JP2984094B2 - Probe for surface observation device, method of manufacturing the same, and surface observation device - Google Patents
Probe for surface observation device, method of manufacturing the same, and surface observation deviceInfo
- Publication number
- JP2984094B2 JP2984094B2 JP3170012A JP17001291A JP2984094B2 JP 2984094 B2 JP2984094 B2 JP 2984094B2 JP 3170012 A JP3170012 A JP 3170012A JP 17001291 A JP17001291 A JP 17001291A JP 2984094 B2 JP2984094 B2 JP 2984094B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- probe
- plate
- observation device
- surface observation
- holding plate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】この発明は導体、絶縁体、磁性体
試料と探針とを接近したときに発生する原子間力、磁気
力、トンネル電流を利用する装置たとえば原子間力顕微
鏡、磁気力顕微鏡、トンネル顕微鏡、その類似装置に用
いる表面観察装置用プローブおよびその製造方法ならび
に表面観察装置に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an apparatus utilizing an atomic force, a magnetic force, and a tunnel current generated when a conductor, an insulator, a magnetic material sample and a probe approach each other, for example, an atomic force microscope, and a magnetic force. The present invention relates to a probe for a surface observation device used for a microscope, a tunnel microscope, and similar devices, a method for manufacturing the same, and a surface observation device.
【０００２】[0002]
【従来の技術】走査型トンネル顕微鏡は、探針と試料と
の間に電圧を印加し、探針と試料との距離を接近したと
きに得られるトンネル電流および電界放射電流を利用し
て、導体試料の表面形態を調べる装置である。一方、原
子間力顕微鏡は、導体、絶縁体試料に探針を接近したと
きに発生する原子間力を利用して表面状態を調べる装置
である。また、磁気力顕微鏡は、探針として磁性体を用
い、この磁性探針と磁性試料の間に発生する磁気力を利
用して試料の磁化状態を調べる装置である。2. Description of the Related Art In a scanning tunneling microscope, a voltage is applied between a probe and a sample, and a tunnel current and a field emission current obtained when the distance between the probe and the sample is reduced are used. This is a device for examining the surface morphology of a sample. On the other hand, an atomic force microscope is a device for examining a surface state using an atomic force generated when a probe approaches a conductor or an insulator sample. A magnetic force microscope is a device that uses a magnetic body as a probe and uses a magnetic force generated between the magnetic probe and the magnetic sample to check the magnetization state of the sample.
【０００３】すなわち、原子間力顕微鏡や磁気力顕微鏡
は、探針（チップ）と試料表面の相互作用によって生ず
る引力あるいは斥力を探針を設置したプレート（カンチ
レバー）の変位に変換して試料の表面情報を検出する装
置である。[0003] Atomic force microscopes and magnetic force microscopes convert an attractive force or a repulsive force generated by the interaction between a probe (tip) and a sample surface into a displacement of a plate (cantilever) on which the probe is mounted, thereby changing the surface of the sample. It is a device that detects information.
【０００４】図２０は従来の表面観察装置用プローブを
示す斜視図である。この表面観察装置用プローブにおい
ては、保持板３にプレート２が接着されており、プレー
ト２に探針１が設けられている。FIG. 20 is a perspective view showing a conventional probe for a surface observation device. In this surface observation device probe, a plate 2 is adhered to a holding plate 3, and a probe 1 is provided on the plate 2.
【０００５】このような表面観察装置用プローブを製造
するにはつぎのようにする。すなわち、まず図２１(ａ)
に示すように、シリコン基板４に半導体リソグラフィ技
術、異方性エッチングにより凹部５を設ける。つぎに、
図２１(ｂ)に示すように、シリコン基板４の表面を熱酸
化することにより、酸化シリコン膜からなるプレート２
を形成する。つぎに、図２１(ｃ)に示すように、プレー
ト２に保持板３を接着する。つぎに、図２１(ｄ)に示す
ように、シリコン基板４をエッチングにより除去する。The manufacture of such a probe for a surface observation device is as follows. That is, first, FIG.
As shown in FIG. 5, a recess 5 is formed in a silicon substrate 4 by anisotropic etching using a semiconductor lithography technique. Next,
As shown in FIG. 21 (b), the surface of the silicon substrate 4 is thermally oxidized to form a plate 2 made of a silicon oxide film.
To form Next, as shown in FIG. 21C, the holding plate 3 is bonded to the plate 2. Next, as shown in FIG. 21D, the silicon substrate 4 is removed by etching.
【０００６】なお、磁性探針と試料とを接近して得られ
る磁気力を利用した走査型磁気力顕微鏡における試料の
磁気的情報の取得方法については、ジャーナル オブ
バキューム サイエンス テクノロジー（J. Vac. Sci.
Technol.）Ａ６（１９８８年）２７９〜２８２頁ある
いはアプライドフィジックス レターズ、５０巻（１９
８７年）１４５５〜１４５７頁において論じられてお
り、また原子間力顕微鏡用のプローブ製造方法について
は、特開平１−２６２４０３号公報、ジャーナル オブ
バキューム サイエンス テクノロジー Ａ６、巻２
号（１９８８）２７１頁およびジャーナル オブ バキ
ューム サイエンス テクノロジー Ａ、８巻、４号
（１９９０）３３８６頁において論じられている。A method of acquiring magnetic information of a sample in a scanning magnetic force microscope utilizing a magnetic force obtained by bringing a magnetic probe and a sample close to each other is described in Journal of Journal
Vacuum Science Technology (J. Vac. Sci.
Technol.) A6 (1988) pp. 279-282 or Applied Physics Letters, vol. 50 (19)
1987), pp. 1455-1457, and a method of manufacturing a probe for an atomic force microscope is described in JP-A-1-262403, Journal of Vacuum Science Technology A6, Vol.
No. (1988) at page 271 and Journal of Vacuum Science Technology A, Vol. 8, No. 4 (1990) at page 3386.
【０００７】[0007]
【発明が解決しようとする課題】このような表面観察装
置用プローブにおいては、シリコン基板４に別の基板を
接着して保持板３を形成し、シリコン基板４をエッチン
グにより除去しなければならないから、容易に製造する
ことができず、製造コストが高価になる。また、原子間
力顕微鏡や磁気力顕微鏡でＬＳＩや磁気ディスク基板の
微細な深溝構造や磁区を観察するためには、顕微鏡に搭
載する探針１の先端を長くしかも鋭利にして、試料表面
をプロービングし易い構造にする必要がある。しかし、
従来の表面観察装置用プローブにおいては、シリコン基
板４の異方性エッチングにより探針１を有するプレート
２を形成しているため、たとえば（１００）面を異方性
エッチングして形成した探針１の頂角θは約７０．６度
と大きく、しかも探針１の先端部の曲率半径も大きいた
めに、高分解能の表面情報を再現性良く得ることが困難
である。また、探針１に磁性体を付着して磁性プローブ
を構成したとき、先端部以外に付着した磁性体により試
料表面の漏洩磁界分布が乱され、その結果磁気力情報の
分解能が低下する。また、プローブを支持・固定する保
持板３の形状が適切でなく、試料が僅かに傾くと、保持
板３の角部が試料に接触して、測定できない。In such a probe for a surface observation device, it is necessary to bond another substrate to the silicon substrate 4 to form the holding plate 3 and remove the silicon substrate 4 by etching. Cannot be easily manufactured, and the manufacturing cost is high. In order to observe the fine deep groove structure and magnetic domains of an LSI or a magnetic disk substrate with an atomic force microscope or a magnetic force microscope, the tip of the probe 1 mounted on the microscope is made long and sharp, and the sample surface is probed. It is necessary to make the structure easy to do. But,
In the conventional probe for a surface observation device, since the plate 2 having the probe 1 is formed by anisotropic etching of the silicon substrate 4, the probe 1 formed by anisotropically etching the (100) plane, for example, is formed. Is as large as about 70.6 degrees and the radius of curvature of the tip of the probe 1 is also large, making it difficult to obtain high-resolution surface information with good reproducibility. Further, when a magnetic material is attached to the probe 1 to form a magnetic probe, the magnetic material attached to a portion other than the tip disturbs the leakage magnetic field distribution on the sample surface, and as a result, the resolution of magnetic force information is reduced. Further, if the shape of the holding plate 3 for supporting and fixing the probe is not appropriate and the sample is slightly inclined, the corners of the holding plate 3 come into contact with the sample and measurement cannot be performed.
【０００８】この発明は上述の課題を解決するためにな
されたもので、製造コストが安価となり、高分解能、高
感度の原子間力や磁気力等の表面観察に好適な表面観察
装置用プローブおよびその製造方法ならびに表面観察装
置を提供するを目的とする。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-mentioned problems, and has a low manufacturing cost, a probe for a surface observation apparatus suitable for high-resolution and high-sensitivity surface observation of an atomic force, a magnetic force, and the like. An object of the present invention is to provide a manufacturing method and a surface observation device.
【０００９】[0009]
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に、この発明においては、探針と、試料と上記探針との
間に作用した力を変位に変換するプレートとを有する表
面観察装置用プローブにおいて、上記探針を上記プレー
トと一体で形成し、上記プレートの上記探針が突き出し
ている側と反対側の面に保持板を上記プレートと一体に
構成し、上記保持板の上記プレート突出部の側壁面の左
右の角部を欠落する。 According to the present invention, there is provided a surface observation apparatus having a probe and a plate for converting a force applied between a sample and the probe into a displacement. in use the probe, the probe is formed with the plate integral with the holding plate on the side opposite the side on which the probe of the plate protrudes configured to the plate integral with the plate of the holding plate Left of side wall of protrusion
Missing the right corner.
【００１０】[0010]
【００１１】また、上記保持板の上記プレート突出部の
側壁面の傾斜角度を上記プレートの面に対して０〜９０
度とする。Further, the inclination angle of the side wall surface of the plate protrusion of the holding plate is 0 to 90 with respect to the surface of the plate.
