JP3005828B2 - 処理ガス供給装置 - Google Patents
処理ガス供給装置Info
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- JP3005828B2 JP3005828B2 JP3352217A JP35221791A JP3005828B2 JP 3005828 B2 JP3005828 B2 JP 3005828B2 JP 3352217 A JP3352217 A JP 3352217A JP 35221791 A JP35221791 A JP 35221791A JP 3005828 B2 JP3005828 B2 JP 3005828B2
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Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、処理ガスを配管を介し
て処理部へ供給する処理ガス供給装置に関する。
て処理部へ供給する処理ガス供給装置に関する。
【0002】
【従来の技術】半導体製品等の製造工程において、処理
液をキャリアガス中に気相化させて処理ガスとし、この
処理ガスを配管を介して処理装置に供給するようにした
処理ガス供給装置が用いられている。
液をキャリアガス中に気相化させて処理ガスとし、この
処理ガスを配管を介して処理装置に供給するようにした
処理ガス供給装置が用いられている。
【0003】この種の処理液供給装置を適用した例とし
て、図2に示すように、ヘキサメチルジシラザン(以下
HMDSという)を用いて半導体ウエハ等の被処理体の
表面処理を行うHMDS処理装置がある。このHMDS
処理装置のタンク100においては、タンク内に処理液
としてのHMDS液が貯留されており、タンク底部に設
けられたバブラー102にキャリアガスとして窒素ガス
(N2 ガス)がN2 ガス供給管104より供給され、バ
ブラー102より発生されるN2 ガスの泡106にHM
DSが気化して溶け込むようになっている。
て、図2に示すように、ヘキサメチルジシラザン(以下
HMDSという)を用いて半導体ウエハ等の被処理体の
表面処理を行うHMDS処理装置がある。このHMDS
処理装置のタンク100においては、タンク内に処理液
としてのHMDS液が貯留されており、タンク底部に設
けられたバブラー102にキャリアガスとして窒素ガス
(N2 ガス)がN2 ガス供給管104より供給され、バ
ブラー102より発生されるN2 ガスの泡106にHM
DSが気化して溶け込むようになっている。
【0004】このようにして気相化したHMDS(HM
DSガス)は、N2 ガスと共にHMDSガス供給管10
8を通って処理容器110へ送られ、処理容器110内
に配置され必要に応じて加熱されている半導体ウエハ1
12に処理ガスとして吹き付けられる。これにより、半
導体ウエハ112に対する所定の表面処理が行われ、処
理後のガスは排気管114より排気される。
DSガス)は、N2 ガスと共にHMDSガス供給管10
8を通って処理容器110へ送られ、処理容器110内
に配置され必要に応じて加熱されている半導体ウエハ1
12に処理ガスとして吹き付けられる。これにより、半
導体ウエハ112に対する所定の表面処理が行われ、処
理後のガスは排気管114より排気される。
【0005】HMDSガス供給管108には、HMDS
を溶解したN2 ガスが所定の流量で流れていることを確
認するためのフロート式流量計116が設けられてい
る。この流量計116は、テーパ管内を浮遊するフロー
トの位置によって管内を流れるガスの流量を測定する。
を溶解したN2 ガスが所定の流量で流れていることを確
認するためのフロート式流量計116が設けられてい
る。この流量計116は、テーパ管内を浮遊するフロー
トの位置によって管内を流れるガスの流量を測定する。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ようなHMDS処理装置においては、HMDSガスがH
MDSガス供給管108内を流れる際に、一部が液滴化
して管108の内壁に付着することがある。特に、キャ
リアガス(N2 ガス)中のHMDSの濃度が高い場合
や、HMDSガスの温度と供給管の周囲の温度との温度
差が大きい場合、そのようなHMDSガスの液滴化現象
が発生しやすい。
ようなHMDS処理装置においては、HMDSガスがH
MDSガス供給管108内を流れる際に、一部が液滴化
して管108の内壁に付着することがある。特に、キャ
リアガス(N2 ガス)中のHMDSの濃度が高い場合
や、HMDSガスの温度と供給管の周囲の温度との温度
