JP3026677U - Universal chuck table for semiconductor wafers - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 半導体ウエハのユニバーサルチャックテーブ
ルの吸引領域を簡単な構成としようとするものである。 【解決手段】 半導体ウエハのユニバーサルチャックテ
ーブルの吸引領域を構成する各通気板を、接着剤を主成
分とする環状仕切膜を介在させて区画した。 (57) An object of the present invention is to make a suction region of a universal chuck table of a semiconductor wafer a simple structure. SOLUTION: Each ventilation plate forming a suction area of a universal chuck table of a semiconductor wafer is partitioned with an annular partition film containing an adhesive as a main component interposed.

Description

【考案の詳細な説明】[Detailed description of the device]

【０００１】[0001]

【産業上の利用分野】[Industrial applications]

これまでは、サイズの異なる半導体ウエハの研削、研磨作業を行うのに際し、 そのサイズに合致するチャックテーブルに交換していたが、本考案は、いちいち 半導体ウエハのサイズに合致したチャックテーブルに交換することなく、各種サ イズの半導体ウエハを１箇のチャックテーブルで研削、研磨を行うことのできる 半導体ウエハのユニバーサルチャックテーブルに関するものである。 In the past, when performing grinding and polishing operations on semiconductor wafers of different sizes, the chuck table was replaced with a chuck table that matches the size, but the present invention replaces each chuck table with a chuck table that matches the size of the semiconductor wafer. The present invention relates to a universal chuck table for semiconductor wafers, which can grind and polish semiconductor wafers of various sizes with a single chuck table without any need.

【０００２】[0002]

【従来の技術】[Prior art]

この種のユニバーサルチャックテーブルとしては、例えば特公平２−４６３３ １号公報、特開平３−３２５３７号公報、特開平３−３２５３８号公報に開示さ れた構成のものが従来例として周知である。この従来例におけるチャックテーブ ルの構成の概要は、その表面構造が、被加工物のサイズ即ち、半導体ウエハのサ イズに対応するポーラスセラミックから成るウエハ吸着部を同心に配し、それぞ れのウエハ吸着部の隣接部にウエハ吸着部とは異なる材質の材料を用い、硬質の 不通気性部材として構成した巾数ミリの環状仕切壁を介してリング状の平滑な表 面を形成されチャックテーブル本体の構造は、各ウエハ吸着部はそれぞれ各別に 吸着機能、洗浄機能が働くようになっていた。即ち、各独立して吸着機能、洗浄 機能が働くウエハ吸着部は、その上に載せられた各種サイズの半導体ウエハを、 夫々そのサイズの半導体ウエハに対応して適切にバキューム手段により吸着保持 させる機構をもったチャックテーブルとした構成になっている。 As a universal chuck table of this type, those having the configurations disclosed in, for example, Japanese Patent Publication No. 2-46331, Japanese Patent Application Laid-Open No. 3-32537, and Japanese Patent Application Laid-Open No. 3-32538 are well known as conventional examples. The outline of the structure of the chuck table in this conventional example is such that the wafer suction part made of porous ceramic whose surface structure corresponds to the size of the workpiece, that is, the size of the semiconductor wafer is arranged concentrically. A chuck table with a ring-shaped smooth surface is formed in the vicinity of the wafer suction part using a material different from that of the wafer suction part, and an annular partition wall with a width of several millimeters configured as a hard impermeable member. The structure of the main body was such that each wafer suction part had its own suction function and cleaning function. In other words, the wafer suction unit, which has a suction function and a cleaning function independently of each other, is a mechanism for appropriately sucking and holding semiconductor wafers of various sizes mounted thereon by vacuum means in correspondence with the semiconductor wafers of that size. It is configured as a chuck table with.

【０００３】[0003]

【考案が解決しようとする課題】[Problems to be solved by the device]

前記従来例として記載した公知技術のユニバーサルチャックテーブルにおいて は、現在、各種サイズの半導体ウエハが、ユニバーサルチャックテーブルを構成 する同心円状に配設されたえ各種サイズのウエハ吸着部と機械的に心中を正確に 合致して載置されるように構成されている。 In the known universal chuck table described as the conventional example, semiconductor wafers of various sizes are currently mechanically aligned with the wafer suction parts of various sizes arranged in concentric circles forming the universal chuck table. It is designed to be placed in exact alignment.

