JP2969087B2 - 半導体基板の処理方法 - Google Patents
半導体基板の処理方法Info
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Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体ウエハ基板の
処理方法に関し，特に気相エッチング方法に関する。
処理方法に関し，特に気相エッチング方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来，半導体ウエハ表面の酸化膜等のエ
ッチング方法として，ウエットエッチング及びドライエ
ッチングが使用されてきた。近年のデバイスの高集積化
にともない後者のドライエッチングが注目されてきてい
る。従来の気相エッチング方法は，エッチングガスとし
てＨＦまたはＨＦとＨ2Ｏの混合ガスを使用し，化学反
応により自然酸化膜等を除去するというものである。
ッチング方法として，ウエットエッチング及びドライエ
ッチングが使用されてきた。近年のデバイスの高集積化
にともない後者のドライエッチングが注目されてきてい
る。従来の気相エッチング方法は，エッチングガスとし
てＨＦまたはＨＦとＨ2Ｏの混合ガスを使用し，化学反
応により自然酸化膜等を除去するというものである。
【０００３】しかし，エッチング対象物によっては，エ
ッチングの際発生する副生成物がウエハ表面に残留し，
それが別の化学反応を引き起こしてしまうという問題が
ある。そのため，通常はドライエッチング後に半導体ウ
エハを純水で洗浄する方法が採られる。
ッチングの際発生する副生成物がウエハ表面に残留し，
それが別の化学反応を引き起こしてしまうという問題が
ある。そのため，通常はドライエッチング後に半導体ウ
エハを純水で洗浄する方法が採られる。
【０００４】洗浄後に半導体ウエハを乾燥させる工程が
続くわけであるが，この乾燥方法として，当該半導体ウ
エハを回転させながら乾燥させるスピンドライ方式，ウ
エハより温度の高いアルコールガスを当該半導体ウエハ
表面に凝縮させてウエハ温度がガス温と等しくなるまで
当該アルコールガスを供給しウエハ表面水分との置換を
行うアルコールガス方式，または両者を組み合わせた方
式などがある。アルコールガス方式に使用されるアルコ
ールとして，イソプロピルアルコール(IPA)を使用する
ものに特開平6-29276号，またフルオロアルコールを使
用するものに特開平3-106024号及び特開平6-346096号な
どがある。さらに上記スピンドライ方式とイソプロピル
アルコールの蒸気乾燥を組み合わせたものとして特開平
7-66168号がある。
続くわけであるが，この乾燥方法として，当該半導体ウ
エハを回転させながら乾燥させるスピンドライ方式，ウ
エハより温度の高いアルコールガスを当該半導体ウエハ
表面に凝縮させてウエハ温度がガス温と等しくなるまで
当該アルコールガスを供給しウエハ表面水分との置換を
行うアルコールガス方式，または両者を組み合わせた方
式などがある。アルコールガス方式に使用されるアルコ
ールとして，イソプロピルアルコール(IPA)を使用する
ものに特開平6-29276号，またフルオロアルコールを使
用するものに特開平3-106024号及び特開平6-346096号な
どがある。さらに上記スピンドライ方式とイソプロピル
アルコールの蒸気乾燥を組み合わせたものとして特開平
7-66168号がある。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】従来のスピンドライ方
式では，回転機構を使用するため，そこからの発塵によ
り半導体ウエハが汚染されるという問題があった。ま
た，高速回転中に大気を巻き込むことにより半導体ウエ
ハ表面にウォーターマークが発生していた。さらに，半
導体ウエハの乾燥終了後，反応室チャンバの内壁面に残
留した水滴を乾燥させるのに長時間を要し，生産性の低
下の原因になっていた。
式では，回転機構を使用するため，そこからの発塵によ
り半導体ウエハが汚染されるという問題があった。ま
た，高速回転中に大気を巻き込むことにより半導体ウエ
ハ表面にウォーターマークが発生していた。さらに，半
導体ウエハの乾燥終了後，反応室チャンバの内壁面に残
留した水滴を乾燥させるのに長時間を要し，生産性の低
下の原因になっていた。
【０００６】一方，アルコールガス方式では，乾燥後の
半導体ウエハ表面に有機物が残留し汚染の原因になると
いう問題があった。また，可燃性のIPAを避け不燃性の
フルオロアルコールを利用しようとすると，該フルオロ
アルコールはIPAに比べ価格が２０倍以上でありコスト
が高すぎて実際の生産ラインに使用することができな
い。さらに，従来の方式では大量のアルコールガスを使
用するために大容量タンクが必要となり，装置スペース
が広大になる等の問題があった。
