JP3016658B2 - リードフレーム並びに半導体装置およびその製法 - Google Patents

リードフレーム並びに半導体装置およびその製法

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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明はリードフレーム並びにそ
のリードフレームを使用した半導体装置およびその製法
に関する。さらに詳しくは、端子数の増加に対応してリ
ードピッチが狭くなり、ファインピッチ化した半導体装
置を高精度で製造する方法およびそのためのリードフレ
ームに関する。
【0002】
【従来の技術】従来より、半導体装置の製造はつぎのよ
うに行われている。すなわち、図3〜4に示すようにリ
ードフレーム1のダイパッド部に半導体回路が形成され
た半導体チップが載置され、前記チップの電極部とダイ
パッド周囲に配置されるリード2とが金などの金属線に
より電気的に接続されたのち、前記ダイパッド部および
その周囲のリード2の一部とが樹脂11で封入(以下、モ
ールドという)され、そののちリードフレーム1から各
リード2が切断分離されて半導体装置が形成されてい
る。
【0003】各リード2は図3に示すように、リードフ
レームの状態ではモールドの際の樹脂流れ防止の機能も
有するタイバー3と連結バー4とで連結されて一定間隔
に保持され、細い支持部5でサイドレール6に保持され
ている。この細い支持部5は樹脂11でモールドされる際
に、樹脂11の収縮などによりリード2が個々に変形しな
いように、リード全体としてリードフレームから収縮に
対応できるようにバッファ部分として形成されているも
ので、他にラーメン構造とか蛇腹構造にしたものも利用
されている。このリードフレーム1からモールド後に各
リードを切断分離するには、リードフレーム1のサイド
レール6に形成された位置決め孔9で位置合わせされ、
図4に示すように、ポンチ13によりタイバー3が切断さ
れ、他の連結バー4部分の切断も行われている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】前述のように、モール
ドの際、樹脂の硬化につれて収縮力が働き、リード部分
も引張力を受け、細い支持部分が変形してその引張力が
吸収される。したがってモールド後にはリードフレーム
のサイドレールに対してリード部分は位置ずれが生じる
おそれがある。しかしタイバーカットなどはサイドレー
ルに形成された位置決め孔を基準としているため、ポン
チの位置がリードに対して正確に設定されず、ずれが生
じ、電気的、機械的に好ましくないという問題がある。
【0005】とくに、最近のICやLSIの小型化並び
に多機能化に伴うリード数の増加により、各リードが細
くしかもリード間隔が狭くなるいわゆるファインピッチ
化の進展(たとえばリード幅0.1mm 、ピッチ0.3mm でリ
ード間隔0.2mm)により、一層前述の位置ずれが大きな問
題となり、超ファインピッチ化の障害となっている。
【0006】一方、図5に示すように、特開昭63-21763
7 号公報にサイドレール6でなくダイパッド部に連結さ
れた支持体14とタイバー3により保持された基準部15が
形成され、該基準部に位置決め孔16が形成されたリード
フレームが開示されている。この基準部15はモールドさ
れるダイパッド部とリード部のみで支持されているた
め、樹脂の収縮などにも対応でき、相対位置関係を保持
し易いが、この基準部15はリード部から離れて細いタイ
バー3と支持体14のみで支持され、反対側が自由端にな
っているため、製造工程の僅かの外力で変形し易く、樹
脂でモールドされる前にリード部に対する相対的位置ず
れが発生し易いという問題がある。
【0007】本発明はこのような問題を解決し、ファイ
ンピッチ化された半導体装置でもリードフレームからの
切断分離を正確にできる半導体装置の製法およびそのた
めのリードフレームを提供することを目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明によるリードフレ
ームは、(a) 中心部に配置された半導体チップ載置用の
ダイパッド部、 (b) 該ダイパッド部の周囲に配置された複数個のリー
ド、 (c) 該複数個のリードを連結しているタイバー、 (d) 前記複数個のリードのうち、前記ダイパッド部の一
辺に対向して並ぶリードごとに該リードの終端部で連結
している複数の連結バー、および (e) 該複数の連結バーのそれぞれをサイドレールまたは
仕切枠に保持するとともに応力により変形し得る細い支
持部からなり、前記連結バーの、前記支持部より前記リ
ードの終端部に近い位置に前記タイバー切断するとき
の位置決め孔が形成されてなるものである。
【0009】また、本発明による半導体装置は前記リー
ドフレームを使用して形成されたもので、その製法は
(a) 請求項1記載のリードフレームの前記ダイパッド部
に半導体チップボンディングる工程、 (b) 前記半導体チップの電極パッドを前記ダイパッド部
の周囲に配置された複数個のリードと電気的に接続
工程、 (c) 前記半導体チップおよび前記複数個のリードの電気
的に接続された部分を、前記サイドレールに設けられた
位置決め基準孔を基準にして位置合わせし、樹脂で封入
る工程、および (d) そののち前記リードの終端部を連結している連結バ
ーに形成された位置決め孔を基準にして前記タイバー
切断る工程からなるものである。
【0010】
【作用】本発明によるリードフレームは各リードの終端
部を連結する連結バーが応力緩和のための細い支持部分
でサイドレールに連結されており、該連結バーに位置決
め孔が形成されているため、樹脂でモールドされたのち
のタイバーなどの切断は連結バーに設けられた位置決め
孔を基準にして各リードの切断が行われ、半導体装置が
製造される。
【0011】その結果、樹脂でモールドされる際に、収
縮が生じて各リードが引張られても細い支持部分で吸収
され、リード部分およびモールドされた樹脂部分はリー
ドフレームのサイドレールや仕切枠から位置ずれを生じ
るが、位置決め孔が形成された連結バーは各リードの終
端部に直結されているため、各リードとの位置関係は一
定に維持される。そのため、連結バーに形成された位置
決め孔を基準としてタイバー切断など各リードの切断分
離がなされると、正確な位置決めがなされ、細いリード
でピッチ間隔の狭いファインピッチ化されたリードで
も、リードを細らせることなく正確に切断される。
【0012】
【実施例】つぎに、図面を参照しながら本発明によるリ
ードフレームおよびそのリードフレームを使用した半導
体装置の製法について説明する。
【0013】図1は本発明の一実施例であるリードフレ
ームに半導体チップをダイボンディングし樹脂でモール
ドした状態の平面説明図、図2は図1のリード終端部の
拡大説明図である。
【0014】図1〜2において、リードフレーム1には
多数形成されたリード2が、図示されていない中心部に
配置されダイパッド部の廻りから放射状に延びタイバー
3で連結されると共に、その終端部も連結バー4で連結
され、連結バー4は細い支持部5でサイドレール6また
は仕切枠7で保持されている。タイバー3は各リード2
を一定間隔に保持すると共に、樹脂でモールドする際に
樹脂が外部に流出しないようにするストッパの役目を果
している。図示されていないダイパッド部はダイパッド
支持部8で支持され、ダイパッド支持部8もサイドレー
ル6および仕切枠7に保持されている。サイドレール6
にはインデックス孔9が形成され、モールド時の金型の
位置決めやリードフレーム1の搬送の際の基準孔として
用いられる。
【0015】本発明によるリードフレーム1では連結バ
ー4に位置決め孔10が形成されている。この連結バーは
前述のように各リード2の終端部が連結されて形成され
たもので、各リードに一番近い位置に形成されており、
しかもサイドレール6や仕切枠7とは細い支持部5で保
持されているため、樹脂11でモールドされる際に収縮力
が働いて各リード2が引張られても細い支持部5が変形
することにより、各リード2部と連結バー4とのあいだ
ではほとんど位置ずれを生じないで、一定の位置関係を
維持する。そのため、各リード2を連結しているタイバ
ー3を各リード2から切断除去する際に連結バー4に形
成された位置決め孔10を基準にしてポンチの位置合わせ
がされることにより、ポンチの位置がリード2の間隔に
正確に位置決めされ、細いリード2でリード間隔が狭く
ても、リード2を細らせることなくタイバー3が切断除
去される。
【0016】つぎに、このリードフレーム1を使用した
半導体装置の製法について説明する。
【0017】まず、前述のリードフレーム1のダイパッ
ド部に半導体回路が形成された半導体チップがプリフォ
ーム材によりボンディングされる。
【0018】つぎに、半導体チップの各電極パッドとダ
イパッド部の周囲に配置された各リードの先端部とが金
線などによるワイヤボンディングなどにより電気的に接
続される。
【0019】つぎに、前記半導体チップおよび前記ワイ
ヤボンディング部が樹脂11でトランスファモールドされ
封入固着される。具体例としては、リードフレーム1の
サイドレール6に形成されたインデックス孔9がトラン
スファモールドの金型のピンに合わせて配置され樹脂11
が注入されることにより製造される。この樹脂11の注入
は165 〜185 ℃位の高温でなされ、熱硬化し、常温に戻
る際に収縮方向の力を受け、リード先端部もそれに応じ
て引張られ、細い支持部5が変形してその収縮力を吸収
する。
【0020】そののち、モールドされた各々の半導体装
置の各リード部分が切断分離されて、リードがフォーミ
ングされることにより半導体装置が形成される。この各
リードの切断分離に当ってはリード2のあいだに存在す
るタイバー3が切断除去されると共に連結バー4部分が
切断除去されて各リードが独立に分離される。このタイ
バー3の切断はポンチが各リード2の間隔部のタイバー
3に当るように切断機に配置されてなされるが、本発明
の方法では、この切断機へのリードフレーム1の位置決
めが、連結バー4に形成された位置決め孔10によってな
される。したがって、リード2に直結した連結バー4が
基準にされているため、ポンチの位置が正確にリードの
間隔に合わせられ、正確にタイバー3の切断がなされ
る。このタイバー3の切断と同時にリード終端部での切
断もなされ、連結バー4部分も除去されリードフレーム
1から分離される。その結果、細いリードで狭いリード
間隔のファインピッチ化された半導体装置でも、位置ず
れ切断によるリードの狭幅化も生じず、歩留がよく信頼
性の高い半導体装置がえられる。このリードの切断は半
導体装置1個毎に位置決めして順次切断されることによ
り一層正確に切断できる。
【0021】
【発明の効果】本発明によれば、リードフレームからの
各リードを切断分離する際の切断機への位置合わせが各
リードに直結した各リード終端部での連結バーに形成さ
れた位置決め孔によりなされているため、樹脂でモール
ドされる際に収縮などによるリード部の変形が生じて
も、そのリード部を基準にしてポンチによる切断ができ
るため、正確にリードが切断分離される。
【0022】その結果、増々多ピン化され、超ファイン
ピッチ化される半導体装置もリードの切断分離が障害と
なることはなく、また、位置ずれ切断によりリードが狭
幅化して機械的強度が弱くなったり、電気的抵抗が増大
するというような不都合は生じなく、信頼性の高い超小
型で高機能の半導体装置がえられる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例であるリードフレームに半導
体チップをボンディングして樹脂でモールドされた状態
の平面説明図である。
【図2】図1のリード端部の拡大説明図である。
【図3】従来のリードフレームにモールドされた状態を
示す平面説明図である。
【図4】タイバー部を切断する状態の説明図である。
【図5】従来のリードフレームの他の例の部分拡大図で
ある。
【符号の説明】
1 リードフレーム 2 リード 3 タイバー 4 連結バー 5 細い支持部 6 サイドレール 7 仕切枠 10 位置決め孔 11 樹脂

Claims (3)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 (a) 中心部に配置された半導体チップ載
    置用のダイパッド部、 (b) 該ダイパッド部の周囲に配置された複数個のリー
    ド、 (c) 該複数個のリードを連結しているタイバー、 (d) 前記複数個のリードのうち、前記ダイパッド部の一
    辺に対向して並ぶリードごとに該リードの終端部で連結
    している複数の連結バー、および (e) 該複数の連結バーのそれぞれをサイドレールまたは
    仕切枠に保持するとともに応力により変形し得る細い支
    持部からなり、前記連結バーの、前記支持部より前記リ
    ードの終端部に近い位置に前記タイバー切断するとき
    の位置決め孔が形成されてなるリードフレーム。
  2. 【請求項2】 請求項1記載のリードフレームを使用し
    て、形成された半導体装置。
  3. 【請求項3】 (a) 請求項1記載のリードフレームの前
    記ダイパッド部に半導体チップボンディングる工
    程、 (b) 前記半導体チップの電極パッドを前記ダイパッド部
    の周囲に配置された複数個のリードと電気的に接続
    工程、 (c) 前記半導体チップおよび前記複数個のリードの電気
    的に接続された部分を、前記サイドレールに設けられた
    位置決め孔を基準にして位置合わせし、樹脂で封入
    工程、および (d) そののち前記リードの終端部を連結している連結バ
    ーに形成された位置決め孔を基準にして前記タイバー
    切断る工程からなる半導体装置の製法。
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Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5585670A (en) * 1995-09-05 1996-12-17 Mitsubishi Electric Semiconductor Software Co. Semiconductor device package
US6687980B1 (en) 1997-03-04 2004-02-10 Tessera, Inc. Apparatus for processing flexible tape for microelectronic assemblies
US6049972A (en) 1997-03-04 2000-04-18 Tessera, Inc. Universal unit strip/carrier frame assembly and methods
JP4161399B2 (ja) * 1998-03-12 2008-10-08 沖電気工業株式会社 半導体装置用樹脂基板及び半導体装置
US6544817B2 (en) * 2000-06-23 2003-04-08 Carsem Semiconductor Sdn. Bhd. Method for sawing a moulded leadframe package
DE10038120A1 (de) * 2000-08-04 2001-10-18 Infineon Technologies Ag Systemträger zum Verpacken von Halbleiterchips zu elektronischen Bauteilen und Verfahren zur Herstellung von Systemträgern und elektronischen Bauteilen
JP4801243B2 (ja) * 2000-08-08 2011-10-26 ルネサスエレクトロニクス株式会社 リードフレームおよびそれを用いて製造した半導体装置並びにその製造方法
US7061077B2 (en) 2002-08-30 2006-06-13 Fairchild Semiconductor Corporation Substrate based unmolded package including lead frame structure and semiconductor die
US7132734B2 (en) * 2003-01-06 2006-11-07 Micron Technology, Inc. Microelectronic component assemblies and microelectronic component lead frame structures
US7183485B2 (en) * 2003-03-11 2007-02-27 Micron Technology, Inc. Microelectronic component assemblies having lead frames adapted to reduce package bow
JP6389768B2 (ja) * 2015-01-23 2018-09-12 新日本無線株式会社 リード内蔵型回路パッケージの製造方法
USD864606S1 (en) 2018-06-06 2019-10-29 Sterile Standard, Inc. Paper towel dispenser
US11817374B2 (en) * 2021-04-14 2023-11-14 Texas Instruments Incorporated Electronic device with exposed tie bar

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4084312A (en) * 1976-01-07 1978-04-18 Motorola, Inc. Electrically isolated heat sink lead frame for plastic encapsulated semiconductor assemblies
US4663650A (en) * 1984-05-02 1987-05-05 Gte Products Corporation Packaged integrated circuit chip
JPS63148670A (ja) * 1986-12-12 1988-06-21 Texas Instr Japan Ltd リ−ドフレ−ム材
JP2671900B2 (ja) * 1987-03-06 1997-11-05 沖電気工業株式会社 半導体装置用リードフレーム
JPH01175250A (ja) * 1987-12-28 1989-07-11 Sony Corp リードフレーム及びそれを用いた半導体装置
JPH0828455B2 (ja) * 1988-02-24 1996-03-21 富士通株式会社 リードフレーム及びそれを用いた電子部品の製造方法
US5250470A (en) * 1989-12-22 1993-10-05 Oki Electric Industry Co., Ltd. Method for manufacturing a semiconductor device with corrosion resistant leads
US5206188A (en) * 1990-01-31 1993-04-27 Ibiden Co., Ltd. Method of manufacturing a high lead count circuit board
JP2608192B2 (ja) * 1991-04-26 1997-05-07 三菱電機株式会社 リードフレーム
DE4117814A1 (de) * 1991-05-31 1992-12-03 Bosch Gmbh Robert Werkzeug fuer feinstbearbeitung
US5289032A (en) * 1991-08-16 1994-02-22 Motorola, Inc. Tape automated bonding(tab)semiconductor device and method for making the same

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Publication number Publication date
US5411920A (en) 1995-05-02
US5309018A (en) 1994-05-03
JPH05304237A (ja) 1993-11-16

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