【０００４】 従って、これまで、半導体ウエハが、ウエハ吸着部と中心を多少ずれて載せら れることがあっても、そのずれは、隣接するウエハ吸着部の間に数ミリ巾の環状 仕切壁が介在していることによって、半導体ウエハの周縁が環状仕切壁にかかっ て載せられても、夫々のウエハ吸着部の吸着機能は何ら阻害されない構成となっ ていたが、現在では、前記のように、各種サイズの半導体ウエハは、それに対応 するウエハ吸着部に中心を完全に合致させて載せる機構になっているので、各ウ エハ吸着部の間をことさらにウエハ吸着部とは異なる材料を用いて構成した硬質 の不通気性部材から成る環状仕切壁を介在させて配置する必要はない。従って、 この環状仕切壁を省略して、もっと簡単な手段で隣接する各ウエハ吸着部間を仕 切るようにすればよいと考えた。Therefore, even if a semiconductor wafer is placed with its center slightly offset from the wafer suction portion, the shift is caused by an annular partition wall having a width of several millimeters between adjacent wafer suction portions. Due to the interposition, even if the peripheral edge of the semiconductor wafer was placed on the annular partition wall, the suction function of each wafer suction part was not hindered at all, but now, as described above, Since semiconductor wafers of various sizes are placed with their centers perfectly aligned with the corresponding wafer suction parts, the space between each wafer suction part is made different from that of the wafer suction part. It is not necessary to interpose an annular partition wall made of a hard and impermeable member. Therefore, it was thought that this annular partition wall could be omitted and the adjacent wafer suction parts could be partitioned by a simpler means.

【０００５】 それと、特にサイズの大きい被加工物である半導体ウエハをユニバーサルチャ ックテーブルを構成する直径の小さなウエハ吸着部にまたがって、載置吸着させ てグラインダー加工を施した場合、ユニバーサルチャックテーブル面には各種サ イズの半導体ウエハに対応するウエハ吸着部が、その間にウエハ吸着部とは材質 を異にする硬質材で構成した環状仕切壁が介在した構成に成っていたため、被加 工物である半導体ウエハが、ウエハ吸着部間にまたがって載せられた場合、バキ ュームによりウエハ吸着部にまたがって吸着保持され、且つその表面をグライン ダーにより所定の押圧力をかけて研磨することになり、その押圧力と前記バキュ ーム吸着とにより、被加工物である半導体ウエハが強力にユニバーサルチャック テーブル面上に押し付けられることになり、それによって前記環状仕切壁とユニ バーサルチャックテーブル面、即ちポーラスセラミックから成るウエハ吸着部と その材質を異にする環状仕切壁との間における段差及び材質の相違により、研磨 された被加工物であるウエハの表面に前記環状仕切壁の形状、即ち同心円状の模 様が数ミリの巾として写しだされることがある。In addition, when a semiconductor wafer, which is a particularly large workpiece, is placed on the wafer chucking portion of the universal chuck table that has a small diameter, and is picked up and grinded, the surface of the universal chuck table is Is a workpiece because it has a wafer suction part for semiconductor wafers of various sizes and an annular partition wall made of a hard material different from that of the wafer suction part between them. When a semiconductor wafer is laid across the wafer suction parts, it is sucked and held by the vacuum chamber across the wafer suction parts, and its surface is polished by applying a predetermined pressing force with a grinder. Due to the pressing force and the vacuum adsorption, the semiconductor wafer, which is the workpiece, is strongly bonded to the universal chuck table. And the difference between the annular partition wall and the universal chuck table surface, that is, the wafer suction part made of porous ceramic and the annular partition wall made of a different material. As a result, the shape of the annular partition wall, that is, the concentric circular pattern may be projected as a width of several millimeters on the surface of the wafer that is the polished workpiece.

【０００６】 このような現象を一般に「転写」と称され、その転写された模様は目視できる ばかりでなく、模様部分の段差の巾が数ミクロンに及んだ場合、ウエハの厚みは 、その巾だけ異なる厚みとして加工され、その巾の厚みの差により極端な場合は 研削、研磨された半導体ウエハは不良品として取り扱われることがある。 従って、この種のユニバーサルチャックテーブルにおいては、前記「転写」の 問題が解決しなければならない課題になっていた。Such a phenomenon is generally called “transfer”, and the transferred pattern is not only visible, but also when the width of the step of the pattern portion is several microns, the thickness of the wafer is However, in extreme cases, semiconductor wafers that have been ground and polished due to the difference in the widths may be handled as defective products. Therefore, in this kind of universal chuck table, the problem of "transfer" has been a problem to be solved.