差が大きい場合、そのようなHMDSガスの液滴化現象
が発生しやすい。
【0007】このようにしてHMDSガス供給管108
内で液滴化したHMDSがそのうち処理容器110内に
入り込んで、半導体ウエハ112に付着すると、ウエハ
112上にピンホール等を発生させ、半導体製品の歩留
まり低下の原因となった。さらに、液滴化したHMDS
が処理容器110内でウエハ加熱機構のヒータ等に触れ
ると、発火するおそれがあった。また、HMDSガス供
給管108においても液滴化したHMDSが流量計11
4のフロートに付着すると、流量計114の精度が低下
し、正確な流量検出ができなくなってしまうという問題
もあった。
内で液滴化したHMDSがそのうち処理容器110内に
入り込んで、半導体ウエハ112に付着すると、ウエハ
112上にピンホール等を発生させ、半導体製品の歩留
まり低下の原因となった。さらに、液滴化したHMDS
が処理容器110内でウエハ加熱機構のヒータ等に触れ
ると、発火するおそれがあった。また、HMDSガス供
給管108においても液滴化したHMDSが流量計11
4のフロートに付着すると、流量計114の精度が低下
し、正確な流量検出ができなくなってしまうという問題
もあった。
【0008】本発明は、かかる問題点に鑑みてなされた
もので、処理ガスが流れる配管内で発生した液滴その他
のパーティクルを配管より排出・除去して、清浄な処理
ガスを処理部へ供給し、歩留まりの向上等をはかる処理
ガス供給装置を提供することを目的とする。
もので、処理ガスが流れる配管内で発生した液滴その他
のパーティクルを配管より排出・除去して、清浄な処理
ガスを処理部へ供給し、歩留まりの向上等をはかる処理
ガス供給装置を提供することを目的とする。
【0009】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明のうち請求項1に記載の発明は、処理ガス
を配管を介して処理部へ供給するようにした処理ガス供
給装置において、前記配管に換気用ガスを供給するため
の換気用ガス供給手段と、前記配管内のガスを排気する
ための排気手段と、前記配管の第1の管路位置に設けら
れ、前記換気用ガス供給手段に接続された第1の切換弁
と、前記配管の第2の管路位置に設けられ、前記排気手
段に接続された第2の切換弁とを具備したことを特徴と
する。 また、請求項2に記載の発明は、処理ガスを配管
を介して処理部へ供給するようにした処理ガス供給装置
において、前記処理ガスを供給するための処理ガス供給
源と、前記処理ガス供給源と前記処理部とを接続する配
管と、前記配管に換気用ガスを供給するための換気用ガ
ス供給手段と、前記配管内のガスを排気するための排気
手段と、前記配管の第1の管路位置に設けられ、前記換
気用ガス供給手段に接続された第1の切換弁と、前記配
管の第2の管路位置に設けられ、前記排気手段に接続さ
れた第2の切換弁とを具備し、前記処理部で前記処理が
行われる時は前記第1および第2の切換弁がそれぞれ前
記処理ガス供給源または前記処理部側に切り換えられる
ことにより前記処理ガス供給源と前記処理部とが前記配
管を介して連通し、前記配管を換気する時は前記第1お
よび第2の切換弁がそれぞれ前記換気用ガス供給手段お
よび前記排気手段に切り換えられることにより前記換気
用ガス供給手段と前記排気手段とが前記配管を介して連
通するように構成されたことを特徴とする。
めに、本発明のうち請求項1に記載の発明は、処理ガス
を配管を介して処理部へ供給するようにした処理ガス供
給装置において、前記配管に換気用ガスを供給するため
の換気用ガス供給手段と、前記配管内のガスを排気する
ための排気手段と、前記配管の第1の管路位置に設けら
れ、前記換気用ガス供給手段に接続された第1の切換弁
と、前記配管の第2の管路位置に設けられ、前記排気手
段に接続された第2の切換弁とを具備したことを特徴と
する。 また、請求項2に記載の発明は、処理ガスを配管
を介して処理部へ供給するようにした処理ガス供給装置
において、前記処理ガスを供給するための処理ガス供給
源と、前記処理ガス供給源と前記処理部とを接続する配
管と、前記配管に換気用ガスを供給するための換気用ガ
ス供給手段と、前記配管内のガスを排気するための排気
手段と、前記配管の第1の管路位置に設けられ、前記換
気用ガス供給手段に接続された第1の切換弁と、前記配
管の第2の管路位置に設けられ、前記排気手段に接続さ
れた第2の切換弁とを具備し、前記処理部で前記処理が
行われる時は前記第1および第2の切換弁がそれぞれ前
記処理ガス供給源または前記処理部側に切り換えられる
ことにより前記処理ガス供給源と前記処理部とが前記配
管を介して連通し、前記配管を換気する時は前記第1お