Degree.
【００１２】また、上記保持板の上記プレート突出部の
側壁面の幅を上記プレートの幅よりも大きくする。Further, the width of the side wall surface of the plate projection of the holding plate is made larger than the width of the plate.
【００１３】また、上記プレートの一部にトンネル電流
検出用の針を設ける。Further, a needle for detecting a tunnel current is provided in a part of the plate.
【００１４】この場合、上記トンネル電流検出用の針を
上記探針と一体で形成する。In this case, the needle for detecting the tunnel current is formed integrally with the probe.
【００１５】また、探針と、試料と上記探針との間に作
用した力を変位に変換するプレートとを有する表面観察
装置用プローブを製造する方法において、シリコン基板
に形成した酸化シリコンまたは窒化シリコンの薄膜を素
材として上記探針および上記プレートを形成し、上記シ
リコン基板を加工することにより上記プレート突出部の
側壁面の左右の角部を欠落した保持板を形成する。In a method of manufacturing a probe for a surface observation device having a probe and a plate for converting a force applied between a sample and the probe into a displacement, the silicon oxide or nitride formed on the silicon substrate may be formed. The probe and the plate are formed using a thin film of silicon as a material, and the silicon substrate is processed to form the plate protrusion.
A holding plate is formed without left and right corners of the side wall surface .
【００１６】この場合、上記シリコン基板を異方性エッ
チングで加工した突起部の斜面に上記探針を形成し、上
記突起部の斜面の下部の平坦面に上記プレートを形成
し、上記シリコン基板の一部で上記保持板を形成する。In this case, the probe is formed on the slope of the protrusion formed by processing the silicon substrate by anisotropic etching, and the plate is formed on the flat surface below the slope of the protrusion. Part of the holding plate is formed.
【００１７】この場合、上記シリコン基板の面を（１０
０）面に対して０〜２０度の範囲で傾斜する。In this case, the surface of the silicon substrate is changed to (10
0) Incline in the range of 0 to 20 degrees with respect to the plane.
【００１８】また、上記探針の面に磁性体を付着する。Further, a magnetic substance is attached to the surface of the probe.
【００１９】また、上記探針の先端を集束イオンビーム
で鋭利に加工する。The tip of the probe is sharpened with a focused ion beam.
【００２０】また、上記プレートの一端に探針材料を移
植して上記探針を形成し、集束イオンビームで上記探針
の頂角を５５度以下に鋭く尖らせる。Further, a probe material is implanted at one end of the plate to form the probe, and the apex angle of the probe is sharply sharpened to 55 degrees or less by a focused ion beam.
【００２１】また、上記探針および上記プレートの面に
磁性体を付着したのちに、上記探針を構成する部分以外
の面の上記磁性体を集束イオンビームで除去する。After the magnetic material is attached to the surface of the probe and the plate, the magnetic material on the surface other than the portion constituting the probe is removed by a focused ion beam.
【００２２】また、探針と、試料と上記探針との間に作
用した力を変位に変換するプレートとを有する表面観察
装置用プローブおよび上記表面観察装置用プローブの変
位を検出する変位検出手段を有する表面観察装置におい
て、上記探針を上記プレートと一体で形成し、上記プレ
ートの上記探針が形成されている側と反対側の面に保持
板を上記プレートと一体に構成し、上記保持板の上記プ
レート突出部の側壁面の左右の角部を欠落する。 Also, a probe for a surface observation device having a probe and a plate for converting a force applied between a sample and the probe into a displacement, and a displacement detecting means for detecting a displacement of the probe for the surface observation device in surface observation apparatus having the above probe is formed in the plate integral with the side on which the probe of the plate is formed a holding plate on the opposite side constitute the above plate integrally, the holding Above the board
The left and right corners of the side wall surface of the rate projection are missing.
【００２３】この場合、上記探針の長さを３μｍ以上と
する。In this case, the length of the probe is 3 μm or more.
【００２４】また、上記探針の材質と上記プレートの材
質とを相違させる。Further, the material of the probe and the material of the plate are made different.
【００２５】また、上記探針の頂角を５５度以下とし、
上記探針の最先端部の曲率半径を５０ｎｍ以下とする。Also, the apex angle of the probe is 55 degrees or less,
The tip of the probe has a radius of curvature of 50 nm or less.
【００２６】また、上記探針の先端部に磁性体を付着す
る。A magnetic material is attached to the tip of the probe.
【００２７】[0027]
【作用】この発明の表面観察装置用プローブ、その製造
方法、表面観察装置においては、容易に製造することが
きでる。The probe for a surface observation device, the method of manufacturing the same, and the surface observation device of the present invention can be easily manufactured.
【００２８】また、保持板のプレート突出部の側壁面の
傾斜角度をプレートの面に対して０〜９０度とすれば、
プレートに変位測定手段を接近させやすい。Further, if the inclination angle of the side wall surface of the plate projecting portion of the holding plate is 0 to 90 degrees with respect to the plate surface,
It is easy to make the displacement measuring means approach the plate.
【００２９】また、保持板のプレート突出部の側壁面の
左右の角部を欠落すれば、保持板の角部が試料に接触す
ることがない。If the left and right corners of the side wall surface of the plate projection of the holding plate are omitted, the corner of the holding plate will not come into contact with the sample.
【００３０】また、保持板のプレート突出部の側壁面の
幅をプレートの幅よりも大きくすれば、プレートの保持
板から突出した部分だけがたわむ。If the width of the side wall surface of the plate projecting portion of the holding plate is made larger than the width of the plate, only the portion of the plate projecting from the holding plate bends.
【００３１】また、プレートの一部にトンネル電流検出
用の針を設ければ、端面が平坦な金属棒を用いてトンネ
ル電流を検出することができる。If a needle for detecting a tunnel current is provided in a part of the plate, the tunnel current can be detected using a metal rod having a flat end surface.
【００３２】また、トンネル電流検出用の針を探針と一
体で形成すれば、トンネル電流検出用の針を容易に製造
することができる。If the needle for detecting the tunnel current is formed integrally with the probe, the needle for detecting the tunnel current can be easily manufactured.
【００３３】また、シリコン基板を異方性エッチングで
加工した突起部の斜面に探針を形成し、突起部の斜面の
下部の平坦面にプレートを形成し、シリコン基板の一部
で保持板を形成すれば、容易に製造することがきでる。Further, a probe is formed on the slope of the protrusion formed by processing the silicon substrate by anisotropic etching, a plate is formed on a flat surface below the slope of the protrusion, and a holding plate is formed by a part of the silicon substrate. Once formed, it can be easily manufactured.
【００３４】また、シリコン基板の面を（１００）面に
対して０〜２０度の範囲で傾斜すれば、プレートの面と
探針の面とのなす角を５４．７度±２０度の範囲で任意
に定めることができる。If the surface of the silicon substrate is inclined in the range of 0 to 20 degrees with respect to the (100) plane, the angle between the plate surface and the probe surface is in the range of 54.7 degrees ± 20 degrees. Can be determined arbitrarily.
【００３５】また、探針の面に磁性体を付着すれば、磁
気顕微鏡のプローブとして使用することができる。If a magnetic substance is attached to the surface of the probe, it can be used as a probe for a magnetic microscope.
【００３６】また、探針の先端を集束イオンビームで鋭
利に加工すれば、解像度を向上することができる。If the tip of the probe is sharpened with a focused ion beam, the resolution can be improved.
【００３７】また、プレートの一端に探針材料を移植し
て探針を形成し、集束イオンビームで探針の頂角を５５
度以下に鋭く尖らせれば、解像度を向上することができ
る。Further, a probe material is implanted at one end of the plate to form a probe, and the apex angle of the probe is set to 55 by a focused ion beam.
If sharpened below a degree, the resolution can be improved.
【００３８】また、探針およびプレートの面に磁性体を
付着したのちに、探針を構成する部分以外の面の磁性体
を集束イオンビームで除去すれば、漏洩磁界分布が乱さ
れることがない。Further, if the magnetic material on the surface other than the portion constituting the probe is removed by the focused ion beam after the magnetic material is attached to the surface of the probe and the plate, the leakage magnetic field distribution may be disturbed. Absent.
【００３９】また、探針の長さを３μｍ以上とすれば、
アスペクト比の大きい起伏を有する試料の表面情報を得
ることができる。When the length of the probe is 3 μm or more,
Surface information of a sample having undulations with a large aspect ratio can be obtained.
【００４０】また、探針の頂角を５５度以下とし、探針
の最先端部の曲率半径を５０ｎｍ以下とすれば、正確な
試料の表面情報を得ることができる。When the apex angle of the probe is 55 degrees or less and the radius of curvature of the tip of the probe is 50 nm or less, accurate sample surface information can be obtained.
【００４１】また、探針の先端部に磁性体を付着すれ
ば、磁気顕微鏡として使用することができる。If a magnetic material is attached to the tip of the probe, it can be used as a magnetic microscope.
【００４２】[0042]
【実施例】図１はこの発明に係る表面観察装置用プロー
ブを示す概観斜視図、図２は同じく断面図である。この
表面観察装置用プローブは、針状の探針１１と三角形状
のプレート１２と保持板１３とで構成され、探針１１は
プレート１２と異なった角度で形成されている。また、
プレート１２を固定・保持する保持板１３が探針１１が
突き出している側と反対側に形成されている。保持板１
３のプレート１２突出部の側壁面１６はプレート１２の
面に対して９０度以下の角度を有しており、側壁面１６
の左右の角部には斜面１５が設けられている。プレート
１２の一端を支えるために、側壁面１６はプレート１２
の幅よりも大きな辺を有し、プレート１２だけが撓むこ
とのできる構造となっている。FIG. 1 is a schematic perspective view showing a probe for a surface observation apparatus according to the present invention, and FIG. 2 is a sectional view thereof. The probe for a surface observation device includes a needle-shaped probe 11, a triangular plate 12, and a holding plate 13, and the probe 11 is formed at an angle different from that of the plate 12. Also,
A holding plate 13 for fixing and holding the plate 12 is formed on the side opposite to the side where the probe 11 protrudes. Holding plate 1
3 has an angle of 90 degrees or less with respect to the surface of the plate 12, and the side wall surface 16
The slope 15 is provided at the left and right corners of the. To support one end of the plate 12, the side wall surface 16 is
, And has a structure that allows only the plate 12 to bend.
