】表１に示すように、実施例１〜４では、比
較例に比べて再生出力及びＣ／Ｎが高く、またエラーレ
ートが低減されていることが判った。従って、蒸着時に
上述のようなボンバード処理を行うことにより、良好な
耐久性が得られるとともに、電磁変換特性の向上が図ら
れることが判った。As shown in Table 1, it was found that in Examples 1 to 4, the reproduction output and C / N were higher and the error rate was lower than in the comparative example. Therefore, it has been found that by performing the above-described bombarding treatment at the time of vapor deposition, good durability is obtained and electromagnetic conversion characteristics are improved.
【００６５】但し、実施例３のようにボンバード処理に
おける定数Ｋの値が小さいと、再生出力やＣ／Ｎ、或い
はエラーレートを十分に改善することが出来なかった。
このことから、上記ボンバード処理における定数Ｋの値
はおよそ１０以上とされることが望ましいと言える。However, if the value of the constant K in the bombarding process was small as in the third embodiment, the reproduction output, C / N, or error rate could not be sufficiently improved.
From this, it can be said that the value of the constant K in the bombarding process is desirably set to about 10 or more.
【００６６】以上のような本発明の磁気記録媒体は、次
のようなシステムに適用すると、エネルギー積が小さく
なり、エラーレートが抑えられて、良好な結果を期待す
ることができる。When the magnetic recording medium of the present invention as described above is applied to the following system, the energy product is reduced, the error rate is suppressed, and good results can be expected.
【００６７】Ａ．記録再生装置の構成 からービデオ信号をディジタル化して磁気テープ等の記
録媒体に記録するディジタルＶＴＲとしては、放送局用
のＤ１フォーマットのコンポーネント形ディジタルＶＴ
Ｒ及びＤ２フォーマットのコンポジット形ディジタルＶ
ＴＲが実用化されている。 A. As a digital VTR for digitizing a video signal and recording it on a recording medium such as a magnetic tape, a component type digital VT of a D1 format for a broadcasting station is used.
Composite digital V in R and D2 format
TR has been put to practical use.
【００６８】前者のＤ１フォーマットディジタルＶＴＲ
は、輝度信号及び第１，第２の色差信号をそれぞれ１
３．５ＭＨｚ、６．７５ＭＨｚのサンプリング周波数で
Ａ／Ｄ変換した後、所定の信号処理を行って磁気テープ
上に記録するもので、これらコンポーネント成分のサン
プリング周波数が４：２：２であることから、４：２：
２方式とも称されている。The former D1 format digital VTR
Indicates that the luminance signal and the first and second color difference signals are each 1
After performing A / D conversion at the sampling frequencies of 3.5 MHz and 6.75 MHz, predetermined signal processing is performed and recorded on the magnetic tape, and the sampling frequency of these component components is 4: 2: 2. 4: 2:
Also referred to as two systems.
【００６９】一方、後者のＤ２フォーマットディジタル
ＶＴＲは、コンポジットカラービデオ信号をカラー副搬
送波信号の周波数の４倍の周波数の信号でサンプリング
を行ってＡ／Ｄ変換し、所定の信号処理を行った後、磁
気テープに記録するようにしている。On the other hand, the latter D2 format digital VTR performs A / D conversion by sampling a composite color video signal with a signal having a frequency four times the frequency of the color subcarrier signal, and performs predetermined signal processing. , On a magnetic tape.
【００７０】いずれにしても、これらのディジタルＶＴ
Ｒは、共に放送局用に使用されることを前提に設計され
ているために、画質最優先とされ、１サンプルが例えば
８ビットにＡ／Ｄ変換されたディジタルカラービデオ信
号を実質的に圧縮することなしに記録するようになされ
ている。したがって、例えばＤ１フォーマットのディジ
タルＶＴＲでは、大型のカセットテープを使用しても高
々１．５時間程度の再生時間しか得られず、一般家庭用
のＶＴＲとして使用するには不適当である。In any case, these digital VTs
Since R is designed on the assumption that both are used for broadcasting stations, image quality is given the highest priority, and a digital color video signal in which one sample is A / D converted to, for example, 8 bits is substantially compressed. It is made to record without doing. Therefore, for example, a digital VTR of the D1 format can obtain a reproduction time of at most about 1.5 hours even when a large cassette tape is used, and is not suitable for use as a general home VTR.
【００７１】そこで、ここでは、例えば５μｍのトラッ
ク幅に対して最短波長０．５μｍの信号を記録するよう
にし、記録密度４×１０5 ｂｉｔ／mm2 以上、あるいは
８×１０5 ｂｉｔ／mm2 以上を実現するとともに、記録
情報を再生歪みが少ないような形で圧縮する方法を併用
することによって、テープ幅が８mmあるいはそれ以下の
幅狭の磁気テープを使用しても長時間の記録・再生が可
能なディジタルＶＴＲに適用するものとする。Therefore, here, for example, a signal having a minimum wavelength of 0.5 μm is recorded for a track width of 5 μm, and the recording density is 4 × 10 5 bit / mm 2 or more, or 8 × 10 5 bit / mm 2. In addition to realizing the above, by using a method of compressing recorded information in a form that minimizes reproduction distortion, long-term recording and reproduction can be performed even when using a magnetic tape with a tape width of 8 mm or less. The present invention is applied to a digital VTR capable of performing the following.
【００７２】以下、このディジタルＶＴＲの構成につい
て説明する。Hereinafter, the configuration of this digital VTR will be described.
【００７３】ａ．信号処理部 先ず、本実施例において用いたディジタルＶＴＲの信号
処理部について説明する。図５は記録側の構成全体を示
すものであり、１Ｙ、１Ｕ、１Ｖでそれぞれ示す入力端
子に、例えばカラービデオカメラからの三原色信号Ｒ，
Ｇ，Ｂから形成されたディジタル輝度信号Ｙ、ディジタ
ル色差信号Ｕ、Ｖが供給される。この場合、各信号のク
ロックレートはＤ１フォーマットの各コンポーネント信
号の周波数と同一とされる。すなわち、それぞれのサン
プリング周波数が１３．５ＭＨｚ、６．７５ＭＨｚとさ
れ、且つこれらの１サンプル当たりのビット数が８ビッ
トとされている。したがって、入力端子３１Ｙ、３１
Ｕ、３１Ｖに供給される信号のデータ量としては、約２
１６Ｍｂｐｓとなる。この信号のうちブランキング時間
のデータを除去し、有効領域の情報のみを取り出す有効
情報抽出回路３２によってデータ量が約１６７Ｍｂｐｓ
に圧縮される。A. First, the signal processing unit of the digital VTR used in this embodiment will be described. FIG. 5 shows the entire configuration on the recording side. For example, three primary color signals R and R from a color video camera are input to input terminals 1Y, 1U and 1V, respectively.