半導体ウエハ表面に有機物が残留し汚染の原因になると
いう問題があった。また，可燃性のIPAを避け不燃性の
フルオロアルコールを利用しようとすると，該フルオロ
アルコールはIPAに比べ価格が２０倍以上でありコスト
が高すぎて実際の生産ラインに使用することができな
い。さらに，従来の方式では大量のアルコールガスを使
用するために大容量タンクが必要となり，装置スペース
が広大になる等の問題があった。
【０００７】したがって，本願発明の目的は，汚染の心
配がなく，ウォーターマークの発生しないエッチング方
法を与えることである。
配がなく，ウォーターマークの発生しないエッチング方
法を与えることである。
【０００８】また，本願発明の他の目的は，経済的で，
コストが低い半導体ウエハの処理方法を与えることであ
る。
コストが低い半導体ウエハの処理方法を与えることであ
る。
【０００９】さらに，本願発明の他の目的は，生産性が
高い半導体ウエハの処理方法を与えることである。
高い半導体ウエハの処理方法を与えることである。
【００１０】さらにまた，本願発明の他の目的は，装置
スペースが小さい半導体処理装置を与えることである。
スペースが小さい半導体処理装置を与えることである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本願発明に係る半導体ウエハを処理する方法は以下の
工程から成る。
に本願発明に係る半導体ウエハを処理する方法は以下の
工程から成る。
【００１２】本願発明に係る真空排気した反応室チャン
バ内で半導体ウエハを処理する方法は，前記反応室チャ
ンバ内に反応ガスを導入し，前記半導体ウエハをエッチ
ング処理する工程と，前記反応室チャンバ内に不活性ガ
スを導入し，反応室チャンバ内の圧力を大気圧に戻す工
程と，前記半導体ウエハを洗浄する工程と，前記半導体
ウエハを乾燥させる工程と，前記反応室チャンバの壁面
温度より沸点が１０℃以上低いアルコールのガスを当該
反応室チャンバ内に導入する工程と，から成る。
バ内で半導体ウエハを処理する方法は，前記反応室チャ
ンバ内に反応ガスを導入し，前記半導体ウエハをエッチ
ング処理する工程と，前記反応室チャンバ内に不活性ガ
スを導入し，反応室チャンバ内の圧力を大気圧に戻す工
程と，前記半導体ウエハを洗浄する工程と，前記半導体
ウエハを乾燥させる工程と，前記反応室チャンバの壁面
温度より沸点が１０℃以上低いアルコールのガスを当該
反応室チャンバ内に導入する工程と，から成る。
【００１３】上記処理方法の前記エッチッグ工程の反応
ガスは，好適にはHFまたはHF/H2Oの混合ガスである。
ガスは，好適にはHFまたはHF/H2Oの混合ガスである。
【００１４】また，上記処理方法の前記洗浄工程及び乾
燥工程は前記半導体ウエハを所定の回転数で回転させな
がら実行することができる。
燥工程は前記半導体ウエハを所定の回転数で回転させな
がら実行することができる。
【００１５】さらに，前記乾燥工程は，好適には前記不
活性ガスを流しながら実行する。
活性ガスを流しながら実行する。
【００１６】上記処理方法において，前記アルコールは
具体的には，メタノール，エタノール，イソプロピルア
ルコール，トリフルオロイソプロピルアルコール，ペン
タフルオロイソプロピルアルコール，若しくはヘキサフ
ルオロイソプロピルアルコールのいずれか，またはこれ
らの混合物である。
具体的には，メタノール，エタノール，イソプロピルア
ルコール，トリフルオロイソプロピルアルコール，ペン
タフルオロイソプロピルアルコール，若しくはヘキサフ
ルオロイソプロピルアルコールのいずれか，またはこれ
らの混合物である。
【００１７】上記処理方法は，さらに，半導体処理中の
前記反応室チャンバの壁面温度を５０〜８０℃の所定の
温度に一定に保持する工程を含むことができる。
前記反応室チャンバの壁面温度を５０〜８０℃の所定の
温度に一定に保持する工程を含むことができる。
【００１８】
【発明の実施の形態】図は，本願発明に係る半導体ウエ
ハをエッチング処理する方法を実施するための装置を略
示したものである。本発明を実施する気相エッチング処
理装置1はスタンドアロン・タイプのエッチング装置で
あって，一般にテフロンコーティングしたＳＵＳまたは
ニッケル系耐蝕合金から成る縦型の反応チャンバ7と，
複数の孔6を有する円筒形細管から成るインジェクタ手
段5と，複数の半導体ウエハ14を一定間隔で縦積みして
載置するための支持ボート4と，反応チャンバ7の外部に
あって該支持ボート4をその中心軸の回りに回転させる
ための回転機構12と，該回転機構12を反応チャンバ内部
から隔離するためのシール手段11と，支持ボート4を上
下に移動させると同時に上記反応チャンバ7を閉止及び
開放するためのエレベータ手段2，18，19とから成る。
ハをエッチング処理する方法を実施するための装置を略
示したものである。本発明を実施する気相エッチング処