【００４３】ここで、プレート１２の幅に対する保持板
１３の幅は５０倍以下に設定するのが望ましい。この場
合、保持板１３の幅を小さくすること以外に左右の角部
を欠落させた構造にすれば、保持板１３が左右に傾くこ
とによる試料への接触現象を防止することができる。ま
た、探針１１の頂角は高分解能の表面情報を得るために
５５度以下、望ましくは３０度以下にするのがよい。さ
らに、探針１１の先端部の曲率半径を５０ｎｍ以下にす
るのが望ましい。また、アスペクト比の大きい起伏を有
する試料の表面情報を得ることを可能とするために、探
針１１の長さを３μｍ以上とするのが望ましい。また、
高感度の力検出のために、プレート１２のバネ定数は３
Ｎ／ｍ以下にするのが望ましい。Here, the width of the holding plate 13 with respect to the width of the plate 12 is desirably set to 50 times or less. In this case, if the width of the holding plate 13 is reduced and the left and right corners are cut off, a contact phenomenon with the sample due to the holding plate 13 tilting left and right can be prevented. The apex angle of the probe 11 is preferably 55 degrees or less, and more preferably 30 degrees or less in order to obtain high-resolution surface information. Further, it is desirable that the radius of curvature of the tip of the probe 11 be 50 nm or less. Further, in order to be able to obtain surface information of a sample having undulations having a large aspect ratio, it is desirable that the length of the probe 11 be 3 μm or more. Also,
The plate 12 has a spring constant of 3 for high-sensitivity force detection.
N / m or less is desirable.
【００４４】図３はこの発明に係る表面観察装置用プロ
ーブを示す概観斜視図である。この表面観察装置用プロ
ーブにおいては、プローブの取扱易さを考慮して、保持
板１３全体を大きくして、プレート１２を支える突出し
部８０を設けている。保持板１３は突出し部８０の左右
の部分が大きく取り除かれている。FIG. 3 is a schematic perspective view showing a probe for a surface observation device according to the present invention. In the surface observation device probe, the entire holding plate 13 is enlarged in consideration of the ease of handling of the probe, and a protrusion 80 for supporting the plate 12 is provided. The left and right portions of the protrusion 80 of the holding plate 13 are largely removed.
【００４５】なお、上述の表面観察装置用プローブで
は、探針１１の頂角とプレート１２部の開き角度とを等
しくしているが、図４、図５に示すように、探針１１の
頂角θ1をプレート１２の開き角度θ2より小さく設定す
れば、プローブの横ぶれに対する安定性を図ることがで
きる。In the above-described probe for a surface observation device, the apex angle of the probe 11 and the opening angle of the plate 12 are made equal. However, as shown in FIGS. If the angle θ 1 is set to be smaller than the opening angle θ 2 of the plate 12, it is possible to achieve stability against the lateral displacement of the probe.
【００４６】つぎに、図１に示した表面観察装置用プロ
ーブの使用例を図６を用いて説明する。図６はこの発明
によるプローブを原子間力顕微鏡に適用した例を示す。
探針１１と試料５０との間に生じる原子間力が一定に保
たれるようにサーボするためのトンネル電流検出用のＳ
ＴＭの針４０はプレート１２の上部にセッティングされ
ており、プローブが試料の表面をトレースすることによ
って表面の形状を測定することができる。この発明にお
けるプローブの探針１１は通常用いられる原子間力顕微
鏡用のプローブの針先に比べて長く、しかも試料５０の
表面に対してほぼ垂直に置かれるので、ＬＳＩの深溝形
状、光ディスクの孔形状、磁気ディスクの表面形状を精
密に測定するのに好適な形状となっている。Next, an example of using the probe for a surface observation device shown in FIG. 1 will be described with reference to FIG. FIG. 6 shows an example in which the probe according to the present invention is applied to an atomic force microscope.
S for detecting a tunnel current for performing servo control so that an atomic force generated between the probe 11 and the sample 50 is kept constant.
The TM needle 40 is set on the upper part of the plate 12, and the probe can measure the surface shape by tracing the surface of the sample. The probe tip 11 of the probe according to the present invention is longer than the tip of a commonly used probe for an atomic force microscope, and is placed almost perpendicular to the surface of the sample 50. The shape is suitable for accurately measuring the shape and the surface shape of the magnetic disk.
【００４７】図７は図１に示した表面観察装置用プロー
ブの変位計測を光で行なうときの測定系の構成を示す。
すなわち、光源６０から発するレーザ光７０がビームス
プリッタ６１を通過して一部はプローブのプレート１２
に達し、残りは検出器６２に達する。レーザ光７０はあ
るスポット径を持っているので、プレート１２に向かう
レーザ光７０の一部がプレート１２から外れる場合もあ
りうるが、外れた光は図の破線で示す光路７１を通り、
プレート１２で反射した光だけが元の光路を経てビーム
スプリッタ６１を通って検出器６２に達する。そして、
光源６０からビームスプリッタ６１を経て直接検出器６
２に達した光とプレート１２で反射した光に位相差の相
違を生じる。この結果、光の干渉を生じるので検出器６
２によって光の強弱を検出して変位の測定が可能にな
る。FIG. 7 shows a configuration of a measurement system when measuring the displacement of the probe for the surface observation device shown in FIG. 1 by light.
That is, the laser beam 70 emitted from the light source 60 passes through the beam splitter 61 and partially passes through the plate 12 of the probe.
And the remainder reaches the detector 62. Since the laser light 70 has a certain spot diameter, a part of the laser light 70 traveling toward the plate 12 may be deviated from the plate 12, but the deviated light passes through an optical path 71 shown by a broken line in FIG.
Only the light reflected by the plate 12 reaches the detector 62 via the beam splitter 61 via the original optical path. And
Detector 6 directly from light source 60 via beam splitter 61
2 and the light reflected by the plate 12 causes a difference in phase difference. As a result, light interference occurs, so that the detector 6
2, the displacement can be measured by detecting the intensity of light.
【００４８】この発明におけるプローブを用いれば、試
料５０からの反射光は検出されないので、正規の信号に
対する雑音の比（Ｓ／Ｎ比）は大きくなるから、測定感
度を向上することができる。また、保持板１３の角部を
欠落したときには、プローブが試料５０に対して相対的
にわずか回転した状態で設置されても、保持板１３が試
料５０に接触しにくい。また、プローブのプレート１２
に対する保持板１３のプレート突出部の側壁面１６の傾
斜を９０度以下にすれば、ＳＴＭの針４０等の変位測定
手段を接近させやすい。このように、この発明のプロー
ブは操作性に優れ、表面観察装置用プローブとしても極
めて好適な形状である。When the probe according to the present invention is used, the reflected light from the sample 50 is not detected, so that the ratio of the noise to the normal signal (S / N ratio) is increased, so that the measurement sensitivity can be improved. Further, when the corner of the holding plate 13 is missing, the holding plate 13 does not easily come into contact with the sample 50 even if the probe is installed with a slight rotation relative to the sample 50. In addition, the probe plate 12
If the inclination of the side wall surface 16 of the plate projecting portion of the holding plate 13 with respect to the above is set to 90 degrees or less, the displacement measuring means such as the STM needle 40 can be easily approached. As described above, the probe of the present invention is excellent in operability and has a shape extremely suitable as a probe for a surface observation device.
【００４９】その他のプローブとして、図８(ａ)〜(ｃ)
に示すように、探針１１の形状を同一にして、プレート
１２の形状を様々に変化させる構造が考えられる。FIGS. 8A to 8C show other probes.
As shown in (1), a structure in which the shape of the probe 11 is the same and the shape of the plate 12 is variously changed can be considered.
【００５０】また、極微細な溝を観察するには、探針１
１の先端部のアスペクト比を大きくし、さらに鋭利にす
る必要があるが、この手段として集束イオンビームを用
いた加工がある。イオンビームの直径は適当な集束用の
レンズを用いれば０．１μｍ以下に集束させることが可
能である。図９はこのような目的で加工した探針１１の
先端を示す。In order to observe an extremely fine groove, the probe 1
It is necessary to increase the aspect ratio of the tip portion 1 and make it even sharper. As a means for this, there is processing using a focused ion beam. The diameter of the ion beam can be focused to 0.1 μm or less by using an appropriate focusing lens. FIG. 9 shows the tip of the probe 11 processed for such a purpose.
【００５１】一方、磁気ディスク表面の磁区を測定する
ために、図１０に示すように、プローブの先端に磁性材
１８を添付して、磁気顕微鏡用のプローブとして用いる
こともできる。また、磁性材１８を添付したプローブの
先端を集束イオンビームで加工し、さらに鋭利な針先を
形成して解像度を向上させることも可能である。On the other hand, in order to measure the magnetic domain on the surface of the magnetic disk, a magnetic material 18 can be attached to the tip of the probe as shown in FIG. 10 and used as a probe for a magnetic microscope. It is also possible to improve the resolution by processing the tip of the probe attached with the magnetic material 18 with a focused ion beam and forming a sharper needle tip.
