JP3007758B2 - Ito導電膜とその製造方法 - Google Patents
Ito導電膜とその製造方法Info
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Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、液晶表示パネル若しく
はその他の表示装置の透明電極又は各種デバイスの電極
/配線材料として用いられるITO[Indium Tin Oxid
e]導電膜に関する。
はその他の表示装置の透明電極又は各種デバイスの電極
/配線材料として用いられるITO[Indium Tin Oxid
e]導電膜に関する。
【0002】
【従来の技術】ITO導電膜は、インジウム・錫酸化物
からなる透明な導電膜であり、表示装置の透明電極等と
して広く利用されている。このITO導電膜を用いる表
示装置の一例としてアクティブマトリクス型液晶表示装
置の絵素の構成を図4に示す。ゲートバスライン21と
ソースバスライン22との各交差部には、TFT23と
絵素電極24とが形成されている。TFT23は、ガラ
ス基板上に形成した薄膜トランジスタであり、ゲートバ
スライン21から伸びたゲート電極23a上にゲート絶
縁膜を介して半導体23bを形成し、この半導体23b
の一方をソースバスライン22から伸びたソース電極2
3cに接続すると共に、他方をドレイン電極23dを介
して絵素電極24に接続している。絵素電極24は、図
示しない対向電極との間に充填した液晶に電界を印加す
るための電極である。また、この絵素電極24の一端部
の下層には、絶縁膜を介して蓄積容量用バスライン25
が形成され、この蓄積容量用バスライン25との間に蓄
積容量が形成されるようになっている。
からなる透明な導電膜であり、表示装置の透明電極等と
して広く利用されている。このITO導電膜を用いる表
示装置の一例としてアクティブマトリクス型液晶表示装
置の絵素の構成を図4に示す。ゲートバスライン21と
ソースバスライン22との各交差部には、TFT23と
絵素電極24とが形成されている。TFT23は、ガラ
ス基板上に形成した薄膜トランジスタであり、ゲートバ
スライン21から伸びたゲート電極23a上にゲート絶
縁膜を介して半導体23bを形成し、この半導体23b
の一方をソースバスライン22から伸びたソース電極2
3cに接続すると共に、他方をドレイン電極23dを介
して絵素電極24に接続している。絵素電極24は、図
示しない対向電極との間に充填した液晶に電界を印加す
るための電極である。また、この絵素電極24の一端部
の下層には、絶縁膜を介して蓄積容量用バスライン25
が形成され、この蓄積容量用バスライン25との間に蓄
積容量が形成されるようになっている。
【0003】上記TFT23の製造プロセスを図4のA
−A断面を示す図5に基づいて説明する。
−A断面を示す図5に基づいて説明する。
【0004】まず、ガラス基板31上にタンタル(T
a)による下層配線32を形成し、電解液によって陽極
酸化処理を行ってこの下層配線32の表面に陽極酸化膜
33を形成する。次に、CVD法によってこの下層配線
32を窒化シリコン(SiNx)からなる絶縁膜34で
覆い、この上層に真性アモルファスシリコン半導体3
5、エッチングストッパ膜36及びリン(P)をドープ
して高濃度のn型半導体としたアモルファスシリコン半
導体37を形成する。そして、さらにスパッタリングに
よってこれらの上層にチタン(Ti)による上層配線3
8とインジウム・錫酸化物によるITO導電膜39を形
成して、各層の一部を上方からエッチングストッパ膜3
6までエッチングにより除去する。
a)による下層配線32を形成し、電解液によって陽極
酸化処理を行ってこの下層配線32の表面に陽極酸化膜
33を形成する。次に、CVD法によってこの下層配線
32を窒化シリコン(SiNx)からなる絶縁膜34で
覆い、この上層に真性アモルファスシリコン半導体3