理装置1はスタンドアロン・タイプのエッチング装置で
あって，一般にテフロンコーティングしたＳＵＳまたは
ニッケル系耐蝕合金から成る縦型の反応チャンバ7と，
複数の孔6を有する円筒形細管から成るインジェクタ手
段5と，複数の半導体ウエハ14を一定間隔で縦積みして
載置するための支持ボート4と，反応チャンバ7の外部に
あって該支持ボート4をその中心軸の回りに回転させる
ための回転機構12と，該回転機構12を反応チャンバ内部
から隔離するためのシール手段11と，支持ボート4を上
下に移動させると同時に上記反応チャンバ7を閉止及び
開放するためのエレベータ手段2，18，19とから成る。
【００１９】さらに，本発明を実施するエッチング装置
1は，洗浄用の純水を流すための排水口10と，ＨＦ，Ｈ2
Ｏ及びＮ2などのエッチングガス及び乾燥用ガスを排気
するための排気口9を別々に有する。また，反応チャン
バ7は全体をシリコンラバーヒータ20により覆われてい
る。
1は，洗浄用の純水を流すための排水口10と，ＨＦ，Ｈ2
Ｏ及びＮ2などのエッチングガス及び乾燥用ガスを排気
するための排気口9を別々に有する。また，反応チャン
バ7は全体をシリコンラバーヒータ20により覆われてい
る。
【００２０】インジェクタ手段5は円筒形細管であっ
て，その側面には垂直方向に一定の間隔で複数の孔6が
設けられている。当該孔の孔径は0.5〜4mmであり，その
間隔は4〜20mmである。また孔の配列は任意に選択可能
である。孔間隔は，インジェクタ手段から噴射されたエ
ッチングガスがウエハの表面に水平に吹き付けられるよ
うに，上記支持ボート4上のウエハ14の間隔と一致する
のが好適である。インジェクタ手段5はポート8を通じて
外部の純水タンク，反応ガスタンク，アルコールガスタ
ンク及び不活性ガスタンクに接続されている。例えば，
自然酸化膜エッチの場合にはエッチングガスとしてＨＦ
ガス及びＨ2Ｏの混合ガスが使用される。本願では洗浄
液として純水が使用され，乾燥用ガスとして不活性ガス
が使用される。上記反応チャンバの内部には複数本のイ
ンジェクタ手段を上記支持ボートの中心軸と平行に内設
することもできる。
て，その側面には垂直方向に一定の間隔で複数の孔6が
設けられている。当該孔の孔径は0.5〜4mmであり，その
間隔は4〜20mmである。また孔の配列は任意に選択可能
である。孔間隔は，インジェクタ手段から噴射されたエ
ッチングガスがウエハの表面に水平に吹き付けられるよ
うに，上記支持ボート4上のウエハ14の間隔と一致する
のが好適である。インジェクタ手段5はポート8を通じて
外部の純水タンク，反応ガスタンク，アルコールガスタ
ンク及び不活性ガスタンクに接続されている。例えば，
自然酸化膜エッチの場合にはエッチングガスとしてＨＦ
ガス及びＨ2Ｏの混合ガスが使用される。本願では洗浄
液として純水が使用され，乾燥用ガスとして不活性ガス
が使用される。上記反応チャンバの内部には複数本のイ
ンジェクタ手段を上記支持ボートの中心軸と平行に内設
することもできる。
【００２１】支持ボート4は複数の半導体ウエハ14を4〜
20mmの一定間隔で平行に縦積みして載置する支持部材16
を有する。支持ボート4の支持部材16の形状及び回転軸1
5の位置は，ウエハ14を支持ボート4に積載した状態でウ
エハの重心及び支持ボートの重心が回転軸上にあるよう
に設計されている。支持ボート4の上端面には回転軸15
の一端が結合され，外部の電動モータ手段12からの回転
動力が支持ボート4に伝達される。
20mmの一定間隔で平行に縦積みして載置する支持部材16
を有する。支持ボート4の支持部材16の形状及び回転軸1
5の位置は，ウエハ14を支持ボート4に積載した状態でウ
エハの重心及び支持ボートの重心が回転軸上にあるよう
に設計されている。支持ボート4の上端面には回転軸15
の一端が結合され，外部の電動モータ手段12からの回転
動力が支持ボート4に伝達される。
【００２２】上記回転機構は，反応チャンバ7の外部に
完全に隔離された回転動力をもたらすための電動モータ
12と，回転動力をボート4に伝達するための回転軸15
と，から成る。回転軸の一端は前記支持ボートの上端
に，他端は電動モータ12に動的に結合されている。該回
転軸15はシール手段11により完全にシールされ，反応チ
ャンバの気密性は保障される。また電動モータ12は汚染
の危険性がないよう反応チャンバの外部に設置されてい
る。支持ボート4の回転数は，洗浄時は１〜１０００rp
m，乾燥時は５００〜２０００rpmが好適であるが，ウエ
ハの直径またはエッチングガスの圧力などに応じて電動
モータの回転数を調整することで選択可能である。
完全に隔離された回転動力をもたらすための電動モータ
12と，回転動力をボート4に伝達するための回転軸15
と，から成る。回転軸の一端は前記支持ボートの上端
に，他端は電動モータ12に動的に結合されている。該回
転軸15はシール手段11により完全にシールされ，反応チ
ャンバの気密性は保障される。また電動モータ12は汚染
の危険性がないよう反応チャンバの外部に設置されてい
る。支持ボート4の回転数は，洗浄時は１〜１０００rp
m，乾燥時は５００〜２０００rpmが好適であるが，ウエ
ハの直径またはエッチングガスの圧力などに応じて電動
モータの回転数を調整することで選択可能である。
【００２３】上記エレベータ手段はボールネジ2と，ガ
イド部材19と，電動モータ18とから成る。エレベータ手
段は，じゃま板13の背後に置かれ，運転の際の発塵が抑
えられる。ドア手段3はそのほぼ中央において，軸15を
シール手段11を介して軸支する。フランジ17は，反応チ
ャンバ内を気密状態にするべく，上記ドア手段3の下降
と同時に該ドア手段3の下面と係合する。外部電動モー
タ18の回転動力がガイド部材19によりボールネジ2に沿
った上下移動に変換され，ドア手段3が上昇または下降
する。ドア手段3が完全に下降した状態で反応チャンバ7
は気密状態に保持され，エッチング処理が開始される。
また，ドア手段3が完全に上昇した状態で，ウエハの搬
入または搬出が実行される。
イド部材19と，電動モータ18とから成る。エレベータ手
段は，じゃま板13の背後に置かれ，運転の際の発塵が抑
えられる。ドア手段3はそのほぼ中央において，軸15を
シール手段11を介して軸支する。フランジ17は，反応チ
ャンバ内を気密状態にするべく，上記ドア手段3の下降
と同時に該ドア手段3の下面と係合する。外部電動モー
タ18の回転動力がガイド部材19によりボールネジ2に沿
った上下移動に変換され，ドア手段3が上昇または下降
する。ドア手段3が完全に下降した状態で反応チャンバ7
は気密状態に保持され，エッチング処理が開始される。
また，ドア手段3が完全に上昇した状態で，ウエハの搬
入または搬出が実行される。
【００２４】次に，上記装置を使った本願発明に係る半
導体ウエハの処理方法について説明する。本願発明に係
る半導体ウエハを処理する方法は，半導体ウエハを反応
チャンバ内に搬入する工程と，反応チャンバを１Pa程度
まで排気する工程と，エッチングガスを導入し半導体ウ
エハをエッチングする工程と，不活性ガスを導入し反応
ガスをパージしながら大気圧に戻す工程と，半導体ウエ
ハを回転させながら洗浄する工程と，不活性ガスを流し
半導体ウエハを回転させながら乾燥させる工程と，アル
コールガスを導入し反応チャンバ内壁面を乾燥させる工
程と，半導体ウエハを反応チャンバから搬出する工程
と，から成る。
導体ウエハの処理方法について説明する。本願発明に係
る半導体ウエハを処理する方法は，半導体ウエハを反応
チャンバ内に搬入する工程と，反応チャンバを１Pa程度
まで排気する工程と，エッチングガスを導入し半導体ウ
エハをエッチングする工程と，不活性ガスを導入し反応
ガスをパージしながら大気圧に戻す工程と，半導体ウエ
ハを回転させながら洗浄する工程と，不活性ガスを流し
半導体ウエハを回転させながら乾燥させる工程と，アル
コールガスを導入し反応チャンバ内壁面を乾燥させる工
程と，半導体ウエハを反応チャンバから搬出する工程
と，から成る。
【００２５】まず搬入工程は，エレベータ手段によりド
ア手段3を上昇させ，半導体ウエハをボート手段9に搬送
し，ドア手段3を下降させることにより実行する。
ア手段3を上昇させ，半導体ウエハをボート手段9に搬送
し，ドア手段3を下降させることにより実行する。
【００２６】次の排気工程において，使用されるパージ
ガスは好適にはＮ2ガスである。図のインジェクタ手段5
からパージガスを噴射しながら排気口9から排気し，チ
ャンバ内圧力を１Pa程度に減圧する。
ガスは好適にはＮ2ガスである。図のインジェクタ手段5
からパージガスを噴射しながら排気口9から排気し，チ
ャンバ内圧力を１Pa程度に減圧する。
【００２７】次のエッチング工程において，エッチング
ガスとして，ＨＦ(100%)またはＨＦ／Ｈ2Ｏ(0.001〜99.
999%／99.999〜0.001%)の混合ガスを使用する。エッチ
ング時のチャンバ内圧力は５〜８０,０００Paで好適に
は１０〜１３,３００Paである。インジェクタ手段5の複
数の孔6から半導体ウエハ表面に対しほぼ水平にエッチ
ングガスが吹き付けられ，ウエハは一様にエッチング処
理される。
ガスとして，ＨＦ(100%)またはＨＦ／Ｈ2Ｏ(0.001〜99.
999%／99.999〜0.001%)の混合ガスを使用する。エッチ
ング時のチャンバ内圧力は５〜８０,０００Paで好適に
は１０〜１３,３００Paである。インジェクタ手段5の複
数の孔6から半導体ウエハ表面に対しほぼ水平にエッチ
ングガスが吹き付けられ，ウエハは一様にエッチング処
理される。
【００２８】次の大気圧に戻す工程において，本願発明
では不活性ガスを使用する。使用するのはHeガスまたは
Arガスなどの不活性ガスが好適であり，その他にN2など
を使用してもよい。これらのガスを使用することによ
り，次の洗浄及び乾燥工程でウエハを回転させる際に大
気の巻き込みが無くなり半導体ウエハ表面のウォーター
マークの発生を防止することができる。
では不活性ガスを使用する。使用するのはHeガスまたは
Arガスなどの不活性ガスが好適であり，その他にN2など
を使用してもよい。これらのガスを使用することによ
り，次の洗浄及び乾燥工程でウエハを回転させる際に大
気の巻き込みが無くなり半導体ウエハ表面のウォーター
マークの発生を防止することができる。
【００２９】次の洗浄工程で使用する洗浄液は概して純
水である。インジェクタ手段5の孔6から一斉に一定圧力
の純水を噴射し，同時にボート手段4を回転させる。半
導体ウエハは回転しながらむらなく洗浄され，エッチン
グ反応による副生成物は純水とともに排水口10から反応
チャンバ外部に排出される。洗浄工程でのウエハの回転
数は１〜１０００rpmで好適には１０〜５００rpmであ
る。
水である。インジェクタ手段5の孔6から一斉に一定圧力
の純水を噴射し，同時にボート手段4を回転させる。半
導体ウエハは回転しながらむらなく洗浄され，エッチン
グ反応による副生成物は純水とともに排水口10から反応
チャンバ外部に排出される。洗浄工程でのウエハの回転
数は１〜１０００rpmで好適には１０〜５００rpmであ
る。
【００３０】洗浄が終わると次に乾燥工程が始まる。半
導体ウエハの乾燥は，インジェクタ手段から上記不活性
ガスまたはN2ガスを流しながらボート手段を回転させ水
分を遠心力で飛ばすことにより実行される。乾燥工程で
の回転数は好適には５００〜２０００rpmである。
導体ウエハの乾燥は，インジェクタ手段から上記不活性
ガスまたはN2ガスを流しながらボート手段を回転させ水
分を遠心力で飛ばすことにより実行される。乾燥工程で
の回転数は好適には５００〜２０００rpmである。
【００３１】半導体ウエハの乾燥が終了したところで，
次に反応チャンバ内壁面の乾燥工程が開始される。当該
工程はさらに，チャンバ内壁の温度を５０〜８０℃好適
には７０℃に一定に保持する工程と，一定の流量（０
℃，１気圧換算で，１０リットル／分で１分間）のアル
コールガスを導入する工程と，から成る。チャンバ内壁
の温度は，ラバーヒータ20により，該内壁に付着する水
滴の量がそれほど多くなくかつ洗浄後ウエハ表面温度が
内壁面温度まで上昇するのに要する時間もそれほど係ら
ないような所定の温度（５０〜８０℃）に保持されてい
る。本願発明に係る方法に従って，使用されるアルコー
ルとしてその沸点が反応チャンバ壁面温度より１０℃以
上低いものが選ばれる。半導体ウエハの表面温度は反応
チャンバ内壁面温度とほぼ等しい温度まで上昇している
ため，該内壁面温度より１０℃以上温度の低いアルコー
ルガスが当該ウエハ表面に作用することはなく有機物汚
染の心配もない。そのようなアルコールガスは壁面温度
より１０℃程度温度が低い内壁面の水滴にのみ付着して
該水滴の表面張力を下げる働きをする。アルコールを含
んだ水滴はチャンバ壁面を伝わって排水口10から排出さ
れる。上記アルコールは具体的には，メタノール，エタ
ノール，イソプロピルアルコール，トリフルオロイソプ
ロピルアルコール，ペンタフルオロイソプロピルアルコ
ール若しくはヘキサフルオロイソプロピルアルコールの
いずれかまたはこれらの少なくとも２種類の混合物から
成る。該混合物は共沸点の調整用として使用することも
できる。また，高価なフルオロアルコールに５０vol%以
下の範囲で可燃性のアルキルアルコールを混合し不燃性
アルコールとして使用してもよい。混合物を用いる際，
共沸組成の場合は共沸点が反応室内壁面温度よりも１０
℃以上低いものを用い，共沸組成でない場合はそれぞれ
のアルコール類の沸点が反応室内壁面温度よりも１０℃
以上低いものを用いる必要がある。アルコールを気化す
る方法としては，アルコールの液溜ごと温熱する方法や
不活性ガスをアルコール容液内に通しバブリングさせる
方法などがある。気化されたアルコールガスはマスフロ
・コントローラ（図示せず）により制御されてインジェ
クタ手段から放出される。
次に反応チャンバ内壁面の乾燥工程が開始される。当該
工程はさらに，チャンバ内壁の温度を５０〜８０℃好適
には７０℃に一定に保持する工程と，一定の流量（０
℃，１気圧換算で，１０リットル／分で１分間）のアル
コールガスを導入する工程と，から成る。チャンバ内壁
の温度は，ラバーヒータ20により，該内壁に付着する水
滴の量がそれほど多くなくかつ洗浄後ウエハ表面温度が
内壁面温度まで上昇するのに要する時間もそれほど係ら
ないような所定の温度（５０〜８０℃）に保持されてい
る。本願発明に係る方法に従って，使用されるアルコー
ルとしてその沸点が反応チャンバ壁面温度より１０℃以
上低いものが選ばれる。半導体ウエハの表面温度は反応
チャンバ内壁面温度とほぼ等しい温度まで上昇している
ため，該内壁面温度より１０℃以上温度の低いアルコー
ルガスが当該ウエハ表面に作用することはなく有機物汚
染の心配もない。そのようなアルコールガスは壁面温度
より１０℃程度温度が低い内壁面の水滴にのみ付着して
該水滴の表面張力を下げる働きをする。アルコールを含
んだ水滴はチャンバ壁面を伝わって排水口10から排出さ
れる。上記アルコールは具体的には，メタノール，エタ
ノール，イソプロピルアルコール，トリフルオロイソプ
ロピルアルコール，ペンタフルオロイソプロピルアルコ
ール若しくはヘキサフルオロイソプロピルアルコールの
いずれかまたはこれらの少なくとも２種類の混合物から
成る。該混合物は共沸点の調整用として使用することも
できる。また，高価なフルオロアルコールに５０vol%以
下の範囲で可燃性のアルキルアルコールを混合し不燃性
アルコールとして使用してもよい。混合物を用いる際，
共沸組成の場合は共沸点が反応室内壁面温度よりも１０
℃以上低いものを用い，共沸組成でない場合はそれぞれ
のアルコール類の沸点が反応室内壁面温度よりも１０℃
以上低いものを用いる必要がある。アルコールを気化す
る方法としては，アルコールの液溜ごと温熱する方法や
不活性ガスをアルコール容液内に通しバブリングさせる
方法などがある。気化されたアルコールガスはマスフロ
・コントローラ（図示せず）により制御されてインジェ
クタ手段から放出される。
【００３２】最後の搬出工程において，再びエレベータ
手段を運転させ，ドア手段3を上昇させてボート手段4か
ら半導体ウエハを別の装置へと搬送して終了する。
手段を運転させ，ドア手段3を上昇させてボート手段4か
ら半導体ウエハを別の装置へと搬送して終了する。
【００３３】
【発明の効果】本願発明による半導体ウエハの処理方法
により，ウエハ表面へのウォーターマークの発生及び有
機物汚染を防止することができた。
により，ウエハ表面へのウォーターマークの発生及び有
機物汚染を防止することができた。
【００３４】また，本願発明による半導体ウエハの処理
方法により，反応室チャンバ内壁の乾燥時間を３０分か
ら２分に減少させることができ，生産性を飛躍的に向上
させることができた。
方法により，反応室チャンバ内壁の乾燥時間を３０分か
ら２分に減少させることができ，生産性を飛躍的に向上
させることができた。
【００３５】さらに，本願発明による半導体ウエハの処
理方法により，高価な不燃性フルオロアルコールを混合
物に使用した場合，コストは従来の２０分の１以下に下
げることができた。
理方法により，高価な不燃性フルオロアルコールを混合
物に使用した場合，コストは従来の２０分の１以下に下
げることができた。
【００３６】さらにまた，本願発明による半導体ウエハ
の処理方法により，アルコールガスの使用量が従来より
少なくて済み大容量タンクが不要となって，装置スペー
スも縮小することができた。
の処理方法により，アルコールガスの使用量が従来より
少なくて済み大容量タンクが不要となって，装置スペー
スも縮小することができた。
本願発明に係る方法を実施するための装置の断面図であ
る。
る。
1 エッチング処理装置 2 ボールネジ 3 ドア手段 4 ボート手段 5 インジェクタ手段 6 孔 7 反応チャンバ 8 ポート 9 排気口 10 排水口 11 シール手段 12 電動モータ 13 じゃま板 14 半導体ウエハ 15 回転軸 16 支持部材 17 フランジ 18 電動モータ 19 ガイド部材 20 ラバーヒータ
Claims (6)
- 【請求項１】真空排気した反応室チャンバ内で半導体ウ
エハを処理する方法であって，前記反応室チャンバ内に
反応ガスを導入し，前記半導体ウエハをエッチング処理
する工程と，前記反応室チャンバ内に不活性ガスを導入
し，反応室チャンバ内の圧力を大気圧に戻す工程と，前
記半導体ウエハを洗浄する工程と，前記半導体ウエハを
乾燥させる工程と，前記反応室チャンバの壁面温度より
沸点が１０℃以上低いアルコールのガスを当該反応室チ
ャンバ内に導入する工程と，から成る方法。 - 【請求項２】請求項１に記載の方法であって，前記エッ
チッグ工程の反応ガスは，HFまたはHF/H2Oの混合ガスで
ある，ところの方法。 - 【請求項３】請求項１に記載の方法であって，前記洗浄
工程及び乾燥工程は前記半導体ウエハを所定の回転数で
回転させながら実行する，ところの方法。 - 【請求項４】請求項３に記載の方法であって，前記乾燥
工程は，前記不活性ガスを流しながら実行する，ところ
の方法。 - 【請求項５】請求項１に記載の方法であって，前記アル
コールはメタノール，エタノール，イソプロピルアルコ
ール，トリフルオロイソプロピルアルコール，ペンタフ
ルオロイソプロピルアルコール，若しくはヘキサフルオ
ロイソプロピルアルコールのいずれか，またはこれらの
混合物である，ところの方法。 - 【請求項６】請求項１に記載の方法であって，さらに，
半導体処理中の前記反応室チャンバの壁面温度を５０〜
８０℃の所定の温度に一定に保持する工程を含む，とこ
ろの方法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8308664A JP2969087B2 (ja) | 1996-11-06 | 1996-11-06 | 半導体基板の処理方法 |
| TW086116480A TW353204B (en) | 1996-11-06 | 1997-11-05 | Method of treating semiconductor substrate |
| KR1019970058152A KR19980042100A (ko) | 1996-11-06 | 1997-11-05 | 반도체 기판의 처리 방법 |
| EP97203445A EP0841689A3 (en) | 1996-11-06 | 1997-11-06 | Method of processing semiconductor substrate |
| US08/965,237 US6043162A (en) | 1996-11-06 | 1997-11-06 | Method of processing semiconductor substrate |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8308664A JP2969087B2 (ja) | 1996-11-06 | 1996-11-06 | 半導体基板の処理方法 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
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| JP2969087B2 true JP2969087B2 (ja) | 1999-11-02 |
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Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8308664A Expired - Fee Related JP2969087B2 (ja) | 1996-11-06 | 1996-11-06 | 半導体基板の処理方法 |
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| EP (1) | EP0841689A3 (ja) |
| JP (1) | JP2969087B2 (ja) |
| KR (1) | KR19980042100A (ja) |
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| JP3109471B2 (ja) * | 1998-03-31 | 2000-11-13 | 日本電気株式会社 | 洗浄・乾燥装置及び半導体装置の製造ライン |
| JP3433392B2 (ja) * | 1999-01-12 | 2003-08-04 | セントラル硝子株式会社 | クリーニングガス及び真空処理装置のクリーニング方法 |
| JP2000265276A (ja) * | 1999-01-12 | 2000-09-26 | Central Glass Co Ltd | クリーニングガス |
| IL147986A0 (en) * | 1999-08-05 | 2002-09-12 | S C Fluids Inc | Inverted pressure vessel with horizontal throug loading |
| KR100514256B1 (ko) * | 1999-11-30 | 2005-09-15 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 챔버의 파티클 방지방법 |
| US20020139400A1 (en) * | 2001-03-27 | 2002-10-03 | Semitool, Inc. | Vertical process reactor |
| US20020174882A1 (en) * | 2001-05-25 | 2002-11-28 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
| US6936183B2 (en) * | 2001-10-17 | 2005-08-30 | Applied Materials, Inc. | Etch process for etching microstructures |
| US20030136429A1 (en) * | 2002-01-22 | 2003-07-24 | Semitool, Inc. | Vapor cleaning and liquid rinsing process vessel |
| US20040031167A1 (en) * | 2002-06-13 | 2004-02-19 | Stein Nathan D. | Single wafer method and apparatus for drying semiconductor substrates using an inert gas air-knife |
| KR100481157B1 (ko) * | 2002-08-19 | 2005-04-07 | (주)케이.씨.텍 | 기판 건조 방법 및 장치 |
| JP4762098B2 (ja) * | 2006-09-28 | 2011-08-31 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置および基板処理方法 |
| KR100852119B1 (ko) * | 2007-03-20 | 2008-08-13 | 삼성에스디아이 주식회사 | 실리콘층 형성방법 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4911761A (en) * | 1984-05-21 | 1990-03-27 | Cfm Technologies Research Associates | Process and apparatus for drying surfaces |
| US4749440A (en) * | 1985-08-28 | 1988-06-07 | Fsi Corporation | Gaseous process and apparatus for removing films from substrates |
| CA2008882A1 (en) * | 1989-02-01 | 1990-08-01 | Takamasa Tsumoto | Washing agent, washing method and process for preparing semiconductor integrated circuit device by use thereof |
| US4900395A (en) * | 1989-04-07 | 1990-02-13 | Fsi International, Inc. | HF gas etching of wafers in an acid processor |
| US5022961B1 (en) * | 1989-07-26 | 1997-05-27 | Dainippon Screen Mfg | Method for removing a film on a silicon layer surface |
| WO1992010454A1 (en) * | 1990-12-04 | 1992-06-25 | Allied-Signal Inc. | Partially fluorinated alkanols having a tertiary structure |
| JPH0766168A (ja) * | 1993-08-25 | 1995-03-10 | Hitachi Ltd | 半導体製造方法および半導体製造装置 |
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- 1996-11-06 JP JP8308664A patent/JP2969087B2/ja not_active Expired - Fee Related
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1997
- 1997-11-05 KR KR1019970058152A patent/KR19980042100A/ko not_active Application Discontinuation
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- 1997-11-06 US US08/965,237 patent/US6043162A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
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|---|---|
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| JPH10144649A (ja) | 1998-05-29 |
| US6043162A (en) | 2000-03-28 |
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