【００５２】図１１はこの発明における別形状のプロー
ブを示す。すなわち、プローブ自身がプレート１２の上
にトンネル電流を検出するための針２７を有している。
この場合、針２７の材料が誘電体であれば、表面に予め
Ｃｒ、Ａｕ等の金属を蒸着させることによって、トンネ
ル電流の検出が可能である。すなわち、図１に示したプ
ローブでは、プレート１２の変位をトンネル電流で検出
するために、図６に示すように、プレート１２にＳＴＭ
の針４０を接近させるが、図１１に示すプローブでは、
ＳＴＭの針４０の替わりに端面が平坦な金属棒を用い、
検出されたトンネル電流が一定となるように金属棒をピ
エゾ素子等で位置制御することで、試料の表面形状を計
測することができる。FIG. 11 shows another probe of the present invention. That is, the probe itself has a needle 27 on the plate 12 for detecting a tunnel current.
In this case, if the material of the needle 27 is a dielectric, the tunnel current can be detected by previously depositing a metal such as Cr or Au on the surface. That is, in the probe shown in FIG. 1, in order to detect the displacement of the plate 12 by the tunnel current, as shown in FIG.
Approach the needle 40, but in the probe shown in FIG.
Using a metal rod with a flat end face instead of the STM needle 40,
By controlling the position of the metal rod with a piezo element or the like so that the detected tunnel current becomes constant, the surface shape of the sample can be measured.
【００５３】なお、プローブの材質としてはＳｉ、酸化
シリコン、窒化シリコン、ダイヤモンド、Ｗ、Ｎｉ、ス
テンレス鋼等を用いることができる。The probe may be made of Si, silicon oxide, silicon nitride, diamond, W, Ni, stainless steel, or the like.
【００５４】つぎに、これまで述べた各プローブの製造
方法を詳細に説明する。Next, a method of manufacturing each probe described above will be described in detail.
【００５５】初めに、図１３により図１に示したプロー
ブの製造方法を説明する。まず、図１３(ａ)に示すよう
に、（１００）を面方位とするシリコン基板１９に熱拡
散によって酸化シリコン膜２１を形成する。つぎに、図
１３(ｂ)に示すように、レジストを塗布して、酸化シリ
コン膜２１の開口パターンを形成する。つぎに、図１３
(ｃ)に示すように、水酸化カリウム等のアルカリ系の水
溶液で異方性エッチングを行なうことにより、突起部の
斜面３０を形成する。この時に生じる斜面３０はエッチ
レートの遅い（１１１）面で、シリコン基板１９の（１
００）面に対して約５４．７度傾いている。つぎに、図
１３(ｄ)に示すように、酸化シリコン膜２１を除去し、
シリコン基板１９の全面に酸化シリコン膜１４を形成す
る。つぎに、図１３(ｅ)に示すように、斜面３０が形成
された側にレジスト３１を塗布する。つぎに、図１３
(ｆ)に示すように、露光・現像を行なって、レジストパ
ターン３２を形成する。このレジストパターン３２をマ
スクとしてフッ化水素酸とフッ化アンモニウムとの混合
液等で酸化シリコン膜１４をエッチングすると、図１３
(ｇ)に示すように、斜面３０に形成される探針１１と、
斜面３０下部のエッチングで低くなった（１００）面に
形成されるプレート１２とからなるプローブパターン１
３０がシリコン基板１９に形成される。この後、図１３
(ｈ)に示すように、シリコン基板１９の裏面にエッチン
グするための開口部３３を形成する。最後に、図１３
(ｉ)に示すように、ＫＯＨ等のアルカリ水溶液で再びシ
リコン基板１９を異方性エッチングする。First, a method of manufacturing the probe shown in FIG. 1 will be described with reference to FIG. First, as shown in FIG. 13A, a silicon oxide film 21 is formed by thermal diffusion on a silicon substrate 19 having a plane orientation of (100). Next, as shown in FIG. 13B, a resist is applied to form an opening pattern of the silicon oxide film 21. Next, FIG.
As shown in (c), the slope 30 of the projection is formed by performing anisotropic etching with an alkaline aqueous solution such as potassium hydroxide. The slope 30 generated at this time is a (111) plane having a low etch rate,
It is inclined about 54.7 degrees with respect to the (00) plane. Next, as shown in FIG. 13D, the silicon oxide film 21 is removed.
The silicon oxide film 14 is formed on the entire surface of the silicon substrate 19. Next, as shown in FIG. 13E, a resist 31 is applied to the side where the slope 30 is formed. Next, FIG.
As shown in (f), exposure and development are performed to form a resist pattern 32. When the silicon oxide film 14 is etched with a mixed solution of hydrofluoric acid and ammonium fluoride using the resist pattern 32 as a mask, FIG.
(g), a probe 11 formed on the slope 30;
The probe pattern 1 including the plate 12 formed on the (100) plane lowered by etching the lower part of the slope 30
30 is formed on the silicon substrate 19. After this, FIG.
As shown in (h), an opening 33 for etching is formed on the back surface of the silicon substrate 19. Finally, FIG.
As shown in (i), the silicon substrate 19 is again anisotropically etched with an alkaline aqueous solution such as KOH.
【００５６】この製造方法においては、検針１１を（１
１１）面に形成して、しかもプレート１２を斜面３０よ
りも低くなった（１００）面に形成するから、探針１１
の先端側にシリコンが存在しない。この結果、もう一つ
の基板にプローブを接合した後にシリコン基板１９をエ
ッチングですべて除去するような煩雑な工程を省略する
ことができ、安価なプローブを提供することができる。In this manufacturing method, the probe 11 is set to (1
11) and the plate 12 is formed on the (100) plane lower than the slope 30.
Does not have silicon on the tip side. As a result, a complicated step of removing the silicon substrate 19 by etching after bonding the probe to another substrate can be omitted, and an inexpensive probe can be provided.
【００５７】なお、この製造方法において、シリコン基
板１９の面が（１００）面に一致していると、プレート
１２の面と探針１１の面とのなす角度は５４．７度とな
る。一方、シリコン基板の面が（１００）面に対して０
〜２０度の範囲で傾斜させれば、プレート１２の面と探
針１１の面とのなす角を５４．７度±２０度の範囲で任
意に制御できる。また、マスクパターンの適切な選択に
よって、保持板１３の角部の欠落の量を制御することが
できる。このとき、斜面１５とは法線方向が異なった面
が現れる可能性もある。また、この実施例では一般の半
導体プロセスで良く用いられる面方位が（１００）のシ
リコンウエハについての製造方法について述べたが、イ
ンゴットからのシリコンウエハの切り出し方向を適当に
選択すれば、斜面３０のシリコン基板１９の面に対する
傾斜角度を０〜９０度の間で任意に変化させることがで
きる。また、保持板１３の角部の加工はマイクログライ
ンダを用いた機械加工によっても可能である。In this manufacturing method, when the plane of the silicon substrate 19 coincides with the (100) plane, the angle formed between the plane of the plate 12 and the plane of the probe 11 is 54.7 degrees. On the other hand, the plane of the silicon substrate is 0 with respect to the (100) plane.
By inclining in the range of up to 20 degrees, the angle between the surface of the plate 12 and the surface of the probe 11 can be arbitrarily controlled within the range of 54.7 degrees ± 20 degrees. In addition, by appropriately selecting the mask pattern, the amount of the corner portion of the holding plate 13 missing can be controlled. At this time, there is a possibility that a surface having a normal direction different from that of the slope 15 appears. Further, in this embodiment, a method of manufacturing a silicon wafer having a plane orientation of (100), which is often used in a general semiconductor process, has been described. However, if the cutting direction of the silicon wafer from the ingot is appropriately selected, the slope 30 may be formed. The inclination angle with respect to the surface of the silicon substrate 19 can be arbitrarily changed between 0 and 90 degrees. The processing of the corners of the holding plate 13 can also be performed by machining using a micro grinder.
【００５８】つぎに、図１４により図１０に示すプロー
ブの製造方法を説明する。まず、図１４(ａ)に示すよう
に、図１３(ａ)〜(ｈ)と同様のプロセスで酸化シリコン
膜のプローブパターン１３０を形成する。つぎに、図１
４(ｂ)に示すように、レジスト３７を塗布した後、図１
４(ｃ)に示すように、露光・現像によってレジストの開
口パターン３４を探針１１の先端に形成する。つぎに、
図１４(ｄ)に示すように、磁性材膜３５を蒸着によって
形成した後、図１４(ｅ)に示すように、レジスト３７を
除去すると、探針１１にのみ磁性材１８が付着する。つ
ぎに、図１４(ｆ)に示すように、ＫＯＨ等のアルカリ水
溶液でシリコン基板１９を異方性エッチングすれば、磁
気顕微鏡用のプローブを形成できる。Next, a method of manufacturing the probe shown in FIG. 10 will be described with reference to FIG. First, as shown in FIG. 14A, a probe pattern 130 of a silicon oxide film is formed by a process similar to that shown in FIGS. 13A to 13H. Next, FIG.
As shown in FIG. 4 (b), after applying a resist 37, FIG.
As shown in FIG. 4C, an opening pattern 34 of the resist is formed at the tip of the probe 11 by exposure and development. Next,
As shown in FIG. 14D, after the magnetic material film 35 is formed by vapor deposition, as shown in FIG. 14E, when the resist 37 is removed, the magnetic material 18 adheres only to the probe 11. Next, as shown in FIG. 14 (f), a probe for a magnetic microscope can be formed by anisotropically etching the silicon substrate 19 with an aqueous alkaline solution such as KOH.
【００５９】なお、磁性材１８の形成方法として、レジ
ストを用いたリフトオフ法を用いたが、小さな開口を有
するマスクを用いて探針１１の先端にだけ磁性材を蒸着
することも可能である。Although the lift-off method using a resist is used as a method for forming the magnetic material 18, it is also possible to deposit a magnetic material only on the tip of the probe 11 using a mask having a small opening.