【０００７】 本考案は、半導体ウエハのチャックテーブルに載置する手段が、機械的に、中 心を合致して載置できる機構が開発されていることを前提にして、半導体ウエハ がチャックテーブルに中心をずらせて載せられることがないこと、従って、半導 体ウエハの吸着領域を区画するのに、半導体ウエハを吸着する各通気板とこれを 囲繞する硬質材で構成する環状仕切壁を別個に作る必要がないこと、更に、これ まで、前記「転写」の生ずる虞が環状仕切壁にあること等を考慮して、これらの 不都合を全く解消しようとするものである。The present invention is based on the premise that a mechanism for mounting the semiconductor wafer on the chuck table has been developed so that the semiconductor wafer can be mounted on the chuck table mechanically. It is not possible to place it on the center of the semiconductor wafer. Therefore, in order to define the suction area of the semiconductor wafer, each ventilation plate that sucks the semiconductor wafer and the annular partition wall made of a hard material that surrounds the ventilation plate are separated. In view of the fact that there is no need to make it and the possibility that the above-mentioned "transfer" may occur in the annular partition wall, etc., it is intended to eliminate these disadvantages at all.

【０００８】 それと、ユニバーサルチャックテーブルの表面構造は、０００２に記載した構 造になっており、その表面を平滑にする作業を行うとき、ウエハ吸着部とをこレ を囲繞する環状仕切壁の硬度差から、上記作業を行うときいろいろの工夫配慮を しなければならなかった。従って、この作業を簡易迅速に行えるようにすること も解決課題の一つであった。In addition, the surface structure of the universal chuck table has the structure described in 0002, and when the work of smoothing the surface is performed, the hardness of the annular partition wall that surrounds the wafer suction part Due to the difference, it was necessary to consider various ideas when performing the above work. Therefore, it was one of the issues to be solved to make this work simple and quick.

【０００９】 本考案は、これらの課題を一挙に解決使用とするものである。The present invention solves and solves these problems all at once.

【００１０】[0010]

【課題を解決するための手段】[Means for Solving the Problems]

本考案は、環状壁を形成して成るフレームの内側に、通気円板を中央に配し、 その外輪に順次大径の通気環状板を通気遮断環状膜を介在して同心に配して成る 本体部を嵌合し、前記フレームの底面には、前記本体部を構成する通気円板とこ れを囲繞する各通気環状板の位置する下側に、減圧機構、給水機構に通ずるバル ブを介して配されたサクションパイプ等に連通する吸気、給水通路を設けたユニ バーサルチャックテーブルとして構成した。 According to the present invention, a ventilation disc is arranged in the center of a frame formed by forming an annular wall, and a large diameter ventilation circular plate is sequentially arranged concentrically on the outer ring with a ventilation blocking annular membrane interposed. The main body is fitted, and on the bottom surface of the frame, there is a valve that communicates with the decompression mechanism and the water supply mechanism under the ventilation discs that form the main body and the ventilation annular plates that surround the ventilation disc. It was constructed as a universal chuck table with intake and water supply passages that communicate with the suction pipes and other components arranged in the same way.

【００１１】[0011]

【作用】 本考案は、上記のように構成されているので、ユニバーサルチャックテーブル 面は平滑に形成され、その結果研削、研磨加工を施した半導体ウエハに転写と言 う現象の生ずるのを完全に阻止できる。[Advantage] Since the present invention is configured as described above, the universal chuck table surface is formed to be smooth, and as a result, the phenomenon called transfer is completely prevented from occurring on the semiconductor wafer that has been ground and polished. Can be stopped.

【００１２】[0012]

【実施例】【Example】

次に、本考案を図示実施例により、その構成を更に詳しく説明する。 図１は、ユニバーサルチャックテーブルの一部を切欠した斜視図であり、図２ は、図１に示した全体の斜視図のＡ−Ａ線で切欠した断面である。ユニバーサル チャックテーブル１は、不通気性材から成る円板状のフレーム部材２を所定の深 さとした円形状の凹部が形成され、周縁部が環状壁２ａが形成されている。前記 環状壁２ａで囲まれた内側凹部の底面には、その中心部に凹陥部４を設けると共 に、該凹陥部４を中心にして複数の環状溝５、６、７、８が同心円状に穿設され ている。前記凹陥部４には吸気孔４ａが設けられ、前記各溝５、６、７、８には 複数の吸気孔５ａ、６ａ、７ａ、８ａが夫々設けられている。該フレーム部材２ に形成された環状壁２ａで囲まれて所定の深さに形成された円形状凹部には吸引 領域が区分された本体部１０が嵌合される。 Next, the configuration of the present invention will be described in more detail with reference to the illustrated embodiment. 1 is a perspective view in which a part of the universal chuck table is cut away, and FIG. 2 is a cross-sectional view taken along line AA in the entire perspective view shown in FIG. The universal chuck table 1 is provided with a circular recess having a disc-shaped frame member 2 made of an air-impermeable material and having a predetermined depth, and an annular wall 2a at the peripheral edge. On the bottom surface of the inner concave portion surrounded by the annular wall 2a, a concave portion 4 is provided at the center thereof, and a plurality of annular grooves 5, 6, 7, 8 are concentrically formed around the concave portion 4. Has been drilled in. The concave portion 4 is provided with an intake hole 4a, and each of the grooves 5, 6, 7, 8 is provided with a plurality of intake holes 5a, 6a, 7a, 8a. A body portion 10 having a suction region sectioned therein is fitted in a circular recess formed at a predetermined depth surrounded by an annular wall 2a formed on the frame member 2.

