JP2979731B2 - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置に関し、特に
素子形成領域の形状に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、メモリ等の半導体装置の素子分離
には選択酸化法やトレンチ分離法が主に用いられてお
り、特に近年では選択酸化法が主流となっている。
【０００３】図５（ａ），（ｂ）は従来のフィールド酸
化膜の構造及び製造方法を説明するための平面図及びＢ
−Ｂ線断面図である。
【０００４】このフィールド酸化膜の形成に用いるレチ
クルの平面図を図４に示す。
【０００５】レチクル上でクロム膜等によってつくられ
ている遮光部１２Ｂと、光が透過する透過部１１Ｂが図
４の様な形状の場合、光強度が例えば２７％での等強度
分布線１３Ｂは破線で示す様な形状となる（近年の高解
像度のポジ型フォトレジスト膜では、光のまったく照射
されないところを光強度０％、光が最も強く照射される
ところを光強度１００％とすると、ほぼ光強度が２７％
の等強度分布線上にパターニングされる）。この図４に
示したレチクルでフォトレジスト膜をパターニングする
と、等強度分布線１３Ｂで囲まれ、左右に半径Ｒを有す
るレジストパターンが得られる。
【０００６】従ってこのレジストパターンをエッチンマ
スクとして選択酸化法によりフィールド酸化膜２を形成
すると、図５（ａ），（ｂ）に示す様になる。すなわ
ち、レジストパターンの部分は素子形成領域３となり、
その周囲全体がフィールド酸化膜２となる。次に、ゲー
ト電極となるポリシリコン膜４等を成膜し、さらにゲー
ト電極形成用のレジストパターン５Ａを形成すると、こ
のレジストパターン５Ａは、多かれ少なかれ下地のフィ
ールド酸化膜２のエッジが半径Ｒを持っ凹面鏡状になっ
ているため、集光した光の影響を受けて、反射光による
くぼみ６が形成される。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】上述したように従来の
半導体装置では、素子形成領域はその端部において１つ
の円弧を有する構造となっている。このため、素子形成
領域にゲート電極等の回路パターンを形成する場合、そ
のレジストパターンに反射光によるくぼみが形成され、
回路パターンの寸法不良が発生し、半導体装置の信頼性
及び製造歩留りを低下させるという問題点があった。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体装置は、
半導体基板上に形成されたフィールド酸化膜により囲ま
れ一対の円弧状パターンを含んで形成された素子形成領
域を有する半導体装置において、前記円弧状パターンは
曲率の異なる複数の円弧で構成されているものである。
【０００９】
【実施例】次に、本発明の実施例について図面を参照し
て説明する。図１（ａ），（ｂ）は本発明の一実施例の
素子形成領域の上面図及びＡ−Ａ線断面図である。
【００１０】図１（ａ），（ｂ）において、シリコン基
板１上には選択酸化法により一対の円弧状のパターンを
有するフィールド酸化膜２が形成されており、その内部
は素子形成領域３となっている。そして特にこの素子形
成領域３を構成する一対の円弧状パターンは、半径がＲ
1 とＲ2 の２つの円弧により構成されている。
【００１１】このように構成された素子形成領域３を有
する本実施例においては、その上にゲート電極を形成す
るためにポリシリコン膜４を形成し、このポリシリコン
膜４のエッチングのためにレジストパターン５を形成す
る場合、露光光の反射光の集中が緩和されるため、従来
のようにレジストパターンにくぼみが形成されることは
なくなる。
【００１２】次に、このような２つの円弧を有する素子
形成領域の形成方法について説明する。
【００１３】図２は実施例におけるフィールド酸化膜
（素子形成領域）形成用のレチクルの上面図である。
【００１４】図２においてレチクル上でクロム膜等によ
ってつくられている遮光部１２と、光が透過する透過部
１１が図の様な形状の場合、光強度が２７％での等強度
分布線１３は、破線で示す様な２つの半径Ｒ1 ，Ｒ2 を
持つ円弧を含む形状となる。このレチクルでフォトレジ
スト膜をパターニングすると、等強度分布線１３で示し
たレジストパターンが得られる。このレジストパターン
をエッチングマスクとして選択酸化法によりフィールド
酸化膜を形成すると、図１（ａ），（ｂ）に示した形状
になる。
【００１５】図３は本発明の他の実施例に用いるレチク
ルの上面図である。図３に示すように、レチクル上でク
ロム膜等によってつくられている遮光部１２Ａと、光が
透過する透過部１１Ａが図の様な点対称形状の場合、光
強度が２７％での等強度分布線１３Ａは、破線で示す様
な２つの半径Ｒ3 ，Ｒ4 を持つ円弧を含む形状となる。
【００１６】この図３のレチクルの様に、階段状の切欠
きをつくった場合でも、図２の斜めの切欠きを有するレ
チクルと同様に、２つの半径Ｒを持つ円弧を含む様にな
るため、ゲート電極用のレジストパターンは、光の集光
による反射光に起因するくぼみは生じない。
【００１７】また、上記実施例では、素子形成領域は２
つの円弧を持つパターン形状としたが、円弧の数は２つ
以上であってもよい。
【００１８】
【発明の効果】以上説明した様に本発明は、素子形成領
域を複数の円弧を含む形状にすることにより、ゲート電
極等の回路パターンを形成する場合、そのレジストパタ
ーンに反射光によるくぼみの形成を無すことができるた
め、回路パターン寸法の不良をなくすことができる。従
って半導体装置の信頼性及び製造歩留りを向上させるこ
とができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例の上面図及びＡ−Ａ線断面
図。
【図２】実施例の素子形成領域を形成するためのレチク
ルの上面図。
【図３】実施例の他の素子形成領域を形成するためのレ
チクルの上面図。
【図４】従来例の素子形成領域を形成するためのレチク
ルの上面図。
【図５】従来の半導体装置の一例の上面図及びＢ−Ｂ線
断面図。
【符号の説明】
１ シリコン基板 ２ フィールド酸化膜 ３ 素子形成領域 ４ ポリシリコン膜 ５，５Ａ レジストパターン ６ くぼみ １１，１１Ａ，１１Ｂ 透過部 １２，１２Ａ，１２Ｂ 遮光部 １３，１３Ａ，１３Ｂ 等強度分布線

Claims (1)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 半導体基板上に形成されたフィールド酸
    化膜により囲まれ一対の円弧状パターンを含んで形成さ
    れた素子形成領域を有する半導体装置において、前記円
    弧状パターンは曲率の異なる複数の円弧で構成されてい
    ることを特徴とする半導体装置。
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