JPH04255571A - Noncontact type ignition device - Google Patents
Noncontact type ignition deviceInfo
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 41
- 230000007423 decrease Effects 0.000 abstract description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 13
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 5
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 5
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 2
- 101150073536 FET3 gene Proteins 0.000 description 1
- 230000033228 biological regulation Effects 0.000 description 1
- 230000001186 cumulative effect Effects 0.000 description 1
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
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- Ignition Installations For Internal Combustion Engines (AREA)
Abstract
Description
【０００１】0001
【産業上の利用分野】本発明は自動車エンジン等に用い
る無接点式点火装置に係り、更に詳細には、点火コイル
の１次コイル電流を増幅するパワー半導体、１次コイル
電流を規定値に制限するための回路等を備えた無接点式
点火装置に関する。[Field of Industrial Application] The present invention relates to a non-contact ignition device used in automobile engines, etc., and more particularly, it relates to a power semiconductor that amplifies the primary coil current of an ignition coil, and a power semiconductor that limits the primary coil current to a specified value. This invention relates to a non-contact ignition device equipped with a circuit etc. for
【０００２】0002
【従来の技術】従来より自動車エンジン等に使用される
無接点式点火装置は、１次コイル電流増幅用のパワー半
導体（例えばパワートランジスタ）などの回路素子の保
護のため、点火コイルの１次コイル電流が規定値を超え
ないようにしてある。[Prior Art] Conventionally, non-contact ignition devices used in automobile engines etc. have been designed to protect circuit elements such as power semiconductors (for example, power transistors) for amplifying the primary coil current. The current is set so that it does not exceed the specified value.
【０００３】例えば、図１０に示される従来の無接点式
点火装置では、図示されないコントロールユニットから
入力抵抗３０を介してパワー半導体（パワートランジス
タ）３１の入力電極（ベース）に１次コイル電流の通電
信号が入力されると、点火コイル３２の１次コイルに流
れる電流をパワートランジスタ３１が増幅する。パワー
トランジスタ３１のコレクタ（１次コイル側電極）は１
次コイルに接続され、エミッタ（アース側電極）はアー
ス側に接続される。For example, in the conventional contactless ignition device shown in FIG. 10, a primary coil current is passed from a control unit (not shown) to the input electrode (base) of a power semiconductor (power transistor) 31 via an input resistor 30 When a signal is input, the power transistor 31 amplifies the current flowing through the primary coil of the ignition coil 32. The collector (primary coil side electrode) of the power transistor 31 is 1
The emitter (earth side electrode) is connected to the earth side.
【０００４】そして電流検出抵抗（低抵抗素子）３３が
パワートランジスタ３１のエミッタとアース間に接続さ
れ、この電流検出抵抗３３の１次電流通電時の電圧降下
によって検出される１次コイル電流検出信号が電流制限
用のトランジスタ３４に入力され、１次コイル電流が規
定値以上になるとトランジスタ３４がオンして、規定値
以上の１次コイル電流が流れないようフィードバック制
御される。A current detection resistor (low resistance element) 33 is connected between the emitter of the power transistor 31 and the ground, and a primary coil current detection signal is detected by the voltage drop across the current detection resistor 33 when the primary current is energized. is input to the current limiting transistor 34, and when the primary coil current exceeds a specified value, the transistor 34 is turned on, and feedback control is performed so that the primary coil current does not exceed the specified value.
【０００５】その他に、機械接点式の点火装置では例え
ば特公昭４４−８５４５号公報に開示されるようにオー
プンループ形のものもある。In addition, there is also an open loop type ignition device of mechanical contact type, as disclosed in Japanese Patent Publication No. 44-8545, for example.
【０００６】このオープンループ形の点火装置は、駆動
トランジスタのベース・アース間に複数のダイオードを
直列に接続し、このダイオードを順方向に通るほゞ一定
の電流により生じるダイオードの一定の電圧降下（端子
電圧）で駆動トランジスタのベースとアース間の電圧を
定めて、一次コイル電流の制限を行っている。This open-loop ignition device has a plurality of diodes connected in series between the base of the drive transistor and ground, and a constant voltage drop across the diode ( The primary coil current is limited by determining the voltage between the base of the drive transistor and ground (terminal voltage).
【０００７】[0007]
【発明が解決しようとする課題】上記した従来技術のう
ち、クローズドループ形の１次コイル電流制限回路では
、フィードバック制御時に発振するおそれがあるためパ
ワーパワートランジスタ３１のベース・エミッタ間に発
振防止用コンデンサ３５を介在させており、発振防止用
コンデンサ３５，トランジスタ３４などを必要とするた
め、部品点数が増え装置が大形化する傾向がある。[Problems to be Solved by the Invention] Among the above-mentioned conventional technologies, in the closed-loop type primary coil current limiting circuit, there is a risk of oscillation during feedback control, so it is necessary to prevent oscillation between the base and emitter of the power power transistor 31. Since the capacitor 35 is interposed and the oscillation prevention capacitor 35, transistor 34, etc. are required, the number of parts increases and the device tends to become larger.
【０００８】また従来の点火装置は、点火コイルの１次
コイル電流値の温度特性については充分な配慮がなされ
ていなかった。例えば、前述したオープンループ形の点
火装置では、点火コイル駆動トランジスタのベース・ア
ース間に複数のダイオードが直列接続（通常、ダイオー
ド１つあたりの電圧降下が０．７Ｖであり、このベース
・アース間電圧は２Ｖ程度確保するため３個程度のダイ
オードが直列接続される）されるが、各ダイオードの温
度係数は−０．２ｍＶ／℃程度で３個直列接続の場合に
は−０．６ｍＶ程度の温度係数となる。一方、駆動トラ
ンジスタは、通常、トランジスタのベース・エミッタ電
圧ＶＢＥの温度係数が−０．２ｍＶで２段に接続された
場合には−０．４ｍＶとなる。Furthermore, in conventional ignition devices, sufficient consideration has not been given to the temperature characteristics of the primary coil current value of the ignition coil. For example, in the open-loop ignition device described above, multiple diodes are connected in series between the base of the ignition coil drive transistor and the ground (usually, the voltage drop per diode is 0.7V, and the voltage drop between the base and the ground is (About 3 diodes are connected in series to ensure a voltage of about 2V), but the temperature coefficient of each diode is about -0.2mV/℃, and when 3 diodes are connected in series, the temperature coefficient is about -0.6mV. It becomes the temperature coefficient. On the other hand, the temperature coefficient of the base-emitter voltage VBE of the drive transistor is usually -0.2 mV, and when connected in two stages, the temperature coefficient becomes -0.4 mV.