【００１３】 前記吸引領域が区分された本体部１０は、前記フレーム部材２の凹部内に嵌り 込む円板状の一体燒結体として形成されている。そして、本体部１０は被加工物 である半導体ウエハのサイズに対応して吸引領域が区分されるように、中央に通 気円板２０、その外輪に順次大径の通気環状板２１、２２、２３、２４を同心に 嵌合し、前記各通気板２０、２１、２２、２３、２４は、それぞれの境界を環状 仕切膜３０、３１、３２、３３を以て区画されている。これ等環状仕切膜３０、 ３１、３２、３３は、前記フレーム部材２を形成する凹部に穿設された環状溝５ 、６、７、８の間の底面に対応して位置するように設けられたものである。The body portion 10 in which the suction area is divided is formed as a disc-shaped integrated sintered body that fits into the recess of the frame member 2. The main body 10 is provided with a ventilation disc 20 in the center and a ventilation circular plate 21 having a large diameter 21, 22 on the outer ring in order so that the suction region is divided according to the size of the semiconductor wafer which is the workpiece. 23 and 24 are concentrically fitted to each other, and the respective ventilation plates 20, 21, 22, 23 and 24 are divided by annular partition membranes 30, 31, 32 and 33 at their boundaries. These annular partition membranes 30, 31, 32, 33 are provided so as to correspond to the bottom surface between the annular grooves 5, 6, 7, 8 bored in the recess forming the frame member 2. It is a thing.

【００１４】 この本体部１０は、全体として通気性を有するものであるが、通気領域を区分 する各通気板２０、２１、２２、２３、２４の間には前記環状仕切膜３０、３１ 、３２、３３を介在して区画され、各通気板２０、２１、２２、２３、２４相互 間はほとんど通気性を有しないか或は全く通気を有しないように燒結する。例え ば、各通気板の間に介在させる各環状仕切膜を金属又はセラミック等の無機質材 料の微粉末を混練した接着剤で不通気性として形成し、他の部分である通気円板 、通気環状板２０、２１、２２、２１、２４も同様に金属又はセラミック等の無 機質材料の微粉末を混練したバインダーを使用して通気性をもつポーラス状に形 成され、これが全体を一体燒結体として形成するのである。The main body 10 has air permeability as a whole, but the annular partition membranes 30, 31, 32 are provided between the ventilation plates 20, 21, 22, 23, 24 which divide the ventilation area. , 33, and the respective ventilation plates 20, 21, 22, 23, 24 are sintered so that they have little or no air permeability. For example, each annular partition film interposed between each ventilation plate is formed as an air-impermeable material with an adhesive that is a mixture of fine powder of an inorganic material such as metal or ceramic, and the other parts are the ventilation disk, the ventilation annular plate. Similarly, 20, 21, 22, 21, and 24 are formed into a breathable porous shape by using a binder prepared by kneading a fine powder of an inorganic material such as metal or ceramic, and this is formed into an integrally sintered body as a whole. To form.