5、エッチングストッパ膜36及びリン(P)をドープ
して高濃度のn型半導体としたアモルファスシリコン半
導体37を形成する。そして、さらにスパッタリングに
よってこれらの上層にチタン(Ti)による上層配線3
8とインジウム・錫酸化物によるITO導電膜39を形
成して、各層の一部を上方からエッチングストッパ膜3
6までエッチングにより除去する。
【0005】すると、図4に示すゲート電極23aが図
5の下層配線32によって構成され、半導体23bが真
性アモルファスシリコン半導体35とアモルファスシリ
コン半導体37によって構成され、ソース電極23cが
エッチングにより分割された一方の上層配線38とIT
O導電膜39によって構成され、ドレイン電極23dが
他方の上層配線38によって構成されることになり、こ
れによってTFT23が形成される。また、ソースバス
ライン22は、ソース電極23cを構成する一方の上層
配線38とITO導電膜39によってそのまま構成さ
れ、絵素電極24は、他方の上層配線38の上に重なる
ITO導電膜39によって構成されることになる。
5の下層配線32によって構成され、半導体23bが真
性アモルファスシリコン半導体35とアモルファスシリ
コン半導体37によって構成され、ソース電極23cが
エッチングにより分割された一方の上層配線38とIT
O導電膜39によって構成され、ドレイン電極23dが
他方の上層配線38によって構成されることになり、こ
れによってTFT23が形成される。また、ソースバス
ライン22は、ソース電極23cを構成する一方の上層
配線38とITO導電膜39によってそのまま構成さ
れ、絵素電極24は、他方の上層配線38の上に重なる
ITO導電膜39によって構成されることになる。
【0006】さらに、図4のB−B断面を示す図6で
は、上記蓄積容量用バスライン25が下層配線32によ
って構成され、この蓄積容量用バスライン25の上層を
絶縁膜を介して覆う絵素電極24の一端部が陽極酸化膜
33と絶縁膜34を介してこの下層配線32を覆うIT
O導電膜39によって構成され、これによって蓄積容量
が形成される。
は、上記蓄積容量用バスライン25が下層配線32によ
って構成され、この蓄積容量用バスライン25の上層を
絶縁膜を介して覆う絵素電極24の一端部が陽極酸化膜
33と絶縁膜34を介してこの下層配線32を覆うIT
O導電膜39によって構成され、これによって蓄積容量
が形成される。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】ところが、従来のIT
O導電膜39は、酸化インジウムと酸化錫をターゲット
として不活性ガス又はこれに酸素ガスを添加した低圧の
スパッタガス雰囲気中でスパッタリングを行うことによ
り成膜していたので、透明度や膜厚が安定せず、しか
も、比抵抗が高くなるという問題が発生していた。
O導電膜39は、酸化インジウムと酸化錫をターゲット
として不活性ガス又はこれに酸素ガスを添加した低圧の
スパッタガス雰囲気中でスパッタリングを行うことによ
り成膜していたので、透明度や膜厚が安定せず、しか
も、比抵抗が高くなるという問題が発生していた。
【0008】即ち、スパッタリングを行うスパッタ室の
内壁面やターゲット電極及びスパッタホルダ等には、大
気中の酸素や水分がわずかながら吸着されている。従っ
て、スパッタガスに添加する酸素ガスの量を調整して
も、これら内壁面等に吸着していた酸素や水分が不純ガ
スとなって影響を与えるので、スパッタガス中の酸素ガ
ス量を精密に制御することが困難となる。このため、従
来は、この酸素ガス量を精密に制御できないために、成
膜したITO導電膜39の透明度を安定させることがで
きず、また膜厚も不安定となり、しかも比抵抗が800
μΩcm程度の比較的高い値となっていた。そして、この
ITO導電膜39の透明度が悪くなると、絵素電極24
として使用した場合に表示品位が低下し、また膜厚が薄
くなったり比抵抗が高いと、ソースバスライン22とな
