JP3029369B2 - 固体撮像装置 - Google Patents
固体撮像装置Info
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- 238000000034 method Methods 0.000 description 11
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- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＣＣＤ撮像素子を有す
る固体撮像装置に関し、特にＣＣＤ撮像素子を高速に駆
動する高速度撮像装置や高解像度撮像装置に関する。
る固体撮像装置に関し、特にＣＣＤ撮像素子を高速に駆
動する高速度撮像装置や高解像度撮像装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のＣＣＤ撮像素子は、入射光を信号
電荷に変換して蓄積する光電変換部と、該光電変換部か
ら転送されてきた信号電荷を転送する信号電荷転送部
と、該信号電荷転送部から転送されてきた信号電荷を電
圧信号に変換して出力する信号電荷検出部とを有してお
り、信号電荷検出部においては、信号電荷転送部から転
送されてきた信号電荷を電荷検出容量に蓄積し、該電荷
検出容量に蓄積された信号電荷を電圧信号に変換して検
出している。そして、信号電荷検出部においては、電荷
検出容量とリセット電圧電源との間にＦＥＴスイッチが
接続されており、電荷検出容量に蓄積された信号電荷を
電圧信号として検出した後、ＦＥＴスイッチをＯＮして
電荷蓄積容量に蓄積された信号電荷を放電する。このよ
うにして１画素毎の信号電荷が検出される。
電荷に変換して蓄積する光電変換部と、該光電変換部か
ら転送されてきた信号電荷を転送する信号電荷転送部
と、該信号電荷転送部から転送されてきた信号電荷を電
圧信号に変換して出力する信号電荷検出部とを有してお
り、信号電荷検出部においては、信号電荷転送部から転
送されてきた信号電荷を電荷検出容量に蓄積し、該電荷
検出容量に蓄積された信号電荷を電圧信号に変換して検
出している。そして、信号電荷検出部においては、電荷
検出容量とリセット電圧電源との間にＦＥＴスイッチが
接続されており、電荷検出容量に蓄積された信号電荷を
電圧信号として検出した後、ＦＥＴスイッチをＯＮして
電荷蓄積容量に蓄積された信号電荷を放電する。このよ
うにして１画素毎の信号電荷が検出される。
【０００３】このような構成の信号電荷検出部において
は、ＦＥＴスイッチの熱雑音電流が電荷検出容量に流入
するため、増幅された出力信号には入射光に比例した信
号成分の他にＦＥＴスイッチの熱雑音に起因したリセッ
トノイズ成分が現われる。
は、ＦＥＴスイッチの熱雑音電流が電荷検出容量に流入
するため、増幅された出力信号には入射光に比例した信
号成分の他にＦＥＴスイッチの熱雑音に起因したリセッ
トノイズ成分が現われる。
【０００４】そこで、リセットノイズ成分を抑圧するた
めにＣＤＳ法やＤＤＳ法などが用いられてきた。これら
の方法の基本原理は、信号電荷検出部の電荷検出容量に
接続されたＦＥＴスイッチをＯＮして電荷検出容量に蓄
積された信号電荷をリセットした後に、ＦＥＴスイッチ
をＯＦＦにして電荷検出容量と並列に接続された抵抗成
分を高抵抗値とすることによりリセットノイズ電力を低
域周波数に集中させ、このフローティング状態の出力電
圧を、後に電荷検出容量に転送された信号電荷が変換さ
れてなる電圧信号から引くことにより低域周波数に存在
するリセットノイズ成分を除去するものである。
めにＣＤＳ法やＤＤＳ法などが用いられてきた。これら
の方法の基本原理は、信号電荷検出部の電荷検出容量に
接続されたＦＥＴスイッチをＯＮして電荷検出容量に蓄
積された信号電荷をリセットした後に、ＦＥＴスイッチ
をＯＦＦにして電荷検出容量と並列に接続された抵抗成
分を高抵抗値とすることによりリセットノイズ電力を低
域周波数に集中させ、このフローティング状態の出力電
圧を、後に電荷検出容量に転送された信号電荷が変換さ
れてなる電圧信号から引くことにより低域周波数に存在