よび第2の切換弁がそれぞれ前記換気用ガス供給手段お
よび前記排気手段に切り換えられることにより前記換気
用ガス供給手段と前記排気手段とが前記配管を介して連
通するように構成されたことを特徴とする。
【0010】
【作用】処理部で所定の処理が行われるとき、第1の切
換弁はガス供給手段と遮断した状態、つまり第1の切換
弁からみて配管の上流側の配管部と下流側の配管部とを
連通接続する状態に切り換えられ、第2の切換弁は排気
手段と遮断した状態、つまり第2の切換弁からみて配管
の上流側の配管部と下流側の配管部とを連通接続する状
態に切り換えられる。これにより、処理ガスは配管を通
って処理部へ送られる。
換弁はガス供給手段と遮断した状態、つまり第1の切換
弁からみて配管の上流側の配管部と下流側の配管部とを
連通接続する状態に切り換えられ、第2の切換弁は排気
手段と遮断した状態、つまり第2の切換弁からみて配管
の上流側の配管部と下流側の配管部とを連通接続する状
態に切り換えられる。これにより、処理ガスは配管を通
って処理部へ送られる。
【0011】処理部で処理が行われない間に配管内を換
気・浄化(パージ purge)するとき第1の切換弁はガス
供給手段を配管の管路に接続した状態に切り換えられ、
第2の切換弁は排気手段を配管の管路に接続した状態に
切り換えられる。これによって、ガス供給手段からの換
気用ガスは第1の切換弁から配管に流入して第2の切換
弁側へ流れ、第2の切換弁から排気手段へ抜ける。この
際、配管の内壁に付着していた液滴その他のパーティク
ルは換気用ガスと一緒に排気手段へ排気・除去される。
気・浄化(パージ purge)するとき第1の切換弁はガス
供給手段を配管の管路に接続した状態に切り換えられ、
第2の切換弁は排気手段を配管の管路に接続した状態に
切り換えられる。これによって、ガス供給手段からの換
気用ガスは第1の切換弁から配管に流入して第2の切換
弁側へ流れ、第2の切換弁から排気手段へ抜ける。この
際、配管の内壁に付着していた液滴その他のパーティク
ルは換気用ガスと一緒に排気手段へ排気・除去される。
【0012】
【実施例】以下、図1を参照して本発明の実施例を説明
する。図1は、本発明の一実施例による処理ガス供給装
置を適用したHMDS処理装置の構成を示す。
する。図1は、本発明の一実施例による処理ガス供給装
置を適用したHMDS処理装置の構成を示す。
【0013】このHMDS処理装置において、タンク2
は、HMDS液を貯溜する容器で、HMDS中への不純
物の溶出を防止するために石英ガラスでできている。タ
ンク2内の底部には、細かなN2 ガスの気泡を発生させ
るための多孔質の部材からなるバブラー4が設けられて
おり、このバブラー4にはN2 ガスボンベ等のN2 ガス
源(図示せず)よりキャリアガスとしてのN2 ガスを供
給するN2 ガス供給管6が接続されている。タンク2の
頂部には、HMDSを予備タンク(図示せず)からタン
ク2へ補給するためのHMDS液供給管8が接続されて
いる。タンク2の外壁には、タンク2内のHMDS中の
N2 ガスの泡10を計測するための超音波センサ12,
14が取り付けられている。これらの超音波センサ1
2,14は計測回路16に電気的に接続されている。な
お、N2 ガス供給管6およびHMDS液供給管8にはそ
れぞれ開閉バルブ18,20が設けられている。
は、HMDS液を貯溜する容器で、HMDS中への不純
物の溶出を防止するために石英ガラスでできている。タ
ンク2内の底部には、細かなN2 ガスの気泡を発生させ
るための多孔質の部材からなるバブラー4が設けられて
おり、このバブラー4にはN2 ガスボンベ等のN2 ガス
源(図示せず)よりキャリアガスとしてのN2 ガスを供
給するN2 ガス供給管6が接続されている。タンク2の
頂部には、HMDSを予備タンク(図示せず)からタン
ク2へ補給するためのHMDS液供給管8が接続されて
いる。タンク2の外壁には、タンク2内のHMDS中の
N2 ガスの泡10を計測するための超音波センサ12,
14が取り付けられている。これらの超音波センサ1
2,14は計測回路16に電気的に接続されている。な
お、N2 ガス供給管6およびHMDS液供給管8にはそ
れぞれ開閉バルブ18,20が設けられている。
【0014】処理容器22のチャンバ24内には、電気
ヒータ等を使用した加熱機構(図示せず)を内蔵したウ
エハ載置台26が設けられ、このウエハ載置台26上に
HMDS処理をうけるべき被処理体たとえば半導体ウエ
ハ28が載置される。処理容器22の底部には処理後の
ガスを排気するための排気管30が接続されている。排
気管30にはチャンバ24内を負圧に吸引するためのエ
ゼクタ(空気圧式真空装置)32が設けられ、このエゼ