【００６０】つぎに、図１５により図１１、図１２に示
したプローブの製造方法を説明する。まず、図１５(ａ)
に示すように、図１３(ａ)〜(ｄ)と同様にして、シリコ
ン基板１９に斜面３０を形成した後、酸化シリコン膜２
２を熱拡散によって形成する。つぎに、図１５(ｂ)に示
すように、斜面３０を有する面へのレジスト塗布、露光
および現像の工程により、レジストに正方形の開口パタ
ーンを形成し、このレジストをマスクとしてフッ化水素
酸とフッ化アンモニウムとの混合液を用いて酸化シリコ
ン膜２２のエッチングを行ない、レジストを除去して、
酸化シリコン膜２２に正方形の開口パターン３８を形成
する。つぎに、図１５(ｃ)に示すように、酸化シリコン
膜２２をマスクとしてシリコンの異方性エッチングを行
なうことにより、四角錐状の凹部３９を形成する。つぎ
に、図１５(ｄ)に示すように、酸化シリコン膜２２を全
て除去し、再び酸化シリコン膜１４をシリコン基板１９
の全面に形成する。つぎに、図１５(ｅ)に示すように、
レジスト３６を塗布する。つぎに、図１５(ｆ)に示すよ
うに、レジスト３６を露光・現像して、プローブ形状の
レジストパターンを形成し、これをマスクとしてフッ化
水素酸とフッ化アンモニウムとの混合液を用いて下層の
酸化シリコン膜１４をエッチングし、レジスト３６を除
去する。この結果、酸化シリコン膜１４のプローブパタ
ーン１３１が得られる。つぎに、図１５(ｇ)、(ｈ)に示
すように、図１３(ｈ)、(ｉ)と同様にして、斜面３０を
形成した面の裏側に適当なパターニングを行なってシリ
コン基板１９をエッチングすることによって、プレート
１２にトンネル電流を検出する四角錐状の針２７が形成
されたプローブが得られる。Next, a method of manufacturing the probe shown in FIGS. 11 and 12 will be described with reference to FIG. First, FIG.
As shown in FIGS. 13A to 13D, after the slope 30 is formed on the silicon substrate 19 in the same manner as in FIGS.
2 is formed by thermal diffusion. Next, as shown in FIG. 15B, a square opening pattern is formed in the resist by the steps of applying, exposing, and developing the resist on the surface having the inclined surface 30, and using this resist as a mask, The silicon oxide film 22 is etched using a mixed solution with ammonium fluoride to remove the resist,
A square opening pattern 38 is formed in the silicon oxide film 22. Next, as shown in FIG. 15C, a quadrangular pyramid-shaped concave portion 39 is formed by performing anisotropic etching of silicon using the silicon oxide film 22 as a mask. Next, as shown in FIG. 15D, the silicon oxide film 22 is entirely removed, and the silicon oxide film 14 is again
Formed over the entire surface of the substrate. Next, as shown in FIG.
A resist 36 is applied. Next, as shown in FIG. 15F, the resist 36 is exposed and developed to form a probe-shaped resist pattern, and using this as a mask, a mixed solution of hydrofluoric acid and ammonium fluoride is used. The lower silicon oxide film 14 is etched, and the resist 36 is removed. As a result, a probe pattern 131 of the silicon oxide film 14 is obtained. Next, as shown in FIGS. 15 (g) and (h), the silicon substrate 19 is subjected to appropriate patterning on the back side of the surface on which the slope 30 is formed in the same manner as in FIGS. 13 (h) and 13 (i). By the etching, a probe in which a quadrangular pyramid-shaped needle 27 for detecting a tunnel current is formed on the plate 12 is obtained.
【００６１】つぎに、上述した各プローブのプレート１
２を支えるための保持板１３の製法について説明する。
保持板１３の両サイドは試料に接触しないように角部が
削られた構造となっているが、このような構造とするた
めには、図１６に示すように、あらかじめ角を落したマ
スクパターンを用いることで形成可能である。すなわ
ち、斜面３０を形成したシリコン基板１９の面に両サイ
ドの角を落したパターン４１を形成し、裏側にはそれよ
りもやや大きめに角を取ったパターン４２を形成する。
その後、水酸化カリウムの水溶液でエッチングすると、
図１に示すプローブまたはそれに類似のプローブを得る
ことができる。Next, the plate 1 of each probe described above was used.
A method of manufacturing the holding plate 13 for supporting the support 2 will be described.
Both sides of the holding plate 13 have a structure in which the corners are cut so as not to come into contact with the sample. To achieve such a structure, as shown in FIG. It can be formed by using. That is, a pattern 41 is formed on the surface of the silicon substrate 19 on which the slope 30 is formed, with the corners on both sides being angled, and a pattern 42 with a slightly larger angle is formed on the back side.
After that, when etching with an aqueous solution of potassium hydroxide,
The probe shown in FIG. 1 or a probe similar thereto can be obtained.
【００６２】なお、上述のプローブの製造方法において
は、熱拡散による酸化シリコン（ＳｉＯ2）を用いた
が、これはＣＶＤによる窒化シリコン（Ｓｉ3Ｎ4）、他
のセラミック材料で代用することも可能である。また、
上述のプローブの製造方法においては、フッ化水素酸
（ＨＦ）とフッ化アンモニウム（ＮＨ4Ｆ）との混合液
によるウエットエッチングを用いて酸化シリコン膜をパ
ターニングしたが、ＨＦやＣＨＦ3等のガスを用いたド
ライエッチングでも同様にパターニングが可能である。In the above-described probe manufacturing method, silicon oxide (SiO 2 ) by thermal diffusion is used, but this can be replaced by silicon nitride (Si 3 N 4 ) by CVD or another ceramic material. It is possible. Also,
In the above-described method of manufacturing the probe, the silicon oxide film is patterned by wet etching using a mixed solution of hydrofluoric acid (HF) and ammonium fluoride (NH 4 F), but a gas such as HF or CHF 3 is used. Similarly, patterning is also possible by dry etching using.
【００６３】図１７はこの発明に係る他の表面観察装置
用プローブを示す斜視図である。この表面観察装置用プ
ローブを製造するには、まず半導体リソグラフィ技術な
どにより一端が保持板１４４に固定された片持ちのプレ
ート１４２を作製する。ここで、プレート１４２の材料
としては、剛性が高く比重の小さいものたとえばＳｉＯ
2が望ましい。つぎに、プレート１４２の自由端側に探
針１４６を付着する。この工程は、集束イオンビームを
用いた移植技術により行なう。すなわち、探針部材をた
とえば圧電素子を用いた移動機構で保持し、直径０．１
μｍ以下に小さく収束したイオンビームによりプレート
１４２の先端部の二次電子像を観察しながら、探針部材
をプレート１４２の所望の位置に搬送する。つぎに、ガ
リウム集束イオンビームにより探針部材の一部をスパッ
タリングすることにより、プレート１４２に探針部材を
接着する。さらに、集束イオンビームを探針１４６の先
端部に照射し、鋭い形態に加工する。これにより探針１
４６の頂角θを約２０度、先端部の曲率半径を５０ｎｍ
以下に加工する。なお、探針１４６の頂角θは、加工時
の集束イオンビームの走査方向を任意に変えることによ
り、任意に変化できる。また、探針１４６を構成する探
針部材の材質はプレート１４２と異種もしくは同種のい
ずれでも効果は同じである。この実施例では、Ｗ、Ｎ
ｉ、ＴｉＣ、Ｆｅ、ＬａＢ6などを探針部材として用い
たが、いずれも同様の高分解能表面情報の検出効果を持
った原子間力顕微鏡用の探針を得ることができた。FIG. 17 is a perspective view showing another surface observation apparatus probe according to the present invention. In order to manufacture the probe for a surface observation device, first, a cantilever plate 142 having one end fixed to a holding plate 144 is manufactured by a semiconductor lithography technique or the like. Here, as a material of the plate 142, a material having high rigidity and low specific gravity, for example, SiO 2
2 is preferred. Next, a probe 146 is attached to the free end side of the plate 142. This step is performed by a transplantation technique using a focused ion beam. That is, the probe member is held by a moving mechanism using, for example, a piezoelectric element and has a diameter of 0.1 mm.
The probe member is conveyed to a desired position on the plate 142 while observing a secondary electron image of the tip of the plate 142 with an ion beam converged to a size of less than μm. Next, the probe member is bonded to the plate 142 by sputtering a part of the probe member with a gallium focused ion beam. Further, a focused ion beam is applied to the tip of the probe 146 to be processed into a sharp form. This makes probe 1
The apex angle θ of 46 is about 20 degrees, and the radius of curvature of the tip is 50 nm.
Process below. Note that the vertex angle θ of the probe 146 can be arbitrarily changed by arbitrarily changing the scanning direction of the focused ion beam during processing. The effect is the same whether the material of the probe member constituting the probe 146 is different from or the same as that of the plate 142. In this embodiment, W, N
Although i, TiC, Fe, LaB 6 and the like were used as the probe members, a probe for an atomic force microscope having the same high-resolution surface information detection effect could be obtained.
