JP2964403B1 - リードフレームに半導体チップをマウントしたパッケージの製造方法 - Google Patents
リードフレームに半導体チップをマウントしたパッケージの製造方法Info
- Publication number
- JP2964403B1 JP2964403B1 JP10253629A JP25362998A JP2964403B1 JP 2964403 B1 JP2964403 B1 JP 2964403B1 JP 10253629 A JP10253629 A JP 10253629A JP 25362998 A JP25362998 A JP 25362998A JP 2964403 B1 JP2964403 B1 JP 2964403B1
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lead
- resin layer
- semiconductor chip
- package
- lead frame
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/32245—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L24/10, H01L24/18, H01L24/26, H01L24/34, H01L24/42, H01L24/50, H01L24/63, H01L24/71
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/14—Integrated circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
【要約】
【課題】 パッケージの製造の簡便化を図ろうとするも
のである。 【解決手段】 リードフレーム上に形成されるリードピ
ン１３のアウターリード１６とインナーリード１４との
間を、一次樹脂層１８で覆い、次いで、一次樹脂層１８
の内側の上記リードフレームのアイランド１１及びイン
ナーリード１４にメッキを行い、次いで、上記アイラン
ド１１上に半導体チップ１２をマウントすると共に、上
記半導体チップ１２とインナーリード１４との間をワイ
ヤーボンディングし、次いで、一次樹脂層１８の内側の
アイランド１１、半導体チップ１２及びインナーリード
１４を封止するように二次樹脂層を形成する。
のである。 【解決手段】 リードフレーム上に形成されるリードピ
ン１３のアウターリード１６とインナーリード１４との
間を、一次樹脂層１８で覆い、次いで、一次樹脂層１８
の内側の上記リードフレームのアイランド１１及びイン
ナーリード１４にメッキを行い、次いで、上記アイラン
ド１１上に半導体チップ１２をマウントすると共に、上
記半導体チップ１２とインナーリード１４との間をワイ
ヤーボンディングし、次いで、一次樹脂層１８の内側の
アイランド１１、半導体チップ１２及びインナーリード
１４を封止するように二次樹脂層を形成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、ＩＣやＬＳＩ等
のリードフレームに半導体チップをマウントしたパッケ
ージの製造方法に関する。
のリードフレームに半導体チップをマウントしたパッケ
ージの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、パッケージは、図７に示すよう
なリードフレーム１を用いて製造される。このリードフ
レーム１は、中央にアイランド２を有し、そのアイラン
ド２の周辺部から所定距離離れた位置より外方に向かっ
て複数のリードピン３が配置されている。この各リード
ピン３は、ダムバー４によって連結されている。
なリードフレーム１を用いて製造される。このリードフ
レーム１は、中央にアイランド２を有し、そのアイラン
ド２の周辺部から所定距離離れた位置より外方に向かっ
て複数のリードピン３が配置されている。この各リード
ピン３は、ダムバー４によって連結されている。
【０００３】このリードフレーム１を用いてパッケージ
を製造する方法は、まず、このリードフレーム１の必要
箇所に金又は銀の部分メッキを施す。そして、図７に示
すように、リードピン３の一端部であるインナーリード
９の近くに、各インナーリード９を固定するためテープ