る下層配線32の冗長構成としてのITO導電膜39が
用を成さなくなるという不都合が生じる。
内壁面やターゲット電極及びスパッタホルダ等には、大
気中の酸素や水分がわずかながら吸着されている。従っ
て、スパッタガスに添加する酸素ガスの量を調整して
も、これら内壁面等に吸着していた酸素や水分が不純ガ
スとなって影響を与えるので、スパッタガス中の酸素ガ
ス量を精密に制御することが困難となる。このため、従
来は、この酸素ガス量を精密に制御できないために、成
膜したITO導電膜39の透明度を安定させることがで
きず、また膜厚も不安定となり、しかも比抵抗が800
μΩcm程度の比較的高い値となっていた。そして、この
ITO導電膜39の透明度が悪くなると、絵素電極24
として使用した場合に表示品位が低下し、また膜厚が薄
くなったり比抵抗が高いと、ソースバスライン22とな
る下層配線32の冗長構成としてのITO導電膜39が
用を成さなくなるという不都合が生じる。
【0009】本発明は、上記事情に鑑み、スパッタガス
中に窒素ガスを添加して窒素を含ませることにより、透
明度が良好で比抵抗が低いITO導電膜を提供すること
を目的としている。
中に窒素ガスを添加して窒素を含ませることにより、透
明度が良好で比抵抗が低いITO導電膜を提供すること
を目的としている。
【0010】
【課題を解決するための手段】本発明のITO導電膜
は、インジウム・錫酸化物に水素が0.001〜50a
t.%含まれており、そのことによって、上記目的が達
成される。また、インジウム・錫酸化物に窒素が0.0
01〜50at.%含まれ、比抵抗が10 -4 Ωcmオー
ダーであり、そのことによって、上記目的が達成され
る。本発明のITO導電膜の製造方法は、酸化インジウ
ムと酸化錫をターゲットとして低圧のスパッタガス雰囲
気中でスパッタリングを行うITO導電膜の製造方法に
おいて、スパッタガスに窒素、SiH4、NH3及びPH
3ガスの中の何れか1つを11〜50容量%添加してス
パッタリングを行っており、そのことによって上記目的
が達成される。前記スパッタガスに更に酸素ガスを0.
001〜10容量%添加してスパッタリングを行っても
よい。
は、インジウム・錫酸化物に水素が0.001〜50a
t.%含まれており、そのことによって、上記目的が達
成される。また、インジウム・錫酸化物に窒素が0.0
01〜50at.%含まれ、比抵抗が10 -4 Ωcmオー
ダーであり、そのことによって、上記目的が達成され
る。本発明のITO導電膜の製造方法は、酸化インジウ
ムと酸化錫をターゲットとして低圧のスパッタガス雰囲
気中でスパッタリングを行うITO導電膜の製造方法に
おいて、スパッタガスに窒素、SiH4、NH3及びPH
3ガスの中の何れか1つを11〜50容量%添加してス
パッタリングを行っており、そのことによって上記目的
が達成される。前記スパッタガスに更に酸素ガスを0.
001〜10容量%添加してスパッタリングを行っても
よい。
【0011】
【0012】
【0013】
【作用】酸化インジウムと酸化錫をターゲットとして窒
素ガスを11〜50容量%添加した低圧のスパッタガス
雰囲気中でスパッタリングを行うと、スパッタリング装
置内に侵入していた酸素及び水分による不純ガスがこの
窒素ガスによって置換緩和されるので、ITO導電膜の
成膜に悪影響を及ぼすのを防止することができる。ま
た、このような条件でITO導電膜の成膜を行うと、成
膜されたITO導電膜に窒素が0.001〜50at.
%取り込まれる。そして、この窒素は、ITO導電膜内
でドナーとして作用することになる。
素ガスを11〜50容量%添加した低圧のスパッタガス
雰囲気中でスパッタリングを行うと、スパッタリング装
置内に侵入していた酸素及び水分による不純ガスがこの
窒素ガスによって置換緩和されるので、ITO導電膜の
成膜に悪影響を及ぼすのを防止することができる。ま
た、このような条件でITO導電膜の成膜を行うと、成
膜されたITO導電膜に窒素が0.001〜50at.
%取り込まれる。そして、この窒素は、ITO導電膜内
でドナーとして作用することになる。
【0014】この結果、本発明の製造方法によれば、不
純ガスの悪影響を排して、透明度が良好で一定の膜厚の
ITO導電膜を安定して製造することができるようにな
る。また、この製造方法によって製造することができる
本発明のITO導電膜は、窒素がドナーとして作用する
ため、比抵抗を低くすることができるようになる。
純ガスの悪影響を排して、透明度が良好で一定の膜厚の
ITO導電膜を安定して製造することができるようにな
る。また、この製造方法によって製造することができる
本発明のITO導電膜は、窒素がドナーとして作用する
ため、比抵抗を低くすることができるようになる。
【0015】窒素ガスの代わりに、SiH4、NH3、P
H3等を用いても同様の効果が得られる。この場合は、
SiH4のH、NH3のN、PH3のPがドナーとして作
用し、窒素ガスを添加する場合と同様の効果を呈する。
H3等を用いても同様の効果が得られる。この場合は、
SiH4のH、NH3のN、PH3のPがドナーとして作
用し、窒素ガスを添加する場合と同様の効果を呈する。
【0016】不活性ガスに更に0.001〜10容量%
の酸素ガス(O2)を添加すると、ITOの酸素欠損部
に酸素原子が導入されて、透過率の高いITO導電膜を
得ることが出来る。
の酸素ガス(O2)を添加すると、ITOの酸素欠損部
に酸素原子が導入されて、透過率の高いITO導電膜を
得ることが出来る。
【0017】
【実施例】以下、図面を参照しながら、本発明の実施例
を詳述する。
を詳述する。
【0018】図1及び図2は本発明の一実施例を示すも
のであって、図1はスパッタリング装置の構成を示す縦
断面図、図2はスパッタガスに添加する窒素濃度の変化
に対するITO導電膜の比抵抗と膜厚の関係を示す図で
ある。
のであって、図1はスパッタリング装置の構成を示す縦
断面図、図2はスパッタガスに添加する窒素濃度の変化
に対するITO導電膜の比抵抗と膜厚の関係を示す図で
ある。
【0019】本実施例に用いるスパッタリング装置は、
図1に示すように、スパッタ室1の前後にローディング
ストッカ2とアンローディングストッカ3を配置してい
る。そして、スパッタリングによりITO導電膜を形成
する基板4は、スパッタホルダ5に取り付けられて一旦
ローディングストッカ2に収納されてから、1枚ずつス
パッタ室1に供給され、スパッタリングが完了するとア
ンローディングストッカ3に排出されるようになってい
る。また、これらスパッタ室1、ローディングストッカ
2及びアンローディングストッカ3は、それぞれバルブ
6を介して真空ポンプ7に接続され、内部を高真空にす
ることができるようになっている。
図1に示すように、スパッタ室1の前後にローディング
ストッカ2とアンローディングストッカ3を配置してい
る。そして、スパッタリングによりITO導電膜を形成
する基板4は、スパッタホルダ5に取り付けられて一旦
ローディングストッカ2に収納されてから、1枚ずつス
パッタ室1に供給され、スパッタリングが完了するとア
ンローディングストッカ3に排出されるようになってい
る。また、これらスパッタ室1、ローディングストッカ
2及びアンローディングストッカ3は、それぞれバルブ
6を介して真空ポンプ7に接続され、内部を高真空にす
ることができるようになっている。
【0020】上記スパッタ室1内には、ターゲット電極
8とヒータ9が備えられ、ターゲット電極8には直流電
源10が接続されると共に、ヒータ9には図示しない電
源が接続されている。また、このスパッタ室1には、ス
パッタガス導入管11が接続され、アルゴンガス(A
r)と酸素ガス(O2)と窒素ガス(N2)とが任意の割
合で導入できるようになっている。
8とヒータ9が備えられ、ターゲット電極8には直流電
源10が接続されると共に、ヒータ9には図示しない電
源が接続されている。また、このスパッタ室1には、ス
パッタガス導入管11が接続され、アルゴンガス(A
r)と酸素ガス(O2)と窒素ガス(N2)とが任意の割
合で導入できるようになっている。
【0021】上記構成のスパッタリング装置を使用する
には、まず、酸化インジウム(In2O3)に10重量%
程度の酸化錫(SnO2)を添加したターゲット12を
ターゲット電極8に磁力によって支持させる。また、ロ
ーディングストッカ2からスパッタホルダ5に取り付け
られて供給された基板4は、このターゲット12の上方
に対向配置する。次に、この基板4の温度をヒータ9に
よって200°C前後まで上昇させてこれを20分間維
持することにより真空加熱を行い、真空ポンプ7によっ
てスパッタ室1内をさらに10-6Torr以下の高真空
にした後に、スパッタガス導入管11からアルゴンガス
に15容量%程度の窒素ガスを添加したスパッタガスを
導入して、スパッタ室1内のガス圧を3mTorr程度
に調整する。そして、直流電源10により例えば500
Wの電力をターゲット電極8に供給してターゲット12
と基板4との間に放電を起こさせるとスパッタリングが
行われる。
には、まず、酸化インジウム(In2O3)に10重量%
程度の酸化錫(SnO2)を添加したターゲット12を
ターゲット電極8に磁力によって支持させる。また、ロ
ーディングストッカ2からスパッタホルダ5に取り付け
られて供給された基板4は、このターゲット12の上方
に対向配置する。次に、この基板4の温度をヒータ9に
よって200°C前後まで上昇させてこれを20分間維
持することにより真空加熱を行い、真空ポンプ7によっ
てスパッタ室1内をさらに10-6Torr以下の高真空
にした後に、スパッタガス導入管11からアルゴンガス
に15容量%程度の窒素ガスを添加したスパッタガスを
導入して、スパッタ室1内のガス圧を3mTorr程度
に調整する。そして、直流電源10により例えば500
Wの電力をターゲット電極8に供給してターゲット12
と基板4との間に放電を起こさせるとスパッタリングが
行われる。
【0022】スパッタリングは、ターゲット12から飛
散したインジウム・錫酸化物のスパッタ粒子が対向する
基板4の表面に付着しITO導電膜として成膜されるこ
とにより行われる。また、この際、スパッタ室1の内壁
面やターゲット12の表面、スパッタホルダ5等から放
出される不純ガス中の酸素や水分がスパッタガスに添加
された窒素ガスによって置換緩和されるので、基板4の
表面に成膜されるITO導電膜と直接酸化反応を行うの
を防止することができる。しかも、この窒素ガスは、I
TO導電膜にも僅かながら取り込まれるため、この取り
込まれた窒素がドナーとして作用できるようになる。
散したインジウム・錫酸化物のスパッタ粒子が対向する
基板4の表面に付着しITO導電膜として成膜されるこ
とにより行われる。また、この際、スパッタ室1の内壁
面やターゲット12の表面、スパッタホルダ5等から放
出される不純ガス中の酸素や水分がスパッタガスに添加
された窒素ガスによって置換緩和されるので、基板4の
表面に成膜されるITO導電膜と直接酸化反応を行うの
を防止することができる。しかも、この窒素ガスは、I
TO導電膜にも僅かながら取り込まれるため、この取り
込まれた窒素がドナーとして作用できるようになる。
【0023】上記スパッタリングにおいて、スパッタガ
スに添加する窒素ガスの濃度を変化させて成膜したIT
O導電膜の比抵抗と膜厚を測定した結果を図2に示す。
但し、この時の基板4の温度は、200℃である。窒素
ガスを添加しない従来方法の場合には、ITO導電膜の
比抵抗が約800μΩcmであり、これに僅かな窒素ガス
を添加すると比抵抗が一旦上昇し5容量%あたりでピー
クの1500μΩcmに達する。しかし、さらに窒素ガス
の濃度を高くするとこの比抵抗が低下し始め、11容量
%を超えたところで元の800μΩcmより低い値とな
り、以降は比較的安定して50容量%までの範囲で40
0μΩcm前後の低い比抵抗を得ることができるようにな
る。また、成膜されるITO導電膜の膜厚も、窒素ガス
濃度が低い場合には厚さが不安定になるが、11容量%
を超えると安定した膜厚を得ることができるようにな
る。そして、このように窒素ガスを11〜50容量%の
範囲で添加したときに成膜されるITO導電膜のインジ
ウム・錫酸化物には、窒素が0.001〜50at.%
含まれる。
スに添加する窒素ガスの濃度を変化させて成膜したIT
O導電膜の比抵抗と膜厚を測定した結果を図2に示す。
但し、この時の基板4の温度は、200℃である。窒素
ガスを添加しない従来方法の場合には、ITO導電膜の
比抵抗が約800μΩcmであり、これに僅かな窒素ガス
を添加すると比抵抗が一旦上昇し5容量%あたりでピー
クの1500μΩcmに達する。しかし、さらに窒素ガス
の濃度を高くするとこの比抵抗が低下し始め、11容量
%を超えたところで元の800μΩcmより低い値とな
り、以降は比較的安定して50容量%までの範囲で40
0μΩcm前後の低い比抵抗を得ることができるようにな
る。また、成膜されるITO導電膜の膜厚も、窒素ガス
濃度が低い場合には厚さが不安定になるが、11容量%
を超えると安定した膜厚を得ることができるようにな
る。そして、このように窒素ガスを11〜50容量%の
範囲で添加したときに成膜されるITO導電膜のインジ
ウム・錫酸化物には、窒素が0.001〜50at.%
含まれる。
【0024】この結果、上記のように窒素ガスを11〜
50容量%の範囲で添加してスパッタリングを行うと、
不純ガスの悪影響を排し、透明度が良好で一定の膜厚の
ITO導電膜を安定して製造することができるようにな
る。また、これによって成膜され窒素を0.001〜5