【００６４】また、探針１４６の先端部に磁性体を蒸着
し、高分解能の磁気力顕微鏡用の磁性探針を得ることが
できた。磁性探針用の磁性体材料としてはＣｏ、Ｆｅを
主成分とし、これにＮｉ、Ｃｒ、Ｐｔ、Ｚｒ、Ｃ、Ｎな
どを添加した合金あるいは多層膜あるいは酸化物を使用
する。磁性探針の磁化容易軸の向きを制御するために、
蒸着時の蒸着方向を０〜９０度の範囲で変化した。磁性
探針の飽和磁化は１００ｋＡ／ｍ以上、保磁力は８０Ａ
／ｍ以上が望ましく、これらの特性は磁性材料の組成や
蒸着時の温度を適切に選ぶことにより、任意に制御でき
る。磁性探針の飽和磁化は、ＣｏまたはＦｅあるいはＮ
ｉの含有量を７５ａｔ％以上とすることにより１００ｋ
Ａ／ｍ以上の値を達成した。また、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｎｉに
５〜２５ａｔ％のＣｒ、Ｐｔ、Ｚｒ、Ｃ、Ｎあるいは酸
素を添加することにより８０Ａ／ｍ以上の保磁力を達成
した。Further, a magnetic material was deposited on the tip of the probe 146 to obtain a magnetic probe for a high-resolution magnetic force microscope. As a magnetic material for the magnetic probe, an alloy, a multilayer film, or an oxide containing Co, Fe as a main component and adding Ni, Cr, Pt, Zr, C, N, or the like to this is used. In order to control the direction of the easy axis of magnetization of the magnetic probe,
The deposition direction during the deposition was changed in the range of 0 to 90 degrees. The saturation magnetization of the magnetic probe is 100 kA / m or more, and the coercive force is 80 A
/ M or more, and these characteristics can be arbitrarily controlled by appropriately selecting the composition of the magnetic material and the temperature at the time of vapor deposition. The saturation magnetization of the magnetic probe is Co or Fe or N
By setting the content of i to 75 at% or more, 100 k
A value of A / m or more was achieved. A coercive force of 80 A / m or more was achieved by adding 5 to 25 at% of Cr, Pt, Zr, C, N, or oxygen to Co, Fe, and Ni.
【００６５】この実施例では、ＳｉＯ2を用いた場合に
ついて説明したが、Ｓｉ、Ｓｉ3Ｎ4、Ｗ、Ｍｏ、ダイヤ
モンド状カーボンあるいはステンレス鋼を用いて同様の
構成のプレートを作製しても、いずれも同様の効果が得
られることはいうまでもない。In this embodiment, the case where SiO 2 is used has been described. However, even if a plate having a similar structure is manufactured using Si, Si 3 N 4 , W, Mo, diamond-like carbon or stainless steel, It goes without saying that the same effect can be obtained in each case.
【００６６】図１８はこの発明に係る他の表面観察装置
用プローブの製造方法の説明図である。この表面観察装
置用プローブの製造方法においては、まず図１８(ａ)に
示すように、半導体リソグラフィ技術により、プレート
１２と探針１１とが一体に構成されたプローブを作製す
る。ここで、プレート１２、探針１１はＳｉＯ2で構成
されており、これらはお互いに異なった角度で接続され
ている。また、プレート１２、探針１１の厚さは約１μ
ｍ、長さは約１８０μｍで、バネ定数は約１Ｎ／ｍであ
った。つぎに、図１８(ｂ)に示すように、探針１１の片
面に磁性材１８をスパッタリング法により付着する。つ
ぎに、集束イオンビームを用いて探針１１をスパッタリ
ング加工し、頂角θが約１８度、先端部の曲率半径が約
４０ｎｍの先端が鋭く尖った探針１１を作製した。同時
に探針１１以外のプレート１２の面に付着した磁性体は
集束イオンビームによりスパッタリング加工することに
より除去した。これにより高感度、高分解能の磁気情報
検出に適した磁性探針を得ることができた。この実施例
において、磁性材１８を付着する工程を省くことによ
り、同様に探針１１の頂角が小さく、高分解能表面情報
検出に適した原子間力顕微鏡用の探針を得ることができ
た。FIG. 18 is an explanatory diagram of a method of manufacturing another probe for a surface observation device according to the present invention. In this method of manufacturing a probe for a surface observation device, first, as shown in FIG. 18A, a probe in which a plate 12 and a probe 11 are integrally formed is manufactured by a semiconductor lithography technique. Here, the plate 12 and the probe 11 are made of SiO 2 , and these are connected to each other at different angles. The thickness of the plate 12 and the probe 11 is about 1 μm.
m, the length was about 180 μm, and the spring constant was about 1 N / m. Next, as shown in FIG. 18B, a magnetic material 18 is attached to one surface of the probe 11 by a sputtering method. Next, the probe 11 was sputtered using a focused ion beam to produce a sharply pointed probe 11 having a vertex angle θ of about 18 degrees and a radius of curvature of about 40 nm at the tip. At the same time, the magnetic material attached to the surface of the plate 12 other than the probe 11 was removed by sputtering with a focused ion beam. As a result, a magnetic probe suitable for detecting magnetic information with high sensitivity and high resolution was obtained. In this embodiment, by omitting the step of attaching the magnetic material 18, a probe for an atomic force microscope suitable for high-resolution surface information detection was similarly obtained with a small apex angle of the probe 11. .
【００６７】なお、この実施例では、酸化シリコンでプ
レート１２、探針１１を構成した場合を説明したが、プ
レート、探針を窒化シリコン、Ｗ、Ｎｉ等で構成しても
よいことはいうまでもない。In this embodiment, the case where the plate 12 and the probe 11 are made of silicon oxide has been described. However, it goes without saying that the plate and the probe may be made of silicon nitride, W, Ni or the like. Nor.
【００６８】この発明により作製した探針を用いて原子
間力や磁気力を検出する表面観察装置を第１９図により
説明する。まず、探針１４６の先端が試料１５２の面に
対して垂直になるように設置する。この探針１４６およ
びプレート１４２の両面にはＡｕ、Ｐｔなどの電気導電
性の被覆層１５３を形成する。つぎに、先端が鋭く尖っ
たＷ線、Ｐｔ線等からなるＳＴＭの針１５５をプレート
１４２の試料１５２と反対側の面に接近させて設置し、
プレート１４２の面と針１５５との間のトンネル電流を
検出することにより、試料１５２と探針１４６との間に
作用する原子間力あるいは磁気力によるプレート１４２
の変位を検出する。このようにして、磁性試料の表面に
おける漏洩磁界によるプレート１４２の変位を検出し、
この結果より磁性試料の磁区構造などの磁気力情報を得
る。また、非磁性試料と探針１４６との間に作用する原
子間力によるプレート１４２の変位を検出することによ
り、表面形態等の表面情報を得る。A surface observation apparatus for detecting an atomic force or a magnetic force using a probe manufactured according to the present invention will be described with reference to FIG. First, the tip of the probe 146 is set so as to be perpendicular to the surface of the sample 152. An electrically conductive coating layer 153 of Au, Pt, or the like is formed on both surfaces of the probe 146 and the plate 142. Next, an STM needle 155 made of a sharply pointed W line, Pt line, or the like is placed close to the surface of the plate 142 on the side opposite to the sample 152,
By detecting a tunnel current between the surface of the plate 142 and the needle 155, the plate 142 due to an atomic force or a magnetic force acting between the sample 152 and the probe 146.
The displacement of is detected. In this way, the displacement of the plate 142 due to the leakage magnetic field on the surface of the magnetic sample is detected,
From this result, magnetic force information such as the magnetic domain structure of the magnetic sample is obtained. Further, by detecting displacement of the plate 142 due to an atomic force acting between the non-magnetic sample and the probe 146, surface information such as a surface morphology is obtained.
【００６９】なお、磁性探針の表面に被覆層を形成する
ことにより、空気中や真空中あるいは各種ガス雰囲気で
長時間動作しても、再現性のよい測定ができる。また、
被覆層としては、Ｐｔの他にＲｕ、Ｒｈ、Ａｕ、Ｐｄお
よびこれを含む合金を用いても効果は同じである。ま
た、この実施例では、プレート１４２の変位の検出手段
としてプレート１４２の面と針１５５との間のトンネル
電流を用いて説明したが、プレート１４２の後方にレー
ザービームなどを照射して行なう光干渉法や光てこ法な
どの光学的な変位を検出する手段あるいは静電容量検出
器による手段を用いてもよいことはいうまでもない。By forming the coating layer on the surface of the magnetic probe, measurement with good reproducibility can be performed even when the magnetic probe is operated for a long time in air, vacuum, or various gas atmospheres. Also,
The same effect can be obtained by using Ru, Rh, Au, Pd and an alloy containing them in addition to Pt as the coating layer. Further, in this embodiment, the description has been made using the tunnel current between the surface of the plate 142 and the needle 155 as the means for detecting the displacement of the plate 142. It is needless to say that means for detecting an optical displacement such as a method or an optical lever method or means using a capacitance detector may be used.
【００７０】[0070]
【発明の効果】以上の説明したように、この発明の表面
観察装置用プローブ、その製造方法、表面観察装置にお
いては、容易に製造することがきでるから、製造コスト
が安価である。As described above, the probe for a surface observation device, the method of manufacturing the same, and the surface observation device according to the present invention can be easily manufactured, and the manufacturing cost is low.
【００７１】また、保持板のプレート突出部の側壁面の
傾斜角度をプレートの面に対して０〜９０度とすれば、
プレートに変位測定手段を接近させやすいから、測定を
容易に行なうことができる。Further, if the inclination angle of the side wall surface of the plate projecting portion of the holding plate is 0 to 90 degrees with respect to the plate surface,
Since the displacement measuring means is easily approached to the plate, the measurement can be performed easily.
【００７２】また、保持板のプレート突出部の側壁面の
左右の角部を欠落すれば、保持板の角部が試料に接触す
ることがないから、確実に測定を行なうことができる。If the left and right corners of the side wall surface of the plate projection of the holding plate are omitted, the corner of the holding plate does not come into contact with the sample, so that the measurement can be performed reliably.
【００７３】また、保持板のプレート突出部の側壁面の
幅をプレートの幅よりも大きくすれば、プレートの保持
板から突出した部分だけがたわむから、正確に測定を行
なうことができる。If the width of the side wall surface of the plate projecting portion of the holding plate is made larger than the width of the plate, only the portion of the plate projecting from the holding plate bends, so that accurate measurement can be performed.