クタ32には駆動用の圧力空気を供給する駆動空気供給
管34が接続されている。なお、排気管30および駆動
空気供給管34には、それぞれ開閉バルブ36,38が
設けられている。
ヒータ等を使用した加熱機構(図示せず)を内蔵したウ
エハ載置台26が設けられ、このウエハ載置台26上に
HMDS処理をうけるべき被処理体たとえば半導体ウエ
ハ28が載置される。処理容器22の底部には処理後の
ガスを排気するための排気管30が接続されている。排
気管30にはチャンバ24内を負圧に吸引するためのエ
ゼクタ(空気圧式真空装置)32が設けられ、このエゼ
クタ32には駆動用の圧力空気を供給する駆動空気供給
管34が接続されている。なお、排気管30および駆動
空気供給管34には、それぞれ開閉バルブ36,38が
設けられている。
【0015】タンク2の頂部と処理容器22の頂部との
間には、タンク2内で気相化したHMDS(HMDSガ
ス)をN2 ガスと一緒に処理容器22へ供給するための
HMDSガス供給管40が接続されている。HMDSガ
ス供給管40には、タンク2に近い管路位置に第1の切
換バルブ42が設けられるとともに、処理装置22に近
い管路位置に第2の切換バルブ44が設けられ、両切換
バルブ42,44の間の管路に流量計46が設けられて
いる。
間には、タンク2内で気相化したHMDS(HMDSガ
ス)をN2 ガスと一緒に処理容器22へ供給するための
HMDSガス供給管40が接続されている。HMDSガ
ス供給管40には、タンク2に近い管路位置に第1の切
換バルブ42が設けられるとともに、処理装置22に近
い管路位置に第2の切換バルブ44が設けられ、両切換
バルブ42,44の間の管路に流量計46が設けられて
いる。
【0016】第1の切換バルブ42には、N2 ガス源4
8より換気(パージ purge)用ガスとしてのN2 ガスを
供給するN2 ガス供給管50が接続されている。第1の
切換バルブ42は、手動式、電磁式または空気圧式等の
適当な切換操作によって、バルブ42からみて下流側の
HMDSガス供給管部40aをバルブ42からみて上流
側のHMDSガス供給管部40bもしくはN2 ガス供給
管50に選択的に接続するように切り換わるようになっ
ている。なお、N2 ガス供給管50には、圧力調整バル
ブ52,流量計54および開閉バルブ56が設けられて
いる。
8より換気(パージ purge)用ガスとしてのN2 ガスを
供給するN2 ガス供給管50が接続されている。第1の
切換バルブ42は、手動式、電磁式または空気圧式等の
適当な切換操作によって、バルブ42からみて下流側の
HMDSガス供給管部40aをバルブ42からみて上流
側のHMDSガス供給管部40bもしくはN2 ガス供給
管50に選択的に接続するように切り換わるようになっ
ている。なお、N2 ガス供給管50には、圧力調整バル
ブ52,流量計54および開閉バルブ56が設けられて
いる。
【0017】第2の切換バルブ44には排気管58が接
続され、この排気管58の他端は排ガス除去装置(図示
せず)に接続されている。第2の切換バルブ44は手動
式、電磁式または空気圧式等の適当な切換操作によっ
て、バルブ44からみて上流側のHMDSガス供給管部
40aをバルブ44からみて下流側のHMDSガス供給
管部40cもしくは排気管58に選択的に接続するよう
に切り換わるようになっており、HMDSガス供給管4
0内のガスを排気可能に構成されている。なお、HMD
Sガス供給管40において、第2の切換バルブ44と処
理装置22との間の管路に開閉バルブ60が設けられて
いる。また、処理装置22付近でHMDSガス供給管4
0と並列に大気供給管62が接続され、この管62にも
開閉バルブ64が設けられている。
続され、この排気管58の他端は排ガス除去装置(図示
せず)に接続されている。第2の切換バルブ44は手動
式、電磁式または空気圧式等の適当な切換操作によっ
て、バルブ44からみて上流側のHMDSガス供給管部
40aをバルブ44からみて下流側のHMDSガス供給
管部40cもしくは排気管58に選択的に接続するよう
に切り換わるようになっており、HMDSガス供給管4
0内のガスを排気可能に構成されている。なお、HMD
Sガス供給管40において、第2の切換バルブ44と処
理装置22との間の管路に開閉バルブ60が設けられて
いる。また、処理装置22付近でHMDSガス供給管4
0と並列に大気供給管62が接続され、この管62にも
開閉バルブ64が設けられている。
【0018】次に、このHMDS処理装置の動作を説明
する。搬送アーム(図示せず)により半導体ウエハ28
を処理容器22内に搬入して載置台26上に載置後、チ
ャンバ24を密閉状態にする。HMDS処理のためHM
