JP3004967B1 - シンジオタクチック性ポリスチレン、エチレン芳香族ポリマーまたはこれらの共重合体製造用の触媒組成物 - Google Patents
シンジオタクチック性ポリスチレン、エチレン芳香族ポリマーまたはこれらの共重合体製造用の触媒組成物Info
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Abstract
触媒組成物を調製し、シンジオタクチック性ポリスチレ
ン、エチレン芳香族ポリマーまたはこれらの共重合体の
製造コストを下げること。 【解決手段】 (a)チタン(III)錯体またはチタン
(IV)錯体0.1〜10モル、(b)IIA族またはIII
A族元素を含有するシクロペンタジエニル錯体0.1〜
10モル、および(c)メチルアルミノキサン20〜1
00000モル、または非配位ルイス酸0.1〜20モ
ルとトリアルキルアルミニウム0〜10000モルとの
混合物である活性化遷移金属の共触媒からなる触媒組成
物。
Description
ク性ポリスチレン、エチレン芳香族ポリマーまたはこれ
らの共重合体を製造するための触媒組成物に関するもの
で、特にチタン(IV)錯体を利用して高反応活性を促
し、シクロペンタジエニル基のIIA族錯体またはIIIA
族錯体、および共触媒を結合させることによって、シン
ジオタクチック性ポリスチレン、エチレン芳香族ポリマ
ーまたはこれらの共重合体を製造するための触媒組成物
に関するものである。
酸化物が最も一般的に使用されている触媒で、遊離基を
発生させて重合反応を誘発する。過酸化物の触媒作用に
よって得られるポリスチレンはアタクチック性ポリスチ
レン(aPS)に属し、その構造は立体規則性を何ら有
していない。アタクチック性ポリスチレンは、商業上の
各種用途に幅広く応用されるようになって既に半世紀を
超える一種の無定形ポリマーであるが、無定形であると
いう物理特性がその応用範囲を狭めているため、一般的
にエンジニアリングプラスチックには応用できず、比較
的低価格の製品に応用することしかできない。
ゆるチーグラー・ナッタ(Ziegle−Natta)
触媒を使用してアイソタクチック性ポリスチレン(iP
S)が開発された。アイソタクチック性ポリスチレンは
高度に結晶化されたポリスチレンであり、非常に高い融
点(240℃)を有している。これらの特性を備えたア
イソタクチック性ポリスチレンはエンジニアリングプラ
スチックへの応用に適しているが、結晶化速度が非常に
遅いため製造が困難である。したがって、この問題点が
解決されないかぎり、アイソタクチック性ポリスチレン
が高い商業的可能性を有するのは難しい。
チック性ポリスチレンと比べて、シンジオタクチック性
ポリスチレン(sPS)が開発されたのは比較的最近で
ある。シンジオタクチック性ポリスチレンは1986
年、石原によってメタロセン触媒組成物を使用して合成
されたのが最初である。一般的に、シンジオタクチック
性ポリスチレンは主に、遷移金属チタン化合物の一種と
メチルアルミノキサン(MAO)とを共に作用させるこ
とにより製造される。たとえば、欧州特許出願公開第2
10,615号公報においては、テトラ(エトキシ)チ
タンとメチルアルミノキサンとを共に作用させることに
よりスチレンの重合反応を促し、シンジオタクチック性
ポリスチレンを生成している。そのほか国際公開第88
/10275号パンフレットにおいては、シクロペンタ
ジエニル塩化チタンとメチルアルミノキサンとの触媒作
用の下でスチレンの重合反応を促し高シンジオタクチッ
ク性ポリスチレンを生成したことが報告されている。
化させるシステムとして第IV族の遷移金属化合物とメチ
ルアルミノキサンとを混合して使用しているが、メチル
アルミノキサンを使用して触媒を活性化させるには非常
に過剰量のメチルアルミノキサンを必要とすることに注
意するべきである。そしてメチルアルミノキサンが高価
であることから、前記方法の商業的応用が限定される。
すなわち、新しい共触媒または触媒調製法を開発してM
AOの使用量を減らす(またはMAOを全く省略する)
ことが、メタロセン触媒の研究開発における重要課題と
なり続けている。また、この方面の研究開発に関して
は、たとえばシクロペンタジエニルトリアルキルチタン
(CpTiR3)を触媒、非配位ルイス酸を共触媒、ト
リイソブチルアルミニウムをスカベンジャーとする反応
条件下でスチレンの重合を促進し高シンジオタクチック
性ポリスチレンを生成する発明が、欧州特許出願公開第
505890号公報および国際公開第93/0367号
パンフレットに開示されている。
15号公報には、触媒活性の相対関係が開示されてい
る。すなわち、チタン錯体のうち、1個のシクロペンタ
ジエニル配位子を含有するチタノセンは、2個のシクロ
ペンタジエニル配位子を含有するチタノセンよりも、ポ
リスチレンを重合する際の触媒活性が高い。また、1個
のシクロペンタジエニル配位子を含有するチタノセン
は、シクロペンタジエニル配位子を含有しないチタン錯
体触媒よりも、ポリスチレンを重合する際の触媒活性が
高い。
と、つぎの結論が得られる。シンジオタクチック性ポ
リスチレンの重合は、一般に第IV族遷移元素の化合物を
触媒として使用する。チタン金属触媒の、ポリスチレ
ンを重合する際の触媒活性および立体選択性は、ジルコ
ニウム金属触媒よりも優れている。
モノマーを重合させる際の触媒活性は、配位子よって明
らかな差異を生じる。これらの触媒活性はつぎのように
まとめることができる。1個のシクロペンタジエニル
配位子を含有するチタン金属触媒は、2個のシクロペン
タジエニル配位子を含有するチタノセンよりも、ポリス
チレンを重合する際の触媒活性が高い。1個のシクロ
ペンタジエニル配位子を含有するチタン金属触媒は、シ
クロペンタジエニル配位子を含有しないチタン金属触媒
よりも、ポリスチレンを重合する際の触媒活性が高い。
よび(7)で表わすことができる。 CpTiR1R2R3>Cp2TiR1R2 (6) CpTiR1R2R3>TiR1R2R3R4 (7)
ジエニル基または置換基をもつシクロペンタジエニル類
の誘導体の配位子、R1、R2、R3はアルキル基、アリ
ール基、アルコキシル基、アリールオキシ基、アミノ基
またはハロゲン原子である。
スチレンの重合反応においては、1個のシクロペンタジ
エニル配位子を含有するチタン金属を触媒として使用す
る場合の触媒活性が最も高いことは明らかである。欧州
特許出願公開第210,610号公報に開示されている
内容では、スチレンモノマーを重合させてシンジオタク
チック性ポリスチレンを得る反応において、シクロペン
タジエニル配位子を含有しないチタン金属触媒(TiR
1R2R3R4)を使用すると、比較的低価格であるが、シ
クロペンタジエニル配位子を1個含有するチタン金属錯
体触媒よりも活性が低い(関係式(7)を参照)。
チタン金属触媒は比較的低価格であるため、如何にして
その低価格である長所を活かし触媒活性を高めるかが、
触媒研究の重要な課題となっている。
本発明は、低価格のチタン(IV)錯体を直接利用し、シ
クロペンタジエニル基のIIA族錯体またはIIIA族錯体
を共触媒と結合させることによって、高い活性のもとで
シンジオタクチック性ポリスチレン、スチレン芳香族ポ
リマーまたはこれらの共重合体を製造する方法を提供す
ることを目的とする。シクロペンタジエニル配位子を含
有しない低価格なチタン金属触媒システムを使用し、し
かもシクロペンタジエニル配位子を含有するチタン金属
触媒よりも優れた触媒活性を達成できるため、本発明
は、触媒コストの削減と産業効率の向上のいずれにおい
ても明らかな功績を有する。
(1):TiR1′R2′R3′R4′(式中、R1′、R
2′、R3′およびR4′はそれぞれ独立してアルキル
基、アリール基、アルコキシル基、アリールオキシ基、
アミノ基またはハロゲン原子)で表わされるチタン(I
V)錯体0.1〜10モル、 (b)式(2):LnXRm (式中、Lは式(3):
アルキル基、アリール基、シリル基、ハロゲン原子また
は水素原子、XはIIA族またはIIIA族の元素、XがIII
A族元素の場合n=1〜3、MがIIA族元素の場合n=
1〜2、Rはアルキル基、アリール基、アルコキシ基、
アリールオキシ基、水素原子、ハロゲン原子、アミノ基
または前記Lと同じかもしくは異なるシクロペンタジエ
ニル誘導体、XがIIIA族元素の場合mは3−n、XがI
IA族元素の場合mは2−n))によって表わされるII
A族またはIIIA族元素を含有するシクロペンタジエニ
ル錯体0.1〜10モル、および (c)メチルアルミンオキサン10〜100000モ
ル、メチルアルミンオキサン10〜100000モルと
トリアルキルアルミニウム10000モル以下との混合
物、または非配位ルイス酸0.1〜20モルとトリアル
キルアルミニウム0〜10000モルとの混合物である
活性化遷移金属の共触媒からなる触媒組成物(ただし、
上記モルはすべてモル比である)であって、スチレンま
たは炭素数1〜12の置換スチレンもしくはモノ−もし
くはポリ−ハロゲン化シンジオタクチック性ポリスチレ
ンまたはその他のアリールエチレンポリマーを製造する
ための触媒組成物に関する。
ム原子、ボロン原子またはバリウム原子であるのが好ま
しい。
ム原子またはバリウム原子であるのが好ましい。
キル基、アリール基および水素原子よりなる群から選択
されるのが好ましい。
してメチル基および水素原子よりなる群から選択される
のが好ましい。
クロペンタジエニル誘導体であるのが好ましい。
(6):
ル基、アリール基または水素原子であるのが好ましい。
基または水素原子であるのが好ましい。
る群から選択され、R1、R2、R3、R4、R5がメチル
基または水素原子であるのが好ましい。
(7):
独立してアルキル基、アリール基および水素原子よりな
る群から選択されるのが好ましい。
れぞれ独立してメチル基および水素原子よりなる群から
選択されるのが好ましい。
る群から選択され、R6、R7、R8、R9が水素原子であ
るのが好ましい。
(8):
R12およびR13がそれぞれ独立してアルキル基、アリー
ル基および水素原子よりなる群から選択されるのが好ま
しい。
11、R12およびR13がそれぞれ独立してメチル基および
水素原子よりなる群から選択されるのが好ましい。
る群から選択されるか、または前記Lと同じかもしくは
異なるシクロペンタジエニル誘導体であり、R6、R7、
R8、R9、R10、R11、R12およびR13が水素原子であ
るのが好ましい。
わされるIIA族またはIIIA族元素を含有するシクロペ
ンタジエニル錯体が好ましい。
シウム原子、ボロン原子またはバリウム原子であるのが
好ましい。
ム原子またはバリウム原子であるのが好ましい。
ム原子である場合、n=1〜2;m=2−nになり、X
がアルミニウム原子およびボロン原子である場合、n=
1〜2;m=2−nになるのが好ましい。
TiR1′R2′R3′R4′(式中、R1′、R2′、R
3′およびR4′はそれぞれ独立してアルキル基、アリー
ル基、アルコキシル基、アリールオキシ基、アミノ基ま
たはハロゲン原子)で表わされるチタン(IV)錯体0.
1〜10モル、 (b)式(2):LnXRm (式中、Lは式(3)、式(4)、式(5)(ただし、
R1〜R13はそれぞれ独立してアルキル基、アリール
基、シリル基、ハロゲン原子または水素原子、XはIIA
族またはIIIA族の元素、XがIIIA族元素の場合n=1
〜3、MがIIA族元素の場合n=1〜2、Rはアルキル
基、アリール基、アルコキシ基、アリールオキシ基、水
素原子、ハロゲン原子、アミノ基または前記Lと同じか
もしくは異なるシクロペンタンタジエニル誘導体、Xが
IIIA族元素の場合mは3−n、XがIIA族元素の場合
mは2−n))によって表わされるIIA族またはIIIA
族元素を含有するシクロペンタジエニル錯体0.1〜1
0モル、および (c)メチルアルミンオキサン10〜100000モ
ル、メチルアルミンオキサン10〜100000モルと
トリアルキルアルミニウム10000モル以下との混合
物、または非配位ルイス酸0.1〜20モルとトリアル
キルアルミニウム0〜10000モルとの混合物である
活性化遷移金属の共触媒からなる触媒組成物(ただし、
上記モルはすべてモル比である)を調製する工程、 (B)前記触媒組成物とスチレンまたは炭素数1〜12
の置換スチレンもしくはモノ−もしくはポリ−ハロゲン
化スチレンを反応器中に充填して重合反応を開始する工
程、ならびに (C)重合反応を停止して重合生成物を得る工程からな
る前記スチレンモノマーから高シンジオタクチック性ポ
リスチレンまたはその他のアリールエチレンポリマーを
製造するための触媒方法にも関する。
0〜1000モルのメチルアルミンオキサンと1000
0モル以下のトリアルキルアルミニウムとの混合物、ま
たは0.5〜4モルの非配位型ルイス酸と0〜1000
0モルのトリアルキルアルミニウムとの混合物を含む
(ただし、上記モルはすべてモル比である)のが好まし
い。
媒のうち、前記非配位ルイス酸はN,N−ジメチルアニ
リニウムテトラキス(ペンタフルオロフェニル)ボレー
ト、トリフェニルカルベニウムテトラキス(ペンタフル
オロフェニル)ボレートおよびジアミルフェロセニウム
テトラキス(ペンタフルオロフェニル)ボレートよりな
る群から選択され、前記トリアルキルアルミニウムはト
リエチルアルミニウムまたはテトライソブチルアルミニ
ウムであることが好ましい。
ポリスチレン、エチレン芳香族ポリマーまたはこれらの
共重合体を製造するのに使用される触媒組成物の、触媒
活性は300kg/gTi.hrよりも大きい。
を利用してシンジオタクチック性ポリスチレン、エチレ
ン芳香族ポリマーまたはこれらの共重合体を製造する方
法は、以上に述べたとおりであるが、本発明の内容をさ
らに明確するため、関連の実施例とともにさらに詳しく
説明する。
ンク(schlenk)フラスコに入れ、50mlのト
ルエンを入れた。ついで、室温下で8ml(ヘキサン中
1M)のジメチルアルミニウム塩化物溶液を加えた。こ
うして得られた混合溶液を80℃で4時間加熱した。塩
化リチウムを濾過した後に得た濾液を除去し、薄黄色の
ジメチル(ペンタメチルシクロペンタジエニル)アルミ
ニウムを得た。収率は78%であった。ジメチル(ペン
タメチルシクロペンタジエニル)アルミニウムをチタン
(IV)n−ブトキサイドと1:1のモル比で混合し、触
媒組成物1を得た。
chlenk)フラスコに入れ、40mlのトルエンを
入れた。ついで、まず1.08gのB−クロロカテコー
ルボランを10mlのトルエンに溶解させたのち、0℃
下でゆっくりと上述した溶液に加えた。この混合溶液が
室温に戻るのを待ち、一晩撹拌した。ついで、塩化リチ
ウムを濾過した後に得た濾液を除去し、1.5gの薄黄
色の生成物を得た。収率は約83%であった。
ペンタジエニルカテコールボランとチタン(IV)ブトキ
サイドを1:1のモル比で混合し、触媒組成物2を得
た。
ムとチタン(IV)n−ブトキサイドを1:2のモル比で
混合し、触媒組成物3を得た。
ル)バリウムとチタン(IV)n−ブトキサイドを1:1
のモル比で混合し、触媒組成物4を得た。
(sPS)用反応器をチッ素ガスで30分間パージした
後、三酸化二アルミニウムによる純化を経たスチレン溶
液300mlを注入した。ついで、反応器を70℃まで
加熱した後、22重量%のトリイソブチルアルミニウム
溶液1ml、および1.49MのMAO1.5mlを順
に加えた。最後に、8×10-5モルの触媒組成物1を加
え、水素ガスの圧力を0.2kgに設定した。30分後
に反応を停止させ、濾過、乾燥後91gの生成物を得
た。ここで、触媒活性は475kg.sPS/gTi・
hrであった。
分間パージした後、三酸化二アルミニウムによる純化を
経たスチレン溶液300mlを注入した。ついで、反応
器を70℃まで加熱した後、22重量%のトリイソブチ
ルアルミニウム溶液1ml、および1.49MのMAO
1.5mlを順に加えた。最後に、1.5×10-5モル
の触媒組成物3を加え、水素ガスの圧力を0.2kgに
設定した。30分後に反応を停止させ、濾過、乾燥後1
06.6gの生成物を得た。ここで、触媒活性は296
kg.sPS/gTi・hrであった。
分間パージした後、三酸化二アルミニウムによる純化を
経たスチレン溶液300mlを注入した。ついで、反応
器を70℃まで加熱した後、22重量%のトリイソブチ
ルアルミニウム溶液1ml、および1.49MのMAO
1.5mlを順に加えた。最後に、7.5×10-6モル
の触媒組成物3および1.5×10-5モルのトリメチル
シリル塩化物を加え、水素ガスの圧力を0.2kgに設
定した。30分後に反応を停止させ、濾過、乾燥後6
8.9gの生成物を得た。ここで、触媒活性は382k
g.sPS/gTi・hrであった。
分間パージした後、三酸化二アルミニウムによる純化を
経たスチレン溶液300mlを注入した。ついで、反応
器を70℃まで加熱した後、22重量%のトリイソブチ
ルアルミニウム溶液2ml、および1.49MのMAO
3mlを順に加えた。最後に、1.5×10-5モルの触
媒組成物4を加え、水素ガスの圧力を0.2kgに設定
した。30分後に反応を停止させ、濾過、乾燥後66g
の生成物を得た。ここで、触媒活性は368kg.sP
S/gTi・hrであった。
分間パージした後、三酸化二アルミニウムによる純化を
経たスチレン溶液300mlを注入した。ついで、反応
器を70℃まで加熱した後、22重量%のトリイソブチ
ルアルミニウム溶液を0.4ml、および1.49Mの
MAOを0.9mlを順に加えた。最後に、1.7×1
0-5モルの触媒組成物1を加え、水素ガスの圧力を0.
2kgに設定した。30分後に反応を停止させ、濾過、
乾燥後99gの生成物を得た。ここで、触媒活性は24
2kg.sPS/gTi・hrであった。
分間パージした後、三酸化二アルミニウムによる純化を
経たスチレン溶液300mlを注入した。ついで、反応
器を70℃まで加熱した後、22重量%のトリイソブチ
ルアルミニウム溶液を2ml、および1.49MのMA
Oを3ml順に加えた。最後に、3×10-5モルの触媒
組成物2を加え、水素ガスの圧力を0.2kgに設定し
た。30分後に反応を停止させ、濾過、乾燥後13gの
生成物を得た。ここで、触媒活性は9kg.sPS/g
Ti・hrであった。
レン溶液500mlを1リットルのsPS用反応器に注
入し、ついで1.2×10-4モルのMAOを加えた。反
応器を70℃まで加熱した後、2.4×10-5モルのト
リイソプロポキシクロロチタン(CITi(O−iP
r)3)および2.4×10-5モルのペンタメチルシク
ロペンタジエニルトリメチルシリコンを加え、1時間反
応させた後、MeOHを加えた反応を停止させた。濾
過、乾燥後92.6gの生成物を得た。ここで、触媒活
性は81kg.sPS/gTi・hrであった。
らは決して本発明の範囲を限定するものではなく、当該
技術に熟知した者ならば誰でも、本発明の精神と領域を
脱しない範囲内で各種の変動や潤色を加えられるべきで
あって、従って本発明の保護範囲は特許請求の範囲で指
定した内容を基準とする。
ポリスチレン、エチレン芳香族ポリマーまたはこれらの
共重合体製造用の触媒組成物であって、低コストで高い
触媒活性を有する触媒組成物を得ることができる。
Claims (20)
- 【請求項1】 (a)式(1):TiR1′R2′R3′
R4′(式中、R1′、R2′、R3′およびR4′はそれ
ぞれ独立してアルキル基、アリール基、アルコキシル
基、アリールオキシ基、アミノ基またはハロゲン原子)
で表わされるチタン(IV)錯体0.1〜10モル、 (b)式(2):LnXRm (式中、Lは式(3): 【化1】 、式(4): 【化2】 または式(5): 【化3】 (ただし、R1〜R13はそれぞれ独立してアルキル基、
アリール基、シリル基、 ハロゲン原子または水素原子、 XはIIA族またはIIIA族の元素、 XがIIIA族元素の場合n=1〜3、MがIIA族元素の
場合n=1〜2、 Rはアルキル基、アリール基、アルコキシ基、アリール
オキシ基、水素原子、ハロゲン原子、アミノ基または前
記Lと同じかもしくは異なるシクロペンタジエニル誘導
体、 XがIIIA族元素の場合mは3−n、 XがIIA族元素の場合mは2−n))によって表わされ
るIIA族またはIIIA族元素を含有するシクロペンタジ
エニル錯体0.1〜10モル、および (c)メチルアルミンオキサン10〜100000モ
ル、メチルアルミンオキサン10〜100000モルと
トリアルキルアルミニウム10000モル以下との混合
物、または非配位ルイス酸0.1〜20モルとトリアル
キルアルミニウム10000モル以下との混合物である
活性化遷移金属の共触媒からなる触媒組成物(ただし、
上記モルはすべてモル比である)であって、 スチレンまたは炭素数1〜12の置換スチレンもしくは
モノ−もしくはポリ−ハロゲン化シンジオタクチック性
ポリスチレンまたはその他のアリールエチレンポリマー
を製造するための触媒組成物。 - 【請求項2】 Xがアルミニウム原子、マグネシウム原
子、ボロン原子またはバリウム原子である請求項1記載
の触媒組成物。 - 【請求項3】 Xがアルミニウム原子、マグネシウム原
子またはバリウム原子である請求項1記載の触媒組成
物。 - 【請求項4】 R1〜R13がそれぞれ独立してアルキル
基、アリール基および水素原子よりなる群から選択され
る請求項1記載の触媒組成物。 - 【請求項5】 RおよびR1〜R13がそれぞれ独立して
メチル基および水素原子よりなる群から選択される請求
項1記載の触媒組成物。 - 【請求項6】 Rが前記Lと同じかまたは異なるシクロ
ペンタジエニル誘導体である請求項1記載の触媒組成
物。 - 【請求項7】 シクロペンタジエニル錯体が式(6): 【化4】 で表わされる請求項1記載の触媒組成物。
- 【請求項8】 R1、R2、R3、R4、R5はアルキル
基、アリール基または水素原子である請求項7記載の触
媒組成物。 - 【請求項9】 R1、R2、R3、R4、R5はメチル基ま
たは水素原子である請求項7記載の触媒組成物。 - 【請求項10】 Rがメチル基および水素原子よりなる
群から選択され、R1、R2、R3、R4、R5がメチル基
または水素原子である請求項7記載の触媒組成物。 - 【請求項11】 シクロペンタジエニル錯体が式
(7): 【化5】 により表わされる請求項1記載の触媒組成物。 - 【請求項12】 R6、R7、R8およびR9がそれぞれ独
立してアルキル基、アリール基および水素原子よりなる
群から選択される請求項7記載の触媒組成物。 - 【請求項13】 R5、R6、R7、R8およびR9がそれ
ぞれ独立してメチル基および水素原子よりなる群から選
択される請求項7記載の触媒組成物。 - 【請求項14】 Rがメチル基および水素原子よりなる
群から選択され、R6、R7、R8、R9が水素原子である
請求項11記載の触媒組成物。 - 【請求項15】 シクロペンタジエニル錯体が式
(8): 【化6】 で表される請求項1記載の触媒組成物。 - 【請求項16】 R6、R7、R8、R9、R10、R11、R
12およびR13がそれぞれ独立してアルキル基、アリール
基および水素原子よりなる群から選択される請求項11
記載の触媒組成物。 - 【請求項17】 R、R6、R7、R8、R9、R10、
R11、R12およびR13がそれぞれ独立してメチル基およ
び水素原子よりなる群から選択される請求項11記載の
触媒組成物。 - 【請求項18】 Rがメチル基および水素原子よりなる
群から選択されるか、または前記Lと同じかもしくは異
なるシクロペンタジエニル誘導体であり、R6、R7、R
8、R9、R10、R11、R12およびR13が水素原子である
請求項11記載の触媒組成物。 - 【請求項19】 (A)(a)式(1):TiR1′R
2′R3′R4′(式中、R1′、R2′、R3′およびR
4′はそれぞれ独立してアルキル基、アリール基、アル
コキシル基、アリールオキシ基、アミノ基またはハロゲ
ン原子)で表わされるチタン(IV)錯体0.1〜10モ
ル、 (b)式(2):LnXRm (式中、Lは式(3): 【化7】 、式(4): 【化8】 または式(5): 【化9】 (ただし、R1〜R13はそれぞれ独立してアルキル基、
アリール基、シリル基、 ハロゲン原子または水素原子、 XはIIA族またはIIIA族の元素、 XがIIIA族元素の場合n=1〜3、MがIIA族元素の
場合n=1〜2、 Rはアルキル基、アリール基、アルコキシ基、アリール
オキシ基、水素原子、ハロゲン原子、アミノ基または前
記Lと同じかもしくは異なるシクロペンタンタジエニル
誘導体、 XがIIIA族元素の場合mは3−n、 XがIIA族元素の場合mは2−n))によって表わされ
るIIA族またはIIIA族元素を含有するシクロペンタジ
エニル錯体0.1〜10モル、および (c)メチルアルミンオキサン10〜100000モ
ル、メチルアルミンオキサン10〜100000モルと
トリアルキルアルミニウム10000モル以下との混合
物、または非配位ルイス酸0.1〜20モルとトリアル
キルアルミニウム10000モル以下との混合物である
活性化遷移金属の共触媒からなる触媒組成物(ただし、
上記モルはすべてモル比である)を調製する工程、 (B)前記触媒組成物とスチレンまたは炭素数1〜12
の置換スチレンもしくはモノ−もしくはポリ−ハロゲン
化スチレンを反応器中に充填して重合反応を開始する工
程、ならびに (C)重合反応を停止して重合生成物を得る工程からな
る前記スチレンモノマーから高シンジオタクチック性ポ
リスチレンまたはその他のアリールエチレンポリマーを
製造するための触媒方法。 - 【請求項20】 前記触媒組成物が、 (a)0.5〜2モルのチタン(IV)錯体、 (b)1〜4モルのシクロペンタジエニル錯体、および (c)10〜1000モルのメチルアルミンオキサン、
10〜1000モルのメチルアルミンオキサンと100
00モル以下のトリアルキルアルミニウムとの混合物、
または0.5〜4モルの非配位型ルイス酸と10000
モル以下のトリアルキルアルミニウムとの混合物を含む
(ただし、上記モルはすべてモル比である)請求項19
記載の方法。
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-
1998
- 1998-07-21 JP JP20542498A patent/JP3004967B1/ja not_active Expired - Lifetime
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J.Chem.Soc.,Chem.Commun.(1978),(6),242 |
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