【００７４】また、プレートの一部にトンネル電流検出
用の針を設ければ、端面が平坦な金属棒を用いてトンネ
ル電流を検出することができるから、容易に検出するこ
とができる。If a needle for detecting a tunnel current is provided in a part of the plate, the tunnel current can be detected using a metal rod having a flat end surface, and therefore, it can be easily detected.
【００７５】また、トンネル電流検出用の針を探針と一
体で形成すれば、トンネル電流検出用の針を容易に製造
することができるから、製造コストが安価である。If the needle for detecting the tunnel current is formed integrally with the probe, the needle for detecting the tunnel current can be easily manufactured, so that the manufacturing cost is low.
【００７６】また、シリコンウエハを異方性エッチング
で加工した突起部の斜面に探針を形成し、突起部の斜面
の下部の平坦面にプレートを形成し、シリコンウエハの
一部で保持板を形成すれば、容易に製造することがきで
るから、製造コストが安価である。Further, a probe is formed on the slope of the protrusion formed by processing the silicon wafer by anisotropic etching, a plate is formed on a flat surface below the slope of the protrusion, and a holding plate is formed by a part of the silicon wafer. If it is formed, it can be easily manufactured, and the manufacturing cost is low.
【００７７】また、シリコンウエハの面を（１００）面
に対して０〜２０度の範囲で傾斜すれば、プレートの面
と探針の面とのなす角を５４．７度±２０度の範囲で任
意に定めることができるから、プレートの面と探針の面
とのなす角を適正にすることができる。If the surface of the silicon wafer is tilted in the range of 0 to 20 degrees with respect to the (100) plane, the angle between the plate surface and the probe surface is in the range of 54.7 degrees ± 20 degrees. Thus, the angle between the plate surface and the probe surface can be made appropriate.
【００７８】また、探針の面に磁性体を付着すれば、磁
気顕微鏡のプローブとして使用することができるから、
磁気ディスクの表面の磁区を測定することができる。If a magnetic substance is attached to the surface of the probe, it can be used as a probe of a magnetic microscope.
The magnetic domains on the surface of the magnetic disk can be measured.
【００７９】また、探針の先端を集束イオンビームで鋭
利に加工すれば、解像度を向上することができるから、
正確に測定を行なうことができる。If the tip of the probe is sharpened with a focused ion beam, the resolution can be improved.
Measurement can be performed accurately.
【００８０】また、プレートの一端に探針材料を移植し
て探針を形成し、集束イオンビームで探針の頂角を５５
度以下に鋭く尖らせれば、解像度を向上することができ
るから、正確に測定を行なうことができる。Further, a probe material is implanted at one end of the plate to form a probe, and the vertex angle of the probe is set to 55 by a focused ion beam.
If sharpened to a degree or less, the resolution can be improved, so that accurate measurement can be performed.
【００８１】また、探針およびプレートの面に磁性体を
付着したのちに、探針を構成する部分以外の面の磁性体
を集束イオンビームで除去すれば、漏洩磁界分布が乱さ
れることがないから、磁気力情報の分解能が低下するこ
とはない。Further, if the magnetic material on the surface other than the portion constituting the probe is removed by a focused ion beam after attaching the magnetic material to the surface of the probe and the plate, the leakage magnetic field distribution may be disturbed. Therefore, the resolution of the magnetic force information does not decrease.
【００８２】また、探針の長さを３μｍ以上とすれば、
アスペクト比の大きい起伏を有する試料の表面情報を得
ることができるから、正確に測定を行なうことができ
る。When the length of the probe is 3 μm or more,
Since surface information of a sample having a large undulation with a large aspect ratio can be obtained, accurate measurement can be performed.
【００８３】また、探針の頂角を５５度以下とし、探針
の最先端部の曲率半径を５０ｎｍ以下とすれば、正確な
試料の表面情報を得ることができるから、正確に測定を
行なうことができる。If the apex angle of the probe is 55 degrees or less and the radius of curvature of the tip of the probe is 50 nm or less, accurate surface information of the sample can be obtained. be able to.
【００８４】また、探針の先端部に磁性体を付着すれ
ば、磁気顕微鏡として使用することができるから、磁気
ディスクの表面の磁区を測定することができる。If a magnetic material is attached to the tip of the probe, the probe can be used as a magnetic microscope, so that magnetic domains on the surface of the magnetic disk can be measured.
【００８５】このように、この発明の効果は顕著であ
る。As described above, the effect of the present invention is remarkable.
【図１】この発明に係る表面観察装置用プローブを示す
斜視図である。FIG. 1 is a perspective view showing a probe for a surface observation device according to the present invention.
【図２】図１に示した表面観察装置用プローブを示す断
面図である。FIG. 2 is a sectional view showing a probe for a surface observation device shown in FIG. 1;
【図３】この発明に係る他の表面観察装置用プローブを
示す斜視図である。FIG. 3 is a perspective view showing another probe for a surface observation device according to the present invention.
【図４】この発明に係る他の表面観察装置用プローブを
示す平面図である。FIG. 4 is a plan view showing another probe for a surface observation device according to the present invention.
【図５】図１に示した表面観察装置用プローブを示す断
面図である。FIG. 5 is a cross-sectional view showing the probe for a surface observation device shown in FIG. 1;
【図６】図１に示した表面観察装置用プローブの使用方
法の説明図である。6 is an explanatory diagram of a method of using the probe for a surface observation device shown in FIG. 1;
【図７】図１に示した表面観察装置用プローブの他の使
用方法の説明図である。FIG. 7 is an explanatory diagram of another method of using the probe for the surface observation device shown in FIG. 1;
【図８】この発明に係る他の表面観察装置用プローブを
示す斜視図である。FIG. 8 is a perspective view showing another surface observation device probe according to the present invention.
【図９】この発明に係る他の表面観察装置用プローブを
示す斜視図である。FIG. 9 is a perspective view showing another surface observation device probe according to the present invention.
【図１０】この発明に係る他の表面観察装置用プローブ
を示す斜視図である。FIG. 10 is a perspective view showing another surface observation device probe according to the present invention.
【図１１】この発明に係る他の表面観察装置用プローブ
を示す斜視図である。FIG. 11 is a perspective view showing another probe for a surface observation device according to the present invention.
【図１２】図１１に示した表面観察装置用プローブを示
す断面図である。FIG. 12 is a cross-sectional view showing the probe for a surface observation device shown in FIG. 11;
【図１３】図１に示した表面観察装置用プローブの製造
方法の説明図である。13 is an explanatory diagram of a method of manufacturing the probe for a surface observation device shown in FIG.
【図１４】図１０に示した表面観察装置用プローブの製
造方法の説明図である。FIG. 14 is an explanatory diagram of a method of manufacturing the probe for a surface observation device shown in FIG. 10;
【図１５】図１１、図１２に示した表面観察装置用プロ
ーブの製造方法の説明図である。FIG. 15 is an explanatory diagram of a method of manufacturing the probe for a surface observation device shown in FIGS. 11 and 12.
【図１６】この発明に係る表面観察装置用プローブの保
持板の製法の説明図である。FIG. 16 is an explanatory diagram of a method of manufacturing a holding plate of a probe for a surface observation device according to the present invention.
【図１７】この発明に係る他の表面観察装置用プローブ
を示す斜視図である。FIG. 17 is a perspective view showing another surface observation device probe according to the present invention.
【図１８】この発明に係る他の表面観察装置用プローブ
の製造方法の説明図である。FIG. 18 is an explanatory diagram of a method of manufacturing a probe for another surface observation device according to the present invention.
【図１９】この発明に係る表面観察装置を示す概略図で
ある。FIG. 19 is a schematic view showing a surface observation device according to the present invention.
【図２０】従来の表面観察装置用プローブを示す斜視図
である。FIG. 20 is a perspective view showing a conventional surface observation device probe.
【図２１】図２０に示した表面観察装置用プローブの製
造方法の説明図である。21 is an explanatory diagram of the method for manufacturing the probe for a surface observation device shown in FIG. 20.
１１…探針 １２…プレート １３…保持板 １５…傾斜面 １６…傾斜面 １８…磁性材料 ２７…針 １４２…プレート １４４…保持板 １４６…探針 DESCRIPTION OF SYMBOLS 11 ... Probe 12 ... Plate 13 ... Holding plate 15 ... Inclined surface 16 ... Inclined surface 18 ... Magnetic material 27 ... Needle 142 ... Plate 144 ... Holding plate 146 ... Probe
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 保坂 純男 東京都国分寺市東恋ケ窪一丁目280番地 株式会社日立製作所 中央研究所内 (72)発明者 本多 幸雄 東京都国分寺市東恋ケ窪一丁目280番地 株式会社日立製作所 中央研究所内 (72)発明者 大西 毅 茨城県勝田市市毛882番地 株式会社日 立製作所 那珂工場内 (56)参考文献 特開 平３−96854（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−91502（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−59601（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) G01B 21/00 - 21/32 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuing on the front page (72) Inventor Sumio Hosaka 1-280 Higashi-Koigakubo, Kokubunji-shi, Tokyo Inside the Central Research Laboratory, Hitachi, Ltd. In the Central Research Laboratory (72) Inventor Takeshi Onishi 882 Ma, Katsuta-shi, Ibaraki Pref. Naka Plant, Hitachi Ltd. (56) References JP-A-3-96854 (JP, A) JP-A-63-91502 ( JP, A) JP-A-2-59601 (JP, A) (58) Fields investigated (Int. Cl. 6 , DB name) G01B 21/00-21/32
Claims (17)
力を変位に変換するプレートとを有する表面観察装置用
プローブにおいて、上記探針を上記プレートと一体で形
成し、上記プレートの上記探針が突き出している側と反
対側の面に保持板を上記プレートと一体に構成し、上記
保持板の上記プレート突出部の側壁面の左右の角部を欠
落したことを特徴とする表面観察装置用プローブ。1. A probe for a surface observation device having a probe and a plate for converting a force applied between a sample and the probe into a displacement, wherein the probe is formed integrally with the plate. A holding plate is integrally formed with the plate on the surface of the plate opposite to the side where the probe protrudes ,
Cut off the left and right corners of the side wall surface of the plate projection of the holding plate.
