JP3011853B2

JP3011853B2 - 基板の洗浄残渣検査方法および検査装置

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Publication number: JP3011853B2
Application number: JP6083131A
Authority: JP
Inventors: 優美小倉; 佳英小山
Original assignee: Sharp Corp
Current assignee: Sharp Corp
Priority date: 1994-04-21
Filing date: 1994-04-21
Publication date: 2000-02-21
Anticipated expiration: 2015-02-21
Also published as: JPH07294513A

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、液晶表示素子等のフラ
ットディスプレイを製造する工程において、上記フラッ
トディスプレイを構成する基板の洗浄後に基板上に残る
酸、あるいはアルカリを検出する基板の洗浄残渣検査方
法および検査装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】一般に、液晶表示素子等のフラットディ
スプレイの製造工程においては、フラットディスプレイ
を構成するガラス基板の表面検査が行われる。このよう
な表面検査には、例えば物質表面の物理的性状を検査す
る方法である接触角測定法や、オージェ電子分光分析装
置、あるいはガスクロマトグラフィを利用した方法が用
いられる。また、ガラス基板上の皮脂や油膜等による汚
れを検出する方法としては、例えば特開平４−２５８７
６２号公報に開示されているように、水蒸気と不活性ガ
スを用いて、基板上の結露状態により上記の汚れを検出
する方法が開示されている。

【０００３】ところで、上記のフラットディスプレイの
製造工程において、上記ガラス基板上への透明電極の形
成や、レジスト膜または配向膜等の印刷が行われる際に
は、酸によるエッチング処理や苛性ソーダによる基板洗
浄が行われる。この際、酸またはアルカリが、完全に除
去されず、ガラス基板上に残渣として残ると、透明電極
の欠陥や、印刷ムラ、印刷はじき等の不良が発生して、
良品率の低下を招来する。また、液晶材料としてシアノ
系液晶材料を用いている場合、このような酸、あるいは
アルカリの残渣が、上記シアノ系液晶材料と反応する
と、アミド化合物が生成され、このアミド化合物が結晶
化すると、フラットディスプレイの表示不良を引き起こ
す原因となる。

【０００４】しかしながら、上述した従来の表面検査の
方法では、いずれも洗浄後のガラス基板上に残存する酸
またはアルカリを正確に検出することはできない。例え
ば接触角測定方法では、ガラス基板上の残渣の有無を検
出することは可能であるが、その成分まで特定すること
はできない。また、オージェ電子分光分析装置は、一般
に大型で、このような検査には不向きなだけでなく、
酸、アルカリ以外の残渣も同時に検出してしまうため、
検出された残渣のうち酸、アルカリのみを識別すること
は困難である。

【０００５】また、ガスクロマトグラフィーを利用した
場合には、発生した残渣の成分を特定することは可能で
あるが、残渣の発生状態を確認できない。また、特開平
４−２５８７６２号公報に開示されている方法は、上述
のように、皮脂、油膜等を検出することを目的とするも
のであるため、酸、アルカリを検出することはできな
い。

【０００６】そこで、酸性、あるいはアルカリ性の判定
に使用されるフェノールフタレイン試薬をガラス基板上
に滴下して、ガラス基板上の酸、あるいはアルカリを判
定することが考えられる。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、フェノ
ールフタレイン試薬を用いても、ガラス基板表面に存在
する酸、あるいはアルカリの有無を検出するにすぎず、
この結果を基に、基板上の残渣量を推定することは不可
能である。まして、酸およびアルカリと液晶との反応に
よるアミド化結晶現象まで正確にとらえることは困難で
ある。

【０００８】本発明は、上記従来の問題点に鑑みなされ
たものであって、その目的は、フラットディスプレイを
構成するガラス基板の表面状態を一定に保ち、透明電
極、レジスト膜、配向膜等の各種層の形成を安定にかつ
均一に行うと共に、フラットディスプレイの表示不良を
防止するために、フラットディスプレイの製造工程にお
いて実施される基板上の洗浄残渣の検査において、基板
上の残渣量を容易に、かつ正確に検知することができる
方法および検査装置を提供することにある。

【０００９】

【課題を解決するための手段】請求項１の発明に係る基
板の洗浄残渣検査方法は、上記の課題を解決するため
に、基板の洗浄後、この基板上に残る酸またはアルカリ
を検出する基板の洗浄残渣検査方法において、酸および
アルカリと反応することにより、化合物を結晶析出させ
る試薬を洗浄後の基板上に供給し、基板上に析出した結
晶の状態を評価することを特徴としている。

【００１０】また、請求項２の発明に係る基板の洗浄残
渣検査方法は、上記の課題を解決するために、請求項１
記載の基板の洗浄残渣検査方法において、上記試薬とし
て、少なくとも１００ｐｐｍの水分を含むシアノ系液晶
材料を用い、このシアノ系液晶材料を基板上に供給した
後、この基板を加熱し、さらに冷却して、酸、あるいは
アルカリとシアノ系液晶材料とが反応することにより基
板上に析出するアミド化合物の結晶の状態を評価するこ
とを特徴としている。

【００１１】また、請求項３の発明に係る基板の洗浄残
渣検査装置は、上記の課題を解決するために、基板の洗
浄後、この基板上に残る酸またはアルカリを検出する基
板の洗浄残渣検査装置において、酸およびアルカリと反
応することにより、化合物を結晶析出させる試薬を洗浄
後の基板上に供給する試薬供給手段を備えたことを特徴
としている。

【００１２】また、請求項４の発明に係る基板の洗浄残
渣検査装置は、上記の課題を解決するために、請求項３
記載の基板の洗浄残渣検査装置において、試薬供給後の
基板を加熱する加熱手段と、加熱後の基板を冷却する冷
却手段とを備えていると共に、上記試薬供給手段は、試
薬として少なくとも１００ｐｐｍの水分を含むシアノ系
液晶材料を用いることを特徴としている。

【００１３】

【作用】請求項１の方法によれば、上記基板上に酸およ
びアルカリと反応して化合物を結晶析出させる試薬を供
給すると、洗浄残渣として基板上に酸、あるいはアルカ
リが存在する場合には、生成された化合物の結晶が析出
するので、この結晶の有無および析出量を評価すること
によって、基板上における酸、あるいはアルカリの残渣
の有無および残渣量を検出することができる。したがっ
て、大型の装置を必要とすることなく、簡単な方法で、
より正確に酸、あるいはアルカリの洗浄残渣を検査でき
る。

【００１４】例えばフラットディスプレイの製造工程に
おいて、この方法を実施して洗浄残渣の検査を行うと、
酸、あるいはアルカリが表面に存在する基板を正確に検
出できるので、このような洗浄残渣のない、表面状態の
均一な基板のみをフラットディスプレイの製造に供する
ことが可能になる。これにより、酸、あるいはアルカリ
の洗浄残渣が原因となる透明電極の欠陥や、レジスト
膜、配向膜等の印刷ムラや、印刷はじき等を防ぐことが
でき、上記した各種層の形成を安定に、かつ均一に行え
る。

【００１５】また、請求項２の方法のように、上記試薬
として基板上に供給された少なくとも１００ｐｐｍの水
分を含むシアノ系液晶材料を用いると、基板上に酸が存
在する場合、液晶材料中に含まれ、一般式

【００１６】

【化１】

【００１７】で示される３ＰＣＨが、加熱により、以下
に示すような加水分解反応を起こし、アミド化合物を生
成する。

【００１８】

【化２】

【００１９】また、基板上にアルカリが存在する場合に
は、上記３ＰＣＨが、以下に示すような加水分解反応反
応を起こし、アミド化合物を生成する。

【００２０】

【化３】

【００２１】このようにして生成されたアミド化合物
は、液晶中に溶解しているが、冷却すると、結晶として
析出する。この結晶は、一度析出すると、常温では液晶
へ溶け込み難いので、基板表面の洗浄残渣である酸、あ
るいはアルカリが、上記アミド化合物の結晶の発生状態
により、容易に、かつ迅速、正確に検知できる。したが
って、液晶表示素子等の製造工程において、この方法に
より洗浄残渣の検査を行うと、基板上における酸、ある
いはアルカリの有無および残渣量を容易に、かつ迅速、
正確に検出できるだけでなく、表示不良の原因となるア
ミド化結晶現象をも容易に検出できる。

【００２２】また、請求項３の構成によれば、試薬供給
手段から、酸、あるいはアルカリと反応することにより
化合物を結晶析出させる試薬を基板上に供給するだけ
で、容易に基板上の、酸、あるいはアルカリの有無およ
び残渣量を検出できる。したがって、簡単な構成で、迅
速、かつ正確に基板における洗浄残渣の検査を行える装
置を安価に提供できる。また、このような装置を用いて
フラットディスプレイの製造工程における洗浄残渣の検
査を行えば、基板への各種層の形成時において、欠陥、
印刷ムラ、印刷はじき等が生じるのを防ぐことができ
る。

【００２３】また、請求項４の構成によれば、試薬とし
て、少なくとも１００ｐｐｍの水分を含むシアノ系液晶
材料を用い、さらに、試薬供給手段により、上記シアノ
系液晶材料を供給した後の基板を加熱する加熱手段と、
加熱後の基板を冷却する冷却手段が設けられている。基
板上に酸、あるいはアルカリが存在すれば、加熱手段に
より加熱されると、試薬として供給したシアノ系液晶材
料が加水分解されて、アミド化合物を生成する。このア
ミド化合物は、冷却手段により冷却されると、結晶とし
て析出するので、例えば液晶表示素子の製造工程におい
てこの装置を用いた洗浄残渣の検査を行えば、酸、ある
いはアルカリの有無および残渣量だけでなく、表示不良
の原因となるアミド化合物の結晶の発生状態をも検出で
きる。

【００２４】

【実施例】

〔実施例１〕本発明の一実施例について図１ないし図２
に基づいて説明すれば、以下の通りである。

【００２５】本実施例に係る基板の洗浄残渣検出装置
は、図１に示すように、ガラス基板１上の数カ所に、１
００ｐｐｍ以上の水分を含むシアノ系液晶材料２を滴下
する液晶滴下装置（試薬供給手段）３と、ガラス基板１
に素ガラス４を張り合わせた検査用基板５を加熱する加
熱装置６と、加熱後の検査用基板５を冷却する冷却装置
７とを備えている。

【００２６】本実施例では、上記シアノ系液晶材料２と
して、ネマティック−アイソトロピック転移点９０℃
で、一般式

【００２７】

【化４】

【００２８】で示されるシアノフェニルシクロヘキサン
系液晶材料を２０ｗｔ％含有するネマティック液晶を用
いた。尚、この液晶材料の含有水分量をカールフィッシ
ャー法で求めると２００ｐｐｍであった。

【００２９】次に、上記の構成の装置を用いて、洗浄残
渣を検出する方法を図２を参照して説明する。まず、図
示しない洗浄装置にて洗浄を完了したガラス基板１（図
２（ａ）参照）に、前記した液晶滴下装置３を用いて同
図（ｂ）に示すように、上記シアノ系液晶材料２を数カ
所滴下する。このガラス基板１に、同図（ｃ）に示すよ
うに、素ガラス４を張り合わせ、ガラス基板１と素ガラ
ス４との間に挟み込まれた上記シアノ系液晶材料２をガ
ラス基板１の全面に広げて、検査用基板５を形成する。

【００３０】この検査用基板５を前記した加熱装置６に
て、液晶転移点以上の温度（ここでは、１００℃とし
た）で、１時間加熱する。加熱後の検査用基板５（同図
（ｄ）参照）を前記した冷却装置７にて０℃、１時間の
条件で冷却し、冷却後の検査用基板５（同図（ｅ）参
照）に結晶が析出しているか否かによって、酸、あるい
はアルカリの有無を検出する。

【００３１】例えば２％の苛性ソーダで基板洗浄を行う
洗浄装置において、洗浄仕上げ工程を行う純水超音波洗
浄槽で出力低下異常が発生したために、アルカリが残渣
として残った基板を上記の方法で検査すると、加熱処理
により、ガラス基板１上に滴下したシアノ系液晶材料２
が、アルカリにより加水分解されてアミド化合物を生成
する。このアミド化合物は、冷却処理により結晶として
析出し、例えば同図（ｅ）において円で囲んだ部分にア
ルカリが存在しているとすると、この部分には、同図
（ｆ）に示すように、アミド化合物の結晶８が析出す
る。

【００３２】また、酸によるエッチング等を行った後の
ガラス基板を用いて、上記と同様に洗浄残渣の検査を実
施した場合には、基板上に酸が残存している部分で、加
熱により、シアノ系液晶材料２が加水分解され、アミド
化合物を形成するため、冷却を行うことにより、上記と
同様の結晶析出が観察される。尚、析出した結晶は、常
温では液晶に溶け込み難いので、結晶の析出状態は明確
に観察できる。また、この結晶をガスクロマトグラフィ
ーで調べたところ、アミド化合物であることが確認され
た。

【００３３】このように、酸、あるいはアルカリが洗浄
残渣としてガラス基板１上に存在する場合、上記の処理
を行うことにより、結晶が析出するので、ガラス基板１
上における酸、あるいはアルカリの有無や、絶対量等を
結晶の析出状態から、容易に、かつ迅速、正確に検出で
きる。

【００３４】尚、検査を実施するガラス基板１として
は、実際にフラットディスプレイの製造に用いられる基
板を使用してもよいし、フラットディスプレイを構成す
る基板と同様の処理を行ったダミー基板を用いてもよ
い。

【００３５】また、上記の検査を一般的に用いられてい
る恒温槽及び冷却槽を備えた簡易的な装置を用いて、１
ｃｍ角程度の小片に切り出したガラス基板サンプルに対
して実施した場合にも、酸、あるいはアルカリからなる
洗浄残渣が、容易に、かつ迅速、正確に検出できた。こ
のように、上記のような検査は、安価にして構成できる
装置でも、実行することが可能である。

【００３６】このような検査を例えば液晶表示素子の製
造工程に取り入れた場合、液晶表示素子に用いられるガ
ラス基板上に洗浄残渣として存在する酸、あるいはアル
カリの状態、および残渣量をより正確に検出できるの
で、これらの残渣が原因となって液晶表示素子に発生す
る透明電極の欠陥や、レジスト膜、配向膜等の印刷ム
ラ、印刷はじきを防ぐことができる。また、酸、あるい
はアルカリと液晶材料とが化学反応をなして結晶が発生
するのを未然に防ぐことができるので、この結晶が原因
となる表示不良を回避できる。

【００３７】〔実施例２〕次に、本発明の他の実施例
を、図３に基づいて説明すれば、以下の通りである。
尚、説明の便宜上、前記の実施例の図面に示した部材と
同一の機能を有する部材には、同一の符号を付記し、そ
の説明を省略する。

【００３８】本実施例に係る洗浄残渣検査装置は、酸、
あるいはアルカリによる洗浄工程と洗浄残渣の検査工程
とを一貫して行えるものである。このため、図３に示す
ように、本洗浄残渣検査装置１０には、例えば２％の苛
性ソーダを用いてガラス基板１を洗浄する洗浄部１１
と、液晶滴下部１２と、ガラス張り付け部１３と、ホッ
トプレート槽１４と、クールプレート槽１５と、結晶と
して析出したアミド化合物を自動的にカウントし、検査
の合否を判定する判定部１６とが、この順に一列に設け
られている。ガラス基板１は、上記洗浄槽１側から判定
部１６側に向かって順次搬送される。また、本洗浄残渣
検査装置１０には、上記した各部を制御すると共に、判
定部１６による検査結果の表示等を行うコントロールボ
ックス１７が設けられている。

【００３９】上記液晶滴下部１２は、１００ｐｐｍ以上
のシアノ系液晶材料を充填したシリンジ１８と、Ｎ₂ガ
スを用いてシリンジ１８を作動させるディスペンサ１９
と、上記シリンジ１８を上下動させるＺ軸方向作動ロッ
ド２０とを備えている。上記ガラス張り付け部１３は、
上記ガラス基板１に張り合わせる素ガラス４の保持およ
び解除が可能であり、また保持した素ガラス４を上下動
させるＺ軸方向作動ロッド２１を備えている。

【００４０】ホットプレート槽１４は、１００℃に、ク
ールプレート槽１５は０℃にそれぞれ設定されている。
判定部１６は、図示しない偏光板を備えた光源２２と、
図示しない偏光板を備えたＣＣＤ（Charge Coupled Dev
ice)カメラ２３と、このＣＣＤカメラ２３を検査ポイン
トへと移動させるＸ−Ｙテーブル２４と、ＣＣＤカメラ
２３で撮像した画像を映し出すモニターテレビ２５とを
備えている。判定部１６は、ＣＣＤカメラ２３により撮
像した画像を基に、結晶として析出したアミド化合物を
カウントし、カウント値と合否を判定した検査結果とを
上記コントロールボックス１７に出力する。

【００４１】本洗浄残渣検査装置１０は、通常は、生産
ラインとしての生産タクトにてスムーズに洗浄作業を行
い、指定された枚数毎、あるいはラインの立ち上げ前
に、コントロールボックス１７の制御により、予め設定
されたプログラムに基づいて切り換わり、上記した各部
での処理を実行して検査を行うようになっている。

【００４２】次に、上記の構成を備えた洗浄残渣検査装
置１０により行われるガラス基板１の洗浄および洗浄残
渣の検査について説明する。

【００４３】まず、ガラス基板１が上記洗浄部１１に送
られ、ここで、ガラス基板１に２％苛性ソーダが吹き付
けられる。この洗浄部１１を通過後、ガラス基板１は、
液晶滴下部１２まで搬送される。液晶滴下部１２では、
ガラス基板１が搬送されてくると、Ｚ軸方向作動ロッド
２０によりシリンジ１８を最適位置まで下降させ、さら
にディスペンサ１９を作動させて、ガラス基板１上の数
カ所に、シリンジ１８から前記実施例１と同様のシアノ
系液晶材料を滴下する。液晶材料滴下後のガラス基板１
は、続いてガラス張り付け部１３に搬送される。ガラス
張り付け部１３では、Ｚ軸方向作動ロッド２１により、
ガラス基板１上に素ガラス４を載置して張り付け、ガラ
ス基板１の全面に上記シアノ系液晶材料を広げて、前記
実施例１と同様の検査用基板を形成する。

【００４４】検査用基板は、この後、ホットプレート槽
１４に搬送され、１００℃で１時間加熱され、加熱後
は、クールプレート槽１５に搬送されて０℃で１時間冷
却される。酸、あるいはアルカリの存在する上記ガラス
基板１上の箇所では、ガラス基板１上に滴下されたシア
ノ系液晶材料が、加熱により酸、あるいはアルカリで加
水分解されて、アミド化合物が生成される。ガラス基板
１上で生成されたアミド化合物は、続いて冷却処理が行
われることにより、結晶として析出する。

【００４５】冷却を終了した検査用基板は、上記判定部
１６まで搬送され、光源部２２により光を照射されなが
ら、ＣＣＤカメラ２３で撮影される。これにより、ガラ
ス基板１上に析出した結晶を観察することができ、その
数量が判定部１６により自動的にカウントされる。

【００４６】このように、本実施例では、簡単な改造を
行うだけで、通常の生産ラインの中に洗浄残渣の検査工
程を組み込むことが可能になる。また、検査の判定等も
自動的に行えるので、さらに、検査が簡素化され、迅
速、かつ正確に行えるようになる。したがって、このよ
うな正確な検査を行えることにより、例えば液晶表示素
子の製造工程において、ガラス基板上に存在する酸、あ
るいはアルカリが原因となって、透明電極の欠陥や、レ
ジスト膜、配向膜等の印刷ムラ、印刷はじき等が発生す
るのを防ぐことができると共に、表示不良となるアミド
化結晶現象を未然に防ぐことも可能になる。

【００４７】尚、本実施例では、洗浄部において、苛性
ソーダを用いて洗浄処理を行った場合について説明した
が、洗浄液は、上記の苛性ソーダに限定されるものでは
なく、例えば酸を用いた処理を行う場合にも、同様の構
成の装置で検査を行うことが可能である。

【００４８】

【発明の効果】請求項１の発明に係る基板の洗浄残渣検
査方法は、以上のように、酸およびアルカリと反応する
ことにより、化合物を結晶析出させる試薬を洗浄後の基
板上に供給し、基板上に析出した結晶の状態を評価する
ものである。

【００４９】それゆえ、試薬をガラス基板上に供給する
ことにより析出した結晶の有無およびその量を評価する
ことによって、基板上における酸、あるいはアルカリの
残渣の有無および残渣量を検出することができ、大型の
装置を必要とすることなく、簡単な方法で、より正確に
酸、あるいはアルカリの洗浄残渣を検査できるという効
果を奏する。

【００５０】さらに、例えばフラットディスプレイの製
造工程において、この方法により洗浄残渣の検査を行う
と、洗浄残渣のない、表面状態の均一な基板のみをフラ
ットディスプレイの製造に供することが可能になり、
酸、あるいはアルカリの洗浄残渣が原因となる透明電極
の欠陥や、レジスト膜、配向膜等の印刷ムラや、印刷は
じき等を防ぐことができ、上記した各種層の形成を安定
に、かつ均一に行えるという効果を併せて奏する。

【００５１】また、請求項２の発明に係る基板の洗浄残
渣検査方法は、以上のように、上記試薬として、少なく
とも１００ｐｐｍの水分を含むシアノ系液晶材料を用
い、このシアノ系液晶材料を基板上に供給した後、この
基板を加熱し、さらに冷却して、酸、あるいはアルカリ
とシアノ系液晶材料とが反応することにより基板上に析
出するアミド化合物の結晶の状態を評価するものであ
る。

【００５２】そえゆえ、請求項１に係る効果に加えて、
基板上における酸、あるいはアルカリの有無および残渣
量を容易に、かつ迅速、正確に検出できるだけでなく、
表示不良の原因となるアミド化結晶現象をも容易に検出
できるという効果を奏する。

【００５３】また、請求項３の発明に係る基板の洗浄残
渣検査装置は、以上のように、酸およびアルカリと反応
することにより、化合物を結晶析出させる試薬を洗浄後
の基板上に供給する試薬供給手段を備えた構成である。

【００５４】それゆえ、簡単な構成で、迅速、かつ正確
に基板における洗浄残渣の検査を行える装置を安価に提
供できると共に、このような装置を用いてフラットディ
スプレイの製造工程における洗浄残渣の検査を行えば、
基板への各種層の形成時において、欠陥、印刷ムラ、印
刷はじき等が生じるのを防ぐことができるという効果を
奏する。

【００５５】また、請求項４の発明に係る基板の洗浄残
渣検査装置は、以上のように、試薬供給後の基板を加熱
する加熱手段と、加熱後の基板を冷却する冷却手段とを
備えていると共に、上記試薬供給手段は、試薬として少
なくとも１００ｐｐｍの水分を含むシアノ系液晶材料を
用いる構成である。

【００５６】それゆえ、請求項３に係る効果に加えて、
基板上に酸、あるいはアルカリが存在すれば、基板上に
供給したシアノ系液晶材料は、加熱手段により加熱され
ると、アミド化合物を生成し、さらに、このアミド化合
物は、冷却手段により冷却されると、結晶化するので、
例えば液晶表示素子の製造工程においてこの装置を用い
た洗浄残渣の検査を行えば、酸、あるいはアルカリの有
無および残渣量だけでなく、表示不良の原因となるアミ
ド化合物の結晶の発生状態をも検出できるという効果を
奏する。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例における基板の洗浄残渣検査
装置の概略の構成を示す模式図である。

【図２】上記洗浄残渣検査装置により検査を実施するガ
ラス基板の状態変化を示す模式図である。

【図３】本発明の他の実施例における基板の洗浄残渣検
査装置を示す斜視図である。

【符号の説明】

１ガラス基板（基板）２シアノ系液晶材料（試薬）３液晶滴下装置（試薬供給手段）６加熱装置（加熱手段）７冷却装置（冷却手段）８結晶１０洗浄残渣検査装置１２液晶滴下部（試薬供給手段）１４ホットプレート槽（加熱手段）１５クールプレート槽（冷却手段）

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】基板の洗浄後、この基板上に残る酸または
アルカリを検出する基板の洗浄残渣検査方法において、酸およびアルカリと反応することにより、化合物を結晶
析出させる試薬を洗浄後の基板上に供給し、基板上に析
出する結晶の状態を評価することを特徴とする基板の洗
浄残渣検査方法。
【請求項２】上記試薬として、少なくとも１００ｐｐｍ
の水分を含むシアノ系液晶材料を用い、このシアノ系液
晶材料を基板上に供給した後、この基板を加熱し、さら
に冷却して、酸、あるいはアルカリとシアノ系液晶材料
とが反応することにより基板上に析出するアミド化合物
の結晶の状態を評価することを特徴とする請求項１記載
の基板の洗浄残渣検査方法。
【請求項３】基板の洗浄後、この基板上に残る酸または
アルカリを検出する基板の洗浄残渣検査装置において、酸およびアルカリと反応することにより、化合物を結晶
析出させる試薬を洗浄後の基板上に供給する試薬供給手
段を備えたことを特徴とする基板の洗浄残渣検査装置。
【請求項４】試薬供給後の基板を加熱する加熱手段と、
加熱後の基板を冷却する冷却手段とを備えていると共
に、上記試薬供給手段は、試薬として少なくとも１００
ｐｐｍの水分を含むシアノ系液晶材料を用いることを特
徴とする請求項３記載の基板の洗浄残渣検査装置。