JP2975098B2 - グラファイトの製造方法 - Google Patents
グラファイトの製造方法Info
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Description
モノクロメーター、中性子線フィルター等の放射線光学
素子として利用できるグラファイトの製造方法に関す
る。
性等を備えていることから、工業材料として重要な位置
を占め、ガスケット、電極、発熱体、構造材として広く
使用されている。なかでも、高配向性グラファイトは、
X線や中性子線に対する優れた分光・反射特性を有する
ために、X線や中性子線のモノクロメーターあるいはフ
ィルター等の放射線光学素子として使われている。この
放射線光学素子用のグラファイトとして天然に産するも
のを使用するのも一案ではあるが、良質の天然グラファ
イトは、生産量が非常に限られ、しかも、粉末状または
リン片状で取扱難いため、人工的にグラファイトを製造
することが行なわれており、この人工グラファイトを使
うことが望ましいことになる。
の炭化水素ガスの高温分解沈積と、その熱間加工による
方法があり、これは、圧力を印加しつつ3400℃で長時間
再焼鈍するという工程によって作成するものである。こ
のようにして作成されるグラファイトは、高配向性グラ
ファイト(HOPG)と呼ばれ、天然の単結晶グラファイト
と比較し得る優れた特性を有する。しかしながら、この
製造方法によると、製造工程が極めて複雑でかつ歩留り
が著しく低く、その結果、HOPGは極めて高価になり、実
用に向かないという問題があった。
の製造方法として、高分子フィルムを高温焼成して良質
グラファイトを容易かつ低コストで作成する方法が開発
された。高分子化合物は一般的には難グラファイト材料
に属し、たとえ3000℃の高温で加熱しても良質のグラフ
ァイトに転化されることはないとされてきた。しかしな
がら、最近の研究の結果、高分子化合物のいくつかは適
当な熱処理で良質なグラファイトに転化させられること
が分かってきた。良質なグラファイトに転化できる高分
子化合物としては、例えば、ポリオキサジアゾール、芳
香族ポリイミド、芳香族ポリアミド、ポリベンゾイミダ
ゾール、ポリベンゾビスチアゾール、ポリベンゾオキサ
ゾール、ポリチアゾール、ポリパラフェニレンビニレン
等がある。
ている(特開昭61−275114号公報、特開昭61−275115号
公報、特開昭61−275117号公報等参照)。
状のグラファイトを作成するという発明も出願されてい
る(特開平1−105199号公報、特願昭63−235218号参
照)。
法では、完全に満足できるものが得られる訳ではないこ
とが分かった。特開平1−105199号公報に記載されてい
るように、複数枚のフィルムを2枚の基板で挟み、ボル
トでかしめ熱処理するというだけでは、高配向性ブロッ
ク状グラファイトを得るに至らないのである。優れたブ
ロック状高配向性グラファイトであるためには、各グラ
ファイト化層内部は炭素原子が所定通りに規則正しく並
んだ結晶がきちんと配向した状態(高配向性状態)にな
っており、各グラファイト化層同士がしっかりと接着し
てひとつのブロック体になっていなければならないので
ある。単純に圧力をかけ熱処理しただけでは、皺や内部
歪みがフィルムにできたり、極端な場合にはフィルムが
破れたりして優れたグラファイトにはならないのであ
る。
イトを容易に製造することのできる方法を提供すること
を目的とする。
ァイトの製造方法では、20kg/cm2以上の前記加圧処理
は、フィルム寸法変化が起こらない温度領域内で行な
い、フィルム寸法変化が起こる温度領域内では、実質無
加圧処理を行なう。
のグラファイトの製造方法では、高分子分解温度を越え
るまでの温度領域では実質無加圧処理し、高分子熱分解
温度を越えて2000℃の間の温度領域(普通、1000℃〜20
00℃)で20kg/cm2以上の加圧処理を行ない、2000℃〜26
00℃の温度域は実質無加圧処理し、更に2600℃以上の温
度領域で20kg/cm2以上の加熱処理を再度行なう焼成によ
りグラファイト化する。
例えば、請求項3記載のようい、各種ポリフェニレンオ
キサジアゾール(POD)、ポリベンゾチアゾール(PB
T)、ポリベンゾビスチアゾール(PBBT)、ポリベンゾ
オキサゾール(PBO)、ポリベンゾビスオキサゾール(P
BBO)、各種芳香族ポリイミド(PI)、各種芳香族ポリ
アミド(PA)、ポリフェニレンベンズイミダゾール(PB
I)、ポリフェニレンベンゾビスイミダゾール(PPB
I)、ポリチアゾール(PT)、ポリパラフェニレンビニ
レン(PPV)のうちから選ばれた少なくとも一つからな
るフィルムが挙げられる。勿論、これに限らず、高温で
の熱処理で良質のグラファイトに転化させられる高分子
フィルムであれば出発原料フィルムとして使えることは
言うまでもない。
リパラフェニレン−1,3,4−オキサジアゾールおよびそ
れらの異性体が好適なものとして挙げられる。また、各
種芳香族ポリイミドとしては、下記一般式で表されるポ
リイミドが挙げられる。
されるポリアミドが挙げられる。
ルムを使うようにしてもよい。
下であることが好ましい。フィルムの厚みが400μmを
越す場合には、フィルム内部で発生するガスのためにフ
ィルムの内部構造が破壊され高配向性を達成し難くなる
からである。
法が殆ど変化しない状態で行なうため、皺や内部歪みが
起こらず、各グラファイト化層内部は炭素原子が所定通
りに規則正しく並んだ結晶がきちんと配向した高配向性
状態となっている。
によるフィルム寸法変化が先で起こるので、50kg/cm2以
下の低めの圧力をかけると、高配向性のグラファイトを
得られるようになる。
かけると、各グラファイト化層同士が確実に強固に接着
し、良質のブロック状グラファイトが得られるようにな
る。
度をコントロールする程度のことで事足りるわけである
から、何らの困難もなく極めて容易に実施できる。
合を例にとって、本発明を具体的に述べる。
製 商品名 カプトン 厚み25μm)を用いた。図面
は、このポリイミドフィルムの熱処理温度上昇に伴う面
方向の伸び・縮み、および、熱処理温度上昇に伴うグラ
ファイト化率(X線回折を利用した測定による)を表
す。
Aにみられるように、400〜500℃では僅かに伸びるだけ
であるが、500〜700℃の高分子の分解温度域で急激に縮
み元の長さの75%ほどの長さになる。この範囲が、特許
請求の範囲の請求項1記載の、フィルム寸法が変化する
温度域内に該当する。しかし、この高分子分解温度を越
え2000℃の間ではフィルムは伸び縮みせず寸法変化が殆
ど起こらない。この範囲が、特許請求の範囲の請求項1
記載の、フィルム寸法が変化しない温度域内に該当す
る。しかし、2000〜2600℃ではフィルムは逆に伸びて元
の寸法の90%まで戻る。この範囲が、特許請求の範囲の
請求項1記載の、フィルム寸法が変化する温度域内に該
当する。この温度域でのフィルムの伸長はグラファイト
化の進行と密接に結び付いており、図面のグラファイト
化率曲線Bにみるように、フィルムが伸びるに従いグラ
ファイト化率が急激に上昇する。このように2600℃以下
の温度域ではフィルム寸法に変化が起こるのである。こ
れに対し、2600℃以上の温度域では、図面にみられるよ
うに、もうフィルム寸法は殆ど変化しなくなる。
ドフィルムを積層し、加圧処理を伴う焼成によりグラフ
ァイト化する訳であるが、皺・内部歪み等の不都合が発
生しないようにするために、基本的には、フィルム寸法
が変化しない温度域で圧力処理を行なうようにすればよ
い。高分子熱分解温度を越え2000℃の間の温度域と2600
℃以上の温度域では実質的にフィルムの寸法変化が殆ど
ないから、この温度域で加圧処理を行ないフィルム内部
が十分な配向状態となるようにすればよいのである。な
お、圧力処理は、高分子熱分解温度を越えた直後、2600
℃になった直後から行なう必要はなく、所定温度域にあ
る間に圧力処理を行なえばよいのである。所定温度域全
域で加圧処理しなければならない訳ではない。
るいは、2000〜2600℃の温度域では、フィルム寸法が大
きく変化するため、実質無圧処理するようにする。な
お、ここで言う「実質無圧処理」とは、加圧効果を生む
ような圧力をかけないことを意味し、加圧用治具自体に
よる2kg/cm2以下(より好ましくは1kg/cm2以下)程度の
無害な低圧がかかることは構わないのである。
では、その後、普通は、まだフィルム寸法変化が大きい
温度域を経るので、積み重ねフィルム枚数にもよるが、
2〜50kg/cm2程度の低い範囲の任意圧力をかけ、2600℃
以上の温度域では、その後、フィルム寸法はもう変化せ
ず、しかも、軟らかい状態なので、積み重ねフィルムの
枚数にもよるが、50kg/cm2を越える高い圧力(好ましく
は、100〜500kg/cm2)をかけ良好な配向状態と強固な接
着状態を得るようにするのである。
てはまるだけということではなく、一般に熱処理によっ
て優れたグラファイトに転化可能な高分子フィルムにつ
いて言えるものである。なぜなら、それらの高分子フィ
ルムはグラファイト化のための焼成において、必ず、フ
ィルム収縮を含む熱分解過程、殆ど伸び縮みのない過
程、フィルムの伸びを伴うグラファイト化過程、さらに
グラファイト化が相当程度進行し殆ど伸び縮みのない過
程を経るからである。
3,4−オキサジアゾールフィルム50枚を重ねてグラファ
イト製の治具にセットし、以下のようにして焼成した。
℃まで昇温した。この間、フィルムには、治具重量によ
る圧力100g/cm2だけが加わるようにした。次に1200℃に
達した後、同様の昇温速度を保ちながら、20kg/cm2の圧
力を1400℃に達するまでかけた。その後、圧力を減少さ
せ、温度が2600℃に昇温するまでの間では治具の重量に
よる圧力100g/cm2だけが加わるようにした。温度が2600
℃に達した後、200kg/cm2の圧力をかけ、そのまま200kg
/cm2の圧力を維持しながら3000℃まで昇温するようにし
て、ブロック状グラファイトを得た。
ム(Dupon社製 商品名 カプトンHフィルム)200枚を
重ねてグラファイト製の治具にセットし以下のようにし
て焼成した。
℃まで昇温した。この間、フィルムには、治具重量によ
る圧力100g/cm2だけが加わるようにした。次に1400℃に
達した後、同様の昇温速度を保ちながら、30kg/cm2の圧
力を1600℃に達するまでかけた。その後、圧力を減少さ
せ、温度が2700℃に昇温するまでの間では治具の重量に
よる圧力100g/cm2だけが加わるようにした。温度が2700
℃に達した後、300kg/cm2の圧力をかけ、そのまま300kg
/cm2の圧力を維持しながら3000℃まで昇温するようにし
て、ブロック状グラファイトを得た。
ム(Dupon社製 商品名 カプトンHフィルム)を1200
℃の温度で熱処理した炭素質フィルム200枚を重ねてグ
ラファイト製の治具にセットし、以下のようにして焼成
した。
℃まで昇温した。この間、フィルムには、治具重量によ
る圧力100g/cm2だけが加わるようにした。次に1400℃に
達した後、同様の昇温速度を保ちながら、30kg/cm2の圧
力を1600℃に達するまでかけた。その後、圧力を減少さ
せ、温度が2700℃に昇温するまでの間では治具の重量に
よる圧力100g/cm2だけが加わるようにした。温度が2700
℃に達した後、300kg/cm2の圧力をかけ、そのまま300kg
/cm2の圧力を維持しながら3000℃まで昇温するようにし
て、ブロック状グラファイトを得た。
てグラファイト製の治具にセットし、以下のようにして
焼成した。
℃まで昇温した。この間、フィルムには、治具重量によ
る圧力100g/cm2だけが加わるようにした。次に1500℃に
達した後、同様の昇温速度を保ちながら、30kg/cm2の圧
力を1800℃に達するまでかけた。その後、圧力を減少さ
せ、温度が2800℃に昇温するまでの間では治具の重量に
よる圧力100g/cm2だけが加わるようにした。温度が2800
℃に達した後、300kg/cm2の圧力をかけ、そのまま300kg
/cm2の圧力を維持しながら3000℃まで昇温するようにし
て、ブロック状グラファイトを得た。
た他は、実施例4と同様にしてブロック状グラファイト
を得た。
他は、実施例4と同様にしてブロック状グラファイトを
得た。
た他は、実施例4と同様にしてブロック状グラファイト
を得た。
他は、実施例4と同様にしてブロック状グラファイトを
得た。
他は、実施例4と同様にしてブロック状グラファイトを
得た。
他は、実施例4と同様にしてブロック状グラファイトを
得た。
た他は、実施例4と同様にしてブロック状グラファイト
を得た。
他は、実施例4と同様にしてブロック状グラファイトを
得た。
他は、実施例4と同様にしてブロック状グラファイトを
得た。
皺の殆どない平滑な表面を有していた。
ーフレックスRU−200B型X線回折装置を用いて測定し
た。グラファイト(002)回折線のピーク位置における
ロッキング特性測定の結果得られた回折線の半値幅をも
って評価した。測定結果を第1表に示す。
いずれも、優れたロッキング特性を有し、X線や中性子
線のモノクロメータ等に適したものであることが良く分
かる。
や内部歪みのない優れた高配向性グラファイトを容易に
得ることができる。
2600℃以下の温度域でかける圧力が、50kg/cm2以下と低
めであるため、より高配向性のグラファイトが得られ
る。
2600℃以上の温度域でかける圧力が、50kg/cm2以上と高
いために、良質のブロック状グラファイトが得られる。
ァイト化に適した原料フィルムであるため、高配向性グ
ラファイトが得やすい。
ム寸法および温度−フィルムグラファイト化率を表す特
性図である。 A……フィルム寸法曲線 B……グラファイト化率曲線。
Claims (3)
- 【請求項1】熱処理によってもガスの発生により内部構
造が破壊されない厚みを有する高分子フィルム、また
は、前記高分子フィルムから得られた炭素質フィルムを
重ねて、加圧処理を施した焼成によりグラファイトを製
造する方法であって、20kg/cm2以上の前記加圧処理は、
フィルムの寸法変化が起こらない温度域内で行ない、フ
ィルム寸法の変化が起こる温度域内では、実質無加圧処
理を行なうことを特徴とするグラファイトの製造方法。 - 【請求項2】熱処理によってもガスの発生により内部構
造が破壊されない厚みを有する高分子フィルム、あるい
は、前記高分子フィルムから得られた炭素質フィルムを
重ねて、加圧処理を施した焼成によりグラファイトを製
造する方法であって、高分子分解温度を越えるまでの温
度域では実質無加圧処理し、高分子熱分解温度を越えて
2000℃の間の温度領域で20kg/cm2以上の加圧処理を行な
い、2000℃〜2600℃の温度域は実質無加圧処理し、さら
に2600℃以上の温度域で20kg/cm2以上の加熱処理を再度
行なう焼成によりグラファイト化することを特徴とする
グラファイトの製造方法。 - 【請求項3】高分子フィルムが、ポリオキサジアゾー
ル、芳香族ポリイミド、芳香族ポリアミド、ポリベンゾ
イミダゾール、ポリベンゾビスチアゾール、ポリベンゾ
オキサゾール、ポリチアゾール、および、ポリパラフェ
ニレンビニレンのうちから選ばれた少なくとも1種類で
あることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の
グラファイトの製造方法。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2330585A JP2975098B2 (ja) | 1990-11-30 | 1990-11-30 | グラファイトの製造方法 |
DE69124938T DE69124938T2 (de) | 1990-11-30 | 1991-11-29 | Verfahren zur Herstellung von Graphitblöcken aus graphitierbaren organischen Polymeren und Verfahren zur Karbonisierung graphitierbarer Polymerfilme |
EP91120496A EP0488356B1 (en) | 1990-11-30 | 1991-11-29 | Processes for producing graphite blocks from graphitizable organic polymers and process for carbonizing graphitizable polymer films |
US08/108,213 US5449507A (en) | 1990-11-30 | 1993-08-18 | Processes for producing graphite blocks from graphitizable organic polymers and process for carbonizing graphitizable polymer films |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2330585A JP2975098B2 (ja) | 1990-11-30 | 1990-11-30 | グラファイトの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04202052A JPH04202052A (ja) | 1992-07-22 |
JP2975098B2 true JP2975098B2 (ja) | 1999-11-10 |
Family
ID=18234297
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2330585A Expired - Lifetime JP2975098B2 (ja) | 1990-11-30 | 1990-11-30 | グラファイトの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP2975098B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20170009729A (ko) | 2015-07-16 | 2017-01-25 | 파나소닉 아이피 매니지먼트 가부시키가이샤 | 그라파이트 플레이트 및 그 제조 방법 |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6379176B2 (ja) * | 2014-02-25 | 2018-08-22 | 株式会社カネカ | 高配向性グラファイト |
JP6634601B2 (ja) * | 2016-05-09 | 2020-01-22 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | グラファイトプレートとその製造方法 |
JP7390684B2 (ja) * | 2020-02-19 | 2023-12-04 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | 黒鉛材料成形品の製造方法 |
-
1990
- 1990-11-30 JP JP2330585A patent/JP2975098B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20170009729A (ko) | 2015-07-16 | 2017-01-25 | 파나소닉 아이피 매니지먼트 가부시키가이샤 | 그라파이트 플레이트 및 그 제조 방법 |
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---|---|
JPH04202052A (ja) | 1992-07-22 |
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