A digital luminance signal Y and digital color difference signals U and V formed from G and B are supplied. In this case, the clock rate of each signal is the same as the frequency of each component signal in the D1 format. That is, the sampling frequencies are 13.5 MHz and 6.75 MHz, and the number of bits per sample is 8 bits. Therefore, the input terminals 31Y, 31
U, the data amount of the signal supplied to 31V is about 2
It becomes 16 Mbps. A data amount of about 167 Mbps is obtained by an effective information extracting circuit 32 which removes blanking time data from the signal and extracts only information of an effective area.
Compressed.
【００７４】そして、上記有効情報抽出回路３２の出力
のうちの輝度信号Ｙが周波数変換回路３３に供給され、
サンプリング周波数が１３．５ＭＨｚからその３／４に
変換される。周波数変換回路３３としては、例えば間引
きフィルタが使用され、折り返し歪みが生じないように
なされている。この周波数変換回路３３の出力信号は、
ブロック化回路３５に供給され、輝度データの順序がブ
ロックの順序に変換される。ブロック化回路３５は、後
段に設けられたブロック符号化回路３８のために設けら
れている。Then, the luminance signal Y of the output of the effective information extraction circuit 32 is supplied to the frequency conversion circuit 33,
The sampling frequency is converted from 13.5 MHz to 3/4 thereof. As the frequency conversion circuit 33, for example, a thinning filter is used to prevent aliasing distortion. The output signal of the frequency conversion circuit 33 is
The luminance data is supplied to the blocking circuit 35, and the order of the luminance data is converted into the order of the blocks. The blocking circuit 35 is provided for a block coding circuit 38 provided at a subsequent stage.
【００７５】図７は、符号化の単位のブロックの構造を
示す。この例は、３次元ブロックであって、例えば２フ
レームに跨がる画面を分割することにより、同図に示す
ように（４ライン×４画素×２フレーム）の単位ブロッ
クが多数形成される。なお、図７において実線は奇数フ
ィールドのラインを示し、破線は偶数フィールドのライ
ンを示す。FIG. 7 shows a block structure of a unit of encoding. This example is a three-dimensional block, for example, by dividing a screen extending over two frames, a large number of (4 lines × 4 pixels × 2 frames) unit blocks are formed as shown in FIG. In FIG. 7, a solid line indicates an odd-numbered field line, and a broken line indicates an even-numbered field line.
【００７６】また、有効情報抽出回路３２の出力のう
ち、２つの色差信号Ｕ、Ｖがサブサンプリング及びサブ
ライン回路３４に供給され、サンプリング周波数がそれ
ぞれ６．７５ＭＨｚからその半分に変換された後、２つ
のディジタル色差信号が互いにライン毎に選択され、１
チャンネルのデータに合成される。したがって、このサ
ブサンプリング及びサブライン回路３４からは線順次化
されたディジタル色差信号が得られる。このサブサンプ
リング及びサブライン回路３４によってサブサンプル及
びサブライン化された信号の画素構成を図８に示す。図
８中、○は第１の色差信号Ｕのサブサンプリング画素を
示し、△は第２の色素信号Ｖのサンプリング画素を示
し、×はサブサンプルによって間引かれた画素の位置を
示す。The two color difference signals U and V of the output of the effective information extraction circuit 32 are supplied to a sub-sampling and sub-line circuit 34, and after the sampling frequency is converted from 6.75 MHz to half of that, respectively, 2 Two digital color difference signals are selected line by line
Combined with channel data. Accordingly, the sub-sampling and sub-line circuit 34 provides a line-sequential digital color difference signal. FIG. 8 shows a pixel configuration of a signal sub-sampled and sub-lined by the sub-sampling and sub-line circuit. In FIG. 8, ○ indicates a sub-sampling pixel of the first color difference signal U, △ indicates a sampling pixel of the second dye signal V, and X indicates a position of a pixel thinned out by the sub-sample.
【００７７】上記サブサンプリング及びサブライン回路
３４からの線順次化出力信号は、ブロック化回路３６に
供給される。ブロック化回路３６では一方のブロック化
回路３５と同様に、テレビジョン信号の走査の順序の色
差データがブロックの順序のデータに変換される。この
ブロック化回路３６は、一方のブロック化回路３５と同
様に、色差データを（４ライン×４画素×２フレーム）
のブロック構造に変換する。そしてこれらブロック化回
路３５及びブロック化回路３６の出力信号が合成回路３
７に供給される。The line-sequentialized output signal from the sub-sampling and sub-line circuit 34 is supplied to a blocking circuit 36. In the blocking circuit 36, similarly to the blocking circuit 35, the color difference data in the scanning order of the television signal is converted into the data in the block order. This blocking circuit 36 converts the color difference data into (4 lines × 4 pixels × 2 frames) similarly to the one blocking circuit 35.
To the block structure of The output signals of the blocking circuits 35 and 36 are
7 is supplied.
【００７８】合成回路３７では、ブロックの順序に変換
された輝度信号及び色差信号が１チャンネルのデータに
変換され、この合成回路３７の出力信号がブロック符号
化回路３８に供給される。ブロック符号化回路３８とし
ては、後述するようにブロック毎のダイナミックレンジ
に適応した符号化回路（ＡＤＲＣと称する。）、ＤＣＴ
（Ｄｉｓｃｒｅｔｅ Ｃｏｓｉｎｅ Ｔｒａｎｓｆｏｒ
ｍ）回路等が適用できる。前記ブロック符号化回路３８
からの出力信号は、さらにフレーム化回路３９に供給さ
れ、フレーム構造のデータに変換される。このフレーム
化回路３９では、画素系のクロックと記録系のクロック
との乗り換えが行われる。In the synthesizing circuit 37, the luminance signal and the chrominance signal converted in the order of the blocks are converted into one-channel data, and the output signal of the synthesizing circuit 37 is supplied to the block encoding circuit 38. As the block encoding circuit 38, an encoding circuit (referred to as ADRC) adapted to a dynamic range of each block as described later, a DCT
(Discrete Cosine Transformer
m) A circuit or the like can be applied. The block encoding circuit 38
Is further supplied to a framing circuit 39 and converted into data having a frame structure. In the framing circuit 39, switching between the pixel system clock and the recording system clock is performed.
【００７９】次いで、フレーム化回路３９の出力信号が
エラー訂正符号のパリティ発生回路４０に供給され、エ
ラー訂正符号のパリティが生成される。パリティ発生回
路４０の出力信号はチャンネルエンコーダ４１に供給さ
れ、記録データの低域部分を減少させるようなチャンネ
ルコーディングがなされる。チャンネルエンコーダ４１
の出力信号が記録アンプ４２Ａ，４２Ｂと回転トランス
（図示は省略する。）を介して一対の磁気ヘッド４３
Ａ，４３Ｂに供給され、磁気テープに記録される。な
お、オーディオ信号と、ビデオ信号とは別に圧縮符号化
され、チャンネルエンコーダ４１に供給される。Next, the output signal of the framing circuit 39 is supplied to an error correction code parity generation circuit 40 to generate an error correction code parity. The output signal of the parity generation circuit 40 is supplied to a channel encoder 41, where channel coding is performed so as to reduce the low-frequency portion of the recording data. Channel encoder 41
Are output via recording amplifiers 42A and 42B and a rotary transformer (not shown).
A, 43B and recorded on a magnetic tape. The audio signal and the video signal are compression-encoded separately and supplied to the channel encoder 41.
【００８０】上述の信号処理によって、入力のデータ量
２１６Ｍｂｐｓが有効走査期間のみを抽出するによって
約１６７Ｍｂｐｓに低減され、さらに周波数変換とサブ
サンプル、サブラインとによってこれが８４Ｍｂｐｓに
減少される。このデータは、ブロック符号化回路３８で
圧縮符号化することにより、約２５Ｍｂｐｓに圧縮さ
れ、その後のパリティ、オーディオ信号等の付加的な情
報を加えて、記録データ量としては３１．５６Ｍｂｐｓ
となる。By the above-described signal processing, the input data amount 216 Mbps is reduced to about 167 Mbps by extracting only the effective scanning period, and further reduced to 84 Mbps by frequency conversion, sub-sampling, and sub-line. This data is compressed to about 25 Mbps by compression coding in the block coding circuit 38, and after adding additional information such as parity and audio signals, the recording data amount is 31.56 Mbps.
Becomes
【００８１】次に、再生側の構成について図６を参照し
ながら説明する。再生の際には、図６に示すように、先
ず磁気ヘッド４３Ａ，４３Ｂからの再生データが回転ト
ランス及び再生アンプ４４Ａ，４４Ｂを介してチャンネ
ルデコーダ４５に供給される。チャンネルデコーダ４５
において、チャンネルコーディングの復調がされ、チャ
ンネルデコーダ４５の出力信号がＴＢＣ回路（時間軸補
正回路）４６に供給される。このＴＢＣ回路４６におい
て、再生信号の時間軸変動成分が除去される。ＴＢＣ回
路４６からの再生データがＥＣＣ回路４７に供給され、
エラー訂正符号を用いたエラー訂正とエラー修整とが行
われる。ＥＣＣ回路４７の出力信号がフレーム分解回路
４８に供給される。Next, the configuration of the reproducing side will be described with reference to FIG. At the time of reproduction, as shown in FIG. 6, first, reproduction data from the magnetic heads 43A and 43B is supplied to the channel decoder 45 via the rotary transformer and the reproduction amplifiers 44A and 44B. Channel decoder 45
In, the channel coding is demodulated, and the output signal of the channel decoder 45 is supplied to a TBC circuit (time axis correction circuit). In the TBC circuit 46, the time axis fluctuation component of the reproduction signal is removed. The reproduction data from the TBC circuit 46 is supplied to the ECC circuit 47,
Error correction and error correction using an error correction code are performed. The output signal of the ECC circuit 47 is supplied to a frame decomposition circuit 48.
【００８２】フレーム分解回路４８によって、ブロック
符号化データの各成分がそれぞれ分離されるとともに、
記録系のクロックから画素系のクロックへの乗り換えが
なされる。フレーム分解回路４８で分離された各データ
がブロック複号回路４９に供給され、各ブロック単位に
原データと対応する復元データが複号され、複号データ
が分配回路５０に供給される。この分配回路５０で複号
データが輝度信号と色差信号に分離される。輝度信号及
び色差信号がブロック分解回路５１，５２にそれぞれ供
給される。ブロック分解回路５１，５２は、送信側のブ
ロック化回路３５，３６とは逆に、ブロックの順序の複
号データをラスター走査の順に変換する。Each component of the block coded data is separated by the frame decomposing circuit 48,
The switching from the recording system clock to the pixel system clock is performed. Each data separated by the frame decomposing circuit 48 is supplied to a block decoding circuit 49, and the original data and the corresponding restored data are decoded for each block unit, and the decoded data is supplied to a distribution circuit 50. This distribution circuit 50 separates the decoded data into a luminance signal and a color difference signal. The luminance signal and the color difference signal are supplied to the block decomposition circuits 51 and 52, respectively. The block decomposing circuits 51 and 52 convert the decrypted data in the block order in the order of raster scanning, contrary to the blocking circuits 35 and 36 on the transmission side.
【００８３】ブロック分解回路５１からの複号輝度信号
が補間フィルタ５３に供給される。補間フィルタ５３で
は、輝度信号のサンプリングレートが３ｆｓから４ｆｓ
（４ｆｓ＝１３．５ＭＨｚ）に変換される。補間フィル
タ５３からのディジタル輝度信号Ｙは出力端子５６Ｙに
取り出される。The decoded luminance signal from the block decomposition circuit 51 is supplied to the interpolation filter 53. In the interpolation filter 53, the sampling rate of the luminance signal is changed from 3 fs to 4 fs.
(4fs = 13.5 MHz). The digital luminance signal Y from the interpolation filter 53 is taken out to an output terminal 56Y.
【００８４】一方、ブロック分解回路５２からのディジ
タル色差信号が分配回路５４に供給され、線順次化され
たディジタル色差信号Ｕ，Ｖがディジタル色差信号Ｕ及
びＶにそれぞれ分離される。分配回路５４からのディジ
タル色差信号Ｕ，Ｖが補間回路５５に供給され、それぞ
れ補間される。補間回路５５は、復元された画素データ
を用いて間引かれたライン及び画素のデータを補間する
もので、補間回路５５からはサンプリングレートが２ｆ
ｓのディジタル色差信号Ｕ及びＶが得られ、出力端子５
６Ｕ，５６Ｖにそれぞれ取り出される。On the other hand, the digital color difference signals from the block decomposition circuit 52 are supplied to the distribution circuit 54, and the line-sequential digital color difference signals U and V are separated into digital color difference signals U and V, respectively. The digital color difference signals U and V from the distribution circuit 54 are supplied to the interpolation circuit 55 and are interpolated. The interpolation circuit 55 interpolates the thinned line and pixel data by using the restored pixel data. The interpolation circuit 55 outputs a sampling rate of 2f.
s digital color difference signals U and V are obtained, and the output terminal 5
It is taken out to 6U and 56V, respectively.
【００８５】ｂ．ブロック符号化 図５におけるブロック符号化回路３８としては、ＡＤＲ
Ｃ（ＡｄａｐｔｉｖｅＤｙｎａｍｉｃ Ｒａｎｇｅ Ｃ
ｏｄｉｎｇ）エンコーダが用いられる。このＡＤＲＣエ
ンコーダは、各ブロックに含まれる複数の画素データの
最大値ＭＡＸと最小値ＭＩＮを検出し、これら最大値Ｍ
ＡＸ及び最小値ＭＩＮからブロックのダイナミックレン
ジＤＲを検出し、このダイナミックレンジＤＲに適応し
た符号化を行い、原画素データのビット数よりも少ない
ビット数により、再量子化を行うものである。ブロック
符号化回路３８の他の例としては、各ブロックの画素デ
ータをＤＣＴ（Ｄｉｓｃｒｅｔｅ Ｃｏｓｉｎｅ Ｔｒ
ａｎｓｆｏｒｍ）した後、このＤＣＴで得られた係数デ
ータを量子化し、量子化データをランレングス・ハフマ
ン符号化して圧縮符号化する構成を用いてもよい。B. Block Coding The block coding circuit 38 in FIG.
C (Adaptive Dynamic Range C)
Oding) encoder is used. This ADRC encoder detects a maximum value MAX and a minimum value MIN of a plurality of pixel data included in each block, and detects these maximum values M
The dynamic range DR of the block is detected from the AX and the minimum value MIN, encoding is performed in accordance with the dynamic range DR, and requantization is performed with a bit number smaller than the bit number of the original pixel data. As another example of the block encoding circuit 38, pixel data of each block is converted into a DCT (Discrete Cosine Tr).
After performing an transform, the coefficient data obtained by the DCT may be quantized, and the quantized data may be run-length-Huffman-encoded and compression-encoded.
【００８６】ここでは、ＡＤＲＣエンコーダを用い、さ
らにマルチダビングした時にも画質劣化が生じないエン
コーダの例を図９を参照しながら説明する。図９におい
て、入力端子５７に例えば１サンプルが８ビットに量子
化されたディジタルビデオ信号（或いはディジタル色差
信号）が図５の合成回路３７より入力される。入力端子
５７からのブロック化データが最大値，最小値検出回路
５９及び遅延回路６０に供給される。最大値，最小値検
出回路５９は、ブロック毎に最小値ＭＩＮ、最大値ＭＡ
Ｘを検出する。遅延回路６０からは、最大値及び最小値
が検出されるのに要する時間、入力データを遅延させ
る。遅延回路６０からの画素データが比較回路６１及び
比較回路６２に供給される。Here, an example of an encoder that uses an ADRC encoder and does not cause image quality deterioration even when multi-dubbing is performed will be described with reference to FIG. 9, a digital video signal (or a digital color difference signal) in which one sample is quantized to 8 bits, for example, is input to an input terminal 57 from the combining circuit 37 in FIG. Blocked data from the input terminal 57 is supplied to the maximum value / minimum value detection circuit 59 and the delay circuit 60. The maximum value / minimum value detection circuit 59 includes a minimum value MIN and a maximum value MA for each block.
X is detected. The input data is delayed from the delay circuit 60 for the time required for detecting the maximum value and the minimum value. The pixel data from the delay circuit 60 is supplied to the comparison circuits 61 and 62.
【００８７】最大値，最小値検出回路５９からの最大値
ＭＡＸが減算回路６３に供給され、最小値ＭＩＮが加算
回路６４に供給される。これらの減算回路６３及び加算
回路６４には、ビットシフト回路６５から４ビット固定
長でノンエッジマッチング量子化した場合の１量子化ス
テップ幅の値（△＝１／１６ＤＲ）が供給される。ビッ
トシフト回路６５は、（１／１６）の割算を行うよう
に、ダイナミックレンジＤＲを４ビットシフトする構成
とされている。減算回路６３からは（ＭＡＸ−△）のし
きい値が得られ、加算回路６４からは（ＭＩＮ＋△）の
しきい値が得られる。これらの減算回路６３及び加算回
路６４からのしきい値が比較回路６１，６２にそれぞれ
供給される。なお、このしきい値を規定する値△は、量
子化ステップ幅に限らず、ノイズレベルに相当する固定
値としてもよい。The maximum value MAX from the maximum value / minimum value detection circuit 59 is supplied to the subtraction circuit 63, and the minimum value MIN is supplied to the addition circuit 64. To the subtraction circuit 63 and the addition circuit 64, a value of one quantization step width (△ = 1 / 16DR) when non-edge matching quantization is performed with a fixed length of 4 bits from the bit shift circuit 65. The bit shift circuit 65 is configured to shift the dynamic range DR by 4 bits so as to perform division by (1/16). A threshold value of (MAX− △) is obtained from the subtraction circuit 63, and a threshold value of (MIN + △) is obtained from the addition circuit 64. The threshold values from the subtraction circuit 63 and the addition circuit 64 are supplied to comparison circuits 61 and 62, respectively. The value す る defining the threshold value is not limited to the quantization step width, but may be a fixed value corresponding to a noise level.
【００８８】比較回路６１の出力信号がＡＮＤゲート６
６に供給され、比較回路６２の出力信号がＡＮＤゲート
６７に供給される。ＡＮＤゲート６６及びＡＮＤゲート
６７には、遅延回路６０からの入力データが供給され
る。比較回路６１の出力信号は、入力データがしきい値
より大きい時にハイレベルとなり、したがってＡＮＤゲ
ート６６の出力端子には、（ＭＡＸ〜ＭＡＸ−△）の最
大レベル範囲に含まれる入力データの画素データが抽出
される。一方、比較回路６２の出力信号は、入力データ
がしきい値より小さい時にハイレベルとなり、したがっ
てＡＮＤゲート６７の出力端子には、（ＭＩＮ〜ＭＩＮ
＋△）の最小レベル範囲に含まれる入力データの画素デ
ータが抽出される。The output signal of the comparison circuit 61 is the AND gate 6
6 and the output signal of the comparison circuit 62 is supplied to an AND gate 67. Input data from the delay circuit 60 is supplied to the AND gate 66 and the AND gate 67. The output signal of the comparison circuit 61 becomes high level when the input data is larger than the threshold value. Therefore, the output terminal of the AND gate 66 supplies the pixel data of the input data included in the maximum level range of (MAX to MAX- △). Is extracted. On the other hand, the output signal of the comparison circuit 62 becomes high level when the input data is smaller than the threshold value, and therefore, the output terminal of the AND gate 67 has (MIN to MIN)
+ △) The pixel data of the input data included in the minimum level range is extracted.
【００８９】ＡＮＤゲート６６の出力信号が平均化回路
６８に供給され、ＡＮＤゲート６７の出力信号が平均化
回路６９に供給される。これらの平均化回路６８，６９
は、ブロック毎に平均値を算出するもので、端子７０か
らブロック周期のリセット信号が平均化回路６８，６９
に供給されている。平均化回路６８からは、（ＭＡＸ〜
ＭＡＸ−△）の最大レベル範囲に属する画素データの平
均値ＭＡＸ´が得られ、平均化回路６９からは（ＭＩＮ
〜ＭＩＮ＋△）の最小レベル範囲に属する画素データの
平均値ＭＩＮ´が得られる。平均値ＭＡＸ´から平均値
ＭＩＮ´が減算回路７１で減算され、この減算回路７１
からダイナミックレンジＤＲ´が得られる。The output signal of AND gate 66 is supplied to averaging circuit 68, and the output signal of AND gate 67 is supplied to averaging circuit 69. These averaging circuits 68 and 69
Calculates an average value for each block. A reset signal of a block cycle is supplied from a terminal 70 to the averaging circuits 68 and 69.
Is supplied to From the averaging circuit 68, (MAX to
An average value MAX ′ of the pixel data belonging to the maximum level range of (MAX− △) is obtained.
To MIN + △), the average value MIN ′ of the pixel data belonging to the minimum level range is obtained. The average value MIN 'is subtracted from the average value MAX' by a subtraction circuit 71, and this subtraction circuit 71
To obtain the dynamic range DR '.
【００９０】また、平均値ＭＩＮ´が減算回路７２に供
給され、遅延回路７３を介された入力データから平均値
ＭＩＮ´が減算回路７２において減算され、最小値除去
後のデータＰＤＩが形成される。このデータＰＤＩ及び
修整されたダイナミックレンジＤＲ´が量子化回路７４
に供給される。この実施例では、量子化に割り当てられ
るビット数ｎが０ビット（コード信号を転送しない）、
１ビット、２ビット、３ビット、４ビットの何れかとさ
れる可変長のＡＤＲＣであって、エッジマッチング量子
化がなされる。割り当てビット数ｎは、ブロック毎にビ
ット数決定回路７５において決定され、ビット数ｎのデ
ータが量子化回路７４に供給される。Further, the average value MIN 'is supplied to the subtraction circuit 72, and the average value MIN' is subtracted from the input data passed through the delay circuit 73 by the subtraction circuit 72, thereby forming the data PDI from which the minimum value has been removed. . The data PDI and the modified dynamic range DR 'are used as the quantization circuit 74.
Supplied to In this embodiment, the number n of bits allocated to quantization is 0 (the code signal is not transferred),
This is a variable-length ADRC having any one of 1 bit, 2 bits, 3 bits, and 4 bits, and is subjected to edge matching quantization. The number n of allocated bits is determined for each block by the bit number determination circuit 75, and data of the number n of bits is supplied to the quantization circuit 74.
【００９１】可変長ＡＤＲＣは、ダイナミックレンジＤ
Ｒ´が小さいブロックでは、割り当てビット数ｎを少な
くし、ダイナミックレンジＤＲ´が大きいブロックで
は、割り当てビット数ｎを多くすることで、効率の良い
符号化を行うことができる。すなわち、ビット数ｎを決
定する際のしきい値をＴ１〜Ｔ４（Ｔ１＜Ｔ２＜Ｔ３＜
Ｔ４）とすると、（ＤＲ´＜Ｔ１）のブロックは、コー
ド信号が転送されず、ダイナミックレンジＤＲ´の情報
のみが転送され、（Ｔ１≦ＤＲ´＜Ｔ２）のブロック
は、（ｎ＝１）とされ、（Ｔ２≦ＤＲ´＜Ｔ３）のブロ
ックは、（ｎ＝２）とされ、（Ｔ３≦ＤＲ´＜Ｔ４）の
ブロックは、（ｎ＝３）とされ、（ＤＲ´≧Ｔ４）のブ
ロックは、（ｎ＝４）とされる。The variable length ADRC has a dynamic range D
Efficient coding can be performed by reducing the number of allocated bits n in a block with a small R 'and increasing the number of allocated bits n in a block with a large dynamic range DR'. That is, the thresholds for determining the number of bits n are T1 to T4 (T1 <T2 <T3 <
T4), the code signal is not transferred to the block of (DR ′ <T1), only the information of the dynamic range DR ′ is transferred, and the block of (T1 ≦ DR ′ <T2) is (n = 1) The block of (T2 ≦ DR ′ <T3) is set to (n = 2), the block of (T3 ≦ DR ′ <T4) is set to (n = 3), and the block of (DR ′ ≧ T4) is set to (n = 3). The block is set to (n = 4).
【００９２】かかる可変長ＡＤＲＣではしきい値Ｔ１〜
Ｔ４を変えることで、発生情報量を制御すること（いわ
ゆるバッファリング）ができる。したがって、１フィー
ルド或いは、１フレーム当たりの発生情報量を所定値に
することが要求されるこの発明のディジタルビデオテー
プレコーダのような伝送路に対しても可変長ＡＤＲＣを
適用できる。In such a variable length ADRC, the threshold values T1 to T1
By changing T4, the amount of generated information can be controlled (so-called buffering). Therefore, the variable length ADRC can be applied to a transmission path such as the digital video tape recorder of the present invention in which the amount of generated information per field or frame is required to be a predetermined value.
【００９３】発生情報量を所定値にするためのしきい値
Ｔ１〜Ｔ４を決定するバッファリング回路７６では、し
きい値の組（Ｔ１、Ｔ２、Ｔ３、Ｔ４）が複数例えば３
２組用意されており、これらのしきい値の組がパラメー
タコードＰｉ（ｉ＝０、１、２・・・・３１）により区
別される。パラメータコードＰｉの番号ｉが大きくなる
に従って、発生情報量が単調に減少するように設定され
ている。ただし、発生情報量が減少するに従って、復元
画像の画質が劣化する。In the buffering circuit 76 for determining the thresholds T1 to T4 for setting the amount of generated information to a predetermined value, a plurality of sets of thresholds (T1, T2, T3, T4), for example, 3
Two sets are provided, and these sets of thresholds are distinguished by parameter codes Pi (i = 0, 1, 2,..., 31). The amount of generated information is set to decrease monotonically as the number i of the parameter code Pi increases. However, as the amount of generated information decreases, the image quality of the restored image deteriorates.
【００９４】バッファリング回路７６からのしきい値Ｔ
１〜Ｔ４が比較回路７７に供給され、遅延回路７８を介
されたダイナミックレンジＤＲ´が比較回路７７に供給
される。遅延回路７８は、バッファリング回路７６でし
きい値の組が決定されるのに要する時間、ＤＲ´を遅延
させる。比較回路７７では、ブロックのダイナミックレ
ンジＤＲ´と各しきい値とがそれぞれ比較され、比較出
力がビット数決定回路７５に供給され、そのブロックの
割り当てビット数ｎが決定される。量子化回路７４で
は、ダイナミックレンジＤＲ´と割り当てビット数ｎと
を用いて遅延回路７９を介された最小値除去後のデータ
ＰＤＩがエッジマッチングの量子化により、コード信号
ＤＴに変換される。量子化回路７４は、例えばＲＯＭで
構成されている。Threshold value T from buffering circuit 76
1 to T4 are supplied to the comparison circuit 77, and the dynamic range DR ′ via the delay circuit 78 is supplied to the comparison circuit 77. The delay circuit 78 delays DR ′ by the time required for the buffering circuit 76 to determine the set of thresholds. In the comparing circuit 77, the dynamic range DR 'of the block is compared with each threshold value, the comparison output is supplied to the bit number determining circuit 75, and the allocated bit number n of the block is determined. In the quantization circuit 74, the data PDI from which the minimum value has been removed via the delay circuit 79 is converted into a code signal DT by edge matching quantization using the dynamic range DR 'and the number of allocated bits n. The quantization circuit 74 is constituted by, for example, a ROM.
【００９５】遅延回路７８、８０をそれぞれ介して修整
されたダイナミックレンジＤＲ´、平均値ＭＩＮ´が出
力され、さらにコード信号ＤＴとしきい値の組を示すパ
ラメータコードＰｉが出力される。この例では、一旦ノ
ンエッジマッチ量子化された信号が新たにダイナミック
レンジ情報に基づいて、エッジマッチ量子化されている
ためにダビングした時の画像劣化は少ないものとされ
る。The modified dynamic range DR 'and average value MIN' are output via the delay circuits 78 and 80, respectively, and a parameter code Pi indicating a set of the code signal DT and the threshold value is output. In this example, since the signal once subjected to the non-edge match quantization is newly subjected to the edge match quantization based on the dynamic range information, the image degradation when dubbing is reduced.
【００９６】ｃ．チャンネルエンコーダ及びチャンネル
デコーダ 次に、図５のチャンネルエンコーダ４１及びチャンネル
デコーダ４５について説明する。チャンネルエンコーダ
４１においては、図１０に示すように、パリティ発生回
路４０の出力が供給される適応型スクランブル回路で、
複数のＭ系列のスクランブル回路８１が用意され、その
中で入力信号に対し最も高周波成分及び直流成分の少な
い出力が得られるようなＭ系列が選択されるように構成
されている。パーシャルレスポンス・クラス４検出方式
のためのプリコーダ８２で、１／１−Ｄ2 （Ｄは単位遅
延用回路）の演算処理がなされる。このプリコーダ８２
の出力を記録アンプ４２Ａ，４２Ｂを介して磁気ヘッド
４３Ａ，４３Ｂにより、記録再生し、再生出力を再生ア
ンプ４４Ａ，４４Ｂによって増幅するようになされてい
る。C. Channel Encoder and Channel Decoder Next, the channel encoder 41 and the channel decoder 45 of FIG. 5 will be described. In the channel encoder 41, as shown in FIG. 10, an adaptive scramble circuit to which the output of the parity generation circuit 40 is supplied,
A plurality of M-sequence scramble circuits 81 are prepared, and an M-sequence is selected so that an output with the least high-frequency component and the least DC component is obtained for an input signal. In the precoder 82 for the partial response class 4 detection method, an arithmetic processing of 1 / 1-D 2 (D is a unit delay circuit) is performed. This precoder 82
Is recorded and reproduced by the magnetic heads 43A and 43B via the recording amplifiers 42A and 42B, and the reproduced output is amplified by the reproduction amplifiers 44A and 44B.
【００９７】一方、チャンネルデコーダ４５において
は、図１１に示すように、パーシャルレスポンス・クラ
ス４の再生側の演算処理回路８３は、１＋Ｄの演算が再
生アンプ４４Ａ，４４Ｂの出力に対して行われる。ま
た、いわゆるビタビ複号回路８４においては、演算処理
回路８３の出力に対してデータの相関性や確からしさ等
を用いた演算により、ノイズに強いデータの複号が行わ
れる。このビタビ複号回路８４の出力がディスクランブ
ル回路８５に供給され、記録側のスクランブル処理によ
って並び変えられたデータが元の系列に戻されて原デー
タが復元される。この実施例において用いられるビタビ
複号回路８４によって、ビット毎の複号を行う場合より
も、再生Ｃ／Ｎ換算が３ｄＢで改良が得られる。On the other hand, in the channel decoder 45, as shown in FIG. 11, the arithmetic processing circuit 83 on the reproduction side of the partial response class 4 performs the operation of 1 + D on the outputs of the reproduction amplifiers 44A and 44B. Further, in the so-called Viterbi decoding circuit 84, data that is resistant to noise is decoded by performing an arithmetic operation on the output of the arithmetic processing circuit 83 using data correlation and certainty. The output of the Viterbi decoding circuit 84 is supplied to a descrambling circuit 85, and the data rearranged by the scrambling process on the recording side is returned to the original sequence to restore the original data. With the Viterbi decoding circuit 84 used in this embodiment, the reproduction C / N conversion can be improved by 3 dB as compared with the case of performing decoding for each bit.
【００９８】ｄ．走行系 磁気ヘッド４３Ａ及び磁気ヘッド４３Ｂは、図１２に示
すように、一体構造とされた形でドラム１０６に取付け
られる。ドラム１０６の周面には、１８０°よりやや大
きいか、あるいはやや小さい巻き付け角で磁気テープ
（図示せず。）が斜めに巻き付けられており、磁気ヘッ
ド４３Ａ及び磁気ヘッド４３Ｂが同時に磁気テープを走
査するように構成される。D. Traveling system The magnetic head 43A and the magnetic head 43B are attached to the drum 106 in an integrated structure as shown in FIG. On the peripheral surface of the drum 106, a magnetic tape (not shown) is wound obliquely at a winding angle slightly larger than 180 ° or slightly smaller than 180 °, and the magnetic head 43A and the magnetic head 43B simultaneously scan the magnetic tape. It is configured to
【００９９】また、前記磁気ヘッド４３Ａ及び磁気ヘッ
ド４３Ｂのギャップの向きは、互いに反対側に傾くよう
に（例えば磁気ヘッド４３Ａはトラック幅方向に対して
＋２０°、磁気ヘッド４３Ｂは−２０°傾斜するよう
に）設定されており、再生時にいわゆるアジマス損失に
よって隣接トラック間のクロストーク量を低減するよう
になされている。The directions of the gaps of the magnetic head 43A and the magnetic head 43B are inclined so that they are opposite to each other (for example, the magnetic head 43A is inclined + 20 ° with respect to the track width direction, and the magnetic head 43B is inclined -20 ° with respect to the track width direction). As described above, the amount of crosstalk between adjacent tracks is reduced by so-called azimuth loss during reproduction.
【０１００】図１３及び図１４は、磁気ヘッド４３Ａ，
４３Ｂを一体構造（いわゆるダブルアジマスヘッド）と
した場合のより具体的な構成を示すもので、例えば高速
で回転される上ドラム１０６に一体構造の磁気ヘッド４
３Ａ，４３Ｂが取り付けられ、下ドラム１０７が固定と
されている。ここで、磁気テープ１０８の巻き付け角θ
は１６６°、ドラム径φは１６．５mmである。FIGS. 13 and 14 show magnetic heads 43A,
43B shows a more specific configuration in the case where 43B has an integral structure (a so-called double azimuth head). For example, the magnetic head 4 having an integral structure is attached to the upper drum 106 rotated at high speed.
3A and 43B are attached, and the lower drum 107 is fixed. Here, the winding angle θ of the magnetic tape 108
Is 166 ° and the drum diameter φ is 16.5 mm.
【０１０１】したがって、磁気テープ１０８には、１フ
ィールドのデータが５本のトラックに分割して記録され
る。このセグメント方式により、トラックの長さを短く
することができ、トラックの直線性に起因するエラーを
小さくすることができる。Therefore, one field of data is recorded on the magnetic tape 108 while being divided into five tracks. With this segment system, the length of the track can be reduced, and errors due to track linearity can be reduced.
【０１０２】上述のように、ダブルアジマスヘッドで同
時記録を行うようにすることで、１８０°の対向角度で
一対の磁気ヘッドが配置されたものと比較して直線性に
起因するエラー量を小さくすることができ、またヘッド
間距離が小さいのでペアリング調整をより正確に行うこ
とができる。したがって、このような走行系により、幅
狭のトラックで記録・再生を行うことができる。As described above, by performing simultaneous recording with a double azimuth head, the amount of error due to linearity can be reduced as compared with the case where a pair of magnetic heads are arranged at an opposing angle of 180 °. The pairing adjustment can be performed more accurately because the distance between the heads is small. Therefore, with such a traveling system, recording and reproduction can be performed on a narrow track.
【０１０３】[0103]
【発明の効果】以上の説明からも明らかなように、本発
明では、磁性層を形成するための蒸着時に、得られる磁
性薄膜の表面をボンバード処理しているので、前記磁性
薄膜の表面に形成される酸化層の膜厚が薄くされるか、
又は除去される。従って、上記磁性薄膜上にさらに繰り
返し蒸着を行って磁性薄膜を積層形成しても、上記酸化
層による悪影響を防止することができ、良好な耐久性を
確保するとともに、電磁変換特性の向上を図ることがで
きる。As is clear from the above description, in the present invention, the surface of the obtained magnetic thin film is bombarded during the vapor deposition for forming the magnetic layer. The thickness of the oxide layer to be
Or removed. Therefore, even if the magnetic thin film is laminated on the magnetic thin film by repeatedly performing vapor deposition, the adverse effect of the oxide layer can be prevented, good durability can be ensured, and electromagnetic conversion characteristics can be improved. be able to.
【図１】本発明の磁気記録媒体の構成を示す断面図であ
る。FIG. 1 is a sectional view showing a configuration of a magnetic recording medium of the present invention.
【図２】本発明の磁気記録媒体を製造する際に使用され
る製造装置の一例を示す模式図である。FIG. 2 is a schematic diagram illustrating an example of a manufacturing apparatus used when manufacturing the magnetic recording medium of the present invention.
【図３】蒸着時の酸素ガス流量とこの蒸着により得られ
る磁性層のスチル時間の関係を示す特性図である。FIG. 3 is a characteristic diagram showing a relationship between an oxygen gas flow rate during vapor deposition and a still time of a magnetic layer obtained by the vapor deposition.
【図４】蒸着時の酸素ガス流量とこの蒸着により得られ
る磁性層の出力特性及びＣ／Ｎ特性を示す特性図であ
る。FIG. 4 is a characteristic diagram showing an oxygen gas flow rate at the time of vapor deposition and output characteristics and C / N characteristics of a magnetic layer obtained by the vapor deposition.
【図５】ディジタル画像信号を再生歪みが少ないような
形で圧縮いて記録するディジタルＶＴＲの信号処理部の
記録側の構成を示すブロック図である。FIG. 5 is a block diagram showing a configuration on the recording side of a signal processing unit of a digital VTR for compressing and recording a digital image signal in such a manner that reproduction distortion is small.
【図６】信号処理部の再生側の構成を示すブロック図で
ある。FIG. 6 is a block diagram illustrating a configuration on a reproduction side of a signal processing unit.
【図７】ブロック符号化のためのブロックの一例を示す
略線図である。FIG. 7 is a schematic diagram illustrating an example of a block for block encoding.
【図８】サブサンプリング及びサブラインの説明のため
の略線図である。FIG. 8 is a schematic diagram for explaining sub-sampling and sub-line.
【図９】ブロック符号化回路の一例を示すブロック図で
ある。FIG. 9 is a block diagram illustrating an example of a block encoding circuit.
【図１０】チャンネルエンコーダの一例の概略を示すブ
ロック図である。FIG. 10 is a block diagram schematically illustrating an example of a channel encoder.
【図１１】チャンネルデコーダの一例の概略を示すブロ
ック図である。FIG. 11 is a block diagram schematically illustrating an example of a channel decoder.
【図１２】磁気ヘッドの配置の一例を模式的に示す平面
図である。FIG. 12 is a plan view schematically showing an example of an arrangement of a magnetic head.
【図１３】回転ドラムの構成例及び磁気テープの巻き付
け状態を示す平面図である。FIG. 13 is a plan view showing a configuration example of a rotating drum and a winding state of a magnetic tape.
【図１４】回転ドラムの構成例及び磁気テープの巻き付
け状態を示す正面図である。FIG. 14 is a front view showing a configuration example of a rotating drum and a winding state of a magnetic tape.
１，１２・・・非磁性支持体 ２・・・第１の磁性薄膜 ３・・・第２の磁性薄膜 ４・・・トップコート膜 ５・・・バックコート層 １５・・・冷却キャン １８・・・ルツボ １９・・・金属磁性材料 ２０・・・電子銃 ２２・・・シャッタ ２４，２５・・・処理装置 Reference Signs List 1,12: Non-magnetic support 2: First magnetic thin film 3: Second magnetic thin film 4: Top coat film 5: Back coat layer 15: Cooling can 18. ..Crucible 19 ... Metal magnetic material 20 ... Electron gun 22 ... Shutter 24, 25 ... Processing device
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 山田 ゆかり 東京都品川区北品川６丁目５番６号 ソ ニー・マグネ・プロダクツ株式会社内 (56)参考文献 特開 昭63−34719（ＪＰ，Ａ) 特開 昭64−53346（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−147430（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G11B 5/85 G11B 5/66 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuation of the front page (72) Yukari Yamada Inventor Sony Magne Products Co., Ltd., 6-5-6 Kita Shinagawa, Shinagawa-ku, Tokyo (56) References JP-A-63-34719 (JP, A) JP-A-64-53346 (JP, A) JP-A-4-147430 (JP, A) (58) Fields investigated (Int. Cl. 7 , DB name) G11B 5/85 G11B 5/66
Claims (2)
導入しながら複数の磁性薄膜を積層する磁気記録媒体の
製造方法において、 少なくとも下層となる磁性薄膜の表面を、還元ガスを含
む不活性ガスでボンバード処理することを特徴とする磁
気記録媒体の製造方法。 (1) oxygen is deposited on a non-magnetic support by a vacuum deposition method.
Of a magnetic recording medium that stacks multiple magnetic thin films while introducing
In the manufacturing method, magnetic, characterized in that the surface of the magnetic thin film comprising at least a lower layer, is bombarded with inert gas containing a reducing gas
Manufacturing method of air recording medium.
加される電圧値をＥとし、当該電極に供給される電流値
をＩとし、下層となる磁性薄膜が形成された非磁性支持
体の通過速度をｖとし、当該非磁性支持体の幅をｗとし
たときに、 【数１】 で示される定数Ｋの値を１０以上とすることを特徴とす
る請求項１記載の磁気記録媒体の製造方法。2. In the bombardment treatment, the voltage applied to the electrode is E, the current supplied to the electrode is I, and the passing speed of the non-magnetic support on which the lower magnetic thin film is formed is v, and the width of the nonmagnetic support is w, 2. The method for manufacturing a magnetic recording medium according to claim 1, wherein the value of the constant K represented by the following formula is 10 or more.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3248097A JP3030972B2 (en) | 1991-09-26 | 1991-09-26 | Manufacturing method of magnetic recording medium |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3248097A JP3030972B2 (en) | 1991-09-26 | 1991-09-26 | Manufacturing method of magnetic recording medium |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0589450A JPH0589450A (en) | 1993-04-09 |
| JP3030972B2 true JP3030972B2 (en) | 2000-04-10 |
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR200481726Y1 (en) * | 2015-04-03 | 2016-11-04 | 삼성중공업 주식회사 | Gear pitch check and center line marking device |
-
1991
- 1991-09-26 JP JP3248097A patent/JP3030972B2/en not_active Expired - Fee Related
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| JPH0589450A (en) | 1993-04-09 |
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