【０００９】このようにベース・アース間の電圧が前記
トランジスタのベース・エミッタ電圧ＶＢＥの温度係数
以上になると、点火コイルの１次コイル電流値の温度特
性が高温時に負の温度特性になる（負の温度特性になる
のは、実施例の項で説明する式（５）の関係であり、こ
れについては参照されたい）。[0009] As described above, when the voltage between the base and ground exceeds the temperature coefficient of the base-emitter voltage VBE of the transistor, the temperature characteristic of the primary coil current value of the ignition coil becomes a negative temperature characteristic at high temperatures. The reason for the temperature characteristic is the relationship of equation (5) explained in the Examples section, please refer to this).
【００１０】そして、高温時に負の温度特性になるとパ
ワー半導体の熱的負担が大きくなる。その理由を図８に
より説明する。[0010] If the temperature characteristics become negative at high temperatures, the thermal load on the power semiconductor increases. The reason for this will be explained with reference to FIG.
【００１１】図８は縦軸にパワー半導体（パワートラン
ジスタ）の１次コイル電流（コレクタ電流Ｉｃ）とコレ
クタ・エミッタ電圧ＶＣＥを示し、横軸に時間ｔを示し
、Ｉｃｏが１次コイル電流の規定値とする。１次コイル
電流値が立上り時に規定値Ｉｃｏに達するとＶＣＥはス
テップ状にあるレベルまで高くなる。そして、パワー半
導体で消費される電力（ＩｃとＶＣＥの積）が熱的負担
となる。１次コイル電流値Ｉｃが高温時に負の温度特性
になると、ＩｃｏはＩｃｏ１だけレベルダウンし、その
分ＶＣＥの立ち上がりが（イ）のように早まるためＩｃ
とＶＣＥとの積算量が増し熱的負担が増加し、特に自動
車エンジンルームのような高温環境により使用される点
火装置においてはその改善が望まれる。In FIG. 8, the vertical axis shows the primary coil current (collector current Ic) and collector-emitter voltage VCE of the power semiconductor (power transistor), the horizontal axis shows time t, and Ico is the regulation of the primary coil current. value. When the primary coil current value reaches the specified value Ico at the time of rise, VCE rises to a certain level in a stepwise manner. The power consumed by the power semiconductor (product of Ic and VCE) becomes a thermal burden. When the primary coil current value Ic becomes a negative temperature characteristic at a high temperature, the level of Ico decreases by Ico1, and the rise of VCE becomes earlier as shown in (a), so Ic
The integrated amount of VCE and VCE increases, resulting in an increased thermal burden, and improvements are desired, especially in ignition systems used in high-temperature environments such as automobile engine compartments.
【００１２】本発明は以上の点に鑑みてなされたもので
、その目的とするところは、無接点式点火装置の１次コ
イル電流制限回路をオープンループ形にして部品点数の
削減，装置（基板）の小形化，製作コストの低減を図る
と共に、１次コイル電流の温度特性を改善してパワー半
導体にかかる熱的負担を軽減させることにある。The present invention has been made in view of the above points, and its objects are to reduce the number of parts and reduce the number of parts of the device (board ) and to reduce the manufacturing cost, as well as to improve the temperature characteristics of the primary coil current and reduce the thermal load placed on the power semiconductor.
【００１３】[0013]
【課題を解決するための手段】本発明は上記目的を達成
するために、基本的には次にように構成する。内容の理
解を容易にするため、実施例たる図面の一部を引用して
説明する。[Means for Solving the Problems] In order to achieve the above object, the present invention is basically constructed as follows. In order to facilitate understanding of the content, the description will be given with reference to some drawings that are examples.
【００１４】すなわち、図１に示す如く、点火コイル１
の１次コイル電流の通電信号を入力する入力電極，１次
コイル電流を通流する１次コイル側電極及びアース側電
極とを有する１次コイル電流増幅用のパワー半導体３と
、１次コイル電流が規定値を超えないよう電流制限する
回路６とを備えてなる無接点式点火装置において、パワ
ー半導体３のアース側電極とアース間に１次コイル電流
制限回路６の回路素子となる低抵抗素子９を接続すると
共に、パワー半導体３の入力電極とアース間に定電圧源
となるツェナーダイオード８を接続してオープンループ
形の１次コイル電流制限回路６を構成し、且つ点火コイ
ル１の１次コイル電流値の温度特性が高温時に正側にな
るよう設定してなる〔例えば、ツェナーダイオード８及
びパワー半導体３として、点火コイル１の１次コイル電
流値の温度特性が高温時に正側になるような温度係数を
有する素子を用いて回路構成する。すなわち、ツェナー
ダイオードの場合、実施例でも詳述するように温度係数
ｄＶｚ／ｄｔを−１．２ｍＶ／℃とすることが可能であ
り、一方、パワー半導体の温度係数ｄＶＢＥ／ｄｔは一
般に−２ｍＶ／℃であるが、このようにツェナーダイオ
ード８の温度係数ｄＶＢＥ／ｄｔ（換言すればパワー半
導体３のベース・アース間）がパワー半導体３の温度係
数ｄＶＢＥ／ｄｔ以下であると、点火コイルの１次コイ
ル電流値の温度特性が高温時に正の温度特性になる。こ
の点は実施例で式に基づいて説明するので参照されたい
〕。That is, as shown in FIG.
a power semiconductor 3 for amplifying the primary coil current, which has an input electrode for inputting an energization signal for the primary coil current, a primary coil side electrode for passing the primary coil current, and a ground side electrode; In a non-contact type ignition device comprising a circuit 6 that limits the current so that the current does not exceed a specified value, a low resistance element serving as a circuit element of the primary coil current limiting circuit 6 is provided between the ground side electrode of the power semiconductor 3 and the ground. 9 is connected, and a Zener diode 8 serving as a constant voltage source is connected between the input electrode of the power semiconductor 3 and the ground to constitute an open loop type primary coil current limiting circuit 6. The temperature characteristic of the coil current value is set to be on the positive side when the temperature is high [For example, as the Zener diode 8 and the power semiconductor 3, the temperature characteristic of the primary coil current value of the ignition coil 1 is set to be on the positive side when the temperature is high. The circuit is constructed using elements with a temperature coefficient of That is, in the case of a Zener diode, the temperature coefficient dVz/dt can be set to -1.2 mV/°C, as detailed in the examples, while the temperature coefficient dVBE/dt of a power semiconductor is generally -2 mV/°C. ℃, but if the temperature coefficient dVBE/dt of the Zener diode 8 (in other words, between the base and ground of the power semiconductor 3) is less than the temperature coefficient dVBE/dt of the power semiconductor 3, the primary of the ignition coil The temperature characteristic of the coil current value becomes a positive temperature characteristic at high temperatures. This point will be explained based on formulas in Examples, so please refer to it.
【００１５】また、その応用として、一つは、図２に示
すごとく１次コイル電流制限回路６にはツェナーダイオ
ード８と共に定電圧源の一部となるＰＮＰトランジスタ
１１を付加し、このＰＮＰトランジスタ１１のエミッタ
をパワー半導体３の入力電極に、コレクタをアースに、
ベースをツェナーダイオード８のカソードに接続し、ツ
ェナーダイオード８のアノードをアースに接続する。In addition, as an application thereof, one is to add a PNP transistor 11 which becomes part of a constant voltage source together with a Zener diode 8 to the primary coil current limiting circuit 6 as shown in FIG. The emitter of is connected to the input electrode of the power semiconductor 3, the collector is connected to the ground,
The base is connected to the cathode of Zener diode 8, and the anode of Zener diode 8 is connected to ground.
【００１６】さらにもう一つは、図４に示すごとく１次
コイル電流制限回路６にはツェナーダイオード８と共に
定電圧源の一部となるＮＰＮトランジスタ１２を付加し
、ツェナーダイオード８のカソードをパワー半導体３の
入力電極に、アノードをＮＰＮトランジスタ１２のベー
スに接続し、ＮＰＮトランジスタ１２のコレクタをパワ
ー半導体３の入力電極に、エミッタをアースに接続する
。Furthermore, as shown in FIG. 4, an NPN transistor 12 which becomes part of a constant voltage source is added to the primary coil current limiting circuit 6 together with a Zener diode 8, and the cathode of the Zener diode 8 is connected to a power semiconductor. 3, the anode is connected to the base of the NPN transistor 12, the collector of the NPN transistor 12 is connected to the input electrode of the power semiconductor 3, and the emitter is connected to ground.
【００１７】[0017]
【作用】上記の基本的な課題解決手段によれば、パワー
半導体３の入力電極の電位Ｖａはツェナーダイオードに
より一定に保たれる（Ｖａ＝Ｖｚ）。そして、電位Ｖａ
は、例えばパワー半導体３がトランジスタの場合には、
そのＶＢＥと抵抗９の電圧降下（Ｉｃ×Ｒｏ）との和で
あるから、１次コイル電流値ＩｃがＶｚにより抑制され
規定値を超えないよう制限される。[Operation] According to the above basic problem solving means, the potential Va of the input electrode of the power semiconductor 3 is kept constant by the Zener diode (Va=Vz). And the potential Va
For example, when the power semiconductor 3 is a transistor,
Since it is the sum of VBE and the voltage drop (Ic×Ro) of the resistor 9, the primary coil current value Ic is suppressed by Vz and is limited so as not to exceed a specified value.
【００１８】さらに本実施例では、１次コイル電流値が
高温時に正の温度特性となる。これを図８により説明す
ると、１次コイル電流値Ｉｃが高温時に正の温度特性に
なると、ＩｃｏはＩｃｏ２だけレベルアップし、その分
ＶＣＥの立ち上がりが（ロ）のように遅まるためＩｃと
ＶＣＥとの積算量が減り熱的負担が減少する。Furthermore, in this embodiment, the primary coil current value has a positive temperature characteristic when the temperature is high. To explain this with reference to FIG. 8, when the primary coil current value Ic has a positive temperature characteristic at high temperature, Ico increases in level by Ico2, and the rise of VCE is delayed by that much as shown in (b), so Ic and VCE The cumulative amount of heat is reduced and the thermal load is reduced.
【００１９】なお、上記基本的課題解決手段の応用とし
て、１次コイル電流制限回路の定電圧源としてツェナー
ダイオード８にＰＮＰトランジスタ１１を付加したもの
については実施例の項の第２実施例に、或いはＮＰＮト
ランジスタ１２を付加したものについては第４実施例に
述べてあるので、これを参照されたい。As an application of the above basic problem solving means, a PNP transistor 11 is added to the Zener diode 8 as a constant voltage source of the primary coil current limiting circuit, as described in the second embodiment in the embodiment section. Alternatively, please refer to the fourth embodiment for a structure in which the NPN transistor 12 is added.
【００２０】[0020]
【実施例】本発明の実施例を図面により説明する。[Embodiment] An embodiment of the present invention will be explained with reference to the drawings.
【００２１】図１は本発明の第１実施例を示す回路構成
図である。FIG. 1 is a circuit diagram showing a first embodiment of the present invention.
【００２２】図１において、点火コイル１は１次コイル
と２次コイルとで構成され、１次コイルの一方はバッテ
リ２（電源）に、他方は点火コイル駆動用のパワー半導
体となるダーリントントランジスタ（ＮＰＮトランジス
タ）３の２段目のトランジスタのコレクタ（１次コイル
側電極）に接続されている。上記２段目のトランジスタ
のエミッタ（アース側電極）は１次コイル電流制限回路
６の回路素子となる電流調整用の低抵抗素子９を介して
アースに接続される。In FIG. 1, an ignition coil 1 is composed of a primary coil and a secondary coil, one of the primary coils is connected to a battery 2 (power source), and the other is connected to a Darlington transistor (which becomes a power semiconductor for driving the ignition coil). It is connected to the collector (primary coil side electrode) of the second stage transistor (NPN transistor) 3. The emitter (ground side electrode) of the second stage transistor is connected to the ground via a low resistance element 9 for current adjustment, which is a circuit element of the primary coil current limiting circuit 6.
【００２３】ダーリントントランジスタ３の１段目のベ
ース（入力電極）には、入力抵抗４を介して制御ユニッ
ト５からの点火信号（１次コイル通電信号）が入力され
る。制御ユニット５はエンジン運転状態に応じて１次コ
イル電流の通電時間を演算して点火制御を行う。３はノ
イズ除去用コンデンサである。An ignition signal (primary coil energization signal) from the control unit 5 is input to the first stage base (input electrode) of the Darlington transistor 3 via the input resistor 4 . The control unit 5 performs ignition control by calculating the energization time of the primary coil current according to the engine operating state. 3 is a noise removal capacitor.
【００２４】１次コイル電流制限回路６は、定電圧電源
用のツェナーダイオード８及び電流調整用の低抵抗素子
９などから構成される。The primary coil current limiting circuit 6 is comprised of a Zener diode 8 for constant voltage power supply, a low resistance element 9 for current adjustment, and the like.
【００２５】ツェナーダイオード８はパワートランジス
タ３の入力電極とアース間に接続されて、オープンルー
プ形の１次コイル電流制限回路６を構成する。The Zener diode 8 is connected between the input electrode of the power transistor 3 and ground, and constitutes an open-loop primary coil current limiting circuit 6.
【００２６】上記回路構成において、ダーリントントラ
ンジスタ３のベースに１次コイル電流の通電信号が入力
されると、ダーリントントランジスタ３によって１次コ
イルに流れる電流（１次コイル電流）が増幅され、１次
コイル電流遮断時に点火コイル１の２次コイルに発生し
た２次電圧が点火プラグ１０に印加されてスパークする
。In the above circuit configuration, when a primary coil current energization signal is input to the base of the Darlington transistor 3, the current flowing through the primary coil (primary coil current) is amplified by the Darlington transistor 3, and the primary coil current is amplified by the Darlington transistor 3. The secondary voltage generated in the secondary coil of the ignition coil 1 when the current is cut off is applied to the ignition plug 10, causing a spark.
【００２７】そして、１次コイル電流通電時にダーリン
トントランジスタ３のベース電圧Ｖａは、次のように表
される。◆The base voltage Va of the Darlington transistor 3 when current is applied to the primary coil is expressed as follows. ◆
【００２８】[0028]
【数１】
Ｖａ＝Ｖｚ …（１）
Ｖａ＝２ＶＢＥ（ＮＰＮ）＋Ｉｃ×Ｒｏ …（２
）ここで、Ｖｚはツェナーダイオード８にかかる電圧、
ＶＢＥ（ＮＰＮ）はダーリントントランジスタ３のベー
ス・エミッタ間電圧、Ｉｃは１次コイル電流、Ｒｏは抵
抗９の抵抗値である。式（１），（２）より、Ｉｃが規
定電流値以上になるのが抑制され、また次の式（３）が
求められる。◆[Equation 1] Va=Vz...(1) Va=2VBE(NPN)+Ic×Ro...(2
) Here, Vz is the voltage applied to Zener diode 8,
VBE (NPN) is the base-emitter voltage of the Darlington transistor 3, Ic is the primary coil current, and Ro is the resistance value of the resistor 9. From equations (1) and (2), Ic is suppressed from exceeding the specified current value, and the following equation (3) is obtained. ◆
【００２９】[0029]
【数２】
Ｒｏ×Ｉｃ＝Ｖｚ−２ＶＢＥ（ＮＰＮ） …（３
）式（３）をＩｃについて解くと式（４）が求められる
。
◆[Math. 2] Ro×Ic=Vz−2VBE(NPN)…(3
) Solving equation (3) for Ic yields equation (4). ◆
【００３０】[0030]
【数３】[Math 3]
【００３１】式（４）を微分すると式（５）が求められ
る。◆By differentiating equation (4), equation (5) is obtained. ◆
【００３２】[0032]
【数４】[Math 4]
【００３３】ここで、周囲温度Ｔａ＝２５℃において、
１次コイル電流Ｉｃは７ＡでＲｏ×Ｉｃ≒１Ｖと決める
と、Ｒｏ＝１／７＝０．１４Ωとなる。[0033] Here, at ambient temperature Ta=25°C,
If the primary coil current Ic is 7A and Ro×Ic≈1V, then Ro=1/7=0.14Ω.
【００３４】また、ツェナーダイオード８の温度係数は
ｄＶｚ／ｄｔ＝−１．２ｍＶ／℃とすることが可能であ
り、またダーリントントランジスタ３のＶＢＥの温度特
性は一般にｄＶＢＥ（ＮＰＮ）＝−２ｍＶ／℃であるか
ら、これらの数値を入れて式（５）を解くと、ｄＩｃ／
ｄｔ≒２０ｍＡ／℃となる。Furthermore, the temperature coefficient of the Zener diode 8 can be set to dVz/dt=-1.2 mV/°C, and the temperature characteristic of VBE of the Darlington transistor 3 is generally dVBE(NPN)=-2 mV/°C. Therefore, if we solve equation (5) by inserting these values, we get dIc/
dt≒20mA/°C.
【００３５】ゆえに、温度が１℃上昇すると、１次コイ
ル電流値Ｉｃは＋２０ｍＡだけ増え、１００℃変化（上
昇）すると、１次コイル電流値７Ａ（Ｔａ＝２５℃）の
ものが７Ａ＋２０ｍＡ×１００＝９Ａとなり正側の温度
特性を示す。Therefore, when the temperature rises by 1°C, the primary coil current value Ic increases by +20mA, and when the temperature changes (increases) by 100°C, the primary coil current value of 7A (Ta=25°C) becomes 7A+20mA×100= It becomes 9A, indicating a positive temperature characteristic.
【００３６】本実施例によれば、１次コイル電流制限回
路６は、フィードバック回路となっていないため、原理
的に駆動トランジスタによる発振がおこならい。そのた
め、例えばダーリントントランジスタのｈＦＥ選別や発
振防止用のコンデンサ，電流制限用トランジスタ等が不
要となる。具体的には、従来の電流制限回路に用いる回
路素子は９個であったのを５個に削減できた。According to this embodiment, since the primary coil current limiting circuit 6 is not a feedback circuit, oscillation by the drive transistor does not occur in principle. Therefore, for example, hFE selection of Darlington transistors, capacitors for preventing oscillation, transistors for current limiting, etc. are unnecessary. Specifically, the number of circuit elements used in the conventional current limiting circuit was reduced from nine to five.
【００３７】また、１次コイル電流の温度特性が正の特
性となるために、発明の作用の項にて図８により述べた
ようにダーリントントランジスタの熱的負担を軽減でき
る。そして、この正の温度特性もオープンループの電流
制限回路に用いるツェナーダイオード８を用いることで
達成できるので、回路構成の合理化を図ることができる
。Furthermore, since the temperature characteristic of the primary coil current is positive, the thermal load on the Darlington transistor can be reduced as described with reference to FIG. 8 in the section of the operation of the invention. Since this positive temperature characteristic can also be achieved by using the Zener diode 8 used in the open loop current limiting circuit, the circuit configuration can be rationalized.
【００３８】次に本発明の第２実施例を図２により説明
する。なお、図２における実施例において第１実施例と
同一符号は同一或いは共通する要素を示す（図３以降の
その他の実施例の符号も同様である）。Next, a second embodiment of the present invention will be explained with reference to FIG. In the embodiment shown in FIG. 2, the same reference numerals as in the first embodiment indicate the same or common elements (the same reference numerals apply to the other embodiments after FIG. 3).
【００３９】本実施例と第１実施例の異なる点は、ダー
リントントランジスタ３の入力電極（ベース）とアース
間に接続される定電圧源をツェナーダイオード８とＰＮ
Ｐトランジスタ１１とで構成したことにある。すなわち
、ＰＮＰトランジスタ１１のエミッタをダーリントント
ランジスタ３の入力電極と接続し、そのコレクタをアー
スに接続すると共に、ベースをツェナーダイオード８の
カソード側と接続し、ツェナーダイオード８のアノード
をアースに接続している。The difference between this embodiment and the first embodiment is that the constant voltage source connected between the input electrode (base) of the Darlington transistor 3 and the ground is connected to the Zener diode 8 and the PN
This is because it is configured with a P transistor 11. That is, the emitter of the PNP transistor 11 is connected to the input electrode of the Darlington transistor 3, its collector is connected to the ground, the base is connected to the cathode side of the Zener diode 8, and the anode of the Zener diode 8 is connected to the ground. There is.
【００４０】このような構成によれば、ツェナーダイオ
ード８とＰＮＰトランジスタ１１により定電圧化し、点
火コイルの１次コイル電流値Ｉｃ２の温度特性が高温時
に正側でより一層フラットに改善される利点がある。According to such a configuration, the Zener diode 8 and the PNP transistor 11 provide a constant voltage, and the temperature characteristic of the primary coil current value Ic2 of the ignition coil is improved to be even more flat on the positive side at high temperatures. be.
【００４１】これを、計算式で表すと、[0041] This can be expressed as a calculation formula:
【００４２】[0042]
【数５】
Ｖａ＝２ＶＢＥ（ＰＮＰ）＋Ｖｚ
…（１）´
Ｖａ＝２ＶＢＥ（ＮＰＮ）＋Ｉｃ２×Ｒｏ
…（２）´ここで、ＶＢＥ（ＰＮＰ）はトランジス
タ１１のベース・エミッタ間電圧、ＶＢＥ（ＮＰＮ）は
ダーリントントランジスタ３のベース・エミッタ間電圧
である。式（１）´，（２）´より、１次コイル電流Ｉ
ｃ２が規定電流値以上になるのが抑制され、また式（３
）´が求められる。◆[Formula 5] Va=2VBE(PNP)+Vz
...(1)'
Va=2VBE(NPN)+Ic2×Ro
...(2)' Here, VBE (PNP) is the base-emitter voltage of the transistor 11, and VBE (NPN) is the base-emitter voltage of the Darlington transistor 3. From equations (1)' and (2)', the primary coil current I
c2 is suppressed from exceeding the specified current value, and formula (3
)′ is required. ◆
【００４３】[0043]
【数６】
Ｒｏ×Ｉｃ２＝ＶＢＥ（ＰＮＰ）＋Ｖｚ−２Ｖ
ＢＥ（ＮＰＮ） …（３）´式（３）´をＩｃ２につ
いて解くと、[Formula 6] Ro×Ic2=VBE(PNP)+Vz−2V
BE(NPN)...(3) Solving equation (3) for Ic2, we get
【００４４】[0044]
【数７】[Math 7]
【００４５】式（４）´を微分すると、Differentiating equation (4)′, we get
【００４６】[0046]
【数８】[Math. 8]
【００４７】ここで、周囲温度Ｔａ＝２５℃においてＲ
ｏ×Ｉｃ２＝１Ｖとなるよう決めてあるため、ＲｏはＲ
ｏ＝１／７＝０．１４Ωとなる。前述したように、ダー
リントントランジスタ３のＶＢＥの温度係数ｄＶＢＥ／
ｄｔが−２ｍＶ／℃、ツェナーダイオード８の温度係数
はｄＶｚ／ｄｔ＝−１．２ｍＶ／℃で、またトランジス
タ１１の温度係数ｄＶＢＥ／ｄｔが−２ｍＶ／℃である
から、これらを式（５）´に代入すると、ｄＩｃ／ｄｔ
＝５．７ｍＶ／℃となる。Here, at ambient temperature Ta=25°C, R
Since it is determined that o×Ic2=1V, Ro is R
o=1/7=0.14Ω. As mentioned above, the temperature coefficient of VBE of Darlington transistor 3 is dVBE/
Since dt is -2mV/°C, the temperature coefficient of Zener diode 8 is dVz/dt=-1.2mV/°C, and the temperature coefficient dVBE/dt of transistor 11 is -2mV/°C, these can be expressed as equation (5). ', then dIc/dt
=5.7mV/°C.
【００４８】ゆえに温度が１℃上昇すると、１次コイル
電流値Ｉｃは＋５．７ｍＡだけ増え、１００℃まで変化
（上昇）しても、１次コイル電流値７Ａ（Ｔａ＝２５℃
）のものは７Ａ＋５．７ｍＡ×１００＝７．５７Ａとな
り第１実施例の場合よりも、７２％も正側かつフラット
な温度特性を示す。Therefore, when the temperature rises by 1°C, the primary coil current value Ic increases by +5.7mA, and even if the temperature changes (rises) to 100°C, the primary coil current value is 7A (Ta=25°C).
) has a temperature characteristic of 7A+5.7mA×100=7.57A, which is 72% more positive and flatter than that of the first embodiment.
【００４９】本実施例によれば、第１実施例同様の効果
を奏し、さらに１次コイル電流の正の温度特性がよりフ
ラットとなる。なお、１次コイル電流制限回路の部品点
数については、従来の９個より６個に削減できた。According to this embodiment, the same effects as in the first embodiment are achieved, and furthermore, the positive temperature characteristic of the primary coil current becomes flatter. Note that the number of components in the primary coil current limiting circuit has been reduced to 6 from the conventional 9.
【００５０】図３は本発明の第３実施例で、上記第２実
施例の変形例である。FIG. 3 shows a third embodiment of the present invention, which is a modification of the second embodiment.
【００５１】本実施例は第２実施例と同様の動作を行う
が、第２実施例と異なる点は、定電圧源の一部となるＰ
ＮＰトランジスタ１１のコレクタを直接アースに接続せ
ずにダーリントントランジスタ３のエミッタと抵抗９と
の間に接続した点にある。This embodiment operates in the same way as the second embodiment, but the difference from the second embodiment is that P, which is part of the constant voltage source,
The point is that the collector of the NP transistor 11 is not directly connected to ground, but is connected between the emitter of the Darlington transistor 3 and the resistor 9.
【００５２】このような構成よりなれば、抵抗９との分
圧によってＰＮＰトランジスタ１１のコレクタ・エミッ
タ間電圧ＶＣＥを第２実施例よりも小さくできる。具体
的には、第２実施例の場合にはトランジスタ１１に２．
５ＶのＶＣＥ電圧がかかるにが、第３実施例の場合には
１．５ＶのＶＣＥ電圧がかかる。With this configuration, the collector-emitter voltage VCE of the PNP transistor 11 can be made smaller than that in the second embodiment due to voltage division with the resistor 9. Specifically, in the case of the second embodiment, the transistor 11 has 2.
Although a VCE voltage of 5V is applied, in the case of the third embodiment, a VCE voltage of 1.5V is applied.
【００５３】従って、本実施例の場合には、トランジス
タ１１における熱負荷を小さくできより高温の周囲温度
で使える利点がある。Therefore, this embodiment has the advantage that the thermal load on the transistor 11 can be reduced and it can be used at a higher ambient temperature.
【００５４】図４は本発明の第４実施例である。FIG. 4 shows a fourth embodiment of the present invention.
【００５５】本実施例は第２実施例と似た回路構成をな
すが、異なる点は１次コイル電流制限回路６の定電圧源
をツェナーダイオード８とＮＰＮ形のトランジスタ１２
で構成し、ダーリントントランジスタ３の入力電極（ベ
ース）をツェナーダイオード８のカソード及びトランジ
スタ１２のコレクタと接続し、ツェナーダイオード８の
アノードをトランジスタ１２のベースに接続し、トラン
ジスタ１２のエミッタをアースに接続したことにある。This embodiment has a circuit configuration similar to that of the second embodiment, but the difference is that the constant voltage source of the primary coil current limiting circuit 6 is a Zener diode 8 and an NPN type transistor 12.
The input electrode (base) of Darlington transistor 3 is connected to the cathode of Zener diode 8 and the collector of transistor 12, the anode of Zener diode 8 is connected to the base of transistor 12, and the emitter of transistor 12 is connected to ground. It's what I did.
【００５６】本実施例の場合にも、第２実施例と同様に
点火コイル１の１次コイル電流値Ｉｃ２の温度特性が高
温時に正側でよりフラットに改善される利点がある。部
品点数の削減については、第２実施例と同様である。In the case of this embodiment, as in the second embodiment, there is an advantage that the temperature characteristic of the primary coil current value Ic2 of the ignition coil 1 is improved to be more flat on the positive side at high temperatures. The reduction in the number of parts is the same as in the second embodiment.
【００５７】図５は本発明の第５実施例を示す回路図で
ある。FIG. 5 is a circuit diagram showing a fifth embodiment of the present invention.
【００５８】本実施例は、点火コイル駆動用のパワー半
導体としてダーリントントランジスタ３に代えてパワー
ＭＯＳ・ＦＥＴ３´を用いたもので、その他の構成にに
ついては第１実施例と同様の構成をなす。In this embodiment, a power MOS/FET 3' is used in place of the Darlington transistor 3 as a power semiconductor for driving the ignition coil, and other structures are similar to those of the first embodiment.
【００５９】ここで、パワーＭＯＳ・ＦＥＴ３´を使用
した場合の利点であるが、ダーリントントランジスタ（
バイポーラトランジスタ）３のベース・アース間電圧Ｖ
Ｂ・Ｅ（ＶＢＥ＋Ｖ９，Ｖ９は抵抗９の電圧降下）−コ
レクタ電流Ｉｃ特性とパワーＭＯＳ・ＦＥＴ３´のゲー
ト・アースＶＧ・Ｅ（ＶＧＳ＋Ｖ９）−ドレイン電流Ｉ
ｄ特性を比較すると図９の通りである。Here, the advantage of using the power MOS/FET3' is that the Darlington transistor (
Bipolar transistor) 3 base-to-ground voltage V
B・E (VBE+V9, V9 is the voltage drop across resistor 9) - Collector current Ic characteristics and power MOS/FET 3' gate/earth VG・E (VGS+V9) - drain current I
A comparison of the d characteristics is shown in FIG.
【００６０】バイポーラトランジスタは立ち上がりが急
峻でＶＢ・Ｅの変化に大変敏感であるが、パワーＭＯＳ
・ＦＥＴの立ち上がりは比較的緩やかである。Bipolar transistors have a steep rise and are very sensitive to changes in VB/E, but power MOS
・FET rises relatively slowly.
【００６１】そのため、電流制限の微調整が容易となり
調整公差にも寛大となる。更にパワーＭＯＳ・ＦＥＴは
ゲート電圧で素子を駆動するため、ベース電流で素子を
駆動するダーリントントランジスタに較べ駆動電流が格
段に少なくてすむ（ダーリントンが数１０ｍＡであるの
に対し、ＭＯＳ・ＦＥＴは数ｍＡ）。このため、これま
で用いられてきたパワー半導体の駆動回路（コントロー
ルユニットからの点火信号を増幅する回路）が不要にな
る。[0061] Therefore, fine adjustment of the current limit becomes easy and the adjustment tolerance becomes more lenient. Furthermore, since the power MOS/FET drives the element with the gate voltage, the drive current is much lower than that of the Darlington transistor, which drives the element with the base current. mA). This eliminates the need for the power semiconductor drive circuit (circuit for amplifying the ignition signal from the control unit) that has been used up until now.
【００６２】また、パワーＭＯＳ・ＦＥＴのゲート・ソ
ース間に浮遊容量ＣＧＳが存在するので、点火信号オン
時の立ち上がり波形がなまりソフトオンとなるために、
プレイグニション現象の発生が防止でき、これまで点火
コイルの２次側に設けられていたプレイグニション防止
用ダイオードが廃止できる効果がある。Furthermore, since there is a stray capacitance CGS between the gate and source of the power MOS/FET, the rising waveform when the ignition signal is turned on is rounded and becomes soft-on.
The preignition phenomenon can be prevented from occurring, and the preignition prevention diode that has been provided on the secondary side of the ignition coil can be eliminated.
【００６３】図６は本発明の第６実施例を示す回路図で
ある。FIG. 6 is a circuit diagram showing a sixth embodiment of the present invention.
【００６４】本実施例は６気筒エンジンに１プラグ１点
火コイル方式を採用したもので、全体としては、点火コ
イル１ａ，１ｂ，１ｃ，１ｄ，１ｅ，１ｆと、それに対
応したダーリントントランジスタ３ａ，３ｂ，３ｃ，３
ｄ，３ｅ，３ｆと、共通の電源となるバッテリ２と、入
力抵抗４ａ，４ｂ，４ｃ，４ｄ，４ｅ，４ｆと、コント
ロールユニット５と、１次コイル電流制限回路６−１，
６−２と、ノイズ除去用コンデンサ７ａ，７ｂ，７ｃ，
７ｄ，７ｅ，７ｆと、１次コイル電流制限回路６−１側
の回路素子となるツェナーダイオード８−１，抵抗９−
１，トランジスタ１１ａ，１１ｂ，１１ｃと、１次コイ
ル電流制限回路６−２の回路素子となるツェナーダイオ
ード８−２，抵抗９−２，トランジスタ１１ｄ，１１ｅ
，１１ｆと、点火プラグ１０ａ，１０ｂ，１０ｃ，１０
ｄ，１０ｅ，１０ｆとで構成される。[0064] In this embodiment, a one-plug, one-ignition coil system is adopted for a six-cylinder engine, and as a whole, ignition coils 1a, 1b, 1c, 1d, 1e, 1f and corresponding Darlington transistors 3a, 3b are used. ,3c,3
d, 3e, 3f, a battery 2 serving as a common power source, input resistors 4a, 4b, 4c, 4d, 4e, 4f, a control unit 5, a primary coil current limiting circuit 6-1,
6-2, noise removal capacitors 7a, 7b, 7c,
7d, 7e, 7f, a Zener diode 8-1, and a resistor 9-, which are circuit elements on the primary coil current limiting circuit 6-1 side.
1. Transistors 11a, 11b, 11c, Zener diode 8-2 serving as circuit elements of primary coil current limiting circuit 6-2, resistor 9-2, transistors 11d, 11e
, 11f, and spark plugs 10a, 10b, 10c, 10
d, 10e, and 10f.
【００６５】そして、本実施例では、点火プラグ１ａ〜
１ｆ及びパワー半導体（ダーリントントランジスタ）３
ａ〜３ｆを３気筒を１ブロックとして計２ブロックとし
、各ブロックにて定電圧源用ツェナーダイオード８−１
，８−２及び電流検出用抵抗９−１，９−２を３気筒ず
つ共用化させてある。In this embodiment, the spark plugs 1a to
1f and power semiconductor (Darlington transistor) 3
A to 3F are made into 2 blocks with 3 cylinders as 1 block, and each block has a Zener diode 8-1 for constant voltage source.
, 8-2 and current detection resistors 9-1 and 9-2 are shared by three cylinders each.
【００６６】本実施例も上記各実施例同様に１次コイル
電流を高温時に正の温度特性とし、しかも、１次コイル
電流制限回路の部品点数の削減をさらに一層促進できる
。トータルでは、従来の１次コイル電流制限回路の部品
点数が５４個であったのを２８個とすることができた。In this embodiment, the primary coil current has a positive temperature characteristic at high temperatures as in the above embodiments, and furthermore, the number of components of the primary coil current limiting circuit can be further reduced. In total, the number of components in the conventional primary coil current limiting circuit was reduced from 54 to 28.
【００６７】図７は本発明の第７実施例である。FIG. 7 shows a seventh embodiment of the present invention.
【００６８】本実施例も第６実施例と同様に６気筒エン
ジンに１プラグ１点火方式の点火装置で、定電圧源用ツ
ェナーダイオード８−１，８−２及び電流検出用抵抗９
−１，９−２を３気筒ずつ共用化させてあり、異なる点
は、ダーリントントランジスタ３ａ〜３ｆに代えてパワ
ーＭＯＳ・ＦＥＴ３ａ´〜３ｆ´を使用した例である。
図中の６気筒中の１気筒分について説明する。Similar to the sixth embodiment, this embodiment is a one-plug one-ignition type ignition system for a six-cylinder engine, and includes Zener diodes 8-1, 8-2 for constant voltage source and current detection resistor 9.
-1 and 9-2 are shared by three cylinders, and the difference is that power MOS/FETs 3a' to 3f' are used in place of Darlington transistors 3a to 3f. One cylinder among the six cylinders in the figure will be explained.
【００６９】基本的な動作原理は、ダーリントントラン
ジスタ３の場合と変わりはない。パワーＭＯＳ・ＦＥＴ
３´のスレッシュホールド電圧ＶＴＨはおよそ１．５Ｖ
〜２Ｖ程度である。ここでは１．５Ｖとして説明する。
ソース側に設ける抵抗９の電圧降下Ｖ９を例えばドレイ
ン電流（１次コイル電流）Ｉｄが７Ａの時に１Ｖになる
ように決めれば、抵抗９の値は０．１４Ωとなる。そう
すると、ゲート電圧とアース間の電圧ＶＧ・Ｅを、ＶＧ
・Ｅ＝ＶＧＳ＋Ｖ９＝１．５＋１．０＝２．５Ｖにコン
トロールすれば、電流制限が７Ａでかかることになる。
ＶＧ・Ｅを２．５Ｖとするためには、ＰＮＰトランジス
タ１１ａのＶＢＥとツェナーダイオード８ａのＶｚの和
を２．５Ｖとすればよい。通常、ＶＢＥは０．７Ｖ程度
であるから、Ｖｚが１．８Ｖのツェナーダイオードを用
いればよい。The basic operating principle is the same as that of the Darlington transistor 3. Power MOS/FET
3' threshold voltage VTH is approximately 1.5V
It is about ~2V. Here, the explanation will be made assuming that the voltage is 1.5V. If the voltage drop V9 of the resistor 9 provided on the source side is determined to be 1V when the drain current (primary coil current) Id is 7A, the value of the resistor 9 will be 0.14Ω. Then, the voltage VG・E between the gate voltage and ground becomes VG
- If controlled to E=VGS+V9=1.5+1.0=2.5V, the current limit will be applied at 7A. In order to set VG·E to 2.5V, the sum of VBE of the PNP transistor 11a and Vz of the Zener diode 8a should be set to 2.5V. Since VBE is normally about 0.7V, a Zener diode with Vz of 1.8V may be used.
【００７０】なお、本回路における電流制限用抵抗９−
１，９−２やツェナーダイオード８−１，８−２の数は
スイッチング素子数の数により限定されるものではない
。例えば、本例では３気筒で１個の電流制限用抵抗とツ
ェナーダイオードを有しているが、１気筒ごとに１個ず
つ用いてもよいし、６気筒で１個ずつしか用いなくとも
よい。Note that the current limiting resistor 9-
The number of Zener diodes 1, 9-2 and Zener diodes 8-1, 8-2 is not limited by the number of switching elements. For example, in this example, three cylinders have one current limiting resistor and one Zener diode, but one may be used for each cylinder, or only one for six cylinders.
【００７１】[0071]
【発明の効果】以上のように本発明によれば、無接点式
点火装置の１次コイル電流制限回路の定電圧源としてツ
ェナーダイオードを用いることで、オープンループ形の
無接点式点火装置を実現することができ、部品点数の削
減及び装置の小形化，コスト低減を図ることができ、し
かも、１次コイル電流を高温時に正の温度特性にしてパ
ワー半導体の熱的負担を軽減する効果を奏することがで
きる。As described above, according to the present invention, an open-loop type non-contact ignition device is realized by using a Zener diode as a constant voltage source for the primary coil current limiting circuit of the non-contact ignition device. This makes it possible to reduce the number of parts, downsize the device, and reduce costs.Moreover, it has the effect of reducing the thermal load on the power semiconductor by making the primary coil current have positive temperature characteristics at high temperatures. be able to.
【図１】本発明の第１実施例を示す回路図。FIG. 1 is a circuit diagram showing a first embodiment of the present invention.
【図２】本発明の第２実施例を示す回路図。FIG. 2 is a circuit diagram showing a second embodiment of the present invention.
【図３】本発明の第３実施例を示す回路図。FIG. 3 is a circuit diagram showing a third embodiment of the present invention.
【図４】本発明の第４実施例を示す回路図。FIG. 4 is a circuit diagram showing a fourth embodiment of the present invention.
【図５】本発明の第５実施例を示す回路図。FIG. 5 is a circuit diagram showing a fifth embodiment of the present invention.
【図６】本発明の第６実施例を示す回路図。FIG. 6 is a circuit diagram showing a sixth embodiment of the present invention.
【図７】本発明の第７実施例を示す回路図。FIG. 7 is a circuit diagram showing a seventh embodiment of the present invention.
【図８】点火装置に用いるパワートランジスタの１次コ
イル電流Ｉｃの温度特性とコレクタ・エミッタ間電圧の
関係を示す説明図。FIG. 8 is an explanatory diagram showing the relationship between the temperature characteristics of the primary coil current Ic and the collector-emitter voltage of a power transistor used in an ignition device.
【図９】バイポーラトランジスタのコレクタ電流Ｉｃと
パワーＭＯＳ・ＦＥＴのドレイン電流Ｉｄの特性を示す
説明図。FIG. 9 is an explanatory diagram showing the characteristics of the collector current Ic of a bipolar transistor and the drain current Id of a power MOS/FET.
【図１０】従来のクローズドループ形の無接点式点火装
置の一例を示す説明図。FIG. 10 is an explanatory diagram showing an example of a conventional closed-loop contactless ignition device.
１（１ａ〜１ｆ）…点火コイル
３（３ａ〜３ｆ）…パワー半導体（バイポーラトランジ
スタ）
３´（３ａ´〜３ｆ´）…パワー半導体（パワーＭＯＳ
・ＦＥＴ）
５…コントロールユニット
６，６−１，６−２…１次コイル電流制限回路８，８−
１，８−２…電流制限用のツェナーダイオード９，９−
１，９−２…低抵抗素子
１０（１０ａ〜１０ｆ）…点火プラグ
１１…ＰＮＰトランジスタ
１２…ＮＰＮトランジスタ1 (1a to 1f)...Ignition coil 3 (3a to 3f)...Power semiconductor (bipolar transistor) 3'(3a' to 3f')...Power semiconductor (power MOS
・FET) 5...Control unit 6, 6-1, 6-2...Primary coil current limiting circuit 8, 8-
1, 8-2... Zener diode for current limiting 9, 9-
1, 9-2...Low resistance element 10 (10a to 10f)...Spark plug 11...PNP transistor 12...NPN transistor
Claims (6)
入力する入力電極，１次コイル電流を通流する１次コイ
ル側電極及びアース側電極とを有する１次コイル電流増
幅用のパワー半導体と、１次コイル電流が規定値を超え
ないよう電流制限する回路とを備えてなる無接点式点火
装置において、前記パワー半導体のアース側電極とアー
ス間に１次コイル電流制限回路の回路素子となる低抵抗
素子を接続すると共に、前記パワー半導体の入力電極と
アース間に定電圧源となるツェナーダイオードを接続し
てオープンループ形の１次コイル電流制限回路を構成し
、且つ前記点火コイルの１次コイル電流値の温度特性が
高温時に正側になるよう設定してなることを特徴とする
無接点式点火装置。Claim 1: A power semiconductor for amplifying a primary coil current, comprising an input electrode for inputting an energization signal for the primary coil current of an ignition coil, a primary coil side electrode for passing the primary coil current, and a ground side electrode. and a circuit for current limiting so that the primary coil current does not exceed a specified value, wherein a circuit element of the primary coil current limiting circuit and a circuit element of the primary coil current limiting circuit are connected between the ground side electrode of the power semiconductor and the ground. A Zener diode serving as a constant voltage source is connected between the input electrode of the power semiconductor and the ground to form an open-loop primary coil current limiting circuit. A non-contact ignition device characterized in that the temperature characteristic of the secondary coil current value is set to be on the positive side at high temperatures.
ーリントントランジスタ又はパワーＭＯＳ・ＦＥＴより
なることを特徴とする無接点式点火装置。2. A contactless ignition device according to claim 1, wherein the power semiconductor is a Darlington transistor or a power MOS/FET.
ナーダイオード及びパワー半導体は、前記点火コイルの
１次コイル電流値の温度特性が高温時に正側になるよう
な温度係数を有する素子により構成してなることを特徴
とする無接点式点火装置。3. In claim 1 or 2, the Zener diode and the power semiconductor are constituted by elements having a temperature coefficient such that the temperature characteristic of the primary coil current value of the ignition coil becomes positive at high temperatures. A non-contact ignition device characterized by:
おいて、前記１次コイル電流制限回路には前記ツェナー
ダイオードと共に定電圧源の一部となるＰＮＰトランジ
スタが付加され、このＰＮＰトランジスタのエミッタが
前記パワー半導体の入力電極に、コレクタがアースに、
ベースが前記ツェナーダイオードのカソードに接続され
、前記ツェナーダイオードのアノードがアースに接続さ
れてなることを特徴とする無接点式点火装置。4. In any one of claims 1 to 3, a PNP transistor is added to the primary coil current limiting circuit and serves as a part of a constant voltage source together with the Zener diode. The emitter is connected to the input electrode of the power semiconductor, the collector is connected to the ground,
A contactless ignition device characterized in that a base is connected to a cathode of the Zener diode, and an anode of the Zener diode is connected to ground.
おいて、前記１次コイル電流制限回路には前記ツェナー
ダイオードと共に定電圧源の一部となるＮＰＮトランジ
スタが付加され、前記ツェナーダイオードのカソードが
前記パワー半導体の入力電極に、アノードが前記ＮＰＮ
トランジスタのベースに接続され、前記ＮＰＮトランジ
スタのコレクタが前記パワー半導体の入力電極に、エミ
ッタがアースに接続されてなることを特徴とする無接点
式点火装置。5. In any one of claims 1 to 3, the primary coil current limiting circuit further includes an NPN transistor that becomes part of a constant voltage source together with the Zener diode, and the The cathode is the input electrode of the power semiconductor, and the anode is the NPN
A non-contact ignition device, characterized in that the NPN transistor is connected to a base thereof, a collector of the NPN transistor is connected to an input electrode of the power semiconductor, and an emitter is connected to ground.
おいて、前記点火コイル，パワー半導体は多気筒エンジ
ンの気筒ごとに備え、且つこれらの複数の点火コイル，
パワー半導体を１以上のブロックにまとめて、これらの
ブロックごとに前記１次コイル電流制限回路の前記低抵
抗素子及びツェナーダイオードを共通化させた回路構成
としてなることを特徴とする無接点式点火装置。6. In any one of claims 1 to 5, the ignition coil and the power semiconductor are provided for each cylinder of a multi-cylinder engine, and the plurality of ignition coils,
A contactless ignition device characterized in that power semiconductors are grouped into one or more blocks, and each block has a circuit configuration in which the low resistance element and Zener diode of the primary coil current limiting circuit are shared. .
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Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04255571A true JPH04255571A (en) | 1992-09-10 |
| JP3003951B2 JP3003951B2 (en) | 2000-01-31 |
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| JP3009536A Expired - Fee Related JP3003951B2 (en) | 1991-01-30 | 1991-01-30 | Contactless ignition device |
Country Status (1)
| Country | Link |
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| JP (1) | JP3003951B2 (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103221681A (en) * | 2010-12-01 | 2013-07-24 | 法国大陆汽车公司 | Method for determining the temperature of an ignition coil |
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1991
- 1991-01-30 JP JP3009536A patent/JP3003951B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| CN103221681A (en) * | 2010-12-01 | 2013-07-24 | 法国大陆汽车公司 | Method for determining the temperature of an ignition coil |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3003951B2 (en) | 2000-01-31 |
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| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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