JP3027697B2 - 高周波コイル - Google Patents
高周波コイルInfo
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- JP3027697B2 JP3027697B2 JP7044998A JP4499895A JP3027697B2 JP 3027697 B2 JP3027697 B2 JP 3027697B2 JP 7044998 A JP7044998 A JP 7044998A JP 4499895 A JP4499895 A JP 4499895A JP 3027697 B2 JP3027697 B2 JP 3027697B2
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- core
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F17/00—Fixed inductances of the signal type
- H01F17/0006—Printed inductances
- H01F2017/0053—Printed inductances with means to reduce eddy currents
Landscapes
- Coils Or Transformers For Communication (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、複数の端子が植設され
たベースにドラムコアが装着され、回路基板等に、実装
される高周波コイルの構造に関する。
たベースにドラムコアが装着され、回路基板等に、実装
される高周波コイルの構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】図４は従来の高周波コイルの上面図でケ
ースとキャップコアを取り外した状態を示し、図５は従
来の高周波コイルの部分断面側面図を示している。従来
の高周波コイルは、合成樹脂からなるベース４１の対向
する側面に、それぞれ複数の端子４２を設けている。端
子４２は、板状の金属片からなり、一端をベース４１内
に埋設し、他端をベース４１の側面から引き出してい
る。ベース４１の上面に、収納部４３が設けられてい
る。収納部４３には、チップコンデンサ４４が収納さ
れ、チップコンデンサの電極４５が収納部４３の底面に
露呈した端子に接続される。このベース４１の上面の中
央にドラムコア４６が接着される。ドラムコア４６は、
フェライトからなり、軸の一端に上鍔４７を形成し、軸
の他端に下鍔４８を形成して上鍔４７と下鍔４８の間に
溝４９が形成される。そして、ドラムコア４６の溝４９
にコイル５０が巻かれ、ドラムコア４６の下鍔４８の底
面が、ベース４１に接着剤等で接着される。コイル５０
のリードは、水平方向に配線し、端子４２にからげて半
田等で接続している。ドラムコア４６は、キャップコア
５１とケース５２によって覆われている。キャップコア
５１は、下側を開口し、上側を閉じてある有底円筒形の
フェライトからなり、周側面がケース５２に螺合し、回
転させることにより上下に動かせるようになっている。
また、キャップコア５０が螺合しているケース５１は、
銅などの金属からなり、ケースグランド端子５３がベー
ス４１の底面に折り曲げられている。そして、この高周
波コイルは、端子４２が回路基板の導体パターンに接続
される。
ースとキャップコアを取り外した状態を示し、図５は従
来の高周波コイルの部分断面側面図を示している。従来
の高周波コイルは、合成樹脂からなるベース４１の対向
する側面に、それぞれ複数の端子４２を設けている。端
子４２は、板状の金属片からなり、一端をベース４１内
に埋設し、他端をベース４１の側面から引き出してい
る。ベース４１の上面に、収納部４３が設けられてい
る。収納部４３には、チップコンデンサ４４が収納さ
れ、チップコンデンサの電極４５が収納部４３の底面に
露呈した端子に接続される。このベース４１の上面の中
央にドラムコア４６が接着される。ドラムコア４６は、
フェライトからなり、軸の一端に上鍔４７を形成し、軸
の他端に下鍔４８を形成して上鍔４７と下鍔４８の間に
溝４９が形成される。そして、ドラムコア４６の溝４９
にコイル５０が巻かれ、ドラムコア４６の下鍔４８の底
面が、ベース４１に接着剤等で接着される。コイル５０
のリードは、水平方向に配線し、端子４２にからげて半
田等で接続している。ドラムコア４６は、キャップコア
５１とケース５２によって覆われている。キャップコア
５１は、下側を開口し、上側を閉じてある有底円筒形の
フェライトからなり、周側面がケース５２に螺合し、回
転させることにより上下に動かせるようになっている。
また、キャップコア５０が螺合しているケース５１は、
銅などの金属からなり、ケースグランド端子５３がベー
ス４１の底面に折り曲げられている。そして、この高周
波コイルは、端子４２が回路基板の導体パターンに接続
される。
【０００３】この種の高周波コイルは、小型化が望まれ
ており、年々小型化が進められている。この様に形成さ
れた高周波コイルを小型化する場合、ベース４１の厚さ
が薄くなり、ドラムコア４６の下鍔４８の底面が、チッ
プコンデンサの電極４５や端子４２やケースグランド端
子５３に、近接して配置される。従って、ドラムコア４
６から出る磁束を、チップコンデンサの電極４５や端子
４２やケースグランド端子５３が遮る為、渦電流損が発
生する。また、キャップコア５１の深さＨが深い場合
は、キャップコア５１を一番下の位置まで下げるとキャ
ップコア５１の開口端がコイル５０のリードに接触し、
断線を起しやすい。しかし、キャップコア５１の深さＨ
が浅い場合は、キャップコア５１を一番下の位置まで下
げても、キャップコア５１の開口端とベース４１に接着
される下鍔４８の上面の間にギャップＧが生じる。従っ
て、キャップコア５１の深さＨが浅い場合は、ドラムコ
ア４６から出る磁束が、ギャップＧから漏れる。この様
に、従来の高周波コイルは、渦電流損が発生したり、ギ
ャップＧから磁束が漏れたりすることによりＱの低下を
招き、高周波コイルとしての電気特性を著るしく低下さ
せてしまうという問題があった。
ており、年々小型化が進められている。この様に形成さ
れた高周波コイルを小型化する場合、ベース４１の厚さ
が薄くなり、ドラムコア４６の下鍔４８の底面が、チッ
プコンデンサの電極４５や端子４２やケースグランド端
子５３に、近接して配置される。従って、ドラムコア４
６から出る磁束を、チップコンデンサの電極４５や端子
４２やケースグランド端子５３が遮る為、渦電流損が発
生する。また、キャップコア５１の深さＨが深い場合
は、キャップコア５１を一番下の位置まで下げるとキャ
ップコア５１の開口端がコイル５０のリードに接触し、
断線を起しやすい。しかし、キャップコア５１の深さＨ
が浅い場合は、キャップコア５１を一番下の位置まで下
げても、キャップコア５１の開口端とベース４１に接着
される下鍔４８の上面の間にギャップＧが生じる。従っ
て、キャップコア５１の深さＨが浅い場合は、ドラムコ
ア４６から出る磁束が、ギャップＧから漏れる。この様
に、従来の高周波コイルは、渦電流損が発生したり、ギ
ャップＧから磁束が漏れたりすることによりＱの低下を
招き、高周波コイルとしての電気特性を著るしく低下さ
せてしまうという問題があった。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、渦電
流損や漏れ磁束を低減してＱを高くし、電気特性を著る
しく向上させた高周波コイルを提供することにある。
流損や漏れ磁束を低減してＱを高くし、電気特性を著る
しく向上させた高周波コイルを提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の高周波コイル
は、ドラムコアが軸と３枚以上の鍔を備え、鍔を軸に沿
って形成して鍔間に溝を形成してあり、ドラムコアの中
心軸をベースの主面に対して垂直にしてドラムコアを装
着し、ドラムコアの一番下の溝以外の所定の溝にコイル
を巻回し、ドラムコアを覆うキャップコアは、ドラムコ
アのコイルが巻かれた溝の下にある鍔まで覆うことがで
きる深さを有し、キャップコアの開口端が常にドラムコ
アの一番下の溝よりも上に位置するようにしたものであ
る。また、本発明の高周波コイルは、ドラムコアが、軸
と上鍔と中間鍔と下鍔を備え、上鍔と中間鍔と下鍔を軸
に沿って形成してそれぞれの鍔間に溝を形成してあり、
ドラムコアの下鍔とベースを装着し、ドラムコアの上鍔
と中間鍔の間に形成された溝にのみコイルを巻回し、ド
ラムコアを覆うキャップコアは、ドラムコアの中間鍔ま
で覆うことができる深さを有し、かつ、キャップコアの
開口端が常にドラムコアの中間鍔と下鍔の間に形成され
た溝よりも上に位置するようにしたものである。さら
に、上鍔と中間鍔間に形成される溝と、下鍔と中間鍔間
に形成される溝を、おなじ幅にしたり、異なった幅にし
たものである。
は、ドラムコアが軸と３枚以上の鍔を備え、鍔を軸に沿
って形成して鍔間に溝を形成してあり、ドラムコアの中
心軸をベースの主面に対して垂直にしてドラムコアを装
着し、ドラムコアの一番下の溝以外の所定の溝にコイル
を巻回し、ドラムコアを覆うキャップコアは、ドラムコ
アのコイルが巻かれた溝の下にある鍔まで覆うことがで
きる深さを有し、キャップコアの開口端が常にドラムコ
アの一番下の溝よりも上に位置するようにしたものであ
る。また、本発明の高周波コイルは、ドラムコアが、軸
と上鍔と中間鍔と下鍔を備え、上鍔と中間鍔と下鍔を軸
に沿って形成してそれぞれの鍔間に溝を形成してあり、
ドラムコアの下鍔とベースを装着し、ドラムコアの上鍔
と中間鍔の間に形成された溝にのみコイルを巻回し、ド
ラムコアを覆うキャップコアは、ドラムコアの中間鍔ま
で覆うことができる深さを有し、かつ、キャップコアの
開口端が常にドラムコアの中間鍔と下鍔の間に形成され
た溝よりも上に位置するようにしたものである。さら
に、上鍔と中間鍔間に形成される溝と、下鍔と中間鍔間
に形成される溝を、おなじ幅にしたり、異なった幅にし
たものである。
【０００６】
【作用】本発明の高周波コイルは、下鍔と中間鍔の間に
形成された溝以外の所定の溝にコイルが巻回されている
ドラムコアを、キャップコアで覆っているので、磁気回
路が、上鍔、中間鍔、キャップコアに形成される。
形成された溝以外の所定の溝にコイルが巻回されている
ドラムコアを、キャップコアで覆っているので、磁気回
路が、上鍔、中間鍔、キャップコアに形成される。
【０００７】
【実施例】以下、本発明の高周波コイルの実施例を示す
図１及び図２を参照しながら説明する。図１は本発明の
高周波コイルの第１の実施例を示す上面図でケースとキ
ャップコアを取り外した状態を示す。図２は図１の部分
断面側面図である。図１、図２において、１１はベー
ス、１２は端子、１３は収納部、１４はチップコンデン
サ、１５はチップコンデンサの電極、１６はドラムコア
である。ベース１１は、合成樹脂を用いて角形に形成
し、対向する側面に引き出された複数の端子１２を設け
ている。端子１２は、板状の金属片からなり、一端をベ
ース１１内に埋設し、他端をベース１１の側面から引出
している。ベース１１の上面に、収納部１３が設けられ
ている。収納部１３には、チップコンデンサ１４が収納
され、チップコンデンサの電極１５が、収納部１３の底
面に露呈した端子の一部分に接続される。
図１及び図２を参照しながら説明する。図１は本発明の
高周波コイルの第１の実施例を示す上面図でケースとキ
ャップコアを取り外した状態を示す。図２は図１の部分
断面側面図である。図１、図２において、１１はベー
ス、１２は端子、１３は収納部、１４はチップコンデン
サ、１５はチップコンデンサの電極、１６はドラムコア
である。ベース１１は、合成樹脂を用いて角形に形成
し、対向する側面に引き出された複数の端子１２を設け
ている。端子１２は、板状の金属片からなり、一端をベ
ース１１内に埋設し、他端をベース１１の側面から引出
している。ベース１１の上面に、収納部１３が設けられ
ている。収納部１３には、チップコンデンサ１４が収納
され、チップコンデンサの電極１５が、収納部１３の底
面に露呈した端子の一部分に接続される。
【０００８】このベース１１の上面の中央にフェライト
からなるドラムコア１６が接着される。ドラムコア１６
は、いわゆる三枚鍔のものであって、軸に沿って上鍔１
７、中間鍔１８、下鍔１９が異なった間隔で形成され
る。そして、上鍔１７と中間鍔１８との間には、上溝２
０が形成され、中間鍔１８と下鍔１９との間には、下溝
２１が形成される。上溝２０の幅は、下溝２１の幅より
も広く設けられている。このドラムコア１６は、中心軸
をベースの主面に対して垂直にして、下鍔１９の底面と
ベース１１の上面を接着している。そして、ドラムコア
１６の上溝２０にだけ、コイル２２が巻かれる。コイル
２２のリードは、上溝２０から下方に引き出され、所定
の端子１２にからげられ、半田等で接続される。そし
て、コイル２２が巻かれたドラムコア１６は、キャップ
コア２３に覆われる。キャップコア２３は、下側を開口
し、上側を閉じてある有底円筒形のフェライトからな
り、周側面がケース２４に螺合し、回転させることによ
り上下に動かせるようになっている。キャップコア２３
の深さＨは、一番下の位置まで下げた場合に、中間鍔１
８を完全に覆い、キャップコア２３の開口端がドラムコ
ア１６の下溝２１よりも上の位置にある深さに設定して
ある。ケース２４は、銅などの金属からなり、ケースグ
ランド端子２５を、ベース１１の底面に折り曲げること
によりベース１１に取付けてある。そして、この高周波
コイルは、端子１２が回路基板の導体パターンに接続さ
れる。
からなるドラムコア１６が接着される。ドラムコア１６
は、いわゆる三枚鍔のものであって、軸に沿って上鍔１
７、中間鍔１８、下鍔１９が異なった間隔で形成され
る。そして、上鍔１７と中間鍔１８との間には、上溝２
０が形成され、中間鍔１８と下鍔１９との間には、下溝
２１が形成される。上溝２０の幅は、下溝２１の幅より
も広く設けられている。このドラムコア１６は、中心軸
をベースの主面に対して垂直にして、下鍔１９の底面と
ベース１１の上面を接着している。そして、ドラムコア
１６の上溝２０にだけ、コイル２２が巻かれる。コイル
２２のリードは、上溝２０から下方に引き出され、所定
の端子１２にからげられ、半田等で接続される。そし
て、コイル２２が巻かれたドラムコア１６は、キャップ
コア２３に覆われる。キャップコア２３は、下側を開口
し、上側を閉じてある有底円筒形のフェライトからな
り、周側面がケース２４に螺合し、回転させることによ
り上下に動かせるようになっている。キャップコア２３
の深さＨは、一番下の位置まで下げた場合に、中間鍔１
８を完全に覆い、キャップコア２３の開口端がドラムコ
ア１６の下溝２１よりも上の位置にある深さに設定して
ある。ケース２４は、銅などの金属からなり、ケースグ
ランド端子２５を、ベース１１の底面に折り曲げること
によりベース１１に取付けてある。そして、この高周波
コイルは、端子１２が回路基板の導体パターンに接続さ
れる。
【０００９】図３は、本発明の高周波コイルの第２の実
施例を示す部分拡大断面図である。図３において、３１
はドラムコア、３２はキャップコアである。なお、図２
と同じ部分は同じ符号を付してある。ドラムコア３１
は、いわゆる四枚鍔のものであって、軸に沿って上鍔３
３、中間鍔３４、３５、下鍔３６が形成される。そし
て、上鍔３３と中間鍔３４間、中間鍔３４と中間鍔３５
間、中間鍔３５と下鍔３６間に、それぞれ溝３７Ａ、３
７Ｂ、３７Ｃを形成している。なお、中間鍔３５と下鍔
３６間に形成された溝３７Ｃの幅は、他の溝３７Ａ、３
７Ｂの幅よりも狭くしてある。このドラムコア３１は、
中心軸をベースの主面に対して垂直にして、下鍔３６の
底面とベース１１の上面を接着している。そして、コイ
ル３８が、上鍔３３と中間鍔３４間に形成された溝３７
Ａに巻かれ、コイル３９が、中間鍔３４と中間鍔３５間
に形成された溝３７Ｂに巻かれる。ドラムコア３１を覆
うキャップコア３２の深さは、一番下の位置まで下げた
場合に、中間鍔３５を完全に覆い、キャップコア３２の
開口端が、ドラムコア３１の中間鍔３５と下鍔３６間に
形成された溝３７Ｃよりも上の位置にある深さに設定し
てある。
施例を示す部分拡大断面図である。図３において、３１
はドラムコア、３２はキャップコアである。なお、図２
と同じ部分は同じ符号を付してある。ドラムコア３１
は、いわゆる四枚鍔のものであって、軸に沿って上鍔３
３、中間鍔３４、３５、下鍔３６が形成される。そし
て、上鍔３３と中間鍔３４間、中間鍔３４と中間鍔３５
間、中間鍔３５と下鍔３６間に、それぞれ溝３７Ａ、３
７Ｂ、３７Ｃを形成している。なお、中間鍔３５と下鍔
３６間に形成された溝３７Ｃの幅は、他の溝３７Ａ、３
７Ｂの幅よりも狭くしてある。このドラムコア３１は、
中心軸をベースの主面に対して垂直にして、下鍔３６の
底面とベース１１の上面を接着している。そして、コイ
ル３８が、上鍔３３と中間鍔３４間に形成された溝３７
Ａに巻かれ、コイル３９が、中間鍔３４と中間鍔３５間
に形成された溝３７Ｂに巻かれる。ドラムコア３１を覆
うキャップコア３２の深さは、一番下の位置まで下げた
場合に、中間鍔３５を完全に覆い、キャップコア３２の
開口端が、ドラムコア３１の中間鍔３５と下鍔３６間に
形成された溝３７Ｃよりも上の位置にある深さに設定し
てある。
【００１０】これらの様に形成された高周波コイルの４
５０ＫＨｚにおけるＱは、約１１０である。この高周波
コイルと同じインダクタンス値のコイル、同じ容量値の
チップコンデンサを持ち、それぞれの部品の材料が同じ
第５図のような構造の、従来の高周波コイルの４５０Ｋ
ＨｚにおけるＱが約５５であるので、著しくＱが向上し
ている。これは、磁気回路が、上鍔、中間鍔、キャップ
コアに形成されて、下鍔に磁束が流れないので、渦電流
損を低減できるからである。また、キャップコアを一番
下までさげた場合、キャップコアの開口端が、コイルが
巻かれた溝の下にある中間鍔まで覆って完全な閉磁路と
なるので、漏れ磁束も低減できるからでもある。
５０ＫＨｚにおけるＱは、約１１０である。この高周波
コイルと同じインダクタンス値のコイル、同じ容量値の
チップコンデンサを持ち、それぞれの部品の材料が同じ
第５図のような構造の、従来の高周波コイルの４５０Ｋ
ＨｚにおけるＱが約５５であるので、著しくＱが向上し
ている。これは、磁気回路が、上鍔、中間鍔、キャップ
コアに形成されて、下鍔に磁束が流れないので、渦電流
損を低減できるからである。また、キャップコアを一番
下までさげた場合、キャップコアの開口端が、コイルが
巻かれた溝の下にある中間鍔まで覆って完全な閉磁路と
なるので、漏れ磁束も低減できるからでもある。
【００１１】この様に、本発明の高周波コイルの実施例
を述べたが、本発明はこれらの実施例に限られるもので
はない。例えば、ドラムコアは、軸に沿って上鍔、中間
鍔、下鍔を等しい間隔に形成し、それぞれの鍔間に形成
される溝の幅を等しくしてもよい。その場合は、ドラム
コアの方向性がなくなるので生産性が良くなる。また、
端子は、ベースの底面から引出してあってもよい。さら
に、複数の中間鍔を有するドラムコアの場合は、コイル
が複数の溝にまたがって巻回されていてもよい。
を述べたが、本発明はこれらの実施例に限られるもので
はない。例えば、ドラムコアは、軸に沿って上鍔、中間
鍔、下鍔を等しい間隔に形成し、それぞれの鍔間に形成
される溝の幅を等しくしてもよい。その場合は、ドラム
コアの方向性がなくなるので生産性が良くなる。また、
端子は、ベースの底面から引出してあってもよい。さら
に、複数の中間鍔を有するドラムコアの場合は、コイル
が複数の溝にまたがって巻回されていてもよい。
【００１２】
【発明の効果】以上述べた様な本発明の高周波コイル
は、ドラムコアが、軸と３枚以上の鍔を備え、３枚以上
の鍔を軸に沿って形成してそれぞれの鍔間に溝を形成し
てあり、ドラムコアの中心軸をベースの主面に対して垂
直にしてドラムコアを装着し、該ドラムコアの一番下の
溝以外の所定の溝にコイルを巻回し、ドラムコアをキャ
ップコアで覆っているので、渦電流損や漏れ磁束を低減
してＱを高くし、電気特性を著るしく向上させることが
できる。また、キャップコアの開口端は、常にドラムコ
アの一番下の溝よりも上の位置にあるのでドラムコアに
巻回されたコイルのリードが断線することがない。
は、ドラムコアが、軸と３枚以上の鍔を備え、３枚以上
の鍔を軸に沿って形成してそれぞれの鍔間に溝を形成し
てあり、ドラムコアの中心軸をベースの主面に対して垂
直にしてドラムコアを装着し、該ドラムコアの一番下の
溝以外の所定の溝にコイルを巻回し、ドラムコアをキャ
ップコアで覆っているので、渦電流損や漏れ磁束を低減
してＱを高くし、電気特性を著るしく向上させることが
できる。また、キャップコアの開口端は、常にドラムコ
アの一番下の溝よりも上の位置にあるのでドラムコアに
巻回されたコイルのリードが断線することがない。
【図１】 本発明の高周波コイルの第１の実施例を示す
上面図でケースとキャップコアを取外した状態である。
上面図でケースとキャップコアを取外した状態である。
【図２】 図１の部分断面側面図である。
【図３】 本発明の高周波コイルの第２の実施例を示す
部分拡大断面図である。
部分拡大断面図である。
【図４】 従来の高周波コイルの上面図である。
【図５】 従来の高周波コイルの部分断面側面図であ
る。
る。
１１ ベース １２ 端子 １３ 収納部 １４ チップコンデンサ １５ チップコンデンサの電極 １６ ドラムコア
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01F 17/04 H01F 21/06
Claims (9)
- 【請求項１】 ベースに複数の端子を植設し、該ベース
の主面にコイルを巻回するドラムコアを装着した高周波
コイルにおいて、該ドラムコアは軸と複数の鍔を備え、
該複数の鍔を該軸に沿って形成して鍔間に溝を形成して
あり、該ドラムコアの中心軸をベースの主面に対して垂
直にして該ドラムコアを装着し、該ドラムコアの一番下
の溝以外の所定の溝にコイルを巻回し、該ドラムコアは
キャップコアで覆われ、該キャップコアは該ドラムコア
のコイルが巻かれた溝の下にある鍔まで覆うことができ
る深さを有し、かつ開口端が常に該ドラムコアの一番下
の溝よりも上の位置にあることを特徴とする高周波コイ
ル。 - 【請求項２】 該ドラムコアの複数の鍔は、軸に沿って
同じ間隔をおいて形成されている請求項１記載の高周波
コイル。 - 【請求項３】 該ドラムコアの複数の鍔は、軸に沿って
異なった間隔をおいて形成されている請求項１記載の高
周波コイル。 - 【請求項４】 ベースに複数の端子を植設し、該ベース
の主面にコイルを巻回するドラムコアを装着した高周波
コイルにおいて、該ドラムコアは、軸と上鍔と中間鍔と
下鍔を備え、該上鍔と該中間鍔と該下鍔を該軸に沿って
形成してそれぞれの鍔間に溝を形成してあり、該ドラム
コアの下鍔をベースに装着し、該ドラムコアの上鍔と中
間鍔の間に形成された溝だけにコイルを巻回し、該ドラ
ムコアはキャップコアで覆われ、該キャップコアは該ド
ラムコアの中間鍔まで覆うことができる深さを有し、か
つ開口端が、常に該ドラムコアの中間鍔と下鍔の間に形
成された溝よりも上の位置にあることを特徴とする高周
波コイル。 - 【請求項５】 該ドラムコアの２つの溝は、おなじ幅を
有している請求項４記載の高周波コイル。 - 【請求項６】 該ドラムコアの２つの溝は、異なった幅
を有している請求項４記載の高周波コイル。 - 【請求項７】 ベースに複数の端子を植設し、該ベース
の主面にコイルを巻回するドラムコアを装着した高周波
コイルにおいて、該ドラムコアは、軸と上鍔と下鍔と複
数の中間鍔を備え、該上鍔と該中間鍔と該下鍔を該軸に
沿って形成してそれぞれの鍔間に溝を形成してあり、該
ドラムコアの下鍔をベースに装着し、該ドラムコアの下
鍔と中間鍔の間に形成された溝以外の所定の溝にコイル
を巻回し、該ドラムコアはキャップコアで覆われ、該キ
ャップコアは該ドラムコアの一番下の中間鍔まで覆うこ
とができる深さを有し、かつ開口端が常に該ドラムコア
の下鍔と中間鍔の間に形成された溝よりも上の位置にあ
ることを特徴とする高周波コイル。 - 【請求項８】 該ドラムコアの複数の溝は、おなじ幅を
有している請求項７記載の高周波コイル。 - 【請求項９】 該ドラムコアの複数の溝は、異なった幅
を有している請求項７記載の高周波コイル。
Priority Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP7044998A JP3027697B2 (ja) | 1995-02-10 | 1995-02-10 | 高周波コイル |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7044998A JP3027697B2 (ja) | 1995-02-10 | 1995-02-10 | 高周波コイル |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08222441A JPH08222441A (ja) | 1996-08-30 |
| JP3027697B2 true JP3027697B2 (ja) | 2000-04-04 |
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ID=12707102
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7044998A Expired - Fee Related JP3027697B2 (ja) | 1995-02-10 | 1995-02-10 | 高周波コイル |
Country Status (1)
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|---|---|
| JP (1) | JP3027697B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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-
1995
- 1995-02-10 JP JP7044998A patent/JP3027697B2/ja not_active Expired - Fee Related
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|---|---|
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