0at.%含んだITO導電膜は、この窒素がドナーと
して作用するため、比抵抗を400μΩcm前後まで低く
することができるようになる。
50容量%の範囲で添加してスパッタリングを行うと、
不純ガスの悪影響を排し、透明度が良好で一定の膜厚の
ITO導電膜を安定して製造することができるようにな
る。また、これによって成膜され窒素を0.001〜5
0at.%含んだITO導電膜は、この窒素がドナーと
して作用するため、比抵抗を400μΩcm前後まで低く
することができるようになる。
【0025】ここでは、基板4の温度を200℃とした
が、成膜条件を変えることにより更に低比抵抗なITO
導電膜を得ることもできる。例えば、基板4の温度が3
00℃では、比抵抗が300μΩcmのITO導電膜を成
膜することができる。
が、成膜条件を変えることにより更に低比抵抗なITO
導電膜を得ることもできる。例えば、基板4の温度が3
00℃では、比抵抗が300μΩcmのITO導電膜を成
膜することができる。
【0026】なお、上記実施例では、スパッタガスにア
ルゴンを使用したが、その他にもヘリウム(He)、ク
リプトン(Kr)又はキセノン(Xe)等の不活性ガス
を用いて同様の効果を得ることができる。また、上記実
施例では、アルゴンガスに窒素ガスを添加したスパッタ
ガスを使用したが、不活性ガスに窒素を混合し更に酸素
ガス(O2)を添加することもできる。
ルゴンを使用したが、その他にもヘリウム(He)、ク
リプトン(Kr)又はキセノン(Xe)等の不活性ガス
を用いて同様の効果を得ることができる。また、上記実
施例では、アルゴンガスに窒素ガスを添加したスパッタ
ガスを使用したが、不活性ガスに窒素を混合し更に酸素
ガス(O2)を添加することもできる。
【0027】上記スパッタガスに窒素を添加したスパッ
タリングにおいて、スパッタガスに更に添加する酸素ガ
スの濃度を変化させて成膜したITO導電膜の比抵抗及
び透過率を測定した結果を図3に示す。但し、透過率の
測定には、膜厚がおよそ800オングストロームのIT
O導電膜及び550nmの光を使用した。図3から分か
るように、この様にして得られたITO導電膜の比抵抗
はおよそ400μΩcmと低く、透過率も従来のITO導
電膜が同条件で80%程度であったのに比べて90%程
度まで向上している。この時の酸素の添加量は全体の
0.001〜10容量%、望ましくは、0.1〜5容量
%が適当である。
タリングにおいて、スパッタガスに更に添加する酸素ガ
スの濃度を変化させて成膜したITO導電膜の比抵抗及
び透過率を測定した結果を図3に示す。但し、透過率の
測定には、膜厚がおよそ800オングストロームのIT
O導電膜及び550nmの光を使用した。図3から分か
るように、この様にして得られたITO導電膜の比抵抗
はおよそ400μΩcmと低く、透過率も従来のITO導
電膜が同条件で80%程度であったのに比べて90%程
度まで向上している。この時の酸素の添加量は全体の
0.001〜10容量%、望ましくは、0.1〜5容量
%が適当である。
【0028】更に、窒素ガスの代わりに、SiH4、N
H3、PH3等を用いても同様の効果が得られる。この場
合は、SiH4のH、NH3のN又はPH3のPがドナー
として作用し、窒素ガスを添加する場合と同様の効果を
呈する。各々のガスの添加量は、窒素ガスと同様に、1
1〜50容量%の範囲内に最適添加量がある。
H3、PH3等を用いても同様の効果が得られる。この場
合は、SiH4のH、NH3のN又はPH3のPがドナー
として作用し、窒素ガスを添加する場合と同様の効果を
呈する。各々のガスの添加量は、窒素ガスと同様に、1
1〜50容量%の範囲内に最適添加量がある。
【0029】上記のようにして成膜したITO導電膜
は、液晶表示装置のみならずEL表示装置やその他の情
報処理機器の電極/配線材料として用いることができ
る。また、TFTを用いたアクティブマトリクス方式の
みならず、MIM等を用いたアクティブマトリクス方式
にも使用することができ、その他、単純マトリクス方式
等にも利用することもできる。
は、液晶表示装置のみならずEL表示装置やその他の情
報処理機器の電極/配線材料として用いることができ
る。また、TFTを用いたアクティブマトリクス方式の
みならず、MIM等を用いたアクティブマトリクス方式
にも使用することができ、その他、単純マトリクス方式
等にも利用することもできる。
【0030】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
によれば、不純ガスによる悪影響を排して透明度が良好
で膜厚が一定となり比抵抗が低いITO導電膜を安定し
て製造することができるようになる。
によれば、不純ガスによる悪影響を排して透明度が良好
で膜厚が一定となり比抵抗が低いITO導電膜を安定し
て製造することができるようになる。