DSガスを処理容器22に供給するに先立ち、開閉バル
ブ60,64を閉じ、開閉バルブ36,38を開いてエ
ゼクタ32に駆動空気供給管34より駆動用の圧縮空気
を送り、エゼクタ32によって処理容器22のチャンバ
24内の雰囲気を吸引排気して減圧する。
する。搬送アーム(図示せず)により半導体ウエハ28
を処理容器22内に搬入して載置台26上に載置後、チ
ャンバ24を密閉状態にする。HMDS処理のためHM
DSガスを処理容器22に供給するに先立ち、開閉バル
ブ60,64を閉じ、開閉バルブ36,38を開いてエ
ゼクタ32に駆動空気供給管34より駆動用の圧縮空気
を送り、エゼクタ32によって処理容器22のチャンバ
24内の雰囲気を吸引排気して減圧する。
【0019】しかる後、第1の切換バルブ42を上流側
のHMDSガス供給管部40b側に切り換え、かつ第2
の切換バルブ44を下流側のHMDSガス供給管部40
c側に切り換えた状態の下で、つまりHMDSガス供給
管40を介してタンク2と処理装置22とを連通接続し
た状態の下で、開閉パルブ60,18を開く。
のHMDSガス供給管部40b側に切り換え、かつ第2
の切換バルブ44を下流側のHMDSガス供給管部40
c側に切り換えた状態の下で、つまりHMDSガス供給
管40を介してタンク2と処理装置22とを連通接続し
た状態の下で、開閉パルブ60,18を開く。
【0020】開閉パルブ18が開くことによって、N2
ガス供給管6よりN2 ガスが所定の流量たとえば3リッ
トル/分でバブラー4に導入され、導入されたN2 ガス
はバブラー4より細かな泡10となってタンク2内のH
MDS液中に流入し、N2 ガスの泡10にHMDSが気
化して混入する。こうしてタンク2内でHMDSが気相
化してHMDSガスが発生する。このHMDSガスは、
キャリアガス(N2 ガス)と共にHMDSガス供給管4
0を通って処理容器22に供給される。
ガス供給管6よりN2 ガスが所定の流量たとえば3リッ
トル/分でバブラー4に導入され、導入されたN2 ガス
はバブラー4より細かな泡10となってタンク2内のH
MDS液中に流入し、N2 ガスの泡10にHMDSが気
化して混入する。こうしてタンク2内でHMDSが気相
化してHMDSガスが発生する。このHMDSガスは、
キャリアガス(N2 ガス)と共にHMDSガス供給管4
0を通って処理容器22に供給される。
【0021】次いで、HMDSガスおよびキャリアガス
(N2 ガス)を所定の流量たとえば3リットル/分で処
理容器22へ供給し、通常のHMDS処理状態とする。
これにより、減圧された処理容器22のチャンバ24内
で加熱された半導体ウエハ28にHMDSガスが処理ガ
スとして吹き付けられ、半導体ウエハ28の表面が疏水
化処理される。この疏水化処理によって、後続のレジス
ト塗布工程におけるレジストとウエハ28との密着性・
固着性が向上する(アドヒージョン adhesion処理)。
(N2 ガス)を所定の流量たとえば3リットル/分で処
理容器22へ供給し、通常のHMDS処理状態とする。
これにより、減圧された処理容器22のチャンバ24内
で加熱された半導体ウエハ28にHMDSガスが処理ガ
スとして吹き付けられ、半導体ウエハ28の表面が疏水
化処理される。この疏水化処理によって、後続のレジス
ト塗布工程におけるレジストとウエハ28との密着性・
固着性が向上する(アドヒージョン adhesion処理)。
【0022】上記のようなHMDS処理が終了したなら
ば、開閉バルブ60,18をそれぞれ閉じ、開閉バルブ
64を開いてチャンバ24内を大気に置換後、処理済み
の半導体ウエハ28を搬出する。次に、第1の切換バル
ブ42をN2 ガス供給管50側に切り換えるとともに、
第2の切換バルブ44を排気管58側に切り換え、開閉
バルブ56を開く。そうすると、N2 ガス供給源48か
らの換気用N2 ガスが所定の流量たとえば5リットル/
分でN2 ガス供給管50より切換バルブ42を介してH
MDSガス供給管40に流入し、流入したN2 ガスはH
MDSガス供給管40内を第2の切換バルブ44側に向
かって流れ、第2の切換バルブ44から排気管58側へ
抜ける。
ば、開閉バルブ60,18をそれぞれ閉じ、開閉バルブ
64を開いてチャンバ24内を大気に置換後、処理済み
の半導体ウエハ28を搬出する。次に、第1の切換バル
ブ42をN2 ガス供給管50側に切り換えるとともに、
第2の切換バルブ44を排気管58側に切り換え、開閉
バルブ56を開く。そうすると、N2 ガス供給源48か
らの換気用N2 ガスが所定の流量たとえば5リットル/
分でN2 ガス供給管50より切換バルブ42を介してH
MDSガス供給管40に流入し、流入したN2 ガスはH
MDSガス供給管40内を第2の切換バルブ44側に向
かって流れ、第2の切換バルブ44から排気管58側へ
抜ける。
【0023】このようにN2 ガスが第1および第2の切
換バルブ42,44間でHMDSガス供給管40内を吹
き抜けパージすることにより、先のHMDS処理におい
てHMDSガス供給管40あるいは流量計46内で液滴
化していたHMDSはN2 ガスと共に排気管58側へ排
出され、HMDSガス供給管40から除去される。ま
た、HMDSガス供給管40あるいは流量計46内に存
在していた他のパーティクルも一緒に排気管58側へ排
出・除去される。そして、HMDSガス供給管40の内
壁および流量計46のフロート等が浄化される。
換バルブ42,44間でHMDSガス供給管40内を吹
き抜けパージすることにより、先のHMDS処理におい
てHMDSガス供給管40あるいは流量計46内で液滴
化していたHMDSはN2 ガスと共に排気管58側へ排
出され、HMDSガス供給管40から除去される。ま
た、HMDSガス供給管40あるいは流量計46内に存
在していた他のパーティクルも一緒に排気管58側へ排
出・除去される。そして、HMDSガス供給管40の内
壁および流量計46のフロート等が浄化される。
【0024】このHMDSガス供給管40の換気および
浄化を、所定時間たとえば30秒行ったなら、開閉バル
ブ56を閉じ、両切換バルブ42,44を定常状態に戻
す。すなわち、第1の切換バルブ42を上流側のHMD
Sガス供給管部40b側に切り換えるとともに、第2の
切換バルブ42を下流側のHMDSガス供給管部40c
側に切り換える。
浄化を、所定時間たとえば30秒行ったなら、開閉バル
ブ56を閉じ、両切換バルブ42,44を定常状態に戻
す。すなわち、第1の切換バルブ42を上流側のHMD
Sガス供給管部40b側に切り換えるとともに、第2の
切換バルブ42を下流側のHMDSガス供給管部40c
側に切り換える。
【0025】上記のようなHMDSガス供給管40に対
する換気および浄化処理は、1回または複数回のHMD
S処理つき、作業員の手動操作により、あるいは制御装
置の自動操作によって行われてもよい。このような定期
的な換気および浄化処理によって、HMDSガス供給管
40内あるいは流量計46内に液滴化していたHMDS
を早期に排出・除去して、管40内および流量計46内
をクリーニングすることで、液滴化HMDSの残存ない
し処理装置22への流入を大幅に低減することができ
る。したがって、処理装置22においては、HMDSの
液滴が半導体ウエハ28や加熱装置26に付着するおそ
れが少ないので、製品歩留まりが向上し、発火の問題も
なくなる。またHMDSガス供給管40においては、流
量計46のフロートが清浄に保たれるので、流量検出精
度を安定に維持することができる。
する換気および浄化処理は、1回または複数回のHMD
S処理つき、作業員の手動操作により、あるいは制御装
置の自動操作によって行われてもよい。このような定期
的な換気および浄化処理によって、HMDSガス供給管
40内あるいは流量計46内に液滴化していたHMDS
を早期に排出・除去して、管40内および流量計46内
をクリーニングすることで、液滴化HMDSの残存ない
し処理装置22への流入を大幅に低減することができ
る。したがって、処理装置22においては、HMDSの
液滴が半導体ウエハ28や加熱装置26に付着するおそ
れが少ないので、製品歩留まりが向上し、発火の問題も
なくなる。またHMDSガス供給管40においては、流
量計46のフロートが清浄に保たれるので、流量検出精
度を安定に維持することができる。
【0026】第1および第2の切換バルブ42,44の
配置位置は、任意に選択することが可能であるが、第1
の切換バルブ42をできるだけタンク2に近付け、第2
の切換バルブ44をできるだけ処理装置22に近付けた
方が、より長い管路にわたってHMDSガス供給管40
の換気・浄化を行うことができる。また、この実施例で
はHMDSガス供給管40に流量計46を設けたが、流
量調整バルブ等の任意の気体装置を設けることが可能で
ある。また、換気用のガスとして、N2 ガスの代わりに
他の中性ガスを用いてもよい。また、第1の切換バルブ
42を処理装置22側の管路位置に配置し、第2の切換
バルブ44をタンク2側の管路位置に配置し、HMDS
ガス供給管40の下流側から上流側に換気用ガスを流す
ことも可能である。
配置位置は、任意に選択することが可能であるが、第1
の切換バルブ42をできるだけタンク2に近付け、第2
の切換バルブ44をできるだけ処理装置22に近付けた
方が、より長い管路にわたってHMDSガス供給管40
の換気・浄化を行うことができる。また、この実施例で
はHMDSガス供給管40に流量計46を設けたが、流
量調整バルブ等の任意の気体装置を設けることが可能で
ある。また、換気用のガスとして、N2 ガスの代わりに
他の中性ガスを用いてもよい。また、第1の切換バルブ
42を処理装置22側の管路位置に配置し、第2の切換
バルブ44をタンク2側の管路位置に配置し、HMDS
ガス供給管40の下流側から上流側に換気用ガスを流す
ことも可能である。
【0027】なお、本実施例において、超音波センサ1
2,14はそれぞれ圧電材料からなる送信素子と受信素
子を有している。各々の送信素子は、計測回路20より
超音波発生電圧を受けて、超音波ビームを放射する。こ
の超音波ビームは、タンク2の外壁を通過してタンク2
内へと放射され、この放射により発生する反射波は各超
音波センサ12,14の受信素子により受信されて電気
的な反射波検出信号に変換され、各々の反射波検出信号
が計測回路20に入力される。
2,14はそれぞれ圧電材料からなる送信素子と受信素
子を有している。各々の送信素子は、計測回路20より
超音波発生電圧を受けて、超音波ビームを放射する。こ
の超音波ビームは、タンク2の外壁を通過してタンク2
内へと放射され、この放射により発生する反射波は各超
音波センサ12,14の受信素子により受信されて電気
的な反射波検出信号に変換され、各々の反射波検出信号
が計測回路20に入力される。
【0028】超音波センサ12,14の付近にHMDS
液がないときは、超音波はタンク2内の内壁面で直ちに
強く反射されるため、一定レベルの反射波検出信号が計
測回路20に与えられる。超音波センサ12,14の付
近にHMDS液があるときは超音波はタンク2の内壁面
ではあまり反射されずHMDS液中に放射され、HMD
S液中のN2 ガスの泡10に入射すると、この泡10で
強い反射を受ける。
液がないときは、超音波はタンク2内の内壁面で直ちに
強く反射されるため、一定レベルの反射波検出信号が計
測回路20に与えられる。超音波センサ12,14の付
近にHMDS液があるときは超音波はタンク2の内壁面
ではあまり反射されずHMDS液中に放射され、HMD
S液中のN2 ガスの泡10に入射すると、この泡10で
強い反射を受ける。
【0029】このように、HMDS液中に放射されたと
きの超音波の反射物体は泡10であるから、超音波の入
射方向に泡10が存在するか否かにより計測回路20に
与えられる反射波検出信号のレベルが変動する。したが
って、計測回路20は、各反射波検出信号のレベルの変
化から泡10の有無すなわちHMDS液の有無を判別
し、タンク2内のHMDS液の液位が所定範囲(超音波
センサ12,14の設置位置)内にあるか否かを監視す
ることができる。そして、液位が所定範囲内にあるよう
に開閉バルブ20を操作する。
きの超音波の反射物体は泡10であるから、超音波の入
射方向に泡10が存在するか否かにより計測回路20に
与えられる反射波検出信号のレベルが変動する。したが
って、計測回路20は、各反射波検出信号のレベルの変
化から泡10の有無すなわちHMDS液の有無を判別
し、タンク2内のHMDS液の液位が所定範囲(超音波
センサ12,14の設置位置)内にあるか否かを監視す
ることができる。そして、液位が所定範囲内にあるよう
に開閉バルブ20を操作する。
【0030】上述した実施例は気相化したHMDSを処
理ガスとする装置に係るものであったが、本発明は、処
理液を気相化して処理ガスとする任意の処理ガス供給装
置に適用可能であり、さらには配管内で処理ガスの液滴
その他のパーティクルが発生しやすい任意の処理ガス供
給装置に適用可能である。
理ガスとする装置に係るものであったが、本発明は、処
理液を気相化して処理ガスとする任意の処理ガス供給装
置に適用可能であり、さらには配管内で処理ガスの液滴
その他のパーティクルが発生しやすい任意の処理ガス供
給装置に適用可能である。
【0031】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の処理ガス
供給装置によれば、処理ガスを処理部へ供給する配管の
所定の管路位置に第1および第2の切換弁を設け、これ
ら第1および第2の切換弁を介して配管内に換気用ガス
を流し、配管内の液滴その他のパーティクルを排出・除
去するようにしたので、処理部に清浄な処理ガスを供給
することが可能であり、歩留まりの向上等をはかること
ができる。
供給装置によれば、処理ガスを処理部へ供給する配管の
所定の管路位置に第1および第2の切換弁を設け、これ
ら第1および第2の切換弁を介して配管内に換気用ガス
を流し、配管内の液滴その他のパーティクルを排出・除
去するようにしたので、処理部に清浄な処理ガスを供給
することが可能であり、歩留まりの向上等をはかること
ができる。
【図1】本発明の一実施例による処理ガス供給装置を適
用したHMDS処理装置の構成を示す図である。
用したHMDS処理装置の構成を示す図である。
【図2】従来のHMDS処理装置の構成を示す図であ
る。
る。
2 タンク 8 HMDS液供給管 22 処理容器 28 半導体ウエハ 40 HMDSガス供給管 42 第1の切換弁 44 第2の切換弁 48 N2 ガス源 50 N2 ガス供給管 58 排気管
Claims (2)
- 【請求項1】 処理ガスを配管を介して処理部へ供給す
るようにした処理ガス供給装置において、 前記配管に換気用ガスを供給するための換気用ガス供給
手段と、 前記配管内のガスを排気するための排気手段と、 前記配管の第1の管路位置に設けられ、前記換気用ガス
供給手段に接続された第1の切換弁と、 前記配管の第2の管路位置に設けられ、前記排気手段に
接続された第2の切換弁と を具備したことを特徴とする処理ガス供給装置。 - 【請求項2】 処理ガスを配管を介して処理部へ供給す
るようにした処理ガス供給装置において、 前記処理ガスを供給するための処理ガス供給源と、 前記処理ガス供給と前記処理部とを接続する配管と、 前記配管に換気用ガスを供給するための換気用ガス供給
手段と、 前記配管内のガスを排気するための排気手段と、 前記配管の第1の管路位置に設けられ、前記換気用ガス
供給手段に接続された第1の切換弁と、 前記配管の第2の管路位置に設けられ、前記排気手段に
接続された第2の切換弁とを具備し、 前記処理部で前記処理が行われる時は前記第1および第
2の切換弁がそれぞれ前記処理ガス供給源または前記処
理部側に切り換えられることにより前記処理ガス供給源
と前記処理部とが前記配管を介して連通し、前記配管を
換気する前記第1および第2の切換弁がそれぞれ前記換
気用ガス供給手段および前記排気手段に切り換えられる
ことにより前記換気用ガス供給手段と前記排気手段とが
前記配管を介して連通するように構成されたことを特徴
とする処理ガス供給装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3352217A JP3005828B2 (ja) | 1991-12-14 | 1991-12-14 | 処理ガス供給装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3352217A JP3005828B2 (ja) | 1991-12-14 | 1991-12-14 | 処理ガス供給装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH05171447A JPH05171447A (ja) | 1993-07-09 |
JP3005828B2 true JP3005828B2 (ja) | 2000-02-07 |
Family
ID=18422562
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3352217A Expired - Fee Related JP3005828B2 (ja) | 1991-12-14 | 1991-12-14 | 処理ガス供給装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3005828B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07312329A (ja) * | 1994-05-18 | 1995-11-28 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 密着強化処理装置および密着強化処理方法 |
WO2008017208A1 (fr) * | 2006-08-03 | 2008-02-14 | He Jian Technology (Suzhou) Co., Ltd. | Dispositif de purge automatique destiné à purger le pipeline d'un revêtement de résine photorésistante et appareil de développement |
-
1991
- 1991-12-14 JP JP3352217A patent/JP3005828B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH05171447A (ja) | 1993-07-09 |
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