【００１５】 この場合に、使用される無機質材料は、これに限定されるものではないが、前 記環状仕切膜３０、３１、３２、３３が＃８００メッシュの例えばグリーンカー ボンランダム微粉末を混練した接着剤を用い不通気性壁として構成する。通気円 板、通気環状板２０、２１、２２、２３、２４はそれぞれ略＃１００メッシュの 同様の粉末を使用し、これを前記環状仕切膜を介在させて同心に環状嵌合して全 体を円盤状に形成し、それを燒結することにより一体燒結体、所謂全体が通気性 を有するように、本体部１０を構成する。即ち、円形通気板２０並びに、これを 順次囲繞する通気環状板２１、２２、２３、２４を粘土状又は泥土状のバインダ ーに前記微粉末を混練して通気性をもつポーラス状に形成し、前記各通気板２０ 、２１、２２、２３、２４の外周に介在させる環状仕切膜は、前記微粉末を混練 した接着剤を介して、円形通気板２０の外側に環状通気板を順次嵌合して一体に 形成し、その表面を平坦にして１個の円盤状に形成し、それを５００〜１２００ ℃の高温で燒結することにより、実質的に環状仕切膜３０、３１、３２、３３と 各通気板２０、２１、２２、２３、２４との間に段差の全く無いものとして形成 するものである。そして、前記環状仕切膜３０、３１、３２、３３が最も細かい メッシュの前記粉末を混練して形成されているので、燒結させた結果通気性が大 巾に抑制された薄膜とした構成になり、各通気板２０、２１、２２、２３、２４ 間の境界の通気を遮断し、各通気板の吸着機能を果たすための仕切り機能が充分 発揮されるのである。In this case, the inorganic material to be used is not limited to this, but the above-mentioned annular partition membranes 30, 31, 32 and 33 are kneaded with, for example, green carbon random fine powder having a # 800 mesh. It is constructed as an impermeable wall using the above adhesive. The ventilation discs and the ventilation annular plates 20, 21, 22, 23, and 24 each use the same powder of approximately # 100 mesh, which is concentrically annularly fitted with the annular partition membrane interposed therebetween to form a whole body. The main body 10 is formed so as to have a disc shape and is sintered to form an integrally sintered body, that is, the entire body has air permeability. That is, the circular ventilation plate 20 and the ventilation annular plates 21, 22, 23, and 24 that surround the circular ventilation plate 20 are formed into a breathable porous form by kneading the fine powder with a clay-like or mud-like binder. The annular partition film interposed on the outer periphery of each of the ventilation plates 20, 21, 22, 23, 24 is formed by sequentially fitting the annular ventilation plate to the outer side of the circular ventilation plate 20 via an adhesive mixed with the fine powder. Are formed integrally with each other, and the surface thereof is flattened to form a disk shape, which is sintered at a high temperature of 500 to 1200 ° C. to substantially form the annular partition membranes 30, 31, 32, and 33. It is formed so that there is no step between the ventilation plates 20, 21, 22, 23, and 24. Since the annular partition membranes 30, 31, 32, 33 are formed by kneading the powder having the finest mesh, they are sintered to form a thin film whose breathability is significantly suppressed. The ventilation function at the boundary between the ventilation plates 20, 21, 22, 23, 24 is blocked, and the partition function for fulfilling the adsorption function of each ventilation plate is sufficiently exerted.

【００１６】 前記環状仕切膜は、上記各通気板２０、２１、２２、２３、２４の間の通気を 遮断する機能を果たすものであるから、その構成材は、上記したものに限らず、 上記各通気板２０、２１、２２、２３、２４の間に介在し、且つ上記各通気板２ ０、２１、２２、２３、２４を接着し、且つ、上記各通気板間の通気遮断機能を 発揮できる接着剤であれば、その成分は限定されない。Since the annular partition film has a function of blocking ventilation between the ventilation plates 20, 21, 22, 23, 24, the constituent material thereof is not limited to the above-mentioned ones, and It is interposed between the respective ventilation plates 20, 21, 22, 23, 24 and adheres the respective ventilation plates 20, 21, 22, 23, 24, and exerts a ventilation blocking function between the respective ventilation plates. The component is not limited as long as it is an adhesive that can be formed.

【００１７】 従って、ガラス系接着剤でもよいしアルミ系のエポキシ接着剤でもよいし、プ ラスチックフィルムにエポキシ接着剤、或はポリアミド接着剤を塗布したベース 材を用いてもよい。Therefore, a glass-based adhesive or an aluminum-based epoxy adhesive may be used, or a base material obtained by coating a plastic film with an epoxy adhesive or a polyamide adhesive may be used.

【００１８】 又、前記各通気板２０、２１、２２、２３、２４の径は、被処理物である半導 体ウエハのサイズに対応させてある。Further, the diameter of each of the ventilation plates 20, 21, 22, 23, 24 corresponds to the size of the semiconductor wafer which is the object to be processed.

【００１９】 このように形成することで、各種サイズの被処理物である半導体ウエハが、そ れぞれのサイズの各通気板２０、２１、２２、２３、２４と中心を合致して載置 するようにし、その後前記各通気板２０、２１、２２、２３、２４に対し、それ ぞれ後記する吸気機能を働かせることによって、各被処理物である半導体ウエハ はサイズを同じくするそれぞれの通気板２０、２１、２２、２３、２４に吸着で きる。By forming as described above, the semiconductor wafers, which are objects to be processed of various sizes, are placed with the respective ventilation plates 20, 21, 22, 23, 24 of the respective sizes aligned with the center. Then, each of the ventilation plates 20, 21, 22, 23, and 24 is made to have an air intake function to be described later, so that the semiconductor wafers to be processed have the same ventilation plate size. It can be adsorbed on 20, 21, 22, 23, and 24.

【００２０】 前記本体部３を構成する各種サイズの半導体ウエハとサイズを同じくする各通 気板２０、２１、２２、２３、２４は、図２のように吸気機能を発揮する。The air-permeable plates 20, 21, 22, 23, 24 having the same size as the semiconductor wafers of various sizes forming the main body 3 have an intake function as shown in FIG.

【００２１】 前記フレーム部材２における内側凹部の底面には、本体部１０を構成する各通 気板２０、２１、２２、２３、２４の位置する下側に、吸着機構、給水機構、給 気機構に通ずるバルブ２６、２７、２８、２９を介して配されたサクションパイ プ等に連通する吸気、給水通路が設けられている。On the bottom surface of the inner concave portion of the frame member 2, the suction mechanism, the water supply mechanism, and the air supply mechanism are provided on the lower side where the respective ventilation plates 20, 21, 22, 23, 24 constituting the main body 10 are located. Intake and water supply passages are provided to communicate with suction pipes and the like arranged via valves 26, 27, 28, 29 communicating with the.

【００２２】 その吸気、給水通路の一例を示す。フレーム部材２の底面に設けられた凹陥部 ４、並びに、これと同心に設けられた各環状溝部５、６、７、８には吸気孔５ａ 、６ａ、７ａ、８ａが設けられている。該吸気孔には、図２に示したように、サ クションパイプ等の吸気手段４０、４１、４２、４３、４４が連設されており、 各吸気手段は夫々バルブ４０ａ、４１ａ、４２ａ、４３ａ、４４ａを介して吸着 機構、給水機構、給気機構（図示しない）に接続されている。An example of the intake and water supply passages will be shown. Intake holes 5a, 6a, 7a, 8a are provided in the concave portion 4 provided on the bottom surface of the frame member 2 and the annular groove portions 5, 6, 7, 8 provided concentrically with the concave portion 4. As shown in FIG. 2, intake means 40, 41, 42, 43, 44, such as suction pipes, are continuously provided in the intake holes, and the intake means are provided with valves 40a, 41a, 42a, 43a, respectively. , 44a, and is connected to an adsorption mechanism, a water supply mechanism, and an air supply mechanism (not shown).

【００２３】 本体部１０を構成する各通気板２０、２１、２２、２３、２４は、前記フレー ム部材２の底面に設けられた吸気、給水通路上に位置し、前記各通気板２０、２ １、２２、２３、２４の間を仕切る環状仕切膜３０、３１、３２、３３は、吸気 、給水通路を形成する各環状溝５、６、７、８の間の底面に位置する。The ventilation plates 20, 21, 22, 23, 24 constituting the main body portion 10 are located on the intake and water supply passages provided on the bottom surface of the frame member 2, and the ventilation plates 20, 2, 23 are provided. The annular partition membranes 30, 31, 32, 33 for partitioning 1, 22, 23, 24 are located on the bottom surface between the respective annular grooves 5, 6, 7, 8 forming intake and water supply passages.

【００２４】 そして、前記バルブ４０ａ、４１ａ、４２ａ、４３ａ、４４ａを選択的に開閉 することで、被処理物のサイズに対応して吸引領域が設定されるのである。つま り、バルブ２４ａのみを開にし、他のバルブ４１ａ、４２ａ、４３ａ、４４ａを 閉にすると、吸引領域ａの部分に吸着作用が生じ、これに対応する例えば３イン チのサイズの被処理物が吸着できる。この場合に、吸引領域ａは環状仕切膜３０ によって仕切られており、凹陥部４を介して減圧された吸引作用がその環状仕切 膜３０内の範囲において作用し、それによって本体部１０における一定の領域、 即ち吸引領域ａの部分に吸着作用が生ずるようになるのである。By selectively opening and closing the valves 40a, 41a, 42a, 43a, 44a, the suction region is set according to the size of the object to be treated. In other words, when only the valve 24a is opened and the other valves 41a, 42a, 43a, 44a are closed, the suction action occurs in the suction area a, and the object to be treated corresponding to this, for example, a size of 3 inches. Can be adsorbed. In this case, the suction area a is partitioned by the annular partition membrane 30, and the suction action reduced through the concave portion 4 acts in the area within the annular partition membrane 30, whereby a constant amount in the main body portion 10 is maintained. The suction action occurs in the area, that is, the suction area a.

【００２５】 前記同様にして、例えば６インチのサイズの被処理物を載置吸着させる場合に は、バルブ４１ａ、４２ａ、４３ａを開にし、バルブ４４ａを閉にした状態で吸 引作用させると、吸引領域ｄの範囲が吸引作用を行うことになるのである。従っ て、バルブ４０ａ、４１ａを開にした場合には吸引領域ｂが吸引作用をして４イ ンチの被処理物を吸着し、全部のバルブを開にすると吸引領域ｅが吸引作用をし て８インチの被処理物を吸着するのであり、これ等を被処理物のサイズによって 適宜選択して切り替えれば良いのである。 又、本体部３を形成する材料としてグリーンカーボンランダムを使用した場合 を例にとって説明したがこれに代えてアランダムその他のセラミックスを使用し ても良いし、必要とあればアルミニウムの金属を使用しても良い。In the same manner as described above, when placing and adsorbing an object to be treated having a size of 6 inches, for example, when the valves 41a, 42a and 43a are opened and the valve 44a is closed, the suction action is performed. The range of the suction area d performs the suction action. Therefore, when the valves 40a and 41a are opened, the suction region b acts as a suction to adsorb an object to be processed in four inches, and when all the valves are opened, the suction region e acts as a suction. An 8-inch object to be processed is adsorbed, and these may be appropriately selected and switched depending on the size of the object to be processed. Further, the case where green carbon random is used as the material for forming the main body 3 has been described as an example, but instead of this, alundum or other ceramics may be used, and if necessary, aluminum metal may be used. May be.

【００２６】 図示実施例では、フレーム部材２の中央に凹陥部４を設け、これに吸気孔４ａ が設けられた構造を図示してあるが、この凹陥部４に代えて環状溝を穿設し、こ れに吸気孔を吸着機構、給水機構、給気機構に連通するように設けてもよいこと は勿論である。In the illustrated embodiment, the frame member 2 is provided with the concave portion 4 in the center thereof, and the intake hole 4a is provided in the concave portion 4. However, instead of the concave portion 4, an annular groove is formed. Of course, the intake hole may be provided so as to communicate with the adsorption mechanism, the water supply mechanism, and the air supply mechanism.

【００２７】 更に、前記バルブを介して設けられる吸気手段は給水機構、給気機構とも継が っており、半導体ウエハの研削、研磨作業終了後は、吸気通路を給水通路、給気 通路に代えて、各吸引領域を構成する各通気板に吸着した半導体ウエハの吸着解 除を行い、更に洗浄水を送り込み、各吸引領域の洗浄作業を行う構成となってい ることは従来と同じである。Further, the intake means provided via the valve is connected to the water supply mechanism and the air supply mechanism, and after the completion of the grinding and polishing work of the semiconductor wafer, the intake passage is replaced with the water supply passage and the air supply passage. As in the conventional case, the semiconductor wafer adsorbed on each ventilation plate constituting each suction area is removed by suction, and further cleaning water is fed to perform the cleaning operation for each suction area.

【００２８】[0028]

【考案の効果】[Effect of device]

以上説明したように本考案に係るユニバーサルチャックテーブルは、サイズの 異なる被処理物に対応して環状仕切膜で吸引領域が複数に区画され、その環状仕 切膜と吸引領域とが一体燒結体で形成された構成にしたことにより、前記環状仕 切膜が表面に露出していてもその表面は一体平面となり、該テーブル上にサイズ の異なる被処理物を選択的に載置し安定して吸着保持できると共に、被処理物上 から所定の押圧力を加えて加工しても、環状仕切膜の転写が全く生じないと言う 優れた効果を奏する。 As described above, in the universal chuck table according to the present invention, the suction region is divided into a plurality of regions by the annular partition film corresponding to the objects of different sizes, and the annular partition film and the suction region are integrally sintered. Due to the formed structure, even if the annular partition film is exposed on the surface, the surface becomes an integral flat surface, and the workpieces of different sizes are selectively placed on the table and stably adsorbed. It has an excellent effect that it can be held and that the transfer of the annular partition film does not occur at all even when processing is performed by applying a predetermined pressing force on the object to be processed.

【００２９】 転写模様は全く生ぜず、更に仕切壁を省略したので、従来のように吸引領域を 区画するのに環状仕切壁を以てするのではく環状仕切膜を以て区画するので、そ の巾は無視することができ、且つ、仕切壁とは材質も異なるので、チャックテー ブルの製造工程が簡略となる。Since the transfer pattern is not generated at all, and the partition wall is omitted, the width is neglected because the suction area is partitioned by an annular partition film instead of an annular partition wall. In addition, since the material of the partition wall is different from that of the partition wall, the manufacturing process of the chuck table is simplified.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図１】ユニバーサルチャックテーブルの一部切欠図で
ある。FIG. 1 is a partially cutaway view of a universal chuck table.

【図２】図１をＡ−Ａ線で切欠した断面図である。FIG. 2 is a cross-sectional view of FIG. 1 cut along the line AA.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

１ チャックテーブル ２ フレーム部材 ２ａ リング状環状壁 ４ 凹陥部 ５、６、７、８ 環状溝 ５ａ、６ａ、７ａ、８ａ 吸気孔 １０ 本体部 ２０、２１、２２、２３、２４ 通気環状板 ３０、３１、３２、３３ 環状仕切膜 ４０、４１、４２、４３、４４ 吸気手段 ４０ａ、４１ａ、４２ａ、４３ａ、４４ａ バルブ DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Chuck table 2 Frame member 2a Ring-shaped annular wall 4 Recessed parts 5, 6, 7, 8 Annular groove 5a, 6a, 7a, 8a Intake hole 10 Main body part 20, 21, 22, 23, 24 Ventilation annular plate 30, 31 , 32, 33 annular partition membrane 40, 41, 42, 43, 44 intake means 40a, 41a, 42a, 43a, 44a valve

Claims (5)

【実用新案登録請求の範囲】[Scope of utility model registration request] 【請求項１】 底面には、本体部を構成する通気円板と
これを囲繞する各通気環状板の下側に位置する、吸着機
構、給水機構、給気機構に通ずるバルブを介して配され
たサクションパイプに連通する各吸気、給水通路を設け
た環状壁を形成して成るフレームの内側に嵌合したこと
を特徴とする半導体ウエハのユニバーサルチャックテー
ブル。1. A bottom surface is provided with a ventilation disc that constitutes a main body and a valve that is located below each ventilation annular plate that surrounds the ventilation disc and that communicates with a suction mechanism, a water supply mechanism, and an air supply mechanism. A universal chuck table for a semiconductor wafer, characterized in that the universal chuck table for a semiconductor wafer is fitted inside a frame formed by an annular wall provided with intake and water supply passages communicating with a suction pipe. 【請求項２】 通気円板を中央に配し、その外輪に順次
大径の通気環状板を通気遮断環状仕切膜を介在して同心
に配して成る本体部を各通気板が、前記各吸気、給水通
路上に、各通気遮断環状仕切膜が、前記各吸気、給水通
路に位置させて、常法に従ってセラミック或はグリーン
カーボンランダム或は金属の微粉末を混練した接着剤を
用いて形成したことを特徴とする半導体ウエハのユニバ
ーサルチャックテーブル。2. A ventilation plate is disposed in the center, and a ventilation ring plate having a large diameter is sequentially arranged on its outer ring concentrically with a ventilation blocking annular partition film interposed therebetween. On each of the intake and water supply passages, each ventilation blocking annular partition film is formed on each of the intake and water supply passages by using an adhesive agent in which a fine powder of ceramic or green carbon random or metal is kneaded according to a conventional method. This is a universal chuck table for semiconductor wafers. 【請求項３】 通気遮断環状仕切膜をガラス系接着剤を
用いて形成したことを特徴とする半導体ウエハのユニバ
ーサルチャックテーブル。3. A universal chuck table for a semiconductor wafer, wherein the ventilation blocking annular partition film is formed by using a glass adhesive. 【請求項４】 通気遮断環状仕切膜をアルミ系エポキシ
接着剤を用いて形成したことを特徴とする半導体ウエハ
のユニバーサルチャックテーブル。4. A universal chuck table for a semiconductor wafer, wherein the ventilation blocking annular partition film is formed by using an aluminum-based epoxy adhesive. 【請求項５】 通気遮断環状仕切膜をエポキシ接着剤、
或はポリアミド接着剤を用いて形成したことを特徴とす
る半導体ウエハのユニバーサルチャックテーブル。5. A ventilation-blocking annular partition film is coated with an epoxy adhesive,
Alternatively, a universal chuck table for a semiconductor wafer, which is formed by using a polyamide adhesive.