５を貼着する。このテープ５により、後の工程のワイヤ
ーボンディングにおけるインナーリード９の曲がり、変
形及び振動を抑制することができる。次に、アイランド
２上に半導体チップ６をマウントする。そして、インナ
ーリード９と半導体チップ６とをワイヤーボンディング
する。次いで、図８に示すように、ダムバー４の内側を
樹脂封止し、封止体７を形成する。この封止体７は、金
型を用いて成形するが、リードピン３のため金型間に多
少の隙間が生じる。このため、樹脂の漏出が起こる。こ
の樹脂の漏出は、ダムバー４によって堰止められる。次
いで、図９に示すように、リードピン３の他端部である
アウターリード８の先端で切断して折り曲げることによ
り、パッケージが得られる。
を製造する方法は、まず、このリードフレーム１の必要
箇所に金又は銀の部分メッキを施す。そして、図７に示
すように、リードピン３の一端部であるインナーリード
９の近くに、各インナーリード９を固定するためテープ
５を貼着する。このテープ５により、後の工程のワイヤ
ーボンディングにおけるインナーリード９の曲がり、変
形及び振動を抑制することができる。次に、アイランド
２上に半導体チップ６をマウントする。そして、インナ
ーリード９と半導体チップ６とをワイヤーボンディング
する。次いで、図８に示すように、ダムバー４の内側を
樹脂封止し、封止体７を形成する。この封止体７は、金
型を用いて成形するが、リードピン３のため金型間に多
少の隙間が生じる。このため、樹脂の漏出が起こる。こ
の樹脂の漏出は、ダムバー４によって堰止められる。次
いで、図９に示すように、リードピン３の他端部である
アウターリード８の先端で切断して折り曲げることによ
り、パッケージが得られる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記の方法において、
メッキ操作は、不要な部分までメッキをするのは経済的
でないため、必要な部分のみの部分メッキが施される。
このため、部分メッキを行うための特殊治具等が必要と
なる。また、ボンディング時に各リードピン３のインナ
ーリード９を固定するためにテープ５を貼着する必要が
あるが、その貼着には、精密性が要求される。さらに、
樹脂封止の際、樹脂漏出を堰止めるためダムバー４が必
要となるが、封止体７の形成後、ダムバー４をカット
し、各リードピン３をそれぞれ絶縁させる必要がある。
このとき、各リードピン３間の隙間は微細であるため、
上記カット操作は至難であり、また、リードピン３を損
傷させるおそれがある。さらに、ダムバー４をカットす
る際に封止体７の一部の樹脂を合わせて切断するため、
微細治具の損傷をきたしやすい。
メッキ操作は、不要な部分までメッキをするのは経済的
でないため、必要な部分のみの部分メッキが施される。
このため、部分メッキを行うための特殊治具等が必要と
なる。また、ボンディング時に各リードピン３のインナ
ーリード９を固定するためにテープ５を貼着する必要が
あるが、その貼着には、精密性が要求される。さらに、
樹脂封止の際、樹脂漏出を堰止めるためダムバー４が必
要となるが、封止体７の形成後、ダムバー４をカット
し、各リードピン３をそれぞれ絶縁させる必要がある。
このとき、各リードピン３間の隙間は微細であるため、
上記カット操作は至難であり、また、リードピン３を損
傷させるおそれがある。さらに、ダムバー４をカットす
る際に封止体７の一部の樹脂を合わせて切断するため、
微細治具の損傷をきたしやすい。
【０００５】そこで、この発明の課題は、上記の問題を
解決し、パッケージの製造の簡便化を図ることにある。
解決し、パッケージの製造の簡便化を図ることにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
め、この発明は、リードフレーム上に形成されるリード
ピンのアウターリードとインナーリードとの間を、一次
樹脂層で覆い、次いで、上記一次樹脂層の内側の上記リ
ードフレームのアイランド及びインナーリードにメッキ
を行い、次いで、上記アイランド上に半導体チップをマ
ウントすると共に、上記半導体チップとインナーリード
との間をワイヤーボンディングし、次いで、一次樹脂層
の内側の上記アイランド、半導体チップ及びインナーリ
ードを封止するように二次樹脂層を形成することを特徴
とする。
め、この発明は、リードフレーム上に形成されるリード
ピンのアウターリードとインナーリードとの間を、一次
樹脂層で覆い、次いで、上記一次樹脂層の内側の上記リ
ードフレームのアイランド及びインナーリードにメッキ
を行い、次いで、上記アイランド上に半導体チップをマ
ウントすると共に、上記半導体チップとインナーリード
との間をワイヤーボンディングし、次いで、一次樹脂層
の内側の上記アイランド、半導体チップ及びインナーリ
ードを封止するように二次樹脂層を形成することを特徴
とする。
【０００７】一次樹脂層によって、メッキの不要なリー
ドピンの部分を覆うことができる。このため、従来に比
べ、容易かつ簡便にメッキを行うことができ、部分メッ
キを行うための特殊治具が不要となる。また、一次樹脂
層を設けるので、テープやダムバーが不要となる。
ドピンの部分を覆うことができる。このため、従来に比
べ、容易かつ簡便にメッキを行うことができ、部分メッ
キを行うための特殊治具が不要となる。また、一次樹脂
層を設けるので、テープやダムバーが不要となる。
【０００８】
【発明の実施の形態】以下、この発明の実施形態を図面
を参照して説明する。
を参照して説明する。
【０００９】この発明によって製造されるリードフレー
ムに半導体チップをマウントしたパッケージ（以下、
「パッケージ」と略する。）１０は、図１に示すよう
に、アイランド１１上にマウントされた半導体チップ１
２及びリードピン１３を有するものである。
ムに半導体チップをマウントしたパッケージ（以下、
「パッケージ」と略する。）１０は、図１に示すよう
に、アイランド１１上にマウントされた半導体チップ１
２及びリードピン１３を有するものである。
【００１０】上記半導体チップ１２は、ＩＣチップやＬ
ＳＩチップ等をいい、リードピン１３の一端部であるイ
ンナーリード１４とワイヤー１５によって連結、すなわ
ち、ワイヤーボンディングされる。リードピン１３のう
ち、その他端部であるアウターリード１６以外の部分、
アイランド１１及び半導体チップ１２は樹脂封止（樹脂
封緘）されて封止体１７が形成される。この封止体１７
からは、アウターリード１６が突出し、外部との接続に
使用される。
ＳＩチップ等をいい、リードピン１３の一端部であるイ
ンナーリード１４とワイヤー１５によって連結、すなわ
ち、ワイヤーボンディングされる。リードピン１３のう
ち、その他端部であるアウターリード１６以外の部分、
アイランド１１及び半導体チップ１２は樹脂封止（樹脂
封緘）されて封止体１７が形成される。この封止体１７
からは、アウターリード１６が突出し、外部との接続に
使用される。
【００１１】上記のリードピン１３のアウターリード１
６とインナーリード１４との間の部分には、これを覆う
ように一次樹脂層１８が形成される。この一次樹脂層１
８は、封止体１７の一部を構成する。この一次樹脂層１
８を構成する樹脂としては、エポキシ樹脂等の各種の樹
脂を用いることができる。
６とインナーリード１４との間の部分には、これを覆う
ように一次樹脂層１８が形成される。この一次樹脂層１
８は、封止体１７の一部を構成する。この一次樹脂層１
８を構成する樹脂としては、エポキシ樹脂等の各種の樹
脂を用いることができる。
【００１２】このパッケージ１０を製造する方法は、ま
ず、図２に示すようなリードフレーム２１を用意する。
このリードフレーム２１は、従来使用されている図７に
記載のリードフレーム１と比較し、ダムバー４が設けら
れていない点が異なる。このリードフレーム２１の各リ
ードピン１３のアウターリード１６とインナーリード１
４との間を、一次樹脂層１８で覆う。図３又は図４に示
すように、リードピン１３がアイランド１１の周辺から
所定距離離れたところから外向きに、放射状に設けられ
ている場合、一次樹脂層１８は口の字状となる。
ず、図２に示すようなリードフレーム２１を用意する。
このリードフレーム２１は、従来使用されている図７に
記載のリードフレーム１と比較し、ダムバー４が設けら
れていない点が異なる。このリードフレーム２１の各リ
ードピン１３のアウターリード１６とインナーリード１
４との間を、一次樹脂層１８で覆う。図３又は図４に示
すように、リードピン１３がアイランド１１の周辺から
所定距離離れたところから外向きに、放射状に設けられ
ている場合、一次樹脂層１８は口の字状となる。
【００１３】この一次樹脂層１８により、各リードピン
１３のアウターリード１６とインナーリード１４との間
の部分が気密封止される。これにより、この部分の腐食
が防止され、この部分が気密封止される。また、各リー
ドピン１３が一次樹脂層１８により固定されるので、イ
ンナーリード１４が固定され、後工程のワイヤーボンデ
ィングが容易となる。さらに、一次樹脂層１８により封
止される各リードピン１３の部分は、元来、メッキが不
要な部分である。このため、後工程のメッキ処理が容易
にかつ効率的に行うことができ、さらに、特殊な部分メ
ッキ装置が不要となる。
１３のアウターリード１６とインナーリード１４との間
の部分が気密封止される。これにより、この部分の腐食
が防止され、この部分が気密封止される。また、各リー
ドピン１３が一次樹脂層１８により固定されるので、イ
ンナーリード１４が固定され、後工程のワイヤーボンデ
ィングが容易となる。さらに、一次樹脂層１８により封
止される各リードピン１３の部分は、元来、メッキが不
要な部分である。このため、後工程のメッキ処理が容易
にかつ効率的に行うことができ、さらに、特殊な部分メ
ッキ装置が不要となる。
【００１４】また、一次樹脂層を設けることにより、ダ
ムバーカットが不要となる。このため、ダムバーカット
時に生じやすかった、リードピン１３等の損傷が防止さ
れる。
ムバーカットが不要となる。このため、ダムバーカット
時に生じやすかった、リードピン１３等の損傷が防止さ
れる。
【００１５】上記一次樹脂層１８の成形は、具体的に
は、図５（ａ）〜（ｃ）に示す工程で行われる。まず、
リードピン１３の配列に合わせて所定の形状の溝２２を
有する金型２３を用意する。この金型を図５（ａ）に示
すように、溝２２が各リードピン１３のアウターリード
１６とインナーリード１４との間の部分に配されるよう
に、金型２３をリードフレーム２１の上下面にセットす
る。
は、図５（ａ）〜（ｃ）に示す工程で行われる。まず、
リードピン１３の配列に合わせて所定の形状の溝２２を
有する金型２３を用意する。この金型を図５（ａ）に示
すように、溝２２が各リードピン１３のアウターリード
１６とインナーリード１４との間の部分に配されるよう
に、金型２３をリードフレーム２１の上下面にセットす
る。
【００１６】そして、図５（ｂ）に示すように、２つの
金型２３によって各リードピン１３を挟み込み、樹脂を
金型２３の溝２２に流し込む。樹脂としてエポキシ樹脂
を使用する場合、エポキシ樹脂の球形ペレットを２８０
℃程度の温度で溶融せしめて流し込む。このとき、リー
ドピン１３間の隙間に生じる２つの金型２３間の隙間か
ら樹脂が漏れ出すが、得られる一次樹脂層１８の厚み
は、リードピン１３の表面及び裏面共、薄膜でよいが、
最大限でそれぞれ２ｍｍ程度の膜厚なので、漏れ出る樹
脂は少なく、樹脂の漏出はあまり問題とならない。
金型２３によって各リードピン１３を挟み込み、樹脂を
金型２３の溝２２に流し込む。樹脂としてエポキシ樹脂
を使用する場合、エポキシ樹脂の球形ペレットを２８０
℃程度の温度で溶融せしめて流し込む。このとき、リー
ドピン１３間の隙間に生じる２つの金型２３間の隙間か
ら樹脂が漏れ出すが、得られる一次樹脂層１８の厚み
は、リードピン１３の表面及び裏面共、薄膜でよいが、
最大限でそれぞれ２ｍｍ程度の膜厚なので、漏れ出る樹
脂は少なく、樹脂の漏出はあまり問題とならない。
【００１７】冷却後、図５（ｃ）に示すように、金型２
３をはずすことにより、一次樹脂層１８がその表裏面に
設けられたリードフレーム２１が得られる。
３をはずすことにより、一次樹脂層１８がその表裏面に
設けられたリードフレーム２１が得られる。
【００１８】次に、この一次樹脂層１８を設けたリード
フレーム２１のうち、外部に露出しているアイランド１
１及びインナーリード１４に、金又は銀のメッキを行
い、また、アウターリード１６に、防錆及び半田付けの
ためのはんだメッキを行う。このとき、メッキが不要な
部分は既に一次樹脂層１８で被覆されていることから、
比較的容易にメッキ操作を行うことができる。また、ア
ウターリード１６の部分も半田付け特性に合致した金
属、例えば金、銀、パラジウム等のメッキを行うと、メ
ッキ操作はより容易となると共に、はんだを使用しない
ことから、はんだに含まれる鉛等の重金属による環境問
題に対しても効果的である。
フレーム２１のうち、外部に露出しているアイランド１
１及びインナーリード１４に、金又は銀のメッキを行
い、また、アウターリード１６に、防錆及び半田付けの
ためのはんだメッキを行う。このとき、メッキが不要な
部分は既に一次樹脂層１８で被覆されていることから、
比較的容易にメッキ操作を行うことができる。また、ア
ウターリード１６の部分も半田付け特性に合致した金
属、例えば金、銀、パラジウム等のメッキを行うと、メ
ッキ操作はより容易となると共に、はんだを使用しない
ことから、はんだに含まれる鉛等の重金属による環境問
題に対しても効果的である。
【００１９】次いで、アイランド１１上にＩＣチップ、
ＬＳＩチップ等の半導体チップ１２をマウントする。そ
して、半導体チップ１２とインナーリード１４との間を
ワイヤーボンディングする。次いで、樹脂封止して封止
体７を形成する。このときの樹脂封止は、図６（ａ）に
示すように、一次樹脂層１８の内側開口部のアイランド
１１、半導体チップ１２及びインナリード１４を封止す
るように樹脂を充填し、二次樹脂層２４ａを形成させ
る。上記一次樹脂層１８及び二次樹脂層２４ａを合わせ
て封止体１７となる。封止体１７の構造としては、上記
以外に、図６（ｂ）に示すように、一次樹脂層１８の内
側開口部及び上下面を覆うように二次樹脂層２４ｂを設
けたもの、図６（ｃ）に示すように、一次樹脂層１８全
体を覆うように二次樹脂層２４ｃを設けたもの等があげ
られる。
ＬＳＩチップ等の半導体チップ１２をマウントする。そ
して、半導体チップ１２とインナーリード１４との間を
ワイヤーボンディングする。次いで、樹脂封止して封止
体７を形成する。このときの樹脂封止は、図６（ａ）に
示すように、一次樹脂層１８の内側開口部のアイランド
１１、半導体チップ１２及びインナリード１４を封止す
るように樹脂を充填し、二次樹脂層２４ａを形成させ
る。上記一次樹脂層１８及び二次樹脂層２４ａを合わせ
て封止体１７となる。封止体１７の構造としては、上記
以外に、図６（ｂ）に示すように、一次樹脂層１８の内
側開口部及び上下面を覆うように二次樹脂層２４ｂを設
けたもの、図６（ｃ）に示すように、一次樹脂層１８全
体を覆うように二次樹脂層２４ｃを設けたもの等があげ
られる。
【００２０】上記の二次樹脂層２４ａ〜２４ｃに用いら
れる樹脂は、上記一次樹脂層１８に用いられる樹脂との
樹脂の接着性が良好で、かつ、両者を合わせて封止体１
７として使用することができれば、特に限定されるもの
ではない。例えば、一次樹脂層１８と同種のエポキシ樹
脂等があげられる。
れる樹脂は、上記一次樹脂層１８に用いられる樹脂との
樹脂の接着性が良好で、かつ、両者を合わせて封止体１
７として使用することができれば、特に限定されるもの
ではない。例えば、一次樹脂層１８と同種のエポキシ樹
脂等があげられる。
【００２１】最後に、アウターリード１６の先端部で切
断してリードフレーム２１から切り離し、アウターリー
ド１６を折り曲げることにより、図１に示すような、パ
ッケージが得られる。
断してリードフレーム２１から切り離し、アウターリー
ド１６を折り曲げることにより、図１に示すような、パ
ッケージが得られる。
【００２２】なお、上記パッケージ１０の封止体１７の
表面には、任意のスリットを設けることができる。この
スリットにより、封止体１７の表面積を増加させること
ができ、放熱をより効率よく行うことができる。
表面には、任意のスリットを設けることができる。この
スリットにより、封止体１７の表面積を増加させること
ができ、放熱をより効率よく行うことができる。
【００２３】このようにして得られたパッケージ１０
は、これまでのパッケージ１０と比べて、製造工程の簡
略化を伴うため、製造上のメリットを有し、また、コン
ピュータ等、これまでに使用されてきた用途にそのまま
使用することができる。
は、これまでのパッケージ１０と比べて、製造工程の簡
略化を伴うため、製造上のメリットを有し、また、コン
ピュータ等、これまでに使用されてきた用途にそのまま
使用することができる。
【００２４】
【発明の効果】この発明によれば、製造工程において、
メッキの不要な部分が一次樹脂層によって覆われる。こ
のため、容易にかつ簡便にメッキを行うことができ、部
分メッキを行うための特殊治具が不要となる。
メッキの不要な部分が一次樹脂層によって覆われる。こ
のため、容易にかつ簡便にメッキを行うことができ、部
分メッキを行うための特殊治具が不要となる。
【００２５】また、一次樹脂層を設けるので、インナー
リードを抑止するテープが不要となり、製造工程の簡略
化が図れる。
リードを抑止するテープが不要となり、製造工程の簡略
化が図れる。
【００２６】さらに、一次樹脂層を設けるので、ダムバ
ーが不要となる。このため、封止体の形成後、ダムバー
カットが不要となり、製造工程の簡略化が図れると共
に、得られるパッケージの損傷を防止できる。
ーが不要となる。このため、封止体の形成後、ダムバー
カットが不要となり、製造工程の簡略化が図れると共
に、得られるパッケージの損傷を防止できる。
【００２７】さらにまた、メッキ工程が簡略化されるの
で、メッキのための特殊治具が不要となり、１か所の組
立工場内で、パッケージの組み立てが可能となり、組み
立て途中の中間品を頻繁に移送する必要がなくなる。ま
た、一次樹脂層が緩衝材となるため、中間品の搬送時に
おける接触防止のための合紙が不要となり、かつ、使用
も合理化することができる。
で、メッキのための特殊治具が不要となり、１か所の組
立工場内で、パッケージの組み立てが可能となり、組み
立て途中の中間品を頻繁に移送する必要がなくなる。ま
た、一次樹脂層が緩衝材となるため、中間品の搬送時に
おける接触防止のための合紙が不要となり、かつ、使用
も合理化することができる。
【００２８】また、１か所の組立工場内で、パッケージ
の組み立てが可能となることから、移送に伴う損傷がな
くなると共に、移送に要する時間的ロスも回避できる。
さらにまた、移送に伴う各種作業も不要となる。
の組み立てが可能となることから、移送に伴う損傷がな
くなると共に、移送に要する時間的ロスも回避できる。
さらにまた、移送に伴う各種作業も不要となる。
【００２９】さらに、１か所の組立工場内で、パッケー
ジの組み立てが可能となることから、パッケージの組み
立てのための煩雑な工程を簡略化するので経済的であ
り、かつ、時間を短縮できる。このため、多品種少量の
オーダー品に対しても、即応することが可能となる。
ジの組み立てが可能となることから、パッケージの組み
立てのための煩雑な工程を簡略化するので経済的であ
り、かつ、時間を短縮できる。このため、多品種少量の
オーダー品に対しても、即応することが可能となる。
【００３０】さらにまた、１か所の組立工場内で、パッ
ケージの組み立てが可能となることから、不良品がでた
場合の原因追求等が容易となり、工程改善等を簡単に行
うことができる。
ケージの組み立てが可能となることから、不良品がでた
場合の原因追求等が容易となり、工程改善等を簡単に行
うことができる。
【図１】パッケージの例を示す断面図
【図２】リードフレームの例を示す正面図
【図３】リードフレームに一次樹脂層を設けた例を示す
正面図
正面図
【図４】図３の斜視図
【図５】（ａ）（ｂ）（ｃ）リードフレームに一次樹脂
層を設ける工程の例を示す図
層を設ける工程の例を示す図
【図６】（ａ）（ｂ）（ｃ）リードフレームに二次樹脂
層を設けた状態を示す断面図
層を設けた状態を示す断面図
【図７】従来のリードフレームの例を示す正面図
【図８】従来のリードフレームに封止体を設けた例を示
す斜視図
す斜視図
【図９】図８のパッケージを切り出した状態を示す一部
切欠斜視図
切欠斜視図
１ リードフレーム ２ アイランド ３ リードピン ４ ダムバー ５ テープ ６ 半導体チップ ７ 封止体 ８ アウターリード ９ インナーリード １０ パッケージ １１ アイランド １２ 半導体チップ １３ リードピン １４ インナーリード １５ ワイヤー １６ アウターリード １７ 封止体 １８ 一次樹脂層 ２１ リードフレーム ２２ 溝 ２３ 金型 ２４ａ、２４ｂ、２４ｃ 二次樹脂層
Claims (1)
- 【請求項１】 リードフレーム上に形成されるリードピ
ンのアウターリードとインナーリードとの間を、一次樹
脂層で覆い、次いで、上記一次樹脂層の内側の上記リー
ドフレームのアイランド及びインナーリードにメッキを
行い、次いで、上記アイランド上に半導体チップをマウ
ントすると共に、上記半導体チップとインナーリードと
の間をワイヤーボンディングし、次いで、一次樹脂層の
内側の上記アイランド、半導体チップ及びインナーリー
ドを封止するように二次樹脂層を形成する、リードフレ
ームに半導体チップをマウントしたパッケージの製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10253629A JP2964403B1 (ja) | 1998-09-08 | 1998-09-08 | リードフレームに半導体チップをマウントしたパッケージの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10253629A JP2964403B1 (ja) | 1998-09-08 | 1998-09-08 | リードフレームに半導体チップをマウントしたパッケージの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2964403B1 true JP2964403B1 (ja) | 1999-10-18 |
| JP2000091364A JP2000091364A (ja) | 2000-03-31 |
Family
ID=17254011
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10253629A Expired - Fee Related JP2964403B1 (ja) | 1998-09-08 | 1998-09-08 | リードフレームに半導体チップをマウントしたパッケージの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2964403B1 (ja) |
-
1998
- 1998-09-08 JP JP10253629A patent/JP2964403B1/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2000091364A (ja) | 2000-03-31 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US10998288B2 (en) | Method of manufacturing a semiconductor device | |
| JP2522524B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| EP0503072B1 (en) | Semiconductor device and its manufacturing process | |
| JP2964403B1 (ja) | リードフレームに半導体チップをマウントしたパッケージの製造方法 | |
| JPH0697349A (ja) | 樹脂封止型半導体装置とその製造方法 | |
| JP4566266B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| KR100373891B1 (ko) | 반도체장치 | |
| JPH0582573A (ja) | 樹脂封止型半導体装置用金型 | |
| JP3345759B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JP4225312B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JP4535513B2 (ja) | 半導体装置 | |
| KR200168394Y1 (ko) | 반도체 패키지의 리드 프레임 | |
| KR20010053792A (ko) | 반도체 패키지 제조용 리드프레임 | |
| JPH06216293A (ja) | リ−ドフレ−ムおよびこのリ−ドフレ−ムを用いたｌｓｉパッケ−ジの製造方法 | |
| JPH04316359A (ja) | リードフレーム及びそれを用いた半導体装置の製造方法 | |
| JPH0296357A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH06326244A (ja) | リードフレーム | |
| JPS6149429A (ja) | 樹脂封止形半導体装置の製造方法 | |
| JPH06244353A (ja) | 半導体集積回路装置 | |
| JPH0719870B2 (ja) | リードフレーム | |
| JPH10256454A (ja) | リードフレームおよびその製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |