JP3008970B2 - Ｙ１２３型結晶構造を有する酸化物結晶膜 - Google Patents
Ｙ１２３型結晶構造を有する酸化物結晶膜Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、Ｙ１２３型結晶構造を
有する酸化物結晶膜に関するものである。
有する酸化物結晶膜に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、Ｙ１２３型結晶構造を有する酸化
物結晶膜は、基板物質の上に、直接作製されていた。あ
るいは、基板物質と、Ｙ１２３型結晶構造を有した酸化
物結晶との反応性を押さえ、酸化物結晶の結晶性を上げ
るため、格子定数の整合の良い酸化物結晶を中間層とし
て用いていた。
物結晶膜は、基板物質の上に、直接作製されていた。あ
るいは、基板物質と、Ｙ１２３型結晶構造を有した酸化
物結晶との反応性を押さえ、酸化物結晶の結晶性を上げ
るため、格子定数の整合の良い酸化物結晶を中間層とし
て用いていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記従
来の技術では、中間層を用いた場合においても、用いな
い場合においても、膜の結晶性は必ずしも良くなかっ
た。その原因は、基板あるいは中間層と、Ｙ１２３型結
晶構造を有した膜との格子定数の整合性が、良質の結晶
性が得られる程度には良くないからである。一方、液相
から初晶で晶出する結晶は、一般に、基板上で成長する
結晶に比べて結晶性がよいため、ほぼ単結晶が得られる
が、基板上に膜として晶出、成長させることは困難であ
った。
来の技術では、中間層を用いた場合においても、用いな
い場合においても、膜の結晶性は必ずしも良くなかっ
た。その原因は、基板あるいは中間層と、Ｙ１２３型結
晶構造を有した膜との格子定数の整合性が、良質の結晶
性が得られる程度には良くないからである。一方、液相
から初晶で晶出する結晶は、一般に、基板上で成長する
結晶に比べて結晶性がよいため、ほぼ単結晶が得られる
が、基板上に膜として晶出、成長させることは困難であ
った。
【０００４】本発明は、前記問題点を解決するためにな
されたものであり、本発明の目的は、Ｙ系１２３結晶構
造を有する酸化物の良質結晶膜を得ることが可能な技術
を提供することにある。
されたものであり、本発明の目的は、Ｙ系１２３結晶構
造を有する酸化物の良質結晶膜を得ることが可能な技術
を提供することにある。
【０００５】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述及び添付図面によって明らか
になるであろう。
な特徴は、本明細書の記述及び添付図面によって明らか
になるであろう。
【０００６】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に、本発明による酸化物結晶膜は、基板上に１２３型結
晶構造を有するＲｅＢａ2Ｃｕ3Ｏy（ＲｅはＹまたはラ
ンタノイドのうちの一種、ｙは酸素量である）の配向膜
を積層し、その上に液相から初晶で生成したＲｅＢａ2
Ｃｕ3Ｏyの結晶を積層した構成からなることを最も主要
な特徴とする。
に、本発明による酸化物結晶膜は、基板上に１２３型結
晶構造を有するＲｅＢａ2Ｃｕ3Ｏy（ＲｅはＹまたはラ
ンタノイドのうちの一種、ｙは酸素量である）の配向膜
を積層し、その上に液相から初晶で生成したＲｅＢａ2
Ｃｕ3Ｏyの結晶を積層した構成からなることを最も主要
な特徴とする。
【０００７】前記基板は、アルカリ土類元素を構成元素
として含む酸化物であることが好ましい。
として含む酸化物であることが好ましい。
【０００８】前記基板は、バリウム-銅酸化物の融液に
濡れない材質のものであることが好ましい。具体的には
基板としてＭｇＯが最も好適である。
濡れない材質のものであることが好ましい。具体的には
基板としてＭｇＯが最も好適である。
【０００９】前記配向膜において、結晶軸の配向方向は
種々のものを採用できる。例えば、ｃ軸を基板面に垂直
に配向させたものや、ａ軸を基板面に垂直に配向させた
ものを採用できる。配向膜のａ軸が基板に垂直に配向し
ている場合には、液相から成長する結晶膜もａ軸が基板
に垂直に配向する。例えば、特性の良いＳＩＳ接合を作
るには、Ｉ層の厚さをＳ層のコヒーレンス長程度とする
必要があり、ａ軸配向膜においては、コヒーレンス長の
長いａ軸が立っていることから、Ｉ層の長さを厚くする
ことができ、より製造しやすいという技術的特徴があ
る。
種々のものを採用できる。例えば、ｃ軸を基板面に垂直
に配向させたものや、ａ軸を基板面に垂直に配向させた
ものを採用できる。配向膜のａ軸が基板に垂直に配向し
ている場合には、液相から成長する結晶膜もａ軸が基板
に垂直に配向する。例えば、特性の良いＳＩＳ接合を作
るには、Ｉ層の厚さをＳ層のコヒーレンス長程度とする
必要があり、ａ軸配向膜においては、コヒーレンス長の
長いａ軸が立っていることから、Ｉ層の長さを厚くする
ことができ、より製造しやすいという技術的特徴があ
る。
【００１０】前記配向膜の厚さは、０.０１〜１μｍの
範囲内であることが好ましい。Ｙ１２３型結晶膜の結晶
性は、配向膜の厚さに依存する傾向があり、配向膜の厚
さ１μｍを越える場合には、多結晶化して配向性が悪化
するおそれがあるので好ましくない。逆に、配向膜の厚
さが０.０１μｍより薄い場合にも，同様に多結晶化し
て配向性が低下するおそれがあるので好ましくない。
範囲内であることが好ましい。Ｙ１２３型結晶膜の結晶
性は、配向膜の厚さに依存する傾向があり、配向膜の厚
さ１μｍを越える場合には、多結晶化して配向性が悪化
するおそれがあるので好ましくない。逆に、配向膜の厚
さが０.０１μｍより薄い場合にも，同様に多結晶化し
て配向性が低下するおそれがあるので好ましくない。
【００１１】前記配向膜は、プラズマ蒸着法で積層する
のが好ましい。
のが好ましい。
【００１２】前記プラズマ蒸着法において、具体的には
高周波プラズマ中に、Ｙ-Ｂａ-Ｃｕ-Ｏの酸化物原料粉
末を送り込み、蒸発させ、基材表面上に蒸着させる。
高周波プラズマ中に、Ｙ-Ｂａ-Ｃｕ-Ｏの酸化物原料粉
末を送り込み、蒸発させ、基材表面上に蒸着させる。
【００１３】前記ＲｅＢａ2Ｃｕ3Ｏyの結晶は、液相か
ら初晶で生成したものを用いるのが好ましい。
ら初晶で生成したものを用いるのが好ましい。
【００１４】前記配向膜上にＹ１２３型結晶構造を有す
る酸化物を積層させる方法としては、融液から膜のＹ１
２３型結晶が初晶で析出する条件で、配向膜上に結晶成
長させるのが好ましい。この場合、配向膜が必ずしも完
全に配向していないときでも良好な配向性を有する結晶
が得られる。
る酸化物を積層させる方法としては、融液から膜のＹ１
２３型結晶が初晶で析出する条件で、配向膜上に結晶成
長させるのが好ましい。この場合、配向膜が必ずしも完
全に配向していないときでも良好な配向性を有する結晶
が得られる。
【００１５】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面を用いて詳細に
説明する。
説明する。
【００１６】図１は、本発明のＹ１２３型結晶構造を有
する酸化物結晶膜の一実施例の構成を示す断面図であ
る。
する酸化物結晶膜の一実施例の構成を示す断面図であ
る。
【００１７】本実施例のＹ１２３型結晶構造を有する酸
化物結晶膜は、マグネシア単結晶基板１０１のへき界面
上に、プラズマ蒸着法により、Ｙ１２３結晶の配向膜１
０２を中間層として設け、その上に液相から成長したＹ
１２３結晶膜１０３を設けた構成になっている。
化物結晶膜は、マグネシア単結晶基板１０１のへき界面
上に、プラズマ蒸着法により、Ｙ１２３結晶の配向膜１
０２を中間層として設け、その上に液相から成長したＹ
１２３結晶膜１０３を設けた構成になっている。
【００１８】本実施例のＹ１２３型結晶構造を有する酸
化物結晶膜は、以下の方法で作製する。
化物結晶膜は、以下の方法で作製する。
【００１９】まず、マグネシア単結晶基板（棒状ブロッ
ク）１０１を昇温した。その時の基板１０１の蒸着表面
の温度は測定不可であるが、６００℃から１０００℃の
温度範囲に入っているものと思われる。そして、プラズ
マ蒸着法によるＹ-Ｂa-Ｃｕ-Ｏ酸化物原料粉末を送り込
み、１０分間蒸発させ、マグネシア単結晶基板１０１の
へき界面上に蒸着を行った。Ｙ-Ｂa-Ｃｕ-Ｏ酸化物原料
粉末の供給速度は測定していない。その直後酸素雰囲気
中で大気圧及び３００℃程度まで冷却し大気中に取り出
してＹ１２３結晶の配向膜（中間層）１０２を形成し
た。
ク）１０１を昇温した。その時の基板１０１の蒸着表面
の温度は測定不可であるが、６００℃から１０００℃の
温度範囲に入っているものと思われる。そして、プラズ
マ蒸着法によるＹ-Ｂa-Ｃｕ-Ｏ酸化物原料粉末を送り込
み、１０分間蒸発させ、マグネシア単結晶基板１０１の
へき界面上に蒸着を行った。Ｙ-Ｂa-Ｃｕ-Ｏ酸化物原料
粉末の供給速度は測定していない。その直後酸素雰囲気
中で大気圧及び３００℃程度まで冷却し大気中に取り出
してＹ１２３結晶の配向膜（中間層）１０２を形成し
た。
【００２０】前記プラズマ蒸着法の高周波プラズマ条件
及びＹ-Ｂa-Ｃｕ-Ｏ酸化物原料粉末については、表１に
示すとおりである。
及びＹ-Ｂa-Ｃｕ-Ｏ酸化物原料粉末については、表１に
示すとおりである。
【００２１】
【表１】
【００２２】図２に、本実施例のＹ１２３結晶の配向膜
（中間層）１０２のＸ線回折パターンを示す。このパタ
ーンにより、Ｙ１２３結晶の配向膜（中間層）は、マグ
ネシア単結晶基板１０１の面に対してｃ軸が立つ方向に
配向していることが判った。しかしながら、他の方向に
向いたピークも同時に観測され、配向性は良くないこと
が判明した。
（中間層）１０２のＸ線回折パターンを示す。このパタ
ーンにより、Ｙ１２３結晶の配向膜（中間層）は、マグ
ネシア単結晶基板１０１の面に対してｃ軸が立つ方向に
配向していることが判った。しかしながら、他の方向に
向いたピークも同時に観測され、配向性は良くないこと
が判明した。
【００２３】このマグネシア単結晶基板１０１上のＹ１
２３結晶の配向膜（中間層）１０２の上に、ＢａＯとＣ
ｕＯの混合融液を用いて、液相から初晶でＹ１２３型結
晶構造を有する酸化物結晶を成長させて作製した。
２３結晶の配向膜（中間層）１０２の上に、ＢａＯとＣ
ｕＯの混合融液を用いて、液相から初晶でＹ１２３型結
晶構造を有する酸化物結晶を成長させて作製した。
【００２４】前記液相から初晶でＹ１２３型結晶構造を
有する酸化物結晶を生成する方法は、例えば、図３に示
すように、内径３０ｍｍ、高さ５０ｍｍのイットリアる
つぼ１１内に、溶質供給物質としてＹ2ＢａＣｕＯ5（固
相の沈澱）１２を下部に入れ、溶剤となるＢａＯとＣｕ
Ｏの混合融液として、ＢａとＣｕのモル比が３：５とな
るように炭酸バリウムと酸化銅を混合し８８０℃で４０
時間仮焼した後の物質（液相）１３を上部に入れる。
有する酸化物結晶を生成する方法は、例えば、図３に示
すように、内径３０ｍｍ、高さ５０ｍｍのイットリアる
つぼ１１内に、溶質供給物質としてＹ2ＢａＣｕＯ5（固
相の沈澱）１２を下部に入れ、溶剤となるＢａＯとＣｕ
Ｏの混合融液として、ＢａとＣｕのモル比が３：５とな
るように炭酸バリウムと酸化銅を混合し８８０℃で４０
時間仮焼した後の物質（液相）１３を上部に入れる。
【００２５】図３において、１４はマグネシア単結晶基
板１０１のへき界面上にＹ１２３結晶の配向膜（中間
層）１０２を設けたもの、１５は種結晶の支持棒（マグ
ネシア単結晶基板１０１）、１６は白金サセプタ、１７
は加熱用高周波コイルである。
板１０１のへき界面上にＹ１２３結晶の配向膜（中間
層）１０２を設けたもの、１５は種結晶の支持棒（マグ
ネシア単結晶基板１０１）、１６は白金サセプタ、１７
は加熱用高周波コイルである。
【００２６】使用するるつぼ１１の材質は、イットリア
に限らず、マグネシア、アルミナ、安定化ジルコニア等
耐蝕性のある材質が使用できる。ＢａとＣｕのモル比
は、３：５に限らず３：５から３：８程度までの量比で
もよい。下部に入れた物質（液相）１３と上部に入れた
物質（固相の沈澱）１２の重量比は１：４である。この
重量比は１：２から１：１０程度でもよい。
に限らず、マグネシア、アルミナ、安定化ジルコニア等
耐蝕性のある材質が使用できる。ＢａとＣｕのモル比
は、３：５に限らず３：５から３：８程度までの量比で
もよい。下部に入れた物質（液相）１３と上部に入れた
物質（固相の沈澱）１２の重量比は１：４である。この
重量比は１：２から１：１０程度でもよい。
【００２７】これらの溶質と溶媒を入れたるつぼ１１を
約１０００℃に加熱し、溶剤を溶解させた。この段階
で、下部に溶質供給物質であるＹ2ＢａＣｕＯ5が沈殿し
ており、上部に溶媒であるＢａＯとＣｕＯの混合が液体
状態を保っていた。この状態の液相部分に種として、前
記マグネシア単結晶基板１０１上にプラズマ蒸着により
形成したＹ１２３結晶の配向膜（中間層）１０２を接触
させ、るつぼ１１の温度を２０℃程度低下させ、毎分１
００回転の回転数で、上方向に毎時０.２ｍｍの速さで
引き上げることによって、単結晶のＹ１２３結晶膜１０
３を作製することができた。
約１０００℃に加熱し、溶剤を溶解させた。この段階
で、下部に溶質供給物質であるＹ2ＢａＣｕＯ5が沈殿し
ており、上部に溶媒であるＢａＯとＣｕＯの混合が液体
状態を保っていた。この状態の液相部分に種として、前
記マグネシア単結晶基板１０１上にプラズマ蒸着により
形成したＹ１２３結晶の配向膜（中間層）１０２を接触
させ、るつぼ１１の温度を２０℃程度低下させ、毎分１
００回転の回転数で、上方向に毎時０.２ｍｍの速さで
引き上げることによって、単結晶のＹ１２３結晶膜１０
３を作製することができた。
【００２８】この単結晶のＹ１２３結晶膜１０３は、鏡
面を有しており、偏光顕微鏡の観察により、双晶壁は存
在するが、粒界のない、結晶性の良い結晶であることが
判明した。
面を有しており、偏光顕微鏡の観察により、双晶壁は存
在するが、粒界のない、結晶性の良い結晶であることが
判明した。
【００２９】配向性のＹ１２３型結晶構造を有する中間
層の作製が可能な方法であれば、プラズマ蒸着法に限ら
ず、膜形成の手段を問わない。
層の作製が可能な方法であれば、プラズマ蒸着法に限ら
ず、膜形成の手段を問わない。
【００３０】以上、本発明者によってなされた発明を、
前記実施例に基づき具体的に説明したが、本発明は、前
記実施例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱し
ない範囲において種々変更可能であることは勿論であ
る。
前記実施例に基づき具体的に説明したが、本発明は、前
記実施例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱し
ない範囲において種々変更可能であることは勿論であ
る。
【００３１】
【発明の効果】以上、説明したように、本発明によれ
ば、Ｙ系１２３結晶構造を有する酸化物の良質結晶膜を
得ることができる。また、このＹ系１２３結晶構造を有
する酸化物の良質結晶膜を容易に作製することができ
る。
ば、Ｙ系１２３結晶構造を有する酸化物の良質結晶膜を
得ることができる。また、このＹ系１２３結晶構造を有
する酸化物の良質結晶膜を容易に作製することができ
る。
【図１】 本発明のＹ１２３型結晶構造を有する酸化物
結晶膜の一実施例の構成を示す断面図、
結晶膜の一実施例の構成を示す断面図、
【図２】 本実施例のＹ１２３結晶の配向膜（中間層）
のＸ線回折パターンを示す図、
のＸ線回折パターンを示す図、
【図３】 本実施例のＹ１２３型結晶構造を有する酸化
物結晶膜の作製法を説明するための実施装置の模式構成
図。
物結晶膜の作製法を説明するための実施装置の模式構成
図。
１１…内径３０ｍｍ、高さ５０ｍｍのイットリアるつ
ぼ、１２…Ｙ2ＢａＣｕＯ5（固相の沈澱）、１３…炭酸
バリウムと酸化銅を混合し８８０℃で４０時間仮焼した
後の物質（液相）、１４…種結晶棒のへき界面上にＹ１
２３結晶の配向膜を中間層として設けたもの、１５…種
結晶の支持棒、１６…白金サセプタ、１７…加熱用高周
波コイル、１０１…マグネシア単結晶基板、１０２…Ｙ
１２３結晶の配向膜、１０３…Ｙ１２３結晶膜。
ぼ、１２…Ｙ2ＢａＣｕＯ5（固相の沈澱）、１３…炭酸
バリウムと酸化銅を混合し８８０℃で４０時間仮焼した
後の物質（液相）、１４…種結晶棒のへき界面上にＹ１
２３結晶の配向膜を中間層として設けたもの、１５…種
結晶の支持棒、１６…白金サセプタ、１７…加熱用高周
波コイル、１０１…マグネシア単結晶基板、１０２…Ｙ
１２３結晶の配向膜、１０３…Ｙ１２３結晶膜。
フロントページの続き (73)特許権者 000005120 日立電線株式会社 東京都千代田区大手町一丁目６番１号 (73)特許権者 000241957 北海道電力株式会社 北海道札幌市中央区大通東１丁目２番地 (73)特許権者 000164438 九州電力株式会社 福岡県福岡市中央区渡辺通２丁目１番82 号 (73)特許権者 000156938 関西電力株式会社 大阪府大阪市北区中之島３丁目３番22号 (73)特許権者 000000099 石川島播磨重工業株式会社 東京都千代田区大手町２丁目２番１号 (73)特許権者 000005186 株式会社フジクラ 東京都江東区木場１丁目５番１号 (72)発明者 山田 容士 東京都江東区東雲１丁目14番３ 財団法 人 国際超電導産業技術研究センター 超電導工学研究所内 (72)発明者 中村 優 東京都江東区東雲１丁目14番３ 財団法 人 国際超電導産業技術研究センター 超電導工学研究所内 (72)発明者 辰巳 憲之 東京都江東区東雲１丁目14番３ 財団法 人 国際超電導産業技術研究センター 超電導工学研究所内 (72)発明者 辻野 二朗 東京都江東区東雲１丁目14番３ 財団法 人 国際超電導産業技術研究センター 超電導工学研究所内 (72)発明者 大津 敢視 東京都江東区東雲１丁目14番３ 財団法 人 国際超電導産業技術研究センター 超電導工学研究所内 (72)発明者 金森 康夫 東京都江東区東雲１丁目14番３ 財団法 人 国際超電導産業技術研究センター 超電導工学研究所内 (72)発明者 田上 稔 東京都江東区東雲１丁目14番３ 財団法 人 国際超電導産業技術研究センター 超電導工学研究所内 (72)発明者 久米 篤 東京都江東区東雲１丁目14番３ 財団法 人 国際超電導産業技術研究センター 超電導工学研究所内 (72)発明者 塩原 融 東京都江東区東雲１丁目14番３ 財団法 人 国際超電導産業技術研究センター 超電導工学研究所内 (72)発明者 田中 昭二 東京都江東区東雲１丁目14番３ 財団法 人 国際超電導産業技術研究センター 超電導工学研究所内 (56)参考文献 特開 平４−349108（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) C30B 1/00 - 35/00
Claims (5)
- 【請求項１】 基板上に１２３型結晶構造を有するＲｅ
Ｂａ2Ｃｕ3Ｏy（ＲｅはＹまたはランタノイドのうちの
一種、ｙは酸素量である）の配向膜を積層し、その上に
液相から初晶で生成したＲｅＢａ2Ｃｕ3Ｏyの結晶を積
層した構成からなることを特徴とする酸化物結晶膜。 - 【請求項２】 前記基板は、アルカリ土類元素を構成元
素として含む酸化物であることを特徴とする請求項１に
記載の酸化物結晶膜。 - 【請求項３】 前記基板は、バリウム−銅酸化物の融液
に濡れない材質のものであることを特徴とする請求項１
に記載の酸化物結晶膜。 - 【請求項４】 前記アルカリ土類元素は、Ｍｇであるこ
とを特徴とする請求項１乃至３のうちいずれか１項に記
載の酸化物結晶膜。 - 【請求項５】 前記配向膜は、プラズマ蒸着法で積層し
たものであることを特徴とする請求項１乃至４のうちい
ずれか１項に記載の酸化物結晶膜。
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|---|---|---|---|
| JP5184712A JP3008970B2 (ja) | 1993-07-27 | 1993-07-27 | Ｙ１２３型結晶構造を有する酸化物結晶膜 |
| US08/279,416 US5627142A (en) | 1993-07-27 | 1994-07-25 | Method of producing composite metal oxide material |
| EP94305540A EP0636714B1 (en) | 1993-07-27 | 1994-07-27 | Process for the preparation of a composite metal oxide material |
| DE69416906T DE69416906T2 (de) | 1993-07-27 | 1994-07-27 | Verfahren zur Herstellung eines Materials aus Metalloxydgemischen |
| US08/769,353 US5998050A (en) | 1992-07-27 | 1996-12-19 | Composite metal oxide material |
Applications Claiming Priority (1)
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|---|---|---|---|
| JP5184712A JP3008970B2 (ja) | 1993-07-27 | 1993-07-27 | Ｙ１２３型結晶構造を有する酸化物結晶膜 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0733590A JPH0733590A (ja) | 1995-02-03 |
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Family
ID=16158050
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5184712A Expired - Fee Related JP3008970B2 (ja) | 1992-07-27 | 1993-07-27 | Ｙ１２３型結晶構造を有する酸化物結晶膜 |
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| EP (1) | EP0636714B1 (ja) |
| JP (1) | JP3008970B2 (ja) |
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| US6163713A (en) * | 1997-03-07 | 2000-12-19 | Nec Corporation | High frequency transmission line capable of improving an intermodulation distortion characteristic in a high frequency device |
| JPH10256812A (ja) * | 1997-03-07 | 1998-09-25 | Nec Corp | 高周波伝送路及び高周波デバイス |
| GB9716571D0 (en) * | 1997-08-05 | 1997-10-08 | Cambridge Advanced Materials | Liquid phase epitaxy |
| US6221812B1 (en) * | 1998-07-20 | 2001-04-24 | Board Of Regents, The University Of Texas System | Jc in high magnetic field of bi-layer and multi-layer structures for high temperature superconductive materials |
| CA2344040A1 (en) * | 1998-09-14 | 2000-04-20 | William Larry Hults | Superconducting structure including mixed rare earth barium-copper compositions |
| WO2000063926A1 (fr) * | 1999-04-15 | 2000-10-26 | Fujikura Ltd. | Supraconducteur a oxyde, procede de fabrication correspondant et materiau de base pour supraconducteur a oxyde |
| US6613463B1 (en) * | 1999-09-06 | 2003-09-02 | International Superconductivity Technology Center | Superconducting laminated oxide substrate and superconducting integrated circuit |
| US6541079B1 (en) * | 1999-10-25 | 2003-04-01 | International Business Machines Corporation | Engineered high dielectric constant oxide and oxynitride heterostructure gate dielectrics by an atomic beam deposition technique |
| US7160820B2 (en) * | 2001-05-15 | 2007-01-09 | International Superconductivity Technology Center, The Juridical Foundation | Method of preparing oxide crystal film/substrate composite and solution for use therein |
| US6830776B1 (en) | 2002-02-08 | 2004-12-14 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force | Method of manufacturing a high temperature superconductor |
| JP2012096938A (ja) * | 2010-10-29 | 2012-05-24 | Railway Technical Research Institute | 超電導体製造用種結晶および種結晶を用いた超電導体の製造方法 |
| RU2612847C2 (ru) * | 2011-03-30 | 2017-03-13 | ЭМБАЧЕР Инк. | Электрические, механические, вычислительные и/или другие устройства, сформированные из материалов с чрезвычайно низким сопротивлением |
| CN103060914B (zh) * | 2012-12-04 | 2016-01-13 | 上海交通大学 | 阶梯型加速缓冷快速生长rebco高温超导块体的方法 |
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| KR910007382B1 (ko) * | 1987-08-07 | 1991-09-25 | 가부시기가이샤 히다찌세이사꾸쇼 | 초전도 재료 및 초전도 박막의 제조방법 |
| KR910007384B1 (ko) * | 1987-09-16 | 1991-09-25 | 가부시끼가이샤 한도다이 에네르기 겐뀨쇼 | 초전도 산화물 형성방법 및 장치 |
| IT1217585B (it) * | 1988-05-13 | 1990-03-30 | Enichem Spa | Film sottili superconduttori ad elevata densita' di corrente e loro metodo di preparazione |
| US5200389A (en) * | 1989-03-13 | 1993-04-06 | The Tokai University Juridicial Foundation | Method for manufacturing an oxide superconducting article |
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| US5236892A (en) * | 1989-05-29 | 1993-08-17 | Nkk Corporation | Method for manufacturing oxide superconducting article |
| US5055445A (en) * | 1989-09-25 | 1991-10-08 | Litton Systems, Inc. | Method of forming oxidic high Tc superconducting materials on substantially lattice matched monocrystalline substrates utilizing liquid phase epitaxy |
| CA2037795C (en) * | 1990-03-09 | 1998-10-06 | Saburo Tanaka | Process for preparing high-temperature superconducting thin films |
| US5206213A (en) * | 1990-03-23 | 1993-04-27 | International Business Machines Corp. | Method of preparing oriented, polycrystalline superconducting ceramic oxides |
| US5358927A (en) * | 1990-05-31 | 1994-10-25 | Bell Communications Research, Inc. | Growth of a,b-axis oriented pervoskite thin films |
| JP2740427B2 (ja) * | 1992-05-25 | 1998-04-15 | 財団法人国際超電導産業技術研究センター | 酸化物結晶の作製方法 |
| US5314869A (en) * | 1992-09-16 | 1994-05-24 | The Texas A & M University System | Method for forming single phase, single crystalline 2122 BCSCO superconductor thin films by liquid phase epitaxy |
| JPH06321695A (ja) * | 1993-05-10 | 1994-11-22 | Kokusai Chodendo Sangyo Gijutsu Kenkyu Center | Ｙ１２３型結晶構造を有する酸化物結晶膜及び膜積層体 |
-
1993
- 1993-07-27 JP JP5184712A patent/JP3008970B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1994
- 1994-07-25 US US08/279,416 patent/US5627142A/en not_active Expired - Lifetime
- 1994-07-27 EP EP94305540A patent/EP0636714B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1994-07-27 DE DE69416906T patent/DE69416906T2/de not_active Expired - Fee Related
-
1996
- 1996-12-19 US US08/769,353 patent/US5998050A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
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| EP0636714B1 (en) | 1999-03-10 |
| US5627142A (en) | 1997-05-06 |
| DE69416906T2 (de) | 1999-08-26 |
| JPH0733590A (ja) | 1995-02-03 |
| US5998050A (en) | 1999-12-07 |
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