A probe for a surface observation device, which has been dropped .
の傾斜角度を上記プレートの面に対して０〜９０度とし
たことを特徴とする請求項１に記載の表面観察装置用プ
ローブ。2. The probe for a surface observation device according to claim 1, wherein an inclination angle of a side wall surface of the plate projecting portion of the holding plate is 0 to 90 degrees with respect to a surface of the plate.
の幅を上記プレートの幅よりも大きくしたことを特徴と
する請求項１に記載の表面観察装置用プローブ。3. The probe for a surface observation device according to claim 1, wherein a width of a side wall surface of the plate projection of the holding plate is larger than a width of the plate.
の針を設けたことを特徴とする請求項１に記載の表面観
察装置用プローブ。4. A probe for a surface observation device according to claim 1, wherein a needle for detecting a tunnel current is provided in a part of said plate.
一体で形成したことを特徴とする請求項４に記載の表面
観察装置用プローブ。5. The probe for a surface observation device according to claim 4 , wherein the needle for detecting the tunnel current is formed integrally with the probe.
力を変位に変換するプレートとを有する表面観察装置用
プローブを製造する方法において、シリコン基板に形成
した酸化シリコンまたは窒化シリコンの薄膜を素材とし
て上記探針および上記プレートを形成し、上記シリコン
基板を加工することにより上記プレート突出部の側壁面
の左右の角部を欠落した保持板を形成することを特徴と
する表面観察装置用プローブの製造方法。6. A method for manufacturing a probe for a surface observation device having a probe and a plate for converting a force applied between a sample and the probe into a displacement, the method comprising the steps of: The probe and the plate are formed using a thin film of silicon as a material, and the silicon substrate is processed to form a side wall surface of the plate protrusion.
A method for manufacturing a probe for a surface observation device, comprising: forming a holding plate lacking left and right corners of the probe.
工した突起部の斜面に上記探針を形成し、上記突起部の
斜面の下部の平坦面に上記プレートを形成し、上記シリ
コン基板の一部で上記保持板を形成したことを特徴とす
る請求項６に記載の表面観察装置用プローブの製造方
法。7. The method according to claim 1, wherein the probe is formed on a slope of a protrusion formed by processing the silicon substrate by anisotropic etching, and the plate is formed on a flat surface below the slope of the protrusion. The method for manufacturing a probe for a surface observation device according to claim 6 , wherein the holding plate is formed in a portion.
して０〜２０度の範囲で傾斜することを特徴とする請求
項７に記載の表面観察装置用プローブの製造方法。8. The method for manufacturing a probe for a surface observation device according to claim 7 , wherein the surface of the silicon substrate is inclined in a range of 0 to 20 degrees with respect to the (100) plane.
徴とする請求項６に記載の表面観察装置用プローブの製
造方法。9. The method according to claim 6 , wherein a magnetic material is attached to the surface of the probe.
利に加工することを特徴とする請求項６に記載の表面観
察装置用プローブの製造方法。10. The method for manufacturing a probe for a surface observation apparatus according to claim 6 , wherein the tip of the probe is sharpened with a focused ion beam.
て上記探針を形成し、集束イオンビームで上記探針の頂
角を５５度以下に鋭く尖らせることを特徴とする請求項
６に記載の表面観察装置用探針の製造方法。11. A probe formed by implanting a probe material at one end of the plate, and the tip angle of the probe is sharply sharpened to 55 degrees or less by a focused ion beam.
7. The method for producing a probe for a surface observation device according to item 6 .
体を付着したのちに、上記探針を構成する部分以外の面
の上記磁性体を集束イオンビームで除去することを特徴
とする請求項６に記載の表面観察装置用探針の製造方
法。12. The method according to claim 1, further comprising, after attaching a magnetic material to the surface of the probe and the plate, removing the magnetic material on a surface other than a portion constituting the probe with a focused ion beam. 7. The method for producing a probe for a surface observation device according to item 6 .
た力を変位に変換するプレートとを有する表面観察装置
用プローブおよび上記表面観察装置用プローブの変位を
検出する変位検出手段を有する表面観察装置において、
上記探針を上記プレートと一体で形成し、上記プレート
の上記探針が形成されている側と反対側の面に保持板を
上記プレートと一体に構成し、上記保持板の上記プレー
ト突出部の側壁面の左右の角部を欠落したことを特徴と
する表面観察装置。13. A probe for a surface observation device having a probe and a plate for converting a force applied between a sample and the probe into a displacement, and a displacement detecting means for detecting a displacement of the probe for the surface observation device. In the surface observation device having
The probe is formed with the plate integral with the side on which the probe of the plate is formed a holding plate on the opposite side constitute to the plate integral with the play of the holding plate
A surface observation device characterized in that left and right corners of the side wall surface of the projection are missing .
を特徴とする請求項１３に記載の表面観察装置。14. The surface observation apparatus according to claim 13 , wherein the length of the probe is 3 μm or more.
が異なることを特徴とする請求項１３に記載の表面観察
装置。15. The surface observation device according to claim 13 , wherein a material of the probe and a material of the plate are different.
探針の最先端部の曲率半径を５０ｎｍ以下としたことを
特徴とする請求項１３に記載の表面観察装置。16. The surface observation apparatus according to claim 13 , wherein the apex angle of the probe is 55 degrees or less, and the radius of curvature of the tip of the probe is 50 nm or less.
とを特徴とする請求項１３に記載の表面観察装置。17. The surface observation apparatus according to claim 13 , wherein a magnetic material is attached to a tip portion of said probe.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3170012A JP2984094B2 (en) | 1991-07-10 | 1991-07-10 | Probe for surface observation device, method of manufacturing the same, and surface observation device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3170012A JP2984094B2 (en) | 1991-07-10 | 1991-07-10 | Probe for surface observation device, method of manufacturing the same, and surface observation device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0518740A JPH0518740A (en) | 1993-01-26 |
| JP2984094B2 true JP2984094B2 (en) | 1999-11-29 |
Family
ID=15896957
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3170012A Expired - Fee Related JP2984094B2 (en) | 1991-07-10 | 1991-07-10 | Probe for surface observation device, method of manufacturing the same, and surface observation device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2984094B2 (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7010966B2 (en) | 2002-10-29 | 2006-03-14 | Olympus Corporation | SPM cantilever and fabricating method thereof |
| JP2008185350A (en) * | 2007-01-26 | 2008-08-14 | Olympus Corp | Cantilever and its manufacturing method |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4526626B2 (en) * | 1999-12-20 | 2010-08-18 | 独立行政法人科学技術振興機構 | Electrical property evaluation equipment |
| EP2104111A1 (en) | 2008-03-20 | 2009-09-23 | Nanoworld AG | SPM-probe with shortened cantilever |
-
1991
- 1991-07-10 JP JP3170012A patent/JP2984094B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7010966B2 (en) | 2002-10-29 | 2006-03-14 | Olympus Corporation | SPM cantilever and fabricating method thereof |
| JP2008185350A (en) * | 2007-01-26 | 2008-08-14 | Olympus Corp | Cantilever and its manufacturing method |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0518740A (en) | 1993-01-26 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5811017A (en) | Cantilever for use in a scanning probe microscope and method of manufacturing the same | |
| US5253515A (en) | Atomic probe microscope and cantilever unit for use in the microscope | |
| US6156215A (en) | Method of forming a projection having a micro-aperture, projection formed thereby, probe having such a projection and information processor comprising such a probe | |
| US5581083A (en) | Method for fabricating a sensor on a probe tip used for atomic force microscopy and the like | |
| US5856672A (en) | Single-crystal silicon cantilever with integral in-plane tip for use in atomic force microscope system | |
| US8020216B2 (en) | Tapered probe structures and fabrication | |
| US5729026A (en) | Atomic force microscope system with angled cantilever having integral in-plane tip | |
| US7913544B1 (en) | Scanning probe devices and methods for fabricating same | |
| US6121771A (en) | Magnetic force microscopy probe with bar magnet tip | |
| EP2133883B1 (en) | Method for cost-efficient manufacturing diamond tips for ultra-high resolution electrical measurements | |
| US6415653B1 (en) | Cantilever for use in a scanning probe microscope | |
| CN113504394B (en) | Wafer level preparation method of coating probe and coating probe | |
| JPH01262403A (en) | Probe and its manufacture | |
| JP2984094B2 (en) | Probe for surface observation device, method of manufacturing the same, and surface observation device | |
| JPH04162339A (en) | Manufacture of probe for surface observation device and surface observation device | |
| US6689545B2 (en) | Method of fabricating near-field light-generating element | |
| JPH03251705A (en) | Cantilever unit and atomic probe microscope using the same | |
| US20030230709A1 (en) | Probe, near-field light generation apparatus including probe, exposure apparatus, and exposing method using probe | |
| JPH0658754A (en) | Measuring method for probe shape | |
| JPH06123621A (en) | Cantilever with probe for interatomic force microscope | |
| JPH11230974A (en) | Probe and manufacture thereof | |
| JPH10104243A (en) | Cantilever for scan type probe microscope | |
| JPH0611334A (en) | Probe for interatomic force microscope | |
| JP2020530113A (en) | Thermally stable drift-resistant probe and manufacturing method for scanning probe microscope | |
| JPH0460410A (en) | Probe and its manufacture |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313117 |
|
| R360 | Written notification for declining of transfer of rights |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R360 |
|
| R370 | Written measure of declining of transfer procedure |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R370 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20070924 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080924 Year of fee payment: 9 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |