JP3027697B2 - 高周波コイル - Google Patents
高周波コイルInfo
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F17/00—Fixed inductances of the signal type
- H01F17/0006—Printed inductances
- H01F2017/0053—Printed inductances with means to reduce eddy currents
Landscapes
- Coils Or Transformers For Communication (AREA)
Description
たベースにドラムコアが装着され、回路基板等に、実装
される高周波コイルの構造に関する。
ースとキャップコアを取り外した状態を示し、図5は従
来の高周波コイルの部分断面側面図を示している。従来
の高周波コイルは、合成樹脂からなるベース41の対向
する側面に、それぞれ複数の端子42を設けている。端
子42は、板状の金属片からなり、一端をベース41内
に埋設し、他端をベース41の側面から引き出してい
る。ベース41の上面に、収納部43が設けられてい
る。収納部43には、チップコンデンサ44が収納さ
れ、チップコンデンサの電極45が収納部43の底面に
露呈した端子に接続される。このベース41の上面の中
央にドラムコア46が接着される。ドラムコア46は、
フェライトからなり、軸の一端に上鍔47を形成し、軸
の他端に下鍔48を形成して上鍔47と下鍔48の間に
溝49が形成される。そして、ドラムコア46の溝49
にコイル50が巻かれ、ドラムコア46の下鍔48の底
面が、ベース41に接着剤等で接着される。コイル50
のリードは、水平方向に配線し、端子42にからげて半
田等で接続している。ドラムコア46は、キャップコア
51とケース52によって覆われている。キャップコア
51は、下側を開口し、上側を閉じてある有底円筒形の
フェライトからなり、周側面がケース52に螺合し、回
転させることにより上下に動かせるようになっている。
また、キャップコア50が螺合しているケース51は、
銅などの金属からなり、ケースグランド端子53がベー
ス41の底面に折り曲げられている。そして、この高周
波コイルは、端子42が回路基板の導体パターンに接続
される。
ており、年々小型化が進められている。この様に形成さ
れた高周波コイルを小型化する場合、ベース41の厚さ
が薄くなり、ドラムコア46の下鍔48の底面が、チッ
プコンデンサの電極45や端子42やケースグランド端
子53に、近接して配置される。従って、ドラムコア4
6から出る磁束を、チップコンデンサの電極45や端子
42やケースグランド端子53が遮る為、渦電流損が発
生する。また、キャップコア51の深さHが深い場合
は、キャップコア51を一番下の位置まで下げるとキャ
ップコア51の開口端がコイル50のリードに接触し、
断線を起しやすい。しかし、キャップコア51の深さH
が浅い場合は、キャップコア51を一番下の位置まで下
げても、キャップコア51の開口端とベース41に接着
される下鍔48の上面の間にギャップGが生じる。従っ
て、キャップコア51の深さHが浅い場合は、ドラムコ
ア46から出る磁束が、ギャップGから漏れる。この様
に、従来の高周波コイルは、渦電流損が発生したり、ギ
ャップGから磁束が漏れたりすることによりQの低下を
招き、高周波コイルとしての電気特性を著るしく低下さ
せてしまうという問題があった。
流損や漏れ磁束を低減してQを高くし、電気特性を著る
しく向上させた高周波コイルを提供することにある。
は、ドラムコアが軸と3枚以上の鍔を備え、鍔を軸に沿
って形成して鍔間に溝を形成してあり、ドラムコアの中
心軸をベースの主面に対して垂直にしてドラムコアを装
着し、ドラムコアの一番下の溝以外の所定の溝にコイル
を巻回し、ドラムコアを覆うキャップコアは、ドラムコ
アのコイルが巻かれた溝の下にある鍔まで覆うことがで
きる深さを有し、キャップコアの開口端が常にドラムコ
アの一番下の溝よりも上に位置するようにしたものであ
る。また、本発明の高周波コイルは、ドラムコアが、軸
と上鍔と中間鍔と下鍔を備え、上鍔と中間鍔と下鍔を軸
に沿って形成してそれぞれの鍔間に溝を形成してあり、
ドラムコアの下鍔とベースを装着し、ドラムコアの上鍔
と中間鍔の間に形成された溝にのみコイルを巻回し、ド
ラムコアを覆うキャップコアは、ドラムコアの中間鍔ま
で覆うことができる深さを有し、かつ、キャップコアの
開口端が常にドラムコアの中間鍔と下鍔の間に形成され
た溝よりも上に位置するようにしたものである。さら
に、上鍔と中間鍔間に形成される溝と、下鍔と中間鍔間
に形成される溝を、おなじ幅にしたり、異なった幅にし
たものである。
形成された溝以外の所定の溝にコイルが巻回されている
ドラムコアを、キャップコアで覆っているので、磁気回
路が、上鍔、中間鍔、キャップコアに形成される。
図1及び図2を参照しながら説明する。図1は本発明の
高周波コイルの第1の実施例を示す上面図でケースとキ
ャップコアを取り外した状態を示す。図2は図1の部分
断面側面図である。図1、図2において、11はベー
ス、12は端子、13は収納部、14はチップコンデン
サ、15はチップコンデンサの電極、16はドラムコア
である。ベース11は、合成樹脂を用いて角形に形成
し、対向する側面に引き出された複数の端子12を設け
ている。端子12は、板状の金属片からなり、一端をベ
ース11内に埋設し、他端をベース11の側面から引出
している。ベース11の上面に、収納部13が設けられ
ている。収納部13には、チップコンデンサ14が収納
され、チップコンデンサの電極15が、収納部13の底
面に露呈した端子の一部分に接続される。
からなるドラムコア16が接着される。ドラムコア16
は、いわゆる三枚鍔のものであって、軸に沿って上鍔1
7、中間鍔18、下鍔19が異なった間隔で形成され
る。そして、上鍔17と中間鍔18との間には、上溝2
0が形成され、中間鍔18と下鍔19との間には、下溝
21が形成される。上溝20の幅は、下溝21の幅より
も広く設けられている。このドラムコア16は、中心軸
をベースの主面に対して垂直にして、下鍔19の底面と
ベース11の上面を接着している。そして、ドラムコア
16の上溝20にだけ、コイル22が巻かれる。コイル
22のリードは、上溝20から下方に引き出され、所定
の端子12にからげられ、半田等で接続される。そし
て、コイル22が巻かれたドラムコア16は、キャップ
コア23に覆われる。キャップコア23は、下側を開口
し、上側を閉じてある有底円筒形のフェライトからな
り、周側面がケース24に螺合し、回転させることによ
り上下に動かせるようになっている。キャップコア23
の深さHは、一番下の位置まで下げた場合に、中間鍔1
8を完全に覆い、キャップコア23の開口端がドラムコ
ア16の下溝21よりも上の位置にある深さに設定して
ある。ケース24は、銅などの金属からなり、ケースグ
ランド端子25を、ベース11の底面に折り曲げること
によりベース11に取付けてある。そして、この高周波
コイルは、端子12が回路基板の導体パターンに接続さ
れる。
施例を示す部分拡大断面図である。図3において、31
はドラムコア、32はキャップコアである。なお、図2
と同じ部分は同じ符号を付してある。ドラムコア31
は、いわゆる四枚鍔のものであって、軸に沿って上鍔3
3、中間鍔34、35、下鍔36が形成される。そし
て、上鍔33と中間鍔34間、中間鍔34と中間鍔35
間、中間鍔35と下鍔36間に、それぞれ溝37A、3
7B、37Cを形成している。なお、中間鍔35と下鍔
36間に形成された溝37Cの幅は、他の溝37A、3
7Bの幅よりも狭くしてある。このドラムコア31は、
中心軸をベースの主面に対して垂直にして、下鍔36の
底面とベース11の上面を接着している。そして、コイ
ル38が、上鍔33と中間鍔34間に形成された溝37
Aに巻かれ、コイル39が、中間鍔34と中間鍔35間
に形成された溝37Bに巻かれる。ドラムコア31を覆
うキャップコア32の深さは、一番下の位置まで下げた
場合に、中間鍔35を完全に覆い、キャップコア32の
開口端が、ドラムコア31の中間鍔35と下鍔36間に
形成された溝37Cよりも上の位置にある深さに設定し
てある。
50KHzにおけるQは、約110である。この高周波
コイルと同じインダクタンス値のコイル、同じ容量値の
チップコンデンサを持ち、それぞれの部品の材料が同じ
第5図のような構造の、従来の高周波コイルの450K
HzにおけるQが約55であるので、著しくQが向上し
ている。これは、磁気回路が、上鍔、中間鍔、キャップ
コアに形成されて、下鍔に磁束が流れないので、渦電流
損を低減できるからである。また、キャップコアを一番
下までさげた場合、キャップコアの開口端が、コイルが
巻かれた溝の下にある中間鍔まで覆って完全な閉磁路と
なるので、漏れ磁束も低減できるからでもある。
を述べたが、本発明はこれらの実施例に限られるもので
はない。例えば、ドラムコアは、軸に沿って上鍔、中間
鍔、下鍔を等しい間隔に形成し、それぞれの鍔間に形成
される溝の幅を等しくしてもよい。その場合は、ドラム
コアの方向性がなくなるので生産性が良くなる。また、
端子は、ベースの底面から引出してあってもよい。さら
に、複数の中間鍔を有するドラムコアの場合は、コイル
が複数の溝にまたがって巻回されていてもよい。
は、ドラムコアが、軸と3枚以上の鍔を備え、3枚以上
の鍔を軸に沿って形成してそれぞれの鍔間に溝を形成し
てあり、ドラムコアの中心軸をベースの主面に対して垂
直にしてドラムコアを装着し、該ドラムコアの一番下の
溝以外の所定の溝にコイルを巻回し、ドラムコアをキャ
ップコアで覆っているので、渦電流損や漏れ磁束を低減
してQを高くし、電気特性を著るしく向上させることが
できる。また、キャップコアの開口端は、常にドラムコ
アの一番下の溝よりも上の位置にあるのでドラムコアに
巻回されたコイルのリードが断線することがない。
上面図でケースとキャップコアを取外した状態である。
部分拡大断面図である。
る。
Claims (9)
- 【請求項1】 ベースに複数の端子を植設し、該ベース
の主面にコイルを巻回するドラムコアを装着した高周波
コイルにおいて、該ドラムコアは軸と複数の鍔を備え、
該複数の鍔を該軸に沿って形成して鍔間に溝を形成して
あり、該ドラムコアの中心軸をベースの主面に対して垂
直にして該ドラムコアを装着し、該ドラムコアの一番下
の溝以外の所定の溝にコイルを巻回し、該ドラムコアは
キャップコアで覆われ、該キャップコアは該ドラムコア
のコイルが巻かれた溝の下にある鍔まで覆うことができ
る深さを有し、かつ開口端が常に該ドラムコアの一番下
の溝よりも上の位置にあることを特徴とする高周波コイ
ル。 - 【請求項2】 該ドラムコアの複数の鍔は、軸に沿って
同じ間隔をおいて形成されている請求項1記載の高周波
コイル。 - 【請求項3】 該ドラムコアの複数の鍔は、軸に沿って
異なった間隔をおいて形成されている請求項1記載の高
周波コイル。 - 【請求項4】 ベースに複数の端子を植設し、該ベース
の主面にコイルを巻回するドラムコアを装着した高周波
コイルにおいて、該ドラムコアは、軸と上鍔と中間鍔と
下鍔を備え、該上鍔と該中間鍔と該下鍔を該軸に沿って
形成してそれぞれの鍔間に溝を形成してあり、該ドラム
コアの下鍔をベースに装着し、該ドラムコアの上鍔と中
間鍔の間に形成された溝だけにコイルを巻回し、該ドラ
ムコアはキャップコアで覆われ、該キャップコアは該ド
ラムコアの中間鍔まで覆うことができる深さを有し、か
つ開口端が、常に該ドラムコアの中間鍔と下鍔の間に形
成された溝よりも上の位置にあることを特徴とする高周
波コイル。 - 【請求項5】 該ドラムコアの2つの溝は、おなじ幅を
有している請求項4記載の高周波コイル。 - 【請求項6】 該ドラムコアの2つの溝は、異なった幅
を有している請求項4記載の高周波コイル。 - 【請求項7】 ベースに複数の端子を植設し、該ベース
の主面にコイルを巻回するドラムコアを装着した高周波
コイルにおいて、該ドラムコアは、軸と上鍔と下鍔と複
数の中間鍔を備え、該上鍔と該中間鍔と該下鍔を該軸に
沿って形成してそれぞれの鍔間に溝を形成してあり、該
ドラムコアの下鍔をベースに装着し、該ドラムコアの下
鍔と中間鍔の間に形成された溝以外の所定の溝にコイル
を巻回し、該ドラムコアはキャップコアで覆われ、該キ
ャップコアは該ドラムコアの一番下の中間鍔まで覆うこ
とができる深さを有し、かつ開口端が常に該ドラムコア
の下鍔と中間鍔の間に形成された溝よりも上の位置にあ
ることを特徴とする高周波コイル。 - 【請求項8】 該ドラムコアの複数の溝は、おなじ幅を
有している請求項7記載の高周波コイル。 - 【請求項9】 該ドラムコアの複数の溝は、異なった幅
を有している請求項7記載の高周波コイル。
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