するリセットノイズ成分を除去するものである。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところが、従来のＣＤ
Ｓ法又はＤＤＳ法においては、ＣＣＤ撮像素子からの出
力信号の一画素期間内に、電荷検出容量に蓄積された信
号電荷のリセット期間、フローティング状態のフィード
スルー期間及び信号出力期間の３つの期間を必要とす
る。
Ｓ法又はＤＤＳ法においては、ＣＣＤ撮像素子からの出
力信号の一画素期間内に、電荷検出容量に蓄積された信
号電荷のリセット期間、フローティング状態のフィード
スルー期間及び信号出力期間の３つの期間を必要とす
る。
【０００６】従って、前記のＣＤＳ法又はＤＤＳ法を、
高画素又は高速度のカメラなどのように高速度でＣＣＤ
撮像素子を駆動する固体撮像撮像装置に用いる場合に
は、１画素期間が短くなるため、前記の３つの期間を完
全に分離するのが難しくなる。特にフィードスルー期間
は信号電荷を放電するリセットパルスと次の信号電荷を
転送する転送パルスとの間の時間によって定まるので、
１画素期間が短くなると、パルス幅やタイミングの変動
により、安定したフィードスルー期間を得ることは難し
い。
高画素又は高速度のカメラなどのように高速度でＣＣＤ
撮像素子を駆動する固体撮像撮像装置に用いる場合に
は、１画素期間が短くなるため、前記の３つの期間を完
全に分離するのが難しくなる。特にフィードスルー期間
は信号電荷を放電するリセットパルスと次の信号電荷を
転送する転送パルスとの間の時間によって定まるので、
１画素期間が短くなると、パルス幅やタイミングの変動
により、安定したフィードスルー期間を得ることは難し
い。
【０００７】また、安定したフィードスルー期間や信号
出力期間を得るためには、信号電荷を検出した後のバッ
ファアンプの帯域としては映像信号帯域の数倍が必要で
あるとされるため、設計が困難である。
出力期間を得るためには、信号電荷を検出した後のバッ
ファアンプの帯域としては映像信号帯域の数倍が必要で
あるとされるため、設計が困難である。
【０００８】さらに、ＣＤＳ法又はＤＤＳ法において
は、フィールドスルー期間又は信号出力期間の出力信号
を何等かの形でサンプルホールドしなければならない。
しかしながら、これらの期間が短くなると、サンプルホ
ールドの精度が著しく劣化し、ＣＤＳ法又はＤＤＳ法の
ノイズ成分抑圧効果が低減する。
は、フィールドスルー期間又は信号出力期間の出力信号
を何等かの形でサンプルホールドしなければならない。
しかしながら、これらの期間が短くなると、サンプルホ
ールドの精度が著しく劣化し、ＣＤＳ法又はＤＤＳ法の
ノイズ成分抑圧効果が低減する。
【０００９】加えて、広帯域化したバッファアンプのノ
イズ成分がサンプルホールド回路により帯域内にはね返
るので、新たにバッファアンプのノイズも問題となる。
イズ成分がサンプルホールド回路により帯域内にはね返
るので、新たにバッファアンプのノイズも問題となる。
【００１０】前記に鑑み、本発明は、ＦＥＴスイッチの
リセット動作をなくすことにより、ＣＣＤ撮像素子の高
速駆動時におけるランダムノイズを抑制することを目的
とする。
リセット動作をなくすことにより、ＣＣＤ撮像素子の高
速駆動時におけるランダムノイズを抑制することを目的
とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】前記の目的を達成するた
め、本発明は、電荷検出容量と直列に接続されるＦＥＴ
スイッチに代えて放電用抵抗を接続し、電荷検出用量と
放電用抵抗とからなるＣＲ直列回路に電荷検出容量の信
号電荷を放電するためのスイッチ機能を持たせるもので
ある。
め、本発明は、電荷検出容量と直列に接続されるＦＥＴ
スイッチに代えて放電用抵抗を接続し、電荷検出用量と
放電用抵抗とからなるＣＲ直列回路に電荷検出容量の信
号電荷を放電するためのスイッチ機能を持たせるもので
ある。
【００１２】具体的に請求項１の発明が講じた解決手段
は、入射光を信号電荷に変換して蓄積する光電変換部
と、該光電変換部から転送されてきた信号電荷を転送す
る信号電荷転送部と、該信号電荷転送部から転送されて
きた信号電荷を電圧信号に変換して出力する信号電荷検
出部とを有するＣＣＤ撮像素子を備えた固体撮像装置を
対象とし、前記信号電荷検出部に設けられ前記信号電荷
転送部から転送されてきた信号電荷を蓄積する電荷検出
容量と、前記電荷検出容量と直列に接続され前記電荷検
出容量に蓄積された信号電荷を放電するための放電用抵
抗とを備えている構成とするものである。
は、入射光を信号電荷に変換して蓄積する光電変換部
と、該光電変換部から転送されてきた信号電荷を転送す
る信号電荷転送部と、該信号電荷転送部から転送されて
きた信号電荷を電圧信号に変換して出力する信号電荷検
出部とを有するＣＣＤ撮像素子を備えた固体撮像装置を
対象とし、前記信号電荷検出部に設けられ前記信号電荷
転送部から転送されてきた信号電荷を蓄積する電荷検出
容量と、前記電荷検出容量と直列に接続され前記電荷検
出容量に蓄積された信号電荷を放電するための放電用抵
抗とを備えている構成とするものである。
【００１３】請求項２の発明は、請求項１の構成に、前
記信号電荷検出部から出力された出力信号を１画素期間
遅延させると共にそのゲインを調節して遅延信号として
出力する遅延回路と、前記信号電荷検出部から出力され
た出力信号と前記遅延回路から出力された遅延信号との
差を映像信号として出力する映像信号作成手段とを付加
するものである。
記信号電荷検出部から出力された出力信号を１画素期間
遅延させると共にそのゲインを調節して遅延信号として
出力する遅延回路と、前記信号電荷検出部から出力され
た出力信号と前記遅延回路から出力された遅延信号との
差を映像信号として出力する映像信号作成手段とを付加
するものである。
【００１４】請求項３の発明は、請求項１の構成に、前
記信号電荷検出部から出力された出力信号の低域信号を
除去するハイパスフィルタ特性を持つ回路を備え、前記
電荷検出容量の容量値及び前記放電用抵抗の抵抗値は、
前記放電用抵抗の熱雑音に起因するランダムノイズの電
力を低周波数帯域に集中させるように設定されていると
いう構成を付加するものである。
記信号電荷検出部から出力された出力信号の低域信号を
除去するハイパスフィルタ特性を持つ回路を備え、前記
電荷検出容量の容量値及び前記放電用抵抗の抵抗値は、
前記放電用抵抗の熱雑音に起因するランダムノイズの電
力を低周波数帯域に集中させるように設定されていると
いう構成を付加するものである。
【００１５】請求項４の発明は、請求項２の構成の遅延
回路は、請求項３に記載の出力信号処理回路に設けられ
ているという構成を付加するものである。
回路は、請求項３に記載の出力信号処理回路に設けられ
ているという構成を付加するものである。
【００１６】請求項５の発明は、請求項１〜４の構成
に、前記放電用抵抗は高抵抗多結晶シリコンにより形成
されているという構成を付加するものである。
に、前記放電用抵抗は高抵抗多結晶シリコンにより形成
されているという構成を付加するものである。
【００１７】
【作用】請求項１の構成により、電荷検出容量の信号電
荷は、電荷検出容量と放電用抵抗とからなるＣＲ直列回
路のスイッチ機能により放電されるので、従来、電荷検
出容量と直列に接続されていたＦＥＴスイッチは不要に
なる。
荷は、電荷検出容量と放電用抵抗とからなるＣＲ直列回
路のスイッチ機能により放電されるので、従来、電荷検
出容量と直列に接続されていたＦＥＴスイッチは不要に
なる。
【００１８】請求項２の構成により、電荷検出容量と放
電用抵抗とからなるＣＲ直列回路の時定数が水平方向の
ＣＣＤ駆動周波数の周期よりも長く、電荷検出容量に信
号電荷が蓄積されているときに次の信号電荷が転送され
てくる場合でも、映像信号作成手段から出力される映像
信号においては、電荷検出容量に既に蓄積されている信
号電荷の成分は除去されている。
電用抵抗とからなるＣＲ直列回路の時定数が水平方向の
ＣＣＤ駆動周波数の周期よりも長く、電荷検出容量に信
号電荷が蓄積されているときに次の信号電荷が転送され
てくる場合でも、映像信号作成手段から出力される映像
信号においては、電荷検出容量に既に蓄積されている信
号電荷の成分は除去されている。
【００１９】請求項３の構成により、放電用抵抗の熱雑
音に起因するランダムノイズの電力は低周波数帯域に集
中する一方、出力信号処理回路はハイパスフィルタ特性
を有するので、信号電荷検出部におけるランダムノイズ
は抑制される。
音に起因するランダムノイズの電力は低周波数帯域に集
中する一方、出力信号処理回路はハイパスフィルタ特性
を有するので、信号電荷検出部におけるランダムノイズ
は抑制される。
【００２０】請求項４の構成により、遅延回路は請求項
３に記載の出力信号処理回路に設けられているため回路
構成がシンプルになる。
３に記載の出力信号処理回路に設けられているため回路
構成がシンプルになる。
【００２１】請求項５の構成により、放電用抵抗を簡易
に実現することができる。
に実現することができる。
【００２２】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明
する。
する。
【００２３】図１は本発明の一実施例に係るＣＣＤ撮像
素子の構成図であり、ＣＣＤ撮像素子は、受光部及び垂
直転送部１と水平転送部２とを備えている。前記受光部
は入射光を信号電荷に変換して蓄積する光電変換部であ
り、垂直転送部は前記光電変換部から転送されてきた信
号電荷を垂直方向に転送する。水平転送部２は垂直転送
部から転送されてきた信号電荷を水平方向に転送する。
そして前記垂直転送部と水平転送部２とによって信号電
荷転送部が構成されている。
素子の構成図であり、ＣＣＤ撮像素子は、受光部及び垂
直転送部１と水平転送部２とを備えている。前記受光部
は入射光を信号電荷に変換して蓄積する光電変換部であ
り、垂直転送部は前記光電変換部から転送されてきた信
号電荷を垂直方向に転送する。水平転送部２は垂直転送
部から転送されてきた信号電荷を水平方向に転送する。
そして前記垂直転送部と水平転送部２とによって信号電
荷転送部が構成されている。
【００２４】水平転送部２によって水平方向に転送され
てきた信号電荷は、最終段ゲートを介して信号電荷検出
部の電荷検出容量３に蓄積され、該電荷検出容量３に蓄
積された信号電荷は電圧信号に変換され、バッファアン
プ５を介して信号出力端子６から出力される。
てきた信号電荷は、最終段ゲートを介して信号電荷検出
部の電荷検出容量３に蓄積され、該電荷検出容量３に蓄
積された信号電荷は電圧信号に変換され、バッファアン
プ５を介して信号出力端子６から出力される。
【００２５】本実施例の特徴として、電荷検出容量３と
リセット電圧電源としての直流バイアス＋Ｖｃｃとの間
には放電用抵抗４が接続されており、電荷検出容量３に
蓄積された信号電荷は放電用抵抗４を介して、電荷検出
用量３と放電用抵抗４とからなるＣＲ直列回路の時定数
ＣＲで放電される。放電用抵抗４の抵抗値は、検出信号
レベルが次段のバッファアンプ５の直線性を保てる範囲
においてできるだけ大きく設定されている。
リセット電圧電源としての直流バイアス＋Ｖｃｃとの間
には放電用抵抗４が接続されており、電荷検出容量３に
蓄積された信号電荷は放電用抵抗４を介して、電荷検出
用量３と放電用抵抗４とからなるＣＲ直列回路の時定数
ＣＲで放電される。放電用抵抗４の抵抗値は、検出信号
レベルが次段のバッファアンプ５の直線性を保てる範囲
においてできるだけ大きく設定されている。
【００２６】前記時定数ＣＲが水平方向のＣＣＤ駆動周
波数の周期よりも長い場合には、電荷検出容量３に信号
電荷が残留している間にさらに次の信号電荷が電荷検出
容量３に転送されてくる。このため、ＣＣＤ撮像素子の
出力信号は、図２に示すように前画素迄の信号成分の積
分値に当該画素信号が加わったものとなる。
波数の周期よりも長い場合には、電荷検出容量３に信号
電荷が残留している間にさらに次の信号電荷が電荷検出
容量３に転送されてくる。このため、ＣＣＤ撮像素子の
出力信号は、図２に示すように前画素迄の信号成分の積
分値に当該画素信号が加わったものとなる。
【００２７】放電用抵抗４の熱雑音により生じるランダ
ムノイズは、前記ＣＲ直列回路のローパスフィルタ特性
により帯域制限されたノイズスペクトラムとなる。つま
り、電荷検出容量３の容量値及び放電用抵抗４の抵抗値
を適当な値に設定することにより、前記のランダムノイ
ズの電力を低周波数域に集中させることができる。
ムノイズは、前記ＣＲ直列回路のローパスフィルタ特性
により帯域制限されたノイズスペクトラムとなる。つま
り、電荷検出容量３の容量値及び放電用抵抗４の抵抗値
を適当な値に設定することにより、前記のランダムノイ
ズの電力を低周波数域に集中させることができる。
【００２８】図３は、前記構成のＣＣＤ撮像素子７の外
部に設けられた信号処理回路を示しており、該信号処理
回路は、ＣＣＤ撮像素子７からの出力信号を１画素期間
遅延させて遅延信号として出力する遅延回路としての信
号遅延線８、遅延信号のゲインを調整するゲイン調整用
アンプ９及びＣＣＤ撮像素子７から出力された出力信号
から前記遅延信号を減算する差動アンプ１０から構成さ
れる。
部に設けられた信号処理回路を示しており、該信号処理
回路は、ＣＣＤ撮像素子７からの出力信号を１画素期間
遅延させて遅延信号として出力する遅延回路としての信
号遅延線８、遅延信号のゲインを調整するゲイン調整用
アンプ９及びＣＣＤ撮像素子７から出力された出力信号
から前記遅延信号を減算する差動アンプ１０から構成さ
れる。
【００２９】ＣＣＤ撮像素子７の出力信号は、図２に示
すように、当該画素信号と前画素までの信号とが加算さ
れたものとなっている。従って、前画素までの信号は、
信号遅延線８によって１画素期間遅延させられた後、ゲ
イン調整用アンプ９によりゲイン調整されて差動アンプ
１０に入力される。差動アンプ１０は、ＣＣＤ撮像素子
７から出力された本線出力信号からゲイン調整用アンプ
９から出力された遅延信号を減算して、当該画素信号成
分のみを出力する。
すように、当該画素信号と前画素までの信号とが加算さ
れたものとなっている。従って、前画素までの信号は、
信号遅延線８によって１画素期間遅延させられた後、ゲ
イン調整用アンプ９によりゲイン調整されて差動アンプ
１０に入力される。差動アンプ１０は、ＣＣＤ撮像素子
７から出力された本線出力信号からゲイン調整用アンプ
９から出力された遅延信号を減算して、当該画素信号成
分のみを出力する。
【００３０】１画素期間遅延した後、本線出力信号より
減算する信号処理は、図４に示すように、ハイパスフィ
ルタ特性を有するので、前述したように低周波数域に集
中したランダムノイズの成分は抑圧される。このノイズ
抑圧効果は水平ＣＣＤの駆動周波数が高いほど大きく、
高速駆動時にも簡単な回路により高いＳ／Ｎ比を有する
映像信号を得ることができる。
減算する信号処理は、図４に示すように、ハイパスフィ
ルタ特性を有するので、前述したように低周波数域に集
中したランダムノイズの成分は抑圧される。このノイズ
抑圧効果は水平ＣＣＤの駆動周波数が高いほど大きく、
高速駆動時にも簡単な回路により高いＳ／Ｎ比を有する
映像信号を得ることができる。
【００３１】図５は、前述したＣＣＤ撮像素子７の電荷
検出部の構造を示しており、同図に示すように、水平転
送部２から転送されてきた信号電荷を蓄積する電荷検出
容量３とバッファアンプ５とは金属配線１１により接続
され、金属配線１１と電荷検出容量３とはコンタクト１
５により電気的に接続され、電荷検出容量３又はリセッ
ト電圧電源部１７と放電用抵抗４とはコンタクト１６に
より電気的に接続されている。尚、放電用抵抗４は高抵
抗多結晶シリコンにより形成されている。
検出部の構造を示しており、同図に示すように、水平転
送部２から転送されてきた信号電荷を蓄積する電荷検出
容量３とバッファアンプ５とは金属配線１１により接続
され、金属配線１１と電荷検出容量３とはコンタクト１
５により電気的に接続され、電荷検出容量３又はリセッ
ト電圧電源部１７と放電用抵抗４とはコンタクト１６に
より電気的に接続されている。尚、放電用抵抗４は高抵
抗多結晶シリコンにより形成されている。
【００３２】
【発明の効果】請求項１の発明に係る固体撮像装置によ
ると、従来、電荷検出容量と直列に接続されていたＦＥ
Ｔスイッチが不要になり、ＦＥＴスイッチの熱雑音電流
が電荷検出容量に流入することに起因するリセットノイ
ズが発生しないため、リセットノイズを抑制するための
サンプルホールド回路が不要になるので、ＣＣＤ撮像素
子の高速駆動におけるランダムノイズを確実に低減する
ことができる。
ると、従来、電荷検出容量と直列に接続されていたＦＥ
Ｔスイッチが不要になり、ＦＥＴスイッチの熱雑音電流
が電荷検出容量に流入することに起因するリセットノイ
ズが発生しないため、リセットノイズを抑制するための
サンプルホールド回路が不要になるので、ＣＣＤ撮像素
子の高速駆動におけるランダムノイズを確実に低減する
ことができる。
【００３３】請求項２の発明に係る固体撮像装置による
と、電荷検出容量と放電用抵抗とからなるＣＲ直列回路
の時定数が水平方向のＣＣＤ駆動周波数の周期よりも長
くても、映像信号作成手段から出力される映像信号にお
いては電荷検出容量に既に蓄積されている前画素までの
信号成分は除去されているので、当該画素の信号成分の
みを正確に出力することができる。
と、電荷検出容量と放電用抵抗とからなるＣＲ直列回路
の時定数が水平方向のＣＣＤ駆動周波数の周期よりも長
くても、映像信号作成手段から出力される映像信号にお
いては電荷検出容量に既に蓄積されている前画素までの
信号成分は除去されているので、当該画素の信号成分の
みを正確に出力することができる。
【００３４】請求項３の発明に係る固体撮像装置による
と、放電用抵抗の熱雑音に起因するランダムノイズの電
力は低周波数帯域に集中する一方、出力信号処理回路は
ハイパスフィルタ特性を有するため、信号電荷検出部に
おけるランダムノイズは抑制されるので、ＣＣＤの高速
駆動時においてもＳ／Ｎ比の高い映像信号を得ることが
できる。
と、放電用抵抗の熱雑音に起因するランダムノイズの電
力は低周波数帯域に集中する一方、出力信号処理回路は
ハイパスフィルタ特性を有するため、信号電荷検出部に
おけるランダムノイズは抑制されるので、ＣＣＤの高速
駆動時においてもＳ／Ｎ比の高い映像信号を得ることが
できる。
【００３５】請求項４の発明に係る固体撮像装置による
と、遅延回路は出力信号処理回路に設けられているた
め、簡単な回路構成により、ＣＣＤの高速駆動時におい
てもＳ／Ｎ比の高い映像信号を得ることができる。
と、遅延回路は出力信号処理回路に設けられているた
め、簡単な回路構成により、ＣＣＤの高速駆動時におい
てもＳ／Ｎ比の高い映像信号を得ることができる。
【００３６】請求項５の発明に係る固体撮像装置による
と、放電用抵抗を高抵抗多結晶シリコンにより形成した
ため放電用抵抗を簡易に実現することができる。
と、放電用抵抗を高抵抗多結晶シリコンにより形成した
ため放電用抵抗を簡易に実現することができる。
【図１】本発明の一実施例に係る固体撮像装置における
ＣＣＤ撮像素子の構成を示す図である。
ＣＣＤ撮像素子の構成を示す図である。
【図２】前記固体撮像装置における差動アンプからの出
力信号の成分を説明する図である。
力信号の成分を説明する図である。
【図３】前記固体撮像装置におけるＣＣＤ撮像素子の外
部に設けられた信号処理回路の図である。
部に設けられた信号処理回路の図である。
【図４】前記固体撮像装置における差動回路によるノイ
ズ抑圧の原理を説明する図である。
ズ抑圧の原理を説明する図である。
【図５】前記固体撮像装置における電荷検出部の構造を
示す図である。
示す図である。
１ 受光部及び垂直転送部 ２ 水平転送部 ３ 電荷検出容量 ４ 放電用抵抗 ５ バッファアンプ ６ 信号出力端子 ７ ＣＣＤ撮像素子 ８ 信号遅延線 ９ ゲイン調整用アンプ １０ 差動アンプ １５，１６ コンタクト １７ リセット電圧電源部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 菅原 正幸 東京都世田谷区砧一丁目10番11号 日本 放送協会 放送技術研究所内 (72)発明者 斎藤 敏紀 東京都世田谷区砧一丁目10番11号 日本 放送協会 放送技術研究所内 (72)発明者 島本 洋 東京都世田谷区砧一丁目10番11号 日本 放送協会 放送技術研究所内 (72)発明者 豊田 泰之 大阪府高槻市幸町１番１号 松下電子工 業株式会社内 (72)発明者 板倉 啓二郎 大阪府高槻市幸町１番１号 松下電子工 業株式会社内 (56)参考文献 特開 平５−68210（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−84576（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H04N 5/30 - 5/335 H01L 27/148
Claims (5)
- 【請求項１】 入射光を信号電荷に変換して蓄積する光
電変換部と、該光電変換部から転送されてきた信号電荷
を転送する信号電荷転送部と、該信号電荷転送部から転
送されてきた信号電荷を電圧信号に変換して出力する信
号電荷検出部とを有するＣＣＤ撮像素子を備えた固体撮
像装置であって、前記信号電荷検出部に設けられ前記信
号電荷転送部から転送されてきた信号電荷を蓄積する電
荷検出容量と、前記電荷検出容量と直列に接続され該電
荷検出容量に蓄積された信号電荷を放電するための放電
用抵抗とを備えていることを特徴とする固体撮像装置。 - 【請求項２】 前記信号電荷検出部から出力された出力
信号を１画素期間遅延させると共にそのゲインを調節し
て遅延信号として出力する遅延回路と、前記信号電荷検
出部から出力された出力信号と前記遅延回路から出力さ
れた遅延信号との差を映像信号として出力する映像信号
作成手段とをさらに備えていることを特徴とする請求項
１に記載の固体撮像装置。 - 【請求項３】 前記信号電荷検出部から出力された出力
信号の低域信号を除去するハイパスフィルタ回路を備
え、前記電荷検出容量の容量値及び前記放電用抵抗の抵
抗値は、前記放電用抵抗の熱雑音に起因するランダムノ
イズの電力を低周波数帯域に集中させるように設定され
ていることを特徴とする請求項１又は２に記載の固体撮
像装置。 - 【請求項４】 前記遅延回路は、請求項３に記載のハイ
パスフィルタ回路に設けられていることを特徴とする請
求項２に記載の固体撮像装置。 - 【請求項５】 前記放電用抵抗は高抵抗多結晶シリコン
により形成されていることを特徴とする請求項１〜４の
いずれか１項に記載の固体撮像装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5327433A JP3029369B2 (ja) | 1993-12-24 | 1993-12-24 | 固体撮像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5327433A JP3029369B2 (ja) | 1993-12-24 | 1993-12-24 | 固体撮像装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07184126A JPH07184126A (ja) | 1995-07-21 |
| JP3029369B2 true JP3029369B2 (ja) | 2000-04-04 |
Family
ID=18199118
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5327433A Expired - Lifetime JP3029369B2 (ja) | 1993-12-24 | 1993-12-24 | 固体撮像装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3029369B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100479737B1 (ko) * | 2000-10-04 | 2005-03-30 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 다수번의 읽기 동작이 가능한 컬러 이미지 센서의커패시티브 저장 장치 |
-
1993
- 1993-12-24 JP JP5327433A patent/JP3029369B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07184126A (ja) | 1995-07-21 |
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