【図1】本発明の一実施例を示すものであって、スパッ
タリング装置の構成を示す縦断面図である。
タリング装置の構成を示す縦断面図である。
【図2】本発明の一実施例を示すものであって、スパッ
タガスに添加する窒素濃度の変化に対するITO導電膜
の比抵抗及び膜厚の関係を示す図である。
タガスに添加する窒素濃度の変化に対するITO導電膜
の比抵抗及び膜厚の関係を示す図である。
【図3】本発明の一実施例を示すものであって、スパッ
タガスに更に添加する酸素濃度の変化に対するITO導
電膜の比抵抗及び透過率の関係を示す図である。
タガスに更に添加する酸素濃度の変化に対するITO導
電膜の比抵抗及び透過率の関係を示す図である。
【図4】アクティブマトリクス型液晶表示装置の絵素の
構成を示す平面図である。
構成を示す平面図である。
【図5】図4のA−A断面を示すTFTの縦断面図であ
る。
る。
【図6】図4のB−B断面を示す蓄積容量の縦断面図で
ある。
ある。
12 ターゲット 39 ITO導電膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 宮後 誠 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シャープ株式会社内 (72)発明者 永安 孝好 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シャープ株式会社内 (72)発明者 島田 康憲 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シャープ株式会社内 (56)参考文献 特開 平4−308612(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) C23C 14/00 - 14/58
Claims (4)
- 【請求項1】 インジウム・錫酸化物に水素が0.00
1〜50at.%含まれたITO導電膜。 - 【請求項2】 インジウム・錫酸化物に窒素が0.00
1〜50at.%含まれ、比抵抗が10 -4 Ωcmオーダ
ーであるITO導電膜。 - 【請求項3】 酸化インジウムと酸化錫をターゲットと
して低圧のスパッタガス雰囲気中でスパッタリングを行
うITO導電膜の製造方法において、 スパッタガスに窒素、SiH 4 、NH 3 及びPH 3 ガスの
中の何れか1つを11〜50容量%添加してスパッタリ
ングを行うITO導電膜の製造方法。 - 【請求項4】 前記スパッタガスに更に酸素ガスを0.
001〜10容量%添加してスパッタリングを行う請求
項3に記載のITO導電膜の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4234978A JP3007758B2 (ja) | 1992-09-02 | 1992-09-02 | Ito導電膜とその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4234978A JP3007758B2 (ja) | 1992-09-02 | 1992-09-02 | Ito導電膜とその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0681128A JPH0681128A (ja) | 1994-03-22 |
JP3007758B2 true JP3007758B2 (ja) | 2000-02-07 |
Family
ID=16979231
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP4234978A Expired - Lifetime JP3007758B2 (ja) | 1992-09-02 | 1992-09-02 | Ito導電膜とその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3007758B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3345638B2 (ja) | 1999-11-11 | 2002-11-18 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | 透明導電性膜およびその製造方法 |
-
1992
- 1992-09-02 JP JP4234978A patent/JP3007758B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0681128A (ja) | 1994-03-22 |
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